KR101064928B1 - 양극에 비확산 게터가 장착된 고정 양극 엑스선관 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 진공 유지를 위해 비확산 게터를 이용한 엑스선관에 관한 것으로서, 비확산 게터를 양극에 장착하여 엑스선관 작동시 바로 정격전력을 인가하여도 필라멘트 및 음극 집속관에서 발생되는 가스와 타겟에서 발생되는 가스에 대해서 고압전원이 인가되는 순간부터 시작해서 인가되고 있는 동안 흡착이 충분히 발휘되는 비확산 게터가 장착된 실드형 양극을 채용한 고정양극 엑스선관의 구조를 제공한다.
엑스선관, 진공배기공정, 비확산 게터
Description
본 발명은 엑스선관에 관한 것으로서, 진공 유지를 위해 양극에 비확산 게터를 장착한 고정 양극 엑스선관에 관한 것이다.
일반적인 진공배기시스템은 진공배기하고자 하는 용기에 직접 진공펌프를 장착하면서 보조펌프를 직렬로 연결하여 사용한다. 그리고, 진공용기 및 진공배기라인의 재료는 알류미늄, 스테인레스 스틸, 석영 또는 파이렉스가 주로 이용되고 있다. 진공도 10-3 Torr 정도의 중, 저진공에 필요한 진공배기시스템은 부스터펌프와 로터리펌프가 직렬로 연결되어 챔버에 부착하거나 로터리펌프를 단독으로 챔버에 부착하여 사용한다. 진공도 10-4~10-7 Torr의 고진공에 필요한 진공배기시스템은 액체질소 냉각트랩이 부착된 오일확산펌프 또는 터보분자 펌프가 설치되고 보조펌프로서 로터리펌프와 같은 중, 저진공펌프가 직렬로 연결된다. 엑스선관 진공배기를 위해서는 10-8 ~10-11 Torr의 초고진공 배기능력을 갖춘 진공시스템을 이용해야 하는데 크라이오펌프 또는 이온펌프가 사용된다.
위와 같은 엑스선관의 진공배기는 봉입 전 진공배기와 봉입 후 진공배기로 크게 두 단계로 이루어 진다. 봉입 전 진공배기는 크라이오펌프 또는 이온펌프가 부착된 초고진공 배기시스템을 이용하여 이루어진다. 엑스선관의 진공배기와 같은 초고진공이 요구되는 진공공정에서는 극히 미량일지라도 산소나 수분은 제품의 성능에 악영향을 미친다. 특히 수분의 물리적 흡착 시간은 수 ms로서 불활성기체와 수소를 비롯한 기타 가스입자에 비해 대단히 길어서 진공공간 중에 오래 머물면서 복잡한 흡착양상을 연출하기 때문에 진공의 질을 떨어뜨리는 주원인을 제공한다. 진공용기 내의 수분을 짧은 시간 내에 배출하여 그 잔류량을 낮추기 위해서는 진공용기를 베이킹하여 수분의 물리적 흡착시간을 짧게 해주어야 한다. 수분탈착을 위한 진공용기의 베이킹은 일반적으로 150℃ 정도로 하지만, 진공시스템의 사양 및 목표로 하는 진공도에 따라서 베이킹 온도를 다르게 할 수 있다. 엑스선관의 진공배기와 같은 초고진공을 목적으로 할 때 일반적인 진공배기공정의 순서는 1) 중, 저진공배기, 2) 고진공배기, 3)진공용기 및 진공배기라인 베이킹 진공배기, 4) 가열된 진공용기가 냉각되기 전에 진공게이지와 같은 진공용기 내의 각종 발열소자 탈가스, 5) 베이스 진공배기 등과 같은 과정들로 이루어진다.
엑스선관의 진공배기를 위한 봉입 후의 진공배기는 진공 봉입된 엑스선관 내의 잔류가스를 줄이기 위해 게터(getter)를 사용하여 내부흡착을 통한 진공배기 과정으로 이루어진다. 주로 확산 게터를 이용하고 있으며 비확산 게터를 이용하는 경우도 있다. 확산 게터의 재료로서는 Ba, Ba-Al-Ni alloy 가 주로 쓰이고, 용도에 따라 Ca(미국특허 US6583559B1)이나 알칼리 금속 종류(미국특허 US4665343)가 쓰이 기도 한다. 비확산 게터는 Zr, Ti, Ni 또는 이들을 베이스로 하는 다양한 합금이 이용되며 분말을 성형 후 소성과정을 통하거나 분말 압착과정을 통하여 다공질 구조를 형성하여 이용한다.
엑스선관에 게터를 적용한 선행기술들은 다음과 같은 예가 있다.
두 개의 비확산 게터를 진공봉입된 하우징 벌브 내에 양극과 인접한 위치와 음극부에 장착하는 구조가 있다. 이때 양극과 인접한 위치에 장착된 게터는 가열된 양극에서 방사된 열에 의해 잔류가스의 흡착이 촉진 되도록 의도되어 있다(US005838761).
또한, 금속 하우징 벌브의 음극에 인접한 위치에 확산 게터가 장착되어 있으며 엑스선관 외부에서 전원을 공급하여 확산 게터를 음극 상층부의 제한된 영역에 반복해서 확산시킬 수 있는 구조에 대한 예도 있다(미국특허 US6570959B1).
또한, 음극 상단부에 복수개의 확산게터가 장착되어 있으며 엑스선관 외부에서 선택적으로 확산게터 전원을 공급하여 음극상층부에 인접한 하우징 벌브의 제한된 영역에 반복해서 게터를 확산시킬 수 있는 구조에 대한 예도 있다(US6192106A1, US06192106B1).
또한, 비확산 게터를 엑스선관 내부 구조에 부착하면 조립작업공정 중에 흡착포화상태에 이르게 되므로 진공 봉입 후에도 흡착능력을 회복시키기 위해 가열된 양극에서 방사되는 열을 활용하여 게터가 재활성화되어 잔류가스를 흡착할 수 있다. 슬리브가 부착된 원형 실드 비확산 게터를 장착하여 가열된 양극에서 방사된 열에 의해 잔류가스의 흡착이 촉진 되도록 의도된 경우도 있다(US05509045).
이와 같이 다양한 방법으로 엑스선관이 봉입되어 왔는데, 봉입된 엑스선관은 봉입 시의 잔류가스, 탈가스에 의해 유입되는 가스, 필라멘트 가열 시 발생되는 가스, 엑스선관 작동 시 타겟에서 발생되는 탈가스에 의한 가스 이와 같은 네 가지 요소에 의해 진공도가 좌우 된다. 봉입된 엑스선관은 지속적으로 발생되는 탈가스 때문에 압력이 증가되는데 증착된 확산게터 또는 비활성화 상태에 있는 비확산게터가 탈가스에 의해 증가된 가스량을 다 흡착하지 못하기 때문이다.
더군다나 엑스선관을 작동시키기 위해서 필라멘트를 가열할 때 발생되는 가스와 전원을 인가하여 엑스선이 발생될 때 타겟에서 급격히 발생되는 가스가 더해져서 엑스선이 처음 발생될 때는 급격히 압력이 증가하게 된다. 일반적으로 엑스선관을 작동하는데 있어서 엑스선 발생초기에 급격한 압력증가로 인해 방전현상이 발생되어 엑스선관의 기능이 상실되는 경우가 있기 때문에 이를 방지하기 위해서 엑스선관에 정격전력을 인가하기 전에 저전력으로 일정시간 작동시켜서 가스발생을 완화시킴과 동시에 자체흡착에 의한 진공배기 기능을 이용해서 증가되어 있는 압력을 낮추는 에이징(aging) 과정을 거쳐야 된다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은, 비확산 게터를 양극에 장착한 실드형 양극을 채용함으로써, 엑스선관 작동시 바로 정격전력을 인가하여도 필라멘트 및 음극 집속관에서 발생되는 가스와 타겟에서 발생되는 가스에 대해서 고압전원이 인가되는 순간부터 시작해서 인가되고 있는 동안 흡착이 충분히 발휘되어 위와 같은 가스들에 의하여 급격히 압력이 증가하는 것을 방지하여, 엑스선관이 봉입된 상태에서 엑스선관 작동에 필요한 고진공을 안정적으로 유지할 수 있는 고정 양극 엑스선관을 제공하는 데 있다.
그리고, 본 발명의 다른 목적은, 엑스선관 작동시 에이징 과정을 생략하고 바로 정격 전력을 인가하여도 엑스선관 작동에 필요한 고진공을 안정적으로 유지할 수 있는 고정 양극 엑스선관을 제공하는 데 있다.
먼저, 본 발명의 특징을 요약하면, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면에 따라, 타겟이 양극 실드부에 의하여 차폐되어 있는 고정 양극 엑스선관은, 양극에 상기 타겟이 장착되고, 상기 양극 실드부는 음극부에서 발생하는 전자빔이 중심부 구멍을 통과하도록 상기 양극에 결합되며, 상기 양극 실드부의 상기 중심부 구멍과 상기 타겟 사이의 내면에 가스 흡착을 위한 비확산 게터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 비확산 게터는, 다공성 물질을 도포하여 제작된 밴드나 실린더 형태로 장착될 수 있다.
상기 비확산 게터는, 상기 양극 실드부의 상기 중심부 구멍과 상기 타겟 사이의 내면에 다공성 물질을 직접 도포한 형태일 수도 있다.
상기 다공성 물질을 복수 층 도포할 수 있다.
상기 다공성 물질로서 금속, 합금, 또는 다공질 금속 화합물을 복수 층 도포할 수 있다.
상기 음극부는 열전자를 방출하는 필라멘트를 포함한다.
본 발명에 따른 고정 양극 엑스선관에 따르면, 비확산 게터를 양극에 장착한 실드형 양극을 채용함으로써, 엑스선관 작동시 바로 정격전력을 인가하여도 필라멘트 및 음극 집속관에서 발생되는 가스와 타겟에서 발생되는 가스에 대해서 고압전원이 인가되는 순간부터 시작해서 인가되고 있는 동안 흡착이 충분히 발휘되어 위와 같은 가스들에 의하여 급격히 압력이 증가하는 것을 방지할 수 있고, 이에 따라 엑스선관이 봉입된 상태에서 엑스선관 작동에 필요한 고진공을 안정적으로 유지할 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 고정 양극 엑스선관에 따르면, 엑스선관 작동시 에이징 과정을 생략하고 바로 정격 전력을 인가하여도 엑스선관 작동에 필요한 고진공을 안정적으로 유지함으로써, 산업용 또는 의료용 등으로 응용하여 활용할 수 있다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 엑스선관의 기본 구조를 설명하기 위한 도 면이다. 도 2는 도 1의 양극 실드부(2)에 장착되는 비확산 게터(9)를 설명하기 위한 도면이다.
도 1및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 고정양극 엑스선관은, 실드형 양극(1), 양극 실드부(anode shield unit)(2), 타겟(3), 음극 집속관(4), 파이렉스 벌브(pyrex bulb)(5), 음극 필라멘트(6), 필라멘트 지지전극 절연관(7), 필라멘트 지지전극(8), 일정 두께로 소성 도포된 비확산 게터(9), 및 진공배기관 봉입부(10)를 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따른 고정양극 엑스선관은 타겟(3)이 노출되어 있는 노출형 양극이 아닌, 타겟(3)이 양극 실드부(2)에 의하여 차폐되어 있는 실드형 양극을 적용한 구조에서, 양극 실드부(2)의 내면에 비확산 게터(9)를 장착한 구조를 갖는다.
양극(1)은 타겟(3)을 지지하고 타겟(3)에서 발생된 열을 외부로 전도하여 방출시키는 기능을 하며, 고전압을 인가하는 전극역할을 한다. 타겟(3)은 가속된 전자빔이 충돌할 때 엑스선을 발생시키는 기능을 한다. 음극 집속관(4)은 필라멘트 지지전극(8)을 지지하고 음극 필라멘트(6)에서 발생되는 전자빔을 타겟(3)에 일정한 사이즈(직경 크기)로 집속시키는 기능을 한다. 파이렉스 벌브(5)는 음극부(음극 집속관(4), 음극 필라멘트(6), 필라멘트 지지전극(8), 필라멘트 지지전극 절연관(7)를 포함)와 양극부(실드형 양극(1), 양극 실드부(2), 타겟(3)을 포함)를 절연상태로 지지하고 진공이 유지될 수 있도록 밀폐시키는 기능을 한다. 필라멘트 지지전극 절연관(7)은 필라멘트 지지전극(8)을 통하여 음극 필라멘트(6)에 전원을 공급 할 수 있도록 필라멘트 지지전극(8)을 전기적으로 절연시키며, 필라멘트 지지전극(8)은 필라멘트를 지지하고 음극 필라멘트(6)에 적절한 전압이나 고전압 전원을 인가하는 전극역할을 한다. 음극 필라멘트(6)는 필라멘트 지지전극(8)을 통하여 전원을 인가받으면 가열되어 열전자를 방출하는 전자원 기능을 한다. 진공배기관 봉입부(10)는 진공배기 시에 밀폐된 엑스선관과 외부의 소정 진공시스템 사이의 통로 기능을 하고, 엑스선관 내부의 공기는 봉입부(10)를 통하여 진공 시스템을 통하여 배출됨으로써 엑스선관 내부가 진공 상태를 유지할 수 있다.
도 1에서, 전자가 방출되어 관전류가 형성될 수 있을 정도로 필라멘트 지지전극(8)에 전원을 인가하여 음극 필라멘트(6)를 가열하면, 소정 전압이 인가된 양극(1)과 음극 집속관(4) 사이의 높은 전압 차이에 따라, 가열된 음극 필라멘트(6)에서 전자가 방출되어 가속되고 음극 집속관(4)에 의하여 집속되어 관전류를 형성하고, 이 관전류 전자빔이 타겟(3)에 충돌하여 엑스선이 발생된다. 일정 각도로 경사지게 배치된 타겟(3)에서 발생된 엑스선은 전방(도 1에서 A와 B사이의 조사각)의 양극 실드부(2)의 개구를 통해 가장 높은 세기로 방사된다.
이때, 위에서도 서술한 바와 같이 일반적으로 기존에는 엑스선관을 작동시킬 때, 음극 필라멘트(6) 가열 시 음극 필라멘트(6)에서 발생되는 가스(또는 파티클이나 이온)와 음극 집속관(4)과 양극(1)에 전원을 인가하여 엑스선을 발생할 시 음극 음극 집속관(4)이나 타겟(3)에서 급격히 발생되는 가스가 엑스선관의 기능을 제한한다.
그러나, 본 발명에서는 엑스선관을 작동시켜 음극 필라멘트(6)에서 열전자가 발생되고, 음극 집속관(4)과 양극(1) 사이에 고압전원이 인가될 때, 그 순간부터 시작해서 고압전원이 인가되고 있는 동안, 비확산 게터(9)를 이용하여 위와 같은 가스의 흡착율을 높여 엑스선관의 기능을 안정적으로 유지할 수 있도록 하였다.
이를 위해서 도2와 같이 양극 실드부(2)의 내면에 비확산 게터(9)가 장착된다. 비확산 게터(9)는 위와 같은 가스의 흡착에 유리한 다공성 물질을 도포하여 밴드(band)나 실린더(cylinder) 형태로 만들어, 원통형 양극 실드부(2)의 안쪽 벽면에 삽입하여 장착시킬 수 있다. 비확산 게터(9)가 장착된 원통형 양극 실드부(2)는 그 중심부의 구멍 하부에 타겟(3)이 오도록 양극(1)의 위쪽으로 설치되어 음극부에서 발생하는 전자빔이, 원통형 양극 실드부(2)를 이루는 그 원통형 몸체의 직경보다 작은 직경으로 형성된, 타겟(3) 반대쪽의 중심부 구멍을 통과하도록 할 수 있다. 비확산 게터(9)는 위와 같이 별도로 제작되어 삽입되는 구조 일 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 원통형 양극 실드부(2)의 안쪽 벽면에 위와 같은 다공성 물질을 스프레이 분사 또는 프린팅 기법 등으로 직접 도포하여 같은 기능을 발휘하도록 할 수도 있다. 즉, 전자빔이 타겟(3)을 향하여 통과될 수 있도록 구멍을 가지는 원통형 양극 실드부(2)의 안쪽으로 상기 구멍과 타겟(3) 사이의 양극 실드부(2)의 내부 벽면에 다공성 물질을 직접 도포하여 비확산 게터(9)로 사용하거나, 또는 다공성 물질을 도포하여 밴드나 실린더 형태로 만든 비확산 게터(9)를 해당 위치에 장착하여 사용할 수 있다. 이와 같은 비확산 게터(9)는 금속, 합금, 또는 다공성 금속 화합물의 분말을 다공성 구조로 도포한 형태일 수 있는데, 예를 들어, Zr, Ni, Ti, Ba 과 같은 단일 금속, 또는 Zr-Al 합금, Zr-V-Fe 합금 등을 다공성 구조로 복수 층 직접 도포하거나 밴드 또는 실리더 형태로 제작될 수 있다.
<제1실시예>
도 1과 같이 봉입된 엑스선관의 내부 진공변화를 관찰하는 것은 대단히 어려운 문제이므로, 양극 실드부(2)의 내부에 비확산 게터(9)를 장착했을 때와 장착하지 않았을 때의 진공도의 변화에 대한 정확한 비교자료를 도출하기 위해서 진공배기관 봉입부(10)가 봉입되지 않고 진공배기 시스템에 부착된 상태로 비교 실험하였다. 실험조건은 다음과 같다.
진공시스템은 크라이오펌프가 주배기펌프로 사용되고, 진공시스템에 도1과 같은 엑스선관의 봉입부(10)를 부착한 상태에서 진공시스템의 베이스 진공도가 5×10-10 Torr가 유지되도록 한다. 양극 실드부(2)의 내부에 비확산 게터(9)를 장착한 엑스선관과 장착하지 않은 엑스선관을 각각 1개씩 위와 같은 진공배기 시스템에 부착하였다. 진공시스템에 엑스선관을 부착한 상태에서 진공배기 시스템의 진공배기 스피드는 일정하다. 진공시스템에 엑스선관을 부착한 상태에서 진공배기를 수행하면서 음극 필라멘트(6)에 전원을 인가하고 음극 집속관(4)과 양극(1) 사이에 고전압 전원을 인가할 수 있다. 고전압은 90kV(+45kV, -45kV)에서 실험하였다.
양극 실드부(2)의 내부에 비확산 게터(9)를 장착했을 때와 장착하지 않았을 때 각각에 대해서 동일한 조건에 대해서 엑스선관내의 진공도의 변화는 [표 1], [표 2]와 같다. [표 1]은 양극 실드부(2)의 내부에 비확산 게터(9)를 장착하지 않은 엑스선관의 경우로서, 관전류 30mA, 음극 집속관(4)과 양극(1) 사이의 고압 관전압 90kV(+45kV, -45kV), 인가시간 30초, 시작상태 양극온도 21℃ 일때 실험 조건 의 결과이다.
[표 2]는 양극 실드부(2)의 내부에 비확산 게터(9)를 장착한 엑스선관의 경우로서, 관전류 30mA, 음극 집속관(4)과 양극(1) 사이의 고압 관전압 90kV(+45kV, -45kV), 인가시간 30초, 시작상태 양극온도 21℃ 일때 실험 조건의 결과이다.
[표 1]
시간 | 진공도 |
전원인가 전 | 5×10-10 Torr |
전원인가 직후 | 8×10-8 Torr |
전원인가 5초 후 | 1×10-7 Torr |
전원인가 10초 후 | 3×10-7 Torr |
전원인가 15초 후 | 5×10-7 Torr |
전원인가 20초 후 | 5×10-7 Torr |
전원인가 25초 후 | 4×10-7 Torr |
전원인가 30초 후 | 5×10-7 Torr |
[표 2]
시간 | 진공도 |
전원인가 전 | 5×10-10 Torr |
전원인가 직후 | 5×10-11 Torr |
전원인가 5초 후 | 4×10-11 Torr |
전원인가 10초 후 | 4×10-11 Torr |
전원인가 15초 후 | 5×10-11 Torr |
전원인가 20초 후 | 5×10-11 Torr |
전원인가 25초 후 | 6×10-11 Torr |
전원인가 30초 후 | 7×10-11 Torr |
<실시 예2>
두 번째 실험에서는 양극 실드부(2)의 내부에 비확산 게터(9)를 장착했을 때와 장착하지 않았을 때 각각의 엑스선관을 일련의 진공공정을 완료하여 봉입한 뒤 절연유에 함침한 상태에서 고전압을 인가하여 오실로스코프를 이용하여 관전류 파형을 관찰하였다. 양극 실드부(2)의 내부에 비확산 게터(9)를 장착하지 않은 경우 에, 실험 조건은 관전류 20mA, 음극 집속관(4)과 양극(1) 사이의 고압 관전압 120kV(+60kV, -60kV), 인가시간 1.2초, 절연유 온도 20℃ 에서, 에이징 과정을 생략하고 위와 같은 정격 전압을 인가한 결과, 관전류 파형이 불안정하거나 전원 장치의 페일(fail) 발생하여 다운되는 현상이 발생하였다. 또한, 양극 실드부(2)의 내부에 비확산 게터(9)를 장착한 경우에도, 실험 조건은 관전류 20mA, 음극 집속관(4)과 양극(1) 사이의 고압 관전압 120kV(+60kV, -60kV), 인가시간 1.2초, 절연유 온도 20℃ 에서, 에이징 과정을 생략하고 위와 같은 정격 전압을 인가한 결과, 전원 장치의 다운 없이 관전류 파형이 안정되게 출력됨을 확인하였다.
위와 같은 <실시예1>과 <실시예2>에서의 결과와 같이, 도2와 같은 양극 실드부(2)의 내부에 비확산 게터(9)를 장착한 실드형 고정 양극을 엑스선관에 채용하면, 엑스선관 작동 시 에이징 과정을 생략하고 바로 정격전력을 인가하여도, 음극 필라멘트(6) 및 음극 집속관(4)에서 발생되는 가스와 타겟(3)에서 발생되는 가스에 대해서 고압 전원이 인가되는 순간부터 시작해서 인가되고 있는 동안 흡착이 충분히 발휘될 수 있는 것이 증명된다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정 해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 엑스선관의 기본 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1의 양극 실드부에 장착되는 비확산 게터를 설명하기 위한 도면이다.
<도면의 부호에 대한 간단한 설명>
1. 실드형 양극
2. 양극실드부
3. 타겟
4. 음극 집속관
5. 파이렉스 벌브
6. 음극 필라멘트
7. 필라멘트 지지전극 절연관
8. 필라멘트 지지전극
9. 소성 도포된 비확산 게터 층
10. 진공배기관 봉입부
Claims (6)
- 양극에 경사진 타겟이 장착되고, 상기 타겟을 차폐하도록 장착된 원통형 양극 실드부가 상기 타겟의 반대쪽으로 그 원통 몸체의 직경보다 작은 직경의 중심부 구멍을 가지며,상기 양극 실드부의 상기 중심부 구멍과 상기 타겟 사이의 내면에 비확산 게터를 포함하고, 상기 비확산 게터는 상기 중심부 구멍과 상기 타겟 사이의 내면에 다공성 물질을 스프레이 분사 또는 프린팅으로 직접 도포한 형태이거나, 다공성 물질을 스프레이 분사 또는 프린팅으로 도포하여 제작된 밴드나 실린더 형태를 상기 중심부 구멍과 상기 타겟 사이의 내면에 장착한 형태이며,음극부에서 발생하는 전자빔이 상기 중심부 구멍을 통과하여 상기 타겟에서 엑스선을 발생시키고, 상기 엑스선을 상기 양극 실드부의 개구를 통해 조사할 때, 상기 타겟에서 발생되는 가스를 상기 비확산 게터로 흡착하여, 상기 전자빔에 의한 관전류의 불안정에 따른 전원장치의 다운을 방지하기 위한 것을 특징으로 하는 고정 양극 엑스선관.
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- 제1항에 있어서, 상기 비확산 게터는 상기 다공성 물질이 복수 층 도포된 형태인 것을 특징으로 하는 고정 양극 엑스선관.
- 제1항에 있어서, 상기 다공성 물질로서 금속, 합금, 또는 다공질 금속 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고정 양극 엑스선관.
- 제1항에 있어서, 상기 음극부는 열전자를 방출하는 필라멘트인 것을 특징으로 하는 고정 양극 엑스선관.
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