KR101117721B1 - Apparatus and method for thin layer deposition - Google Patents

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Abstract

본 발명은 증착 물질을 방사하는 증착원; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 일 방향을 따라 복수 개의 제1 슬릿들이 형성되는 제1 노즐; 상기 증착원과 대향되게 배치되고, 상기 일 방향을 따라 복수 개의 제2 슬릿들이 형성되는 제2 노즐; 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 구획하도록 상기 일 방향을 따라 배치된 복수 개의 차단벽들을 구비하는 차단벽 어셈블리; 및 상기 차단벽 어셈블리 상에 증착된 상기 증착 물질을 회수하는 증착 물질 회수 장치를 포함하는 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법을 제공한다. The present invention is a deposition source for emitting a deposition material; A first nozzle disposed on one side of the deposition source and having a plurality of first slits formed in one direction; A second nozzle disposed to face the deposition source and having a plurality of second slits formed along the one direction; A barrier wall assembly having a plurality of barrier walls disposed along the one direction to partition a space between the first nozzle and the second nozzle; And a deposition material recovery device for recovering the deposition material deposited on the barrier wall assembly.

박막 증착 장치, 증착 물질 회수 장치, 콜드트랩 Thin Film Deposition Device, Deposition Material Recovery Device, Cold Trap

Description

박막 증착 장치 및 박막 증착 방법{Apparatus and method for thin layer deposition}Thin film deposition apparatus and thin film deposition method {Apparatus and method for thin layer deposition}

본 발명은 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 증착 물질을 회수하는 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus and a thin film deposition method, and more particularly to a thin film deposition apparatus and a thin film deposition method for recovering the deposition material.

디스플레이 장치들 중, 유기 발광 디스플레이 장치는 시야각이 넓고 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로서 주목을 받고 있다. Among the display devices, the organic light emitting display device has attracted attention as a next generation display device because of its advantages of having a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response speed.

일반적으로, 유기 발광 디스플레이 장치는 애노드와 캐소드에서 주입되는 정공과 전자가 발광층에서 재결합하여 발광하는 원리로 색상을 구현할 수 있도록, 애노드와 캐소드 사이에 발광층을 삽입한 적층형 구조를 가지고 있다. 그러나, 이러한 구조로는 고효율 발광을 얻기 어렵기 때문에, 각각의 전극과 발광층 사이에 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등의 중간층을 선택적으로 추가 삽입하여 사용하고 있다. In general, an organic light emitting display device has a stacked structure in which a light emitting layer is inserted between an anode and a cathode so that colors can be realized on the principle that holes and electrons injected from the anode and the cathode recombine in the light emitting layer to emit light. However, such a structure makes it difficult to obtain high-efficiency light emission. Therefore, intermediate layers such as an electron injection layer, an electron transport layer, a hole transport layer, and a hole injection layer are selectively inserted between each electrode and the light emitting layer.

그러나, 발광층 및 중간층 등의 유기 박막의 미세 패턴을 형성하는 것이 실질적으로 매우 어렵고, 상기 층에 따라 적색, 녹색 및 청색의 발광 효율이 달라지 기 때문에, 종래의 박막 증착 장치로는 대면적(5G 이상의 마더 글래스(mother-glass))에 대한 패터닝이 불가능하여 만족할 만한 수준의 구동 전압, 전류 밀도, 휘도, 색순도, 발광 효율 및 수명 등을 가지는 대형 유기 발광 디스플레이 장치를 제조할 수 없는 바, 이의 개선이 시급하다. 또한, 이러한 증착 공정은 증착 재료의 소모량이 높아 제조 비용을 상승시키는 문제가 있다. However, since it is practically very difficult to form fine patterns of organic thin films, such as a light emitting layer and an intermediate layer, and the luminous efficiency of red, green, and blue varies depending on the layer, the conventional thin film deposition apparatus has a large area (5G). It is impossible to manufacture a large organic light emitting display device having a satisfactory driving voltage, current density, brightness, color purity, luminous efficiency, and lifespan because it is impossible to pattern the above mother-glass. This is urgent. In addition, such a deposition process has a problem in that the consumption of the deposition material is high and the manufacturing cost is increased.

본 발명은 대형 기판 양산 공정에서 증착 물질을 용이하게 재활용할 수 있는 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법를 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a thin film deposition apparatus and a thin film deposition method that can easily recycle the deposition material in a large-scale substrate production process.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면 증착 물질을 방사하는 증착원; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 일 방향을 따라 복수 개의 제1 슬릿들이 형성되는 제1 노즐; 상기 증착원과 대향되게 배치되고, 상기 일 방향을 따라 복수 개의 제2 슬릿들이 형성되는 제2 노즐; 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 구획하도록 상기 일 방향을 따라 배치된 복수 개의 차단벽들을 구비하는 차단벽 어셈블리; 및 상기 차단벽 어셈블리 상에 증착된 상기 증착 물질을 회수하는 증착 물질 회수 장치를 포함하는 박막 증착 장치를 제공한다. In order to achieve the above object, according to an aspect of the present invention, a deposition source for emitting a deposition material; A first nozzle disposed on one side of the deposition source and having a plurality of first slits formed in one direction; A second nozzle disposed to face the deposition source and having a plurality of second slits formed along the one direction; A barrier wall assembly having a plurality of barrier walls disposed along the one direction to partition a space between the first nozzle and the second nozzle; And a deposition material recovery device for recovering the deposition material deposited on the barrier wall assembly.

여기서, 상기 증착 물질 회수 장치는 증착 물질이 증착된 차단벽 어셈블리를 내부에 배치하고, 내부 온도를 상승시켜 상기 증착 물질을 기화시키는 챔버; 상기 기화된 상기 증착 물질을 냉각하여 상기 증착 물질을 회수하는 냉각 회수 장치; 및The deposition material recovery apparatus may include: a chamber configured to dispose a barrier wall assembly on which deposition material is deposited, and to increase an internal temperature to vaporize the deposition material; A cooling recovery apparatus for cooling the vaporized deposition material to recover the deposition material; And

상기 기화된 상기 증착 물질이 상기 냉각 회수 장치로 이동하도록 상기 챔버에 주입하는 캐리어 가스;를 포함할 수 있다. And a carrier gas injected into the chamber so that the vaporized deposition material moves to the cooling recovery apparatus.

여기서, 상기 냉각 회수 장치는 상기 캐리어 가스와 상기 기화된 증착 물질을 유입하는 입구; 상기 유입된 상기 캐리어 가스와 상기 기화된 증착 물질을 열전달을 통해 냉각 시키는 냉각 매체; 상기 캐리어 가스를 유출 시키는 출구; 및 상체 와 하체로 분리 가능하고, 상기 입구와 상기 출구를 연결하며 상기 냉각 매체와 접하고 상기 기화된 증착 물질이 고체의 상기 증착 물질로 상변화되는 프라스크를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 냉각 매체는 액체 N2로 구성될 수 있다. The cooling recovery apparatus may include an inlet for introducing the carrier gas and the vaporized deposition material; A cooling medium cooling the introduced carrier gas and the vaporized deposition material through heat transfer; An outlet for outflowing the carrier gas; And a flask that is separable from the upper body and the lower body, connects the inlet and the outlet, contacts the cooling medium, and changes the vaporized deposition material into the solid deposition material. Here, the cooling medium may be composed of liquid N 2 .

여기서, 상기 챔버는 상기 증착 물질을 기화시키기 위하여 상기 챔버를 외부에서 가열하여 상기 챔버의 상기 내부 온도를 상승시킬 수 있다. 상기 챔버는 입구와 출구를 구비하여 상기 입구에서 상기 캐리어 가스가 유입되고 상기 출구에서 상기 캐리어 가스가 유출될 수 있다. 상기 챔버의 상승된 상기 내부 온도는 300°C 보다 낮지 않게 구성할 수 있다. 상기 챔버는 상기 증착 물질을 기화시키기 위하여 상기 챔버의 상기 내부 온도를 상기 증착 물질이 기화 가능한 소정의 온도로 조절 및 유지할 수 있다. Here, the chamber may increase the internal temperature of the chamber by heating the chamber externally to vaporize the deposition material. The chamber may have an inlet and an outlet so that the carrier gas is introduced at the inlet and the carrier gas is discharged at the outlet. The elevated internal temperature of the chamber can be configured not to be lower than 300 ° C. The chamber may adjust and maintain the internal temperature of the chamber to a predetermined temperature at which the deposition material may vaporize to vaporize the deposition material.

여기서, 상기 유입되는 상기 캐리어 가스의 온도는 상기 상승된 상기 내부 온도보다 낮지 않게 구성될 수 있다. 또한, 상기 캐리어 가스는 N2가스로 구성될 수 있다. Here, the temperature of the incoming carrier gas may be configured not to be lower than the elevated internal temperature. In addition, the carrier gas may be composed of N 2 gas.

여기서, 상기 차단벽 어셈블리는 상기 박막 증착 장치로부터 분리 가능하도록 구성될 수 있다. 또한, 상기 차단벽 어셈블리는 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 구획하도록 상기 일 방향을 따라 배치된 복수 개의 차단벽들을 구비하며 분리가능한 제1 차단벽 어셈블리; 및 상기 제1 차단벽 어셈블리의 일 측에 배치되며, 상기 일 방향을 따라 배치된 복수 개의 제2 차단벽들을 구비하는 제2 차단벽 어셈블리를 포함하고 상기 제1 차단벽 어셈블리와 상기 제2 차단벽 어셈블리는 각각 상기 박막 증착 장치로부터 분리 가능하게 구성될 수 있다. Here, the barrier wall assembly may be configured to be detachable from the thin film deposition apparatus. The barrier wall assembly may further include a first barrier wall assembly having a plurality of barrier walls disposed along the one direction to partition a space between the first nozzle and the second nozzle; And a second blocking wall assembly disposed on one side of the first blocking wall assembly and having a plurality of second blocking walls disposed along the one direction, wherein the first blocking wall assembly and the second blocking wall are provided. Each assembly may be detachably configured from the thin film deposition apparatus.

여기서, 상기 증착원, 상기 제1 노즐, 상기 제2 노즐 및 상기 차단벽 어셈블리는 상기 증착물질이 증착되어 박막을 형성하는 피 증착체에 대하여 상대적으로 이동가능하게 구성될 수 있다. Here, the deposition source, the first nozzle, the second nozzle, and the barrier wall assembly may be configured to be relatively movable with respect to the deposition target to which the deposition material is deposited to form a thin film.

여기서, 상기 증착원은 제1 증착 물질을 방사하는 제1 증착원; 및 상기 제1 증착원과 나란하게 배치되며, 제2 증착 물질을 방사하는 제2 증착원을 포함할 수 있다. Here, the deposition source is a first deposition source for emitting a first deposition material; And a second deposition source disposed in parallel with the first deposition source and emitting a second deposition material.

여기서, 상기 증착 물질 회수 장치에 있어서, 상기 제1 증착 물질은 제1 기화점을 가지고, 상기 제2 증착 물질은 상기 제1 기화점보다 높은 제2 기화점을 가질때, 상기 챔버는 상기 내부 온도를 상기 제1 기화점 보다 낮지 않고 상기 제2 기화점 보다 높지 않은 온도 및 상기 제2 기화점 보다 낮지 않은 온도로 각각 소정의 시간차를 두고 순차적으로 가열하는 상기 챔버; 상기 냉각 회수 장치는 상기 각각 기화된 상기 제1 증착 물질 또는 상기 제2 증착 물질을 냉각하여 회수하는 상기 냉각 회수 장치; 및 상기 캐리어 가스는 상기 제1 증착 물질 기화시 제1 캐리어 가스를 주입하고 상기 제2 증착 물질 기화시 제2 캐리어 가스를 주입하는 상기 캐리어 가스를 포함할 수 있다. Here, in the deposition material recovery apparatus, when the first deposition material has a first vaporization point and the second deposition material has a second vaporization point higher than the first vaporization point, the chamber is configured to maintain the internal temperature. The chamber sequentially heating at a predetermined time difference to a temperature not lower than the first vaporization point and not higher than the second vaporization point and not lower than the second vaporization point, respectively; The cooling recovery apparatus may include: the cooling recovery apparatus configured to cool and recover the vaporized first deposition material or the second deposition material; The carrier gas may include the carrier gas injecting a first carrier gas when vaporizing the first deposition material and injecting a second carrier gas when vaporizing the second deposition material.

여기서, 상기 제1 캐리어 가스의 온도는 제1 기화점 보다 낮지 않고 제2 기화점보다 높지 않고 또한 상기 제2 캐리어 가스의 온도는 제2 기화점 보다 낮지 않게 구성될 수 있다.The temperature of the first carrier gas may not be lower than the first vaporization point, not higher than the second vaporization point, and the temperature of the second carrier gas may not be lower than the second vaporization point.

본 발명의 다른 측면에 따르면 증착 물질이 증착된 차단벽 어셈블리를 배치 하고, 상기 차단벽 어셈블리가 배치된 주위 온도를 상승시켜 상기 증착 물질을 기화시키는 단계; 캐리어 가스를 유입하여 상기 기화된 증착 물질이 상기 캐리어 가스의 흐름을 따라 냉각 회수 장치로 이동하는 단계; 및 상기 냉각 회수 장치에서 상기 캐리어 가스와 상기 기화된 증착 물질을 냉각하여 상기 증착 물질을 회수하는 단계를 포함하는 박막 증착 방법을 제공한다. According to another aspect of the present invention, the method includes: disposing a barrier wall assembly on which a deposition material is deposited, and vaporizing the deposition material by raising an ambient temperature at which the barrier wall assembly is disposed; Introducing a carrier gas to move the vaporized deposition material along the flow of the carrier gas to a cold recovery device; And recovering the deposition material by cooling the carrier gas and the vaporized deposition material in the cooling recovery device.

여기서, 상기 냉각 회수 단계는 상기 입구를 통해 상기 캐리어 가스와 상기 기화된 증착 물질을 유입하는 단계; 상기 유입된 상기 캐리어 가스와 상기 기화된 증착 물질를 냉각 매체와 열전달을 통해 냉각하는 단계; 상기 냉각으로 상기 기화된 증착 물질이 고체의 상기 증착 물질로 상변화 하는 단계; 및 상기 고체의 증착 물질을 회수는 단계를 더 포함할 수 있다. The cooling recovery step may include introducing the carrier gas and the vaporized deposition material through the inlet; Cooling the introduced carrier gas and the vaporized deposition material through heat transfer with a cooling medium; Phase cooling the vaporized deposition material to the solid deposition material by the cooling; And recovering the solid deposition material.

여기서, 상기 증착 물질은 제1 증착 물질과 제2 증착 물질을 구비하며 상기 제1 증착 물질은 제1 기화점을 가지며 상기 제2 증착 물질은 상기 제1 기화점보다 높은 제2 기화점을 가질 수 있다. Here, the deposition material may include a first deposition material and a second deposition material, the first deposition material may have a first vaporization point, and the second deposition material may have a second vaporization point higher than the first vaporization point. have.

여기서, 상기 증착 물질 회수 방법은 증착 물질이 증착된 차단벽 어셈블리를 배치하고 상기 주위 온도를 상기 제1 기화점보다 낮지 않고 상기 제2 기화점 보다 높지 않은 온도로 가열하여 상기 제1 증착 물질을 기화시키고, 제1 캐리어 가스를 유입하여 상기 기화된 제1 증착 물질을 상기 제1 캐리어 가스의 흐름에 따라 상기 냉각 회수 장치로 이동시키고, 상기 냉각 회수 장치에서 냉각을 통해 고체의 상기 제1 증착 물질을 회수하고, 상기 주위 온도를 상기 제2 기화점보다 낮지 않은 온도로 가열하여 상기 제2 증착 물질을 기화시키고, 상기 제2 캐리어 가스를 유입하여 상 기 기화된 제2 증착 물질을 상기 제2 캐리어 가스의 흐름에 따라 상기 냉각 회수 장치로 이동시키고, 상기 냉각 회수 장치에서 냉각을 통해 고체의 상기 제2 증착 물질을 회수하되, 상기 유입되는 상기 제1 캐리어 가스의 온도는 제1 기화점보다 낮지 않고 제2 기화점보다 높지 않고, 상기 제2 캐리어 가스의 온도는 제2 기화점보다 낮지 않게 구성할 수 있다. Here, the deposition material recovery method vaporizes the first deposition material by placing a barrier wall assembly on which deposition material is deposited and heating the ambient temperature to a temperature not lower than the first vaporization point and not higher than the second vaporization point. A first carrier gas is introduced to transfer the vaporized first deposition material to the cold recovery device according to the flow of the first carrier gas, and through the cooling in the cold recovery device, the solid first vapor deposition material is removed. Recovers and heats the ambient temperature to a temperature not lower than the second vaporization point to vaporize the second deposition material, and introduces the second carrier gas to convert the vaporized second deposition material into the second carrier gas. Move to the cold recovery device according to the flow of the second recovery material, and recover the solid material of the second deposition material through cooling in the cold recovery device, The temperature of the first carrier gas that is input is not high than the second vaporization point no lower than the first vaporization point, the temperature of the second carrier gas may be configured not lower than the second vaporization point.

본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법에 의하면, 대형 기판 양산 공정에서 증착 물질을 용이하게 재활용 할 수 있으므로 기판의 대형화에 따른 증착 물질 비용이 감소하는 효과를 가지게 된다. According to the thin film deposition apparatus and the thin film deposition method according to an embodiment of the present invention, since the deposition material can be easily recycled in the large-scale substrate production process, the deposition material cost according to the size of the substrate is reduced.

이하에서는 첨부된 도면에 도시된 실시예들을 참조하여, 본 발명을 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the embodiments shown in the accompanying drawings, the present invention will be described in detail.

먼저 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치를 설명한 이후, 도 5 내지 도 7을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따라 증착 물질이 증착된 차단벽 어셈블리에서 증착 물질을 회수하는 장치 및 그 방법을 설명한다.First, a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4, and then with reference to FIGS. An apparatus and method for recovering the deposited material are described.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따라 박막 증착 장치를 개략적으로 도시한 개략적 사시도이다. 도 2는 도 1의 실시예의 개략적인 측면도이다. 도 3은 도 1의 실시예의 개략적인 평면도이다. 도 4는 도 1의 실시예에서 증착 물질이 증착되고 있는 상태를 도시한 개략적 평면도이다. 1 is a schematic perspective view schematically showing a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a schematic side view of the embodiment of FIG. 1. 3 is a schematic plan view of the embodiment of FIG. 1. 4 is a schematic plan view illustrating a state in which a deposition material is being deposited in the embodiment of FIG. 1.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치(100)는 증착원(110), 제1 노즐(120), 차단벽 어셈블리(130), 제2 노즐(150), 제2 노즐 프레임(155) 및 기판(160)을 포함한다. 1 to 4, a thin film deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a deposition source 110, a first nozzle 120, a barrier wall assembly 130, and a second nozzle 150. , The second nozzle frame 155 and the substrate 160.

증착 챔버(미도시) 내에는 피 증착체인 기판(160)이 배치된다. 상기 기판(160)은 평판 표시장치용 기판이 될 수 있는 데, 다수의 평판 표시장치를 형성할 수 있는 마더 글라스(mother glass)와 같은 대면적 기판이 적용될 수 있다.In the deposition chamber (not shown), a substrate 160, which is an object to be deposited, is disposed. The substrate 160 may be a substrate for a flat panel display, and a large area substrate such as a mother glass capable of forming a plurality of flat panel displays may be applied.

증착 챔버 내에서 상기 기판(160)과 대향하는 측에는, 증착 물질(115)이 수납 및 가열되는 증착원(110)이 배치된다. 상기 증착원(110) 내에 수납되어 있는 증착 물질(115)이 기화됨에 따라 기판(160)에 증착이 이루어진다. 상세히, 증착원(110)은 그 내부에 증착 물질(115)이 채워지는 도가니(111)와, 도가니(111)를 가열시켜 도가니(111) 내부에 채워진 증착 물질(115)을 도가니(111)의 일 측, 상세하게는 제1 노즐(120) 측으로 증발시키기 위한 히터(112)를 포함한다. The deposition source 110 in which the deposition material 115 is received and heated is disposed on the side opposite to the substrate 160 in the deposition chamber. As the deposition material 115 contained in the deposition source 110 is vaporized, deposition is performed on the substrate 160. In detail, the deposition source 110 includes the crucible 111 filled with the deposition material 115 therein, and the deposition material 115 filled inside the crucible 111 by heating the crucible 111. One side, in detail, comprises a heater 112 for evaporating to the first nozzle 120 side.

증착원(110)의 일 측, 상세하게는 증착원(110)에서 기판(160)을 향하는 측에는 제1 노즐(120)이 배치된다. 그리고, 제1 노즐(120)에는, Y축 방향을 따라서 복수 개의 제1 슬릿(121)들이 형성된다. 여기서, 상기 복수 개의 제1 슬릿들(121)은 등 간격으로 형성될 수 있다. 증착원(110) 내에서 기화된 증착 물질(115)은 이와 같은 제1 노즐(120)을 통과하여 피 증착체인 기판(160) 쪽으로 향하게 되는 것이다. The first nozzle 120 is disposed on one side of the deposition source 110, in detail, the side facing the substrate 160 from the deposition source 110. In addition, a plurality of first slits 121 are formed in the first nozzle 120 along the Y-axis direction. Here, the plurality of first slits 121 may be formed at equal intervals. The deposition material 115 vaporized in the deposition source 110 passes through the first nozzle 120 and is directed toward the substrate 160, which is the deposition target.

제1 노즐(120)의 일 측에는 차단벽 어셈블리(130)가 구비된다. 차단벽 어셈블리(130)는 복수 개의 차단벽(131)들과, 차단벽(131)들 외측에 구비되는 차단벽 프레임(132)을 포함한다. 여기서, 상기 복수 개의 차단벽(131)들은 Y축 방향을 따라서 서로 나란하게 구비될 수 있다. 그리고, 상기 복수 개의 차단벽(131)들은 등 간격으로 형성될 수 있다. 또한, 각각의 차단벽(131)은 도면에서 보았을 때 XZ평면과 나란하도록, 다시 말하면 Y축 방향에 수직이 되도록 형성된다. 이와 같이 배치된 복수 개의 차단벽(131)들은 제1 노즐(120)과 제2 노즐(150) 사이의 공간을 구획하는 역할을 수행한다. One side of the first nozzle 120 is provided with a barrier wall assembly 130. The barrier wall assembly 130 includes a plurality of barrier walls 131 and a barrier wall frame 132 disposed outside the barrier walls 131. Here, the plurality of blocking walls 131 may be provided in parallel with each other along the Y-axis direction. The plurality of blocking walls 131 may be formed at equal intervals. In addition, each blocking wall 131 is formed to be parallel to the XZ plane when viewed in the drawing, that is, perpendicular to the Y-axis direction. The plurality of blocking walls 131 arranged as described above serve to partition a space between the first nozzle 120 and the second nozzle 150.

여기서, 각각의 차단벽(131)들은 서로 이웃하고 있는 제1 슬릿(121)들 사이에 배치될 수 있다. 이는 다시 말하면, 서로 이웃하고 있는 차단벽(131)들 사이에 하나의 제1 슬릿(121)이 배치된다고 볼 수도 있다. 제1 슬릿(121)은 서로 이웃하고 있는 차단벽(131) 사이의 정 중앙에 위치할 수 있다. 이와 같이, 차단벽(131)이 제1 노즐(120)과 제2 노즐(150) 사이의 공간을 구획함으로써, 하나의 제1 슬릿(121)으로 배출되는 증착 물질은 다른 제1 슬릿(121)에서 배출된 증착 물질들과 혼합되지 않고, 제2 슬릿(151)을 통과하여 기판(160)에 증착되는 것이다. 다시 말하면, 차단벽(131)들은 제1 슬릿(121)을 통해 배출되는 증착 물질이 분산되지 않도록 증착 물질의 Y축 방향의 이동 경로를 가이드 하는 역할을 수행한다.Here, each of the blocking walls 131 may be disposed between the first slits 121 adjacent to each other. In other words, it may be regarded that one first slit 121 is disposed between the blocking walls 131 neighboring each other. The first slit 121 may be located at the center of the barrier wall 131 adjacent to each other. As such, the barrier wall 131 partitions the space between the first nozzle 120 and the second nozzle 150, so that the deposition material discharged to one first slit 121 is different from the first slit 121. It is not mixed with the deposition materials discharged from the second pass through the second slit 151 is deposited on the substrate 160. In other words, the blocking walls 131 guide the movement path in the Y-axis direction of the deposition material so that the deposition material discharged through the first slit 121 is not dispersed.

도 1 내지 도 4에서, 설명의 편의를 위해 증착 챔버를 도시하지 않았지만, 도 1 내지 도 4의 모든 구성은 적절한 진공도가 유지되는 증착 챔버 내에 배치될 수 있다. 이는 증착 물질의 직진성을 확보하기 위함이다. In FIGS. 1-4, the deposition chamber is not shown for convenience of description, but all configurations of FIGS. 1-4 may be disposed within the deposition chamber in which a suitable degree of vacuum is maintained. This is to ensure the straightness of the deposition material.

한편, 상기 복수 개의 차단벽(131)들의 외측으로는 차단벽 프레임(132)이 더 구비될 수 있다. 차단벽 프레임(132)은, 복수 개의 차단벽(131)들의 상하면에 각각 구비되어, 복수 개의 차단벽(131)들의 위치를 지지하는 동시에, 제1 슬릿(121)을 통해 배출되는 증착 물질이 분산되지 않도록 증착 물질의 Z축 방향의 이동 경로를 가이드 하는 역할을 수행한다.Meanwhile, a blocking wall frame 132 may be further provided outside the plurality of blocking walls 131. The blocking wall frame 132 is provided on the upper and lower surfaces of the plurality of blocking walls 131 to support the positions of the plurality of blocking walls 131, and at the same time, the deposition material discharged through the first slit 121 is dispersed. It serves to guide the movement path of the deposition material in the Z-axis direction.

도 4를 참조하면, 증착원(110)에서 방출된 증착 물질(115)이 제1 노즐(120) 및 제2 노즐(150)을 통과하여 기판(160)에 원하는 패턴으로 증착하게 된다. 또한 차단벽(131) 및 제2 노즐(150)의 온도가 증착원(110) 온도보다 충분히 낮아야(약 100°이하) 제1 노즐(120)과 제2 노즐(150) 사이의 공간을 고진공 상태로 유지할 수 있다. 이와 같이, 차단벽 어셈블리(130)와 제2 노즐(150)의 온도가 충분히 낮으면, 원하지 않는 방향으로 방사되는 증착 물질(115)은 모두 차단벽 어셈블리(130) 면에 흡착되어서 증착 물질 간의 충돌이 발생하지 않아서 증착 물질의 직진성을 확보할 수 있게 되는 것이다. 이때 차단벽 어셈블리(130)는 고온의 증착원(110)을 향하고 있고, 증착원(110)과 가까운 곳은 최대 167° 가량 온도가 상승하기 때문에, 필요할 경우 부분 냉각 장치가 더 구비될 수 있다. 이를 위하여, 차단벽 어셈블리(130)에는 냉각 부재가 형성될 수 있다. Referring to FIG. 4, the deposition material 115 emitted from the deposition source 110 passes through the first nozzle 120 and the second nozzle 150 to deposit the desired pattern on the substrate 160. In addition, when the temperature of the barrier wall 131 and the second nozzle 150 is sufficiently lower than the deposition source 110 temperature (about 100 ° or less), the space between the first nozzle 120 and the second nozzle 150 is maintained in a high vacuum state. Can be maintained. As such, when the temperatures of the barrier wall assembly 130 and the second nozzle 150 are sufficiently low, all of the deposition material 115 radiating in an undesired direction is adsorbed on the surface of the barrier wall assembly 130 to collide with the deposition material. This does not occur it is possible to ensure the straightness of the deposition material. In this case, the barrier wall assembly 130 faces the deposition source 110 at a high temperature, and the temperature closes to the deposition source 110 at a maximum of about 167 °, so that a partial cooling device may be further provided if necessary. To this end, a cooling member may be formed in the barrier wall assembly 130.

한편, 상기 제2 노즐(150)은 종래의 파인 메탈 마스크(FMM) 특히 스트라이프 타입(stripe type)의 마스크의 제조 방법과 동일한 방법인 에칭을 통해 제작될 수 있다. 이 경우, 기존 FMM 증착 방법에서는 FMM 크기가 기판 크기와 동일하게 형성되어야 한다. 따라서, 기판 사이즈가 증가할수록 FMM도 대형화되어야 하며, 따라서 FMM 제작이 용이하지 않고, FMM을 인장하여 정밀한 패턴으로 얼라인(align) 하기도 용이하지 않다는 문제점이 존재하였다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)의 경우, 박막 증착 장치(100)가 챔버(미도시)내에서 Z축 방향으로 이동하면서 증착이 이루어진다. 다시 말하면, 박막 증착 장치(100) 혹은 기판(160)이 Z축 방향으로 상대적으로 이동하면서 연속적으로 증착을 수행하게 된다. 따라서, 본 발명의 박막 증착 장치(100)에서는 종래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 제2 노즐(150)을 만들 수 있다. 즉, 본 발명의 박막 증착 장치(100)의 경우, 제2 노즐(150)의 Y축 방향으로의 폭과 기판(160)의 Y축 방향으로의 폭만 동일하게 형성되면, 제2 노즐(150)의 Z축 방향의 길이는 기판(160)의 길이보다 작게 형성될 수 있는 것이다. 이와 같이, 종래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 제2 노즐(150)을 만들 수 있기 때문에, 본 발명의 제2 노즐(150)은 그 제조가 용이하다. 즉, 제2 노즐(150)의 에칭 작업이나, 그 이후의 정밀 인장 및 용접 작업, 이동 및 세정 작업 등 모든 공정에서, 작은 크기의 제2 노즐(150)이 FMM 증착 방법에 비해 유리하다. 또한, 이는 디스플레이 장치가 대형화될수록 더욱 유리하게 된다.Meanwhile, the second nozzle 150 may be manufactured through etching, which is the same method as that of a conventional fine metal mask (FMM), in particular, a stripe type mask. In this case, in the conventional FMM deposition method, the FMM size should be formed to be the same as the substrate size. Therefore, as the substrate size increases, the FMM also needs to be enlarged. Therefore, there is a problem in that it is not easy to manufacture the FMM, and it is not easy to align the FMM to a precise pattern. However, in the thin film deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, the deposition is performed while the thin film deposition apparatus 100 moves in the Z-axis direction in a chamber (not shown). In other words, the thin film deposition apparatus 100 or the substrate 160 may be continuously deposited while moving in the Z-axis direction. Therefore, in the thin film deposition apparatus 100 of the present invention, the second nozzle 150 can be made much smaller than the conventional FMM. That is, in the case of the thin film deposition apparatus 100 of the present invention, when the width in the Y-axis direction of the second nozzle 150 and the width in the Y-axis direction of the substrate 160 are the same, the second nozzle 150 may be formed. The length of the Z-axis direction may be formed smaller than the length of the substrate 160. Thus, since the second nozzle 150 can be made much smaller than the conventional FMM, the second nozzle 150 of the present invention is easy to manufacture. That is, in all processes, such as etching operations of the second nozzle 150, precision tension and welding operations, moving and cleaning operations thereafter, the small size of the second nozzle 150 is advantageous over the FMM deposition method. In addition, this becomes more advantageous as the display device becomes larger.

또한, 도 1 내지 도 3에 따르면 기판(160)이 Z축에 수평하도록 도시되어 있으나 본 발명은 이에 제한되지 아니하며 예를 들어, 기판(160)은 X축에 수평하도록배치 될 수 있다. 즉 박막 증착 장치(100)가 X축 방향과 수평하게 배치되고 박막 증착 장치(100)가 X축 방향으로 이동하면서 증착이 이루어질 수 있다. 다시 말하면, 박막 증착 장치(100) 혹은 기판(160)이 X축 방향으로 상대적으로 이동하면서 연속적으로 증착을 수행할 수 있다. 1 to 3, the substrate 160 is illustrated to be horizontal to the Z axis, but the present invention is not limited thereto. For example, the substrate 160 may be arranged to be horizontal to the X axis. That is, the thin film deposition apparatus 100 may be disposed horizontally with respect to the X axis direction, and the deposition may be performed while the thin film deposition apparatus 100 moves in the X axis direction. In other words, the thin film deposition apparatus 100 or the substrate 160 may be continuously deposited while moving in the X-axis direction.

한편, 상기 차단벽 어셈블리(130)는 박막 증착 장치(100)로부터 분리 가능하도록 형성될 수 있다.도 1 내지 도 4에 도시된 박막 증착 장치(100)에서는 차단벽 어셈블리(130)를 이용하여 증착 공간을 외부 공간과 분리하였기 때문에, 기판(160)에 증착되지 않은 증착 물질은 대부분 차단벽 어셈블리(130) 내에 증착된다. 따라서, 장시간 증착 후, 차단벽 어셈블리(130)에 증착 물질이 많이 쌓이게 되면, 차단벽 어셈블리(130)를 박막 증착 장치(100)로부터 분리한 후, 별도의 증착 물질 회수 방법을 통하여 증착 물질을 회수할 수 있다. 이와 같은 구성을 통하여, 증착 물질 재활용률을 높임으로써 증착 효율이 향상되고 제조 비용이 절감되는 효과를 얻을 수 있다.The barrier wall assembly 130 may be formed to be separated from the thin film deposition apparatus 100. In the thin film deposition apparatus 100 illustrated in FIGS. 1 to 4, the barrier wall assembly 130 is deposited using the barrier wall assembly 130. Since the space is separated from the outer space, most of the deposition material not deposited on the substrate 160 is deposited in the barrier wall assembly 130. Therefore, after a long time deposition, when a large amount of deposition material is accumulated in the barrier wall assembly 130, the barrier wall assembly 130 is separated from the thin film deposition apparatus 100, and then the deposition material is recovered through a separate deposition material recovery method. can do. Through such a configuration, it is possible to obtain an effect of improving deposition efficiency and reducing manufacturing cost by increasing deposition material recycling rate.

이제, 도 5 내지 도 7을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따라 증착 물질이 증착된 차단벽 어셈블리(130)에서 증착 물질을 회수하는 장치 및 그 방법을 설명한다.Referring now to FIGS. 5-7, an apparatus and method for recovering deposition material from a barrier wall assembly 130 on which deposition material is deposited is described in accordance with one embodiment of the present invention.

도 5는 도 1의 실시예에 따라 증착 물질이 증착된 차단벽 어셈블리에서 증착 물질을 회수하는 장치에 대한 개략적 개념도이다. 도 6은 도 5의 실시예에서 냉각 회수 장치의 구동 원리에 대한 개략적 개념도이다. 도 7은 도 5의 실시예에 따른 증착 물질 회수 방법의 흐름도이다. FIG. 5 is a schematic conceptual view of an apparatus for recovering deposition material from a barrier wall assembly in which deposition material is deposited according to the embodiment of FIG. 1. FIG. 6 is a schematic conceptual view of a driving principle of the cooling recovery device in the embodiment of FIG. 5. 7 is a flow chart of a deposition material recovery method according to the embodiment of FIG.

도 5를 참조하면, 증착 물질 회수 장치는 회수 챔버(200) 및 냉각 회수 장치(240) 구비한다.Referring to FIG. 5, the deposition material recovery apparatus includes a recovery chamber 200 and a cooling recovery apparatus 240.

또한, 회수 챔버(200)는 회수 챔버 입구(210) 및 회수 챔버 출구(220)를 구비하고, 회수 챔버 입구(210)에 캐리어 가스(230)를 유입하여 회수 챔버(200)를 거쳐 회수 챔버 출구(220)로 유출하는 구조를 구비한다. 단, 회수 챔버(200)의 구조는 도 5의 실시예에 제한되지 않으며 당업자라면 다양한 구조가 가능함을 알 것이 다. In addition, the recovery chamber 200 includes a recovery chamber inlet 210 and a recovery chamber outlet 220, in which a carrier gas 230 is introduced into the recovery chamber inlet 210 and then through the recovery chamber 200. It has a structure that flows out to 220. However, the structure of the recovery chamber 200 is not limited to the embodiment of FIG. 5 and those skilled in the art will appreciate that various structures are possible.

도 6을 참조하면, 냉각 회수 장치(240)는 회수 챔버 출구(220)를 냉각 회수장치의 입구로 구비하고, 냉각 회수 장치 출구(250) 및 냉각 매체(260)를 구비한다. 이때, 회수 챔버 출구(220)를 통해 유입된 가스는 냉각 매체(260)를 지나 냉각 회수 장치 출구(250)로 유출되는 구조를 가진다.Referring to FIG. 6, the cooling recovery device 240 includes a recovery chamber outlet 220 as an inlet of the cooling recovery device, and includes a cooling recovery device outlet 250 and a cooling medium 260. In this case, the gas introduced through the recovery chamber outlet 220 passes through the cooling medium 260 to the cooling recovery device outlet 250.

도 7을 참조하여 증착 물질이 증착된 차단벽 어셈블리(130)에서 증착 물질을 회수하는 방법을 설명한다. 증착 물질이 증착된 차단벽 어셈블리(130)를 내부에 배치하고, 배치 후 회수 챔버(200)의 내부 온도를 상승시켜 차단벽 어셈블리(130)에 증착된 증착 물질을 기화시킨다(S301). 이때, 회수 챔버(200) 내부의 온도를 상승시키는 방법으로 챔버(200)를 외부에서 가열하는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 회수 챔버(200)는 증착 물질의 기화점에 따라 회수 챔버(200) 내부의 온도를 다양하게 조절할 수 있고, 회수 챔버(200)는 적어도 증착 물질이 기화하는 온도 이상으로 가열하여 유지할 수 있다. 여기서, 증찰 물질이 기화하는 소정의 온도는 예를 들어 300°C 일 수 있다. A method of recovering the deposition material from the barrier wall assembly 130 on which the deposition material is deposited will be described with reference to FIG. 7. The barrier material assembly 130 on which the deposition material is deposited is disposed therein, and after the arrangement, the internal temperature of the recovery chamber 200 is raised to vaporize the deposition material deposited on the barrier wall assembly 130 (S301). In this case, a method of heating the chamber 200 from the outside may be used as a method of increasing the temperature inside the recovery chamber 200. In addition, the recovery chamber 200 may variously adjust the temperature inside the recovery chamber 200 according to the vaporization point of the deposition material, and the recovery chamber 200 may be heated and maintained at least above the temperature at which the deposition material is vaporized. . Here, the predetermined temperature at which the inspection material evaporates may be, for example, 300 ° C.

회수 챔버(200) 내부의 온도가 상승되어 차단벽 어셈블리(130)에 증착된 증착 물질이 기화되면, 회수 챔버(200) 내에 캐리어 가스(230)를 회수 챔버 입구(210)로 유입하여 회수 챔버(200) 내부를 거쳐 회수 챔버 출구(220)로 유출되도록 한다. 이와 같이, 유입 및 유출된 캐리어 가스(230)의 흐름을 통해 기화된 증착 물질이 회수 챔버 출구(220)로 유출된다(S302). 이때, 캐리어 가스(230)의 온도는 회수 챔버(200)의 내부 온도보다 낮지 않게 구성될 수 있다. 여기서, 캐리어 가 스(230)는 예를 들어 N2 가스로 구성될 수 있다. When the temperature inside the recovery chamber 200 is raised to vaporize the deposition material deposited on the barrier wall assembly 130, the carrier gas 230 is introduced into the recovery chamber inlet 210 in the recovery chamber 200 to recover the recovery chamber ( 200 to be discharged to the recovery chamber outlet 220 through the interior. As such, the vaporized deposition material is discharged to the recovery chamber outlet 220 through the flow of the carrier gas 230 introduced and discharged (S302). In this case, the temperature of the carrier gas 230 may be configured not to be lower than the internal temperature of the recovery chamber 200. Here, the carrier gas 230 is for example N 2 It may consist of a gas.

캐리어 가스(230)의 흐름을 통해 증착 물질과 캐리어 가스(230)는 회수 챔버 출구(220)를 통해 냉각 회수 장치(240)에 유입된다. 냉각 회수 장치(240)는 분리점(255)에서 상부 프라스크(flask)(251)와 하부 프라스크(252)로 분리가 가능한 프라스크(253)를 구비한다. 하부 프라스크(252)는 냉각 매체(260)에 잠겨있는 구조로 되어 있다. 이때, 냉각 매체(260)는 예를 들어 액체 N2로 구성될 수 있다. 그러나 당업자라면 이에 제한되지 않으며 다양한 매체로 냉각 매체(260)를 구성할 수 있음을 알 수 있을 것이다. The deposition material and the carrier gas 230 enter the cooling recovery device 240 through the recovery chamber outlet 220 through the flow of the carrier gas 230. The cold recovery device 240 includes a flask 253 that can be separated into an upper flask 251 and a lower flask 252 at the separation point 255. The lower flask 252 is configured to be immersed in the cooling medium 260. At this time, the cooling medium 260 may be composed of liquid N 2 , for example. However, one of ordinary skill in the art will appreciate that the cooling medium 260 may be configured with various media.

캐리어 가스(230)와 기화된 증착 물질이 프라스크(253)에 유입되면, 유입된 기체는 유동의 흐름이 아래 방향에서 윗 방향으로 하부 프라스크(252)에서 전환되며, 이러한 전환 과정에서 기화된 증착 물질과 저온의 냉각 매체(260)가 프라스크(253)의 벽을 통하여 열전달 및 열평형을 이루게 된다. 이러한 열전달 및 열평형 과정을 통하여 기화된 증착 물질과 캐리어 가스(230)의 열에너지가 냉각 매체(260)로 전달되고, 기화된 증착 물질의 온도가 낮아져 고체로 상변화를 하게 된다. 이와 같이 상변화된 고체의 증착 물질은 프라스크(253) 바닥면에 침적된다. 이때, 프라스크(253)가 상부와 하부 프라스크(251, 252)로 분리되므로 고체로 상변화된 증착물질을 용이하게 회수할 수 있으며, 침적된 고체의 증착 물질을 다시 회수하여 재활용시킬 경우 박막 증착 공정상 재료비를 절감할 수 있다. 이와 같은 냉각 회수 장치(240)의 구성은 이에 제한되지 않으며 당업자라면 다양한 변경을 통하여 구성 할 수 있음을 알 수 있을 것이다. When the carrier gas 230 and the vaporized deposition material flow into the flask 253, the flowed gas is diverted from the lower flask 252 in the flow direction from the downward direction to the upward direction. The deposition material and the low temperature cooling medium 260 are in heat transfer and heat balance through the walls of the flask 253. Through the heat transfer and heat balance process, the thermal energy of the vaporized deposition material and the carrier gas 230 is transferred to the cooling medium 260, and the temperature of the vaporized deposition material is lowered to change phase into a solid. The phase change solid deposition material is deposited on the bottom surface of the flask (253). At this time, since the flask 253 is separated into the upper and lower flasks (251, 252), it is possible to easily recover the deposition material changed into a solid, and thin film deposition when the deposited material of the deposited solid is recovered and recycled again. Material costs can be reduced in the process. The configuration of the cooling recovery device 240 is not limited thereto, and it will be understood by those skilled in the art that various changes can be made.

도 5를 참조하면, 회수 챔버(200) 내부에 배치하는 증착 물질이 증착된 차단벽 어셈블리(130)는 도 1 내지 도 3에 도시된 차단벽 어셈블리(130)에 제한되지 않는다. 당업자라면 증착 물질이 증착된 다양한 박막 증착 기구를 회수 챔버(200)내에 배치하여 증착 물질을 회수 할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 예를 들어 도 8 내지 도 9는 회수 챔버(200) 내부에 배치할 수 있는 증착 물질이 증착된 차단벽 어셈블리의 다른 예를 도시하고 있다. Referring to FIG. 5, the barrier wall assembly 130 on which the deposition material disposed in the recovery chamber 200 is deposited is not limited to the barrier wall assembly 130 illustrated in FIGS. 1 to 3. Those skilled in the art will appreciate that various thin film deposition apparatuses in which the deposition material is deposited may be disposed in the recovery chamber 200 to recover the deposition material. For example, FIGS. 8 through 9 illustrate another example of a barrier wall assembly in which deposition material is deposited, which may be disposed inside the recovery chamber 200.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따라도 1 내지 도 3의 차단벽 어셈블리(130)의 일 측에는 제2 차단벽 어셈블리(140)가 더 구비된 제2 박막 증착 장치(400)를 도시하고 있다. 제2 차단벽 어셈블리(140)는 복수 개의 제2 차단벽(141)들과, 제2 차단벽(141)들 외측에 구비되는 제2 차단벽 프레임(142)을 포함한다. 이와 같이 제2 차단벽 어셈블리(140)를 구비하는 이유 중 하나는 고온 상태의 증착원(110)에 의해 차단벽 어셈블리(130)의 온도는 최대 100도 이상 상승하기 때문에, 상승된 차단벽 어셈블리(130)의 온도가 제2 차단벽 어셈블리(140) 및 제2 노즐(150)로 전도되지 않도록 하기 위하여, 차단벽 어셈블리(130)와 제2 차단벽 어셈블리(140)를 분리하기 위해서이다. 이와 같은 제2 차단벽 어셈블리(140)에 증착된 증착 물질을 회수하기 위해서도 차단벽 어셈블리(130)에서 증착 물질을 회수하는 과정과 동일하게, 도 5에서 회수 챔버(200)내에 배치하여 도 7에 도시된 흐름도에 따라 증착 물질을 회수 할 수 있다. FIG. 8 illustrates a second thin film deposition apparatus 400 further including a second barrier wall assembly 140 on one side of the barrier wall assembly 130 of FIGS. 1 to 3 according to another embodiment of the present invention. . The second barrier wall assembly 140 includes a plurality of second barrier walls 141 and a second barrier wall frame 142 disposed outside the second barrier walls 141. One of the reasons for providing the second barrier wall assembly 140 is because the temperature of the barrier wall assembly 130 is increased by at least 100 degrees due to the deposition source 110 in a high temperature state. In order to prevent the temperature of 130 from being conducted to the second barrier wall assembly 140 and the second nozzle 150, the barrier wall assembly 130 and the second barrier wall assembly 140 are separated from each other. In order to recover the deposition material deposited on the second barrier wall assembly 140, the same as the process of recovering the deposition material from the barrier wall assembly 130, it is disposed in the recovery chamber 200 of FIG. 5 to FIG. 7. It is possible to recover the deposition material according to the flow chart shown.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 두 개의 증착 물질을 증착하는 제3 박막 증착 장치(500)를 도시하는 개략적 사시도이다. 도 9를 참조하면, 제3 박막 증착 장치(500)는, 호스트 물질(514)을 증착하는 제1 증착원(511)과 도펀트 물질(519)을 증착하는 제2 증착원(516)을 구비하여, 기판(560)상에 호스트 물질(514)과 도펀트 물질(519)을 동시에 증착한다. 증착과정 중에 호스트 물질(514)과 도펀트 물질(519)은 제3 차단벽(531)과 제3 차단벽 프레임(532)으로 구성된 제3 차단벽 어셈블리(530) 상에 증착되게 된다. 9 is a schematic perspective view showing a third thin film deposition apparatus 500 for depositing two deposition materials in accordance with another embodiment of the present invention. 9, the third thin film deposition apparatus 500 includes a first deposition source 511 for depositing a host material 514 and a second deposition source 516 for depositing a dopant material 519. Host material 514 and dopant material 519 are simultaneously deposited on substrate 560. During the deposition process, the host material 514 and the dopant material 519 are deposited on the third barrier wall assembly 530 including the third barrier wall 531 and the third barrier wall frame 532.

여기서, 호스트 물질(514)과 도펀트 물질(519)이 증착된 제3 차단벽 어셈블리(530)를 도 5에 도시된 회수 챔버(200) 내부에 배치하여 호스트 물질(514)과 도펀트 물질(519)을 회수 할 수 있다.Here, the third barrier wall assembly 530 on which the host material 514 and the dopant material 519 are deposited may be disposed inside the recovery chamber 200 shown in FIG. 5 to form the host material 514 and the dopant material 519. Can be recovered.

도 10은 두 개의 증착 물질이 증착된 제3 차단벽 어셈블리(530)에서 증착 물질을 회수하는 방법의 흐름도이다. 여기서, 호스트 물질(514)이 제1 기화점을 가지고, 도펀트 물질(519)이 제2 기화점을 가진다고 할 때, 제2 기화점이 제1 기화점보다 더 높다고 가정한다. 단, 제2 기화점이 제1 기화점보다 낮은 경우는 후술한다. 회수 챔버(200)내에 제3 차단벽 어셈블리(530)을 배치하고 회수 챔버(200) 내부 온도를 제1 기화점보다 낮지 않고 제2 기화점 보다 높지 않은 온도로 가열한다. 회수 챔버(200)의 내부온도가 제1 기화점보다 낮지 않으므로 호스트 물질(514)이 기화하고 제2 기화점 보다 높지 않으므로 도펀트 물질(519)은 기화하지 않는다(S601). 이때, 회수 챔버(200)에 제1 캐리어 가스를 회수 챔버 입구(210)로 유입하여 회수 챔버(200) 내부를 거쳐 회수 챔버 출구(220)로 유출되도록 한다. 이와 같이, 유입 및 유출된 제1 캐리어 가스의 흐름을 통해 기화된 호스트 물질(514)이 회수 챔버 출구(220)로 유출된다(S602). 이때, 제1 캐리어 가스의 온도는 회수 챔버(200)의 내부 온도와 유사하게, 즉 제1 기화점보다 낮지 않고 제2 기화점 보다 높지 않게 구성할 수 있다. 제1 캐리어 가스의 흐름을 통해 호스트 물질(514)과 제1 캐리어 가스는 회수 챔버 출구(220)를 통해 냉각 회수 장치(240)에 유입된다. 냉각 회수 장치(240)에서 냉각 매체(260)와 열전달과 열평형을 통하여 고체의 호스트 물질(514)을 회수할 수 있다. 10 is a flowchart of a method of recovering deposition material from a third barrier wall assembly 530 on which two deposition materials are deposited. Here, when the host material 514 has a first vaporization point and the dopant material 519 has a second vaporization point, it is assumed that the second vaporization point is higher than the first vaporization point. However, the case where the 2nd vaporization point is lower than the 1st vaporization point is mentioned later. The third blocking wall assembly 530 is disposed in the recovery chamber 200 and the temperature inside the recovery chamber 200 is heated to a temperature not lower than the first vaporization point and not higher than the second vaporization point. Since the internal temperature of the recovery chamber 200 is not lower than the first vaporization point, the host material 514 vaporizes and is not higher than the second vaporization point, so that the dopant material 519 does not vaporize (S601). At this time, the first carrier gas flows into the recovery chamber inlet 210 into the recovery chamber 200 and flows out through the recovery chamber 200 to the recovery chamber outlet 220. As such, the vaporized host material 514 is discharged to the recovery chamber outlet 220 through the flow of the first carrier gas introduced and discharged (S602). In this case, the temperature of the first carrier gas may be configured to be similar to the internal temperature of the recovery chamber 200, that is, not lower than the first vaporization point and not higher than the second vaporization point. The host material 514 and the first carrier gas enter the cold recovery device 240 through the recovery chamber outlet 220 through the flow of the first carrier gas. The cold recovery device 240 may recover the solid host material 514 through the heat transfer and heat balance with the cooling medium 260.

이후, 회수 챔버(200)내에 내부 온도를 제2 기화점 보다 낮지 않은 온도로 가열한다. 회수 챔버(200)의 내부온도가 제2 기화점보다 낮지 않으므로 도펀트 물질(519)이 기화한다(S604). 이때, 회수 챔버(200)에 제2 캐리어 가스를 회수 챔버 입구(210)로 유입하여 회수 챔버(200) 내부를 거쳐 회수 챔버 출구(220)로 유출되도록 한다. 이와 같이, 유입 및 유출된 제2 캐리어 가스의 흐름을 통해 기화된 도펀트 물질(519)이 회수 챔버 출구(220)로 유출된다(S605). 이때, 제2 캐리어 가스의 온도는 회수 챔버(200)의 내부 온도와 유사하게, 즉 제2 기화점보다 낮지 않은 온도를 가질 수 있다. 제2 캐리어 가스의 흐름을 통해 도펀트 물질(519)과 제2 캐리어 가스는 회수 챔버 출구(220)를 통해 냉각 회수 장치(240)에 유입된다. 냉각 회수 장치(240)에서 냉각 매체(260)와 열전달과 열평형을 통하여 고체의 도펀트 물질(519)을 회수할 수 있다. 단, 제1 캐리어 가스와 제2 캐리어 가스는 동일한 성분으로 구성될 수 있다.  Thereafter, the internal temperature in the recovery chamber 200 is heated to a temperature no lower than the second vaporization point. Since the internal temperature of the recovery chamber 200 is not lower than the second vaporization point, the dopant material 519 vaporizes (S604). At this time, the second carrier gas flows into the recovery chamber inlet 210 into the recovery chamber 200 and flows out through the recovery chamber 200 to the recovery chamber outlet 220. As such, the vaporized dopant material 519 is discharged to the recovery chamber outlet 220 through the flow of the second carrier gas introduced and discharged (S605). In this case, the temperature of the second carrier gas may have a temperature similar to the internal temperature of the recovery chamber 200, that is, not lower than the second vaporization point. The dopant material 519 and the second carrier gas enter the cooling recovery device 240 through the recovery chamber outlet 220 through the flow of the second carrier gas. In the cooling recovery device 240, the solid dopant material 519 may be recovered from the cooling medium 260 through heat transfer and heat balance. However, the first carrier gas and the second carrier gas may be composed of the same component.

만약, 제2 기화점이 제1 기화점보다 낮은 경우에는 회수 챔버(200)를 가열하는 온도의 순서를 변경함으로 호스트 물질(514)과 도펀트 물질(519)을 회수 할 수 있다. 즉, 회수 챔버(200)를 제2 기화점 보다 낮지 않고 제1 기화점보다 높지 않은 온도로 가열하여 도펀트 물질(519)을 먼저 기화시킨다. 이후, 제2 기화점보다 낮지 않고 제1 기화점보다 높지 않은 온도의 제2 캐리어 가스를 회수 챔버(200)내에 유입하고 냉각 회수 장치(240)를 통해 도펀트 물질(519)을 회수 할 수 있다. 이후, 회수 챔버(200)를 제1 기화점보다 낮지 않은 온도로 가열하여 호스트 물질(514)을 기화시킨다. 또한, 제1 기화점보다 낮지 않은 온도의 제1 캐리어 가스를 회수 챔버(200)내에 유입하여 냉각 회수 장치(240)를 통하여 호스트 물질(514)을 회수 할 수 있다. If the second vaporization point is lower than the first vaporization point, the host material 514 and the dopant material 519 may be recovered by changing the order of the temperatures for heating the recovery chamber 200. That is, the dopant material 519 is first vaporized by heating the recovery chamber 200 to a temperature not lower than the second vaporization point and not higher than the first vaporization point. Thereafter, the second carrier gas at a temperature not lower than the second vaporization point and not higher than the first vaporization point may be introduced into the recovery chamber 200, and the dopant material 519 may be recovered through the cooling recovery device 240. Thereafter, the recovery chamber 200 is heated to a temperature not lower than the first vaporization point to vaporize the host material 514. In addition, the first carrier gas at a temperature not lower than the first vaporization point may be introduced into the recovery chamber 200 to recover the host material 514 through the cooling recovery device 240.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

본 발명은 박막 증착 장치를 이용한 모든 산업에 이용가능하다. The present invention is applicable to all industries using thin film deposition apparatus.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따라 박막 증착 장치를 개략적으로 도시한 개략적 사시도이다.1 is a schematic perspective view schematically showing a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 실시예의 개략적인 측면도이다. 2 is a schematic side view of the embodiment of FIG. 1.

도 3은 도 1의 실시예의 개략적인 평면도이다.3 is a schematic plan view of the embodiment of FIG. 1.

도 4는 도 1의 실시예에서 증착 물질이 증착되고 있는 상태를 도시한 개략적 평면도이다. 4 is a schematic plan view illustrating a state in which a deposition material is being deposited in the embodiment of FIG. 1.

도 5는 도 1의 실시예에 따라 증착 물질이 증착된 차단벽 어셈블리에서 증착 물질을 회수하는 장치에 대한 개략적 개념도이다. FIG. 5 is a schematic conceptual view of an apparatus for recovering deposition material from a barrier wall assembly in which deposition material is deposited according to the embodiment of FIG. 1.

도 6은 도 5의 실시예에서 냉각 회수 장치의 구동 원리에 대한 개략적 개념도이다. FIG. 6 is a schematic conceptual view of a driving principle of the cooling recovery device in the embodiment of FIG. 5.

도 7은 도 5의 실시예에 따른 증착 물질 회수 방법의 흐름도이다. 7 is a flow chart of a deposition material recovery method according to the embodiment of FIG.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따라 도 1 내지 도 3의 박막 증착 장치의 일 측에 제2 차단벽 어셈블리를 더 구비한 제2 박막 증착 장치의 개략적 사시도이다. 8 is a schematic perspective view of a second thin film deposition apparatus further including a second barrier wall assembly on one side of the thin film deposition apparatus of FIGS. 1 to 3 according to another embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 두 개의 증착 물질을 증착하는 제3 박막 증착 장치를 도시하는 개략적 사시도이다. 9 is a schematic perspective view showing a third thin film deposition apparatus for depositing two deposition materials according to another embodiment of the present invention.

도 10은 도 9의 실시예에서 두 개의 증착 물질을 회수하는 방법의 흐름도이다.10 is a flowchart of a method of recovering two deposition materials in the embodiment of FIG. 9.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명 *Brief description of symbols for the main parts of the drawings

100: 박막 증착 장치 110: 증착원 100: thin film deposition apparatus 110: deposition source

111:도가니 112:히터 111: crucible 112: heater

115: 증착 물질 120: 제1 노즐 115: deposition material 120: first nozzle

130:차단벽 어셈블리 131: 차단벽130: barrier wall assembly 131: barrier wall

132:차단벽 프레임 150:제2 노즐 132: barrier wall frame 150: second nozzle

155:제2 노즐 프레임 160:기판155: second nozzle frame 160: substrate

200: 회수 챔버 210: 회수 챔버 입구 200: recovery chamber 210: recovery chamber inlet

220:회수 챔버 출구 230:캐리어 가스220: recovery chamber outlet 230: carrier gas

240:냉각 회수 장치 250:냉각 회수 장치 출구 240: cooling recovery device 250: cooling recovery device outlet

253: 프라스크 260:냉각 매체253: Prask 260: cooling medium

400: 제2 박막 증착 장치 500:제3 박막 증착 장치 400: second thin film deposition apparatus 500: third thin film deposition apparatus

511:제1 증착원 514:호스트 물질511: first deposition source 514: host material

516:제2 증착원 519:도펀트 물질 516: second deposition source 519: dopant material

Claims (20)

증착 물질을 방사하는 증착원;A deposition source for emitting a deposition material; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 일 방향을 따라 복수 개의 제1 슬릿들이 형성되는 제1 노즐;A first nozzle disposed on one side of the deposition source and having a plurality of first slits formed in one direction; 상기 증착원과 대향되게 배치되고, 상기 일 방향을 따라 복수 개의 제2 슬릿들이 형성되는 제2 노즐;A second nozzle disposed to face the deposition source and having a plurality of second slits formed along the one direction; 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 구획하도록 상기 일 방향을 따라 배치된 복수 개의 차단벽들을 구비하는 차단벽 어셈블리; 및A barrier wall assembly having a plurality of barrier walls disposed along the one direction to partition a space between the first nozzle and the second nozzle; And 상기 차단벽 어셈블리 상에 증착된 상기 증착 물질을 회수하는 증착 물질 회수 장치;를 포함하고, And a deposition material recovery device for recovering the deposition material deposited on the barrier wall assembly. 상기 증착원, 상기 제1 노즐, 상기 제2 노즐 및 상기 차단벽 어셈블리는 상기 증착 물질이 증착되어 박막을 형성하는 피 증착체와 소정 간격을 두고 이격되도록 형성되어, 상기 피 증착체에 대하여 상대적으로 이동가능하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The deposition source, the first nozzle, the second nozzle, and the barrier wall assembly are formed to be spaced apart from the deposition target on which the deposition material is deposited to form a thin film at a predetermined interval, and relatively to the deposition target. Thin film deposition apparatus characterized in that it is formed to be movable. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 증착 물질 회수 장치는 The deposition material recovery apparatus 증착 물질이 증착된 차단벽 어셈블리를 내부에 배치하고, 내부 온도를 상승시켜 상기 증착 물질을 기화시키는 챔버;A chamber for disposing a barrier wall assembly on which deposition material is deposited and for raising the internal temperature to vaporize the deposition material; 상기 기화된 상기 증착 물질을 냉각하여 상기 증착 물질을 회수하는 냉각 회수 장치; 및A cooling recovery apparatus for cooling the vaporized deposition material to recover the deposition material; And 상기 기화된 상기 증착 물질이 상기 냉각 회수 장치로 이동하도록 상기 챔버에 주입하는 캐리어 가스를 포함하는 박막 증착 장치.And a carrier gas injecting the vaporized deposition material into the chamber to move the vaporized deposition material to the cold recovery device. 제2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 냉각 회수 장치는 The cooling recovery device 상기 캐리어 가스와 상기 기화된 증착 물질을 유입하는 입구;An inlet for introducing the carrier gas and the vaporized deposition material; 상기 유입된 상기 캐리어 가스와 상기 기화된 증착 물질을 열전달을 통해 냉각 시키는 냉각 매체;A cooling medium cooling the introduced carrier gas and the vaporized deposition material through heat transfer; 상기 캐리어 가스를 유출 시키는 출구; 및An outlet for outflowing the carrier gas; And 상체와 하체로 분리 가능하고, 상기 입구와 상기 출구를 연결하며 상기 냉각 매체와 접하고 상기 기화된 증착 물질이 고체의 상기 증착 물질로 상변화되는 프라스크;를 포함하는 박막 증착 장치.And a flask which is separable from the upper body and the lower body, connects the inlet and the outlet, contacts the cooling medium, and changes the vaporized deposition material into the solid deposition material. 제3 항에 있어서, The method of claim 3, 상기 냉각 매체는 액체 N2로 구성된 박막 증착 장치.And the cooling medium is liquid N 2 . 제2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 챔버는 상기 증착 물질을 기화시키기 위하여 상기 챔버를 외부에서 가열하여 상기 챔버의 상기 내부 온도를 상승시키는 박막 증착 장치. And the chamber heats the chamber externally to vaporize the deposition material to raise the internal temperature of the chamber. 제2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 챔버는 입구와 출구를 구비하여 상기 입구에서 상기 캐리어 가스가 유입되고 상기 출구에서 상기 캐리어 가스가 유출되는 박막 증착 장치. The chamber has an inlet and an outlet so that the carrier gas is introduced at the inlet and the carrier gas is discharged from the outlet. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 챔버의 상승된 상기 내부 온도는 300°C 보다 낮지 않은 박막 증착 장치.And the elevated internal temperature of the chamber is no lower than 300 ° C. 제2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 챔버는 상기 증착 물질을 기화시키기 위하여 상기 챔버의 상기 내부 온도를 상기 증착 물질이 기화 가능한 소정의 온도로 조절 및 유지하는 박막 증착 장치. And the chamber controls and maintains the internal temperature of the chamber to a predetermined temperature at which the deposition material can be vaporized to vaporize the deposition material. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 유입되는 상기 캐리어 가스의 온도는 상기 상승된 상기 내부 온도보다 낮지 않은 박막 증착 장치.And the temperature of the incoming carrier gas is not lower than the elevated internal temperature. 제2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 캐리어 가스는 N2가스로 구성된 박막 증착 장치.The carrier gas is a thin film deposition apparatus consisting of N 2 gas. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 차단벽 어셈블리는 상기 박막 증착 장치로부터 분리 가능한 박막 증착 장치.And the barrier wall assembly is detachable from the thin film deposition apparatus. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 차단벽 어셈블리는 The barrier wall assembly 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 구획하도록 상기 일 방향을 따라 배치된 복수 개의 차단벽들을 구비하며 분리가능한 제1 차단벽 어셈블리; 및A first barrier wall assembly having a plurality of barrier walls disposed along the one direction to partition a space between the first nozzle and the second nozzle and being detachable; And 상기 제1 차단벽 어셈블리의 일 측에 배치되며, 상기 일 방향을 따라 배치된 복수 개의 제2 차단벽들을 구비하는 제2 차단벽 어셈블리를 포함하고 상기 제1 차단벽 어셈블리와 상기 제2 차단벽 어셈블리는 각각 상기 박막 증착 장치로부터 분리 가능한 박막 증착 장치.A second barrier wall assembly disposed on one side of the first barrier wall assembly, the second barrier wall assembly including a plurality of second barrier walls disposed along the one direction, the first barrier wall assembly and the second barrier wall assembly; Thin film deposition apparatuses, each of which may be separated from the thin film deposition apparatus. 삭제delete 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 증착원은 제1 증착 물질을 방사하는 제1 증착원; 및The deposition source may include a first deposition source for emitting a first deposition material; And 상기 제1 증착원과 나란하게 배치되며, 제2 증착 물질을 방사하는 제2 증착원을 포함하는 박막 증착 장치.And a second deposition source disposed in parallel with the first deposition source and emitting a second deposition material. 제14 항에 있어서, 15. The method of claim 14, 상기 증착 물질 회수 장치에 있어서, In the deposition material recovery apparatus, 상기 제1 증착 물질은 제1 기화점을 가지고, 상기 제2 증착 물질은 상기 제1 기화점보다 높은 제2 기화점을 가질 때,When the first deposition material has a first vaporization point and the second deposition material has a second vaporization point higher than the first vaporization point, 상기 챔버는 상기 내부 온도를 상기 제1 기화점 보다 낮지 않고 상기 제2 기화점 보다 높지 않은 온도 및 상기 제2 기화점 보다 낮지 않은 온도로 각각 소정의 시간차를 두고 순차적으로 가열하는 상기 챔버;The chamber may be configured to sequentially heat the internal temperature at a predetermined time difference to a temperature not lower than the first vaporization point and not higher than the second vaporization point and not lower than the second vaporization point, respectively; 상기 냉각 회수 장치는 상기 각각 기화된 상기 제1 증착 물질 또는 상기 제2 증착 물질을 냉각하여 회수하는 상기 냉각 회수 장치; 및The cooling recovery apparatus may include: the cooling recovery apparatus configured to cool and recover the vaporized first deposition material or the second deposition material; And 상기 캐리어 가스는 상기 제1 증착 물질 기화시 제1 캐리어 가스를 주입하고 상기 제2 증착 물질 기화시 제2 캐리어 가스를 주입하는 상기 캐리어 가스를 포함하는 박막 증착 장치.The carrier gas may include the carrier gas injecting a first carrier gas when vaporizing the first deposition material and injecting a second carrier gas when vaporizing the second deposition material. 제15 항에 있어서, The method of claim 15, 상기 제1 캐리어 가스의 온도는 제1 기화점 보다 낮지 않고 제2 기화점보다 높지 않고 또한 상기 제2 캐리어 가스의 온도는 제2 기화점 보다 낮지 않은 박막 증착 장치. And the temperature of the first carrier gas is not lower than the first vaporization point, not higher than the second vaporization point, and the temperature of the second carrier gas is not lower than the second vaporization point. 박막 증착 장치와 기판을 소정 정도 이격되도록 배치하고, 상기 박막 증착 장치와 상기 기판 중 어느 일 측이 타 측에 대하여 상대적으로 이동하면서, 상기 박막 증착 장치에서 방사되는 증착 물질이 상기 기판상에 증착되는 단계;The thin film deposition apparatus and the substrate are arranged to be spaced apart by a predetermined distance, and either side of the thin film deposition apparatus and the substrate is moved relative to the other side, and the deposition material radiated from the thin film deposition apparatus is deposited on the substrate. step; 상기 증착 물질이 증착된 차단벽 어셈블리를 배치하고, 상기 차단벽 어셈블리가 배치된 주위 온도를 상승시켜 상기 증착 물질을 기화시키는 단계;Disposing a barrier wall assembly on which the deposition material is deposited and vaporizing the deposition material by raising an ambient temperature at which the barrier wall assembly is disposed; 캐리어 가스를 유입하여 상기 기화된 증착 물질이 상기 캐리어 가스의 흐름을 따라 냉각 회수 장치로 이동하는 단계; 및 Introducing a carrier gas to move the vaporized deposition material along the flow of the carrier gas to a cold recovery device; And 상기 냉각 회수 장치에서 상기 캐리어 가스와 상기 기화된 증착 물질을 냉각하여 상기 증착 물질을 회수하는 단계를 포함하는 박막 증착 방법.And recovering the deposition material by cooling the carrier gas and the vaporized deposition material in the cooling recovery apparatus. 제17 항에 있어서, 18. The method of claim 17, 상기 냉각 회수 단계는, The cooling recovery step, 입구를 통해 상기 캐리어 가스와 상기 기화된 증착 물질을 유입하는 단계;Introducing the carrier gas and the vaporized deposition material through an inlet; 상기 유입된 상기 캐리어 가스와 상기 기화된 증착 물질를 냉각 매체와 열전달을 통해 냉각하는 단계;Cooling the introduced carrier gas and the vaporized deposition material through heat transfer with a cooling medium; 상기 냉각으로 상기 기화된 증착 물질이 고체의 상기 증착 물질로 상변화 하는 단계; 및Phase cooling the vaporized deposition material to the solid deposition material by the cooling; And 상기 고체의 증착 물질을 회수는 단계를 더 포함하는 박막 증착 방법.And recovering the solid deposition material. 제17 항에 있어서, 18. The method of claim 17, 상기 증착 물질은 제1 증착 물질과 제2 증착 물질을 구비하며 상기 제1 증착 물질은 제1 기화점을 가지며 상기 제2 증착 물질은 상기 제1 기화점보다 높은 제2 기화점을 가지는 박막 증착 방법.Wherein the deposition material comprises a first deposition material and a second deposition material, the first deposition material having a first vaporization point and the second deposition material having a second vaporization point higher than the first vaporization point. . 제19 항에 있어서, The method of claim 19, 상기 증착 물질 회수 방법은 증착 물질이 증착된 차단벽 어셈블리를 배치하고 상기 주위 온도를 상기 제1 기화점보다 낮지 않고 상기 제2 기화점 보다 높지 않은 온도로 가열하여 상기 제1 증착 물질을 기화시키고, 제1 캐리어 가스를 유입하여 상기 기화된 제1 증착 물질을 상기 제1 캐리어 가스의 흐름에 따라 상기 냉각 회수 장치로 이동시키고, 상기 냉각 회수 장치에서 냉각을 통해 고체의 상기 제1 증착 물질을 회수하고,The deposition material recovery method includes disposing a barrier wall assembly on which deposition material is deposited and heating the ambient temperature to a temperature not lower than the first vaporization point and not higher than the second vaporization point to vaporize the first deposition material, Introducing a first carrier gas to move the vaporized first deposition material to the cold recovery device according to the flow of the first carrier gas, recovering the solid first vapor deposition material through cooling in the cold recovery device; , 상기 주위 온도를 상기 제2 기화점보다 낮지 않은 온도로 가열하여 상기 제2 증착 물질을 기화시키고, 상기 제2 캐리어 가스를 유입하여 상기 기화된 제2 증착 물질을 상기 제2 캐리어 가스의 흐름에 따라 상기 냉각 회수 장치로 이동시키고, 상기 냉각 회수 장치에서 냉각을 통해 고체의 상기 제2 증착 물질을 회수하되, 상기 유입되는 상기 제1 캐리어 가스의 온도는 제1 기화점보다 낮지 않고 제2 기화점보다 높지 않고, 상기 제2 캐리어 가스의 온도는 제2 기화점보다 낮지 않은 박막 증착 방법. The ambient temperature is heated to a temperature not lower than the second vaporization point to vaporize the second deposition material, and the second carrier gas is introduced to flow the vaporized second deposition material as the second carrier gas flows. Move to the cold recovery device to recover the second deposited material of solid through cooling in the cold recovery device, wherein the temperature of the incoming first carrier gas is not lower than the first vaporization point and is lower than the second vaporization point. And not higher, and the temperature of the second carrier gas is not lower than the second vaporization point.
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