KR101117716B1 - Apparatus for thin layer deposition - Google Patents

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Abstract

대형의 기판에 정밀한 증착 패턴을 형성할 수 있도록, 본 발명은 증착원, 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 일 방향을 따라 복수 개의 제1 슬릿들이 형성된 제1 노즐, 상기 증착원과 배치되고 상기 일 방향을 따라 복수 개의 제2 슬릿들이 형성된 제2 노즐, 상기 제2 노즐과 결합하여 상기 제2 노즐을 지지하는 제2 노즐 프레임, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 구획하도록 상기 일 방향을 따라 배치된 복수 개의 제1 차단벽을 구비하는 제1 차단벽 어셈블리, 상기 제1 차단벽 어셈블리의 일 측에 배치되며 상기 일 방향을 따라 배치된 복수 개의 제2 차단벽 및 상기 제2 차단벽을 지지하고 상기 제2 차단벽과 결합하는 제2 차단벽 프레임을 포함하고, 상기 제2 노즐 프레임과 상기 제2 차단벽 프레임은 복수 개의 체결공과 상기체결공에 대응하는 복수 개의 돌출부에 의하여 결합되는 박막 증착 장치를 제공한다.

Figure R1020090049912

In order to form a precise deposition pattern on a large substrate, the present invention is disposed on one side of the deposition source, the deposition source, the first nozzle formed with a plurality of first slits along one direction, the deposition source and A second nozzle having a plurality of second slits formed along the one direction, a second nozzle frame coupled to the second nozzle to support the second nozzle, and partitioning a space between the first nozzle and the second nozzle A first barrier wall assembly having a plurality of first barrier walls disposed along the one direction, a plurality of second barrier walls disposed on one side of the first barrier wall assembly and disposed along the one direction and the first barrier wall assembly; And a second blocking wall frame supporting the blocking wall and engaging with the second blocking wall, wherein the second nozzle frame and the second blocking wall frame correspond to a plurality of fastening holes and the fastening holes. A thin film deposition apparatus coupled by two protrusions is provided.

Figure R1020090049912

Description

박막 증착 장치{Apparatus for thin layer deposition} Thin film deposition apparatus {Apparatus for thin layer deposition}

본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것으로 더 상세하게는 대형의 기판에 정밀한 패턴을 형성할 수 있는 박막 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus, and more particularly, to a thin film deposition apparatus capable of forming a precise pattern on a large substrate.

디스플레이 장치들 중, 유기 발광 디스플레이 장치는 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로서 주목을 받고 있다. Among the display devices, the organic light emitting display device has attracted attention as a next generation display device because of its advantages of having a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response speed.

일반적으로, 유기 발광 디스플레이 장치는 애노드 전극과 캐소드 전극에서 주입되는 정공과 전자가 유기 발광층에서 재결합하여 발광하여 가시 광선을 구현할 수 있다. 그러나, 이러한 구조로는 고효율 발광을 구현하기 어렵기 때문에, 유기 발광 디스플레이 장치는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 유기 발광층과 함께, 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등의 유기층을 선택적으로 추가 삽입하여 사용하고 있다. In general, an organic light emitting display device may realize visible light by recombining holes and electrons injected from an anode electrode and a cathode electrode to emit light by recombination in an organic emission layer. However, since such a structure is difficult to realize high-efficiency light emission, the organic light emitting display device selects an organic layer such as an electron injection layer, an electron transport layer, a hole transport layer, and a hole injection layer together with an organic light emitting layer between the anode electrode and the cathode electrode. It is added and used.

한편, 유기 발광 디스플레이 장치의 전극들, 유기 발광층 및 유기층은 여러 방법으로 형성될 수 있는데, 그 중 한 방법이 증착이다. 증착 방법을 이용하여 유기 발광 디스플레이 장치를 제작하기 위해서는, 박막 등이 형성될 기판 면에, 형성 될 박막 등의 패턴과 동일한 패턴을 가지는 파인 메탈 마스크(fine metal mask: FMM)를 밀착시키고 박막 등의 재료를 증착하여 소정 패턴의 박막을 형성한다.On the other hand, the electrodes, the organic light emitting layer and the organic layer of the organic light emitting display device can be formed in a number of ways, one of which is deposition. In order to fabricate an organic light emitting display device using a deposition method, a fine metal mask (FMM) having the same pattern as the pattern of the thin film to be formed is in close contact with the surface of the substrate on which the thin film is to be formed. The material is deposited to form a thin film of a predetermined pattern.

그러나, 유기 발광층 및 유기층 등과 같은 유기 박막의 미세 패턴을 형성하는 것이 실질적으로 매우 어렵고, 상기 유기 박막의 패턴 및 두께와 같은 형태에 따라 적색, 녹색 및 청색의 발광 효율이 달라지기 때문에 유기 발광 디스플레이 장치의 발광 특성을 향상하는 데 한계가 있다.However, it is very difficult to form a fine pattern of an organic thin film such as an organic light emitting layer and an organic layer, and the organic light emitting display device because the luminous efficiency of red, green and blue varies depending on the shape and the thickness of the organic thin film. There is a limit to improving the light emission characteristics of the.

또한 근래에 디스플레이 장치의 대형화가 점점 요구되는데 종래의 박막 증착 장치로는 대면적에 대한 유기 박막의 패터닝이 곤란하여 만족할 만한 수준의 구동 전압, 전류 밀도, 휘도, 색순도, 발광 효율 및 수명 등을 가지는 대형 유기 발광 디스플레이 장치를 제조하는데 한계가 있다.In addition, in recent years, display devices are increasingly required to be enlarged, and conventional thin film deposition apparatuses have difficulty in patterning organic thin films for large areas, and have a satisfactory driving voltage, current density, luminance, color purity, luminous efficiency, and lifetime. There is a limitation in manufacturing a large organic light emitting display device.

본 발명은 대형의 기판에 정밀한 패턴을 형성할 수 있는 박막 증착 장치를 제공한다.The present invention provides a thin film deposition apparatus capable of forming a precise pattern on a large substrate.

본 발명은 증착원, 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 일 방향을 따라 복수 개의 제1 슬릿들이 형성된 제1 노즐, 상기 증착원과 배치되고 상기 일 방향을 따라 복수 개의 제2 슬릿들이 형성된 제2 노즐, 상기 제2 노즐과 결합하여 상기 제2 노즐을 지지하는 제2 노즐 프레임, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 구획하도록 상기 일 방향을 따라 배치된 복수 개의 제1 차단벽을 구비하는 제1 차단 벽 어셈블리, 상기 제1 차단벽 어셈블리의 일 측에 배치되며 상기 일 방향을 따라 배치된 복수 개의 제2 차단벽 및 상기 제2 차단벽을 지지하고 상기 제2 차단벽과 결합하는 제2 차단벽 프레임을 포함하고, 상기 제2 노즐 프레임과 상기 제2 차단벽 프레임은 복수 개의 체결공과 상기체결공에 대응하는 복수 개의 돌출부에 의하여 결합되는 박막 증착 장치를 개시한다.The present invention is a deposition source, a first nozzle disposed on one side of the deposition source, a plurality of first slits are formed along one direction, the first nozzle disposed with the deposition source and a plurality of second slits formed along the one direction A second nozzle frame coupled to the second nozzle to support the second nozzle, and a plurality of first blocking walls disposed along the one direction to partition a space between the first nozzle and the second nozzle; A first blocking wall assembly having a; is disposed on one side of the first blocking wall assembly, and supports the second blocking wall and the plurality of second blocking walls disposed along the one direction and coupled with the second blocking wall. And a second blocking wall frame, wherein the second nozzle frame and the second blocking wall frame are coupled to each other by a plurality of fastening holes and a plurality of protrusions corresponding to the fastening holes. The.

본 발명에 있어서 상기 체결공은 상기 제2 노즐 프레임에 형성되고, 상기 돌출부는 상기 제2 차단벽 프레임에 형성될 수 있다.In the present invention, the fastening hole may be formed in the second nozzle frame, and the protrusion may be formed in the second barrier wall frame.

본 발명에 있어서 상기 체결공은 제1 체결공, 제2 체결공을 구비하고, 상기 돌출부는 상기 제1 체결공과 대응하는 제1 돌출부, 상기 제2 체결공에 대응하는 제2 돌출부를 구비할 수 있다.In the present invention, the fastening hole may include a first fastening hole and a second fastening hole, and the protrusion may include a first protrusion corresponding to the first fastening hole and a second protrusion corresponding to the second fastening hole. have.

본 발명에 있어서 상기 제1 체결공과 상기 제1 돌출부는 일 방향 및 상기 일 방향과 수직한 방향으로 서로 힘을 받으며 결합되고, 상기 제2 체결공과 상기 제2 돌출부는 상기 일 방향으로 서로 힘을 받고 상기 일 방향과 수직한 방향으로 힘을 받지 않으며 결합될 수 있다.In the present invention, the first fastening hole and the first protrusion are coupled to each other in one direction and in a direction perpendicular to the one direction, and the second fastening hole and the second protrusion are received from each other in the one direction. The force may be combined without being applied in a direction perpendicular to the one direction.

본 발명에 있어서 상기 일 방향은 중력이 작용하는 방향과 평행한 방향일 수 있다.In the present invention, the one direction may be a direction parallel to the direction in which gravity acts.

본 발명에 있어서 상기 복수 개의 체결공의 형태는 각각 상이할 수 있다.In the present invention, the shape of the plurality of fastening holes may be different from each other.

본 발명에 있어서 상기 체결공과 상기 돌출부 사이에 탄성 부재가 개재 할 수 있다.In the present invention, an elastic member may be interposed between the fastening hole and the protrusion.

본 발명에 있어서 상기 탄성 부재는 볼 스프링 형태일 수 있다.In the present invention, the elastic member may be in the form of a ball spring.

본 발명에 있어서 상기 복수 개의 제1 차단벽들 및 상기 복수 개의 제2 차단벽들 각각은 상기 일 방향과 실질적으로 수직인 방향으로 형성되어, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 구획 할 수 있다.In the present invention, each of the plurality of first blocking walls and the plurality of second blocking walls is formed in a direction substantially perpendicular to the one direction, thereby partitioning a space between the first nozzle and the second nozzle. can do.

본 발명에 있어서 상기 복수 개의 제1 차단벽들 및 상기 복수 개의 제2 차단벽들 각각은 서로 대응되도록 배치 할 수 있다.In the present invention, each of the plurality of first blocking walls and the plurality of second blocking walls may be disposed to correspond to each other.

본 발명에 있어서 상기 서로 대응되는 제1 차단벽 및 제2 차단벽은 실질적으로 동일한 평면상에 위치하도록 배치 할 수 있다.In the present invention, the first and second blocking walls corresponding to each other may be disposed on substantially the same plane.

본 발명에 있어서 상기 제1 차단벽의 상기 일 방향으로의 폭이 상기 제2 차단벽의 상기 일 방향으로의 폭보다 크게 형성 될 수 있다.In the present invention, the width of the first blocking wall in the one direction may be greater than the width of the second blocking wall in the one direction.

본 발명에 있어서 상기 복수 개의 제1 차단벽들 및 상기 복수 개의 제2 차단벽들은 등간격으로 배치 될 수 있다.In the present invention, the plurality of first blocking walls and the plurality of second blocking walls may be arranged at equal intervals.

본 발명에 있어서 상기 제1 차단벽들과 상기 제2 차단벽들은 서로 이격되도록 형성 될 수 있다.In the present invention, the first blocking walls and the second blocking walls may be formed to be spaced apart from each other.

본 발명에 있어서 상기 제2 차단벽들과 상기 제2 노즐은 소정 간격을 두고 이격되도록 형성 될 수 있다.In the present invention, the second blocking walls and the second nozzle may be formed to be spaced apart at a predetermined interval.

본 발명에 있어서 상기 복수 개의 제1 차단벽들 중 서로 이웃한 두 개의 제1 차단벽들 사이에는 하나 이상의 상기 제1 슬릿이 배치 될 수 있다.In the present invention, one or more first slits may be disposed between two first blocking walls adjacent to each other among the plurality of first blocking walls.

본 발명에 있어서 상기 복수 개의 제1 차단벽들 중 서로 이웃한 두 개의 제1 차단벽들 사이에는 복수 개의 상기 제2 슬릿이 배치 될 수 있다.In the present invention, a plurality of second slits may be disposed between two first blocking walls adjacent to each other among the plurality of first blocking walls.

본 발명에 있어서 상기 복수 개의 제1 차단벽들 중 서로 이웃한 두 개의 제1 차단벽들 사이에 배치된 상기 제1 슬릿들의 개수보다 상기 제2 슬릿들의 개수가 더 많을 수 있다.In the present invention, the number of the second slits may be greater than the number of the first slits disposed between two adjacent first blocking walls among the plurality of first blocking walls.

본 발명에 있어서 상기 제1 슬릿들의 총 개수보다 상기 제2 슬릿들의 총 개수가 더 많을 수 있다.In the present invention, the total number of the second slits may be larger than the total number of the first slits.

본 발명에 있어서 상기 제2 노즐 프레임은 상기 제2 노즐에 소정의 인장력을 부여할 수 있다.In the present invention, the second nozzle frame may impart a predetermined tensile force to the second nozzle.

본 발명에 있어서 상기 제2 노즐 프레임의 온도는 증착 과정 동안 실질적으로 균일하게 유지 될 수 있다.In the present invention, the temperature of the second nozzle frame may be maintained substantially uniform during the deposition process.

본 발명에 있어서 상기 제1 차단벽 어셈블리는 상기 박막 증착 장치로부터 분리 가능하도록 형성 될 수 있다.In the present invention, the first barrier wall assembly may be formed to be separated from the thin film deposition apparatus.

본 발명에 있어서 상기 박막 증착 장치는 진공 챔버 내에 구비 될 수 있다.In the present invention, the thin film deposition apparatus may be provided in a vacuum chamber.

본 발명에 있어서 상기 제2 노즐은, 상기 증착원에서 기화된 증착 물질이 증착되는 피 증착체로부터 소정 간격을 두고 이격되도록 형성 될 수 있다.In the present invention, the second nozzle may be formed to be spaced apart from the deposition target vapor deposition material vaporized in the deposition source at a predetermined interval.

본 발명에 있어서 상기 제2 노즐의 상기 일 방향으로의 폭과 상기 피 증착체의 상기 일 방향으로의 폭은 실질적으로 동일하도록 형성 될 수 있다.In the present invention, the width of the second nozzle in the one direction and the width of the deposition target in the one direction may be formed to be substantially the same.

본 발명에 관한 박막 증착 장치는 대형의 기판에 정밀한 패턴을 형성할 수 있다.The thin film deposition apparatus according to the present invention can form a precise pattern on a large substrate.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 개략적인 측면도이고, 도 3은 도 1의 개략적인 평면도이다. 1 is a perspective view schematically showing a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic side view of FIG. 1, and FIG. 3 is a schematic plan view of FIG. 1.

도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)는 기판(160)에 증착 물질을 증착 하기 위하여 증착원(110), 제1 노즐(120), 제1 차단벽 어셈블리(130), 제2 차단벽 어셈블리(140), 제2 노즐(150), 제2 노즐 프레임(155)을 포함한다. 제2 차단벽 어셈블리(140)는 제2 차단벽(141) 및 제2 차단벽 프레임(142)을 구비한다.1, 2, and 3, the thin film deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a deposition source 110 and a first nozzle 120 to deposit a deposition material on a substrate 160. , A first barrier wall assembly 130, a second barrier wall assembly 140, a second nozzle 150, and a second nozzle frame 155. The second barrier wall assembly 140 includes a second barrier wall 141 and a second barrier wall frame 142.

도 1, 도 2 및 도 3에는 설명의 편의를 위해 챔버를 도시하지 않았지만, 도 1 내지 도 3의 모든 구성은 적절한 진공도가 유지되는 챔버 내에 배치되는 것이 바람직하다. 이는 증착 물질의 직진성을 확보하기 위함이다. 1, 2 and 3 are not shown in the chamber for convenience of explanation, all of the configuration of Figures 1 to 3 is preferably arranged in a chamber that maintains an appropriate degree of vacuum. This is to ensure the straightness of the deposition material.

상세히, 증착원(110)에서 방출된 증착 물질(115)이 제1 노즐(120) 및 제2 노즐(150)을 통과하여 기판(160)에 원하는 패턴으로 증착되게 하려면, 기본적으로 챔버(미도시) 내부는 FMM 증착 방법과 동일한 고진공 상태를 유지해야 한다. 또한 제1 차단벽 어셈블리(130), 제2 차단벽 어셈블리(140) 및 제2 노즐(150)의 온도가 증착원(110) 온도보다 충분히 낮아야(약 100ㅀ이하) 제1 노즐(120)과 제2 노즐(150) 사이의 공간을 고진공 상태로 유지할 수 있다. 이와 같이, 제1 차단벽 어셈블리(130), 제2 차단벽 어셈블리(140), 제2 노즐(150)의 온도가 충분히 낮으면, 원하지 않는 방향으로 방사되는 증착 물질(115)은 모두 제1 차단벽 어셈블리(130) 면 및 제2 차단벽 어셈블리(140) 면에 흡착되어서 고진공을 유지할 수 있기 때문에, 증착 물질 간의 충돌이 발생하지 않아서 증착 물질의 직진성을 확보할 수 있게 되는 것이다. 이때 제1 차단벽 어셈블리(130)는 고온의 증착원(110)을 향하고 있고, 증착원(110)과 가까운 곳은 최대 85ㅀ 가량 온도가 상승하기 때문에, 필요할 경우 부분 냉각 장치가 더 구비될 수 있다. 이를 위하여, 제1 차단벽 어셈블리(130) 및 제2 차단벽 어셈블리(140)에는 냉각 핀과 같은 냉각 부재가 형성될 수 있다. In detail, in order for the deposition material 115 emitted from the deposition source 110 to pass through the first nozzle 120 and the second nozzle 150 to be deposited on the substrate 160 in a desired pattern, a chamber (not shown) is basically provided. The inside must maintain the same high vacuum as the FMM deposition method. In addition, the temperature of the first barrier wall assembly 130, the second barrier wall assembly 140, and the second nozzle 150 should be sufficiently lower than the temperature of the deposition source 110 (about 100 ° C. or less) and the first nozzle 120. The space between the second nozzles 150 may be maintained in a high vacuum state. As such, when the temperatures of the first barrier wall assembly 130, the second barrier wall assembly 140, and the second nozzle 150 are sufficiently low, all of the deposition material 115 radiated in an undesired direction may be the first barrier. Since it is adsorbed on the surface of the wall assembly 130 and the surface of the second blocking wall assembly 140 to maintain a high vacuum, collision between the deposition materials does not occur, thereby ensuring the straightness of the deposition material. In this case, since the first barrier wall assembly 130 faces the high temperature deposition source 110 and the temperature is increased by about 85 ° C. near the deposition source 110, a partial cooling device may be further provided if necessary. have. To this end, a cooling member such as a cooling fin may be formed in the first barrier wall assembly 130 and the second barrier wall assembly 140.

이러한 챔버(미도시) 내에는 피 증착체인 기판(160)이 배치된다. 기판(160)은 평판 디스플레이 장치용 기판이 될 수 있는 데, 다수의 평판 디스플레이 장치를 형성할 수 있는 마더 글라스(mother glass)와 같은 대면적 기판이 적용될 수 있다.In this chamber (not shown), a substrate 160, which is a deposition target, is disposed. The substrate 160 may be a substrate for a flat panel display device, and a large area substrate such as a mother glass capable of forming a plurality of flat panel display devices may be applied.

챔버 내에서 기판(160)과 대향하는 측에는, 증착 물질(115)이 수납 및 가열되는 증착원(110)이 배치된다. 증착원(110) 내에 수납되어 있는 증착 물질(115)이 기화됨에 따라 기판(160)에 증착이 이루어진다. 상세히, 증착원(110)은 그 내부에 증착 물질(115)이 채워지는 도가니(111)와, 도가니(111)를 가열시켜 도가니(111) 내부에 채워진 증착 물질(115)을 도가니(111)의 일 측, 상세하게는 제1 노즐(120) 측으로 증발시키기 위한 히터(112)를 포함한다. On the side opposite to the substrate 160 in the chamber, a deposition source 110 in which the deposition material 115 is received and heated is disposed. As the deposition material 115 stored in the deposition source 110 is vaporized, deposition is performed on the substrate 160. In detail, the deposition source 110 includes the crucible 111 filled with the deposition material 115 therein, and the deposition material 115 filled inside the crucible 111 by heating the crucible 111. One side, in detail, comprises a heater 112 for evaporating to the first nozzle 120 side.

증착원(110)의 일 측, 상세하게는 증착원(110)에서 기판(160)을 향하는 측에는 제1 노즐(120)이 배치된다. 그리고, 제1 노즐(120)에는, Y축 방향을 따라서 복수 개의 제1 슬릿(121)들이 형성된다. 여기서, 상기 복수 개의 제1 슬릿(121)들은 등 간격으로 형성될 수 있다. 증착원(110) 내에서 기화된 증착 물질(115)은 이와 같은 제1 노즐(120)을 통과하여 피 증착체인 기판(160) 쪽으로 향하게 되는 것이 다. The first nozzle 120 is disposed on one side of the deposition source 110, in detail, the side facing the substrate 160 from the deposition source 110. In addition, a plurality of first slits 121 are formed in the first nozzle 120 along the Y-axis direction. Here, the plurality of first slits 121 may be formed at equal intervals. The deposition material 115 vaporized in the deposition source 110 passes through the first nozzle 120 such that the deposition material 115 is directed toward the substrate 160, which is the deposition target.

제1 노즐(120)의 일 측에는 제1 차단벽 어셈블리(130)가 구비된다. 상기 제1 차단벽 어셈블리(130)는 복수 개의 제1 차단벽(131)들과, 제1 차단벽(131)들 외측에 구비되는 제1 차단벽 프레임(132)을 포함한다. 여기서, 상기 복수 개의 제1 차단벽(131)들은 Y축 방향을 따라서 서로 나란하게 구비될 수 있다. 그리고, 복수 개의 제1 차단벽(131)들은 등(等) 간격으로 형성될 수 있다. 또한, 각각의 제1 차단벽(131)은 도면에서 보았을 때 XZ평면과 나란하도록, 다시 말하면 Y축 방향에 수직이 되도록 형성된다. 이와 같이 배치된 복수 개의 제1 차단벽(131)들은 제1 노즐(120)과 제2 노즐(150) 사이의 공간을 구획하는 역할을 수행한다. 여기서, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)는 제1 차단벽(131) 및 후술할 제2 차단벽(141)에 의하여, 증착 물질이 분사되는 각각의 제1 슬릿(121) 별로 증착 공간이 분리된다. One side of the first nozzle 120 is provided with a first barrier wall assembly 130. The first barrier wall assembly 130 includes a plurality of first barrier walls 131 and a first barrier wall frame 132 disposed outside the first barrier walls 131. Here, the plurality of first blocking walls 131 may be provided in parallel with each other along the Y-axis direction. The plurality of first blocking walls 131 may be formed at equal intervals. In addition, each first blocking wall 131 is formed to be parallel to the XZ plane when viewed in the drawing, that is, perpendicular to the Y-axis direction. The plurality of first blocking walls 131 arranged as described above serves to partition a space between the first nozzle 120 and the second nozzle 150. Here, the thin film deposition apparatus 100 according to the exemplary embodiment of the present invention includes the first slit 121 through which the deposition material is sprayed by the first blocking wall 131 and the second blocking wall 141 which will be described later. Deposition space is separated.

여기서, 각각의 제1 차단벽(131)들은 서로 이웃하고 있는 제1 슬릿(121)들 사이에 배치될 수 있다. 이는 다시 말하면, 서로 이웃하고 있는 제1 차단벽(131)들 사이에 하나의 제1 슬릿(121)이 배치된다고 볼 수도 있다. 바람직하게, 제1 슬릿(121)은 서로 이웃하고 있는 제1 차단벽(131) 사이의 정 중앙에 위치할 수 있다. 이와 같이, 제1 차단벽(131)이 제1 노즐(120)과 제2 노즐(150) 사이의 공간을 구획함으로써, 하나의 제1 슬릿(121)을 통하여 배출되는 증착 물질은 다른 제1 슬릿(121)에서 배출된 증착 물질들과 혼합되지 않고, 제2 슬릿(151)을 통과하여 기판(160)에 증착된다. 다시 말하면, 제1 차단벽(131)들은 제1 슬릿(121)을 통해 배 출되는 증착 물질이 분산되지 않도록 증착 물질의 Y축 방향의 이동 경로를 가이드 하는 역할을 수행한다. Here, each of the first blocking walls 131 may be disposed between the first slits 121 adjacent to each other. In other words, it may be regarded that one first slit 121 is disposed between the first blocking walls 131 neighboring each other. Preferably, the first slit 121 may be located at the center of the first blocking wall 131 adjacent to each other. As such, the first blocking wall 131 partitions a space between the first nozzle 120 and the second nozzle 150, so that the deposition material discharged through the first slit 121 is different from the first slit. It is not mixed with the deposition materials discharged from 121, but is deposited on the substrate 160 through the second slit 151. In other words, the first blocking walls 131 guide the movement path in the Y-axis direction of the deposition material so that the deposition material discharged through the first slit 121 is not dispersed.

한편, 상기 복수 개의 제1 차단벽(131)들의 외측으로는 제1 차단벽 프레임(132)이 더 구비될 수 있다. 제1 차단벽 프레임(132)은, 복수 개의 제1 차단벽(131)들의 상, 하 면에 각각 구비되어, 복수 개의 제1 차단벽(131)들의 위치를 지지하는 동시에, 제1 슬릿(121)을 통해 배출되는 증착 물질이 분산되지 않도록 증착 물질의 Z축 방향의 이동 경로를 가이드 하는 역할을 수행한다. Meanwhile, a first blocking wall frame 132 may be further provided outside the plurality of first blocking walls 131. The first blocking wall frame 132 is provided on the upper and lower surfaces of the plurality of first blocking walls 131, respectively, and supports the positions of the plurality of first blocking walls 131, and at the same time, the first slit 121. It serves to guide the movement path in the Z-axis direction of the deposition material so that the deposition material discharged through) is not dispersed.

한편, 상기 제1 차단벽 어셈블리(130)는 박막 증착 장치(100)로부터 분리 가능하도록 형성될 수 있다. 상세히, 종래의 FMM 증착 방법은 증착 효율이 낮다는 문제점이 존재하였다. 여기서 증착 효율이란 증착원에서 기화된 재료 중 실제로 기판에 증착된 재료의 비율을 의미하는 것으로, 종래의 FMM 증착 방법에서의 증착 효율은 대략 32% 정도이다. 더구나 종래의 FMM 증착 방법에서는 증착에 사용되지 아니한 대략 68% 정도의 유기물이 증착기 내부의 여기저기에 증착되기 때문에, 그 재활용이 용이하지 아니하다는 문제점이 존재하였다. The first barrier wall assembly 130 may be formed to be detachable from the thin film deposition apparatus 100. In detail, the conventional FMM deposition method has a problem that the deposition efficiency is low. Here, the deposition efficiency refers to the ratio of the material vaporized on the substrate among the vaporized material in the deposition source, the deposition efficiency in the conventional FMM deposition method is about 32%. Moreover, in the conventional FMM deposition method, since about 68% of organic matter which is not used for deposition is deposited everywhere in the evaporator, there is a problem that its recycling is not easy.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)에서는 제1 차단벽 어셈블리(130)를 이용하여 증착 공간을 외부 공간과 분리하였기 때문에, 기판(160)에 증착되지 않은 증착 물질은 대부분 제1 차단벽 어셈블리(130) 내에 증착된다. 따라서, 장시간 증착 후, 제1 차단벽 어셈블리(130)에 증착 물질이 많이 쌓이게 되면, 제1 차단벽 어셈블리(130)를 박막 증착 장치(100)로부터 분리한 후, 별도의 증착 물질 재활용 장치에 넣어서 증착 물질을 회 수할 수 있다. 이와 같은 구성을 통하여, 증착 물질 재활용률을 높임으로써 증착 효율이 향상되고 제조 비용이 절감되는 효과를 얻을 수 있다. In order to solve this problem, in the thin film deposition apparatus 100 according to the exemplary embodiment of the present invention, since the deposition space is separated from the external space by using the first barrier wall assembly 130, the deposition space is deposited on the substrate 160. Undeposited material is mostly deposited within the first barrier wall assembly 130. Therefore, if a large amount of deposition material is accumulated in the first barrier wall assembly 130 after a long time deposition, the first barrier wall assembly 130 is separated from the thin film deposition apparatus 100 and then placed in a separate deposition material recycling apparatus. The deposition material can be recovered. Through such a configuration, it is possible to obtain an effect of improving deposition efficiency and reducing manufacturing cost by increasing deposition material recycling rate.

제1 차단벽 어셈블리(130)의 일 측에는 제2 차단벽 어셈블리(140)가 구비된다. 상기 제2 차단벽 어셈블리(140)는 복수 개의 제2 차단벽(141)들과, 제2 차단벽(141)들 외측에 구비되는 제2 차단벽 프레임(142)을 포함한다. 여기서, 복수 개의 제2 차단벽(141)들은 Y축 방향을 따라서 서로 나란하게 구비될 수 있다. 그리고, 복수 개의 제2 차단벽(141)들은 등 간격으로 형성될 수 있다. 또한, 각각의 제2 차단벽(141)은 도면에서 보았을 때 XZ평면과 나란하도록, 다시 말하면 Y축 방향에 수직이 되도록 형성된다. 이와 같이 배치된 복수 개의 제2 차단벽(141)들은 제1 노즐(120)과 제2 노즐(150) 사이의 공간을 구획하는 역할을 수행한다. 여기서, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)는 제1 차단벽(131) 및 제2 차단벽(141)에 의하여, 증착 물질이 분사되는 각각의 제1 슬릿(121) 별로 증착 공간이 분리된다. One side of the first barrier wall assembly 130 is provided with a second barrier wall assembly 140. The second barrier wall assembly 140 includes a plurality of second barrier walls 141 and a second barrier wall frame 142 disposed outside the second barrier walls 141. Here, the plurality of second blocking walls 141 may be provided in parallel with each other along the Y-axis direction. The plurality of second blocking walls 141 may be formed at equal intervals. In addition, each second blocking wall 141 is formed to be parallel to the XZ plane when viewed in the drawing, that is, to be perpendicular to the Y-axis direction. The plurality of second blocking walls 141 arranged as described above serve to partition the space between the first nozzle 120 and the second nozzle 150. Here, the thin film deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is deposited by each of the first slits 121 through which the deposition material is sprayed by the first blocking wall 131 and the second blocking wall 141. The space is separated.

한편, 복수 개의 제2 차단벽(141)들의 외측으로는 제2 차단벽 프레임(142)이 배치된다. 제2 차단벽 프레임(142)은 대략 창문 틀과 같은 격자 형태로 형성되며, 그 내측에 제2 차단벽(141)들이 배치된다. 제2 차단벽 프레임(142)은 복수 개의 제2 차단벽(141)들의 위치를 지지하는 동시에, 제1 슬릿(121)을 통해 배출되는 증착 물질이 분산되지 않도록 증착 물질의 Z축 방향의 이동 경로를 가이드 하는 역할을 수행한다. 제2 차단벽 프레임(142)에는 제1 돌출부(146) 및 제2 돌출부(147)가 형성되어 있는데 이에 대한 구체적인 구성은 후술하기로 한다.Meanwhile, the second blocking wall frame 142 is disposed outside the plurality of second blocking walls 141. The second barrier wall frame 142 is formed in a grid shape substantially like a window frame, and the second barrier walls 141 are disposed inside the second barrier wall frame 142. The second barrier wall frame 142 supports the positions of the plurality of second barrier walls 141 and moves paths in the Z-axis direction of the deposition material so that the deposition material discharged through the first slit 121 is not dispersed. It serves as a guide. A first protrusion 146 and a second protrusion 147 are formed in the second barrier wall frame 142, which will be described in detail later.

여기서, 각각의 제2 차단벽(141)들은 각각의 제1 차단벽(131)들과 일대일 대응하도록 배치될 수 있다. 다시 말하면, 각각의 제2 차단벽(141)들은 각각의 제1 차단벽(131)들과 얼라인(align) 되어 서로 나란하게 배치될 수 있다. 즉, 서로 대응하는 제1 차단벽(131)과 제2 차단벽(141)은 서로 동일한 평면상에 위치하게 되는 것이다. 이와 같이, 서로 나란하게 배치된 제1 차단벽(131)들과 제2 차단벽(141)들에 의하여, 제1 노즐(120)과 후술할 제2 노즐(150) 사이의 공간이 구획됨으로써, 하나의 제1 슬릿(121)으로부터 배출되는 증착 물질은 다른 제1 슬릿(121)에서 배출된 증착 물질들과 혼합되지 않고, 제2 슬릿(151)을 통과하여 기판(160)에 증착되는 것이다. 다시 말하면, 제1 차단벽(131)들 및 제2 차단벽(141)들은 제1 슬릿(121)을 통해 배출되는 증착 물질이 분산되지 않도록 증착 물질의 Y축 방향의 이동 경로를 가이드 하는 역할을 수행한다. Here, each of the second blocking walls 141 may be disposed to correspond one-to-one with each of the first blocking walls 131. In other words, each of the second blocking walls 141 may be aligned with each of the first blocking walls 131 and disposed parallel to each other. That is, the first blocking wall 131 and the second blocking wall 141 corresponding to each other are positioned on the same plane. As such, the space between the first nozzle 120 and the second nozzle 150 to be described later is partitioned by the first blocking walls 131 and the second blocking walls 141 arranged side by side. The deposition material discharged from one first slit 121 is not mixed with the deposition materials discharged from the other first slit 121 and is deposited on the substrate 160 through the second slit 151. In other words, the first blocking walls 131 and the second blocking walls 141 guide the movement path in the Y-axis direction of the deposition material so that the deposition material discharged through the first slit 121 is not dispersed. To perform.

도면에는, 제1 차단벽(131)의 두께와 제2 차단벽(141)의 Y축 방향의 폭이 동일한 것으로 도시되어 있지만, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니한다. 즉, 제2 노즐(150)과의 정밀한 얼라인(align)이 요구되는 제2 차단벽(141)은 상대적으로 얇게 형성되는 반면, 정밀한 얼라인이 요구되지 않는 제1 차단벽(131)은 상대적으로 두껍게 형성되어, 그 제조가 용이하도록 하는 것도 가능하다 할 것이다. Although the thickness of the first blocking wall 131 and the width of the second blocking wall 141 in the Y-axis direction are illustrated in the drawing, the spirit of the present invention is not limited thereto. That is, the second blocking wall 141, which requires precise alignment with the second nozzle 150, is formed relatively thin, whereas the first blocking wall 131, which does not require precise alignment, is relatively thin. It will also be possible to form thick, so that the production is easy.

증착원(110)과 기판(160) 사이에는 제2 노즐(150) 및 제2 노즐 프레임(155)이 더 구비된다. 제2 노즐 프레임(155)은 대략 창문 틀과 같은 격자 형태로 형성되며, 그 내측에 제2 노즐(150)이 결합된다. 그리고, 제2 노즐(150)에는 Y축 방향을 따라서 복수 개의 제2 슬릿(151)들이 형성된다. 여기서, 상기 복수 개의 제2 슬 릿(151)들은 등 간격으로 형성될 수 있다. 증착원(110) 내에서 기화된 증착 물질(115)은 제1 노즐(120) 및 제2 노즐(150)을 통과하여 피 증착체인 기판(160) 쪽으로 향하게 되는 것이다. A second nozzle 150 and a second nozzle frame 155 are further provided between the deposition source 110 and the substrate 160. The second nozzle frame 155 is formed in a lattice form, such as a window frame, and the second nozzle 150 is coupled to the inside thereof. In addition, a plurality of second slits 151 are formed in the second nozzle 150 along the Y-axis direction. Here, the plurality of second slits 151 may be formed at equal intervals. The deposition material 115 vaporized in the deposition source 110 passes through the first nozzle 120 and the second nozzle 150 and is directed toward the substrate 160, which is the deposition target.

제2 노즐 프레임(155)에는 제1 체결공(미도시) 및 제2 체결공(157)이 형성된다. 이에 대한 구체적인 구성은 후술하기로 한다.A first fastening hole (not shown) and a second fastening hole 157 are formed in the second nozzle frame 155. Detailed configuration thereof will be described later.

여기서, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)는 제1 슬릿(121)들의 총 개수보다 제2 슬릿(151)들의 총 개수가 더 많은 것을 일 특징으로 한다. 또한, 서로 이웃하고 있는 두 개의 제1 차단벽(131) 사이에 배치된 제1 슬릿(121)의 개수보다 제2 슬릿(151)들의 개수가 더 많은 것을 일 특징으로 한다. Here, the thin film deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is characterized in that the total number of the second slits 151 is larger than the total number of the first slits 121. In addition, the number of the second slits 151 is greater than the number of the first slits 121 disposed between the two first blocking walls 131 adjacent to each other.

즉, 서로 이웃하고 있는 두 개의 제1 차단벽(131) 사이에는 하나 또는 그 이상의 제1 슬릿(121)이 배치된다. 동시에, 서로 이웃하고 있는 두 개의 제1 차단벽(131) 사이에는 복수 개의 제2 슬릿(151)들이 배치된다. 그리고, 서로 이웃하고 있는 두 개의 제1 차단벽(131)에 의해서 제1 노즐(120)과 제2 노즐(150) 사이의 공간이 구획되어서, 각각의 제1 슬릿(121) 별로 증착 공간이 분리된다. 따라서, 하나의 제1 슬릿(121)에서 방사된 증착 물질은 대부분 동일한 증착 공간에 있는 제2 슬릿(151)들을 통과하여 기판(160)에 증착되게 되는 것이다.  That is, one or more first slits 121 are disposed between two first blocking walls 131 neighboring each other. At the same time, a plurality of second slits 151 are disposed between two first blocking walls 131 neighboring each other. In addition, the space between the first nozzle 120 and the second nozzle 150 is divided by two first blocking walls 131 adjacent to each other, so that the deposition space is separated for each first slit 121. do. Therefore, the deposition material radiated from one first slit 121 is to be deposited on the substrate 160 through most of the second slits 151 in the same deposition space.

도면에는, 제1 슬릿(121) 하나당 제2 슬릿(151) 세 개가 배치되는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니하며, 제조하여야 하는 제품의 요구 사양에 따라 제1 슬릿(121) 개수에 대한 제2 슬릿(151) 개수의 비율은 다양하게 변형 가능하다 할 것이다. In the drawing, three second slits 151 are shown for each one of the first slits 121. However, the inventive concept is not limited thereto, and the first slits 121 may be manufactured according to the requirements of the product to be manufactured. The ratio of the number of second slits 151 to the number may be variously modified.

한편, 상기 제2 노즐(150)은 종래의 파인 메탈 마스크(FMM) 특히 스트라이프 타입(stripe type)의 마스크의 제조 방법과 동일한 방법인 에칭을 통해 제작될 수 있다. 이 경우, 기존 FMM 증착 방법에서는 FMM 크기가 기판 크기와 동일하게 형성되어야 한다. 따라서, 기판 사이즈가 증가할수록 FMM도 대형화되어야 하며, 따라서 FMM 제작이 용이하지 않고, FMM을 인장하여 정밀한 패턴으로 얼라인(align) 하기도 용이하지 않다는 문제점이 존재하였다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)의 경우, 박막 증착 장치(100)가 챔버(미도시)내에서 Z축 방향으로 이동하면서 증착이 이루어진다. 다시 말하면, 박막 증착 장치(100)가 현재 위치에서 증착을 완료하였을 경우, 박막 증착 장치(100) 혹은 기판(160)을 Z축 방향으로 상대적으로 이동시켜서 연속적으로 증착을 수행하게 된다. 따라서, 본 발명의 박막 증착 장치(100)에서는 종래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 제2 노즐(150)을 만들 수 있다. 즉, 본 발명의 박막 증착 장치(100)의 경우, 제2 노즐(150)의 Y축 방향으로의 폭과 기판(160)의 Y축 방향으로의 폭만 동일하게 형성되면, 제2 노즐(150)의 Z축 방향의 길이는 기판(160)의 길이보다 작게 형성될 수 있는 것이다. 이와 같이, 종래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 제2 노즐(150)을 만들 수 있기 때문에, 본 발명의 제2 노즐(150)은 그 제조가 용이하다. 즉, 제2 노즐(150)의 에칭 작업이나, 그 이후의 정밀 인장 및 용접 작업, 이동 및 세정 작업 등 모든 공정에서, 작은 크기의 제2 노즐(150)이 FMM 증착 방법에 비해 유리하다. 또한, 이는 디스플레이 장치가 대형화될수록 더욱 유리하게 된다.Meanwhile, the second nozzle 150 may be manufactured through etching, which is the same method as that of a conventional fine metal mask (FMM), in particular, a stripe type mask. In this case, in the conventional FMM deposition method, the FMM size should be formed to be the same as the substrate size. Therefore, as the substrate size increases, the FMM also needs to be enlarged. Therefore, there is a problem in that it is not easy to manufacture the FMM, and it is not easy to align the FMM to a precise pattern. However, in the thin film deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, the deposition is performed while the thin film deposition apparatus 100 moves in the Z-axis direction in a chamber (not shown). In other words, when the thin film deposition apparatus 100 completes the deposition at the current position, the thin film deposition apparatus 100 or the substrate 160 is moved relatively in the Z-axis direction to continuously perform deposition. Therefore, in the thin film deposition apparatus 100 of the present invention, the second nozzle 150 can be made much smaller than the conventional FMM. That is, in the case of the thin film deposition apparatus 100 of the present invention, when the width in the Y-axis direction of the second nozzle 150 and the width in the Y-axis direction of the substrate 160 are the same, the second nozzle 150 may be formed. The length of the Z-axis direction may be formed smaller than the length of the substrate 160. Thus, since the second nozzle 150 can be made much smaller than the conventional FMM, the second nozzle 150 of the present invention is easy to manufacture. That is, in all processes, such as etching operations of the second nozzle 150, precision tension and welding operations, moving and cleaning operations thereafter, the small size of the second nozzle 150 is advantageous over the FMM deposition method. In addition, this becomes more advantageous as the display device becomes larger.

한편, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)는 제1 차단벽 어셈 블리(130)와 제2 차단벽 어셈블리(140)가 서로 일정 정도 이격되도록 형성된다. 이와 같이 제1 차단벽 어셈블리(130)와 제2 차단벽 어셈블리(140)를 서로 이격시키는 이유는 다음과 같다. On the other hand, the thin film deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is formed such that the first barrier wall assembly 130 and the second barrier wall assembly 140 are spaced apart from each other by a certain degree. The reason for separating the first barrier wall assembly 130 and the second barrier wall assembly 140 from each other is as follows.

먼저, 제2 차단벽(141)과 제2 노즐(150)은 상호 간에 정밀하게 얼라인(align) 되어야 하는, 반면 제1 차단벽(131)과 제2 차단벽(141)은 그렇게 높은 정밀도를 필요로 하지 않는다. 따라서, 고정밀 제어가 필요한 부분과 그렇지 아니한 부분을 분리함으로써, 고정밀 제어 작업이 용이해질 수 있다. First, the second blocking wall 141 and the second nozzle 150 must be precisely aligned with each other, while the first blocking wall 131 and the second blocking wall 141 have such high precision. I don't need it. Therefore, by separating the part requiring high precision control and the part not, the high precision control operation can be facilitated.

또한, 제2 차단벽(141)과 제2 노즐(150)은 기판(160)에 대하여 정밀한 위치와 갭(Gap)을 가지고 얼라인(align) 되어야 하는, 즉 고정밀 제어가 필요한 부분이다. 따라서, 고정밀도가 요구되는 부분의 무게를 가볍게 하여 제어가 용이하도록 하기 위하여, 정밀도 제어가 불필요하고 무게가 많이 나가는 증착원(110), 제1 노즐(120) 및 제1 차단벽 어셈블리(130)를 제2 차단벽 어셈블리(140) 및 제2 노즐(150)로부터 분리하는 것이다. In addition, the second blocking wall 141 and the second nozzle 150 may be aligned with a precise position and a gap with respect to the substrate 160, that is, a part requiring high precision control. Therefore, in order to facilitate the control by lightening the weight of the portion requiring high precision, the deposition source 110, the first nozzle 120, and the first barrier wall assembly 130, which do not have precision control and are expensive, are required. Is separated from the second barrier wall assembly 140 and the second nozzle 150.

다음으로, 고온 상태의 증착원(110)에 의해 제1 차단벽 어셈블리(130)의 온도는 최대 100도 이상 상승하기 때문에, 상승된 제1 차단벽 어셈블리(130)의 온도가 제2 차단벽 어셈블리(140) 및 제2 노즐(150)로 전도되지 않도록 하기 위하여, 제1 차단벽 어셈블리(130)와 제2 차단벽 어셈블리(140)를 분리하는 것이다. Next, since the temperature of the first barrier wall assembly 130 is increased by at least 100 degrees by the deposition source 110 in a high temperature state, the temperature of the elevated first barrier wall assembly 130 is increased by the second barrier wall assembly. In order not to be conducted to the 140 and the second nozzle 150, the first barrier wall assembly 130 and the second barrier wall assembly 140 are separated.

다음으로, 챔버(미도시) 내에서 제2 노즐(150)을 분리하는 경우, 제2 노즐(150)과 제2 차단벽 어셈블리(140)를 함께 분리하는 것이 제2 노즐(150)만 분리하는 것보다 용이하다. 따라서, 제2 차단벽 어셈블리(140)를 제2 노즐(150)과 함께 챔버로부터 분리하기 위해서는, 제1 차단벽 어셈블리(130)와 제2 차단벽 어셈블리(140)가 서로 이격되는 것이 바람직하다. Next, when the second nozzle 150 is separated in the chamber (not shown), separating the second nozzle 150 and the second barrier wall assembly 140 together only separates the second nozzle 150. It is easier than that. Accordingly, in order to separate the second barrier wall assembly 140 from the chamber together with the second nozzle 150, the first barrier wall assembly 130 and the second barrier wall assembly 140 may be spaced apart from each other.

다음으로, 본 발명의 박막 증착 장치(100)에서는 제1 차단벽 어셈블리(130)에 붙은 증착 물질을 주로 재활용하고, 제2 차단벽 어셈블리(140) 및 제2 노즐(150)에 붙은 증착 물질은 재활용을 하지 않을 수 있다. 따라서, 제1 차단벽 어셈블리(130)가 제2 차단벽 어셈블리(140) 및 제2 노즐(150)과 분리되면 증착 물질의 재활용 작업이 용이해지는 효과도 얻을 수 있다. Next, in the thin film deposition apparatus 100 of the present invention, the deposition material adhered to the first barrier wall assembly 130 is mainly recycled, and the deposition material adhered to the second barrier wall assembly 140 and the second nozzle 150 is You can not recycle. Therefore, when the first barrier wall assembly 130 is separated from the second barrier wall assembly 140 and the second nozzle 150, the recycling of the deposition material may be facilitated.

더불어, 기판(160) 전체의 막 균일도를 확보하기 위해서 보정판(미도시)을 더 구비할 수 있는데, 제1 차단벽 어셈블리(130)가 제2 차단벽 어셈블리(140)와 분리되면 보정판(미도시)을 설치하기가 매우 용이하게 된다. In addition, a correction plate (not shown) may be further provided to secure the film uniformity of the entire substrate 160. When the first blocking wall assembly 130 is separated from the second blocking wall assembly 140, the correction plate (not shown) is provided. ) Is very easy to install.

마지막으로, 하나의 기판을 증착하고 다음 기판을 증착하기 전 상태에서 증착 물질이 제2 노즐(150)에 증착되는 것을 방지하여 노즐 교체주기를 증가시키기 위해서는 칸막이(미도시)가 더 구비될 수 있다. 이때 칸막이(미도시)는 제1 차단벽(131)과 제2 차단벽(141) 사이에 설치하는 것이 용이하며, 이를 위하여 제1 차단벽 어셈블리(130)와 제2 차단벽 어셈블리(140)가 서로 이격되는 것이 유리하다. Finally, a partition (not shown) may be further provided to increase the nozzle replacement period by preventing deposition of the deposition material on the second nozzle 150 in a state of depositing one substrate and before depositing the next substrate. . At this time, the partition (not shown) is easily installed between the first blocking wall 131 and the second blocking wall 141, for this purpose, the first blocking wall assembly 130 and the second blocking wall assembly 140 It is advantageous to be spaced apart from each other.

제2 노즐 프레임(155)은 대략 창문 틀과 같은 격자 형태로 형성되며, 그 내측에 복수 개의 제2 슬릿(151)들이 형성된 제2 노즐(150)이 결합된다. 여기서, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)에서는, 제2 노즐(150)과 제2 노즐 프레임(155)이 결합할 때, 제2 노즐 프레임(155)이 제2 노즐(150)에 소정의 인장력을 부여할 수 있도록 제2 노즐(150)과 제2 노즐 프레임(155)을 결합한다. 이는 제2 노즐(150)에 인장력을 가하고, 제2 노즐 프레임(155)에는 이와 대응하도록 압축력을 가하는 카운터 포스 기술을 이용하여 구현한다.The second nozzle frame 155 is formed in a lattice shape, such as a window frame, and the second nozzle 150 having a plurality of second slits 151 formed therein is coupled thereto. Here, in the thin film deposition apparatus 100 according to the embodiment of the present invention, when the second nozzle 150 and the second nozzle frame 155 are coupled, the second nozzle frame 155 is the second nozzle 150. The second nozzle 150 and the second nozzle frame 155 are combined to impart a predetermined tensile force. This is implemented using a counter force technique that applies a tensile force to the second nozzle 150 and a compressive force to the second nozzle frame 155 correspondingly.

한편, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)에서는, 제2 노즐 프레임(155)의 온도가 일정하게 유지되도록 하는 것이 바람직하다. 상세히, 본 발명에서 제2 노즐(150)은 고온의 증착원(110)을 계속 바라보고 있으므로, 항상 복사열을 받으므로 온도가 어느 정도(대략 5~15ㅀ 정도) 상승하게 된다. 이와 같이 제2 노즐(150) 온도가 상승하면, 제2 노즐(150)이 팽창하여 패턴 정밀도를 떨어뜨릴 수 있다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 스트라이프 타입(Stripe Type)의 제2 노즐(150)을 사용하는 동시에, 제2 노즐(150)을 인장 상태로 붙잡고 있는 제2 노즐 프레임(155)의 온도를 균일하게 함으로써, 제2 노즐(150) 온도 상승에 의한 패턴 오차를 방지한다. On the other hand, in the thin film deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, it is preferable to keep the temperature of the second nozzle frame 155 constant. In detail, since the second nozzle 150 continuously looks at the high temperature deposition source 110 in the present invention, the temperature is raised to a certain degree (about 5 to about 15 kPa) because it is always radiated. As described above, when the temperature of the second nozzle 150 rises, the second nozzle 150 may expand to reduce pattern accuracy. In order to solve such a problem, in the present invention, the temperature of the second nozzle frame 155 that uses the stripe type second nozzle 150 and holds the second nozzle 150 in a tensioned state. By making it uniform, the pattern error by the temperature rise of the 2nd nozzle 150 is prevented.

이렇게 하면, 제2 노즐(150)의 수평 방향(Y축 방향)의 열팽창(패턴 오차)은 제2 노즐 프레임(155)의 온도에 의해 결정되기 때문에, 제2 노즐 프레임(155) 온도만 일정하면 제2 노즐(150)의 온도가 올라가더라도 열팽창에 의한 패턴 오차 문제는 발생하지 않는다. 한편, 제2 노즐(150)의 길이 방향(Z축 방향)으로의 열팽창은 존재하지만, 이는 스캔 방향이므로 패턴 정밀도와는 관계가 없다. In this case, since the thermal expansion (pattern error) in the horizontal direction (Y-axis direction) of the second nozzle 150 is determined by the temperature of the second nozzle frame 155, only the temperature of the second nozzle frame 155 is constant. Even if the temperature of the second nozzle 150 increases, the pattern error problem due to thermal expansion does not occur. On the other hand, thermal expansion in the longitudinal direction (Z-axis direction) of the second nozzle 150 exists, but this is a scanning direction and thus has no relation to pattern accuracy.

이때, 제2 노즐 프레임(155)은 진공 상태에서 증착원(110)을 직접 바라보지 않기 때문에 복사열을 받지 않으며, 증착원(110)과 연결돼 있지도 않기 때문에 열전도도 없어서 제2 노즐 프레임(155)의 온도가 상승할 여지는 거의 없다. 만약, 약간(1~3ㅀ)의 온도 상승 문제가 있다 하더라도, 열 차폐판(Thermal Shield) 또는 방 열핀(Radiation Pin) 등을 사용하면 쉽게 일정한 온도를 유지할 수 있다. In this case, since the second nozzle frame 155 does not directly look at the deposition source 110 in a vacuum state, it does not receive radiant heat, and since the second nozzle frame 155 is not connected to the deposition source 110, the second nozzle frame 155 has no thermal conductivity. There is little room for the temperature to rise. If there is a problem of slight temperature rise (1 ~ 3 ㅀ), it is easy to maintain a constant temperature by using a thermal shield or a radiation pin.

이와 같이, 제2 노즐 프레임(155)이 제2 노즐(150)에 소정의 인장력을 부여하는 동시에, 제2 노즐 프레임(155)의 온도가 일정하게 유지되도록 함으로써, 제2 노즐(150)의 열팽창 문제와 제2 노즐(150)의 패턴 정밀도 문제가 분리되어, 제2 노즐(150)의 패턴 정밀도가 향상되는 효과를 얻을 수 있다. 즉, 상술한 바와 같이, 정밀 인장/압축/용접 기술을 이용하면, 에칭 산포가 있더라도 제2 노즐(150)의 제작 오차는 2um 이하일 수 있다. 또한, 제2 노즐(150)의 온도 상승에 의한 열팽창에 의한 오차는, 스트라이프 타입(Stripe Type)의 제2 노즐(150)에 인장력을 부여하고 제2 노즐 프레임(155)의 온도를 일정하게 함으로써 발생하지 않는다. 따라서 제2 노즐(150)의 정밀도는, {제2 노즐 제작 오차(<2) + 제2 노즐 열팽창 오차(~0) < 2 um}로 제작 가능함을 알 수 있다. As described above, the second nozzle frame 155 imparts a predetermined tensile force to the second nozzle 150, and the temperature of the second nozzle frame 155 is kept constant, thereby thermal expansion of the second nozzle 150. The problem and the pattern precision problem of the 2nd nozzle 150 are isolate | separated, and the effect which the pattern precision of the 2nd nozzle 150 improves can be acquired. That is, as described above, when the precision tension / compression / welding technique is used, the manufacturing error of the second nozzle 150 may be 2 μm or less even if there is an etching dispersion. In addition, the error due to thermal expansion due to the temperature rise of the second nozzle 150 is applied by applying a tensile force to the stripe type second nozzle 150 and making the temperature of the second nozzle frame 155 constant. Does not occur. Therefore, it can be seen that the precision of the second nozzle 150 can be manufactured by {second nozzle manufacturing error (<2) + second nozzle thermal expansion error (˜0) <2 um}.

도 4는 도 1의 박막 증착 장치의 제2 노즐 프레임을 구체적으로 도시한 사시도이고, 도 5는 도 4의 평면도이다.4 is a perspective view specifically illustrating a second nozzle frame of the thin film deposition apparatus of FIG. 1, and FIG. 5 is a plan view of FIG. 4.

도 4 및 도 5를 참조하면 제2 노즐 프레임(155)은 대략 창문 틀과 같은 격자 형태로 형성되며, 그 내측에 복수 개의 제2 슬릿(151)들이 형성된 제2 노즐(150)이 결합된다. 제2 노즐 프레임(155)의 길이 방향을 기준으로 양쪽 가장자리 하단에는 제1 체결공(156) 및 제2 체결공(157)이 형성된다. 제1 체결공(156)의 평면 형태는 대략 마름모 형태이고, 제2 체결공(157)의 평면 형태는 가로 방향의 길이가 세로 방향의 길이보다 긴 직사각형 형태이다. 제1 체결공(156) 및 제2 체결공(157)을 통하여 제2 노즐 프레임(155)과 제2 차단벽 프레임(142)은 결합된다.4 and 5, the second nozzle frame 155 is formed in a lattice shape, such as a window frame, and a second nozzle 150 having a plurality of second slits 151 formed therein is coupled thereto. The first fastening hole 156 and the second fastening hole 157 are formed at lower edges of both edges of the second nozzle frame 155 in the longitudinal direction. The planar shape of the first fastening hole 156 is a substantially rhombus shape, and the planar shape of the second fastening hole 157 is a rectangular shape in which the length in the horizontal direction is longer than the length in the vertical direction. The second nozzle frame 155 and the second blocking wall frame 142 are coupled to each other through the first fastening hole 156 and the second fastening hole 157.

도 6은 도 1의 박막 증착 장치의 제2 차단벽 프레임을 구체적으로 도시한 사시도이다. 6 is a perspective view illustrating in detail a second barrier wall frame of the thin film deposition apparatus of FIG. 1.

도 6을 참조하면 제2 차단벽 프레임(142)은 대략 창문 틀과 같은 격자 형태로 형성된다. 제2 차단벽 프레임(142)의 내측에 제2 차단벽(141)들이 배치되나 설명의 편의를 위하여 도 6에는 도시하지 않았다.Referring to FIG. 6, the second barrier wall frame 142 is formed in a lattice shape such as a window frame. The second blocking walls 141 are disposed inside the second blocking wall frame 142, but are not shown in FIG. 6 for convenience of description.

제2 차단벽 프레임(142)은 제1 돌출부(146) 및 제2 돌출부(147)를 포함한다. 제1 돌출부(146)는 제2 노즐 프레임(155)의 제1 체결공(156)에 삽입되도록 마름모 의 단면을 갖도록 형성되는 것이 바람직하다. 제2 돌출부(147)는 제2 노즐 프레임(155)의 제2 체결공(157)에 삽입되도록 직사각형의 단면을 갖도록 형성되는 것이 바람직하다. The second barrier wall frame 142 includes a first protrusion 146 and a second protrusion 147. The first protrusion 146 is preferably formed to have a cross section of a rhombus to be inserted into the first fastening hole 156 of the second nozzle frame 155. The second protrusion 147 may be formed to have a rectangular cross section so as to be inserted into the second fastening hole 157 of the second nozzle frame 155.

제1 돌출부(146)는 제1 체결공(156)보다 작게 형성되고 제2 돌출부(147)는 제2 체결공(157)보다 작게 형성된다.The first protrusion 146 is formed smaller than the first fastening hole 156 and the second protrusion 147 is formed smaller than the second fastening hole 157.

제1 돌출부(146)에는 그 표면에 제1 탄성 부재(146A)가 배치된다. 제1 탄성 부재(147A)는 볼 스프링(ball spring)인 것이 바람직하다. 제1 탄성 부재(146A)는 압력이 가해지면 소정의 길이로 수축하고, 압력이 제거되면 원 상태의 길이로 돌아오는 구조이다. 도 6에는 두 개의 제1 탄성 부재(146A)가 배치되는데 제1 돌출부(146)의 상부쪽 두 개의 면에 각각 배치된다.The first elastic member 146A is disposed on the surface of the first protrusion 146. It is preferable that the first elastic member 147A is a ball spring. The first elastic member 146A is contracted to a predetermined length when pressure is applied, and returns to its original length when the pressure is removed. In FIG. 6, two first elastic members 146A are disposed on two upper surfaces of the first protrusion 146, respectively.

제2 돌출부(147)에는 그 표면에 제2 탄성 부재(147A)가 배치된다. 제2 탄성 부재(147A)는 볼 형태의 스프링인 것이 바람직하다. 제2 탄성 부재(147A)는 압력이 가해지면 소정의 길이로 수축하고, 압력이 제거되면 원 상태의 길이로 돌아오는 구 조이다. 도 6에는 두 개의 제2 탄성 부재(147A)가 배치되는데 제2 돌출부(147)의 상부쪽 일 면에 배치된다.The second elastic member 147A is disposed on the surface of the second protrusion 147. It is preferable that the second elastic member 147A is a spring having a ball shape. The second elastic member 147A is a structure that contracts to a predetermined length when pressure is applied, and returns to its original length when the pressure is removed. In FIG. 6, two second elastic members 147A are disposed on one surface of an upper side of the second protrusion 147.

도 7은 제2 노즐 프레임과 제2 차단벽 프레임이 결합하는 과정을 도시한 사시도이고, 도 8은 제2 노즐 프레임과 제2 차단벽 프레임이 결합한 상태를 도시한 사시도이고, 도 9는 도 8의 평면도이다.7 is a perspective view illustrating a process in which the second nozzle frame and the second barrier wall frame are coupled, FIG. 8 is a perspective view illustrating a state in which the second nozzle frame and the second barrier wall frame are coupled, and FIG. 9 is FIG. 8. Top view of the.

도 7, 도 8 및 도 9를 참조하면 제2 차단벽 프레임(142)의 제1 돌출부(146)는 제2 노즐 프레임(155)의 제1 체결공(156)에 삽입되고, 제2 차단벽 프레임(142)의 제2 돌출부(147)는 제2 노즐 프레임(155)의 제2 체결공(157)에 삽입된다. 이를 통하여 제2 차단벽(141)이 결합된 제2 차단벽 프레임(142)과 제2 노즐(150)이 결합된 제2 노즐 프레임(155)을 용이하게 결합할 수 있다.7, 8, and 9, the first protrusion 146 of the second barrier wall frame 142 is inserted into the first fastening hole 156 of the second nozzle frame 155, and the second barrier wall The second protrusion 147 of the frame 142 is inserted into the second fastening hole 157 of the second nozzle frame 155. Through this, the second barrier wall frame 142 to which the second barrier wall 141 is coupled and the second nozzle frame 155 to which the second nozzle 150 is coupled may be easily coupled.

도 8 및 도 9에 구체적으로 도시한 것과 같이 제1 돌출부(146)는 제1 체결공(156)보다 작게 형성되고, 제2 돌출부(156)는 제2 체결공(157)보다 작게 형성되는데, 제1 탄성 부재(146A)를 통하여 제1 돌출부(146)와 제1 체결공(156)은 서로 힘을 받아 결합한 상태를 유지하고, 제2 탄성 부재(147A)를 통하여 제2 돌출부(147)와 제2 체결공(157)은 서로 힘을 받아 결합한 상태를 유지한다.As shown in FIGS. 8 and 9, the first protrusion 146 is formed smaller than the first fastening hole 156, and the second protrusion 156 is formed smaller than the second fastening hole 157. The first protrusion 146 and the first fastening hole 156 are coupled to each other by force through the first elastic member 146A, and the second protrusion 147 and the second protrusion 147 through the second elastic member 147A. The second fastening holes 157 are kept in a coupled state by receiving power from each other.

이러한 탄성 부재들에 의한 결합은 용접 방법에 비하여 제2 노즐 프레임(155)과 제2 차단벽 프레임(142)간의 결합을 용이하게 할 뿐 아니라, 분리도 용이하게 하여 증착 공정 후 세정을 위한 박막 증착 장치(100)의 분리 작업 공정을 절감할 수 있다.Coupling by such elastic members not only facilitates the coupling between the second nozzle frame 155 and the second barrier wall frame 142, but also facilitates separation, compared to the welding method, and thus thin film deposition for cleaning after the deposition process. The separation work process of the device 100 can be reduced.

한편, 제2 차단벽 프레임(142)에는 상술한 대로 제2 차단벽(141)이 결합되는 데 제2 차단벽(141)은 제2 노즐(150)의 제2 슬릿(151)과의 얼라인이 중요하다. 그리고 통상적으로 제2 차단벽 프레임(142)에 제2 차단벽(141)을 먼저 결합하고, 제2 차단벽 프레임(142)을 제2 노즐 프레임(155)에 결합한다. 결과적으로 제2 차단벽(141)과 제2 노즐(150)의 얼라인을 정확히 제어하려면 제2 차단벽 프레임(142)과 제2 노즐 프레임(155)을 정확히 정확히 얼라인하여 결합하면 된다.Meanwhile, as described above, the second blocking wall 141 is coupled to the second blocking wall frame 142, and the second blocking wall 141 is aligned with the second slit 151 of the second nozzle 150. This is important. In general, the second barrier wall 141 is first coupled to the second barrier wall frame 142, and the second barrier wall 142 is coupled to the second nozzle frame 155. As a result, in order to precisely control the alignment of the second blocking wall 141 and the second nozzle 150, the second blocking wall frame 142 and the second nozzle frame 155 may be aligned with each other accurately.

제1 돌출부(146)와 제1 체결공(156)은 가로 방향, 세로 방향 모두 서로 힘을 받도록 한다. 즉 제2 노즐 프레임(155)의 길이 방향 및 그와 수직한 방향으로 제1 돌출부(146)와 제1 체결공(156)은 서로 힘을 받는다. 다시 말하면 제1 돌출부(146)와 제1 체결공(156)은 중력이 작용하는 방향 및 이와 수직한 방향으로 모두 서로 힘을 받으면서 결합된 상태이다. The first protrusion 146 and the first fastening hole 156 receive a force in both the horizontal and vertical directions. That is, the first protrusion 146 and the first fastening hole 156 receive a force in the longitudinal direction of the second nozzle frame 155 and in a direction perpendicular thereto. In other words, the first protrusion 146 and the first fastening hole 156 are coupled to each other in a direction in which gravity acts and a direction perpendicular thereto.

제2 돌출부(147)와 제2 체결공(157)은 세로 방향으로만 서로 힘을 받도록 한다. 즉 제2 노즐 프레임(155)의 길이 방향과 수직한 방향으로만 제2 돌출부(147)와 제2 체결공(157)은 서로 힘을 받는다. 다시 말하면 제2 돌출부(147)와 제2 체결공(147)은 중력이 작용하는 방향으로 서로 힘을 받으면서 결합된 상태이다. The second protrusion 147 and the second fastening hole 157 are forced to each other only in the longitudinal direction. That is, the second protrusion 147 and the second fastening hole 157 receive a force only in a direction perpendicular to the length direction of the second nozzle frame 155. In other words, the second protrusion 147 and the second fastening hole 147 are coupled to each other while receiving a force in a direction in which gravity acts.

도 9에 도시한 것과 같이 제2 돌출부(147)가 제2 체결공(157)에 삽입된 상태에서 제2 돌출부(147)의 좌, 우측면과 제2 체결공(157)간에는 공간이 생기도록 이격된다. 또한 이러한 이격된 공간에는 탄성 부재가 배치되지 않도록 한다. 이를 통하여 제2 돌출부(147)와 제2 체결공(157)이 중력이 작용하는 방향으로만 서로 힘을 받으면서 결합되도록 할 수 있다.As shown in FIG. 9, a space is formed between the left and right surfaces of the second protrusion 147 and the second fastening hole 157 while the second protrusion 147 is inserted into the second fastening hole 157. do. In addition, the elastic member is not disposed in such spaced spaces. Through this, the second protrusion 147 and the second fastening hole 157 may be coupled to each other while receiving a force only in the direction in which gravity acts.

제2 노즐 프레임(155)과 제2 차단벽 프레임(142)은 증착 공정을 진행함에 따 라 각각 약간의 변형이 일어날 수 있다. 또한 이러한 변형시 변형량은 제2 노즐 프레임(155)과 제2 차단벽 프레임(142)각각에서 상이하다. 이로 인하여 제2 노즐 프레임(155)과 제2 차단벽 프레임(142)중 어느 하나의 변형량이 일 방향으로 크면 그로 인하여 둘 중 나머지에게도 영향을 주게 되어 결과적으로 제2 노즐(150)의 제2 슬릿(151)과 제2 차단벽(141)의 얼라인이 틀어지게 된다. The second nozzle frame 155 and the second barrier wall frame 142 may be slightly deformed as the deposition process proceeds. In addition, the deformation amount during the deformation is different in each of the second nozzle frame 155 and the second barrier wall frame 142. As a result, when the deformation amount of any one of the second nozzle frame 155 and the second barrier wall frame 142 is large in one direction, the second slit of the second nozzle 150 is affected as a result. Alignment between the 151 and the second blocking wall 141 is distorted.

그러나 본 실시예에서는 제2 차단벽 프레임(142)과 제2 노즐 프레임(155)을 결합하는 체결공들과 돌출부들 중 제2 돌출부(147)와 제2 체결공(157)은 중력이 작용하는 방향으로만 서로 힘을 받으면서 결합한 상태이다. 이를 통하여 제2 차단벽 프레임(142)과 제2 노즐 프레임(155)중 어느 하나의 변형이 있을 때 나머지에게 영향을 주는 것을 방지한다. 즉 제2 돌출부(147)와 제2 체결공(157)간의 서로 이격된 좌, 우 공간은 제2 노즐 프레임(155)과 제2 차단벽 프레임(142)의 변형 시 변형을 완충하는 마진 공간으로 작용한다.However, in the present exemplary embodiment, gravity is applied to the second protrusion 147 and the second fastening hole 157 among the fastening holes and protrusions coupling the second barrier wall frame 142 and the second nozzle frame 155. They are joined while receiving force from each other only in the direction. This prevents affecting the rest when any one of the second barrier wall frame 142 and the second nozzle frame 155 is deformed. That is, the left and right spaces spaced apart from each other between the second protrusion 147 and the second fastening hole 157 are margin spaces that buffer deformation when the second nozzle frame 155 and the second barrier wall frame 142 are deformed. Works.

또한 돌출부와 체결공의 결합 구조는 볼트 및 너트와 같은 나사 결합에 비하여 결합에 따른 힘의 전달량이 작다. 즉 볼트 및 너트의 결합은 볼트 및 너트 중 어느 하나가 미세하게 크기의 오차가 생길 경우 서로 힘을 받는다. 이로 인하여 제2 노즐 프레임(155)과 제2 차단벽 프레임(142)이 볼트와 너트로 결합된다면 볼트와 너트의 미세한 크기 오차에도 제2 노즐 프레임(155)과 제2 차단벽 프레임(142)은 변형 될 수 있다.In addition, the coupling structure of the protrusion and the fastening hole has a smaller amount of force transfer due to the coupling than the screw coupling such as the bolt and the nut. That is, the coupling between the bolt and the nut is applied to each other when one of the bolt and the nut is a slight size error. As a result, when the second nozzle frame 155 and the second barrier wall frame 142 are coupled with the bolt and the nut, the second nozzle frame 155 and the second barrier wall frame 142 may be in spite of the minute size error of the bolt and the nut. Can be deformed.

그러나 본 발명의 제2 노즐 프레임(155)과 제2 차단벽 프레임(142)는 돌출부와 체결공으로 결합하는 구조이고, 특히 제2 돌출부(147)와 제2 체결공(157)은 중 력 방향으로만 힘을 받아 제2 노즐 프레임(155)과 제2 차단벽 프레임(142)의 변형을 방지한다.However, the second nozzle frame 155 and the second blocking wall frame 142 of the present invention have a structure in which the protrusion and the fastening hole are coupled, and in particular, the second protrusion 147 and the second fastening hole 157 are in the direction of gravity. Only the force is applied to prevent deformation of the second nozzle frame 155 and the second barrier wall frame 142.

또한 돌출부와 체결공의 구조를 통한 제2 노즐 프레임(155)과 제2 차단벽 프레임(142)의 결합 방법은 나사, 접착 물질 기타 결합 방법에 비하여 결합 공정이 용이하고 결합의 정밀도를 제어하기가 용이하다.In addition, the method of joining the second nozzle frame 155 and the second barrier wall frame 142 through the structure of the protrusion and the fastening hole is easier to join than the screw, adhesive material and other joining methods, and to control the precision of the joining. It is easy.

본 실시예에서는 두 개의 체결공과 돌출부를 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 두 개 이상의 체결공과 그에 대응하는 돌출부를 형성할 수 있다. 이러한 경우에도 적어도 어느 하나의 체결공과 그에 대응하는 돌출부는 중력이 작용하는 방향 및 이와 수직한 방향모두에서 서로 힘을 받으면서 결합하고, 또 다른 하나의 체결공과 그와 대응되는 돌출부는 중력이 작용하는 방향으로만 서로 힘을 받으면서 결합한다. In the present embodiment, two fastening holes and protrusions have been described, but the present invention is not limited thereto. It is possible to form two or more fastening holes and corresponding protrusions. In this case, at least one fastening hole and a corresponding protrusion are coupled to each other in a direction in which gravity acts and a direction perpendicular thereto, and another fastening hole and a corresponding protrusion in a direction in which gravity acts. Only by receiving power from each other.

또한 제2 노즐 프레임(155)에 돌출부를 형성하고, 제2 차단벽 프레임(142)에 체결공을 형성하는 것도 가능하다.In addition, a protrusion may be formed in the second nozzle frame 155, and a fastening hole may be formed in the second barrier wall frame 142.

돌출부 및 체결공의 단면의 형태도 본 실시예에서 설명한 직사각형, 마름모뿐만 아니라 원, 타원, 기타 다각형이어도 무방하다. 즉 중력 방향으로 서로 힘을 받으면서 결합하는 구조, 또한 중력 방향과 수직한 방향으로 서로 힘을 받으면서 결합하는 구조라면 그 형태는 제한이 없다.The shape of the cross section of the protrusion and the fastening hole may be a circle, an ellipse, or other polygons as well as the rectangles and rhombuses described in this embodiment. That is, the structure is not limited so long as it is a structure that is coupled to each other while receiving a force in the direction of gravity, or a structure that is coupled to each other in a direction perpendicular to the direction of gravity.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치에서 증착 물질이 증착되고 있는 상태를 개략적으로 나타내는 도면이다. 10 is a view schematically showing a state in which a deposition material is being deposited in the thin film deposition apparatus according to the embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 증착원(110)에서 기화된 증착 물질은 제1 노즐(120) 및 제2 노즐(150)을 통과하여 기판(160)에 증착된다. 이때, 제1 노즐(120)과 제2 노즐(150) 사이의 공간은 제1 차단벽 어셈블리(130) 및 제2 차단벽 어셈블리(140)에 의하여 구획되어 있으므로, 제1 노즐(120)의 각각의 제1 슬릿(121)들에서 나온 증착 물질은 제1 차단벽 어셈블리(130) 및 제2 차단벽 어셈블리(140)에 의해서, 다른 제1 슬릿에서 나온 증착 물질과 혼합되지 않는다. Referring to FIG. 10, the deposition material vaporized from the deposition source 110 is deposited on the substrate 160 through the first nozzle 120 and the second nozzle 150. In this case, since the space between the first nozzle 120 and the second nozzle 150 is partitioned by the first barrier wall assembly 130 and the second barrier wall assembly 140, each of the first nozzles 120 may be formed. The deposition material from the first slits 121 may not be mixed with the deposition material from another first slit by the first barrier wall assembly 130 and the second barrier wall assembly 140.

제1 노즐(120)과 제2 노즐(150) 사이의 공간이 제1 차단벽 어셈블리(130) 및 제2 차단벽 어셈블리(140)에 의하여 구획되어 있을 경우, 증착 물질들은 거의 수직에 가까운 각도로 제2 노즐(150)을 통과하여 기판(160)에 증착된다. When the space between the first nozzle 120 and the second nozzle 150 is partitioned by the first barrier wall assembly 130 and the second barrier wall assembly 140, the deposition materials are at nearly perpendicular angles. Passed through the second nozzle 150 is deposited on the substrate 160.

제1 차단벽 어셈블리(130) 및 제2 차단벽 어셈블리(140)를 구비함으로써, 기판(160)에 생성되는 음영(shadow)을 작아지도록 하여 제2 노즐(150)을 기판(160)으로부터 이격시킬 수 있다. The first barrier wall assembly 130 and the second barrier wall assembly 140 may be provided so that the shadow generated on the substrate 160 may be reduced to separate the second nozzle 150 from the substrate 160. Can be.

상세히, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)에서는, 제2 노즐(150)은 기판(160)으로부터 일정 정도 이격되도록 형성된다. 다시 말하면, 종래의 FMM 증착 방법에서는 기판에 음영(shadow)이 생기지 않도록 하기 위하여 기판에 마스크를 밀착시켜서 증착 공정을 진행하였다. 그러나, 이와 같이 기판에 마스크를 밀착시킬 경우, 기판과 마스크 간의 접촉에 의한 불량 문제가 발생한다는 문제점이 존재하였다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(100)에서는 제2 노즐(150)이 피 증착체인 기판(160)과 소정 간격을 두고 이격되도록 배치되도록 한다. 이것은 제1 차단벽 어셈블리(130) 및 제2 차단벽 어셈블리(140)를 구비하여, 기판(160)에 생성되는 음영(shadow)이 작아지게 됨 으로써 실현 가능해진다. In detail, in the thin film deposition apparatus 100 according to the exemplary embodiment of the present invention, the second nozzle 150 is formed to be spaced apart from the substrate 160 to some extent. In other words, in the conventional FMM deposition method, the deposition process was performed by closely attaching a mask to the substrate in order to prevent shadows on the substrate. However, when the mask is in close contact with the substrate as described above, there has been a problem that a defect problem occurs due to contact between the substrate and the mask. In order to solve such a problem, in the thin film deposition apparatus 100 according to the exemplary embodiment of the present invention, the second nozzle 150 is disposed to be spaced apart from the substrate 160, which is the deposition target, at a predetermined interval. This is realized by having the first barrier wall assembly 130 and the second barrier wall assembly 140, so that the shadow generated on the substrate 160 is reduced.

이와 같은 본 발명에 의해서 기판과 마스크 간의 접촉에 의한 불량을 방지하는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 공정에서 기판과 마스크를 밀착시키는 시간이 불필요해지기 때문에, 제조 속도가 향상되는 효과를 얻을 수 있다. According to the present invention as described above, an effect of preventing a defect due to contact between the substrate and the mask can be obtained. In addition, since the time for bringing the substrate into close contact with the mask is unnecessary in the step, an effect of increasing the manufacturing speed can be obtained.

또한 제2 차단벽 프레임과 제2 노즐 프레임간의 분리, 결합 시에 항상 정밀한 얼라인이 되도록 하여 제2 차단벽과 제2 노즐의 제2 슬릿간의 정밀한 얼라인이 항상 유지되도록 한다.Also, when the separation and the coupling between the second barrier wall frame and the second nozzle frame are always precise alignment, the precise alignment between the second barrier wall and the second slit of the second nozzle is always maintained.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.1 is a perspective view schematically showing a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 개략적인 측면도이다. 2 is a schematic side view of FIG. 1.

도 3은 도 1의 개략적인 평면도이다. 3 is a schematic plan view of FIG. 1.

도 4는 도 1의 박막 증착 장치의 제2 노즐 프레임을 구체적으로 도시한 사시도이다.4 is a perspective view illustrating in detail a second nozzle frame of the thin film deposition apparatus of FIG. 1.

도 5는 도 4의 평면도이다.5 is a plan view of FIG. 4.

도 6은 도 1의 박막 증착 장치의 제2 차단벽 프레임을 구체적으로 도시한 사시도이다.6 is a perspective view illustrating in detail a second barrier wall frame of the thin film deposition apparatus of FIG. 1.

도 7은 제2 노즐 프레임과 제2 차단벽 프레임이 결합하는 과정을 도시한 사시도이다.7 is a perspective view illustrating a process of coupling the second nozzle frame and the second barrier wall frame.

도 8은 제2 노즐 프레임과 제2 차단벽 프레임이 결합한 상태를 도시한 사시도이다.8 is a perspective view illustrating a state in which the second nozzle frame and the second barrier wall frame are coupled to each other.

도 9는 도 8의 평면도이다.9 is a plan view of FIG. 8.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치에서 증착 물질이 증착되고 있는 상태를 개략적으로 나타내는 도면이다.10 is a view schematically showing a state in which a deposition material is being deposited in the thin film deposition apparatus according to the embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명>BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.

100: 박막 증착 장치 110: 증착원100: thin film deposition apparatus 110: deposition source

120: 제1 노즐 130: 제1 차단벽 어셈블리120: first nozzle 130: first barrier wall assembly

131: 제1 차단벽 132: 제1 차단벽 프레임131: first barrier wall 132: first barrier wall frame

140: 제2 차단벽 어셈블리 141: 제2 차단벽140: second barrier wall assembly 141: second barrier wall

142: 제2 차단벽 프레임 146: 제1 돌출부142: second barrier wall frame 146: first protrusion

146A: 제1 탄성 부재 147: 제2 돌출부 146A: first elastic member 147: second protrusion

147: 제2 탄성 부재 150: 제2 노즐147: second elastic member 150: second nozzle

155: 제2 노즐 프레임 156: 제1 체결공155: second nozzle frame 156: first fastening hole

157: 제2 체결공 160: 기판157: second fastening hole 160: substrate

Claims (25)

피증착체에 증착 물질을 증착하기 위한 박막 증착 장치에 관한 것으로서, A thin film deposition apparatus for depositing a deposition material on a deposit, 증착원;Evaporation source; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 일 방향을 따라 복수 개의 제1 슬릿들이 형성된 제1 노즐;A first nozzle disposed on one side of the deposition source and having a plurality of first slits formed along one direction; 상기 증착원과 배치되고 상기 일 방향을 따라 복수 개의 제2 슬릿들이 형성된 제2 노즐;A second nozzle disposed with the deposition source and having a plurality of second slits formed along the one direction; 상기 제2 노즐과 결합하여 상기 제2 노즐을 지지하는 제2 노즐 프레임;A second nozzle frame coupled to the second nozzle to support the second nozzle; 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 구획하도록 상기 일 방향을 따라 배치된 복수 개의 제1 차단벽을 구비하는 제1 차단벽 어셈블리;A first barrier wall assembly having a plurality of first barrier walls disposed along the one direction to partition a space between the first nozzle and the second nozzle; 상기 제1 차단벽 어셈블리의 일 측에 배치되며 상기 일 방향을 따라 배치된 복수 개의 제2 차단벽; 및A plurality of second blocking walls disposed on one side of the first blocking wall assembly and disposed along the one direction; And 상기 제2 차단벽을 지지하고 상기 제2 차단벽과 결합하는 제2 차단벽 프레임을 포함하고, A second blocking wall frame supporting the second blocking wall and engaging with the second blocking wall; 상기 제2 노즐 프레임과 상기 제2 차단벽 프레임은 복수 개의 체결공과 상기체결공에 대응하는 복수 개의 돌출부에 의하여 결합되고,The second nozzle frame and the second blocking wall frame are coupled by a plurality of fastening holes and a plurality of protrusions corresponding to the fastening holes. 상기 박막 증착 장치는 상기 피증착체와 소정 간격을 두고 이격되도록 배치되고, 상기 박막 증착 장치가 상기 피증착체에 대하여 상대적으로 이동하면서 증착 물질을 증착하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.The thin film deposition apparatus is disposed so as to be spaced apart from the depositing object at a predetermined interval, the thin film deposition apparatus characterized in that for depositing the deposition material while moving relative to the deposition target. 제1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 체결공은 상기 제2 노즐 프레임에 형성되고, 상기 돌출부는 상기 제2 차단벽 프레임에 형성되는 박막 증착 장치.The fastening hole is formed in the second nozzle frame, the protrusion is formed in the second barrier wall frame thin film deposition apparatus. 제1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 체결공은 제1 체결공, 제2 체결공을 구비하고, 상기 돌출부는 상기 제1 체결공과 대응하는 제1 돌출부, 상기 제2 체결공에 대응하는 제2 돌출부를 구비하는 박막 증착 장치.The fastening hole includes a first fastening hole and a second fastening hole, and the protrusion has a first protrusion corresponding to the first fastening hole and a second protrusion corresponding to the second fastening hole. 제3 항에 있어서,The method of claim 3, 상기 제1 체결공과 상기 제1 돌출부는 일 방향 및 상기 일 방향과 수직한 방향으로 서로 힘을 받으며 결합되고,The first fastening hole and the first protrusion are coupled to each other in one direction and in a direction perpendicular to the one direction, 상기 제2 체결공과 상기 제2 돌출부는 상기 일 방향으로 서로 힘을 받고 상기 일 방향과 수직한 방향으로 힘을 받지 않으며 결합된 박막 증착 장치.And the second fastening hole and the second protrusion are coupled to each other in one direction and not in a direction perpendicular to the one direction. 제4 항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 일 방향은 중력이 작용하는 방향과 평행한 방향인 박막 증착 장치.The one direction is a thin film deposition apparatus is a direction parallel to the direction in which gravity acts. 제1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 복수 개의 체결공의 형태는 각각 상이한 박막 증착 장치.The thin film deposition apparatus of the plurality of fastening holes are different from each other. 제1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 체결공과 상기 돌출부 사이에 탄성 부재가 개재하는 박막 증착 장치.The thin film deposition apparatus having an elastic member interposed between the fastening hole and the protrusion. 제7 항에 있어서,8. The method of claim 7, 상기 탄성 부재는 볼 스프링 형태인 박막 증착 장치.The elastic member is a thin film deposition apparatus having a ball spring shape. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 복수 개의 제1 차단벽들 및 상기 복수 개의 제2 차단벽들 각각은 상기 일 방향과 수직인 방향으로 형성되어, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐 사이의 공간을 구획하는 박막 증착 장치. Each of the plurality of first blocking walls and the plurality of second blocking walls is formed in a direction perpendicular to the one direction to define a space between the first nozzle and the second nozzle. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 복수 개의 제1 차단벽들 및 상기 복수 개의 제2 차단벽들 각각은 서로 대응되도록 배치되는 박막 증착 장치. The thin film deposition apparatus of claim 1, wherein each of the plurality of first blocking walls and the plurality of second blocking walls is disposed to correspond to each other. 제10 항에 있어서, The method of claim 10, 상기 서로 대응되는 제1 차단벽 및 제2 차단벽은 동일한 평면상에 위치하도록 배치되는 박막 증착 장치. The thin film deposition apparatus of claim 1, wherein the first and second barrier walls corresponding to each other are disposed on the same plane. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제1 차단벽의 상기 일 방향으로의 폭이 상기 제2 차단벽의 상기 일 방향으로의 폭보다 크게 형성되는 박막 증착 장치. And the width of the first blocking wall in the one direction is greater than the width of the second blocking wall in the one direction. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 복수 개의 제1 차단벽들 및 상기 복수 개의 제2 차단벽들은 등간격으로 배치되는 박막 증착 장치. The thin film deposition apparatus of claim 1, wherein the plurality of first blocking walls and the plurality of second blocking walls are disposed at equal intervals. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제1 차단벽들과 상기 제2 차단벽들은 서로 이격되도록 형성되는 박막 증착 장치. The thin film deposition apparatus of claim 1, wherein the first barrier walls and the second barrier walls are spaced apart from each other. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제2 차단벽들과 상기 제2 노즐은 간격을 두고 이격되도록 형성되는 박막 증착 장치. And the second blocking walls and the second nozzle are spaced apart from each other at intervals. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 복수 개의 제1 차단벽들 중 서로 이웃한 두 개의 제1 차단벽들 사이에는 하나 이상의 상기 제1 슬릿이 배치되는 박막 증착 장치. And at least one first slit is disposed between two adjacent first blocking walls among the plurality of first blocking walls. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 복수 개의 제1 차단벽들 중 서로 이웃한 두 개의 제1 차단벽들 사이에는 복수 개의 상기 제2 슬릿이 배치되는 박막 증착 장치. And a plurality of second slits disposed between two first blocking walls adjacent to each other among the plurality of first blocking walls. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 복수 개의 제1 차단벽들 중 서로 이웃한 두 개의 제1 차단벽들 사이에 배치된 상기 제1 슬릿들의 개수보다 상기 제2 슬릿들의 개수가 더 많은 박막 증착 장치. The thin film deposition apparatus of claim 1, wherein the number of the second slits is greater than the number of the first slits disposed between two adjacent first blocking walls among the plurality of first blocking walls. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제1 슬릿들의 총 개수보다 상기 제2 슬릿들의 총 개수가 더 많은 박막 증착 장치. And a total number of the second slits is greater than the total number of the first slits. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제2 노즐 프레임은 상기 제2 노즐에 인장력을 부여하는 박막 증착 장치. And the second nozzle frame imparts tensile force to the second nozzle. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제2 노즐 프레임의 온도는 증착 과정 동안 균일하게 유지되는 박막 증착 장치. And the temperature of the second nozzle frame is kept uniform during the deposition process. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제1 차단벽 어셈블리는 상기 박막 증착 장치로부터 분리 가능하도록 형 성되는 박막 증착 장치. And the first barrier wall assembly is formed to be detachable from the thin film deposition apparatus. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 박막 증착 장치는 진공 챔버 내에 구비되는 박막 증착 장치. The thin film deposition apparatus is provided in the vacuum chamber. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제2 노즐은, 상기 증착원에서 기화된 증착 물질이 증착되는 상기 피증착체로부터 간격을 두고 이격되도록 형성되는 박막 증착 장치. The second nozzle is thin film deposition apparatus is formed so as to be spaced apart from the depositing material on which the deposition material vaporized in the deposition source is deposited. 제24 항에 있어서, The method of claim 24, 상기 제2 노즐의 상기 일 방향으로의 폭과 상기 피증착체의 상기 일 방향으로의 폭은 동일하도록 형성되는 박막 증착 장치.The thin film deposition apparatus of claim 2, wherein the width of the second nozzle in the one direction and the width of the vapor deposition body in the one direction are the same.
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