KR101086162B1 - 박막 형성 방법 - Google Patents
박막 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101086162B1 KR101086162B1 KR1020040087485A KR20040087485A KR101086162B1 KR 101086162 B1 KR101086162 B1 KR 101086162B1 KR 1020040087485 A KR1020040087485 A KR 1020040087485A KR 20040087485 A KR20040087485 A KR 20040087485A KR 101086162 B1 KR101086162 B1 KR 101086162B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- region
- solvent
- film material
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
- H01L21/02288—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating printing, e.g. ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
- H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
Abstract
Description
Claims (15)
- 나노 박막의 패턴에 따라 볼록부와 오목부의 요철을 구비하여 형성된 PDMS(polydimethylsiloxane)몰드를 이용하여 박막이 형성되는 제 1 영역과 박막이 형성되지 않는 제 2 영역을 갖도록 기판의 표면을 처리하는 단계;상기 기판 상에 잉크젯 방식 또는 스핀 코팅 방식으로 박막형성 재료에 대하여 비친화적인 친수성 용매를 분사하여 상기 제 2 영역 상에 액상 격벽을 형성하는 단계;상기 액상 격벽에 둘러싸인 상기 제 1 영역 상에 박막재료액을 도포하는 단계; 및상기 박막재료액 및 상기 액상격벽이 도포된 기판을 건조하는 단계를 포함하여 구성되는 선택적 박막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 박막재료액은 나노 와이어, 나노 튜브 및 나노 파우더 중에서 선택되는 어느 하나로 이루어지는 박막 형성 재료를 용매에 균일하게 분산시킨 것임을 특징으로 하는 선택적 박막 형성 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 용매는 상기 박막 형성 재료에 대해 친화성인 소수성 용매임을 특징으로 하는 선택적 박막 형성 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 용매는 디이미도에탄(diimidoethane)임을 특징으로 하는 선택적 박막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판의 표면을 처리하는 단계는 상기 PDMS(polydimethylsiloxane) 몰드를 이용하여 미세 접촉 인쇄(micro-contact printing) 방식으로 실시하는 것을 특징으로 하는 선택적 박막 형성 방법.
- 삭제
- 제 5 항에 있어서, 상기 미세 접촉 인쇄 방식은 상기 PDMS 몰드에 상기 박막재료액에 대한 친화성 액상조성물을 도포하는 단계를 포함하는 선택적 박막 형성 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 PDMS 몰드의 볼록부에 도포된 상기 액상조성물을 상기 기판 상의 제 1 영역에 전가하는 단계를 포함하는 선택적 박막 형성 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 영역 상에 전가된 액상조성물의 용매를 건조시킴으로써, 상기 기판 상에 표면처리 패턴을 얻는 것을 특징으로 하는 선택적 박막 형성 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 액상조성물은 옥타데실트리클로로실레인(octa- decyltriclorosilne, OTS) 또는 알콕시 실레인(alkoxy silane) 화합물 또는 씨올(thiol) 화합물을 상기 박막재료액에 친화적인 소수성 헥산(hexane) 등의 유기 용매에 녹여 형성함을 특징으로 하는 선택적 박막 형성 방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 영역에는 상기 박막재료액에 대하여 비친화성인 친수성기가 도입되는 것을 특징으로 하는 선택적 박막 형성 방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 친수성 용매는 물임을 특징으로 하는 선택적 박막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 나노 박막재료를 도포하는 단계는 잉크젯 방식으로 이루어지는 단계임을 특징으로 하는 선택적 박막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판을 건조하는 단계는 상기 박막재료액을 구성하는 용매의 끓는점보다 낮은 온도에서 이루어짐을 특징으로 하는 선택적 박막 형성 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040087485A KR101086162B1 (ko) | 2004-10-29 | 2004-10-29 | 박막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040087485A KR101086162B1 (ko) | 2004-10-29 | 2004-10-29 | 박막 형성 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060038263A KR20060038263A (ko) | 2006-05-03 |
KR101086162B1 true KR101086162B1 (ko) | 2011-11-25 |
Family
ID=37145888
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040087485A KR101086162B1 (ko) | 2004-10-29 | 2004-10-29 | 박막 형성 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101086162B1 (ko) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101235699B1 (ko) * | 2006-06-19 | 2013-02-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 초소수성 물질을 이용한 용액 타입의 패턴 형성 방법 |
KR101242031B1 (ko) * | 2006-06-21 | 2013-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 말단 작용기의 자기배열을 이용한 패턴 형성 방법 |
KR101246720B1 (ko) * | 2006-06-23 | 2013-03-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패턴형성방법 및 그 장치 |
KR101232170B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 폴리실리콘 박막트랜지스터의 제조방법 및 이를 이용한액정표시소자의 제조방법 |
KR101362147B1 (ko) * | 2007-05-21 | 2014-02-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막 패턴의 제조방법 및 이를 이용한유기전계발광표시장치의 제조방법 |
KR101326127B1 (ko) | 2007-09-05 | 2013-11-06 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 패턴 어레이 형성 방법 및 이를 사용하여 형성된 패턴어레이를 포함하는 유기 소자 |
KR101469471B1 (ko) * | 2007-11-08 | 2014-12-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막 패턴 형성 방법, 이를 이용한 액정 표시 장치 및이의 제조 방법 |
KR102046293B1 (ko) * | 2012-05-07 | 2019-11-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 도전막의 제조 방법 |
-
2004
- 2004-10-29 KR KR1020040087485A patent/KR101086162B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060038263A (ko) | 2006-05-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI318139B (en) | Method of coating | |
US7752997B1 (en) | Apparatus and method for nanoscale pattern generation | |
US20090136654A1 (en) | Contact Angle Attenuations on Multiple Surfaces | |
JP3921917B2 (ja) | 微細構造体の製造方法 | |
JP2003509228A (ja) | 微細造作を有するデバイスの液体エンボス加工による製造 | |
US7601386B2 (en) | Process for forming a film, process for manufacturing a device, electro-optical device and electronic equipment | |
KR101086162B1 (ko) | 박막 형성 방법 | |
US8413576B2 (en) | Method of fabricating a structure | |
JP4048877B2 (ja) | 樹脂版およびその製造方法 | |
KR100583910B1 (ko) | 나노 입자의 정전 스프레이 방식을 이용한 나노 크기구조의 패터닝 방법 | |
KR20200127392A (ko) | 마이크로미터 이하의 필름 패터닝을 위한 저온 스핀코팅 공정 방법 및 장치 | |
US7557044B2 (en) | Nanomachined mechanical components using nanoplates, methods of fabricating the same and methods of manufacturing nanomachines | |
JP5071643B2 (ja) | 電子装置の製造方法 | |
KR101652339B1 (ko) | 자기조립 단분자막에 의하여 처리된 몰드를 이용한 패턴 형성 방법 | |
CN112928211B (zh) | 复杂曲面薄膜晶体管及自对准电流体共形光刻制造方法 | |
JP2006303199A (ja) | パターン形成方法及び有機薄膜トランジスタ | |
RU2693733C1 (ru) | Способ получения тонких слоёв оксида графена с формированием подслоя из углеродных нанотрубок | |
KR100696254B1 (ko) | 나노크기 블록공중합체 마이셀 박막의 패턴닝 방법 | |
US6709705B2 (en) | Method of producing a track on a substrate | |
JP2006511969A (ja) | 液体の小滴でのマイクロメートル寸法の電子物体の操作 | |
KR100841457B1 (ko) | 오산화이바나듐 나노선 패턴 및 금나노입자 패턴을 포함하는 나노회로의 제조방법 | |
US11156914B2 (en) | Damascene template for nanoelement printing fabricated without chemomechanical planarization | |
KR101248862B1 (ko) | 액체 유동층을 매개로 하는 나노 전사 롤 투 롤 인쇄법을 이용한 미세 패턴 형성 방법 | |
KR100563855B1 (ko) | 나노패턴 구조물 | |
KR102528880B1 (ko) | 전기수력학 불안정성을 이용한 패턴제작기술의 미세 구조체 사이의 2차 간섭효과에 의한 초미세구조체 제작 및 초소수성표면 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141021 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151028 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161012 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171016 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181015 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191015 Year of fee payment: 9 |