KR20100094361A - Substrate processing system - Google Patents

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KR20100094361A
KR20100094361A KR1020100011527A KR20100011527A KR20100094361A KR 20100094361 A KR20100094361 A KR 20100094361A KR 1020100011527 A KR1020100011527 A KR 1020100011527A KR 20100011527 A KR20100011527 A KR 20100011527A KR 20100094361 A KR20100094361 A KR 20100094361A
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conveying
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Inventor
겐타로우 가리노
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

PURPOSE: A substrate processing system is provided to improve the through put of a substrate processing operation by effectively transferring substrates. CONSTITUTION: A plurality of transferring arms(160a, 160b, 160c, 160d) supports substrates. A supporting unit(170) supports the transferring arms to a vertical direction. An arm transferring unit(164) separately rotates each transferring arm around the supporting unit. A supporting unit transferring unit vertically and horizontally transfers the supporting unit along a plurality of substrate processing units.

Description

기판 처리 시스템{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}Substrate Processing System {SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}

본 발명은, 기판에 미리 결정된 처리를 행하는 복수의 처리 장치를, 수직 방향으로 다단으로 적층하고 수평 방향으로 직렬로 배치한 기판의 처리 시스템에 관한 것이며, 특히 각 처리 장치에 기판을 반송하는 장치에 관한 것이다.This invention relates to the processing system of the board | substrate which laminated | stacked the several processing apparatus which performs a predetermined process to a board | substrate in the vertical direction, and arrange | positioned in series in the horizontal direction, Especially to the apparatus which conveys a board | substrate to each processing apparatus It is about.

예를 들어 반도체 디바이스의 제조 프로세스에서의 포토리소그래피 처리에서는, 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막에 미리 결정된 패턴을 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등의 각종 처리가 행해지고 있다.For example, in the photolithography process in the manufacturing process of a semiconductor device, for example, the resist coating process which apply | coats a resist liquid on a semiconductor wafer (henceforth "wafer"), and forms a resist film, and the pattern predetermined to a resist film Various processes, such as the exposure process which exposes the light, and the image development process which develops the exposed resist film, are performed.

이러한 일련의 처리는, 통상, 도포 현상 처리 시스템을 이용하여 행해진다. 도포 현상 처리 시스템은, 예를 들어 카세트 단위로 웨이퍼를 반입/반출하기 위한 카세트 스테이션과, 각종 처리를 수행하는 복수의 처리 장치가 배치된 처리 스테이션과, 인접하는 노광 장치와 처리 스테이션 사이에서 웨이퍼를 전달하기 위한 인터페이스 스테이션 등을 갖고 있다.Such a series of processes is normally performed using a coating and developing process system. The coating development processing system includes, for example, a cassette station for carrying in / out a wafer in a cassette unit, a processing station in which a plurality of processing apparatuses for performing various processes are disposed, and an adjacent exposure apparatus and a processing station. It has an interface station for delivery.

처리 스테이션에는, 복수의 처리 장치가 수직 방향으로 다단으로 적층되고 수평 방향으로 직렬로 배치된 처리 블록과, 처리 블록과 대향하는 위치에 배치되고, 각 처리 장치에 웨이퍼를 반송하는 반송 장치가 설치되어 있다. 반송 장치에는, 웨이퍼를 유지하여 반송하는 한쌍의 반송 아암과, 한쌍의 반송 아암을 처리 블록을 따라 수직 방향 및 수평 방향으로 이동시켜 회전시키는 이동 기구가 설치되어 있다. 또, 각 반송 아암은 전후 방향(수평 방향)으로 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 그리고, 이 반송 아암에 의해, 반송 장치는 웨이퍼를 각 처리 장치에 반송할 수 있다(특허문헌 1).The processing station is provided with a processing block in which a plurality of processing apparatuses are stacked in multiple stages in the vertical direction and arranged in series in the horizontal direction, and a conveying apparatus which is disposed at a position facing the processing block and conveys wafers to each processing apparatus. have. The conveying apparatus is provided with a pair of conveying arms for holding and conveying a wafer and a moving mechanism for moving the pair of conveying arms in a vertical direction and a horizontal direction along the processing block and rotating them. Moreover, each conveyance arm is comprised so that it can move to the front-back direction (horizontal direction). And this conveyance arm can convey a wafer to each processing apparatus by this conveyance arm (patent document 1).

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 2001-57336호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-57336

그런데, 이 도포 현상 처리 시스템을 이용하여 웨이퍼에 일련의 처리를 행하는 경우, 웨이퍼 처리의 처리량(throughput)을 향상시키기 위해, 각 처리 장치로의 웨이퍼 반송을 효율적으로 행하는 것이 요구되고 있다.By the way, when performing a series of processes to a wafer using this coating and developing system, in order to improve the throughput of a wafer process, it is calculated | required to carry out wafer conveyance to each processing apparatus efficiently.

그러나, 종래의 반송 장치를 이용한 경우, 한쌍의 반송 아암은, 이동 기구에 의해 동일한 방향으로 이동하고, 또 일체가 되어 회전한다. 따라서, 반송 장치는, 하나의 처리 장치에 기판을 반송할 때마다, 이동 기구에 의해 한쌍의 반송 아암을 이동시켜야 했다. 그렇게 하면, 이 반송 장치에 의한 웨이퍼의 반송에 시간이 걸리기 때문에, 처리 장치에서는, 웨이퍼의 반입 또는 반출을 기다려야 하는 경우가 있었다. 더구나, 반송 아암의 동작을 고속화하는 것에도 기술적인 한계가 있다. 따라서, 각 처리 장치에 웨이퍼를 효율적으로 반송할 수 없어, 웨이퍼 처리의 처리량을 향상시키는 것에는 이르지 않았다.However, when the conventional conveying apparatus is used, a pair of conveying arms move in the same direction by a moving mechanism, and are integrally rotated. Therefore, each time the conveying apparatus conveyed a board | substrate to one processing apparatus, the conveyance arm had to move a pair of conveyance arms. In that case, since the conveyance of a wafer by this conveying apparatus takes time, the processing apparatus may have to wait for carrying in or carrying out of a wafer. In addition, there is a technical limitation in speeding up the operation of the carrier arm. Therefore, the wafer cannot be efficiently transported to each processing apparatus, and it has not been improved to improve the throughput of the wafer processing.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 반송을 효율적으로 행하여 기판 처리의 처리량을 향상시키는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of such a point, and an object of this invention is to improve the throughput of a board | substrate process by carrying out a board | substrate efficiently.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 기판에 미리 결정된 처리를 행하는 복수의 처리 장치를, 수직 방향으로 다단으로 적층하고 수평 방향으로 직렬로 배치한 기판의 처리 시스템으로서, 상기 복수의 처리 장치와 대향하는 위치에는, 그 복수의 처리 장치에 기판을 반송하기 위한 반송 영역이 상기 복수의 처리 장치의 수직 방향 및 수평 방향을 따라 형성되고, 상기 반송 영역에는 상기 각 처리 장치에 기판을 반송하는 반송 장치가 배치되고, 상기 반송 장치는, 기판을 유지하는 복수의 반송 아암과, 상기 복수의 반송 아암을 수직 방향으로 나열하여 지지하는 지지부와, 상기 각 반송 아암을 수평 방향으로 독립적으로 이동시키고 상기 지지부를 중심으로 하여 상기 각 반송 아암을 독립적으로 회전시키는 아암 이동 기구와, 상기 지지부를 상기 복수의 처리 장치를 따라 수직 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 지지부 이동 기구를 갖는 것을 특징으로 하고 있다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to achieve the said objective, this invention is the processing system of the board | substrate which laminated | stacked the several processing apparatus which performs a predetermined process to a board | substrate in the vertical direction, and arrange | positioned in series in the horizontal direction, Comprising: The conveying apparatus which conveys a board | substrate for conveying a board | substrate to the some processing apparatus in the opposing position is formed along the vertical direction and the horizontal direction of the said some processing apparatus, and the conveying apparatus which conveys a board | substrate to each said processing apparatus in the said conveyance area | region. Is arranged, and the conveying apparatus includes a plurality of conveying arms for holding a substrate, a supporting portion for arranging and supporting the plurality of conveying arms in a vertical direction, and the supporting portions to be moved independently in a horizontal direction. Arm moving mechanism which rotates each said conveyance arm independently about a center, and the said support part of the said some It has a support part movement mechanism which moves to a vertical direction and a horizontal direction along a processing apparatus, It is characterized by the above-mentioned.

본 발명에 의하면, 반송 장치의 복수의 반송 아암은, 독립적으로 수평 방향으로 이동하고 지지부를 중심으로 하여 회전할 수 있기 때문에, 복수의 처리 장치에 동시에 기판을 반송할 수 있다. 이것에 의해, 종래와 같이 하나의 처리 장치에 기판을 반송할 때마다, 복수(한쌍)의 반송 아암을 이동시킬 필요가 없어, 기판의 반송 효율을 현저하게 향상시킬 수 있다. 따라서, 기판 처리의 처리량을 향상시킬 수 있다.According to this invention, since the some conveyance arm of a conveying apparatus can move to a horizontal direction independently, and can rotate around a support part, a board | substrate can be conveyed simultaneously to a some processing apparatus. Thereby, it is not necessary to move a plurality (pair) of conveying arms every time a substrate is conveyed to one processing apparatus like conventionally, and the conveyance efficiency of a board | substrate can be improved remarkably. Therefore, the throughput of the substrate processing can be improved.

상기 반송 영역에는 상기 반송 장치가 복수개 배치되고, 상기 복수의 반송 장치는, 평면에서 볼 때, 상기 복수의 처리 장치의 수평 방향을 따른 기판의 반송 경로가 겹치도록 배치되어 있어도 된다.A plurality of the conveying apparatuses may be disposed in the conveying region, and the plurality of conveying apparatuses may be disposed so that the conveying paths of the substrates along the horizontal direction of the plurality of processing apparatuses overlap each other in plan view.

상기 반송 장치는, 수평 방향으로 인접하는 상기 처리 장치에 기판을 동시에 반송해도 된다.The said conveying apparatus may convey a board | substrate simultaneously to the said processing apparatus adjacent to a horizontal direction.

상기 처리 장치의 상기 반송 영역측의 측면에는 기판의 반입/반출구가 형성되고, 상기 인접하는 처리 장치의 상기 반입/반출구는 하나의 셔터로 개폐되도록 해도 된다.The carrying in / out port of a board | substrate may be formed in the side surface of the said conveyance area side of the said processing apparatus, and the said carrying in / out port of the adjacent processing apparatus may be opened and closed with one shutter.

상기 인접하는 처리 장치에서는 기판에 동일한 처리가 행해지도록 해도 된다.In the adjacent processing apparatus, the same processing may be performed on the substrate.

상기 반송 장치는, 하나의 상기 처리 장치에 대한 기판의 반입 및 반출을 동시에 행해도 된다.The said conveying apparatus may simultaneously carry in and take out a board | substrate with respect to one said processing apparatus.

상기 복수의 처리 장치는 수평 방향으로 2열로 배치되고, 상기 반송 영역은 상기 2열의 처리 장치 사이에 형성되고, 상기 반송 장치는 상기 2열로 배치된 각 처리 장치에 기판을 반송해도 된다.The plurality of processing apparatuses may be arranged in two rows in the horizontal direction, the conveying region may be formed between the two rows of processing apparatuses, and the conveying apparatus may convey the substrate to each processing apparatus arranged in the two rows.

상기 반송 영역의 외부에서 상기 반송 장치에 기판을 반송하는 다른 반송 장치를 가지며, 상기 다른 반송 장치는 복수의 기판을 유지할 수 있어도 된다.It has the other conveying apparatus which conveys a board | substrate to the said conveying apparatus outside the said conveyance area | region, The said other conveying apparatus may hold | maintain a some board | substrate.

본 발명에 의하면, 기판의 반송을 효율적으로 행할 수 있어 기판 처리의 처리량을 향상시킬 수 있다.According to this invention, conveyance of a board | substrate can be performed efficiently and the throughput of a board | substrate process can be improved.

도 1은 본 실시형태에 따른 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타내는 평면도.
도 2는 본 실시형태에 따른 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타내는 측면도.
도 3은 본 실시형태에 따른 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타내는 측면도.
도 4는 제1 블록의 측면도.
도 5는 제1 블록, 제2 블록 및 메인 반송 장치의 배치를 나타내는 측면도.
도 6은 웨이퍼 반송 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도.
도 7은 웨이퍼 반송 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도.
도 8은 메인 반송 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도.
도 9는 메인 반송 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도.
도 10은 메인 반송 장치가 웨이퍼를 레지스트 도포 장치에 반송하는 모습을 나타낸 설명도.
도 11은 메인 반송 장치의 이동의 제어 방법을 나타내는 설명도로서, (a)는 제어전의 상태를 나타내고, (b)는 제어후의 상태를 나타내는 설명도.
도 12는 다른 실시형태에 따른 제1 블록, 제2 블록 및 메인 반송 장치의 배치를 나타내는 측면도.
도 13은 다른 실시형태에 따른 제1 블록, 제2 블록 및 메인 반송 장치의 배치를 나타내는 측면도.
도 14는 다른 실시형태에 따른 제1 블록, 제2 블록 및 메인 반송 장치의 배치를 나타내는 측면도.
도 15는 다른 실시형태에 따른 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타내는 평면도.
도 16은 다른 실시형태에 따른 메인 반송 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도.
도 17은 다른 실시형태에 따른 메인 반송 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도.
도 18은 다른 실시형태에 따른 메인 반송 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도.
도 19는 다른 실시형태에 따른 메인 반송 장치의 이동의 제어 방법을 나타내는 설명도로서, (a)는 제어전의 상태를 나타내고, (b)는 제어후의 상태를 나타내는 설명도.1 is a plan view showing an outline of an internal configuration of a coating and developing treatment system according to the present embodiment.
2 is a side view illustrating an outline of an internal configuration of a coating and developing treatment system according to the present embodiment.
3 is a side view illustrating an outline of an internal configuration of a coating and developing treatment system according to the present embodiment.
4 is a side view of the first block;
5 is a side view showing the arrangement of the first block, the second block, and the main transport apparatus;
6 is a side view illustrating an outline of a configuration of a wafer transfer device.
7 is a plan view illustrating an outline of a configuration of a wafer transfer device.
8 is a side view illustrating an outline of a configuration of a main transport device.
9 is a plan view illustrating an outline of a configuration of a main transport apparatus.
10 is an explanatory diagram showing a state in which a main conveying apparatus conveys a wafer to a resist coating apparatus;
It is explanatory drawing which shows the control method of the movement of a main conveying apparatus, (a) shows the state before control, and (b) shows the state after control.
The side view which shows arrangement | positioning of the 1st block, the 2nd block, and the main conveyance apparatus which concerns on other embodiment.
It is a side view which shows arrangement | positioning of the 1st block, the 2nd block, and the main conveyance apparatus which concerns on other embodiment.
It is a side view which shows arrangement | positioning of the 1st block, the 2nd block, and the main conveyance apparatus which concerns on other embodiment.
15 is a plan view illustrating an outline of an internal configuration of a coating and developing treatment system according to another embodiment.
The side view which shows the outline of the structure of the main conveyance apparatus which concerns on other embodiment.
The side view which shows the outline of the structure of the main conveyance apparatus which concerns on other embodiment.
The top view which shows the outline of the structure of the main conveyance apparatus which concerns on other embodiment.
It is explanatory drawing which shows the control method of the movement of the main conveying apparatus which concerns on other embodiment, (a) shows the state before control, and (b) shows the state after control.

이하, 본 발명의 실시형태에 관해 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템으로서의 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 나타내는 평면도이다. 또, 도 2 및 도 3은, 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described. 1 is a plan view showing an outline of an internal configuration of a coating and developing processing system 1 as a substrate processing system according to the present embodiment. 2 and 3 are side views showing the outline of the internal configuration of the coating and developing treatment system 1.

도포 현상 처리 시스템(1)은, 도 1에 나타낸 바와 같이 예를 들어 외부와의 사이에서 카세트(C)가 반입/반출되는 카세트 스테이션(10)과, 포토리소그래피 처리 중에서 매엽식(枚葉式)으로 미리 결정된 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)과, 처리 스테이션(11)에 인접하는 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(13)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.As shown in FIG. 1, the coating and developing treatment system 1 is, for example, a cassette station 10 into which a cassette C is carried in and out from the outside, and a sheet type in a photolithography process. The interface station 13 which transfers the wafer W between the processing station 11 equipped with the several processing apparatus which performs a predetermined process, and the exposure apparatus 12 adjacent to the processing station 11 is performed. ) Is integrally connected.

카세트 스테이션(10)에는 카세트 배치대(20)가 설치되어 있다. 카세트 배치대(20)에는, 복수, 예를 들어 4개의 카세트 배치판(21)이 설치되어 있다. 카세트 배치판(21)은, 수평 방향의 X방향(도 1 중의 상하 방향)으로 일렬로 나열되어 설치되어 있다. 이러한 카세트 배치판(21)에는, 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트를 반입/반출할 때, 카세트(C)를 배치할 수 있다.The cassette station 10 is provided with a cassette mounting table 20. The cassette placing table 20 is provided with a plurality, for example, four cassette placing plates 21. The cassette placing plates 21 are arranged side by side in the horizontal X direction (up and down direction in FIG. 1). The cassette C can be disposed on the cassette placement plate 21 when the cassette is loaded / exported to the outside of the coating and developing processing system 1.

카세트 스테이션(10)에는, X방향으로 연장되는 반송로(30) 상을 이동 가능한 다른 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(31)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(31)는, 수직 방향, 수평 방향 및 수직축 주위로도 이동 가능하며, 각 카세트 배치판(21) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(11)의 메인 반송 장치(130, 131)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The cassette station 10 is provided with the wafer conveyance apparatus 31 as another conveying apparatus which can move on the conveyance path 30 extended in an X direction. The wafer conveying apparatus 31 is also movable around the vertical direction, the horizontal direction, and the vertical axis, and the cassette C on each cassette placing plate 21 and the main conveying apparatus 130 of the processing station 11 described later, The wafer W can be conveyed between 131.

처리 스테이션(11)에는, 각종 장치를 구비한 복수, 예를 들어 2개의 블록(G1, G2)이 설치되어 있다. 예를 들어 처리 스테이션(11)의 정면측(도 1의 X방향 부방향측)에는 제1 블록(G1)이 설치되고, 처리 스테이션(11)의 배면측(도 1의 X방향 정방향측)에는 제2 블록(G2)이 설치되어 있다. 제1 블록(G1)과 제2 블록(G2)은, 수평 방향의 Y방향(도 1의 좌우 방향)으로 평행하게 배치되어 있다.The processing station 11 is provided with plural, for example, two blocks G1 and G2 provided with various devices. For example, the 1st block G1 is provided in the front side (X direction negative direction side of FIG. 1) of the processing station 11, and the back side (X direction positive direction side of FIG. 1) of the processing station 11 is provided. The second block G2 is provided. The 1st block G1 and the 2nd block G2 are arrange | positioned in parallel in the Y direction (left-right direction of FIG. 1) of a horizontal direction.

제1 블록(G1)에는, 도 2에 나타낸 바와 같이 처리 장치가 수직 방향으로 다단으로 적층된 블록(G1a∼G1d)이, 수평 방향의 Y방향(도 2의 좌우 방향)으로 카세트 스테이션(10)측으로부터 이 순서대로 배치되어 있다.In the first block G1, as shown in Fig. 2, the blocks G1a to G1d in which the processing apparatus is stacked in multiple stages in the vertical direction are arranged in the cassette station 10 in the Y direction (left and right directions in Fig. 2) in the horizontal direction. It is arranged in this order from the side.

블록(G1a)에는, 복수의 액처리 장치, 예를 들어 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(40∼42), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하,「하부 반사 방지막」이라 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(43, 44)가 아래로부터 순서대로 5단으로 중첩되어 있다. 블록(G1a)의 최하단에는, 상술한 액처리 장치(40∼44)에 각종 처리액을 공급하기 위한 케미컬실(45)이 설치되어 있다.In the block G1a, a resist coating device 40 to 42 for applying a resist liquid to a plurality of liquid processing apparatuses, for example, a wafer W to form a resist film, and an antireflection film ( Hereinafter, the lower anti-reflective film forming apparatuses 43 and 44 which form a "lower anti-reflective film" are superimposed in five steps in order from the bottom. At the lowest end of the block G1a, a chemical chamber 45 for supplying various processing liquids to the above-described liquid processing apparatuses 40 to 44 is provided.

블록(G1b)은, 블록(G1a)과 동일한 구성이며, 레지스트 도포 장치(50∼52), 하부 반사 방지막 형성 장치(53, 54)가 아래로부터 순서대로 5단으로 중첩되어 있다. 블록(G1b)의 최하단에는, 상술한 액처리 장치(50∼54)에 각종 처리액을 공급하기 위한 케미컬실(55)이 설치되어 있다.The block G1b has the same structure as that of the block G1a, and the resist coating apparatuses 50 to 52 and the lower antireflection film forming apparatuses 53 and 54 are stacked in five stages in order from the bottom. At the lowest end of the block G1b, a chemical chamber 55 for supplying various processing liquids to the above-described liquid processing apparatuses 50 to 54 is provided.

블록(G1c)에는, 복수의 액처리 장치, 예를 들어 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 장치(60∼62), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하,「상부 반사 방지막」이라 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(63, 64)가 아래로부터 순서대로 5단으로 중첩되어 있다. 블록(G1c)의 최하단에는, 상술한 액처리 장치(60∼64)에 각종 처리액을 공급하기 위한 케미컬실(65)이 설치되어 있다.In the block G1c, a plurality of liquid processing apparatuses, for example, developing apparatuses 60 to 62 for developing the wafer W, and an anti-reflection film (hereinafter referred to as an "upper anti-reflective film") on the upper layer of the resist film of the wafer W Upper anti-reflective film forming apparatuses 63 and 64 are stacked in five stages in order from the bottom. At the lowest end of the block G1c, a chemical chamber 65 is provided for supplying various treatment liquids to the liquid treatment apparatuses 60 to 64 described above.

블록(G1d)은, 블록(G1c)과 동일한 구성이며, 현상 장치(70∼72), 상부 반사 방지막 형성 장치(73, 74)가 아래로부터 순서대로 5단으로 중첩되어 있다. 블록(G1b)의 최하단에는, 상술한 액처리 장치(70∼74)에 각종 처리액을 공급하기 위한 케미컬실(75)이 설치되어 있다.The block G1d has the same configuration as that of the block G1c, and the developing devices 70 to 72 and the upper antireflection film forming devices 73 and 74 are stacked in five stages in order from the bottom. At the bottom end of the block G1b, a chemical chamber 75 for supplying various processing liquids to the above-described liquid processing apparatuses 70 to 74 is provided.

제2 블록(G2)에는, 도 3에 나타낸 바와 같이 처리 장치가 수직 방향으로 다단으로 적층된 블록(G2a∼G2d)이, 수평 방향의 Y방향(도 3의 좌우 방향)으로 카세트 스테이션(10)측으로부터 이 순서대로 배치되어 있다.In the second block G2, as illustrated in FIG. 3, the blocks G2a to G2d in which the processing apparatus is stacked in multiple stages in the vertical direction are arranged in the cassette station 10 in the horizontal Y direction (left and right directions in FIG. 3). It is arranged in this order from the side.

블록(G2a)에는, 웨이퍼(W)를 소수화 처리하는 어드히전 장치(80), 웨이퍼(W)의 열처리를 행하는 열처리 장치(81∼84)가 아래로부터 순서대로 5단으로 중첩되어 있다.In the block G2a, the advice device 80 for hydrophobizing the wafer W and the heat treatment devices 81 to 84 for performing the heat treatment of the wafer W are superimposed in five steps in order from the bottom.

블록(G2b)은, 블록(G2a)과 동일한 구성이며, 어드히전 장치(90), 열처리 장치(91∼94)가 아래로부터 순서대로 5단으로 중첩되어 있다.The block G2b has the same structure as that of the block G2a, and the adjuvant devices 90 and the heat treatment devices 91 to 94 are stacked in five steps in order from the bottom.

블록(G2c)에는, 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 장치(100), 웨이퍼(W)의 열처리를 행하는 열처리 장치(101∼104)가 아래로부터 순서대로 5단으로 중첩되어 있다.In the block G2c, the peripheral exposure apparatus 100 which exposes the outer peripheral part of the wafer W and the heat treatment apparatuses 101-104 which heat-treat the wafer W are superimposed in five steps from the bottom in order.

블록(G2d)은, 블록(G2c)과 동일한 구성이며, 주변 노광 장치(110), 열처리 장치(111∼114)가 아래로부터 순서대로 5단으로 중첩되어 있다.Block G2d has the same structure as block G2c, and the peripheral exposure apparatus 110 and the heat processing apparatus 111-114 are overlapped in five steps in order from the bottom.

이상과 같이 제1 블록(G1)과 제2 블록(G2)에서, 웨이퍼(W)에 동일한 처리를 수행하는 처리 장치, 예를 들어 레지스트 도포 장치(40, 50) 등이 수평 방향으로 인접하도록 배치되어 있다. 또, 도 4에 나타낸 바와 같이 각 처리 장치에는, 후술하는 반송 영역(R)에 대향하는 측면에, 웨이퍼(W)를 장치 내에 반입/반출하기 위한 반입/반출구(120)가 형성되어 있다. 그리고, 상술한 인접하는 처리 장치의 반입/반출구(120, 120)는, 하나의 셔터(121)로 개폐되도록 되어 있다.As mentioned above, in the 1st block G1 and the 2nd block G2, the processing apparatus which performs the same process to the wafer W, for example, the resist coating apparatus 40, 50 etc. is arrange | positioned so that it may adjoin in a horizontal direction. It is. Moreover, as shown in FIG. 4, each processing apparatus is provided with the carrying-in / out port 120 for carrying in / out of the wafer W in the apparatus in the side surface which opposes the conveyance area | region R mentioned later. In addition, the carrying in / out port 120 and 120 of the adjoining processing apparatus mentioned above are opened and closed with one shutter 121. As shown in FIG.

또한, 상술한 열처리 장치(81∼84, 91∼94, 101∼104, 111∼114)는, 웨이퍼(W)를 적재하여 가열하는 열판과, 웨이퍼(W)를 적재하여 냉각하는 냉각판을 가지며, 가열과 냉각을 모두 행할 수 있다.In addition, the heat treatment apparatuses 81-84, 91-94, 101-104, 111-114 mentioned above have the hotplate which loads and heats the wafer W, and the cooling plate which loads and cools the wafer W, Both heating and cooling can be performed.

도 1에 나타낸 바와 같이 제1 블록(G1)과 제2 블록(G2) 사이에는, Y방향으로 연장되는 반송 영역(R)이 설치되어 있다. 반송 영역(R)은, 웨이퍼(W)를 각 반송 장치에 반송하기 위한 공간이며, 제1 블록(G1)과 제2 블록(G2)에 대향하여 설치되어 있다. 즉, 반송 영역(R)은, 제1 블록(G1)과 제2 블록(G2)의 수직 방향 및 수평 방향을 따라 형성되어 있다.As shown in FIG. 1, the conveyance area | region R extended in a Y direction is provided between 1st block G1 and 2nd block G2. The conveyance region R is a space for conveying the wafer W to each conveying apparatus, and is provided to face the first block G1 and the second block G2. That is, the conveyance area | region R is formed along the vertical direction and the horizontal direction of the 1st block G1 and the 2nd block G2.

반송 영역(R)에는, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치로서의 메인 반송 장치(130, 131)가 2기 배치되어 있다. 반송 영역(R)에 배치된 메인 반송 장치(130, 131)는, 평면에서 볼 때, 각각의 Y방향의 웨이퍼(W)의 반송 경로(도 1의 좌우 방향)가 겹치도록 배치되어 있다. 즉, 반송 영역(R1)의 X방향(도 1의 상하 방향)의 폭은, 메인 반송 장치(130, 131)를 1기분 배치할 수 있는 폭으로 되어 있다.In the conveyance area | region R, two main conveyance apparatuses 130 and 131 as a conveying apparatus which conveys the wafer W are arrange | positioned. The main conveying apparatus 130,131 arrange | positioned in the conveyance area | region R is arrange | positioned so that the conveyance path | route (left-right direction of FIG. 1) of the wafer W of each Y direction may overlap in planar view. That is, the width | variety of the X direction (up-down direction of FIG. 1) of the conveyance area | region R1 becomes the width which can arrange | position the main conveying apparatus 130,131 for 1 unit.

메인 반송 장치(130, 131)는, 도 2∼도 5에 나타낸 바와 같이 반송 영역(R)의 상부와 하부에 각각 설치되어 있다. 메인 반송 장치(130, 131)는, 제1 블록(G1)에 부착된 Y방향으로 연장되는 레일(132)과 제2 블록(G2)에 부착된 Y방향으로 연장되는 레일(133) 위를 각각 이동할 수 있게 되어 있다. 메인 반송 장치(130)가 배치된 레일(132)은, 예를 들어 케미컬실(45) 등에 설치되어 있다. 메인 반송 장치(131)가 배치된 레일(133)은, 예를 들어 열처리 장치(84) 등의 위쪽에 설치되어 있다.As shown in FIGS. 2-5, the main conveying apparatus 130, 131 is provided in the upper part and the lower part of the conveyance area | region R, respectively. The main conveying apparatuses 130 and 131 respectively have a rail 132 extending in the Y direction attached to the first block G1 and a rail 133 extending in the Y direction attached to the second block G2, respectively. It is possible to move. The rail 132 in which the main conveying apparatus 130 is arrange | positioned is attached to the chemical chamber 45 etc., for example. The rail 133 in which the main conveying apparatus 131 is arrange | positioned is installed above the heat processing apparatus 84 etc., for example.

도 1에 나타낸 바와 같이 인터페이스 스테이션(13)에는, X방향으로 연장되는 반송로(140) 위를 이동할 수 있는 다른 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(141)와, 전달 장치(142)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(141)는, 수직 방향, 수평 방향 및 수직축 주위로도 이동 가능하며, 인터페이스 스테이션(13)에 인접한 노광 장치(12), 전달 장치(142) 및 처리 스테이션(11)의 메인 반송 장치(130, 131)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.As shown in FIG. 1, the interface station 13 is provided with a wafer transfer device 141 and a transfer device 142 as another transfer device capable of moving on the transfer path 140 extending in the X direction. The wafer conveying apparatus 141 is also movable around the vertical direction, the horizontal direction, and the vertical axis, and is the main conveying apparatus of the exposure apparatus 12, the conveying apparatus 142, and the processing station 11 adjacent to the interface station 13. The wafer W can be transported between the 130 and 131.

다음으로, 상술한 카세트 스테이션(10)의 웨이퍼 반송 장치(31)와 인터페이스 스테이션(13)의 웨이퍼 반송 장치(141)의 구성에 관해 설명한다. 도 6은, 웨이퍼 반송 장치(31)의 구성의 개략을 나타내는 측면도이며, 도 7은, 웨이퍼 반송 장치(31)의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.Next, the structure of the wafer conveyance apparatus 31 of the cassette station 10 mentioned above, and the wafer conveyance apparatus 141 of the interface station 13 is demonstrated. FIG. 6: is a side view which shows the outline of the structure of the wafer transfer apparatus 31, and FIG. 7 is a top view which shows the outline of the structure of the wafer transfer apparatus 31. As shown in FIG.

웨이퍼 반송 장치(31)는, 도 6에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)를 유지하여 반송하는 복수, 예를 들어 4개의 아암체(150)를 갖고 있다. 아암체(150)는, 도 7에 나타낸 바와 같이 그 선단이 2개의 선단부(150a, 150a)로 분기되어 있다. 각 선단부(150a)에는, 웨이퍼(W)의 이면을 흡착하여 수평으로 유지하는 흡착 패드(151)가 설치되어 있다. 이러한 구성에 의해, 웨이퍼 반송 장치(31)는 복수의 웨이퍼(W)를 한번에 반송할 수 있다. 또한, 아암체(150)의 수는, 후술하는 메인 반송 장치(130, 131)의 반송 아암(160)의 수와 일치하고 있다.As shown in FIG. 6, the wafer transfer device 31 has a plurality of, for example, four arm bodies 150 for holding and conveying the wafer W. As shown in FIG. As shown in FIG. 7, the arm body 150 is branched into two tip portions 150a and 150a. Each tip portion 150a is provided with a suction pad 151 which sucks the back surface of the wafer W and holds it horizontally. By this structure, the wafer conveyance apparatus 31 can convey the some wafer W at once. In addition, the number of the arm bodies 150 corresponds with the number of the conveying arms 160 of the main conveying apparatus 130,131 mentioned later.

아암체(150)은, 도 6에 나타낸 바와 같이 지지부(152)에 지지되어 있다. 지지부(152)의 하면에는, 샤프트(153)를 통해, 예를 들어 모터(도시하지 않음) 등을 내장한 구동 기구(154)가 설치되어 있다. 이 구동 기구(154)에 의해, 아암체(150)는, 수직 방향 및 수평 방향으로 이동가능하고 회전할 수 있다. 구동 기구(154)는, 도 1에 나타낸 반송로(30)에 부착되고, 웨이퍼 반송 장치(31)는, 반송로(30) 상을 이동 가능하게 되어 있다.The arm body 150 is supported by the support part 152 as shown in FIG. The lower surface of the support part 152 is provided with the drive mechanism 154 incorporating a motor (not shown) etc. through the shaft 153, for example. By this drive mechanism 154, the arm body 150 can move and rotate in a vertical direction and a horizontal direction. The drive mechanism 154 is attached to the conveyance path 30 shown in FIG. 1, and the wafer conveyance apparatus 31 is movable on the conveyance path 30.

또한, 인터페이스 스테이션(13)의 웨이퍼 반송 장치(141)의 구성은, 상술한 웨이퍼 반송 장치(31)의 구성과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 이러한 웨이퍼 반송 장치(141)에서도 복수의 웨이퍼(W)를 한번에 반송할 수 있다.In addition, since the structure of the wafer conveyance apparatus 141 of the interface station 13 is the same as that of the wafer conveyance apparatus 31 mentioned above, description is abbreviate | omitted. Also in such a wafer conveyance apparatus 141, the some wafer W can be conveyed at once.

다음으로, 상술한 처리 스테이션(11)의 메인 반송 장치(130, 131)의 구성에 관해 설명한다. 도 8은, 메인 반송 장치(130)의 구성의 개략을 나타내는 측면도이며, 도 9는, 메인 반송 장치(131)의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.Next, the structure of the main conveyance apparatus 130, 131 of the processing station 11 mentioned above is demonstrated. FIG. 8: is a side view which shows the outline of the structure of the main conveying apparatus 130, and FIG. 9 is a top view which shows the outline of the structure of the main conveying apparatus 131. As shown in FIG.

메인 반송 장치(130)는, 도 8에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)를 유지하여 반송하는 복수, 예를 들어 4개의 반송 아암(160a∼160d)을 갖고 있다. 반송 아암(160a, 160c)은, 웨이퍼(W)를 각 처리 장치에 반입하기 위한 반송 아암이며, 반송 아암(160b, 160d)은, 웨이퍼(W)를 각 처리 장치로부터 반출하기 위한 반송 아암이다.As shown in FIG. 8, the main conveying apparatus 130 has a plurality of conveying arms 160a to 160d for holding and conveying the wafer W, for example. The conveying arms 160a and 160c are conveyance arms for carrying in the wafer W to each processing apparatus, and the conveying arms 160b and 160d are conveying arms for carrying out the wafer W from each processing apparatus.

각 반송 아암(160)은, 도 9에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)보다 약간 큰 직경의 대략 3/4 원환형으로 구성된 아암부(161)와, 이 아암부(161)와 일체로 형성되어 아암부(161)를 지지하기 위한 지지부(162)를 갖고 있다. 아암부(161)의 내측에는, 내측으로 돌출되고, 웨이퍼(W)의 외주부를 유지하는 웨이퍼 유지부(163)가 복수곳, 예를 들어 4곳에 설치되어 있다. 반송 아암(160)은, 이 웨이퍼 유지부(163) 위에 웨이퍼(W)를 수평으로 지지할 수 있다.As shown in FIG. 9, each conveyance arm 160 is formed integrally with the arm part 161 comprised in the substantially 3/4 annular shape of diameter slightly larger than the wafer W, and this arm part 161. The support part 162 for supporting the arm part 161 is provided. Inside the arm part 161, the wafer holding part 163 which protrudes inward and hold | maintains the outer peripheral part of the wafer W is provided in several places, for example, four places. The transfer arm 160 can horizontally support the wafer W on the wafer holding part 163.

각 반송 아암(160)의 기단부(基端部)에는, 예를 들어 모터(도시하지 않음) 등을 내장한 아암 이동 기구(164)가 설치되어 있다. 아암 이동 기구(164)는, 반송 아암(160)을 독립적으로 수평 방향(도 9의 Y방향)으로 이동시킬 수 있다. 또, 아암 이동 기구(164)는, 후술하는 지지부(170)를 중심으로 하여 반송 아암(160)을 독립적으로 회전시킬 수 있다.At the base end of each conveyance arm 160, for example, an arm moving mechanism 164 incorporating a motor (not shown) or the like is provided. The arm movement mechanism 164 can move the conveyance arm 160 independently in the horizontal direction (Y direction of FIG. 9). Moreover, the arm movement mechanism 164 can rotate the conveyance arm 160 independently centering on the support part 170 mentioned later.

이 아암 이동 기구(164)에 의해, 도 10에 나타낸 바와 같이 예를 들어 반송 아암(160a)과 반송 아암(160c)이, 수평 방향으로 인접하는 처리 장치, 예를 들어 레지스트 도포 장치(40, 50)에 웨이퍼(W)를 동시에 반입할 수 있다. 이 때, 메인 반송 장치(130)는, 수평 방향으로 레지스트 도포 장치(40, 50)의 사이에 배치되어 있다. 또한, 반송 아암(160a)과 반송 아암(160c)은 그 높이가 상이하기 때문에, 레지스트 도포 장치(40, 50)에 반입되는 웨이퍼(W)의 높이도 상이하다. 그 높이의 차이는, 레지스트 도포 장치(40, 50) 내의 스핀 척(도시하지 않음)이 반송 아암(160a) 또는 반송 아암(160c)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하는 높이를 변경함으로써 흡수할 수 있다. 또, 그 높이의 차이는, 후술하는 지지부 이동 기구(173)에 의해 반송 아암(160a) 또는 반송 아암(160c)을 수직 방향으로 이동시키는 것에 의해서도 흡수될 수 있다.By this arm movement mechanism 164, as shown in FIG. 10, the conveyance arm 160a and the conveyance arm 160c adjoin in a horizontal direction, for example, the resist coating apparatuses 40 and 50, for example. The wafer W can be carried in simultaneously. At this time, the main conveyance apparatus 130 is arrange | positioned between the resist coating apparatuses 40 and 50 in a horizontal direction. Moreover, since the height of the conveyance arm 160a and the conveyance arm 160c differs, the height of the wafer W carried in to the resist coating apparatuses 40 and 50 also differs. The difference in height can be absorbed by changing the height at which the spin chuck (not shown) in the resist coating apparatuses 40 and 50 receives the wafer W from the transfer arm 160a or the transfer arm 160c. . In addition, the height difference can also be absorbed by moving the conveyance arm 160a or the conveyance arm 160c in the vertical direction by the support part movement mechanism 173 mentioned later.

또, 반송 아암(160a, 160c)이 웨이퍼(W)를 레지스트 도포 장치(40, 50)에 반입할 때, 반송 아암(160b, 160d)도, 레지스트 도포 장치(40, 50)로부터 웨이퍼(W)를 동시에 반출할 수 있다. 또한, 이들 반송 아암(160b)과 반송 아암(160d)은 높이가 다르지만, 웨이퍼(W)를 반출할 때의 그 높이의 차이는, 상술한 바와 마찬가지로, 레지스트 도포 장치(40, 50) 내의 스핀 척의 높이를 변경하거나, 지지부 이동 기구(173)에 의해 반송 아암(160b) 또는 반송 아암(160d)을 수직 방향으로 이동시키는 것에 의해 흡수될 수 있다.In addition, when the transfer arms 160a and 160c carry the wafers W into the resist coating devices 40 and 50, the transfer arms 160b and 160d also move the wafers W from the resist coating devices 40 and 50. Can be exported at the same time. In addition, although the conveyance arm 160b and the conveyance arm 160d differ in height, the difference in the height at the time of carrying out the wafer W is the same as that of the spin chuck in the resist coating apparatus 40, 50 as mentioned above. It can be absorbed by changing the height or moving the conveyance arm 160b or the conveyance arm 160d in the vertical direction by the support moving mechanism 173.

반송 아암(160)과 아암 이동 기구(164)는, 도 8에 나타낸 바와 같이 수직 방향으로 연장되는 지지부(170)에 수직 방향으로 나열되어 지지되어 있다. 지지부(170)는, 평판(171)에 지지되고, 평판(171)의 하면에는, 샤프트(172)를 통해, 예를 들어 모터(도시하지 않음) 등을 내장한 지지부 이동 기구(173)가 설치되어 있다. 이 지지부 이동 기구(173)에 의해, 반송 아암(160) 및 지지부(170)는, 수직 방향 및 수평 방향으로 이동 가능하고 회전할 수 있다. 또, 지지부 이동 기구(173)는 레일(132)에 부착되고, 메인 반송 장치(130)는 레일(132)을 따라 이동할 수 있다.The conveyance arm 160 and the arm movement mechanism 164 are supported by being arranged in the vertical direction by the support part 170 extended in a vertical direction as shown in FIG. The support part 170 is supported by the flat plate 171, and the support part moving mechanism 173 in which, for example, a motor (not shown) is incorporated is installed on the bottom surface of the flat plate 171 through the shaft 172. It is. By this support part movement mechanism 173, the conveyance arm 160 and the support part 170 can move in a vertical direction and a horizontal direction, and can rotate. In addition, the support part movement mechanism 173 is attached to the rail 132, and the main conveying apparatus 130 can move along the rail 132.

이러한 구성에 의해, 메인 반송 장치(130)는, 제1 블록(G1) 및 제2 블록(G2)을 따라 반송 영역(R)을 이동할 수 있고, 제1 블록(G1) 및 제2 블록(G2)의 모든 처리 장치에 대하여 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.By this structure, the main conveyance apparatus 130 can move the conveyance area | region R along the 1st block G1 and the 2nd block G2, and the 1st block G1 and the 2nd block G2 are carried out. The wafer W can be conveyed with respect to all the processing apparatuses of

또한, 메인 반송 장치(131)의 구성은, 상술한 메인 반송 장치(130)의 구성과 마찬가지로, 도 5에 나타낸 바와 같이 반송 아암(160)이 지지부 이동 기구(173)의 아래쪽에 설치되어 있다. 또, 메인 반송 장치(131)는, 메인 반송 장치(130)와 마찬가지로, 수평 방향으로 인접하는 처리 장치에 웨이퍼(W)를 동시에 반입 및 반출할 수 있다. 또, 메인 반송 장치(131)는, 제1 블록(G1) 및 제2 블록(G2)을 따라 반송 영역(R)을 이동할 수 있고, 제1 블록(G1) 및 제2 블록(G2)의 모든 처리 장치에 대하여 웨이퍼(W)를 반송할 수도 있다.In addition, in the structure of the main conveying apparatus 131, the conveyance arm 160 is provided below the support part movement mechanism 173 similarly to the structure of the main conveying apparatus 130 mentioned above. In addition, the main conveying apparatus 131 can carry in and carry out the wafer W simultaneously to the processing apparatus adjacent to a horizontal direction similarly to the main conveying apparatus 130. Moreover, the main conveying apparatus 131 can move the conveyance area | region R along the 1st block G1 and the 2nd block G2, and the all of the 1st block G1 and the 2nd block G2 can be moved. The wafer W can also be conveyed with respect to a processing apparatus.

이들 메인 반송 장치(130, 131)의 이동은, 도 11에 나타내는 제어 장치(200)와 위치 검출 장치(201)에 의해 제어된다. 위치 검출 장치(201)는, 예를 들어 메인 반송 장치(130, 131)의 지지부 이동 기구(173)의 인코더를 검출하여, 메인 반송 장치(130, 131)의 수직 방향 및 수평 방향의 위치를 각각 검출할 수 있다. 위치 검출 장치(201)는, 항상 메인 반송 장치(130, 131)의 수직 방향 및 수평 방향의 위치를 검출하고, 그 검출 결과는 제어 장치(200)에 출력된다. 제어 장치(200)에서는, 위치 검출 장치(201)로부터의 검출 결과에 기초하여, 메인 반송 장치(130, 131)의 이동을 제어한다.Movement of these main conveying apparatuses 130 and 131 is controlled by the control apparatus 200 and the position detection apparatus 201 shown in FIG. The position detection apparatus 201 detects the encoder of the support part movement mechanism 173 of the main conveying apparatuses 130 and 131, for example, and positions the vertical and horizontal positions of the main conveying apparatuses 130 and 131, respectively. Can be detected. The position detection apparatus 201 always detects the positions of the vertical conveyance and the horizontal direction of the main conveying apparatuses 130 and 131, and the detection result is output to the control apparatus 200. The control apparatus 200 controls the movement of the main conveyance apparatuses 130 and 131 based on the detection result from the position detection apparatus 201.

제어 장치(200)와 위치 검출 장치(201)는, 상술한 제어에 의해 메인 반송 장치(130, 131)를 간섭하지 않도록 이동시킬 수 있다. 예를 들어 도 11의 (a)에 나타낸 바와 같이, 메인 반송 장치(130, 131)가 서로 이동하여 수평 방향의 거리가 미리 결정된 거리(L)가 된 경우에, 도 11의 (b)에 나타낸 바와 같이 메인 반송 장치(130)를 수직 아래쪽(도 11의 하방향)으로 이동시키고, 메인 반송 장치(131)를 수직 위쪽(도 11의 상방향)으로 이동시킨다. 그리고, 메인 반송 장치(130)와 메인 반송 장치(131)는 간섭하지 않고 수평 방향으로 이동한다. 또한, 미리 결정된 거리(L)는, 메인 반송 장치(130, 131)의 수평 이동 속도 등을 고려하여 제어 장치(200)에서 설정된다. 또, 메인 반송 장치(130, 131)의 수직 방향의 이동 거리도 마찬가지로 제어 장치(200)에서 설정된다.The control apparatus 200 and the position detection apparatus 201 can move so that the main conveying apparatus 130,131 may not interfere with the control mentioned above. For example, as shown in FIG. 11 (a), when the main conveying apparatuses 130 and 131 move with each other, and the horizontal distance becomes the predetermined distance L, it is shown in FIG. 11 (b). As described above, the main transport device 130 is moved vertically downward (downward in FIG. 11), and the main transport device 131 is moved vertically upward (upward in FIG. 11). The main transport device 130 and the main transport device 131 move in the horizontal direction without interfering with each other. In addition, the predetermined distance L is set by the control apparatus 200 in consideration of the horizontal moving speed of the main conveying apparatus 130,131. In addition, the movement distance in the vertical direction of the main transport apparatuses 130 and 131 is also set by the control apparatus 200 similarly.

이상의 도포 현상 처리 시스템(1)의 동작이나 처리 스테이션(11)의 각종 장치, 반송 장치 등의 동작은, 상술한 제어 장치(200)에 의해 제어되고 있다. 제어 장치(200)는, 예를 들어 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터로 구성되며, 예를 들어 메모리에 기억된 프로그램을 실행함으로써, 도포 현상 처리 시스템(1)에서의 웨이퍼(W)의 처리 방법을 실현할 수 있다. 그 웨이퍼(W)의 처리 방법을 실현하기 위한 각종 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 기억 매체에 기억되어 있던 것으로, 그 기억 매체로부터 제어 장치(200)에 인스톨된 것이 이용되고 있다.The above-described operation of the coating and developing processing system 1, operations of various apparatuses of the processing station 11, conveying apparatus and the like are controlled by the control apparatus 200 described above. The control apparatus 200 is comprised, for example with a computer provided with a CPU, a memory, etc., For example, the method of processing the wafer W in the application | coating development system 1 by executing the program stored in the memory. Can be realized. Various programs for realizing the wafer W processing method are, for example, a computer readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), a memory card, and the like. Stored in the storage medium of the storage medium, and installed in the control device 200 from the storage medium are used.

다음으로, 이상과 같이 구성된 도포 현상 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼(W)의 처리에 관해 설명한다.Next, the process of the wafer W performed using the coating-development processing system 1 comprised as mentioned above is demonstrated.

우선, 1 로트의 복수장의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가, 카세트 스테이션(10)의 미리 결정된 카세트 배치판(21)에 배치된다. 그 후, 웨이퍼 반송 장치(31)에 의해 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)가 꺼내어져, 처리 스테이션(11)의 메인 반송 장치(130)에 반송된다. 이 때, 복수, 예를 들어 2장의 웨이퍼(W)가 동시에 전달된다.First, the cassette C which accommodated one lot of wafers W is arrange | positioned at the predetermined cassette mounting board 21 of the cassette station 10. FIG. Thereafter, the wafer W in the cassette C is taken out by the wafer transfer device 31, and is conveyed to the main transfer device 130 of the processing station 11. At this time, a plurality of, for example, two wafers W are transferred simultaneously.

다음으로, 메인 반송 장치(130)로부터 열처리 장치(84, 94)에 웨이퍼(W)가 동시에 반입된다. 그리고, 열처리 장치(84, 94)에서, 웨이퍼(W)는 미리 결정된 온도로 온도 조정된다. 온도 조정후, 메인 반송 장치(130)에 의해 열처리 장치(84, 94)로부터 웨이퍼(W)가 동시에 반출된다.Next, the wafer W is carried in from the main conveying apparatus 130 to the heat processing apparatuses 84 and 94 simultaneously. And in the heat treatment apparatuses 84 and 94, the wafer W is temperature-controlled to predetermined temperature. After the temperature adjustment, the wafers W are simultaneously carried out from the heat treatment devices 84 and 94 by the main transport device 130.

그 후, 메인 반송 장치(130)로부터 하부 반사 방지막 형성 장치(44, 54)에 웨이퍼(W)가 동시에 반입된다. 그리고, 하부 반사 방지막 형성 장치(44, 54)에서, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 하부 반사 방지막 형성후, 메인 반송 장치(130)에 의해 하부 반사 방지막 형성 장치(44, 54)로부터 웨이퍼(W)가 동시에 반출된다.Thereafter, the wafer W is loaded into the lower antireflection film forming devices 44 and 54 from the main transport device 130 at the same time. In the lower antireflection film forming apparatuses 44 and 54, a lower antireflection film is formed on the wafer W. As shown in FIG. After the lower anti-reflection film is formed, the wafer W is simultaneously carried out from the lower anti-reflection film forming devices 44 and 54 by the main transport device 130.

그 후, 메인 반송 장치(130)로부터 열처리 장치(83, 93)에 웨이퍼(W)가 동시에 반입된다. 그리고, 열처리 장치(83, 93)에서 웨이퍼(W)는 가열된다. 가열 처리후, 메인 반송 장치(130)에 의해 열처리 장치(83, 93)로부터 웨이퍼(W)가 동시에 반출된다.Thereafter, the wafer W is loaded into the heat treatment apparatuses 83 and 93 from the main transport apparatus 130 at the same time. In the heat treatment apparatuses 83 and 93, the wafer W is heated. After the heat treatment, the wafers W are simultaneously carried out from the heat treatment apparatuses 83 and 93 by the main transport apparatus 130.

그 후, 메인 반송 장치(130)로부터 어드히전 장치(80, 90)에 웨이퍼(W)가 동시에 반입된다. 그리고, 어드히전 장치(80, 90)에서, 웨이퍼(W)는 소수화 처리된다. 소수화 처리후, 메인 반송 장치(130)에 의해 어드히전 장치(80, 90)로부터 웨이퍼(W)가 동시에 반출된다.Thereafter, the wafer W is carried in from the main transport device 130 to the adjoining devices 80 and 90 at the same time. In the advice devices 80 and 90, the wafer W is hydrophobized. After the hydrophobization treatment, the wafers W are simultaneously carried out from the advice devices 80 and 90 by the main transport device 130.

그 후, 메인 반송 장치(130)로부터 열처리 장치(82, 92)에 웨이퍼(W)가 동시에 반입된다. 그리고, 열처리 장치(82, 92)에서, 웨이퍼(W)는 미리 결정된 온도로 온도 조정된다. 가열 처리후, 메인 반송 장치(130)에 의해 열처리 장치(82, 92)로부터 웨이퍼(W)가 동시에 반출된다.Thereafter, the wafer W is loaded into the heat treatment apparatuses 82 and 92 from the main transport apparatus 130 at the same time. And in the heat processing apparatuses 82 and 92, the wafer W is temperature-controlled to predetermined temperature. After the heat treatment, the wafers W are simultaneously carried out from the heat treatment apparatuses 82 and 92 by the main transport apparatus 130.

그 후, 메인 반송 장치(130)로부터 레지스트 도포 장치(42, 52)에 웨이퍼(W)가 동시에 반입된다. 그리고, 레지스트 도포 장치(42, 52)에서, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 레지스트막 형성후, 메인 반송 장치(130)에 의해 레지스트 도포 장치(42, 52)로부터 웨이퍼(W)가 동시에 반출된다.Thereafter, the wafer W is loaded into the resist coating devices 42 and 52 from the main transport device 130 at the same time. In the resist coating apparatuses 42 and 52, a resist film is formed on the wafer W. As shown in FIG. After formation of the resist film, the wafer W is simultaneously carried out from the resist coating devices 42 and 52 by the main transport device 130.

그 후, 메인 반송 장치(130)로부터 열처리 장치(81, 91)에 웨이퍼(W)가 동시에 반입된다. 그리고, 열처리 장치(81, 91)에서 웨이퍼(W)는 프리 베이킹 처리된다. 프리 베이킹 처리후, 메인 반송 장치(130)에 의해 열처리 장치(81, 91)로부터 웨이퍼(W)가 동시에 반출된다.Thereafter, the wafers W are simultaneously loaded into the heat treatment apparatuses 81 and 91 from the main transport apparatus 130. In the heat treatment apparatuses 81 and 91, the wafer W is prebaked. After the prebaking process, the wafers W are simultaneously carried out from the heat treatment apparatuses 81 and 91 by the main conveying apparatus 130.

그 후, 메인 반송 장치(130)로부터 상부 반사 방지막 형성 장치(64, 74)에 웨이퍼(W)가 동시에 반입된다. 그리고, 상부 반사 방지막 형성 장치(64, 74)에서, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 상부 반사 방지막 형성후, 메인 반송 장치(130)에 의해 상부 반사 방지막 형성 장치(64, 74)로부터 웨이퍼(W)가 동시에 반출된다.Thereafter, the wafer W is loaded into the upper anti-reflection film forming devices 64 and 74 from the main transport device 130 at the same time. In the upper antireflection film forming apparatuses 64 and 74, an upper antireflection film is formed on the wafer W. As shown in FIG. After the upper anti-reflection film is formed, the wafer W is simultaneously carried out from the upper anti-reflection film forming devices 64 and 74 by the main transport device 130.

그 후, 메인 반송 장치(130)로부터 열처리 장치(104, 114)에 웨이퍼(W)가 동시에 반입된다. 그리고, 열처리 장치(104, 114)에서 웨이퍼(W)는 가열된다. 가열 처리후, 메인 반송 장치(130)에 의해 열처리 장치(104, 114)로부터 웨이퍼(W)가 동시에 반출된다.Thereafter, the wafer W is loaded into the heat treatment apparatuses 104 and 114 from the main transport apparatus 130 at the same time. In the heat treatment apparatuses 104 and 114, the wafer W is heated. After the heat treatment, the wafer W is simultaneously carried out from the heat treatment apparatuses 104 and 114 by the main transport apparatus 130.

그 후, 메인 반송 장치(130)로부터 주변 노광 장치(100, 110)에 웨이퍼(W)가 동시에 반입된다. 그리고, 주변 노광 장치(100, 110)에서, 웨이퍼(W)는 주변 노광 처리된다. 주변 노광 처리후, 메인 반송 장치(130)에 의해 주변 노광 장치(100, 110)로부터 웨이퍼(W)가 동시에 반출된다.Thereafter, the wafer W is loaded into the peripheral exposure apparatuses 100 and 110 from the main transport apparatus 130 at the same time. In the peripheral exposure apparatuses 100 and 110, the wafer W is subjected to peripheral exposure processing. After the peripheral exposure process, the wafer W is carried out simultaneously from the peripheral exposure apparatuses 100 and 110 by the main transport apparatus 130.

다음으로, 웨이퍼(W)는, 메인 반송 장치(130)로부터 웨이퍼 반송 장치(141)에 반송된다. 이 때, 복수, 예를 들어 2장의 웨이퍼(W)가 동시에 전달된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(141)에 의해 노광 장치(12)에 반송되어 노광 처리된다. 노광 처리후, 웨이퍼 반송 장치(141)에 의해 메인 반송 장치(130)에 웨이퍼(W)가 반송된다.Next, the wafer W is conveyed from the main conveying apparatus 130 to the wafer conveying apparatus 141. At this time, a plurality of, for example, two wafers W are transferred simultaneously. Then, the wafer W is conveyed to the exposure apparatus 12 by the wafer conveyance apparatus 141, and is exposed to exposure. After the exposure process, the wafer W is conveyed to the main conveyance device 130 by the wafer conveyance device 141.

그 후, 메인 반송 장치(130)로부터 열처리 장치(103, 113)에 웨이퍼(W)가 동시에 반입된다. 그리고, 열처리 장치(103, 113)에서, 웨이퍼(W)는 노광후 베이크 처리된다. 노광후 베이크 처리된 후, 메인 반송 장치(130)에 의해 열처리 장치(103, 113)로부터 웨이퍼(W)가 동시에 반출된다.Thereafter, the wafers W are simultaneously loaded into the heat treatment apparatuses 103 and 113 from the main transport apparatus 130. In the heat treatment apparatuses 103 and 113, the wafer W is subjected to a post-exposure bake treatment. After the post-exposure bake treatment, the wafers W are simultaneously carried out from the heat treatment apparatuses 103 and 113 by the main transport apparatus 130.

그 후, 메인 반송 장치(130)로부터 현상 처리 장치(62, 72)에 웨이퍼(W)가 동시에 반입된다. 그리고, 현상 처리 장치(62, 72)에서 웨이퍼(W)는 현상된다. 현상 처리후, 메인 반송 장치(130)에 의해 현상 처리 장치(62, 72)로부터 웨이퍼(W)가 동시에 반출된다.Thereafter, the wafer W is loaded into the developing apparatuses 62 and 72 from the main transport apparatus 130 at the same time. Then, the wafers W are developed in the developing devices 62 and 72. After the developing treatment, the wafers W are simultaneously carried out from the developing apparatuses 62 and 72 by the main conveying apparatus 130.

그 후, 메인 반송 장치(130)로부터 열처리 장치(102, 112)에 웨이퍼(W)가 동시에 반입된다. 그리고, 열처리 장치(102, 112)에서, 웨이퍼(W)는 포스트 베이크 처리된다. 포스트 베이크 처리후, 메인 반송 장치(130)에 의해 열처리 장치(102, 112)로부터 웨이퍼(W)가 동시에 반출된다.Thereafter, the wafer W is loaded into the heat treatment apparatuses 102 and 112 from the main transport apparatus 130 at the same time. In the heat treatment apparatuses 102 and 112, the wafer W is post-baked. After the post-baking process, the wafer W is carried out simultaneously from the heat treatment apparatuses 102 and 112 by the main conveying apparatus 130.

그 후, 웨이퍼(W)는, 메인 반송 장치(130)로부터 웨이퍼 반송 장치(31)에 반송되고, 웨이퍼 반송 장치(31)에 의해 미리 결정된 카세트 배치판(21)의 카세트(C)에 반송된다. 이렇게 하여, 일련의 포토리소그래피 공정이 종료된다.Thereafter, the wafer W is conveyed from the main conveying apparatus 130 to the wafer conveying apparatus 31 and conveyed to the cassette C of the cassette placing plate 21 predetermined by the wafer conveying apparatus 31. . In this way, a series of photolithography processes are complete | finished.

상술한 처리 스테이션(11)에서의 처리는, 또한 메인 반송 장치(131)를 이용함으로써, 다른 웨이퍼(W)에 대해서도 수행할 수 있다.The above-described processing at the processing station 11 can also be performed for the other wafers W by using the main transport device 131.

이상의 실시형태에 의하면, 메인 반송 장치(130, 131)에 설치된 복수의 반송 아암(160a∼160d)은, 독립적으로 수평 방향으로 이동하고 지지부(170)를 중심으로 하여 회전할 수 있기 때문에, 수평 방향으로 인접하는 처리 장치에 동시에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 이것에 의해, 종래와 같이 하나의 처리 장치에 웨이퍼를 반송할 때마다, 복수의 반송 아암을 이동시킬 필요가 없어, 웨이퍼(W)의 반송 효율을 크게 향상시킬 수 있다. 따라서, 웨이퍼 처리의 처리량을 향상시킬 수 있다.According to the above embodiment, since the some conveyance arm 160a-160d provided in the main conveying apparatus 130, 131 can move to a horizontal direction independently, and can rotate around the support part 170, it is a horizontal direction The wafer W can be conveyed to the adjacent processing apparatus at the same time. Thereby, it is not necessary to move several conveyance arms every time a wafer is conveyed to one processing apparatus like conventionally, and the conveyance efficiency of the wafer W can be improved significantly. Therefore, the throughput of the wafer processing can be improved.

또, 상술한 인접하는 처리 장치에서는 웨이퍼(W)에 동일한 처리가 행해지기 때문에, 2장의 웨이퍼(W)에 행해지는 처리가 동시에 진행되어, 동시에 종료한다. 그렇게 하면, 항상 메인 반송 장치(130, 131)에 의해 그 인접하는 처리 장치에 웨이퍼(W)를 동시에 반송할 수 있다. 이것에 의해, 웨이퍼 처리의 처리량을 더욱 향상시킬 수 있다.Moreover, in the adjacent processing apparatus mentioned above, since the same process is performed to the wafer W, the process performed on two wafers W advances simultaneously and it complete | finishes simultaneously. By doing so, the main transport apparatuses 130 and 131 can always convey the wafer W to the adjacent processing apparatus simultaneously. Thereby, the throughput of a wafer process can be improved further.

또, 반송 장치(130, 131)는, 하나의 처리 장치에 대하여 웨이퍼(W)의 반입 및 반출을 동시에 행할 수 있기 때문에, 그 하나의 처리 장치에서, 웨이퍼(W)의 반송을 기다리지 않고 웨이퍼(W)를 처리할 수 있다.In addition, since the conveying apparatuses 130 and 131 can simultaneously carry in and unload the wafer W with respect to one processing apparatus, the wafer (without waiting for the conveyance of the wafer W) in the processing apparatus. W) can be processed.

또, 반송 영역(R)에는, 2기의 메인 반송 장치(130, 131)가 배치되어 있기 때문에, 보다 많은 웨이퍼(W)를 처리 장치에 반송할 수 있어, 웨이퍼(W)의 반송을 더욱 효율적으로 행할 수 있다.Moreover, since two main conveying apparatuses 130 and 131 are arrange | positioned in the conveyance area | region R, more wafers W can be conveyed to a processing apparatus, and conveyance of the wafer W is more efficient. This can be done.

또, 2기의 메인 반송 장치(130, 131)는 평면에서 볼 때 웨이퍼(W)의 반송 경로가 겹치도록 배치되어 있기 때문에, 메인 반송 장치(130, 131)의 간섭을 용이하게 방지할 수 있다. 본 실시형태에서는, 제어 장치(200)와 위치 검사 장치(201)에 의해, 메인 반송 장치(130, 131)의 이동은, 각각의 수직 방향 및 수평 방향의 위치를 검출하면서 제어되기 때문에, 메인 반송 장치(130, 131)를 간섭시키지 않고 이동시킬 수 있다.Moreover, since the two main conveying apparatuses 130 and 131 are arrange | positioned so that the conveyance path | route of the wafer W may overlap in plan view, interference with the main conveying apparatus 130 and 131 can be easily prevented. . In this embodiment, since the movement of the main conveying apparatus 130,131 is controlled by the control apparatus 200 and the position inspection apparatus 201, detecting the position of each vertical direction and a horizontal direction, main conveyance is carried out. The devices 130 and 131 can be moved without interfering.

또, 이와 같이 2기의 메인 반송 장치(130, 131)는 평면에서 볼 때 웨이퍼(W)의 반송 경로가 겹치도록 배치되어 있기 때문에, 반송 영역(R)을 크게 할 필요가 없다. 따라서, 도포 현상 처리 시스템(1)의 점유 면적을 작게 유지할 수 있다.In addition, since the two main conveying apparatuses 130 and 131 are arrange | positioned so that the conveyance path | route of the wafer W may overlap in plan view, it is not necessary to enlarge conveyance area | region R. As shown in FIG. Therefore, the occupation area of the coating and developing treatment system 1 can be kept small.

또, 상술한 인접하는 처리 장치의 반입/반출구(120, 120)는, 하나의 셔터(121)로 개폐되도록 되어 있기 때문에, 셔터(121)를 구동시키기 위한 기구(도시하지 않음)도 하나이면 된다. 이것에 의해, 도포 현상 처리 시스템(1)을 간소시킬 수 있다.In addition, since the carrying in / out port 120 and 120 of the adjoining processing apparatus mentioned above are opened and closed by one shutter 121, if there is only one mechanism (not shown) for driving the shutter 121, do. As a result, the coating and developing treatment system 1 can be simplified.

또, 웨이퍼 반송 장치(31, 141)는 복수의 웨이퍼(W)를 유지할 수 있기 때문에, 복수의 웨이퍼(W)를 메인 반송 장치(130, 131)에 한번에 반송할 수 있다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 반송 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.Moreover, since the wafer conveyance apparatuses 31 and 141 can hold | maintain the some wafer W, the some conveyance W can be conveyed to the main conveyance apparatus 130 and 131 at once. Thereby, the conveyance efficiency of the wafer W can be improved further.

이상의 실시형태의 도포 현상 처리 시스템(1)에서, 메인 반송 장치(130, 131)의 레일(132, 133)을, 예를 들어 도 12에 나타낸 바와 같이 제1 블록(G1)에 부착해도 된다. 이 경우, 예를 들어 메인 반송 장치(130)의 레일(132)은 예를 들어 케미컬실(45) 등에 부착되고, 메인 반송 장치(131)의 레일(133)은 하부 반사 방지막 형성 장치(44) 등의 위쪽에 부착된다. 또한, 레일(132, 133)을 제2 블록(G2)에 부착해도 된다. 또, 예를 들어 도 13에 나타낸 바와 같이, 두 메인 반송 장치(130, 131)를 반송 영역(R)의 하부에 배치해도 된다. 이 경우, 메인 반송 장치(130)의 레일(132)은 제1 블록(G1)에 부착되고, 메인 반송 장치(131)의 레일(133)은 제2 블록(G2)에 부착된다. 또한, 예를 들어 도 14에 나타낸 바와 같이, 두 메인 반송 장치(130, 131)를 반송 영역(R)의 상부에 배치해도 된다. 이 경우에도, 메인 반송 장치(130)의 레일(132)은 제1 블록(G1)에 부착되고, 메인 반송 장치(131)의 레일(133)은 제2 블록(G2)에 부착된다. 이상의 모든 경우에서도, 반송 영역(R) 내에서 메인 반송 장치(130, 131)를 독립적으로 이동시킬 수 있어, 웨이퍼 처리의 처리량을 향상시킬 수 있다.In the coating and developing processing system 1 of the above embodiment, the rails 132 and 133 of the main conveying apparatus 130 and 131 may be attached to the first block G1 as shown in FIG. 12, for example. In this case, for example, the rail 132 of the main conveying apparatus 130 is attached to the chemical chamber 45 or the like, for example, and the rail 133 of the main conveying apparatus 131 is the lower antireflection film forming apparatus 44. It is attached to the upper back. In addition, you may attach the rails 132 and 133 to the 2nd block G2. For example, as shown in FIG. 13, you may arrange | position two main conveyance apparatuses 130 and 131 under the conveyance area | region R. As shown in FIG. In this case, the rail 132 of the main transport device 130 is attached to the first block G1, and the rail 133 of the main transport device 131 is attached to the second block G2. For example, as shown in FIG. 14, you may arrange | position two main conveyance apparatuses 130 and 131 on the conveyance area | region R. As shown in FIG. Also in this case, the rail 132 of the main conveying apparatus 130 is attached to the 1st block G1, and the rail 133 of the main conveying apparatus 131 is attached to the 2nd block G2. Also in all the above cases, the main conveying apparatuses 130 and 131 can be moved independently in the conveyance area | region R, and the throughput of a wafer process can be improved.

이상의 실시형태의 도포 현상 처리 시스템(1)에서, 도 15에 나타낸 바와 같이 인접하는 처리 장치의 반입/반출구(120, 120)가 형성된 측면(210, 210)을 내측으로 향하게 해도 된다. 즉, 메인 반송 장치(130, 131)가 인접하는 처리 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 때, 반입/반출구(120)가 메인 반송 장치(130, 131)를 향하도록 측면(210)을 형성해도 된다. 이것에 의해, 메인 반송 장치(130, 131)에 의해 처리 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 때, 그 웨이퍼(W)의 반송을 보다 원활하게 행할 수 있다.In the application | coating development system 1 of the above embodiment, as shown in FIG. 15, you may make the side surface 210 and 210 in which the carrying-in / out port 120 and 120 of the adjoining processing apparatuses be formed face inward. That is, when the main conveying apparatus 130, 131 conveys the wafer W to the adjacent processing apparatus, the side surface 210 is formed so that the carrying-in / out port 120 may face the main conveying apparatus 130,131. You may also Thereby, when conveying the wafer W to the processing apparatus by the main conveying apparatus 130,131, the conveyance of the wafer W can be performed more smoothly.

이상의 실시형태의 메인 반송 장치(130, 131)에서의 평판(171)을, 도 16에 나타낸 바와 같이, 예를 들어 모터(도시하지 않음) 등을 내장시킨 아암 이동 기구(220)로 해도 된다. 또, 동일한 아암 이동 기구(221)를 반송 아암(160b)과 반송 아암(160c) 사이의 지지부(170)에 설치해도 된다. 아암 이동 기구(220)는, 반송 아암(160c, 160d)을 독립적으로 수평 방향으로 이동시키고 독립적으로 회전시킬 수 있다. 또, 아암 이동 기구(221)는, 반송 아암(160a, 160b)을 독립적으로 수평 방향으로 이동시키고 독립적으로 회전시킬 수 있다. 그리고, 이러한 경우, 각 반송 아암(160)에 설치했던 아암 이동 기구(164)를 생략할 수 있다.As shown in FIG. 16, the flat plate 171 in the main conveyance apparatus 130, 131 of above-mentioned embodiment may be the arm moving mechanism 220 in which the motor (not shown) etc. were built. In addition, the same arm movement mechanism 221 may be provided in the support part 170 between the conveyance arm 160b and the conveyance arm 160c. The arm movement mechanism 220 can move the conveyance arms 160c and 160d independently in a horizontal direction, and can rotate them independently. Moreover, the arm movement mechanism 221 can move conveyance arms 160a and 160b independently in a horizontal direction, and can rotate them independently. In this case, the arm moving mechanism 164 provided in each conveyance arm 160 can be omitted.

이상의 실시형태의 메인 반송 장치(130, 131)에서, 반송 아암(160) 대신, 도 17 및 도 18에 나타낸 바와 같이 다관절형의 반송 아암(230)을 설치해도 된다. 각 반송 아암(230)은, 복수, 예를 들어 4개의 아암부(231)를 갖고 있다. 4개의 아암부(231)는, 하나의 아암부(231)가 그 단부에서 다른 아암부(231)에 굴곡 가능하게 연결되어 있다. 각 아암부(231)의 사이에는 동력이 전달되어, 반송 아암(230)은 굴신 및 선회 가능하게 되어 있다. 선단의 아암부(231a)에는, 웨이퍼(W)의 이면을 흡착하여 수평으로 유지하는 흡착 패드(232)가 설치되어 있다. 기단(基端)의 아암부(231b)에는, 아암 이동 기구(164)가 설치되어 있다. 이러한 경우에도, 각 반송 아암(230)을 독립적으로 수평 방향으로 이동시키고 독립적으로 회전시킬 수 있다.In the main conveying apparatuses 130 and 131 of the above embodiment, instead of the conveying arm 160, as shown in FIG. 17 and FIG. 18, the articulated conveying arm 230 may be provided. Each conveyance arm 230 has a plurality, for example, four arm portions 231. In the four arm parts 231, one arm part 231 is bendably connected to the other arm part 231 at the edge part. Power is transmitted between each arm part 231, and the conveyance arm 230 is able to bend and rotate. An arm pad 231a at the tip end is provided with a suction pad 232 which sucks the back surface of the wafer W and holds it horizontally. The arm movement mechanism 164 is provided in the arm part 231b of a base end. Even in such a case, each conveying arm 230 can be moved independently in the horizontal direction and rotated independently.

이상의 실시형태에서, 메인 반송 장치(130, 131)에는 4개의 반송 아암(160)이 설치되었지만, 그 이상의 반송 아암(160)을 설치해도 된다. 이러한 경우, 한번의 반송으로 다수의 웨이퍼(W)를 반송할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 반송을 보다 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 하나의 처리 장치에 대하여 웨이퍼(W)의 반입 및 반출을 동시에 행하기 위해, 메인 반송 장치(130, 131)에는 짝수개의 반송 아암(160)을 설치하는 것이 바람직하다.In the above embodiment, although four conveyance arms 160 were provided in the main conveyance apparatus 130,131, more conveyance arms 160 may be provided. In this case, since many wafers W can be conveyed by one conveyance, the wafer W can be conveyed more efficiently. In addition, in order to simultaneously carry in and unload the wafer W with respect to one processing apparatus, it is preferable that even-numbered conveying arms 160 are provided in the main conveying apparatuses 130 and 131.

또, 이상의 실시형태에서는, 반송 영역(R)에 2기의 메인 반송 장치(130, 131)를 설치하였지만, 3기 이상의 메인 반송 장치를 설치해도 된다. 이것에 의해, 보다 많은 웨이퍼(W)를 처리 장치에 반송할 수 있어, 웨이퍼(W)의 반송을 더욱 효율적으로 수행할 수 있다.Moreover, in the above embodiment, although two main conveying apparatuses 130 and 131 were provided in the conveyance area | region R, you may provide three or more main conveying apparatuses. Thereby, more wafers W can be conveyed to a processing apparatus, and conveyance of the wafers W can be performed more efficiently.

이상의 실시형태에서, 제어 장치(200)는, 메인 반송 장치(130, 131)의 간섭을 회피하기 위해, 두 메인 반송 장치(130, 131)를 수직 방향으로 이동시켰지만, 도 19에 나타낸 바와 같이 어느 하나를 수직 방향으로 이동시키도록 해도 된다. 이러한 경우, 예를 들어 도 19의 (a)에 나타낸 바와 같이, 메인 반송 장치(130, 131)가 서로 이동하여 수평 방향의 거리가 미리 결정된 거리(L)가 된 경우에, 도 19의 (b)에 나타낸 바와 같이 메인 반송 장치(130)를 수직 아래쪽(도 19의 하방향)으로 이동시켜, 메인 반송 장치(131)의 수직 방향의 위치를 고정한다. 이 상태로 메인 반송 장치(130, 131)를 수평 방향으로 이동시킴으로써, 메인 반송 장치(130, 131)의 간섭을 회피할 수 있다. 또한, 메인 반송 장치(130)의 수직 방향의 위치를 고정하고, 메인 반송 장치(131)를 수직 위쪽(도 19의 상방향)으로 이동시켜, 메인 반송 장치(130, 131)의 간섭을 회피해도 된다.In the above embodiment, the control device 200 moved the two main transport devices 130, 131 in the vertical direction in order to avoid the interference of the main transport devices 130, 131, but as shown in FIG. One may be moved in the vertical direction. In this case, for example, as shown in FIG. 19A, when the main conveying devices 130 and 131 move with each other and the horizontal distance becomes a predetermined distance L, FIG. 19B ), The main transport device 130 is moved vertically downward (downward in FIG. 19) to fix the vertical transport position of the main transport device 131. By moving the main carriers 130 and 131 in the horizontal direction in this state, the interference of the main carriers 130 and 131 can be avoided. In addition, even if the position of the main conveying apparatus 130 in the vertical direction is fixed, and the main conveying apparatus 131 is moved vertically upward (upward in FIG. 19), the interference of the main conveying apparatuses 130 and 131 may be avoided. do.

이상의 실시형태에서, 주변 노광 장치(100, 110)는 제2 블록(G2)에 설치되었지만, 그 주변 노광 장치(100, 110)를 인터페이스 스테이션(13)에 설치해도 된다. 또한, 제1 블록(G1)과 제2 블록(G2)의 처리 장치의 구성도, 본 실시형태에 한정되지 않고, 여러가지 처리 장치를 임의로 배치할 수 있다.In the above embodiment, the peripheral exposure apparatuses 100 and 110 are provided in the second block G2, but the peripheral exposure apparatuses 100 and 110 may be provided in the interface station 13. In addition, the structure of the processing apparatus of the 1st block G1 and the 2nd block G2 is also not limited to this embodiment, Various processing apparatus can be arrange | positioned arbitrarily.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시형태에 관해 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허청구범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 이를 수 있는 것은 분명하며, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해한다. 본 발명은 이 예에 한정되지 않고 다양한 양태를 채택할 수 있는 것이다. 본 발명은, 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(평판 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described referring an accompanying drawing, this invention is not limited to this example. Those skilled in the art will clearly understand that various changes or modifications can be made within the scope of the spirit described in the claims, and these also naturally belong to the technical scope of the present invention. The present invention is not limited to this example and can adopt various aspects. The present invention is also applicable to the case where the substrate is other substrates such as FPDs (flat panel displays) other than wafers and mask reticles for photomasks.

본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼 등의 기판의 처리 시스템에 유용하다.This invention is useful for the processing systems of board | substrates, such as a semiconductor wafer, for example.

1 : 도포 현상 처리 시스템 3 : 처리 스테이션
31, 141 : 웨이퍼 반송 장치 120 : 반입/반출구
121 : 셔터 130, 131 : 메인 반송 장치
160a∼160d : 반송 아암 164 : 아암 이동 기구
170 : 지지부 173 : 지지부 이동 기구
G1 : 제1 블록 G2 : 제2 블록
R : 반송 영역 W : 웨이퍼1: coating and developing processing system 3: processing station
31, 141: wafer transfer device 120: carry-in / out
121: shutter 130, 131: main conveying device
160a-160d: Carrying arm 164: Arm moving mechanism
170: support portion 173: support portion moving mechanism
G1: first block G2: second block
R: conveying area W: wafer

Claims (8)

기판에 미리 결정된 처리를 행하는 복수의 처리 장치를, 수직 방향으로 다단으로 적층하고 수평 방향으로 직렬로 배치한 기판의 처리 시스템으로서,
상기 복수의 처리 장치와 대향하는 위치에는, 그 복수의 처리 장치에 기판을 반송하기 위한 반송 영역이 상기 복수의 처리 장치의 수직 방향 및 수평 방향을 따라 형성되고,
상기 반송 영역에는 상기 각 처리 장치에 기판을 반송하는 반송 장치가 배치되고,
상기 반송 장치는,
기판을 유지하는 복수의 반송 아암과,
상기 복수의 반송 아암을 수직 방향으로 나열하여 지지하는 지지부와,
상기 각 반송 아암을 수평 방향으로 독립적으로 이동시키고 상기 지지부를 중심으로 하여 상기 각 반송 아암을 독립적으로 회전시키는 아암 이동 기구와,
상기 지지부를 상기 복수의 처리 장치를 따라 수직 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 지지부 이동 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.As a processing system of the board | substrate which laminated | stacked the several processing apparatus which performs a predetermined process to a board | substrate in the multistage in the vertical direction, and arrange | positioned in series in the horizontal direction,
At a position facing the plurality of processing apparatuses, a conveying region for conveying substrates to the plurality of processing apparatuses is formed along the vertical direction and the horizontal direction of the plurality of processing apparatuses,
The conveying apparatus which conveys a board | substrate to each said processing apparatus is arrange | positioned in the said conveyance area | region,
The conveying device,
A plurality of transfer arms holding the substrate,
A support portion for arranging and supporting the plurality of transfer arms in a vertical direction;
An arm moving mechanism for independently moving the respective transport arms in a horizontal direction and independently rotating the respective transport arms about the support portion;
And a support moving mechanism for moving the support in the vertical direction and the horizontal direction along the plurality of processing apparatuses. 제1항에 있어서, 상기 반송 영역에는 상기 반송 장치가 복수개 배치되고,
상기 복수의 반송 장치는, 평면에서 볼 때, 상기 복수의 처리 장치의 수평 방향을 따른 기판의 반송 경로가 겹치도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.The said conveyance area | region is arranged in multiple numbers of Claims 1,
The said some conveyance apparatus is arrange | positioned so that the conveyance path | route of the board | substrate along the horizontal direction of the said some processing apparatus may overlap in planar view. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반송 장치는, 수평 방향으로 인접하는 상기 처리 장치에 기판을 동시에 반송하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.The substrate processing system according to claim 1 or 2, wherein the transfer apparatus simultaneously transfers a substrate to the processing apparatus adjacent in the horizontal direction. 제3항에 있어서, 상기 처리 장치의 상기 반송 영역측의 측면에는 기판의 반입/반출구가 형성되고,
상기 인접하는 처리 장치의 반입/반출구는 하나의 셔터로 개폐되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.The carry-in / out port of a board | substrate is formed in the side surface of the said conveyance area side of the said processing apparatus,
And a carrying in / out port of the adjacent processing apparatus is opened and closed by one shutter. 제3항에 있어서, 상기 인접하는 처리 장치에서는 기판에 동일한 처리가 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.The substrate processing system according to claim 3, wherein in the adjacent processing apparatus, the same processing is performed on the substrate. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반송 장치는, 하나의 상기 처리 장치에 대한 기판의 반입 및 반출을 동시에 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.The substrate processing system according to claim 1 or 2, wherein the conveying apparatus simultaneously carries in and unloads the substrate to one of the processing apparatuses. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 처리 장치는 수평 방향으로 2열로 배치되고,
상기 반송 영역은 상기 2열의 처리 장치 사이에 형성되고,
상기 반송 장치는 상기 2열로 배치된 각 처리 장치에 기판을 반송하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.The method of claim 1, wherein the plurality of processing apparatuses are arranged in two rows in a horizontal direction.
The said conveyance area | region is formed between the said 2 rows of processing apparatuses,
The said conveying apparatus conveys a board | substrate to each processing apparatus arrange | positioned in the said two rows, The substrate processing system characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반송 영역의 외부로부터 상기 반송 장치에 기판을 반송하는 다른 반송 장치를 가지며,
상기 다른 반송 장치는 복수의 기판을 유지할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.The conveyance apparatus of Claim 1 or 2 which has another conveying apparatus which conveys a board | substrate to the said conveying apparatus from the exterior of the said conveyance area | region,
The said other conveyance apparatus can hold a some board | substrate, The substrate processing system characterized by the above-mentioned.
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