KR101121849B1 - 와이어 본딩 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명에서는 와이어 본딩 공정 중에 와이어가 산화되는 것을 방지할 수 있는 와이어 본딩 장치가 개시된다.
일 예로, 일 방향으로 왕복하여 와이어를 공급하고, EFO(Electric Flame off) 디바이스의 아크를 통해 와이어 본딩을 수행하는 캐필러리 헤드; 및 상기 캐필러리 헤드의 이동 경로를 따라 형성된 수직홀을 구비하고, 상기 수직홀을 통해 상기 캐필러리 헤드에 가스를 공급하는 가스 공급 튜브를 포함하고, 상기 가스 공급 튜브는 상기 수직홀의 주변에서 상기 수직홀을 향해 가스를 공급하는 와이어 본딩 장치가 개시된다.
일 예로, 일 방향으로 왕복하여 와이어를 공급하고, EFO(Electric Flame off) 디바이스의 아크를 통해 와이어 본딩을 수행하는 캐필러리 헤드; 및 상기 캐필러리 헤드의 이동 경로를 따라 형성된 수직홀을 구비하고, 상기 수직홀을 통해 상기 캐필러리 헤드에 가스를 공급하는 가스 공급 튜브를 포함하고, 상기 가스 공급 튜브는 상기 수직홀의 주변에서 상기 수직홀을 향해 가스를 공급하는 와이어 본딩 장치가 개시된다.
Description
본 발명은 와이어 본딩 장치에 관한 것이다.
반도체의 패키징 공정에서 반도체 다이의 다이 패드를 기판과 연결시키는 와이어 본딩 공정은 필수적이다. 그리고 와이어 본딩에 사용되는 도전성 와이어는 전기 전도도가 좋은 금이 주로 사용되고 있다. 그런데 금은 단가가 높기 때문에, 반도체 패키징의 생산 단가를 높이는 문제가 있다.
최근 들어, 금 대신 구리나 알루미늄 등의 금속을 이용하여 와이어 본딩을 수행하고자 하는 연구가 이루어지고 있다. 그러나, 구리나 알루미늄과 같은 금속들은 산화가 빠르게 이루어지기 때문에 와이어 본딩 과정에서 산화되기 쉽다. 또한, 와이어가 산화되면, 반도체 다이의 본드 패드 및 기판과의 사이에서 결합력이 약해지게 된다. 결국, 이러한 와이어의 산화로 인해 전체 반도체 패키지의 신뢰성이 저하되는 문제가 발생한다.
본 발명은 와이어 본딩 공정 중에 와이어가 산화되는 것을 방지할 수 있는 와이어 본딩 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 와이어 본딩 장치는 일 방향으로 왕복하여 와이어를 공급하고, EFO(Electric Flame off) 디바이스의 아크를 통해 와이어 본딩을 수행하는 캐필러리 헤드; 및 상기 캐필러리 헤드의 이동 경로를 따라 형성된 수직홀을 구비하고, 상기 수직홀을 통해 상기 캐필러리 헤드에 가스를 공급하는 가스 공급 튜브를 포함하고, 상기 가스 공급 튜브는 상기 수직홀의 주변에서 상기 수직홀을 향해 가스를 공급할 수 있다.
여기서, 상기 가스 공급 튜브는 상기 수직홀을 향해 형성된 복수개의 수평홀을 통해 상기 수직홀에 가스를 공급할 수 있다.
그리고 상기 가스 공급 튜브의 수평홀은 상기 수직홀에 수직한 방향으로 형성되어 연결된 제 1 홀; 및 상기 제 1 홀로부터 분리되고, 상기 케필러리 헤드의 수직홀에 수직한 방향으로 형성되어 연결된 적어도 하나의 제 2 홀을 포함할 수 있다.
또한, 상기 가스 공급 튜브의 수평홀은 상기 수직홀과 연결된 부분을 제외한 나머지 부분이 밀봉될 수 있다.
또한, 상기 가스 공급 튜브는 상기 케필러리 헤드의 주변을 따라 형성된 수평홀을 통해 상기 수직홀에 가스를 공급할 수 있다.
또한, 상기 가스 공급 튜브의 수평홀은 상기 케필러리 헤드의 주변을 따라 형성된 제 1 홀; 및 상기 제 1 홀의 하면을 관통하여 형성되어 상기 수직홀에 가스를 공급하는 복수개의 제 2 홀을 포함할 수 있다.
또한, 상기 가스 공급 튜브의 제 2 홀은 상기 제 1 홀의 하면을 따라 동일한 간격으로 이격되어 형성될 수 있다.
또한, 상기 가스 공급 튜브의 제 2 홀은 상기 제 1 홀의 하면으로부터 경사면을 갖도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 경사면은 상기 제 2 홀의 하부가 상기 수직홀의 하부를 향하도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 가스 공급 튜브는 일측으로부터 가스를 공급받고, 타측에 상기 수직홀이 형성된 제 1 튜브; 및 상기 제 1 튜브의 타측 상부에 결합된 제 2 튜브를 포함하고, 상기 제 2 튜브는 내부에 상기 수직홀에 대응되는 위치에 형성된 제 1 홀과 상기 제 1 홀의 주변을 따라 형성되어 상기 가스를 분산시키는 제 2 홀을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 2 튜브의 제 2 홀은 상기 제 2 튜브의 하면에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 2 튜브의 제 2 홀은 상기 제 1 홀을 형성하는 외벽의 둘레를 따라 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 1 튜브의 수직홀과 상기 제 2 튜브의 제 2 수직홀의 사이에는 공간이 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 1 튜브는 상기 타측 단부에 단차를 구비하고, 상기 제 2 튜브는 상기 단차에 결합될 수 있다.
본 발명에 의한 와이어 본딩 장치는 캐필러리 헤드가 볼 본딩을 수행하는 동안, 가스 공급 튜브의 홀을 통해 캐필러리 헤드의 주변으로부터 캐피러리 헤드에 가스를 공급함으로써, 와이어의 산화가 발생하는 것을 방지하고 신뢰성을 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 부분 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 투명 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 투명 사시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 사시도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 사시도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 저면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 사시도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 분해 사시도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 분해 사시도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 투명 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 투명 사시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 사시도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 사시도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 저면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 사시도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 분해 사시도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 분해 사시도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 단면도이다.
본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 구성을 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 부분 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 사시도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 투명 사시도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 투명 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치(100)는 프레임(110), 가스 공급 튜브(120), 캐필러리 헤드(130)를 포함하여 이루어진다.
상기 프레임(110)은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치(100)의 기본을 형성한다. 상기 프레임(110)은 상기 가스 공급 튜브(120)과 캐필러리 헤드(130)의 위치를 고정시키고, 상기 가스 공급 튜브(120)에 상응하는 위치에서 상기 캐필러리 헤드(130)가 이동할 수 있도록 한다. 또한, 별도로 도시하지는 않았지만, 상기 프레임(110)은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치(100)를 구성하기 위한 다른 구성요소를 고정시킨다.
상기 가스 공급 튜브(120)는 상기 프레임(110)에 결합되고, 상기 프레임(110)의 일단으로 돌출된다. 상기 가스 공급 튜브(120)는 내부에 형성된 EFO(Electric Flame Off) 디바이스(미도시)를 이용하여 상기 캐필러리 헤드(130)에 방전 아크(arc)를 공급한다. 이에 따라, 상기 캐필러리 헤드(130)는 상기 가스 공급 튜브(120) 내에서 볼 본딩을 수행할 수 있다.
또한, 상기 가스 공급 튜브(120)는 상기 캐필러리 헤드(130)에 가스를 공급한다. 상기 가스 공급 튜브(120)는 상기 캐필러리 헤드(130)가 와이어를 이용하여 볼 본딩을 수행하는 동안, 가스를 공급하여 와이어가 산화되는 것을 방지한다. 이를 위해, 상기 가스는 질소와 같은 환원 가스 또는 아르곤과 같은 불활성 가스일 수 있다.
상기 가스 공급 튜브(120)는 가스를 공급받는 튜브(121)를 기본으로 하여 형성된다. 상기 튜브(121)는 일측으로부터 상기 가스를 공급받는다. 또한, 상기 가스 공급 튜브(120)는 타측의 단부에 형성된 수직홀(122)을 통해 상기 가스를 타측 하부로 이동시킨다. 상기 가스 공급 튜브(120)는 상기 튜브(121)의 가스를 상기 캐필러리 헤드(130)에 공급하며, 상기 가스는 상기 캐필러리 헤드(130)의 와이어가 볼 본딩 중에 산화되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 가스 공급 튜브(120)를 통해 와이어를 이용한 볼 본딩이 반도체 다이의 본드 패드 및 기판의 상부에 안정하게 수행될 수 있고, 그 결과 반도체 패키지의 신뢰성이 증대될 수 있다.
이 때, 상기 가스 공급 튜브(120)는 상기 튜브(121)의 내부에 위치한 가스 공급관(123)에 연결된 공급홀(124)을 통해 가스를 공급받고, 상기 공급홀(124)에 연결된 수평홀(125)을 통해 상기 수직홀(122)에 가스를 공급한다.
상기 수평홀(125)은 상기 공급홀(124)에 연결된 제 1 홀(125a) 내지 제 3 홀(125c)을 포함하여 이루어진다. 상기 수평홀(125)은 상기 수평홀(124)로부터 연장되어 형성된 제 1 홀(125a), 상기 제 1 홀(125a)로부터 분기된 제 2 홀(125b) 및 제 3 홀(125c)을 포함한다. 상기 제 1 홀(125a) 내지 제 3 홀(125c)은 상기 수직홀(122)에 대해 각각 세 개의 방향으로부터 연결된다. 즉, 상기 제 1 홀(125a) 내지 제 3 홀(125c)을 통과한 가스는 상기 수직홀(122)에 대해 세 방향에서 공급된다. 결국, 상기 수직홀(122)의 내부에 위치한 상기 캐필러리 헤드(130)는 상기 제 1 홀(125a) 내지 제 3 홀(125c)에 따른 세 개의 방향으로부터 가스를 공급받는다. 따라서, 상기 캐필러리 헤드(130)는 와이어를 이용한 볼 본딩의 수행 중 상기 가스에 의해 산화되는 것이 방지될 수 있다.
상기 캐필러리 헤드(130)는 상기 프레임(110)에 결합되어, 상기 프레임(110)의 일측으로 돌출된다. 상기 캐필러리 헤드(130)는 상기 프레임(110)에 고정된 상태에서 상하로 이동하여 반도체 다이의 본드 패드 및 기판의 상부에 와이어 본딩을 수행한다. 이 때, 상기 캐필러리 헤드(130)의 이동은 상기 가스 공급 튜브(120)의 수직홀(122)의 내부에서 이루어진다. 또한, 상술한 바와 같이, 상기 캐필러리 헤드(130)의 와이어 본딩시 상기 가스 공급 튜브(120)의 제 1 홀(125a) 내지 제 3 홀(125c)을 따라 공급된 가스를 통해 와이어의 산화가 방지될 수 있다.
상기와 같이 하여, 본 발명이 일 실시예에 따른 와이어 본딩 장치(100)는 캐필러리 헤드(130)가 볼 본딩을 수행하는 동안, 가스 공급 튜브(120)의 제 1 홀(125a) 내지 제 3 홀(125c)을 통해 캐필러리 헤드(130)에 세 방향으로부터 가스를 공급함으로써, 볼 본딩시 와이어의 산화가 발생하는 것을 방지하여, 신뢰성을 확보할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 구성을 설명하도록 한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 사시도이다. 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 사시도이다. 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 저면도이다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치(200)는 프레임(미도시), 가스 공급 튜브(220), 캐필러리 헤드(미도시)를 포함한다. 상기 프레임 및 캐필러리 헤드는 앞서 설명한 프레임(110) 및 캐필러리 헤드(130)와 동일하므로, 동일한 도면 부호를 사용하도록 한다.
상기 가스 공급 튜브(220)는 상기 프레임(110)에 결합되고, 상기 프레임(110)의 일단으로 돌출된다. 상기 가스 공급 튜브(220)는 역시 내부에 형성된 EFO(Electric Flame Off) 디바이스(미도시)를 이용하여 상기 캐필러리 헤드(130)에 방전 아크(arc)를 공급한다. 따라서, 상기 가스 공급 튜브(220)는 상기 캐필러리 헤드(130)가 볼 본딩을 수행할 수 있도록 한다.
또한, 상기 가스 공급 튜브(220)는 상기 캐필러리 헤드(130)에 가스를 공급한다. 상기 가스 공급 튜브(220)는 상기 캐필러리 헤드(130)가 와이어를 이용하여 볼 본딩을 수행하는 동안, 와이어가 산화되는 것을 방지한다.
상기 가스 공급 튜브(220)는 가스를 공급받는 튜브(221)를 기본으로 하여 형성되고, 수직홀(222)에 가스를 공급한다. 상기 튜브(221)는 일측의 가스 공급관(223)으로부터 가스를 공급받는다. 또한, 상기 가스 공급 튜브(220)는 타측의 단부에 형성된 수직홀(222)을 통해 상기 가스를 타측 하부로 이동시킨다.
또한, 상기 가스 공급 튜브(220)는 상기 튜브(221)로부터 상기 수직홀(222)에 연결된 수평홀(224), 상기 수평홀(224)에 연결되어 상기 수직홀(222)의 주변을 감싸는 제 1 홀(225), 상기 제 1 홀(225)의 하면을 관통하여 형성되는 복수개의 제 2 홀(226)을 포함한다. 상기 제 1 홀(225)은 상기 수평홀(224)로부터 연결되어, 상기 수평홀(224)로부터 공급받은 가스가 상기 수직홀(222)의 주변을 따라 순환하도록 한다. 또한, 상기 제 1 홀(225)의 하면에 형성된 제 2 홀(226)은 상기 제 1 홀(225)을 따라 순환한 가스를 상기 수직홀(222)에 전달한다. 이 때, 상기 제 2 홀(226)은 상기 수직홀(222)을 향하도록 경사각을 이루면서 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 2 홀(226)을 통과한 가스는 상기 수직홀(222)의 하부를 향해 전달된다. 결국, 상기 수직홀(222)의 내부에서 수직 방향으로 이동하는 상기 캐필러리 헤드(130)의 단부에 상기 가스가 공급될 수 있다. 또한, 상기 제 2 홀(226)은 상기 제 1 홀(225)을 따라 상호간에 일정 거리를 갖도록 이격되어 형성되어 있다. 따라서, 상기 제 2 홀(226)을 통과한 가스는 상기 캐필러리 헤드(130)의 단부를 향해 균일한 정도로 공급될 수 있다. 따라서, 상기 캐필러리 헤드(130)를 통해 볼 본딩이 수행되는 동안, 상기 와이어가 산화되는 것을 용이하게 방지할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 구성을 설명하도록 한다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 사시도이다. 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 분해 사시도이다. 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 분해 사시도이다. 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치의 가스 공급 튜브를 확대한 단면도이다.
도 8 내지 도 11을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 와이어 본딩 장치(300)는 프레임(미도시), 가스 공급 튜브(320), 캐필러리 헤드(미도시)를 포함한다. 상기 프레임 및 캐필러리 헤드는 앞선 실시예의 프레임(110) 및 캐필러리 헤드(130)와 동일하므로, 동일한 도면 부호를 사용하도록 한다.
상기 가스 공급 튜브(320)는 상기 프레임(110)에 연결되어 위치가 고정된다. 상기 가스 공급 튜브(320)는 일측에 연결된 별도의 가스 공급관으로부터 가스를 공급받고, 타측을 통해 상기 가스를 상기 캐필러리 헤드(130)에 공급한다.
상기 가스 공급 튜브(320)는 일측이 상기 가스 공급관으로부터 연결된 제 1 튜브(321), 상기 제 1 튜브(321)의 타측 상부에 결합되는 제 2 튜브(324)를 포함한다.
상기 제 1 튜브(321)는 타측에 상기 캐필러리 헤드(130)의 이동방향을 따라 형성된 수직홀(322), 상기 제 1 튜브(321)로부터 연결되어 상기 수직홀(322)에 가스를 공급하는 수평홀(323)을 포함하여 형성된다. 상기 제 1 튜브(321)는 상기 수평홀(323)을 통해 상기 수직홀(322)에 가스를 공급한다. 또한, 상기 제 1 튜브(321)의 수직홀(322)은 상기 캐필러리 헤드(130)에 가스를 공급하게 된다.
상기 제 2 튜브(324)는 상기 제 1 튜브(321)의 타측 상부에 결합된다. 상기 제 2 튜브(324)는 단차(324a)를 통해 상기 제 1 튜브(321)의 단차(321a)에 결합된다. 상기 제 2 튜브(324)는 상기 제 1 튜브(321)의 수평홀(323)로부터 인가된 가스를 상기 수직홀(322)의 주변으로 순환시키고 상기 수직홀(322)의 내부로 공급한다.
상기 제 2 튜브(324)는 상기 제 1 튜브(321)의 수직홀(322)에 대응되는 제 1 홀(325), 상기 제 1 홀(325)의 주변을 따라 형성된 제 2 홀(336)을 포함한다. 상기 제 1 홀(325)은 상기 캐필러리 헤드(130)가 상하로 이동하는 경로를 구획한다. 상기 제 2 홀(326)은 상기 제 1 홀(325)을 형성하는 외벽의 둘레를 따라 형성되어, 상기 수평홀(323)을 통해 공급된 가스가 상기 제 1 홀(325)의 주변을 따라 순환하도록 할 수 있다. 상기 제 2 홀(326)은 가스를 상기 제 1 홀(325)의 외벽과 상기 제 2 홀(326)의 내벽 사이에 구획된 공간에 위치시켜서, 상기 가스가 상기 제 1 홀(325)의 주변을 따라 순환하도록 한다. 또한, 상기 제 2 홀(326)과 상기 제 1 튜브(321)의 수직홀(322)의 사이에는 공간이 구비되어 상기 가스가 상기 수직홀(322)로 공급될 수 있다. 따라서, 상기 가스는 상기 제 1 홀(325)의 주변에 일정한 밀도로 위치하게 된 상태에서, 상기 제 1 튜브(321)의 수직홀(322)의 내부로 공급된다. 상기 수직홀(322)은 상기 캐필러리 헤드(130)에 상기 가스를 공급하기 때문에 와이어를 이용한 볼 본딩 작업시 상기 캐필러리 헤드(130)에 결합된 와이어가 산화되는 것이 방지된다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 의한 와이어 본딩 장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
100, 200, 300; 와이어 본딩 장치
110; 프레임 120, 220, 320; 가스 공급 튜브
121, 221; 튜브 122, 222; 수직홀
123, 223; 가스 공급관 124, 224; 공급홀
125; 수평홀 225; 제 1 홀
226; 제 2 홀 227; EFO 팁 홀
321; 제 1 튜브 322; 수직홀
323; 공급홀 324; 제 2 튜브
325; 제 1 홀 326; 제 2 홀
110; 프레임 120, 220, 320; 가스 공급 튜브
121, 221; 튜브 122, 222; 수직홀
123, 223; 가스 공급관 124, 224; 공급홀
125; 수평홀 225; 제 1 홀
226; 제 2 홀 227; EFO 팁 홀
321; 제 1 튜브 322; 수직홀
323; 공급홀 324; 제 2 튜브
325; 제 1 홀 326; 제 2 홀
Claims (14)
- 삭제
- 삭제
- 일 방향으로 왕복하여 와이어를 공급하고, EFO(Electric Flame off) 디바이스의 아크를 통해 와이어 본딩을 수행하는 캐필러리 헤드; 및
상기 캐필러리 헤드의 이동 경로를 따라 형성된 수직홀을 구비하고, 상기 수직홀을 통해 상기 캐필러리 헤드에 가스를 공급하는 가스 공급 튜브를 포함하고,
상기 가스 공급 튜브는 상기 수직홀의 주변에서 상기 수직홀을 향해 가스를 공급하고,
상기 가스 공급 튜브는
상기 수직홀을 향해 형성된 복수개의 수평홀을 통해 상기 수직홀에 가스를 공급하며,
상기 가스 공급 튜브의 수평홀은
상기 수직홀에 수직한 방향으로 형성되어 연결된 제 1 홀; 및
상기 제 1 홀로부터 분리되고, 상기 캐필러리 헤드의 수직홀에 수직한 방향으로 형성되어 연결된 적어도 하나의 제 2 홀을 포함하는 와이어 본딩 장치. - 일 방향으로 왕복하여 와이어를 공급하고, EFO(Electric Flame off) 디바이스의 아크를 통해 와이어 본딩을 수행하는 캐필러리 헤드; 및
상기 캐필러리 헤드의 이동 경로를 따라 형성된 수직홀을 구비하고, 상기 수직홀을 통해 상기 캐필러리 헤드에 가스를 공급하는 가스 공급 튜브를 포함하고,
상기 가스 공급 튜브는 상기 수직홀의 주변에서 상기 수직홀을 향해 가스를 공급하고,
상기 가스 공급 튜브는
상기 수직홀을 향해 형성된 복수개의 수평홀을 통해 상기 수직홀에 가스를 공급하며,
상기 가스 공급 튜브의 수평홀은
상기 수직홀과 연결된 부분을 제외한 나머지 부분이 밀봉된 와이어 본딩 장치. - 삭제
- 일 방향으로 왕복하여 와이어를 공급하고, EFO(Electric Flame off) 디바이스의 아크를 통해 와이어 본딩을 수행하는 캐필러리 헤드; 및
상기 캐필러리 헤드의 이동 경로를 따라 형성된 수직홀을 구비하고, 상기 수직홀을 통해 상기 캐필러리 헤드에 가스를 공급하는 가스 공급 튜브를 포함하고,
상기 가스 공급 튜브는 상기 수직홀의 주변에서 상기 수직홀을 향해 가스를 공급하고,
상기 가스 공급 튜브는
상기 케필러리 헤드의 주변을 따라 형성된 수평홀을 통해 상기 수직홀에 가스를 공급하며,
상기 가스 공급 튜브의 수평홀은
상기 케필러리 헤드의 주변을 따라 형성된 제 1 홀; 및
상기 제 1 홀의 하면을 관통하여 형성되어 상기 수직홀에 가스를 공급하는 복수개의 제 2 홀을 포함하는 와이어 본딩 장치. - 제 6 항에 있어서,
상기 가스 공급 튜브의 제 2 홀은
상기 제 1 홀의 하면을 따라 동일한 간격으로 이격되어 형성된 와이어 본딩 장치. - 제 6 항에 있어서,
상기 가스 공급 튜브의 제 2 홀은
상기 제 1 홀의 하면으로부터 경사면을 갖도록 형성된 와이어 본딩 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 경사면은
상기 제 2 홀의 하부가 상기 수직홀의 하부를 향하도록 형성된 와이어 본딩 장치. - 일 방향으로 왕복하여 와이어를 공급하고, EFO(Electric Flame off) 디바이스의 아크를 통해 와이어 본딩을 수행하는 캐필러리 헤드; 및
상기 캐필러리 헤드의 이동 경로를 따라 형성된 수직홀을 구비하고, 상기 수직홀을 통해 상기 캐필러리 헤드에 가스를 공급하는 가스 공급 튜브를 포함하고,
상기 가스 공급 튜브는 상기 수직홀의 주변에서 상기 수직홀을 향해 가스를 공급하고,
상기 가스 공급 튜브는
일측으로부터 가스를 공급받고, 타측에 상기 수직홀이 형성된 제 1 튜브; 및
상기 제 1 튜브의 타측 상부에 결합된 제 2 튜브를 포함하고,
상기 제 2 튜브는 내부에 상기 수직홀에 대응되는 위치에 형성된 제 1 홀과 상기 제 1 홀의 주변을 따라 형성되어 상기 가스를 분산시키는 제 2 홀을 포함하는 와이어 본딩 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 2 튜브의 제 2 홀은
상기 제 2 튜브의 하면에 형성된 와이어 본딩 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 2 튜브의 제 2 홀은 상기 제 1 홀을 형성하는 외벽의 둘레를 따라 형성된 와이어 본딩 장치. - 제 12 항에 있어서,
상기 제 1 튜브의 수직홀과 상기 제 2 튜브의 제 2 수직홀의 사이에는 공간이 형성된 와이어 본딩 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 튜브는 상기 타측 단부에 단차를 구비하고, 상기 제 2 튜브는 상기 단차에 결합되는 와이어 본딩 장치.
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Citations (3)
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KR20080003732A (ko) * | 2006-07-03 | 2008-01-08 | 가부시키가이샤 신가와 | 와이어 본딩 장치에서의 볼 형성 장치 및 본딩 장치 |
KR20080095249A (ko) * | 2006-04-20 | 2008-10-28 | 가부시끼가이샤가이죠 | 워크 클램프 및 와이어 본딩 장치 |
WO2009152066A2 (en) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | Kulicke Adn Sofa Industries, Inc. | Gas delivery system for reducing oxidation in wire bonding operations |
-
2010
- 2010-03-31 KR KR1020100029502A patent/KR101121849B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20080095249A (ko) * | 2006-04-20 | 2008-10-28 | 가부시끼가이샤가이죠 | 워크 클램프 및 와이어 본딩 장치 |
KR20080003732A (ko) * | 2006-07-03 | 2008-01-08 | 가부시키가이샤 신가와 | 와이어 본딩 장치에서의 볼 형성 장치 및 본딩 장치 |
WO2009152066A2 (en) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | Kulicke Adn Sofa Industries, Inc. | Gas delivery system for reducing oxidation in wire bonding operations |
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