KR101078411B1 - A apparatus for vaporizing a liquid source - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액체의 기화장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 액체를 가열하여 온도가 일정한 상태에서 급격하게 압력을 내리는 것에 의해 순간적인 기화가 이루어져 효율이 향상되며, 발생 유량의 확대가 가능할 뿐만 아니라, 발생 온도의 저온화가 가능하므로 에너지 절약효과를 얻을 수 있도록 발명된 것이다.
본 발명의 구성은, 소정의 압력으로 이동되는 물을 가열하는 액체가열기(10)와, 이 액체가열기(10)를 통해 가열하여 물을 공급하는 송수관(20)과, 소정의 압력을 유지하는 캐리어 가스를 가열하는 가스가열기(30)와, 이 가스가열기(30)를 통해 가열된 가스를 공급하는 가스관(40)과, 상기 송수관(20)으로부터 공급되는 물을 이동되는 액체통로(51)와 가스관(40)으로부터 공급되는 가스가 가스통로(52)를 통해 각각 분리되어 유입된 후 혼합실(53)에서 혼합되어 노즐(54)을 통과할 때 압력차이로 액체가 기화되어 캐리어 가스와 함께 노즐(54)에서 분사되도록 하는 인젝션(50)과, 상기 인젝션(50)으로부터 캐리어 가스와 연무상태의 기화액체가 이동되며 복수개의 인너플레이트(61)에 의해 균일하게 혼합되며 외측에 설치된 히터(70)에 의해 일정 온도로 가열시킨 후 소성로(1)로 공급되도록 하는 베어퍼라이져(60)로 구성된다.The present invention relates to an apparatus for vaporizing a liquid, and more particularly, by instantaneous vaporization by heating the liquid and rapidly lowering the pressure at a constant temperature, the efficiency is improved, and the flow rate of generation is not only enlarged, It is invented to obtain an energy saving effect because the temperature generated can be lowered.
The structure of this invention maintains the liquid heater 10 which heats the water moved to a predetermined pressure, the water pipe 20 which heats and supplies water through this liquid heater 10, and a predetermined pressure. A gas passage 30 for heating a carrier gas to be supplied, a gas pipe 40 for supplying a gas heated through the gas heater 30, and a liquid passage through which water supplied from the water supply pipe 20 is moved ( 51 and the gas supplied from the gas pipe 40 are separated and introduced through the gas passage 52, mixed in the mixing chamber 53 and passed through the nozzle 54. With the injection 50 to be injected from the nozzle 54 and the vaporized liquid of the carrier gas and the mist state from the injection 50 is uniformly mixed by a plurality of inner plates 61 and installed outside Firing furnace after heating to a constant temperature by 70 It consists of a bearer 60 which is supplied to (1).
Description
본 발명은 액체의 기화장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 액체를 가열하여 온도가 일정한 상태에서 급격하게 압력을 내리는 것에 의해 순간적으로 기화시키고 이기화된 기체가 재액화 되지 않게 고온 미립화 하는 장치로, 종래의 기화방식과 비교하여 기화 효율이 향상되고, 발생 유량의 확대와 발생 온도의 저온화가 가능하므로 에너지 절약효과를 얻을 수 있도록 발명된 것이다.
The present invention relates to an apparatus for vaporizing a liquid, and more particularly, a device for evaporating instantaneously by heating a liquid and rapidly lowering the pressure at a constant temperature and atomizing a high temperature so that the vaporized gas is not reliquefied. Compared to the vaporization method of the vaporization efficiency is improved, and the expansion of the flow rate is generated and it is possible to lower the temperature of the generated temperature is invented to obtain an energy saving effect.
일반적으로, 세라믹 전자부품이나 반도체 등을 제조할 때 세라믹 제품이 요구되는 특성을 얻기 위하여 세터위에 적재되어 소성로에 반송하여 분위기 가스를 상기 In general, in the manufacture of ceramic electronic components, semiconductors, etc., ceramic products are loaded on a setter and conveyed to a sintering furnace in order to obtain required characteristics, thereby transferring the atmosphere gas.
소성로 내로 공급하여 분사하여 탈바인더(binder)용 가소공정을 거친다.It is fed into the kiln and sprayed to go through a plasticizer process for binder removal.
그리고, 미소성 세라믹 성형체에 탈바인더 가소공정을 거쳐 세라믹 전자제품이 요구되는 특성을 위하여 공급되는 분위기 가스는 미소성 세라믹 성형체가 적재 된 세터가 내부로 반송되는 소정공간의 로실이 형성되어 있는 로본체부의 측면에 관통되어The atmospheric gas supplied to the unbaked ceramic molded body through debinding plasticization process and required for the characteristics required for ceramic electronic products is a main body in which a furnace chamber of a predetermined space is formed in which a setter on which the unbaked ceramic molded body is loaded is conveyed into the inside. Penetrates the sides of the wealth
결합된 분위기 가스공급파이프에 의해 상기 로실로 공급되어 진다. It is supplied to the furnace chamber by a combined atmosphere gas supply pipe.
따라서, 소성로 본체에 장착된 발열체에서 발생되는 열로 상기 미소성 세라믹 성형체를 가열하면서 분위기 가스공급파이프를 통하여 분위기 가스를 공급하여 전자부품이 요구되는 특성을 가지도록 하는 것이다.Therefore, while heating the unbaked ceramic molded body with heat generated in the heating element mounted on the main body of the kiln, the atmosphere gas is supplied through the atmosphere gas supply pipe so that the electronic component has the required characteristics.
이때 주로 공급되는 가스는 수소, 질소, 또는 이들 가스가 혼합된 상태로 공급되는 경우도 있다.At this time, the mainly supplied gas may be supplied in the state of hydrogen, nitrogen, or a mixture of these gases.
한편, 분위기 가스를 공급할 때는 적정 습도를 유지하는 것이 중요하다.종래 분위기 가스에 적정 습도를 유지하기 위한 버블식 웨터탱크(Bubble type Wetter tank)를 이용하고 있다.On the other hand, it is important to maintain an appropriate humidity when supplying the atmosphere gas. Conventionally, a bubble type wetter tank is used to maintain the proper humidity in the atmosphere gas.
웨터탱크는 내부에 히터가 장착된 탱크의 하부로는 가스 인입관을 접속하고, 상부로 탱크 내부에 채워진 물을 가스가 통과하며 습도를 유지할 수 있도록 하는 것이다.The water tank connects a gas inlet pipe to a lower part of the tank equipped with a heater therein, and allows the gas to pass through the water filled in the tank to maintain humidity.
이러한 구조로 된 종래 웨터탱크는 가스가 적정 습도를 유지하기 위해 탱크 내부를 통과할 때 많은 양의 버블이 발생된다.In conventional water tanks having such a structure, a large amount of bubbles are generated when gas passes through the tank to maintain proper humidity.
이 버블이 수위 이상으로 부풀어져서 배출관을 통해 가스와 함께 공급되면 순수 가스 이외에 버블의 성분인 수분이 공급된다.When the bubble is inflated above the water level and supplied with the gas through the discharge pipe, moisture other than the pure gas is supplied.
버블이 배출관을 통해 공급되는 것을 차단하기 위해 타공판 설치 등을 강구하고 있으나, 버블이 폭발적으로 커지는 것을 억제할 수는 있는 반면 타공구멍을 통해 버블 일부가 상승되어 배출관을 통해 공급되는 것을 원천적으로 방지하지는 못하였다.In order to block the bubble from being supplied through the discharge pipe, a perforated plate is being installed, but the bubble can be prevented from expanding explosively, but the bubble is partially raised through the hole to prevent the bubble from being supplied through the discharge pipe. I couldn't.
따라서, 정밀성을 요구하는 세라믹 전자제품 및 반도체 소성에 심각한 오류를 발생시키는 원인이 된다.Therefore, it causes a serious error in the firing of ceramic electronic products and semiconductors requiring precision.
한편, 이와 같이 액체를 기체로 변환시키는 여러 가지 방법들중 가장 간단한 방법으로 워터탱크와 같이 액체를 일정 온도로 가열하여 증발시키는 방법이 있다. On the other hand, the simplest of the various methods of converting the liquid into a gas, such as a water tank is a method of heating the liquid to a certain temperature to evaporate.
그러나, 이러한 방법은 원료의 증기압이 매우 작거나, 증발온도에서 열적으로 불안정한 물질에 대해서는 바람직하지 않다. However, this method is undesirable for materials with very low vapor pressures of the raw materials or thermally unstable at evaporation temperatures.
또, 액체를 기체로 변환시키는 다른 방법으로는, 초음파 분사방법을 추가하여 사용하는 방법도 알려져 있다.(T. K. Li, A.I. Gurary, D. C. Scott, US Patent 5, 835,677)
In addition, as another method of converting a liquid into a gas, a method of adding and using an ultrasonic injection method is also known. (TK Li, AI Gurary, DC Scott, US Patent 5, 835,677)
종래, 이러한 워터탱크에서 열에 의해 액체를 비등시켜 기화시키는 방법은 관리하고자 하는 노점(露點)과 동일한 수온의 물속을 기체가 통과하면서 기체와 물분자가 결합되어 습도가 유지된 가스(wet gas)가 된다.Conventionally, a method of boiling and vaporizing a liquid by heat in such a water tank is a gas in which humidity is maintained by combining gas and water molecules while passing gas through water at the same water temperature as the dew point to be managed. do.
따라서, 노점의 편차가 크고 기체와 결합된 물분자가 500-1000μm로 커져 정밀한 조건에서의 로내 분위기를 제어하는데는 적합하지 못한 단점이 있었던 것이다.Therefore, the dew point is large and the water molecules combined with the gas is increased to 500-1000 μm, which is not suitable for controlling the atmosphere in the furnace under precise conditions.
또, 액체를 비등 온도까지 가열하는데 시간이 많이 소요되므로 사용자가 원하는 빠른 기화속도를 기대할 수 없는 문제점이 있었다.In addition, since it takes a long time to heat the liquid to the boiling temperature there was a problem that the user can not expect a fast evaporation rate desired.
이러한 문제점을 해소하기 위하여 액체를 가열하여 온도가 일정한 상태에서 급격하게 압력을 내리는 것에 의해 순간적인 기화가 이루어져 효율이 향상될 수 있도록 한 액체의 기화장치를 제공하는 데 그 목적이 있다. In order to solve this problem, an object of the present invention is to provide a vaporization apparatus for a liquid, which is capable of improving efficiency by instantaneous vaporization by heating the liquid and rapidly lowering the pressure at a constant temperature.
본 발명의 다른 목적은 발생 유량의 확대가 가능할 뿐만 아니라, 발생 온도의 저온화가 가능하므로 에너지 절약효과를 얻을 수 있도록 한 액체의 기화장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
Another object of the present invention is to provide a vaporization apparatus for a liquid that can not only expand the flow rate of generation, but also lower the temperature of generation, so that an energy saving effect can be obtained.
이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 소정의 압력으로 이동되는 물을 가열하는 액체가열기(10)와, 이 액체가열기(10)를 통해 가열하여 물을 공급하는 송수관(20)과, 소정의 압력을 유지하는 캐리어 가스를 가열하는 가스가열기(30)와, 이 가스가열기(30)를 통해 가열된 가스를 공급하는 가스관(40)과, 상기 송수관(20)으로부터 공급되는 물을 이동되는 액체통로(51)와 가스관(40)으로부터 공급되는 가스가 가스통로(52)를 통해 각각 분리되어 유입된 후 혼합실(53)에서 혼합될 때 압력차이로 액체가 기화되어 캐리어 가스와 함께 노즐(54)에서 분사되도록 하는 인젝션(50)과, 상기 인젝션(50)으로부터 캐리어 가스와 연무 상태의 기화액체가 재액화 되는 것을 방지하기 위하여 복수개의 인너플레이트(61)에 의해 균일하게 혼합되며 외측에 설치된 히터(70)에 의해 일정 온도로 가열시킨 후 소성로(1)로 공급되도록 하는 고온미립화 베어퍼라이져(60)로 구성되어 달성된다.In order to achieve the above object, the present invention provides a
여기서, 상기 액체가열기(10)의 온도는 최대 70℃를 유지하며, 가스가열기(30)는 100-200℃ 사이를 유지하고, 고온미립화 베이퍼라이져(60)의 히터(70) 가열온도는 100-200℃로 가열되는 것이다.Here, the temperature of the
상기 송수관(20)에는 유량콘트롤러(21)가 부착되고, 가스관(40)에는 유체콘트롤러(41)가 부착되어 가스와 액체의 공급량을 각각 제어하고, 베파라이져(60) 입구측과 가스가열기(30)의 입구측 사이에는 여분 가스를 보내기 위한 바이패스관(80)이 설치된다. A
상기 고온미립화 베이퍼라이져(60)의 인너플레이트(61)는 원주방향을 따라 유도판(62)이 각각 경사지게 다수개 절결되어 액체 혼합가스가 유도판(62)을 따라 이동되며 혼합되도록 하는 것이다.
The
이러한 본 발명의 구성에 의하면, 액체를 가열하여 온도가 일정한 상태에서 인젝션에서 급격하게 압력을 내리는 것에 의해 순간적인 기화가 이루어져 효율이 향상된다. According to the configuration of the present invention, the vaporization is instantaneous by heating the liquid and rapidly lowering the pressure in the injection at a constant temperature, thereby improving efficiency.
또, 발생 유량의 확대가 가능할 뿐만 아니라, 발생 온도의 저온화가 가능하므로 에너지 절약효과를 얻을 수 있는 것이다.
In addition, the generation flow rate can be expanded, and the generation temperature can be lowered, so that an energy saving effect can be obtained.
도 1은 압력과 온도에 따른 물성 변화 상관관계를 보인 이해도.
도 2는 본 발명의 장치도.
도 3은 본 발명에 따른 인젝션의 구성을 보인 단면도.
도4는 인젝션과 연결된 베이퍼라이져의 구성을 보인 단면도.
도 5는 인너플레이트의 일부 확대 단면도.Figure 1 is an understanding showing the relationship between physical properties change with pressure and temperature.
2 is a device diagram of the present invention.
Figure 3 is a cross-sectional view showing the configuration of the injection according to the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional view showing the configuration of the vaporizer connected to the injection.
5 is a partially enlarged cross-sectional view of the inner plate.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
즉, 상기 도 1은 물질의 상태도이다. 1 is a state diagram of a material.
액체상태를 기체상태로 변환하는 데는 2가지방법이 있다. There are two ways to convert a liquid state to a gaseous state.
한 방법은 압력이 일정한 상태에서 온도를 올리는 도중의 점선으로 표시된 화살표(……>)의 방식이다.One method is the arrow (……>) indicated by the dotted line while raising the temperature at a constant pressure.
일반적으로 이방법이 많은데, 물을 비등시켜 증기를 만드는 것은 이 방식이다.There are many ways to do this, but it is this method that boils water to produce steam.
또, 한가지 방법은 본 발명의 방법으로 액체를 가열하여 온도가 일정한 상태에서 순간적으로 압력을 내려 기화시키는 도중의 실선 화살표 (↓)의 방식이다.In addition, one method is a method of the solid arrow (↓) during heating of the liquid by the method of the present invention to instantly vaporize the pressure at a constant temperature.
도 2의 전체 장치도에서와 같이 물과 캐리어가스가 각각 송수관(20)과 가스관(40)을 따라 이동된 후 인젝션(50)에서 기화과정을 거쳐 베어퍼라이져(60)에서 고르게 혼합된 후 소성로(1)로 공급된다.As shown in the overall apparatus of FIG. 2, the water and the carrier gas are moved along the
송수관(20)을 따라 이동되는 물은 약 1-3 ㎏/㎠의 압력으로 액체가열기(10)에서 최대 70℃ 의 온도로 가열된 후 인젝션(50)으로 공급된다.Water moved along the
가스관(40)을 따라 공급되는 캐리어 가스는 물 공급 압력보다 높은 2-5 ㎏/㎠의 압력으로 가스가열기(30)에서 최대 100-200℃ 의 사이의 온도로 가열된 후 인젝션(50)으로 공급된다.The carrier gas supplied along the
가스가열기(30)의 적합한 온도는 140℃다.The suitable temperature of the
캐리어 가스는 질소가스 또는 질소와 수소의 혼합가스이다.The carrier gas is nitrogen gas or a mixed gas of nitrogen and hydrogen.
가스관(40)과 송수관(20)에는 역류 방지를 위한 체크밸브와 유량을 제어하기 위해 유량콘트롤러(21)와 유체콘트롤러(41)가 설치된다.The
인젝션(50)은 도 3에서와 같이 서로 다른 위치에서 입구가 형성된 액체통로(51)와 가스통로(52)의 출구가 혼합실(53)에서 합쳐지도록 구성되어 있다.The
액체통로(51)는 송수관(20)으로부터 공급되는 액체가 유입되고, 가스통로(52)에는 가스관(40)으로부터 공급되는 가스가 분리된 상태로 이동된 후 혼합실(53)에서 혼합되어 온도가 일정한 상태에서 노즐(54)을 통과할 때 순간적으로 압력이 떨어지면서 액체(물)가 순간적으로 기화된다.The
이러한 장치에 의해 기화된 물방울 크기는 10-80 μ 사이의 매우 작은 입경크기의 무화(霧化) 상태로 캐리어 가스와 같이 노즐(54)을 통해 분사된다.The droplet size vaporized by this device is injected through the
노즐(54)은 베이퍼라이져(60)의 입구에 접속되어 있다.The
베이퍼라이져(60)는 기화된 기체가 재액화 되지 않게 고온 미립화 하는 장치로 베이퍼라이져(60)-vaporizer-는 관 형상으로 내부에 인너플레이트(61)들이 복수개 간격을 유지한 상태로 설치되고, 외부에는 히터(70)가 장치되어 있다.The
인너플레이트(61)는 도 5에서 도시한 바와 같이 원주방향을 따라 유도판(62)이 각각 경사지게 다수개 절결되어 액체 혼합가스가 유도판(62)을 통과할 때 가스와 연무상태의 기화 액체가 혼합되도록 하는 것이다.As shown in FIG. 5, the
이러한 과정을 복수개의 인너플레이트(61)들을 거치면서 보다 완전하게 혼합되게 한다.This process allows a more complete mixing through the plurality of
히터(70)는 베이퍼라이져(60)의 온도를 100-200℃ 의 사이의 온도를 유지할 수 있도록 하는데, 통상 가스가열기(30)와 동일한 조건을 갖도록 140℃를 유지하는 것이 바람직 하다. The
또, 베파라이져(60)의 입구측과 가스가열기(30)의 입구측 사이에는 여분 가스를 보내기 위한 바이패스관(80)이 설치된다.In addition, a
베이퍼라져(60)에 의한 물방울의 크기는 0.1-0.01μ 사이의 입경이다. The size of the water droplets by the
이러한 장치에 의해 완성된 수소, 질소 또는 이들 가스가 혼합된 상태로 원하는 적정 온도나 완성되는 세라믹 제품의 종류에 따라 가스에 적정 습도를 유지한 상태로 소성로(1)에 공급시킬 수 있는 것이다.
It is possible to supply the
1 - 소성로 10 - 액체가열기
20 - 송수관 30 - 가스가열기
40 - 가스관 50 - 인젝션
51 - 액체통로 52 - 가스통로
53 - 혼합실 60 - 베이퍼라이져
61 - 인너플레이트 70 - 히터1-kiln 10-liquid heater
20-Water pipe 30-Gas heater
40-gas pipe 50-injection
51-Liquid passage 52-Gas passage
53-Mixing Room 60-Vaporizer
61-Inner Plate 70-Heater
Claims (5)
이 액체가열기(10)를 통해 가열하여 물을 공급하는 송수관(20)과,
소정의 압력을 유지하는 캐리어 가스를 가열하는 가스가열기(30)와, 이 가스가열기(30)를 통해 가열된 가스를 공급하는 가스관(40)과,
상기 송수관(20)으로부터 공급되는 물을 이동되는 액체통로(51)와 가스관(40)으로부터 공급되는 가스가 가스통로(52)를 통해 각각 분리되어 유입된 후 혼합실(53)에서 혼합되어 캐리어 가스와 함께 노즐(54)을 통과할 때 순간적인 감압으로 액체가 기화되도록 하는 인젝션(50)과,
상기 인젝션(50)으로부터 캐리어 가스와 연무상태의 기화액체가 재액화 되지 않도록 복수개의 인너플레이트(61)에 의해 균일하게 혼합되며 외측에 설치된 히터(70)에 의해 일정 온도로 가열시킨 후 소성로(1)로 공급되도록 하는 베어퍼라이져(60)로 구성되는 것을 특징으로 한 액체의 기화장치.
A liquid heater 10 for heating water moved at a predetermined pressure,
Water supply pipe 20 for supplying water by heating through the liquid heater 10,
A gas heater (30) for heating a carrier gas holding a predetermined pressure, a gas pipe (40) for supplying a gas heated through the gas heater (30),
The gas supplied from the liquid passage 51 and the gas tube 40 to which the water supplied from the water supply pipe 20 is moved are separated and introduced through the gas passage 52, respectively, and then mixed in the mixing chamber 53 to carry the carrier gas. And injection 50 to vaporize the liquid at an instantaneous depressurization when passing through the nozzle 54,
The carrier gas is uniformly mixed by the plurality of inner plates 61 so that the carrier gas and the vaporized liquid in the mist state are not liquefied from the injection 50 and heated to a predetermined temperature by the heater 70 installed on the outside, and then the firing furnace 1 Vaporizer of the liquid, characterized in that consisting of a bearer (60) to be supplied to.
2. The liquid passage 51 of claim 1, wherein the liquid supplied from the water supply pipe 20 flows in the liquid passage 51, and the nozzle 54 is moved to the gas passage 52 in a state where the gas supplied from the gas pipe 40 is separated. When the mixture is mixed in the previous mixing chamber 53 and the temperature passes through the nozzle 54, the injection is characterized in that the liquid is vaporized by the pressure difference to be injected from the furnace 54 with the carrier gas Vaporizer
The inner plate 61 of the vaporizer 60 has a plurality of induction plates 62 are inclined inclined along the circumferential direction so that the liquid mixed gas is moved along the induction plate 62 and mixed. A vaporization apparatus for a liquid, characterized by vaporizing high temperature fine particles.
The gas valve 40 and the water pipe 20, the check valve for preventing the backflow and the water pipe 20 is attached to the flow controller 21, the gas pipe 40 is attached to the fluid controller 41 is A vaporization device for liquids, characterized in that a bypass pipe 80 for controlling the gas and liquid supply amounts and for sending excess gas is provided between the inlet side of the vaporizer 60 and the inlet side of the gas heater 30. .
The temperature of the liquid heater 10 is maintained at a maximum 70 ℃, the gas heater 30 is maintained between 100-200 ℃, the heating temperature of the heater 70 of the vaporizer 60 The vaporization apparatus of the liquid, characterized in that heated to 100-200 ℃.
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KR101765145B1 (en) * | 2016-12-07 | 2017-08-07 | 주식회사 신명 | a Apparatus for vaporizing a liquid source |
CN114743900A (en) * | 2022-04-25 | 2022-07-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Vaporization system and semiconductor processing equipment |
WO2024005229A1 (en) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | (주)디케이에코팜 | System for supplying nutrient solution through plasma droplet sterilization |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000226668A (en) | 1999-02-02 | 2000-08-15 | Ebara Corp | Vaporizer |
JP2001156055A (en) | 1999-09-14 | 2001-06-08 | Stec Inc | Method and apparatus for gasifying liquid material |
JP2003273025A (en) | 2002-03-13 | 2003-09-26 | Stec Inc | Liquid material vaporizing device |
US20110115104A1 (en) | 2007-12-19 | 2011-05-19 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Liquid material vaporization apparatus |
-
2011
- 2011-07-06 KR KR1020110066985A patent/KR101078411B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000226668A (en) | 1999-02-02 | 2000-08-15 | Ebara Corp | Vaporizer |
JP2001156055A (en) | 1999-09-14 | 2001-06-08 | Stec Inc | Method and apparatus for gasifying liquid material |
JP2003273025A (en) | 2002-03-13 | 2003-09-26 | Stec Inc | Liquid material vaporizing device |
US20110115104A1 (en) | 2007-12-19 | 2011-05-19 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Liquid material vaporization apparatus |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101765145B1 (en) * | 2016-12-07 | 2017-08-07 | 주식회사 신명 | a Apparatus for vaporizing a liquid source |
CN114743900A (en) * | 2022-04-25 | 2022-07-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Vaporization system and semiconductor processing equipment |
WO2024005229A1 (en) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | (주)디케이에코팜 | System for supplying nutrient solution through plasma droplet sterilization |
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