KR101060368B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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노부아키 마츠오카
요시오 키무라
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서 기판 처리 장치는 캐리어 재치부(21)상의 기판 캐리어 (C)의 사이에 기판의 수수를 실시하는 제1의 반송 수단(22)을 포함하는 캐리어 블럭(B1)과 이 캐리어 블럭(B1)에 인접하여 설치되고 제 2의 반송수단(23)을 구비한 반송 블럭(B2)과 제1의 반송 수단(22)과 제2의 반송 수단(23)의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제1의 수수 스테이지(24)와 반송 블럭(B2)에 대해서 탈착 자유롭게 설치되는 복수의 처리블럭(B3, B4)를 구비하고 있다. 처리 블럭(B3, B4)은 각 처리블럭 단위로 기판에 대해서 일련의 처리를 실시하고 있으므로 처리 블럭을 탈착에 의해 기판의 대폭적인 처리 매수의 증감에 대응할 수 있고 또 처리 블럭의 변경에 의해 다른 품종의 변경에 용이에 대응할 수 있다.기판의 처리 매수의 증감이나 품종의 변경에 용이하게 대응할 수 있는 기술을 제공한다.

Figure R1020067013956

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus includes a carrier block (B1) including first conveying means (22) for transferring a substrate between substrate carriers (C) on the carrier placing portion (21). And a substrate disposed between the carrier block B1 and the carrier block B2 provided with the second carrier means 23 and the first carrier means 22 and the second carrier means 23. And a plurality of processing blocks B3 and B4 which are freely attached to the first delivery stage 24 and the transfer block B2 for carrying out the transfer. Since the processing blocks B3 and B4 perform a series of processing on the substrate in each processing block unit, by removing the processing block, the processing blocks B3 and B4 can cope with the large increase and decrease of the number of processing of the substrate. We can cope with change easily. We provide technique that can cope easily with increase and decrease of processing number of boards and change of kind.

Figure R1020067013956

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}Substrate Processing Unit {SUBSTRATE TREATING APPARATUS}

본 발명은 예를 들면 반도체 웨이퍼나 LCD 기판(액정 디스브레이용 유리 기판) 등의 기판의 표면에 처리액을 공급해 소정의 기판 처리 예를 들면 레지스트액의 도포나 노광 후의 현상 처리 등을 실시하는 기판 처리 장치에 관한다.The present invention supplies a processing liquid to a surface of a substrate such as a semiconductor wafer or an LCD substrate (glass substrate for liquid crystal display), for example, and performs a predetermined substrate processing, for example, coating of a resist liquid or developing after exposure. Regarding the processing unit

반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 한다) 등의 기판에 레지스트액을 도포해 포토마스크를 이용해 그 레지스트막을 노광해 현상하는 것에 의해 원하는 레지스트 패턴을 기판상에 제작하는 포트리소그래피 기술이 이용되고 있다. 이러한 처리는 일반적으로 레지스트액의 도포·현상을 실시하는 도포·현상 장치에 노광 장치를 접속한 기판 처리 장치를 이용해 행해진다.In the manufacturing process of a semiconductor device, a photolithography technique for producing a desired resist pattern on a substrate by applying a resist liquid to a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) and exposing and developing the resist film using a photomask is performed. It is used. Such treatment is generally performed using a substrate processing apparatus in which an exposure apparatus is connected to a coating and developing apparatus for applying and developing a resist liquid.

기판 처리 장치는 높은 수율을 확보하면서 장치 점유 면적의 소용량화를 도모하기 위해서 도포 처리 현상 처리 가열·냉각 처리 등 기판에 대해서 복수가 다른 처리를 실시하는 처리 장치를 각각 유니트화하고 이들의 각 처리마다 필요한 수의 유니트가 조립되어 구성되고 있고 한층 더 각 처리 유니트에 기판을 반입출하기 위한 반송 수단이 설치되고 있다.The substrate processing apparatus unitizes a processing apparatus which performs a plurality of different treatments on the substrate, such as coating treatment development treatment heating and cooling treatment, in order to achieve a small capacity of the device occupancy while ensuring high yield, and for each of these treatments. The necessary number of units are assembled and configured, and further, the conveying means for carrying in and out of a board | substrate is provided in each processing unit.

이러한 기판 처리 장치의 일례에 대해서 특허 문헌 1의 구성을 참조해 설명한다. 도 18안에 11은 예를 들면 웨이퍼 (W)를 25매 수납한 캐리어 (10)이 반출입 되는 캐리어 스테이지 (11)이고 이 캐리어 스테이지 (11)에는 예를 들면 3개의 처리 블럭 (12A ·12B ·12C)가 접속되고 제3의 처리 블럭 (12C)에는 인터페이스 블럭 (12D)를 개재하여 노광 장치 (12E)가 접속되고 있다. 처리 블럭 (12A ·12B ·12C)는 각각 중앙에 반송 수단 (13A·13B ·13C)를 갖춤과 동시에 이 주위에 제 1 및 제2의 처리 블럭 (12A·12B)에서는 웨이퍼에 도포액을 도포하기 위한 도포 유니트 (14A·14B)· 제3의 처리 블럭 (12C)에서는 노광 후의 웨이퍼에 현상 처리를 행하기 위한 현상 유니트 (15) ·모든 처리 블럭 (12A∼12C)에서는 도포 유니트 (14)나 현상 유니트 (15)의 처리의 전후에 웨이퍼에 대해서 소정의 가열 처리나 냉각 처리를 행하기 위한 가열 유니트 ·냉각 유니트나 수수 유니트 등을 구비한 선반 유니트 (16A∼16G)가 설치되고 있다.An example of such a substrate processing apparatus is demonstrated with reference to the structure of patent document 1. As shown in FIG. In Fig. 18, 11 denotes a carrier stage 11 into which a carrier 10 containing 25 sheets of wafers W is carried in and out, for example. Three carrier blocks 12A, 12B, 12C are included in the carrier stage 11, for example. Is connected, and the exposure apparatus 12E is connected to the 3rd process block 12C via the interface block 12D. The processing blocks 12A, 12B, and 12C each have conveying means 13A, 13B, and 13C in the center, and at the same time, the first and second processing blocks 12A, 12B, and the coating liquid are applied to the wafer. The developing unit 15 for developing the wafer after exposure in the coating unit 14A, 14B and the third processing block 12C. The coating unit 14 and the developing unit in all the processing blocks 12A-12C. Before and after the process of the unit 15, the shelf unit 16A-16G provided with the heating unit, a cooling unit, a water feeding unit, etc. for performing predetermined | prescribed heat processing or cooling process with respect to a wafer is provided.

이 장치에서는 캐리어 스테이지 (11)의 캐리어 (10)내의 웨이퍼는 수수 아암 (17)에 의해 꺼내져 선반 유니트 (16A)의 수수 유니트를 개재하여 제1의 처리 블럭 (12A)에 반송되어 차례로 제 1 및 제 2의 처리 블럭 (12A · 12B)가 비어 있는 처리 유니트에 소정의 순서로 반송되어 레지스트액의 도포 처리를 한 후 처리 블럭 (12C) ·인터페이스 블럭 (12D)를 개재하여 노광 장치 (12E)에 반송되어 여기서 소정의 노광 처리를 한다. 이 후 다시 제3의 처리 블럭 (12C)가 비어 있는 처리 유니트에 소정의 순서로 반송되어 현상 처리를 한다. 또한 도포 처리나 현상 처리의 전후에는 비어 있는 처리 유니트에서 가열 처리나 냉각 처리를 한다. 여기서 제1의 처리 블럭 (12A)와 제2의 처리 블럭 (12B)의 사이 ;제2의 처리 블럭 (12B)와 제3의 처리 블럭 (12C)의 사이; 제3의 처리 블럭 (12C)와 인터페이스 블럭 (12D)의 사이에서는 각각 선반 유니트 (16C·16E·16G)의 수수 유니트를 개재하여 웨이퍼의 수수를 행한다.In this apparatus, the wafer in the carrier 10 of the carrier stage 11 is taken out by the male and female arms 17 and conveyed to the first processing block 12A via the male and female unit of the shelf unit 16A, and in turn, in the first process. And the second processing blocks 12A and 12B are conveyed to the empty processing unit in a predetermined order to apply the resist liquid coating process, and then through the processing block 12C and the interface block 12D, the exposure apparatus 12E. It conveys to and performs a predetermined exposure process here. After that, the third processing block 12C is conveyed to the empty processing unit in a predetermined order to perform development processing. In addition, before and after the coating treatment or the developing treatment, heat treatment or cooling treatment is performed in an empty treatment unit. Wherein between the first processing block 12A and the second processing block 12B; between the second processing block 12B and the third processing block 12C; Between the third processing block 12C and the interface block 12D, the wafers are passed through the transfer units of the shelf units 16C, 16E, and 16G, respectively.

[특허 문헌1] : 일본국 특개평2000-124124호 공보(도 2참조)[Patent Document 1]: Japanese Patent Laid-Open No. 2000-124124 (see Fig. 2)

그런데 상술의 도포·현상 장치는 당초부터 노광 장치 (12E)의 처리 매수에 맞춘 처리 능력을 갖춘 장치로서 납품되어 예를 들면 노광 장치 (12E)의 최대 처리 능력을 미리 고려한 수율을 확보할 수 있도록 각 처리 유니트의 개수나 처리 유니트의 배열을 고려하고 있어 예를 들면 처리 매수의 최대값은 약 150매/시간 정도로 설정되어 있다.By the way, the above-mentioned coating and developing apparatus has been delivered as an apparatus having a processing capacity adapted to the number of sheets of the exposure apparatus 12E from the beginning, so that, for example, the yield can be secured in consideration of the maximum processing capacity of the exposure apparatus 12E in advance. Considering the number of processing units and the arrangement of the processing units, for example, the maximum number of processing sheets is set at about 150 sheets / hour.

그렇지만 실제로는 노광 장치 (12E)의 납품 당초의 처리 매수는 50매/시간 정도이고 또 요즈음의 미세화 프로세스의 진보와 함께 노광 장치 (12E)의 조건 방식이 곤란하게 되고 처리 매수를 100매/시간 정도로 높이기 위해서는 1년 이상의 조정 시간이 필요하고 있다. 이 때문에 도포·현상 장치는 납품시에는 필요 이상의 처리 능력을 갖춘 장치로서 납품되어지고 초기의 설비투자가 너무 커져 납품시의 설비투자에 쓸데없는 부분이 생기고 있다.However, in practice, the number of treatment sheets initially delivered to the exposure apparatus 12E is about 50 sheets / hour, and with the progress of the miniaturization process of these days, the condition system of the exposure apparatus 12E becomes difficult, and the number of treatment sheets is about 100 sheets / hour. In order to raise, adjustment time more than one year is necessary. For this reason, the coating and developing apparatus is delivered as a device having more processing capacity than necessary at the time of delivery, and the initial capital investment is so large that there is a wasteful portion of equipment investment at the time of delivery.

따라서 도포 현상 장치에 있어서도 노광 장치 (12E)의 수율에 맞추어 처리 매수를 예를 들면 50매/시간 정도로부터 100매/시간 정도까지의 단계적으로 큰폭으로 높여 가는 것이 합리적이지만 실제로는 도포·현상 장치에서는 제1 ∼제 3의 처리 블럭 (12A∼12C) 전체로 일련의 처리를 실시하고 있고 각각의 처리 블럭 (12A∼12C)에 설치된 반송 수단 (13A∼13C)는 각각의 처리 블럭 (12A∼12C)내의 웨이퍼의 반송 뿐만 아니라 제1의 처리 블럭 (12A)의 반송 수단 (13A)는 제 1 및 제2의 처리 블럭 (12A·12B)동지 사이의 웨이퍼의 반송을; 제2의 처리 블럭 (12B)의 반송수단 (13B)는 제 2 및 제 3의 처리 블럭 (12B·12C)동지 사이의 웨이퍼의 반송을; 제3의 처리 블럭 (12C)의 반송수단 (13C)는 제3의 처리 블럭 (12C)와 인터페이스 블럭 (12D) 사이의 웨이퍼의 반송을 각각 실시하지 않으면 안 되기 때문에 반송 수단 (13A~13C)의 부하가 크고 도포·현상 장치의 토탈의 처리 매수를 100매 정도까지 증가하려고 하면 맞춤 작업은 용이하지 않다.Therefore, even in the coating and developing apparatus, it is reasonable to increase the number of treatments in steps from about 50 sheets / hour to about 100 sheets / hour in accordance with the yield of the exposure apparatus 12E. A series of processes are performed on the first to third process blocks 12A to 12C as a whole, and the conveying means 13A to 13C provided in each of the process blocks 12A to 12C have respective process blocks 12A to 12C. The conveying means 13A of the first processing block 12A, as well as the conveyance of the wafers in the inside, convey the wafer between the first and second processing blocks 12A and 12B; The conveying means 13B of the second processing block 12B carries the wafers between the second and third processing blocks 12B and 12C. The transfer means 13C of the third processing block 12C must carry the wafers between the third processing block 12C and the interface block 12D, respectively, so that the transfer means 13A to 13C If the load is large and the total number of sheets of the coating and developing apparatus is to be increased to about 100 sheets, the fitting operation is not easy.

한층 더 납품처의 각사마다 요구하는 처리 매수가 달라 특히 가열 유니트에서의 베이크 처리나 현상 시간이 달라 지지만 기술과 같이 제1~ 제 3의 처리 블럭 (12A∼12C) 전체로 일련의 처리를 행하는 경우에는 1개의 처리 유니트에서의 처리 시간의 차이가 반송 수단 (13A∼13C)의 반송 프로그램에 크게 영향을 미치고 각회사별 처리 매수의 맞춤이 번잡하게 된다. 또 종래에서는 도포·현상 장치는 소정의 품종의 전용의 장치로서 이용되고 있어 품종이 다른 처리에 대해서는 다른 장치를 이용한다고 하는 생각이었지만 최근에는 1대의 장치에 의해 소량 다품종의 생산에 대응할 수 있는 것이 바람직하고 있다.Furthermore, the number of treatments required by each company of the supplier is different, in particular, the baking treatment and developing time in the heating unit are different. The difference in the processing time in one processing unit greatly affects the conveyance program of the conveying means 13A to 13C, and the matching of the number of sheets for each company is complicated. In addition, in the past, the coating and developing apparatus was used as a dedicated apparatus for a predetermined variety, and the idea was to use a different apparatus for processing with different varieties, but recently, it is desirable that one apparatus can cope with the production of small quantities of various kinds. Doing.

본 발명은 이러한 사정 아래에 이루어진 것이고 그 목적은 기판의 처리 매수의 증감이나 품종의 변경에 용이하게 대응할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.  This invention is made | formed under such a situation, and the objective is to provide the substrate processing apparatus which can respond easily to the increase or decrease of the number of sheets of processing of a board | substrate, or a change of a kind.

이 때문에 본 발명의 기판 처리 장치는 복수 매수의 기판이 수납된 기판 캐리어가 반입출되는 캐리어 재치부와 이 캐리어 재치부에 재치된 기판 캐리어에 대해서 기판의 수수를 실시하는 제1의 반송 수단을 포함한 캐리어 블럭과 ; 이 캐리어 블럭에 인접해 설치되어 직선 형상의 반송로를 따라 기판을 반송하는 제2의 반송 수단과 ; 제1의 반송 수단과 제2의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 1의 수수 스테이지와 ; 반송로를 따라 배열되어 장치 본체에 대해서 탈착 자유롭게 설치되는 복수의 처리 블럭을 구비하고 각 처리 블럭은 레지스트액을 기판에 도포하기 위한 도포 유니트와 노광 후의 기판에 대해서 현상 처리를 행하기 위한 현상 유니트와 기판을 가열하기 위한 가열 유니트와 이들 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제2의 수수 스테이지를 포함하고 각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 레지스트액의 도포 및/또는 노광 후의 현상 처리를 실시한다.For this reason, the substrate processing apparatus of this invention includes the carrier mounting part into which the board | substrate carrier which carried several sheets of board | substrate is carried in, and the 1st conveyance means which carries out a board | substrate with respect to the board | substrate carrier mounted in this carrier mounting part. A carrier block; Second conveying means provided adjacent to the carrier block to convey the substrate along a linear conveyance path; A first delivery stage for transferring the substrate between the first conveying means and the second conveying means; A plurality of processing blocks arranged along the conveying path and detachably installed with respect to the apparatus main body, each processing block comprising a coating unit for applying a resist liquid to a substrate and a developing unit for developing the substrate after exposure; Between a heating unit for heating the substrate and a third conveying means for conveying the substrate between the units and a second conveying stage for conveying the substrate between the second conveying means and the third conveying means; The substrate is subjected to development processing after application and / or exposure of the resist liquid to each processing block unit.

여기서 기판 처리 장치는 반송로의 캐리어 블럭에 접속된 측의 반대 측에 노광 장치가 접속되는 인터페이스부가 접속되도록 구성해도 괜찮고 반송로의 처리 블럭에 접속된 측의 반대 측에 노광 장치가 접속되는 인터페이스부가 접속되도록 구성해도 괜찮다.Here, the substrate processing apparatus may be configured such that the interface portion to which the exposure apparatus is connected is connected to the side opposite to the side connected to the carrier block of the transfer path, or the interface portion to which the exposure apparatus is connected to the side opposite to the side connected to the processing block of the transfer path. You can also configure the connection.

또 본 발명의 다른 기판 처리 장치는 복수 매수의 기판이 수납된 기판 캐리어가 반입출되는 캐리어 재치부와 이 캐리어 재치부에 재치된 기판 캐리어에 대해서 기판의 수수를 실시하는 제1의 반송 수단을 포함한 캐리어 블럭과 이 캐리어 블럭에 인접해 설치되어 직선 형상의 반송로를 따라 기판을 반송하는 제2의 반송 수단과 제1의 반송 수단과 제2의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 1의 수수 스테이지와 반송로를 따라 배열되어 장치 본체에 대해서 탈착 자유롭게 설치되는 복수의 처리 블럭을 구비하고 각 처리 블럭은 기판에 대해서 약액에 의해 처리를 실시하는 액처리 유니트와 기판을 가열하기 위한 가열 유니트와 이들 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 포함하고 각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 일련의 처리를 실시한다. 여기서 예를 들면 액처리 유니트는 도포막을 형성하는 처리를 실시하는 것이고 또 액처리 유니트는 절연막의 전구(前驅) 물질을 포함한 약액을 기판에 도포하는 것이다.Moreover, the other substrate processing apparatus of this invention includes the carrier mounting part which the board | substrate carrier which carried several sheets of board | substrate is carried in, and the 1st conveyance means which carries out a board | substrate with respect to the board | substrate carrier mounted in this carrier mounting part. A second conveying means for conveying the substrate along a linear conveyance path and adjacent to the carrier block, and for conveying the substrate between the first conveying means and the second conveying means; A plurality of processing blocks arranged along the transfer stage and the conveying path of 1 and detachably installed with respect to the apparatus main body, each processing block is a liquid processing unit for processing the substrate with a chemical liquid and a heating for heating the substrate. The number of substrates between the third conveying means and the second conveying means and the third conveying means for conveying the substrate between the unit and these units A second of the delivery stage for performing a series of processes are performed to the substrate in each processing block unit. Here, for example, the liquid processing unit performs a process of forming a coating film, and the liquid processing unit applies a chemical liquid containing a precursor substance of an insulating film to a substrate.

이러한 기판 처리 장치에서는 처리 블럭은 장치 본체에 대해서 탈착 자유롭게 설치되고 있고 각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 일련의 처리를 실시하고 있으므로 기판의 처리 매수를 큰폭으로 증감시키고 싶을 때에는 처리 블럭을 장치 본체에 대해서 탈착하는 것으로써 대응할 수 있고 또 각 처리 블럭마다 처리가 완결 하고 있으므로 처리 블럭의 변경에 의해 다른 품종의 변경에 용이하게 대응할 수 있다.In such a substrate processing apparatus, the processing block is freely attached to the apparatus main body, and a series of processing is performed on each substrate in units of processing blocks. It is possible to cope with detachment, and since the processing is completed for each processing block, it is possible to easily cope with changes in other varieties by changing the processing block.

본 발명의 기판 처리 장치에서는 처리 블럭은 평면적인 크기가 동일하게 형성되는 것이 바람직하다. 또 제2의 반송 수단은 복수의 처리 블럭 그리고 연장하는 반송 블럭에 설치되고 각 처리 블럭은 반송 블럭에 대해서 탈착할 수 있도록 구성되고 있는 것이 바람직하다. 또한 처리 블럭이 배치되는 영역의 저부 또는 측부에 처리 블럭의 위치 결정을 하기 위해서 설치된 위치 결정 부재를 구비하도록 구성해도 좋고 처리 블럭이 배치되는 영역의 저부 또는 측부에 처리 블럭을 인입하기 위해서 설치된 가이드 부재와 이 가이드 부재에 처리 블럭의 위치 결정을 하기 위해서 설치된 위치 결정 부재를 구비하도록 구성해도 괜찮다.In the substrate processing apparatus of the present invention, the processing block is preferably formed to have the same planar size. In addition, it is preferable that the second conveying means is provided in a plurality of processing blocks and extending conveying blocks, and each processing block is configured to be detachable from the conveying block. The positioning member may be provided at the bottom or side of the area where the processing block is arranged to provide a positioning member for positioning the processing block. The guide member may be provided at the bottom or side of the area where the processing block is arranged to introduce the processing block. And the positioning member provided for positioning the processing block on the guide member.

또 각 처리 블럭은 외부에서 용력을 수중에 넣기 위한 복수의 용력 라인과 외부의 대응하는 용력 라인의 접속단에 대해서 탈착할 수 있도록 구성된 각 용력 라인의 접속단을 구비하고 외부측의 접속단은 제2의 반송 수단의 하부 측에 설치되어 처리 블럭을 제2의 반송 수단 측에 밀어 넣을 때에 해당 외부의 접속단과 처리 블럭측의 접속단이 접속되도록 구성하도록 해도 괜찮다. 또한 복수의 용력 라인은 서로 다른 용력을 공급하는 것이고 그들 복수의 용력 라인의 각각은 하류측에서 분기되어 각 처리 유니트에 이끌리고 있어 복수의 용력 라인은 온도 조절용 유체의 공급 라인 불활성 가스의 공급 라인 ·급전선 및 신호선이나 약액 공급관을 포함하는 것이다.In addition, each processing block includes a connection end of each power line configured to be detachable from a connection end of a plurality of power lines for externally receiving power and an external corresponding power line. It may be provided so that it may be provided in the lower side of 2 conveyance means, and when the process block is pushed in the 2nd conveyance means side, the said external connection end and the connection end of a process block side will be connected. In addition, the plurality of power lines supply different powers, and each of the plurality of power lines is branched on the downstream side and drawn to each processing unit, and the plurality of power lines is a supply line of inert gas supply line of temperature control fluid. It includes a feeder line and a signal line or a chemical supply pipe.

도 1은 본 발명의 실시의 형태와 관련되는 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본발명의 실시의 형태와 관련되는 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이다. 2 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 기판 처리 장치를 나타내는 측부 단면도이다.3 is a side cross-sectional view showing a substrate processing apparatus.

도 4는 기판 처리 장치를 나타내는 측부 단면도이다.4 is a side cross-sectional view showing a substrate processing apparatus.

도 5는 기판 처리 장치의 처리 블럭의 내부를 나타내는 사시도이다.5 is a perspective view showing an interior of a processing block of the substrate processing apparatus.

도 6A는 기판 처리 장치의 반송 블럭과 처리 블럭의 용력 라인의 접속의 모 습을 나타내는 설명도이다.It is explanatory drawing which shows the connection of the conveyance block of the substrate processing apparatus, and the power line of a processing block.

도 6B는 기판 처리 장치의 반송 블럭과 처리 블럭의 용력 라인의 접속의 모습을 나타내는 설명도이다.It is explanatory drawing which shows the state of the connection of the conveyance block of the substrate processing apparatus, and the power line of a processing block.

도 7은 기판 처리 장치에 처리 블럭을 추가하는 모습을 나타내는 평면도이다.7 is a plan view showing a state in which a processing block is added to a substrate processing apparatus.

도 8A는 기판 처리 장치의 반송 블럭과 처리 블럭 접속의 모습을 나타내는 평면도이다.8A is a plan view showing a state of connection between a transport block and a processing block of the substrate processing apparatus.

도 8B는 기판 처리 장치의 반송 블럭과 처리 블럭 접속의 모습을 나타내는 평면도이다.8B is a plan view showing a state of connection between a transport block and a processing block of the substrate processing apparatus.

도 9는 기판 처리 장치의 반송 블럭과 처리 블럭 접속의 모습을 나타내는 사시도이다.It is a perspective view which shows the state of the connection of a conveyance block and a process block of a substrate processing apparatus.

도 10은 기판 처리 장치의 반송 블럭과 처리 블럭 접속의 모습을 나타내는 측면도이다.It is a side view which shows the state of a connection of a conveyance block and a process block of a substrate processing apparatus.

도 11은 기판 처리 장치에 설치되는 도포 유니트를 나타내는 단면도이다.It is sectional drawing which shows the coating unit provided in a substrate processing apparatus.

도 12는 기판 처리 장치에 설치되는 가열 유니트(PEB)를 나타내는 단면도이다. It is sectional drawing which shows the heating unit (PEB) installed in a substrate processing apparatus.

도 13은 기판 처리 장치에 설치되는 제3의 반송 수단을 나타내는 사시도이다.It is a perspective view which shows the 3rd conveying means provided in the substrate processing apparatus.

도 14는 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 실시의 형태를 나타내는 평면도이다. It is a top view which shows another embodiment of the substrate processing apparatus of this invention.

도 15는 기판 처리 장치를 나타내는 측부 단면도이다.15 is a side sectional view showing a substrate processing apparatus.

도 16은 기판 처리 장치를 나타내는 측부 단면도이다.It is a side sectional drawing which shows a substrate processing apparatus.

도 17은 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 실시의 형태를 나타내는 평면도이다. It is a top view which shows another embodiment of the substrate processing apparatus of this invention.

도 18은 종래의 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.It is a top view which shows the conventional substrate processing apparatus.

도 19는 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 실시의 형태를 나타내는 평면도이다. It is a top view which shows another embodiment of the substrate processing apparatus of this invention.

**주요부위를 나타내는 도면부호의 설명**** Description of reference numerals indicating major parts **

B1 캐리어 블럭 B1 carrier block

B2 반송 블럭 B2 transport block

B3 제 1의 처리 블럭 B3 first processing block

B4 제 2의 처리 블럭 B4 Second Processing Block

B5 인터페이스부 B5 interface

B6 노광 장치 B6 exposure device

C 기판 캐리어 C substrate carrier

22 제 1의 반송 수단 22 first conveying means

23 제 2의 반송 수단 23 second conveying means

24 수수 스테이지 24 cane stage

31 제 3의 반송 수단 31 Third conveying means

32 도포 유니트 32 Dispensing Unit

33 현상 유니트33 Developing unit

이하에 본 발명의 기판 처리 장치의 일실시의 형태에 대해서 설명한다. 여기서 도 1은 기판 처리 장치의 일실시의 형태와 관련되는 전체 구성을 나타내는 평면도로서 도 2는 그 개략 사시도이다. 도중 B1은 예를 들면 25매의 기판 예를 들면 반도체 웨이퍼 (W)가 수납된 기판 캐리어 (C)를 반입출하기 위한 캐리어 블럭이고 이 캐리어 블럭 (B1)은 기판 캐리어 (C)를 재치하는 캐리어 재치부 (21)과 제1의 반송 수단 (22)를 구비하고 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, one Embodiment of the substrate processing apparatus of this invention is described. Here, FIG. 1 is a top view which shows the whole structure which concerns on one Embodiment of a substrate processing apparatus. FIG. 2 is a schematic perspective view. In the meantime, B1 is, for example, a carrier block for carrying in and out of a substrate carrier C containing 25 substrates, for example, a semiconductor wafer W, and the carrier block B1 is a carrier mounting for placing the substrate carrier C. The part 21 and the 1st conveying means 22 are provided.

이 캐리어 블럭 (B1)의 예를 들면 한쪽측 예를 들면 캐리어 재치부 (21)측으로부터 볼때 좌단 측에는 캐리어 (C)의 배열 방향으로 대략 직교 하는 방향으로 직선형상으로 연장하는 반송로를 구비한 반송 블럭 (B2)가 캐리어 블럭 (B1)와 접속하도록 설치되고 있다. 그리고 캐리어 블럭 (B1)의 제1의 반송 수단 (22)는 기판 캐리어 (C)로부터 웨이퍼 (W)를 꺼내 꺼낸 웨이퍼 (W)를 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)으로 수수하도록 좌우 전후에 이동 자유·승강 자유·수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되고 있다.For example, this carrier block B1 is provided with a conveying path extending in a straight line in a direction substantially orthogonal to the arrangement direction of the carrier C on one side, for example, from the carrier placing part 21 side. The block B2 is provided to connect with the carrier block B1. And the 1st conveyance means 22 of the carrier block B1 transfers the wafer W which took out the wafer W from the board | substrate carrier C to the 2nd conveyance means 23 of the conveyance block B2. It is configured to move freely, freely up and down, and freely rotate around the vertical axis.

여기서 캐리어 블럭 (B1)의 반송 블럭 (B2)가 접속된 영역의 근방에는 캐리어 블럭 (B1)의 제1의 반송 수단 (22)와 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 제 1의 수수 스테이지 (24)가 설치되고 있다. 이 수수 스테이지 (24)는 예를 들면 반송 블럭 (B2)에 웨이퍼 (W)를 반입 할 때에 이용하는 반입용 수수 스테이지와 반송 블럭 (B2)로부터 웨이퍼 (W)를 반출 할 때에 이용하는 반출용 수수 스테이지의 2단 구성으로 되어 있다. 또한 수수 스테이지 (24)는 반송 블럭 (B2)내로서 제1의 반송 수단 (22)를 액세스 할 수 있는 영역에 설치하도록 해도 괜찮고 반송 블럭 (B2)에 대해서 웨이퍼 (W)를 반출입할 때에 공통의 수수 스테이지를 이용하도록 한 1단 구성의 것으로서도 좋다.Here, between the 1st conveyance means 22 of carrier block B1, and the 2nd conveyance means 23 of conveyance block B2 in the vicinity of the area | region where the conveyance block B2 of carrier block B1 is connected. The first delivery stage 24 for carrying the wafers W is provided in the wafer. This delivery stage 24 is, for example, an import delivery stage used when carrying the wafer W into the transfer block B2 and a transfer stage used for carrying out the wafer W from the transfer block B2. It has a two-stage configuration. In addition, the delivery stage 24 may be provided in the area | region which can access the 1st conveyance means 22 in the conveyance block B2, and is common when carrying in and carrying out the wafer W with respect to the conveyance block B2. It may be a one-stage configuration in which a sorghum stage is used.

반송 블럭 (B2)에는 캐리어 (C)의 배열 방향으로 대략 직교하는 방향으로 직선 형상으로 연장하도록 반송로를 이루는 가이드 레일 (25)가 설치되고 있어 제2의 반송 수단 (23)은 예를 들면 웨이퍼 (W)를 보지하기 위한 2매의 보지 아암을 구비함과 동시에 가이드 레일 (25)를 따라 캐리어 (C)의 배열 방향으로 대략 직교 하는 방향으로 이동 자유·승강 자유·진퇴 자유·수직축주위에 회전 자유롭게 구성되고 있다.The conveyance block B2 is provided with the guide rail 25 which forms a conveyance path so that it may extend linearly in the direction orthogonal to the arrangement direction of the carrier C, and the 2nd conveyance means 23 is a wafer, for example. It has two holding arms for holding (W) and moves along a guide rail 25 in a direction orthogonal to the arrangement direction of the carrier C. Rotation around freedom, lifting freedom, retraction freedom and vertical axis It is constructed freely.

또 반송 블럭 (B2)에는 반송로를 따라 배열된 복수의 처리 블럭이 장치 본체를 이루는 반송 블럭 (B2)에 대해서 탈착 자유롭게 설치되고 있다. 구체적으로는 반송 블럭 (B2)에는 캐리어 블럭 (B1)의 안쪽 측에 소정의 공간을 개재하여 캐리어 블럭 (B1)측으로부터 볼때 1번째의 처리 블럭 (B3) 및 2번째의 처리 블럭 (B4)가 접속되고 있다. 이 예에서는 처리 블럭 (B3) 및 처리 블럭 (B4)는 각 부분의 배치의 레이아웃도 포함해 동일한 구성으로 구성되고 있다. 즉 처리 블럭 (B3)(B4)는 동일한 크기로 형성됨과 동시에 웨이퍼 (W)에 대해서 같은 품종의 일련의 처리를 실시하도록(듯이) 처리 블럭 (B3)(B4)에 배치 설치되는 처리 유니트의 종류나 개수 레이아웃이 동일한 구성으로 설정되어 있다.Moreover, the conveyance block B2 is provided freely detachably with respect to the conveyance block B2 which comprises the apparatus main body by the some process block arrange | positioned along the conveyance path. Specifically, the transfer block B2 includes the first processing block B3 and the second processing block B4 as viewed from the carrier block B1 side through a predetermined space inside the carrier block B1. You are connected. In this example, the processing block B3 and the processing block B4 are configured in the same configuration, including the layout of the arrangement of each part. In other words, the processing blocks B3 and B4 are formed in the same size and are arranged in the processing blocks B3 and B4 so as to perform a series of processing of the same variety on the wafer W. The number layout is set to the same configuration.

구체적으로 제1의 처리 블럭 (B3)을 예로 해 도 3· 도 4 ·도 5도 참조해 설명하면 처리 블럭 (B3)의 중앙에는 제3의 반송 수단 (31)이 설치되고 있고 이것을 둘러싸도록 예를 들면 캐리어 블럭 (B1)로부터 안쪽을 볼때 예를 들면 우측에는 예를 들면 2개의 도포 유니트(COT, 32)와 2개의 현상 유니트(DEV, 33)과 1개의 반사 방지막 형성 유니트 (ARC, 34)를 다단 예를 들면 5단으로 겹쳐 쌓은 액처리 유니트군 (U1)이 좌측의 앞측· 안쪽 측에는 가열·냉각계의 유니트 등을 다단 예를 들면 이 예에서는 각각 예를 들면 6단· 10단으로 겹쳐 쌓은 선반 유니트(U2· U3)가 각각 배치되고 있다.Specifically, referring to FIGS. 3, 4, and 5 with reference to the first processing block B3 as an example, a third conveying means 31 is provided in the center of the processing block B3, and the example is arranged so as to surround it. For example, when looking inward from the carrier block B1, for example, on the right side, for example, two coating units (COT, 32) and two developing units (DEV, 33) and one anti-reflection film forming unit (ARC, 34) Is multistage, for example, the liquid treatment unit group (U1) stacked in five stages is a stack of heating and cooling units, etc. on the front side and the inner side of the left side. Stacked shelf units U2 and U3 are arrange | positioned, respectively.

도포 유니트 (32)·현상 유니트 (33)·반사 방지막형성 유니트 (34)는 각각액처리 유니트를 이루는 것이고 도포 유니트 (32)는 웨이퍼 (W)에 레지스트액을 도포하는 처리를 실시하는 유니트 ·현상 유니트 (33)은 예를 들면 노광 후의 기판에 현상액을 액활성 해 소정 시간 그대로의 상태로 해 현상 처리를 실시하는 유니트 ·반사 방지막 형성 유니트 (34)는 예를 들면 레지스트액을 도포하기 전에 웨이퍼 표면에 반사 방지막(Bottom-ARC)을 형성하기 위한 반사 방지막형성 유니트이다. 또 레지스트 성막 후에 그 표면에 반사 방지막(Top-ARC)을 형성하는 경우도 있다.The coating unit 32, the developing unit 33, and the antireflection film forming unit 34 each constitute a liquid processing unit, and the coating unit 32 performs a process of applying a resist liquid onto the wafer W. The unit 33 is a unit which, for example, activates a developing solution on a substrate after exposure and remains in a state for a predetermined time, and performs a developing process. The antireflection film forming unit 34 has, for example, a wafer surface before applying a resist liquid. An anti-reflection film forming unit for forming an anti-reflection film (Bottom-ARC) on the substrate. In addition, an anti-reflection film (Top-ARC) may be formed on the surface after resist film formation.

선반 유니트(U2· U3)는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)을 액세스 할 수 있는 영역에 복수의 유니트를 쌓아올려 구성되고 예를 들면 이 예에서는 도포 유니트 (32)나 반사 방지막형성 유니트 (34)등에서의 액처리의 뒤에 도포액에 포함되는 용매를 제거하기 위한 예를 들면 3개의 감압 건조 유니트(VD)· 레지스트액의 도포전에 웨이퍼 (W)에 소정의 가열 처리를 행하기 위한 예를 들면 4개의 가열 유니트(LHP) ·레지스트액의 도포 후에 웨이퍼의 가열 처리를 행하기 위한 프리베이킹 유니트등으로 불리고 있는 예를 들면 1개의 가열 유니트(PAB)· 노광 후의 웨이퍼 (W)를 가열 처리하는 포스트 익스포져 베이킹 유니트등으로 불리고 있는 예를 들면 2개의 가열 유니트(PEB)·웨이퍼 (W)를 소정 온도로 조정하기 위한 온조유니트인 예를 들면 2개의 온조유니트(CPL) 외 처리 블럭 (B3)에 웨이퍼 (W)를 반입하기 위한 예를 들면 1개의 수수 유니트(TRS1)나 처리 블럭 (B3)으로부터 웨이퍼 (W)를 반출하기 위한 예를 들면 1개의 수수 유니트(TRS2) 등이 상하로 할당되어 있다.The shelf units U2 and U3 are configured by stacking a plurality of units in an area accessible to the second conveying means 23 of the conveying block B2. For example, in this example, the coating unit 32 and the reflection are stacked. For example, to remove the solvent contained in the coating liquid after the liquid treatment in the prevention film forming unit 34 or the like, a predetermined heat treatment is performed on the wafer W before the application of the three reduced-pressure drying units VD and the resist liquid. For example, four heating units (LHP), a prebaking unit for performing a heat treatment of the wafer after application of the resist liquid, for example, one heating unit (PAB), a wafer W after exposure. , For example, two exposure units (CPL), for example, an exposure unit for adjusting two heating units (PEB) and a wafer (W) to a predetermined temperature. For example, one transfer unit (TRS1) for carrying the wafer W into the processing block B3, or one transfer unit (TRS2) for carrying out the wafer W from the processing block B3. This is allocated up and down.

이들 수수 유니트 (TRS1·TRS2)는 본 발명의 제2의 수수 스테이지에 상당하는 것이다. 도 3일~도 5는 이들 유니트의 레이아웃의 일례를 나타내고 있지만 유니트의 종류나 수는 이것에 한정되는 것은 아니고 이 예에 있어서도 수수 유니트를 1개로 해 해당 수수 유니트를 웨이퍼 (W)를 처리 블럭 (B3)에 반입할때에도 처리 블럭 (B3)로부터 웨이퍼 (W)를 반출 할 경우에도 이용하도록 해도 괜찮다.These sorghum units TRS1 and TRS2 correspond to the 2nd sorghum stage of this invention. 3 to 5 show an example of the layout of these units, but the type and number of units are not limited thereto, and in this example, the transfer unit is one wafer unit and the wafer W is processed by a processing block ( It may be used also when carrying out the wafer W from the processing block B3 when carrying in to B3).

제3의 반송 수단 (31)은 후술 하는 바와 같이 승강 자유·진퇴 자유 및 수직축주위에 회전 자유롭게 구성되어 액처리 유니트군 (U1)· 선반 유니트(U2· U3)의 사이에 웨이퍼 (W)를 반송하는 역할을 가지고 있다. 단 도 2에서는 편의상 제 2의 반송 수단 (23)은 그리지 않고 있다. 또 제2의 반송 수단 (23)은 제1의 반송 수단 (22)로부터 수수되어진 웨이퍼 (W)를 처리 블럭 (B3)의 수수 유니트(TRS1·TRS2)에 수수하도록 기술과 같이 가이드 레일 (25)를 따라 도 1중 좌우 방향으로 이동 자유·승강 자유·진퇴 자유·수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되고 있다.As described later, the third conveying means 31 is freely moved up and down and freely rotated around the vertical axis to convey the wafer W between the liquid treatment unit group U1 and the shelf unit U2 and U3. It has a role to play. In FIG. 2, the second conveying means 23 is not drawn for convenience. In addition, the second conveying means 23 guides the guide rail 25 as described in the art so that the wafer W received from the first conveying means 22 is delivered to the receiving units TRS1 and TRS2 of the processing block B3. In FIG. 1, the movement is freely performed in the left and right directions, freely moving up, down, freely moving, and freely rotating around the vertical axis.

또 이 예에서는 반송 블럭 (B2)의 윗쪽측과 처리 블럭 (B3)의 제3의 반송 수단 (31)이 설치되고 있는 영역의 윗쪽측에는 회전날개가 붙은 팬과 ULPA 필터나 케 미컬 필터로 구성된 팬 필터 유니트(FFU, 35)가 설치되어 이 팬 필터 유니트 (35)에 의해 파티클 및 아암모니아 성분이 제거되어 청정화된 공기가 반송 블럭 (B2)내의 하부측 및 제3의 반송 수단 (31)이 설치되고 있는 영역의 하부 측에 각각 공급되게 되어 있다. 또한 처리 블럭 (B3)내의 선반 유니트(U2· U3)가 설치되고 있는 영역의 윗쪽측과 처리 블럭 (B3)내의 액처리 유니트군 (U1)이 설치되고 있는 영역의 윗쪽측과 각각 전장 품격납부(Elec, 36)이 설치되어 이 안에는 반송 수단 등의 모터에 접속되는 드라이버나 각 유니트에 접속되는 I/0 보트나 각 유니트를 제어하는 제어부 등이 격납된다.In this example, a fan with a rotary blade and a fan composed of a ULPA filter or a chemical filter are provided on the upper side of the conveying block B2 and the upper side of the region where the third conveying means 31 of the processing block B3 is provided. A filter unit (FFU, 35) is installed so that the particles and ammonia components are removed by the fan filter unit 35, and the lower side and the third conveying means 31 in the conveying block B2 are provided. It is supplied to the lower side of the area | region currently made, respectively. In addition, the upper side of the area where the shelf units U2 and U3 in the processing block B3 are installed, and the upper side of the area where the liquid processing unit group U1 in the processing block B3 is installed, and the total length storage unit ( Elec, 36) is installed in which a driver connected to a motor such as a conveying means, an I / 0 boat connected to each unit, a control unit for controlling each unit, and the like are stored.

액처리 유니트군 (U1)의 아래쪽측의 바닥면 가까운 곳에는 현상액이나 반사 방지막형성액 등의 도포액등의 약액이나 온도 조절용 유체 현상액 불활성 가스등의 각각의 탱크 등을 수납한 케미컬 유니트 (U4)가 설치됨과 동시에 선반 유니트(U2· U3)의 하부측의 바닥면 가까운 곳에는 외부에서 용력을 수중에 넣기 위한 복수의 용력 라인을 구비한 제1의 용력 유니트 (U5)가 설치되고 있다. 복수의 용력 라인은 서로 다른 용력을 공급하는 것이고 그들 복수의 용력 라인의 각각은 하류측에서 분기되어 각 처리 유니트에 이끌리고 있다. 구체적으로는 용력 유니트 (U5)에는 예를 들면 도 5 ·도 6A 및 도 6B에 나타나는 바와 같이 온도 조절용 유체를 이루는 시수 ·현상액 등의 약액 불활성 가스나 드라이 에어의 공급 라인 등을 포함한 제1의 용력 라인 (41)과 해당 처리 블럭 (B3)에 설치된 액처리계 유니트 가열·냉각계 유니트 등을 작동시키기 위한 급전선이나 INPUT/OUTPUT인 I/O신호선 등의 신호선을 포함한 제2의 용력 라인 (42)가 설치되고 있다. 여기서 케미컬 유니트 (U4)의 약액 등의 탱크는 제1의 용력 라인 (41)과 접속되고 있다.Near the bottom surface of the lower side of the liquid treatment unit group U1, a chemical unit U4, which stores chemical tanks such as a developer, an antireflection film-forming solution, and a tank, such as a temperature control fluid developer, an inert gas, etc. At the same time, near the bottom surface of the lower side of the shelf units U2 and U3, a first force unit U5 is provided with a plurality of force lines for taking in force from the outside. The plurality of power lines supply different powers, and each of the plurality of power lines is branched on the downstream side and drawn to each processing unit. Specifically, the first unit including the chemical liquid inert gas, such as the time and developer, which forms the fluid for temperature control, and the supply line of dry air, as shown in FIGS. 5, 6A, and 6B, for example, in the force unit U5. Second power line 42 including signal lines, such as a feed line for operating the liquid processing system heating / cooling system unit installed in the line 41 and the corresponding processing block B3, or an I / O signal line that is an INPUT / OUTPUT. Is being installed. Here, a tank such as a chemical liquid of the chemical unit U4 is connected to the first pressure line 41.

제 1 및 제2의 용력 라인 (41,42)는 외부의 대응하는 용력 라인의 접속단에 대해서 탈착할 수 있도록 구성된 각 용력 라인의 접속단 (41a, 42a)를 구비하고 있다. 한편 반송 블럭 (B2)에는 도 7에 나타나는 바와 같이 제1의 용력 유니트 (U5)에 대응하는 외부측의 제2의 용력 유니트 (U6)가 설치되고 있고 이 용력 유니트 (U6)는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)의 하부 측에 외부의 용력 라인의 접속단 (41b, 42b)를 구비하고 있다(도 3 참조). 또 제2의 용력 유니트 (U6)의 외부의 용력 라인의 접속단 (41b, 42b)의 타단측은 시수나 현상액 불활성 가스나 드라이 에어의 공급원 ·급전케이블 (I/0) 신호선 등에 각각 접속되고 있다. 이렇게 해 처리 블럭 (B3)을 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)측에 밀어 넣을때에 외부측(반송 블럭 (B2)측)의 접속단 (41b, 42b)와 처리 블럭 (B3)측의 접속단 (41a, 42a)가 접속되도록 구성되고 있다. 여기서 반송 블럭 (B2)측의 용력 라인은 전장품 격납부 (36)을 개재하여 각 유니트에 분기되게 되어 있다.The first and second melt lines 41 and 42 have connection ends 41a and 42a of the respective melt lines configured to be detachable with respect to the connect ends of external corresponding melt lines. On the other hand, as shown in FIG. 7, the conveyance block B2 is provided with the 2nd external force unit U6 of the outer side corresponding to the 1st force unit U5, and this force unit U6 is a conveyance block B2. The lower end side of the 2nd conveyance means 23 of () is provided with the connection end 41b, 42b of an external force line (refer FIG. 3). The other end side of the connection ends 41b and 42b of the external power line of the second power unit U6 is connected to the time signal, the developer inert gas, the supply source / feed cable (I / 0) signal line of the dry air, and the like, respectively. In this way, when the processing block B3 is pushed onto the second conveying means 23 side of the conveying block B2, the connection ends 41b and 42b and the processing block (on the outer side (the conveying block B2 side)) The connection ends 41a and 42a of B3) side are comprised so that it may be connected. Here, the melt line on the side of the conveying block B2 is branched to each unit via the electrical component storage part 36.

제2의 처리 블럭 (B4)의 제1의 처리 블럭 (B3)의 반대측은 인터페이스부 (B5)를 개재하여 노광 장치 (B6)와 접속되고 있다. 또 인터페이스부 (B5)는 반송 블럭 (B2)의 캐리어 블럭 (B1)에 접속된 측의 반대측과 접속하도록 설정되어 있다. 인터페이스부 (B5)는 수수 수단 (26)을 구비하고 있고 이 수수 수단 (26)은 예를 들면 승강 자유· 좌우 전후에 이동 자유 또한 수직축주위에 회전 자유롭게 구성되어 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)과 노광 장치 (B6)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 실시하게 되어 있다. 여기서 인터페이스부 (B5)의 반송 블럭 (B2)가 접속된 영역의 근방에는 인터페이스부 (B5)의 수수 수단 (26)과 반송 블럭 (B2)의 반송 수단 (23)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 예를 들면 2단으로 구성된 수수 스테이지 (27)이 설치되고 있다. 또한 수수 스테이지 (27)은 반송 블럭 (B2)내부로서 제2의 반송 수단 (23)과 인터페이스부 (B5)의 수수 수단 (26)이 액세스 할 수 있는 영역에 설치하도록 해도 좋고 1단 구성의 것으로서도 좋다.The opposite side to the first processing block B3 of the second processing block B4 is connected to the exposure apparatus B6 via the interface portion B5. The interface unit B5 is set to be connected to the side opposite to the side connected to the carrier block B1 of the transfer block B2. The interface part B5 is provided with the receiving means 26, and this receiving means 26 is comprised, for example by lifting freedom, right and left, left and right, moving freedom, and being rotatable about a vertical axis, and the 2nd of the conveying block B2 is carried out. The wafer W is passed between the transfer means 23 and the exposure apparatus B6. Here, in the vicinity of the region where the conveying block B2 of the interface portion B5 is connected, the wafer W is placed between the receiving means 26 of the interface portion B5 and the conveying means 23 of the conveying block B2. For example, two stages of a sorghum stage 27 for carrying out sorghum are provided. The delivery stage 27 may be provided in the area accessible to the delivery means 26 of the second conveying means 23 and the interface portion B5 as the inside of the conveying block B2. Also good.

또 이 예에서는 캐리어 블럭 (B1)과 제1의 처리 블럭 (B3)의 사이의 공간은 처리 블럭 1대분을 수납할 수 있는 공간으로서 구성되고 있어 새롭게 처리 블럭 (B0)를 장착할 수 있게 되어 있다. 여기서 예를 들면 캐리어 블럭 (B1)과 반송 블럭 (B2)의 사이는 회전축 (28)을 개재하여 접속되고 있고 새롭게 처리 블럭 (B0)를 조립하는 경우에는 도 8A에 나타나는 바와 같이 캐리어 블럭 (B1)을 회전축 (28)을 개재하여 회동시켜 반송 블럭 (B2)로부터 분리하고 반송 블럭 (B2)와 캐리어 블럭 (B1)의 사이를 연 상태로 해당 공간내에 새로운 처리 블럭 (B0)를 반송하고 기술과 같이 해당 처리 블럭 (B0)를 반송 블럭 (B2)로 인입하여 처리 블럭 (B0)측의 용력 라인의 접속단 (41a, 42a)와 반송 블럭 (B2)측의 용력 라인의 접속단 (41b, 42b)동지를 접속해(도 6A 참조) 반송 블럭 (B2)에 경첩 (528)을 이용해 새로운 처리 블럭 (B0)를 장착하고 그 다음에 도 8B에 나타나는 바와 같이 캐리어 블럭 (B1)을 원래의 위치 즉 캐리어 재치부 (21)이 반송 블럭 (B2)와 새로운 처리 블럭 (B0)에 인접하는 위치까지 되돌린다. 즉 캐리어 블럭 (B1)은 반송 블럭 (B2)의 단부에 설치된 회전축 (28)을 중심으로 해 회전하는 것이 가능하다. 처리 블럭 (B0)(B3)(B4)는 반송 블럭 (B2)에 경첩 (528)에 의해 장착된 후 경첩 (528)을 중심으로 해 회전되는 것으로 위치 결정된다.In this example, the space between the carrier block B1 and the first processing block B3 is configured as a space that can accommodate one processing block, so that the processing block B0 can be newly installed. . Here, for example, between the carrier block B1 and the conveying block B2 is connected via the rotating shaft 28, and when a new process block B0 is assembled, the carrier block B1 is shown in Fig. 8A. Is rotated via the rotating shaft 28 to separate it from the conveying block B2, and the new processing block B0 is conveyed in the space with the conveying block B2 and the carrier block B1 open, and as described in the description, The processing block B0 is introduced into the conveying block B2 to connect the connecting ends 41a and 42a of the melt line on the processing block B0 side and the connecting ends 41b and 42b of the melt line on the conveying block B2 side. Connect the same (see Fig. 6A) and attach the new processing block B0 with the hinge 528 to the transfer block B2, and then move the carrier block B1 to its original position, namely the carrier, as shown in Fig. 8B. The placement unit 21 is adjacent to the transfer block B2 and the new processing block B0. It returns to the position. That is, the carrier block B1 can be rotated about the rotating shaft 28 provided in the edge part of the conveying block B2. The processing blocks B0 (B3) and B4 are positioned to be rotated about the hinge 528 after being mounted on the conveying block B2 by the hinge 528.

이 때 예를 들면 도 9·도 10에 나타나는 바와 같이 처리 블럭 (B0)의 하단 측에는 예를 들면 처리 블럭 (BO)의 진행 방향(반송 블럭 (B2)측으로 진행하는 방향)의 전방측과 후방측의 진행 방향으로부터 볼때 폭방향의 양측으로 캐스터 (43)이 장착되고 있다. 한편 반송 블럭 (B2)의 하부 측에는 폭방향의 캐스터 (43) 동지의 간격보다 좁은 폭의 가이드 부재를 이루는 가이드 플레이트 (44)가 설치되고 있고 이 가이드 플레이트 (44)의 양측을 캐스터 (43)이 통과하게 되어 있다. 또 가이드 플레이트 (44)의 반입측(앞측)과 처리 블럭 (B0)의 하단측의 반입측(앞측)에는 처리 블럭 (BO)를 반송 블럭 (B2)에 장착했을 때에 원터치로 맞춤 접속할 수 있는 고정 부재 (45;45a, 45b)가 설치되고 있다. 이 고정 부재 (45)는 위치 결정 부재로서도 작용하는 것이다.At this time, for example, as shown in Figs. 9 and 10, the lower end side of the processing block B0 is, for example, the front side and the rear side of the advancing direction of the processing block BO (the direction advancing to the transport block B2 side). The caster 43 is attached to both sides of the width direction when viewed from the advancing direction of. On the other hand, the lower side of the conveying block B2 is provided with the guide plate 44 which forms the guide member of the width | variety narrower than the space | interval of the caster 43 of the width direction, and the caster 43 has both sides of this guide plate 44. It is supposed to pass. In addition, the fixed side which can be connected by one-touch when the process block BO is attached to the conveyance block B2 to the carry-in side (front side) of the guide plate 44 and the carry-in side (front side) of the lower end side of the process block B0 is fixed. The members 45; 45a and 45b are provided. This fixing member 45 also acts as a positioning member.

이 예에서는 처리 블럭 (B0)를 새롭게 장착 할 경우에는 예를 들면 처리 블럭 (B0)를 캐스터 (43)이 가이드 플레이트 (44)의 양측을 통과하도록 끌어 들여 처리 블럭 (B0)와 가이드 플레이트 (44)가 고정 부재 (45)에 의해 위치 결정되어 맞춤 접속되면 처리 블럭 (B0)측의 용력 라인의 접속단 (41a, 42a)와 외부(반송 블럭 (B2)) 측의 용력 라인의 접속단 (41b, 42b)가 일괄해 접속된다. 또한 처리 블럭 (B0)를 끌어 들이기 위해서 설치된 가이드 플레이트 (44)나 고정 부재 (45)는 처리 블럭 (B0)와 인접하는 캐리어 블럭 (B1)나 제1의 처리 블럭 (B3)의 측부에 마련하도록(듯이) 해도 괜찮다. In this example, when the processing block B0 is newly mounted, for example, the processing block B0 is pulled in so that the caster 43 passes through both sides of the guide plate 44, and the processing block B0 and the guide plate 44 Is positioned by the fixing member 45 and is connected to the fitting line 41b, 42a of the melt line on the processing block B0 side, and the connecting end 41b of the melt line on the outside (conveying block B2) side. , 42b) are collectively connected. Further, the guide plate 44 or the fixing member 45 provided to attract the processing block B0 is provided on the side of the carrier block B1 or the first processing block B3 adjacent to the processing block B0. You may do it.

여기서 도 3중 (29a, 29b)는 반송 블럭 (B2)의 처리 블럭 (B0)의 수수 유니 트 (TRS1) TRS2에 대응하는 위치에 형성된 웨이퍼 (W)의 반송구이고 웨이퍼 (W)는 이 반송구 (29a, 29b)를 개재하여 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 의해 해당 처리 블럭 (B0)내에 수수되어진다.Here, FIGS. 3A and 29B are conveyance ports of the wafer W formed at positions corresponding to the feed unit TRS1 TRS2 of the processing block B0 of the transfer block B2, and the wafer W is this conveyance. It is received in the processing block B0 by the second conveying means 23 of the conveying block B2 via the spheres 29a and 29b.

이어서 처리 블럭 (B3)(B4)에 설치되는 도포 유니트 (32)나 가열 유니트(PEB) 등의 구성에 대해서 간단하게 설명한다. 먼저 도포 유니트 (32)에 대해서 도 11을 이용해 설명한다. 도포 유니트는 공지인 기판상에 처리액을 공급해 회전시켜 액을 펼치는 스핀 도포식의 구성을 이용해도 괜찮지만 여기에서는 스캔식 도포 장치를 예로 해 설명한다. 웨이퍼 (W)의 주변부는 일부 노치되어 있고 웨이퍼 (W)의 방향을 나타내는 노치 (N)이 설치되고 있다. 도안에 51은 기판 보지부이고 웨이퍼 (W)의 이면측을 흡착해 대략 수평으로 유지하는 흡착부 (51a)와 흡착부 (51a)를 승강 자유 및 수직축 주위에 회동 자유롭게 함과 동시에 X방향으로 이동 가능한 구동 기체 (52)로 구성되고 구동 기체 (52)는 그 하단을 이동체 (53)에 의해 지지를 받고 있다.Next, the structure of the application | coating unit 32, heating unit (PEB), etc. which are provided in process block B3 (B4) is demonstrated easily. First, the coating unit 32 is demonstrated using FIG. Although the coating unit may use the structure of the spin coating which feeds a process liquid on a well-known board | substrate, and rotates and spread | disperses a liquid, it demonstrates here as an example of a scanning coating apparatus. The periphery of the wafer W is partially notched and a notch N indicating the direction of the wafer W is provided. 51 is a board | substrate holding | maintenance part, and the adsorption | suction part 51a and adsorption | suction part 51a which adsorb | suck and hold | maintain substantially horizontally by adsorb | sucking the back side of the wafer W are made to move freely about the vertical axis | shaft, and move to X direction simultaneously. It consists of the possible drive body 52, and the drive body 52 is supported by the movable body 53 at the lower end.

이 이동체 (53)의 바닥면 근방에는 모터 (M1)에 의해 구동되는 볼 나사부 (54)가 설치되고 모터 (M1)이 볼 나사부 (54)를 회전시키는 것으로 이동체 (53)은 도하지 않은 레일에 가이드되어 도안 Y방향으로 이동 하도록 되어 있다. 또 이동체 (53)의 상면에는 구동 기체 (52)를 X방향으로 가이드 하는 미도시의 레일이 설치되고 있고 구동 기체 (52) 및 이동체 (53)의 기능에 의해 기판 보지부 (51)에 보지되는 웨이퍼 (W)가 각각 X 및 Y 방향의 임의의 위치로 이동 가능하게 구성되고 있다. 이들 이동체 (53)· 미도시 레일· 볼 나사부 (54)및 모터 (M1)에 의해 웨이퍼 (W) 를 웨이퍼 (W)의 윗쪽 측에 설치된 도포액 노즐 (55)에 대해서 상대적으로 전후방향으로 이동시킨다. 즉 웨이퍼 (W)를 도 11에 있어서의 Y축 방향으로 이동시키게 되어 있다.In the vicinity of the bottom surface of the movable body 53, a ball screw portion 54 driven by the motor M1 is provided, and the motor M1 rotates the ball screw portion 54, so that the movable body 53 is placed on a rail which is not turned. It is guided to move in the Y direction. Moreover, the rail of the figure which guides the drive body 52 to the X direction is provided in the upper surface of the movable body 53, and is hold | maintained by the board | substrate holding part 51 by the function of the drive body 52 and the movable body 53. The wafer W is configured to be movable to arbitrary positions in the X and Y directions, respectively. The movable body 53, the rail, the ball screw part 54, and the motor M1 move the wafer W relative to the coating liquid nozzle 55 provided on the upper side of the wafer W in the front-rear direction. Let's do it. That is, the wafer W is moved in the Y-axis direction in FIG.

도포액 노즐 (55)는 도시하지 않는 구동 풀리와 종동 풀리와 이들 각 풀리에 걸쳐지는 엔드레스 벨트와 구동 풀리를 회전시키는 모터 (M2)등이 조립되어 X방향으로 연장하는 직사각형 형상의 구동 기체 (56)에 의해 X방향으로 이동 자유롭게 구성되고 있다. 도중 (57; 57a, 57b)은 윗쪽으로부터 낙하해 오는 도포액을 받아서웨이퍼 (W)의 외주변 근방 영역으로의 도포액의 공급을 막기 위한 한 쌍의 액받이부이다.The coating liquid nozzle 55 has a rectangular drive body 56 assembled with a driving pulley (not shown) and a driven pulley, an endless belt and a motor M2 for rotating the driving pulley, and extending in the X direction. Is configured to move freely in the X direction. The middle 57 (57a, 57b) is a pair of liquid receiving portions for receiving the coating liquid falling from the top and preventing the supply of the coating liquid to the area around the outer periphery of the wafer (W).

이 도포 유니트 (32)에 있어서는 도포액노즐 (55)가 웨이퍼의 일단면으로부터 타단면으로 이동하면 그 타이밍에 맞추어 웨이퍼 (W)가 거기에 교차하는 방향으로 간헐적으로 보내진다. 이러한 동작을 반복하는 것으로 이른바 한번에 획을 긋는 요령으로 도포액이 웨이퍼 (W)에 도포되도록 되어 있다.In this coating unit 32, when the coating liquid nozzle 55 moves from one end surface to the other end surface of the wafer, the wafer W is intermittently sent in a direction intersecting with the timing. By repeating such an operation, the coating liquid is applied to the wafer W by the so-called stroke stroke.

또 반사 방지막형성 유니트 (34)는 예를 들면 도포 유니트 (32)와 동일하게 구성되고 있고 도포 유니트 (32)의 다음 공정의 처리 유니트인 감압 건조 유니트(VD)는 예를 들면 밀폐 용기내에서 소정의 진공도로 감압하면서 웨이퍼 (W)를 소정 온도로 가열함으로써 도포막안의 용매를 증발시켜 이것에 의해 도포막을 형성하도록 구성되고 있다. 또한 현상 유니트 (33)은 공급 노즐로부터 웨이퍼 (W)의 중앙부에 웨이퍼 (W)의 지름 방향의 폭을 따라 현상액을 공급함과 동시에 웨이퍼 (W)를 반회전시키는 것으로 웨이퍼 (W)상에 현상액을 액활성해 이렇게 해 웨이퍼 (W)상에 현상액을 소정 시간 액활성한채로의 상태로 해 소정의 현상 처리를 행하게 되어 있다.The antireflection film forming unit 34 is configured in the same manner as the coating unit 32, for example, and the vacuum drying unit VD, which is a processing unit of the next step of the coating unit 32, is, for example, prescribed in a sealed container. The solvent in the coating film is evaporated by forming the coating film by heating the wafer W to a predetermined temperature while reducing the vacuum degree. Further, the developing unit 33 supplies the developer along the width in the radial direction of the wafer W from the supply nozzle to the center of the wafer W, and simultaneously rotates the wafer W to develop the developer on the wafer W. In this way, the developing solution is kept in the state of being active for a predetermined time on the wafer W, thereby performing a predetermined developing process.

또 가열 유니트인 포스트 익스포져 베이킹 유니트(PEB)에 대해서 도 12에 의해 설명한다. 프레임체 (6)안에는 스테이지 (60)의 상면에 전방 측에 냉각 플레이트 (61)이 ; 후방 측에 히터 (62a)를 구비한 가열 플레이트 (62)가 각각 설치되고 있다. 냉각 플레이트 (61)은 프레임체 (6)내에 셔터 (63a)를 구비한 개구부 (63)을 개재하여 진입해 오는 제3의 반송 수단 (31)과 가열 플레이트 (62)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 실시함과 동시에 반송시에 있어서는 가열된 웨이퍼 (W)를 결점 냉각하는(조열잡기를 실시한다) 역할을 가지는 것이다. 이 때문에 도에 나타나는 바와 같이 다리부 (61a)가 도시하지 않는 가이드 수단을 따라 Y방향으로 진퇴 가능하게 구성되고 있어 이것에 의해 냉각 플레이트 (61)이 개구부 (63)의 옆쪽 위치로부터 가열 플레이트 (62)의 윗쪽 위치까지 이동할 수 있게 되어 있다. 또 냉각 플레이트 (61)의 이면 측에는 도시하지 않는 냉각 유로가 설치되고 있다.In addition, the post exposure baking unit PEB which is a heating unit is demonstrated by FIG. In the frame 6, the cooling plate 61 is provided in the front side on the upper surface of the stage 60; The heating plate 62 provided with the heater 62a is provided in the back side, respectively. The cooling plate 61 is a wafer W between the third conveying means 31 and the heating plate 62 which enter through the opening 63 provided with the shutter 63a in the frame 6. At the time of conveyance, the wafer W has a role of cooling (heat-collecting) the defect of the heated wafer W. For this reason, as shown in the figure, the leg part 61a is comprised so that it can move forward and backward along the guide means which is not shown in figure, and by this, the cooling plate 61 moves from the side position of the opening part 63 to the heating plate 62. It is possible to move to the upper position of). Moreover, the cooling flow path which is not shown in figure is provided in the back surface side of the cooling plate 61. As shown in FIG.

스테이지 (60)에 있어서의 제3의 반송 수단 (31)과 냉각 플레이트 (61)의 웨이퍼 (W)의 수수 위치 및 가열 플레이트 (62)와 냉각 플레이트 (61)의 웨이퍼 (W)의 수수 위치의 각각에는 지지 빔 (64)가 출몰 자유롭게 설치되고 있고 냉각 플레이트 (61)에는 이들 지지 빔 (64)가 상승했을 때에 해당 냉각 플레이트 (61)을 관통해 웨이퍼 (W)를 들어 올릴 수가 있도록 도시하지 않는 슬릿이 형성되고 있다. 도중 66은 팬 (66a)를 개재하여 연통하는 환기실이고 도중 67은 팬 (66a)를 구비한환기구이다.Of the transfer position of the third conveying means 31 and the wafer W of the cooling plate 61 and the transfer position of the wafer W of the heating plate 62 and the cooling plate 61 in the stage 60. The support beams 64 are freely installed in each of them, and the cooling plate 61 is not shown so as to be able to lift the wafer W through the cooling plate 61 when the support beams 64 are raised. Slits are forming. 66 is a ventilation chamber which communicates through the fan 66a, and 67 is a ring mechanism provided with the fan 66a.

이러한 가열 유니트(PEB)에서는 웨이퍼 (W)는 제3의 반송 수단 (31)으로부터 냉각 플레이트 (61)상에 수수되고 그 다음에 냉각 플레이트 (61)에 의해 가열 플레이트 (62)상에 수수되고 여기서 소정의 가열 처리를 한다. 가열 처리 후의 웨이퍼는 가열 플레이트 (62)로부터 다시 냉각 플레이트 (61)에 수취되어 여기서 결점 냉각된 후 제3의 반송 수단에 수취되어 다음 공정에 반송된다.In this heating unit PEB the wafer W is received on the cooling plate 61 from the third conveying means 31 and then on the heating plate 62 by the cooling plate 61, where The predetermined heat treatment is performed. The wafer after the heat treatment is again received by the cooling plate 61 from the heating plate 62, and after that it is defect cooled, is received by a third conveying means and conveyed to the next step.

또 그 외의 가열 유니트(LHP)(PAB)는 각각 웨이퍼 (W)를 소정 온도까지 가열하기 위한 가열 플레이트만을 구비하는 구성이고 온조유니트(CPL)는 웨이퍼 (W)를 소정 온도로 조정하기 위한 냉각 플레이트만을 구비하는 구성이다.In addition, the other heating unit LHP (PAB) is provided with the heating plate only for heating the wafer W to predetermined temperature, respectively, and the temperature control unit CPL is a cooling plate for adjusting the wafer W to predetermined temperature. It is a structure provided with only.

또 제3의 반송 수단 (31)에 대해서 도 13에 의해 설명하면 이 반송 수단 (31)은 웨이퍼 (W)를 보지하는 예를 들면 3매의 아암 (71)과 이 아암 (71)을 진퇴 자유롭게 지지하는 기초대 (72)와 이 기초대 (72)를 승강 자유롭게 지지하는 한 쌍의 안내 레일 (73a, 73b)와 이들 안내 레일 (73a, 73b)의 상단 및 하단을 각각 연결하는 연결 부재 (74a, 74b)와 안내 레일 (73a, 73b) 및 연결 부재 (74a, 74b)로 이루어지는 틀을 수직축주위에 회전 자유롭게 구동하기 위해서 안내 레일 하단의 연결 부재 (74b)에 일체적으로 장착된 회전 구동부 (75)와 안내 레일 상단의 연결 부재 (74a)에 설치된 회전축부 (76)을 구비하고 있다.In addition, when the 3rd conveyance means 31 is demonstrated with reference to FIG. 13, the 3rd conveyance means 31 hold | maintains the wafer W, for example, three arm 71 and this arm 71 can move forward and backward freely. A base 72 for supporting, a pair of guide rails 73a and 73b for freely supporting the base 72, and a connecting member 74a for connecting the upper and lower ends of these guide rails 73a and 73b, respectively. , 75b, a rotary drive unit 75 integrally mounted to the connecting member 74b at the bottom of the guide rail to freely drive the frame consisting of the guide rails 73a and 73b and the connecting members 74a and 74b around the vertical axis. ) And a rotating shaft portion 76 provided on the connecting member 74a at the upper end of the guide rail.

아암 (71)은 각각 웨이퍼 (W)를 보지할 수 있도록 3단 구성으로 되어 있고 아암 (71)의 기단부는 기초대의 긴 방향을 따라 슬라이드 이동할 수 있게 되어 있다. 그 슬라이드 이동에 의한 아암 (71)의 진퇴 이동은 도시하지 않는 구동 수단에 의해 구동 제어된다. 또 기초대 (72)의 승강 이동은 도시하지 않는 다른 구동 수단 에 의해 구동 제어된다. 이와 같이 해 아암 (71)은 수직축 주위에 회전 자유 또한 승강 자유 또한 진퇴 자유롭게 구동되게 되어 있다.The arm 71 has a three-stage configuration so as to hold the wafer W, respectively, and the proximal end of the arm 71 can slide in the longitudinal direction of the base. The forward and backward movement of the arm 71 by the slide movement is drive-controlled by the drive means not shown. In addition, the elevating movement of the base stage 72 is drive-controlled by the other drive means which is not shown in figure. In this way, the arm 71 is driven to rotate freely and to raise and lower freely about the vertical axis.

이러한 기판 처리 장치에 있어서의 웨이퍼의 흐름에 대해서 제1의 처리 블럭 (B3) 및 제2의 처리 블럭 (B4)에서 웨이퍼 (W)에 대해서 같은 품종의 도포막을 형성하는 경우를 예로 해 설명하면 자동 반송 로보트(혹은 작업자)에 의해 예를 들면 25매의 웨이퍼 (W)를 수납한 캐리어 (C)가 외부로부터 캐리어 블럭 (B1)의 캐리어 재치부 (21)에 반입된다. 그 다음에 제1의 반송 수단 (22)에 의해 이들 캐리어 (C)내로부터 n번째의 웨이퍼 (W)가 꺼내져 캐리어 블럭 (B1)의 수수 스테이지 (24)에 수수되어진다. 이 수수 스테이지 (24)의 웨이퍼 (W)는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 의해 예를 들면 제1의 처리 블럭 (B3)의 수수 유니트 (TRS1)을 개재하여 제3의 반송 수단 (31)에 수수되어진다. 동일하게 캐리어 (C)내의(n+1) 번째의 웨이퍼 (W)는 캐리어 블럭 (B1)의 수수 스테이지 (24) ·반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)을 개재하여 예를 들면 제2의 처리 블럭 (B4)의 수수 유니트 (TRS1)를 개재하여 제3의 반송 수단 (31)에 수수되어진다. 이렇게 해 캐리어 (C)내의 웨이퍼 (W)는 예를 들면 제1의 처리 블럭 (B3)와 제2의 처리 블럭 (B4)로 차례로 수수되어진다.The flow of the wafer in such a substrate processing apparatus will be described automatically using an example in which the first processing block B3 and the second processing block B4 form the same kind of coating film for the wafer W. The carrier C which accommodated 25 wafers W, for example by the conveyance robot (or operator) is carried in from the outside to the carrier mounting part 21 of the carrier block B1. Next, the nth wafer W is taken out from these carriers C by the 1st conveyance means 22, and is received by the delivery stage 24 of the carrier block B1. The wafer W of this delivery stage 24 is connected by the 2nd conveying means 23 of the conveying block B2, for example to the 3rd through the conveying unit TRS1 of the 1st process block B3. The conveyance means 31 is received. Similarly, the (n + 1) th wafer W in the carrier C is exemplified through the second transfer means 23 of the transfer stage 24 and the transfer block B2 of the carrier block B1. For example, it is received by the 3rd conveying means 31 through the feed unit TRS1 of the 2nd process block B4. In this way, the wafer W in the carrier C is passed to, for example, the first processing block B3 and the second processing block B4.

이 예에서는 제1의 처리 블럭 (B3)와 제2의 처리 블럭 (B4)는 같은 품종의 처리 예를 들면 레지스트막의 형성 처리가 블럭 단위로 행해지므로 여기에서는 제1의 처리 블럭 (B3)을 예로 해 처리 블럭 (B3)내에서의 웨이퍼 (W)의 흐름에 대해서 설명한다. 먼저 수수 유니트 (TRS1)의 웨이퍼 (W)는 제3의 반송 수단 (31)에 의해 온조유니트(CPL)→반사 방지막형성 유니트(Bottom-ARC, 34)→감압 건조 유니트(VD)의 순서로 반송되어 반사 방지막이 형성된 후 가열 유니트(LHP)→온조유니트(CPL) →도포 유니트 (32)→ 감압 건조 유니트(VD)의 순서로 반송되어 레지스트액의 도포 처리가 행해진다. 이 때 종래의 스핀식 도포 장치를 이용했을 경우에는 조건에 의해 반드시 감압 건조 유니트(VD)는 필요하지 않다.In this example, the first processing block B3 and the second processing block B4 perform the same kind of processing, for example, the formation of a resist film in units of blocks. Here, the first processing block B3 is used as an example. The flow of the wafer W in the solution processing block B3 will be described. First, the wafer W of the sorghum unit TRS1 is conveyed by the third conveying means 31 in the order of the temperature unit (CPL)-> anti-reflective film forming unit (Bottom-ARC, 34)-> pressure reduction drying unit (VD). After the anti-reflective film is formed, it is conveyed in the order of the heating unit (LHP)-> bath unit (CPL)-> application unit 32-> pressure reduction drying unit (VD), and the coating process of a resist liquid is performed. At this time, in the case of using a conventional spin coating device, the vacuum drying unit VD is not necessarily required depending on the conditions.

가열 유니트(PAB)에서 소정의 가열 처리가 행해진 후 웨이퍼 (W)는 출력용의 수수 유니트 (TRS2)를 개재하여 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 수수되고 이 제2의 반송 수단 (23)에 의해 인터페이스부 (B5)의 수수 스테이지 (27)에 수수되어진다. 그 다음에 웨이퍼 (W)는 인터페이스부 (B5)의 수수 수단 (26)에 의해 노광 장치 (B6)에 반송되어 소정의 노광 처리가 행해진다.After the predetermined heat treatment is performed in the heating unit PAB, the wafer W is received by the second conveying means 23 of the conveying block B2 via the conveying unit TRS2 for output, and the second conveyance is carried out. The means 23 is passed to the delivery stage 27 of the interface portion B5. Then, the wafer W is conveyed to the exposure apparatus B6 by the conveying means 26 of the interface part B5, and a predetermined exposure process is performed.

노광 후의 웨이퍼 (W)는 다시 인터페이스부 (B5)의 수수 수단 (26)· 수수 스테이지 (27)· 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)을 개재하여 레지스트액이 도포된 원래의 처리 블럭 즉 제1의 처리 블럭 (B3)의 입력용 수수 유니트(TRS1)을 개재하여 해당 처리 블럭 (B3)에 반송되어 여기서 제3의 반송 수단 (31)에 의해 가열 유니트(PEB)→온조유니트(CPL)→ 현상 유니트 (33)의 순서로 반송되어 소정의 현상 처리가 행해진 후 가열 유니트(LHP)에서 소정 온도로 조정되어 출력용 수수 유니트 (TRS2)를 개재하여 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 수수되어진다. 그리고 캐리어 블럭 (B1)의 수수 스테이지 (24)· 제 1의 수수 수단 (22)를 개재하여 예를 들면 원래의 캐리어 (C)내에 되돌려진다.The wafer W after the exposure is again coated with the resist liquid via the second conveying means 23 of the conveying means 26, the receiving stage 27, and the conveying block B2 of the interface portion B5. It is conveyed to the said processing block B3 via the process block, ie, the input and receiving unit TRS1 of the 1st process block B3, and here, by the 3rd conveying means 31, a heating unit PEB → a bath unit (CPL) → The developing unit 33 is conveyed in order, and a predetermined developing process is performed, and then adjusted to a predetermined temperature in the heating unit LHP, and the second unit of the conveying block B2 is interposed through the output feeding unit TRS2. It is passed to the conveying means 23. Then, for example, the carrier C is returned to the original carrier C via the delivery stage 24 and the first delivery means 22 of the carrier block B1.

동일하게 제2의 처리 블럭 (B4)에서 반사 방지막과 레지스트액이 도포된 웨 이퍼 (W)는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 의해 인터페이스부 (B5)를 개재하여 노광 장치 (B6)에 반송되어 소정의 노광 처리가 행해진 후 인터페이스부 (B5)· 제2의 반송 수단 (23)을 개재하여 레지스트액이 도포된 원래의 처리 블럭 즉 제2의 처리 블럭 (B4)에 되돌려져 여기서 현상 처리가 행해진다. 이 후 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)· 제1의 반송 수단 (22)를 개재하여 캐리어 블럭 (B1)에 되돌려진다.Similarly, the wafer W coated with the antireflection film and the resist liquid in the second processing block B4 is exposed through the interface portion B5 by the second transfer means 23 of the transfer block B2. After being conveyed to the apparatus B6 and subjected to a predetermined exposure process, the original processing block, that is, the second processing block B4 to which the resist liquid is applied, via the interface portion B5 and the second conveying means 23. It returns and the image development process is performed here. Subsequently, it returns to the carrier block B1 via the 2nd conveyance means 23 and the 1st conveyance means 22 of the conveyance block B2.

이와 같이 이 예에서는 제1의 처리 블럭 (B3)(또는 제2의 처리 블럭 (B4))에서 레지스트액이 도포된 웨이퍼 (W)는 해당 블럭 (B3)(B4)에서 현상 처리가 행해지도록 제1의 처리 블럭 (B3) 제2의 처리 블럭 (B4)의 각각에 있어서 블럭 단위로 하나의 품종의 도포막의 형성이 행해지고 각각의 처리 블럭 (B3)(B4)내에서 도포막의 형성이 완결하도록 되어 있다.As described above, in this example, the wafer W to which the resist liquid is applied in the first processing block B3 (or the second processing block B4) is subjected to the development processing in the corresponding blocks B3 and B4. In each processing block B3 of the second processing block B4, one kind of coating film is formed in units of blocks, and the formation of the coating film in each processing block B3 and B4 is completed. have.

이러한 구성에서는 반송 블럭 (B2)가 설치되고 있어 해당 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 의해 캐리어 블럭 (B1)와 각 처리 블럭 (B3)(B4) 동지의 사이나 각 처리 블럭 (B3)(B4)와 인터페이스부 (B5) 동지의 사이에서의 웨이퍼 (W)가 행해지도록 되어 있다. 또 각 처리 블럭 (B3)(B4)에서는 블럭마다 병렬처리가 행해진다. 즉 각 처리 블럭 (B3)(B4)의 제3의 반송 수단 (31)은 해당 처리 블럭 (B3)(B4)내에 있어서의 웨이퍼 (W)의 반송만을 담당하면 좋고 종래에 비해 해당 반송 수단 (31)의 부담이 경감한다. 이것에 의해 처리 후의 웨이퍼 (W)가 반송 수단 (31)에 의한 반송을 대기한다고 하는 사태가 일어나기 어렵고 반송 시간의 단축이 도모되고 장치 전체로부터 보면 수율의 향상을 도모할 수가 있다.In such a configuration, a conveying block B2 is provided, and between the carrier block B1 and each of the processing blocks B3 and B4 by the second conveying means 23 of the conveying block B2 or each process. The wafer W is performed between the blocks B3 and B4 and the interface portion B5. In each of the processing blocks B3 and B4, parallel processing is performed for each block. That is, the 3rd conveying means 31 of each processing block B3 (B4) should only be responsible for conveying the wafer W in the said processing block B3 (B4), and the said conveying means 31 compared with the past Burden is reduced. As a result, the situation in which the wafer W after the process is waiting for the conveyance by the conveying means 31 is unlikely to occur, the conveyance time can be shortened, and the yield can be improved when viewed from the whole apparatus.

또 처리 블럭은 반송 블럭 (B2)(장치 본체)에 대해서 탈착 자유롭게 설치되고 있으므로 납품시에는 처리 블럭을 1대 또는 2대로 해 두어 노광 장치 (B6)의 처리 매수의 조정에 맞추어 나중에 처리 블럭을 추가할 수가 있다. 즉 처리 블럭의 처리 매수를 예를 들면 10매/시간 정도 늘린다면 처리 블럭 마다의 조정에 의해 대응할 수 있지만 50매/시간 정도 늘리는 것은 곤란하다. 그렇지만 1개의 처리 블럭의 처리 매수는 50매 정도이므로 노광 장치 (B6)의 조정의 정도에 맞추어 처리 블럭 자체를 증가해 나가는 것으로 대폭적인 장치의 변경을 행하는 경우 없이 처리 블럭 토탈의 처리 매수를 50매10 100매10유 50매와 단계적으로 큰폭으로 증가시킬 수가 있다. 이 때문에 납품시의 설비투자나 처리 매수의 증가시의 장치의 변경에 필요로 하는 시간을 최소한으로 억제할 수가 있다.In addition, since the processing block is detachably installed with respect to the conveying block B2 (the main body of the apparatus), one or two processing blocks are provided at the time of delivery, and the processing block is later added in accordance with the adjustment of the number of sheets of the exposure apparatus B6. You can do it. In other words, if the number of processing blocks of a processing block is increased by, for example, 10 sheets / hour, it is possible to cope by adjustment for each processing block, but it is difficult to increase the number of processing blocks by about 50 sheets / hour. However, since the number of processing of one processing block is about 50, the processing block itself is increased in accordance with the degree of adjustment of the exposure apparatus B6 so that the total number of processing blocks of the processing block total 50 without changing the apparatus. 10 100 sheets 10 oil 50 sheets and can be greatly increased in stages. For this reason, the time required for the equipment investment at the time of delivery or the change of the apparatus at the time of increase in the number of processing can be minimized.

또 처리 블럭 단위로 하나의 품종의 처리가 완결하고 있으므로 출하전에 조정이나 조건출하를 미리 실시할 수가 있고 이것에 의해 처리 블럭의 증설시의 현지에서의 조정 작업의 수고나 시간을 삭감할 수가 있다.In addition, since the processing of one variety is completed on a processing block basis, adjustment and shipment of conditions can be carried out before shipment, thereby reducing the labor and time of on-site adjustment work at the time of expansion of the processing block.

흔하게 납품처의 각사마다 요구하는 처리 매수가 달라 특히 가열 유니트로 에서의 베이크 처리 등이 다른 경우에 있어서도 처리 블럭 단위로 처리가 완결하고 있어 해당 처리 블럭내에서의 반송 수단 (31)의 반송 프로그램만을 고려하면 좋기 때문에 종래와 같이 제1~제 3의 처리 블럭 (12A∼12C) 전체로 일련의 처리를 행하는 경우에 비해 1개의 처리 유니트에서의 처리 시간의 차이가 반송 수단 (31)에 주는 영향이 작아져 각사 마다의 처리 매수의 맞춤 포함이 쉽다.Usually, the number of treatments required by each of the suppliers is different, especially in the case where the baking treatment in the heating unit is different, and the processing is completed in units of processing blocks. Only the transfer program of the transfer means 31 in the processing block is considered. As a result, the influence of the difference in the processing time in one processing unit on the conveying means 31 is smaller than in the case of performing a series of processes in the entire first to third processing blocks 12A to 12C as in the related art. It is easy to include alignment of the number of the processing every each company.

또한 처리 블럭을 추가 할 경우에는 기술과 같이 처리 블럭측의 용력 라인의 접속단 (41a, 42a)와 외부(반송 블럭) 측의 용력 라인의 접속단 (41b, 42b)를 일괄해 접속하면 좋기 때문에 처리 블럭을 증설할 때의 용력계의 접속 작업이 용이하다.In addition, when the processing block is added, the connection ends 41a and 42a of the power line on the processing block side and the connection ends 41b and 42b of the power line on the external (carrying block) side may be collectively connected as in the description. It is easy to connect the pressure gauge when expanding the processing block.

이 실시의 형태에서는 복수의 처리 블럭에서 같은 품종의 처리를 행하는 경우를 예로 해 설명했지만 복수의 처리 블럭의 각각에 있어서 다른 품종의 처리를 행하도록 해도 괜찮다.In this embodiment, the case where the same varieties are processed in a plurality of processing blocks has been described as an example. However, the processing of different varieties may be performed in each of the plurality of processing blocks.

또 본 발명의 기판 처리 장치는 도 14~도 16과 같이 구성해도 괜찮다. 이 예의 기판 처리 장치가 상술의 예와 다른 점은 제1~제 3의 처리 블럭 (S1∼S3)의 내부의 구성 죄이다. 이 기판 처리 장치에 대해서 복수의 처리 블럭 (S1∼S3)에 다른 품종의 처리를 행하는 경우를 예로 해 설명한다. 3개의 처리 블럭 (S1∼S3)는 같은 크기로 형성되어 블럭마다 웨이퍼 (W)에 대해서 다른 품종의 일련의 처리를 실시하지만 처리 블럭에 배치 설치되는 처리 유니트의 레이아웃은 동일하게 구성되고 있다.Moreover, you may comprise the board | substrate processing apparatus of this invention like FIG. 14-16. The difference between the substrate processing apparatus of this example and the above-described example is the configuration of the interior of the first to third processing blocks S1 to S3. This substrate processing apparatus will be described using an example in which different types of processing are performed on the plurality of processing blocks S1 to S3. The three processing blocks S1 to S3 are formed in the same size to perform a series of different kinds of processing on the wafers W for each block, but the layout of the processing units arranged in the processing blocks is configured in the same manner.

즉 캐리어 블럭 (B1)측에서 볼때 앞측에 액처리계의 처리 유니트를 다단 예를 들면 5단으로 배열한 2개의 액처리 유니트군 (81A, 81B); 이 안쪽 측에는 제3의 반송 수단 (82)를 사이에 두고 가열·냉각계의 처리 유니트를 다단 예를 들면 10단과 6단으로 배열한 2개의 선반 유니트 (83A, 83B)가 각각 설치되고 있고 제3의 반송 수단 (82)에 의해 액처리 유니트군 (81A, 81B)· 선반 유니트 (83A, 83B)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 하게 되어 있다. 또 반송 블럭 (B2)측의 선반 유니트 (83A)는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 의해 액세스 할 수 있는 위치에 제2의 반송 수단 (23)과 제3의 반송 수단 (82)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 수수 스테이지를 이루는 수수 유니트(TRS1, TRS2)를 구비하고 있다.Namely, two liquid processing unit groups 81A and 81B in which the processing unit of the liquid processing system is arranged in multiple stages, for example, five stages, as viewed from the carrier block B1 side; On the inner side, two shelf units 83A and 83B are arranged, each arranged in multiple stages, for example, 10 stages and 6 stages, with a third transfer means 82 interposed therebetween. The conveying means 82 is used to transfer the wafers W between the liquid processing unit groups 81A and 81B and the shelf units 83A and 83B. Moreover, the 2nd conveying means 23 and the 3rd conveying means are located in the position where the shelf unit 83A of the conveying block B2 side is accessible by the 2nd conveying means 23 of the conveying block B2. Between the 82 is provided with the transfer unit TRS1 and TRS2 which form the transfer stage for carrying out the transfer of the wafer W. As shown in FIG.

제1의 처리 블럭 (S1)에서는 예를 들면 웨이퍼 (W)에 대해서 하층측 반사 방지막(BARC)과 레지스트막과 상층측 반사 방지막(TARC)을 형성하는 처리를 하도록 ;액처리 유니트군 (81A, 81B)에는 예를 들면 1개의 하층측 반사 방지막형성 유니트(BARC)와 1개의 도포 유니트(COT)와 1개의 상층측 반사 방지막형성 유니트(TARC)와 2개의 현상 유니트(DEV)가 배열되고 선반 유니트 (82A, 82B)에는 예를 들면 3개의 감압 건조 유니트(VD); 예를 들면 3개의 가열 유니트(LHP); 예를 들면 1개의 가열 유니트(PAB); 예를 들면 2개의 가열 유니트(PEB); 예를 들면 3개의 온조유니트(CPL) 외 예를 들면 2개의 수수 유니트(TRS1, TRS2) 등을 상하로 할당되어 있다.In the first processing block S1, for example, a process of forming a lower layer antireflection film BARC, a resist film and an upper layer antireflection film TARC is performed on the wafer W; 81B) includes, for example, one lower layer antireflection film forming unit (BARC) and one coating unit (COT), one upper layer antireflection film forming unit (TARC) and two developing units (DEV). 82A and 82B include, for example, three vacuum drying units VD; For example three heating units (LHP); For example one heating unit (PAB); Two heating units (PEB), for example; For example, three temperature units (CPL) and two other sorghum units (TRS1, TRS2) and the like are allocated up and down.

제2의 처리 블럭 (S2)에서는 예를 들면 웨이퍼 (W)에 대해서 레지스트막과 상층측 반사 방지막의 형성 처리를 하도록 액처리 유니트군 (81A, 81B)에는 예를 들면 1개의 도포 유니트(COT)와 1개의 상층측 반사 방지막형성 유니트(TARC)와 2개의 현상 유니트(DEV)가 배열되고 선반 유니트 (82A, 82B)에는 예를 들면 1개의 소수화 처리 유니트(ADH); 2개의 감압 건조 유니트(VD); 예를 들면 2개의 가열 유니트(LHP); 예를 들면 1개의 가열 유니트(PAB) ;예를 들면 2개의 가열 유니트(PEB) ;예를 들면 3개의 온조유니트(CPL) 외 예를 들면 2개의 수수 유니트(TRS1, TRS2) 등을 상하로 할당되어 있다.In the second processing block S2, for example, one coating unit COT is applied to the liquid processing unit groups 81A and 81B so as to process the formation of a resist film and an upper anti-reflection film on the wafer W, for example. And one upper anti-reflective film forming unit (TARC) and two developing units (DEV) are arranged, and the shelf units 82A and 82B include, for example, one hydrophobization processing unit (ADH); Two vacuum drying units (VD); For example two heating units (LHP); For example, one heating unit (PAB); for example, two heating units (PEB); for example, three temperature units (CPL), for example two sorghum units (TRS1, TRS2), etc. It is.

제3의 처리 블럭 (S3)에서는 예를 들면 웨이퍼 (W)에 대해서 하층측 반사 방지막과 레지스트막의 형성 처리를 하도록 액처리 유니트군 (81A, 81B)에는 예를 들 면 1개의 도포 유니트(COT)와 1개의 하층측 반사 방지막형성 유니트(BARC)와 2개의 현상 유니트(DEV)가 배열되고 선반 유니트 (82A, 82B)에는 예를 들면 2개의 감압 건조 유니트(VD); 예를 들면 3개의 가열 유니트(LHP); 예를 들면 1개의 가열 유니트(PAB); 예를 들면 2개의 가열 유니트(PEB); 예를 들면 3개의 온조유니트(CPL) 외 예를 들면 2개의 수수 유니트(TRS1, TRS2) 등을 상하로 할당되어 있다. 그 외의 구성은 상술의 도 1에 나타내는 기판 처리 장치와 동일하게 구성되고 있다.In the third processing block S3, for example, one coating unit COT is applied to the liquid processing unit groups 81A and 81B so that the lower layer side anti-reflection film and the resist film are formed on the wafer W, for example. And one lower layer anti-reflection film forming unit BARC and two developing units DEV are arranged, and the shelf units 82A and 82B include, for example, two reduced-pressure drying units VD; For example three heating units (LHP); For example one heating unit (PAB); Two heating units (PEB), for example; For example, three temperature units (CPL) and two other sorghum units (TRS1, TRS2) and the like are allocated up and down. The other structure is comprised similarly to the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 mentioned above.

이러한 기판 처리 장치에 있어서의 웨이퍼 (W)의 흐름에 대해서 동일한 캐리어 (C)내에 제1의 처리가 행해지는 웨이퍼 (W1)과 제2의 처리가 행해지는 웨이퍼 (W2)와 제3의 처리가 행해지는 웨이퍼 (W3)이 수납되고 있는 경우를 예로 해 설명한다. 먼저 캐리어 블럭 (B1)의 캐리어 재치부 (21)에 반입된 캐리어 (C)내로부터 제1의 반송 수단 (22)에 의해 제1의 처리를 하는 웨이퍼 (W1)가 꺼내져 캐리어 블럭 (B1)의 수수 스테이지 (24)에 수수되어진다.The wafer W1 in which the first process is performed and the wafer W2 in which the second process is performed and the third process are performed in the same carrier C with respect to the flow of the wafer W in such a substrate processing apparatus. The case where the wafer W3 performed is accommodated is demonstrated as an example. First, the wafer W1 subjected to the first process by the first conveying means 22 is taken out of the carrier C carried in the carrier placing part 21 of the carrier block B1, and the carrier block B1 is carried out. It is handed to the handing stage 24 of.

이 수수 스테이지 (24)의 웨이퍼 (W)는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 의해 예를 들면 제1의 처리 블럭 (S1)의 선반 유니트 (83A)의 수수 유니트 (TRS1)를 개재하여 제3의 반송 수단 (82)에 수수되고 처리 블럭 (S1)내 에 있어서 예를 들면 온조유니트(CPL) → 하층측 반사 방지막형성 유니트(BARC) → 감압 건조 유니트(VD)의 순서로 반송되고 하층측 반사 방지막이 형성된 후 가열 유니트(LHP) → 온조유니트(CPL) → 도포 유니트→ 감압 건조 유니트(VD)의 순서로 반송되어 레지스트액의 도포 처리가 행해진다. 그 다음에 가열 유니트(PAB)→온조유니트(CPL) → 상층측 반사 방지막형성 유니트(TARC) → 감압 건조 유니트(VD) → 가열 유니트(LHP)의 순서로 반송되어 상층측 반사 방지막이 형성된 후 출력용의 수수 유니트 (TRS2)→ 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)-인터페이스부 (B5)의 수수 스테이지 (27)→수수 수단 (26)→ 노광 장치 (B6)의 경로로 반송되어 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다.The wafer W of the delivery stage 24 is transferred by the second transfer means 23 of the transfer block B2, for example, the transfer unit TRS1 of the shelf unit 83A of the first processing block S1. ) Is passed to the third conveying means 82 via the step S), and in the processing block S1, for example, the temperature control unit (CPL) → the lower layer antireflection film forming unit (BARC) → the reduced pressure drying unit (VD). After the lower layer side anti-reflection film is formed, it is conveyed in the order of the heating unit (LHP) → the temperature unit (CPL) → the coating unit → the vacuum drying unit (VD) to perform the coating treatment of the resist liquid. Then, the heating unit (PAB) → temperature unit (CPL) → upper layer anti-reflective film forming unit (TARC) → reduced pressure drying unit (VD) → heating unit (LHP) is conveyed in this order to form an upper layer anti-reflective film for output. Conveying unit (TRS2) of the conveying block B2 of the conveying unit 23-the conveying stage (27) of the conveying stage (27) of the interface part B5 → conveying means of the exposure apparatus B6 The predetermined exposure process is performed here.

그 다음에 노광 후의 웨이퍼 (W)는 인터페이스부 (B5)의 수수 수단 (26)→수수 스테이지 (27)→제 2의 반송 수단 (23)의 경로에서 레지스트액이 도포된 원래의 처리 블럭 즉 제1의 처리 블럭 (S1)의 인력용 수수 유니트 (TRS1)를 개재하여 해당 처리 블럭 (S1)에 반송되어 여기서 가열 유니트(PEB) → 온조유니트(CPL) → 현상 유니트(DEV)에 반송되어 소정의 현상 처리가 행해진 후 가열 유니트(LHP)에서 소정 온도로 조정되고 이렇게 해 하층측 반사 방지막과 레지스트막과 상층측 반사 방지막이 형성되는 제1의 처리를 한 웨이퍼 (W)는 출력용 수수 유니트 (TRS2) → 제 2의 반송 수단 (23)→캐리어 블럭 (B1)의 수수 스테이지 (24) → 제1의 수수 수단 (22)의 경로에서 예를 들면 원래의 캐리어 (C)내에 되돌려진다.Subsequently, the exposed wafer W is made of the original processing block, namely, the resist solution coated on the path of the transfer section 26 → the transfer stage 27 → the second transfer means 23 of the interface unit B5. It is conveyed to the said processing block S1 via the human-serving unit TRS1 of the processing block S1 of 1, and it is conveyed to a heating unit PEB → a heating tank CPL → a developing unit DEV, and After the development process is performed, the wafer W subjected to the first process of adjusting to a predetermined temperature in the heating unit LHP and forming a lower layer antireflection film, a resist film and an upper layer antireflection film in this manner is an output delivery unit TRS2. → conveyance stage 24 of the second conveying means 23 → carrier block B1 → in the path of the first conveying means 22, for example, in the original carrier C.

또 같은 캐리어 (C)내로부터 꺼내진 제2의 처리를 행하는 웨이퍼 (W2)는 캐리어 블럭 (B1)의 수수 스테이지 (24)를 개재하여 제2의 반송 수단 (23)에 의해 예를 들면 수수 유니트 (TRS1)를 개재하여 제2의 처리 블럭 (S2)의 제3의 반송 수단 (31)에 수수되고 처리 블럭 (S2)내에 있어서 예를 들면 소수화 처리 유니트(ADH) →온조유니트(CPL) → 도포 유니트(COT) → 감압 건조 유니트(VD)의 순서로 반송되어 레지스트액의 도포 처리가 행해진다. 그 다음에 가열 유니트(PAB) →온조유니트(CPL) → 상층측 반사 방지막형성 유니트(TARC) → 감압 건조 유니트(VD) → 가열 유니트(LHP)의 순서로 반송되어 상층측 반사 방지막이 형성된 후 출력용의 수수 유니트 (TRS2) → 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)→인터페이스부 (B5)의 수수 스테이지 (27) → 수수 수단 (26)→ 노광 장치 (B6)의 경로에서 반송되어 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다.In addition, the wafer W2 which performs the 2nd process taken out from the same carrier C by the 2nd conveyance means 23 via the water-receiving stage 24 of the carrier block B1, for example, is a water-receiving unit Received by the third conveying means 31 of the second processing block S2 via the TRS1, and in the processing block S2, for example, a hydrophobic treatment unit (ADH) → a bath unit (CPL) → coating It is conveyed in order of unit (COT) → pressure reduction drying unit (VD), and the coating process of a resist liquid is performed. Then, the heating unit (PAB) → temperature unit (CPL) → upper layer anti-reflective film forming unit (TARC) → reduced pressure drying unit (VD) → heating unit (LHP) is conveyed in order to form an upper layer anti-reflective film for output. Conveying unit (TRS2) of the conveying block (B2) of the conveying unit (B2) → conveying stage (27) of the interface unit (B5) → conveying means (26) → conveyed in the path of the exposure apparatus (B6) The predetermined exposure process is performed here.

그 다음에 노광 후의 웨이퍼 (W)는 상술의 제1의 처리와 같은 경로에서 레지스트액의 도포와 상층측 반사 방지막이 형성된 제2의 처리 블럭 (S2)에 반송되어 소정의 현상 처리를 한 후 이렇게 해 레지스트막과 상층측 반사 방지막이 형성되는 제2의 처리를 한 웨이퍼 (W)는 예를 들면 원래의 캐리어 (C)내에 되돌려진다.Then, the wafer W after exposure is conveyed to the second processing block S2 in which the application of the resist liquid and the upper layer-side antireflection film are formed in the same path as the first processing described above, and then subjected to a predetermined development treatment. The wafer W subjected to the second process in which the solution resist film and the upper layer side anti-reflection film are formed is returned to, for example, the original carrier C. FIG.

또 같은 캐리어 (C)내로부터 꺼내진 제3의 처리를 하는 웨이퍼 (W3)는 캐리어 블럭 (B1)의 수수 스테이지 (24)를 개재하여 제2의 반송 수단 (23)에 의해 예를 들면 제3의 처리 블럭 (S3)의 수수 유니트 (TRS1)를 개재하여 제3의 반송 수단 (82)에 수수되고 처리 블럭 (S3)내 에 있어서 예를 들면 온조유니트(CPL) → 하층측 반사 방지막형성 유니트(BARC) → 감압 건조 유니트(VD) → 가열 유니트(LHP)의 순서로 반송되어 하층측 반사 방지막이 형성된 후 온조유니트(CPL) → 도포 유니트(COrr) → 감압 건조 유니트(VD) → 가열 유니트(PAB)의 순서로 반송되어 레지스트액의 도포 처리가 행해진다. 그 다음에 출력용의 수수 유니트 (TRS2) → 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)→인터페이스부 (B5)의 수수 스테이지 (27) → 수수 수단 (26) → 노광 장치 (B6)의 경로에서 반송되어 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다.Moreover, the 3rd process wafer W3 taken out from the same carrier C is made into the 3rd process by the 2nd conveyance means 23 via the delivery stage 24 of the carrier block B1, for example, 3rd Is passed to the third conveying means 82 via the transfer unit TRS1 of the processing block S3, and in the processing block S3, for example, a heat treatment unit CPL → a lower layer anti-reflection film forming unit ( BARC) → Decompression drying unit (VD) → Heating unit (LHP), and then the lower layer anti-reflection film is formed. Temperature unit (CPL) → Coating unit (COrr) → Pressure reduction drying unit (VD) → Heating unit (PAB) It is conveyed in order of), and the coating process of a resist liquid is performed. Next, the second conveying means 23 of the conveying unit TRS2 for output → the conveying block B2 → the receiving stage 27 of the interface portion B5 → the receiving means 26 → the exposure apparatus B6 It is conveyed in a path | route, and predetermined exposure process is performed here.

그 다음에 노광 후의 웨이퍼 (W)는 상술의 제1의 처리와 같은 경로에서 레지 스트액의 도포와 하층측 반사 방지막이 형성된 제3의 처리 블럭 (S3)에 반송되어 소정의 현상 처리를 한 후 이렇게 해 하층측 반사 방지막과 레지스트막이 형성되는 제3의 처리를 한 웨이퍼 (W)는 예를 들면 원래의 캐리어 (C)내에 되돌려진다.After the exposure, the wafer W is conveyed to the third processing block S3 in which the resist liquid is applied and the lower layer side anti-reflection film is formed in the same path as the first processing described above, and then subjected to a predetermined development treatment. In this way, the wafer W subjected to the third process in which the lower layer side antireflection film and the resist film are formed is returned to, for example, the original carrier C. FIG.

또한 상술의 제1~제 3의 처리에 있어서도 도포 유니트로서 스핀 도포식의 구성을 이용하는 경우에는 필히 감압 건조 유니트(VD)에 있어서의 처리를 행하지 않아도 좋다.Moreover, also in the above-mentioned 1st-3rd process, when using the structure of a spin coating type as an application | coating unit, it does not necessarily need to perform the process in pressure reduction drying unit (VD).

이러한 구성에서는 복수의 처리 블럭 (S)단위로 다른 품종의 일련의 처리가 완결하고 있으므로 예를 들면 품종의 확장을 실시하는 경우 새로운 품종에 대응한 처리 블럭 (S)를 추가함으로써 대응할 수 있고 해당 장치에서 행해지는 처리의 자유도가 크다. 이것에 의해 상술의 실시의 형태로 설명한 것처럼 예를 들면 같은 캐리어 (C)내에 품종이 다른 처리를 실시하는 웨이퍼를 탑재하는 경우 등의 소량 다품종의 생산에 대응할 수 있다.In such a configuration, since a series of processing of different varieties is completed in units of a plurality of processing blocks (S), for example, in the case of expanding the variety, it is possible to cope by adding a processing block (S) corresponding to a new variety. Freedom of processing performed at As a result, as described in the above-described embodiment, for example, it is possible to cope with the production of small quantities of various kinds of products, for example, when the wafers having different varieties are mounted in the same carrier (C).

또 캐리어 (C)마다 품종이 다른 처리를 실시하도록 설정해도 좋고 이 경우에는 예를 들면 캐리어 재치부 (21)에 제1의 처리를 실시하는 웨이퍼 (W1)가 수납된 캐리어 (C1)과 제2의 처리를 실시하는 웨이퍼 (W2)가 수납된 캐리어 (C2)와 제3의 처리를 실시하는 웨이퍼 (W3)이 수납된 캐리어 (C3)을 재치해 두어 제1의 반송 수단 (22)에 의해 캐리어 (C1-C3)로부터 차례로 웨이퍼 (W1-W3)을 꺼내 제2의 반송 수단 (23)에 의해 대응하는 처리 블럭 (S1∼S3)에 반송해 각각의 처리 블럭 (S1∼S3)내에서 소정의 처리를 행한 후 다시 제2의 반송 수단 (23) ;제1의 반송 수단 (22)에 의해 대응하는 원래의 캐리어 (C1-C3)내에 되돌려진다. 또한 수수 스테이지 (27)은 웨이퍼 (W)를 수수하기 전에 기판 온도를 일정화 시키기 위해서 온조기능을 구비한 것으로서도 좋고 복수로서도 좋다.Alternatively, the carrier C1 may be set so as to perform different processing for each carrier C. In this case, for example, the carrier C1 and the second housed with the wafer W1 for performing the first processing in the carrier placing unit 21 are stored. The carrier C2 in which the wafer W2 for processing the wafer is housed and the carrier C3 in which the wafer W3 for the third processing is housed are placed, and the carrier is transported by the first conveying means 22. The wafers W1-W3 are sequentially taken out from (C1-C3) and transferred by the second conveying means 23 to the corresponding processing blocks S1 to S3, and the predetermined processing is performed in each of the processing blocks S1 to S3. After the processing, the second conveying means 23 is returned to the corresponding original carriers C1-C3 by the first conveying means 22. In addition, the water-receiving stage 27 may be provided with a temperature control function, and may be a plurality in order to make a board | substrate temperature constant before receiving the wafer W. As shown in FIG.

이상에 있어서 이 실시의 형태에서는 예를 들면 처리 블럭 (S1∼S3)에 하층측 반사 방지막형성 유니트(BARC)· 도포 유니트(COT)· 상층측 반사 방지막형성 유니트 (TRS1, TRS2)를 동일한 개수분·동일한 레이아웃으로 배열한 처리 블럭을 준비해 두고 각 처리 블럭 (S1∼S3) 에 있어서 필요한 처리 유니트를 사용하도록 해도 괜찮다. 이 경우 각 처리 유니트는 필요하게 되는 최대 몇분 미리 탑재해 둔다.In the above embodiment, for example, the lower layer side antireflection film forming unit BARC, the coating unit COT, and the upper layer antireflection film forming unit TRS1 and TRS2 are equally divided into the processing blocks S1 to S3. It is also possible to prepare processing blocks arranged in the same layout and to use the processing units required for each of the processing blocks S1 to S3. In this case, each processing unit is mounted up to several minutes in advance as required.

또한 본 발명의 기판 처리 장치는 반송 블럭 (B2)의 캐리어 블럭 (B1)에 접속된 측의 반대 측에 인터페이스부 (B5)를 개재하여 노광 장치 (B6)를 접속하는 구성의 그 밖에 예를 들면 도 17에 나타나는 바와 같이 반송 블럭 (B2)의 처리 블럭 (B0)(B3)(B4)에 접속된 측의 반대 측에 인터페이스부 (B5)를 개재하여 노광 장치 (B6)를 접속하도록 구성해도 괜찮다. 이 경우 예를 들면 도 17에 나타나는 바와 같이 인터페이스부 (B5)에는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)과 인터페이스부 (B5)의 수수 수단 (91)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 수수 스테이지 (92)가 설치된다. 여기서 처리 블럭의 구성은 도 1에 나타나는 바와 같이 레이아웃되어도 좋고 도 14에 나타나는 바와 같이 레이아웃 되어도 좋다.Moreover, the substrate processing apparatus of this invention is another structure of the exposure apparatus B6 connected via the interface part B5 on the opposite side to the side connected to the carrier block B1 of the transfer block B2, for example As shown in FIG. 17, you may comprise so that the exposure apparatus B6 may be connected through the interface part B5 on the opposite side to the side connected to process block B0 (B3) (B4) of conveyance block B2. . In this case, for example, as shown in FIG. 17, the interface portion B5 has a wafer W between the second conveying means 23 of the conveying block B2 and the receiving means 91 of the interface portion B5. A delivery stage 92 for carrying out the delivery is provided. The structure of the processing block may be laid out as shown in FIG. 1 or laid out as shown in FIG.

또한 본 발명에서는 도 1에 나타나는 바와 같이 처리 블럭을 3대용으로 하면서 2대 접속한 모양으로 납품하고 다음에 처리 매수가 증가했을 때에 새롭게 처리 블럭을 추가시키는 구성으로서도 좋고 처음부터 처리 블럭의 빈 공간을 설치하지 않고 처리 블럭을 2대 또는 3대 설치하는 구성으로서도 좋다. 이와 같이 처리 블럭의 빈공간을 설치하지 않는 구성으로서도 나중에 새롭게 처리 유니트를 추가할 수도 있다. 이 경우에는 처리 블럭의 추가시에 반송로를 연장해 노광 장치의 위치를 빗겨 놓을 필요가 있지만 전자빔(EB)을 이용한 노광 장치에서는 나중에 이동할 수가 있으므로 이 모양도 유효하다.In addition, in the present invention, as shown in Fig. 1, it is also possible to supply two processing blocks in the form of three connected blocks, and to add new processing blocks the next time the number of processing increases. It is good also as a structure which installs two or three processing blocks, without providing them. In this way, a new processing unit can be added later, even if the configuration does not provide an empty space of the processing block. In this case, it is necessary to extend the conveyance path at the time of adding the processing block to comb the position of the exposure apparatus, but this pattern is also effective because the exposure apparatus using the electron beam EB can be moved later.

한층 더 또 본 발명에서는 웨이퍼 (W)의 로트마다 대응하는 처리 블럭을 할당해 두어 제1의 로트의 웨이퍼 (W)는 제1의 처리 블럭 (B3)에서 처리를 행하고 제2의 로트의 웨이퍼 (W)는 제2의 처리 블럭 (B4)에서 처리를 행하도록 웨이퍼 (W)를 처리 블럭에 대해서 반송하도록 해도 괜찮다.Furthermore, in the present invention, a processing block corresponding to each lot of wafers W is allocated so that the wafer W of the first lot is processed by the first processing block B3, and the wafer of the second lot ( W) may carry the wafer W to the processing block so as to perform the processing in the second processing block B4.

또 본 발명에서는 노광 장치를 처리 블럭에 접속하는 구성외 노광 장치를 처리 블럭과는 분리하여 다른 장소에 설치하는 구성으로서도 좋다. 이 경우에는 캐리블럭 (B1)의 캐리어 (C)내의 웨이퍼 (W)를 제1의 반송 수단· 제2의 반송 수단을 개재하여 소정의 처리 블럭에 반송하고 여기에서 예를 들면 레지스트액의 도포 처리를 행한 후 제2의 반송 수단·제1의 반송 수단을 개재하여 다시 캐리어 블럭 (B1)에 되돌려 이 후 해당 웨이퍼 (W)를 다른 장소에 설치된 노광 장치에 반송해 소정의 노광 처리를 행한다. 그 다음에 노광 처리가 행해진 웨이퍼 (W)를 다시 캐리어 블럭 (B1)· 제1의 반송 수단 ·제2의 반송 수단을 개재하여 레지스트액이 도포된 원래의 처리 블럭에 되돌려 여기서 소정의 현상 처리를 행한 후 다시 제2의 반송 수단· 제1의 반송 수단에 의해 캐리어 블럭 (B1)내의 원래의 캐리어 (C)내에 되돌리는 것이 행해진다.Moreover, in this invention, you may be set as the structure which installs the exposure apparatus other than a structure which connects an exposure apparatus to a process block, and installs in another place separate from a process block. In this case, the wafer W in the carrier C of the carry block B1 is conveyed to a predetermined processing block via the first conveying means and the second conveying means, and here, for example, the coating liquid is applied. After returning to the carrier block B1 via the second conveying means and the first conveying means, the wafer W is conveyed to an exposure apparatus provided at another place, and a predetermined exposure process is performed. Then, the wafer W subjected to the exposure treatment is returned to the original processing block to which the resist liquid is applied via the carrier block B1, the first conveying means, and the second conveying means, where a predetermined developing process is performed. After performing it, the 2nd conveyance means and the 1st conveyance means return to the original carrier C in carrier block B1 again.

한층 더 본 발명의 기판 처리 장치에서는 예를 들면 인터페이스부 (B5)내에 가열 유니트(PEB)를 탑재해 노광 장치 (B6)에서 노광 처리한 후의 웨이퍼 (W)를 수수 수단 (26)에 의해 소정 시간내에 우선적으로 가열 유니트(PEB)에 반송하도록 해도 괜찮다. 이 경우 인터페이스부 (B5)내에 수수 수단 (26)의 그 밖에 노광 장치 (B6) → 가열 유니트(PEB)의 반송을 행하기 위한 전용의 반송 아암을 갖추도록 해도 괜찮다.Furthermore, in the substrate processing apparatus of the present invention, for example, the wafer W after the heating unit PEB is mounted in the interface unit B5 and subjected to exposure processing in the exposure apparatus B6 by the receiving means 26 for a predetermined time. You may make it convey to a heating unit PEB first in the inside. In this case, you may equip the interface part B5 with the exclusive conveyance arm for conveying the exposure apparatus B6 → the heating unit PEB of the delivery means 26 other.

또 본 발명의 기판 처리 장치에서는 복수의 처리 블럭은 평면적인 크기가 같으면 각각의 처리 블럭은 내부의 처리 유니트의 종류나 개수 레이아웃이 각각 다른 것으로서도 좋다. 또 기술과 같이 복수의 처리 블럭에 있어서 같은 품종의 처리를 행하도록 해도 괜찮고 다른 품종의 처리를 행해도 괜찮다. 또 노광 장치를 포함하지 않는 구성이라고 해도 좋고 예를 들면 층간 절연막을 용도로 하는 처리로서도 좋다. 기판에 SOG(Spin On Glass) 막을 형성하는 처리에도 적용할 수 있다. 또 본 발명에 있어서는 기판은 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고 예를 들면 액정 디스플레이용의 유리 기판이나 포토마스크 기판 등으로 있어도 괜찮다.In the substrate processing apparatus of the present invention, when the plurality of processing blocks have the same planar size, each processing block may have different types and layouts of processing units therein. As in the technique, the same variety may be processed in a plurality of processing blocks, or different varieties may be processed. Moreover, it may be a structure which does not contain an exposure apparatus, and may be used as the process which uses an interlayer insulation film, for example. The present invention can also be applied to a process of forming a spin on glass (SOG) film on a substrate. In addition, in this invention, a board | substrate may not be limited to a semiconductor wafer, For example, it may be a glass substrate, a photomask board | substrate, etc. for liquid crystal displays.

또한 복수의 노광 장치를 포함한 구성으로 해도 좋다. 도 19는 노광 장치를 공유하기 위한 실시예이다. 노광 장치 (B6)는 ArF 노광기와 KrF 노광기를 포함하고 2개의 노광 장치 (B6)의 사이의 거리 L은 1000 mm이상이 된다. 양쪽 모두의 노광 장치 (B6)는 인터페이스부 (B5)에 의해 도포 현상 장치와 접속된다. 노광 장치 (B6)간은 오퍼레이션-메인터넌스가 가능한 스페이스를 확보하고 있다. 노광기는 동시에 처리가 가능하게 하고 그것을 위한 도포 현상의 PRB를 가지는 처리 블럭 (B3)(B4)(B5)를 접속하고 있다. 소량 다품종 생산전용으로 노광 장치 (B6)로서 EB(전자빔) 노광기를 접속한 경우는 노광기의 병행처리에 의해 TP(수율)의 향상을 실현할 수 있다. 또한 도 19에서는 반입로 (700)으로부터 캐리어 스테이션 (CS)를 가지는 캐리어 블럭 (B1)에 웨이퍼의 로트가 도입되어 도킹 스테이션 (DS)에 내장되는 제2의 반송 수단 (23)을 경유해 처리 블럭 (B3)(B4)(B5)에 도입된다.Moreover, it is good also as a structure containing several exposure apparatus. 19 is an embodiment for sharing an exposure apparatus. The exposure apparatus B6 includes an ArF exposure apparatus and a KrF exposure apparatus, and the distance L between the two exposure apparatuses B6 is 1000 mm or more. Both exposure apparatuses B6 are connected with the coating and developing apparatus by the interface portion B5. The space between the exposure apparatuses B6 which can be operated and maintained is secured. The exposure machine connects processing blocks (B3) (B4) and (B5) which enable simultaneous processing and which have PRB of coating phenomenon therefor. When the EB (electron beam) exposure machine is connected as the exposure apparatus B6 exclusively for the production of small quantities of various kinds, the improvement of the TP (yield) can be realized by the parallel processing of the exposure machine. 19, a lot of wafer is introduced into the carrier block B1 which has the carrier station CS from the carrying-in path 700, and is a process block via the 2nd conveyance means 23 built in the docking station DS. (B3) (B4) (B5) is introduced.

본 발명의 기판 처리 장치에 의하면 기판의 처리 매수의 증감이나 품종의 변경에 용이하게 대응할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of this invention, it can respond easily to the increase and decrease of the number of sheets of processing of a board | substrate, and a change of a kind.

Claims (17)

복수 매수의 기판이 수납된 기판 캐리어가 반입출되는 캐리어재치부와, 상기 캐리어 재치부에 재치된 기판 캐리어에 대해서 기판의 수수를 실시하는 제l의 반송 수단을 포함한 캐리어 블럭과,A carrier block including a carrier placing portion into which the substrate carrier containing a plurality of substrates is carried in and out, a first conveying means for transferring the substrate to the substrate carrier placed on the carrier placing portion, 상기 캐리어 블럭에 인접하여 설치되고 직선 형상의 반송로를 따라 기판을 반송하는 제2의 반송 수단과,Second conveying means provided adjacent to the carrier block and conveying the substrate along a linear conveyance path; 상기 제1의 반송 수단과 제2의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 1의 수수 스테이지와,A first delivery stage for carrying the substrate between the first conveying means and the second conveying means; 상기 반송로를 따라 배열되어 장치 본체에 대해서 탈착 자유롭게 설치되는 복수의 처리 블럭과,A plurality of processing blocks arranged along the conveying path and installed detachably to the apparatus main body; 상기 반송로와 노광기의 사이에 위치 하는 인터페이스부를 구비하고,An interface unit positioned between the conveying path and the exposure machine, 각 처리 블럭은 기판에 대해서 약액에 의해 처리를 실시하는 액처리 유니트와 기판을 가열하기 위한 가열 유니트와 이들 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 상기 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 포함하고,Each processing block includes a liquid processing unit for processing a substrate with a chemical liquid, a heating unit for heating the substrate, third conveying means for conveying the substrate between these units, and the second conveying means and the third conveying means. A second delivery stage for carrying the substrate between the conveying means of 상기 반송로는 상기 인터페이스부로부터 상기 캐리어 블럭까지 연장하고 상기 반송로의 한쪽측에만 상기 복수의 처리 블럭이 존재하고 상기 복수의 처리 블럭의 각각은 동일한 처리를 실시하고,The conveying path extends from the interface section to the carrier block, and the plurality of processing blocks exist only on one side of the conveying path, and each of the plurality of processing blocks performs the same processing, 각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 처리가 실시되며,The substrate is processed in units of processing blocks, 상기 제2의 반송 수단은 복수의 처리 블럭 배열에 따라서 반송 블럭에 설치되고 각 처리 블럭은 반송 블럭에 대해서 탈착할 수 있도록 구성되고,The second conveying means is provided in the conveying block according to a plurality of processing block arrangements, and each of the processing blocks is configured to be detachable from the conveying block, 상기 캐리어 블럭은 상기 반송 블럭의 단부에 설치된 회전축을 중심으로 하여 회전하는 것이 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And said carrier block can rotate about a rotation axis provided at an end of said transfer block. 복수 매수의 기판이 수납된 기판 캐리어가 반입출되는 캐리어재치부와, 상기 캐리어 재치부에 재치된 기판 캐리어에 대해서 기판의 수수를 실시하는 제l의 반송 수단을 포함한 캐리어 블럭과,A carrier block including a carrier placing portion into which the substrate carrier containing a plurality of substrates is carried in and out, a first conveying means for transferring the substrate to the substrate carrier placed on the carrier placing portion, 상기 캐리어 블럭에 인접하여 설치되고 직선 형상의 반송로를 따라 기판을 반송하는 제2의 반송 수단과,Second conveying means provided adjacent to the carrier block and conveying the substrate along a linear conveyance path; 상기 제1의 반송 수단과 제2의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 1의 수수 스테이지와,A first delivery stage for carrying the substrate between the first conveying means and the second conveying means; 상기 반송로를 따라 배열되어 장치 본체에 대해서 탈착 자유롭게 설치되는 복수의 처리 블럭과,A plurality of processing blocks arranged along the conveying path and installed detachably to the apparatus main body; 상기 반송로와 노광기의 사이에 위치 하는 인터페이스부를 구비하고,An interface unit positioned between the conveying path and the exposure machine, 각 처리 블럭은 기판에 대해서 약액에 의해 처리를 실시하는 액처리 유니트와 기판을 가열하기 위한 가열 유니트와 이들 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 상기 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 포함하고,Each processing block includes a liquid processing unit for processing a substrate with a chemical liquid, a heating unit for heating the substrate, third conveying means for conveying the substrate between these units, and the second conveying means and the third conveying means. A second delivery stage for carrying the substrate between the conveying means of 상기 반송로는 상기 인터페이스부로부터 상기 캐리어 블럭까지 연장하고 상기 반송로의 한쪽측에만 상기 복수의 처리 블럭이 존재하고 상기 복수의 처리 블럭의 각각은 동일한 처리를 실시하고,The conveying path extends from the interface section to the carrier block, and the plurality of processing blocks exist only on one side of the conveying path, and each of the plurality of processing blocks performs the same processing, 각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 처리가 실시되며,The substrate is processed in units of processing blocks, 상기 제2의 반송 수단은 복수의 처리 블럭 배열에 따라서 반송 블럭에 설치되고 각 처리 블럭은 반송 블럭에 대해서 탈착할 수 있도록 구성되고,The second conveying means is provided in the conveying block according to a plurality of processing block arrangements, and each of the processing blocks is configured to be detachable from the conveying block, 상기 처리 블럭은 상기 반송 블럭에 경첩에 의해 장착된 후 상기 경첩을 중심으로 해 회전되는 것으로 위치 결정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the processing block is positioned to be rotated about the hinge after being mounted to the conveying block by a hinge. 복수 매수의 기판이 수납된 기판 캐리어가 반입출되는 캐리어재치부와, 상기 캐리어 재치부에 재치된 기판 캐리어에 대해서 기판의 수수를 실시하는 제l의 반송 수단을 포함한 캐리어 블럭과,A carrier block including a carrier placing portion into which the substrate carrier containing a plurality of substrates is carried in and out, a first conveying means for transferring the substrate to the substrate carrier placed on the carrier placing portion, 상기 캐리어 블럭에 인접하여 설치되고 직선 형상의 반송로를 따라 기판을 반송하는 제2의 반송 수단과,Second conveying means provided adjacent to the carrier block and conveying the substrate along a linear conveyance path; 상기 제1의 반송 수단과 제2의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 1의 수수 스테이지와,A first delivery stage for carrying the substrate between the first conveying means and the second conveying means; 상기 반송로를 따라 배열되어 장치 본체에 대해서 탈착 자유롭게 설치되는 복수의 처리 블럭과,A plurality of processing blocks arranged along the conveying path and installed detachably to the apparatus main body; 상기 반송로와 노광기의 사이에 위치 하는 인터페이스부를 구비하고,An interface unit positioned between the conveying path and the exposure machine, 각 처리 블럭은 기판에 대해서 약액에 의해 처리를 실시하는 액처리 유니트와 기판을 가열하기 위한 가열 유니트와 이들 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 상기 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 포함하고,Each processing block includes a liquid processing unit for processing a substrate with a chemical liquid, a heating unit for heating the substrate, third conveying means for conveying the substrate between these units, and the second conveying means and the third conveying means. A second delivery stage for carrying the substrate between the conveying means of 상기 반송로는 상기 인터페이스부로부터 상기 캐리어 블럭까지 연장하고 상기 반송로의 한쪽측에만 상기 복수의 처리 블럭이 존재하고 상기 복수의 처리 블럭의 각각은 동일한 처리를 실시하고,The conveying path extends from the interface section to the carrier block, and the plurality of processing blocks exist only on one side of the conveying path, and each of the plurality of processing blocks performs the same processing, 각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 처리가 실시되며,The substrate is processed in units of processing blocks, 상기 처리 블럭이 배치되는 영역의 바닥부 또는 측부에 처리 블럭을 끌어 들이기 위해서 설치된 가이드 부재와 이 가이드 부재에 처리 블럭의 위치 결정을 하기 위해서 설치된 위치 결정 부재를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a guide member provided to attract the processing block to the bottom or side of the region where the processing block is disposed, and a positioning member provided to position the processing block on the guide member. 삭제delete 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 액처리 유니트(U1)는 도포막을 형성하는 처리인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The liquid processing unit (U1) is a substrate processing apparatus, characterized in that the processing for forming a coating film. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 액처리 유니트(U1)는 절연막의 전구 물질을 포함하는 약액을 기판에 도포하는 것인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The liquid processing unit (U1) is a substrate processing apparatus, characterized in that for applying a chemical liquid containing a precursor material of the insulating film to the substrate. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 복수의 처리 블럭은 평면적인 크기가 같게 형성되고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And said plurality of processing blocks are formed to have the same planar size. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 처리 블럭이 배치되는 영역의 바닥부 또는 측부에 처리 블럭의 위치 결정을 하기 위해서 설치된 위치 결정 부재를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a positioning member provided at the bottom or side of the area where the processing block is disposed to position the processing block. 삭제delete 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 각 처리 블럭은 외부에서 용력을 수중에 넣기 위한 복수의 용력 라인과 외부의 대응하는 용력 라인의 접속단에 대해서 탈착할 수 있도록 구성된 각 용력 라인의 접속단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Each processing block includes a connection end of each power line configured to be detachable with respect to a connection end of a plurality of power lines and external corresponding power lines for receiving power from the outside. . 청구항 13에 있어서,14. The method of claim 13, 상기 복수의 용력 라인은 서로 다른 용력을 공급하는 것이고 그들 복수의 용력 라인의 각각은 하류측에서 분기되어 각 처리 유니트에 이끌리고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And said plurality of power lines supply different powers, and each of the plurality of power lines is branched on the downstream side and drawn to each processing unit. 청구항 13에 있어서,14. The method of claim 13, 복수의 용력 라인은 온도 조절용 유체의 공급 라인· 불활성 가스의 공급 라인· 급전선 및 신호선을 포함한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The plurality of pressure lines include a supply line of a temperature control fluid, a supply line of an inert gas, a feed line, and a signal line. 청구항 13에 있어서,14. The method of claim 13, 외부측의 접속단은 제2의 반송 수단의 하부 측에 설치되고 처리 블럭을 제2의 반송 수단측에 밀어 넣을 때에 상기 외부의 접속단과 처리 블럭측의 접속단이 접속되도록 구성되고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The outer connecting end is provided on the lower side of the second conveying means, and is configured such that the external connecting end and the connecting end on the processing block side are connected when the processing block is pushed onto the second conveying means side. Substrate processing apparatus. 청구항 16에 있어서,18. The method of claim 16, 용력 라인은 또한 약액 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The power line also includes a chemical supply tube.
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