KR101058513B1 - Manufacturing method of probe card - Google Patents

Abstract

제조 기간 및 제조 비용을 절감할 수 있는 프로브 카드의 제조 방법이 제공된다.Provided is a method of manufacturing a probe card that can reduce a manufacturing period and manufacturing cost.

프로브 카드의 제조 방법은 표면에 패드가 형성된 기판을 마련하는 단계, 상기 기판의 상기 패드 상에 복수의 기판 얼라인부를 형성하는 단계, 각각 상기 기판 얼라인부와 대응하는 프로브 얼라인부가 형성된 복수의 프로브 및 상기 복수의 프로브와 일체로 형성되며, 각각의 상기 프로브를 상호 연결하는 브릿지부를 포함하는 프로브 결합부를 마련하는 단계, 상기 복수의 기판 얼라인부 상에 상기 복수의 프로브의 상기 프로브 얼라인부가 위치하도록 상기 프로브 결합부를 상기 기판 상에 정렬하는 단계, 상기 복수의 기판 얼라인부와 상기 복수의 프로브 사이를 본딩하는 단계 및 상기 복수의 프로브로부터 상기 브릿지부를 분리하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a probe card includes providing a substrate having pads formed on a surface thereof, forming a plurality of substrate alignment portions on the pads of the substrate, and a plurality of probes each having a probe alignment portion corresponding to the substrate alignment portion. And a probe coupling part integrally formed with the plurality of probes and including a bridge part interconnecting each of the probes, such that the probe alignment parts of the plurality of probes are positioned on the plurality of substrate alignment parts. Aligning the probe coupling portion on the substrate, bonding the plurality of substrate alignment portions and the plurality of probes, and separating the bridge portion from the plurality of probes.

프로브 카드, 브릿지부, 회전, 판상 Probe card, bridge section, rotation, plate

Description

프로브 카드의 제조 방법{MAKING METHOD OF PROBE CARD}Manufacturing method of probe card {MAKING METHOD OF PROBE CARD}

본 발명은 프로브 카드의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 포토리소그래피(photolithography) 기술을 이용한 프로브 카드의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a probe card, and more particularly, to a method of manufacturing a probe card using photolithography technology.

일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼(wafer) 상에 회로 패턴 및 검사를 위한 접촉 패드를 형성하는 패브리케이션(fabrication) 공정과 회로 패턴 및 접촉 패드가 형성된 웨이퍼를 각각의 반도체 칩으로 조립하는 어셈블리(assembly) 공정을 통해서 제조된다.In general, semiconductor devices have a fabrication process of forming contact pads for circuit patterns and inspections on a wafer, and an assembly process of assembling wafers having circuit patterns and contact pads into respective semiconductor chips. It is manufactured through.

패브리케이션 공정과 어셈블리 공정 사이에는 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드에 전기 신호를 인가하여 웨이퍼의 전기적 특성을 검사하는 검사 공정이 수행된다. 이 검사 공정은 웨이퍼의 불량을 검사하여 어셈블리 공정 시 불량이 발생한 웨이퍼의 일 부분을 제거하기 위해 수행하는 공정이다.An inspection process is performed between the fabrication process and the assembly process to inspect the electrical characteristics of the wafer by applying an electrical signal to the contact pads formed on the wafer. This inspection process is performed to inspect a defect of a wafer and to remove a portion of a wafer in which a defect occurs during an assembly process.

검사 공정 시에는 웨이퍼에 전기적 신호를 인가하는 테스터라고 하는 검사 장비와 웨이퍼와 테스터 사이의 인터페이스 기능을 수행하는 프로브 카드라는 검사 장비가 주로 이용된다. 이 중에서 프로브 카드는 테스터로부터 인가되는 전기 신호 를 수신하는 인쇄 회로 기판 및 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드와 접촉하는 복수개의 프로브를 포함한다.In the inspection process, inspection equipment called a tester for applying an electrical signal to a wafer and probe equipment for performing an interface function between the wafer and the tester are mainly used. Among them, the probe card includes a printed circuit board that receives an electrical signal applied from a tester and a plurality of probes in contact with contact pads formed on the wafer.

최근에, 고 집적 칩의 수요가 증가함에 따라서, 패브리케이션 공정에 의해 웨이퍼에 형성되는 회로 패턴 및 회로 패턴과 연결된 접촉 패드가 고 집적으로 형성된다. 즉, 이웃하는 접촉 패드간의 간격이 매우 좁고, 접촉 패드 자체의 크기도 미세하게 형성된다. 이에 의해, 검사 공정 시 사용하는 프로브 카드의 프로브는 접촉 패드와 접촉해야 하기 때문에 접촉 패드에 대응하여 이웃하는 프로브간의 간격이 매우 좁게 형성되어야 하며, 프로브 자체의 크기도 미세하게 형성되어야 한다.In recent years, as the demand for high integrated chips increases, circuit patterns formed on the wafer by the fabrication process and contact pads connected with the circuit patterns are highly integrated. That is, the spacing between neighboring contact pads is very narrow, and the size of the contact pad itself is also finely formed. As a result, since the probe of the probe card used in the inspection process must be in contact with the contact pad, the distance between neighboring probes corresponding to the contact pad must be formed very narrowly, and the size of the probe itself must also be finely formed.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 종래의 프로브 카드의 제조 방법에 대하여 살펴본다.Hereinafter, a method of manufacturing a conventional probe card will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

도 1 내지 도 3은 종래의 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 to 3 are diagrams for explaining a conventional method of manufacturing a probe card.

우선, 도 1에 도시된 바와 같이, 희생 기판(10)에 포토리소그래피(photolithography) 기술을 이용해 개구(11)를 형성하고, 상기 개구(11)에 도전성 물질을 채워 프로브(20)를 형성한다.First, as shown in FIG. 1, an opening 11 is formed in a sacrificial substrate 10 using photolithography technology, and a probe 20 is formed by filling a conductive material in the opening 11.

다음, 희생 기판(10)을 제거하여, 각각의 프로브(20)를 형성한 후, 도 3에 도시된 바와 같이, 각각의 프로브(20)를 기판(30)에 형성된 패드(31)에 하나씩 본딩함으로써 프로브 카드가 완성된다.Next, the sacrificial substrate 10 is removed to form respective probes 20, and then, as illustrated in FIG. 3, each probe 20 is bonded one by one to the pad 31 formed on the substrate 30. This completes the probe card.

이상과 같은 종래의 프로브 카드의 제조 방법은 각각의 프로브(20)를 기판(30)에 형성된 패드(31)에 각각 본딩하기 때문에, 각각의 프로브(20)를 본딩하는 시간이 증가하게 된다. 이는 제조 시간 및 제조 비용을 증가하는 요인으로 작용한다.The conventional method of manufacturing a probe card as described above bonds each probe 20 to a pad 31 formed on the substrate 30, thereby increasing the time for bonding each probe 20. FIG. This increases the manufacturing time and manufacturing cost.

상기와 같은 문제점들을 해결하기 위해 다음과 같은 다른 종래의 프로브 카드의 제조 방법이 제안되어 있다. In order to solve the above problems, another conventional method of manufacturing a probe card is proposed as follows.

우선, 도 1에 도시된 바와 같이, 희생 기판(10)에 포토리소그래피(photolithography) 기술을 이용해 개구(11)를 형성하고, 상기 개구(11)에 도전성 물질을 채워 프로브(20)를 형성한다.First, as shown in FIG. 1, an opening 11 is formed in a sacrificial substrate 10 using photolithography technology, and a probe 20 is formed by filling a conductive material in the opening 11.

다음, 도 2에 도시된 바와 같이, 희생 기판(10)에 형성된 프로브(20)를 기판(30)에 형성되어 있는 패드(31)에 본딩한다.Next, as shown in FIG. 2, the probe 20 formed on the sacrificial substrate 10 is bonded to the pad 31 formed on the substrate 30.

다음, 도 3에 도시된 바와 같이, 희생 기판(10)을 프로브(20)로부터 분리함으로써 프로브 카드가 완성된다.Next, as shown in FIG. 3, the probe card is completed by separating the sacrificial substrate 10 from the probe 20.

이상과 같은, 다른 종래의 프로브 카드의 제조 방법은 반도체의 패턴 형성에 사용되는 포토리소그래피 기술을 이용하기 때문에 프로브(20) 자체의 크기를 미세하게 형성할 수 있으며, 이웃하는 프로브(20)간의 간격도 매우 좁게 인쇄 회로 기판(30)에 형성시킬 수 있다.As described above, another conventional method of manufacturing a probe card uses a photolithography technique used to form a pattern of a semiconductor, so that the size of the probe 20 itself can be finely formed, and the interval between neighboring probes 20 can be achieved. It can also be formed in the printed circuit board 30 very narrowly.

그러나, 다른 종래의 프로브 카드의 제조 방법에 따르면, 복수 개의 프로브(20)를 일괄하여 기판(30)에 형성된 패드(31)에 본딩하므로, 일부 프로브(20) 또는 전체의 프로브(20)가 패드(31) 상에 정확히 정렬되지 않는 불량이 발생할 수 있다. 이 경우, 복수 개의 프로브(20)를 기판(30)에 본딩한 후, 추가적인 공정에 의해 복수 개의 프로브(20)의 정렬 상태를 검사하여 정렬 상태가 불량인 프로브(20) 가 있을 때에는 이를 제거하여 정렬 상태를 올바르게 재차 본딩해야 하는 문제가 발생한다. 이는 제조 기간 및 제조 비용이 증가하는 요인으로 작용한다.However, according to another conventional method of manufacturing a probe card, the plurality of probes 20 are collectively bonded to the pads 31 formed on the substrate 30, so that some probes 20 or the entire probes 20 are pads. Defects that are not exactly aligned on 31 may occur. In this case, after bonding the plurality of probes 20 to the substrate 30, the alignment state of the plurality of probes 20 is inspected by an additional process to remove the probes 20 when the alignment state is poor. The problem arises in that the alignment must be correctly bonded again. This is a factor that increases the manufacturing period and manufacturing cost.

또한, 희생 기판(10)에 형성된 복수 개의 프로브(20)를 일괄하여 기판(30)에 본딩하므로, 희생 기판(10)에 형성된 복수 개의 프로브(20) 중 일부 프로브(20)에 이상이 있는 경우에도 프로브(20)의 표면 상태를 확인할 수 없기 때문에, 이상이 있는 프로브(20)가 그대로 기판(30)에 본딩되는 문제점이 있다. 이로 인해, 추가적인 공정에 의해 이상이 있는 프로브(20)를 이상이 없는 프로브(20)로 일일이 교체하거나, 복수 개의 프로브(20)를 다시 기판(30)에 본딩해야 하는 번거로움이 발생한다. In addition, since the plurality of probes 20 formed on the sacrificial substrate 10 are collectively bonded to the substrate 30, when some of the probes 20 of the plurality of probes 20 formed on the sacrificial substrate 10 have abnormalities, In addition, since the surface state of the probe 20 cannot be confirmed, there is a problem that the abnormal probe 20 is bonded to the substrate 30 as it is. Therefore, the trouble of having to replace the abnormal probe 20 with the abnormal probe 20 by an additional process or to bond the plurality of probes 20 to the substrate 30 again.

본 발명의 일 실시예는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 프로브를 기판에 본딩할 때 기판에 대한 프로브의 정렬 상태를 올바르게 할 수 있는 프로브 카드의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.One embodiment of the present invention is to solve the above-described problems, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a probe card that can correctly align the probe with respect to the substrate when bonding the probe to the substrate.

또한, 프로브를 기판에 본딩할 때 프로브의 상태를 확인할 수 있는 프로브 카드의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a probe card, which can confirm the state of a probe when bonding the probe to a substrate.

또한, 제조 기간 및 제조 비용을 절감할 수 있는 프로브 카드의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a method for manufacturing a probe card, which can reduce the manufacturing period and manufacturing cost.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제 1 측면은 프로브 카드의 제조 방법에 있어서, a) 표면에 패드가 형성된 기판을 마련하는 단계, b) 상기 기판의 상기 패드 상에 복수의 기판 얼라인부를 형성하는 단계, c) 각각 상기 기판 얼라인부와 대응하는 프로브 얼라인부가 형성된 복수의 프로브 및 상기 복수의 프로브와 일체로 형성되며, 각각의 상기 프로브를 상호 연결하는 브릿지부를 포함하는 프로브 결합부를 마련하는 단계, d) 상기 복수의 기판 얼라인부 상에 상기 복수의 프로브의 상기 프로브 얼라인부가 위치하도록 상기 프로브 결합부를 상기 기판 상에 정렬하는 단계, e) 상기 복수의 기판 얼라인부와 상기 복수의 프로브 사이를 본딩하는 단계 및 f) 상기 복수의 프로브로부터 상기 브릿지부를 분리하는 단계를 포함하는 프로브 카드의 제조 방법을 제공한다.As a technical means for achieving the above-described technical problem, the first aspect of the present invention is a method of manufacturing a probe card, a) providing a substrate with a pad formed on the surface, b) a plurality of on the pad of the substrate C) forming a substrate alignment portion of the substrate, and c) a plurality of probes each having a probe alignment portion corresponding to the substrate alignment portion, and a bridge portion which is integrally formed with the plurality of probes and interconnects each of the probes; Providing a probe coupling portion, d) aligning the probe coupling portion on the substrate such that the probe alignment portions of the plurality of probes are positioned on the plurality of substrate alignment portions, e) the plurality of substrate alignment portions; Bonding between the plurality of probes and f) separating the bridge portion from the plurality of probes; Provides a method of manufacturing a probe card.

상기 d)단계는 상기 프로브 결합부는 판상이며, 상기 프로브 결합부의 판면이 상기 기판의 표면과 실질적으로 수직을 이루도록 상기 기판 상에 상기 프로브 결합부를 정렬할 수 있다.In step d), the probe coupling portion may have a plate shape, and the probe coupling portion may be aligned on the substrate such that a plate surface of the probe coupling portion is substantially perpendicular to a surface of the substrate.

상기 d)단계는 흡착 기구에 의해 상기 프로브 결합부를 상기 판면에 대하여 흡착하는 단계 및 상기 흡착 기구에 의해 상기 프로브 결합부의 상기 판면이 상기 기판의 상기 표면과 실질적으로 수직을 이루도록 상기 프로브 결합부를 회전시키는 단계를 포함할 수 있다.In step d), the probe coupling portion is sucked by the suction mechanism with respect to the plate surface, and the suction coupling mechanism rotates the probe coupling portion so that the plate surface of the probe coupling portion is substantially perpendicular to the surface of the substrate. It may include a step.

상기 b)단계는 상기 기판 상에 제 1 금속층을 형성하는 단계, 상기 기판의 패드에 대응하는 제 1 영역이 개구되도록 상기 제 1 금속층 상에 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 1 영역에 도전성 물질을 채우는 단계, 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계 및 외부로 노출된 상기 제 1 금속층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.The step b) may include forming a first metal layer on the substrate, forming a first photoresist pattern on the first metal layer such that the first region corresponding to the pad of the substrate is opened, and the first region. The method may include filling a conductive material into the conductive material, removing the first photoresist pattern, and removing the first metal layer exposed to the outside.

상기 b)단계는 상기 기판 및 상기 제 1 금속층 사이에 위치하도록, 상기 기판 상에 접착층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The step b) may further include forming an adhesive layer on the substrate to be positioned between the substrate and the first metal layer.

상기 b)단계는 상기 제 1 포토레지스트 패턴의 표면으로부터 돌출된 상기 도전성 물질을 연마하는 단계 및 상기 도전성 물질 상에 제 2 금속층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The step b) may further include polishing the conductive material protruding from the surface of the first photoresist pattern and forming a second metal layer on the conductive material.

상기 c)단계는 희생 기판을 마련하는 단계, 상기 희생 기판 상에 상기 프로브 결합부에 대응하는 제 2 영역이 개구되도록 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 2 영역에 도전성 물질을 채워 상기 프로브 결합부를 형성하는 단계 및 상기 제 2 포토레지스트 패턴을 제거하고, 상기 희생 기판을 상기 프로브 결합부로부터 분리하는 단계를 포함할 수 있다.The step c) includes preparing a sacrificial substrate, forming a second photoresist pattern on the sacrificial substrate so that a second region corresponding to the probe coupling portion is opened, and filling the second region with a conductive material. The method may include forming a probe coupling unit, removing the second photoresist pattern, and separating the sacrificial substrate from the probe coupling unit.

상기 희생 기판과 상기 제 2 포토레지스트 패턴 사이에 위치하도록 상기 희생 기판 상에 제 3 금속층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include forming a third metal layer on the sacrificial substrate so as to be positioned between the sacrificial substrate and the second photoresist pattern.

상기 c)단계는 도전성 기판을 마련하는 단계, 상기 도전성 기판 상에 상기 프로브 결합부에 대응하는 제 3 영역을 둘러싸는 제 4 영역이 개구되도록 제 3 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 4 영역에 대응하는 상기 도전성 기판을 에칭하는 단계 및 상기 제 3 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.The step c) includes providing a conductive substrate, forming a third photoresist pattern on the conductive substrate such that a fourth region surrounding a third region corresponding to the probe coupling portion is opened, and the fourth region Etching the conductive substrate corresponding to and removing the third photoresist pattern.

상기 e)단계는 레이저 또는 열을 이용해 수행할 수 있다.Step e) may be performed using a laser or heat.

상기 기판 얼라인부는 볼록 형상이며, 상기 프로브 얼라인부는 상기 기판 얼라인부에 대응하는 오목 형상일 수 있다.The substrate alignment portion may have a convex shape, and the probe alignment portion may have a concave shape corresponding to the substrate alignment portion.

전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 하나에 의하면, 프로브 얼라인부 및 기판 얼라인부를 이용해 기판에 대한 프로브의 정렬 상태를 올바르게 할 수 있는 효과가 있다.According to one of the problem solving means of the present invention described above, there is an effect that the alignment state of the probe with respect to the substrate can be corrected by using the probe alignment portion and the substrate alignment portion.

또한, 프로브를 포함하는 프로브 결합부를 따로 형성하기 때문에 기판에 프로브 결합부를 본딩할 때, 프로브의 상태를 확인할 수 있는 효과가 있다.In addition, since the probe coupling portion including the probe is separately formed, when bonding the probe coupling portion to the substrate, there is an effect that can check the state of the probe.

또한, 복수의 프로브 및 복수의 프로브를 상호 연결하는 브릿지부를 포함하는 프로브 결합부를 형성하여, 복수의 프로브를 기판에 일괄 장착하기 때문에 제조 기간 및 제조 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.In addition, a probe coupling part including a plurality of probes and a bridge part interconnecting the plurality of probes is formed, and thus, a plurality of probes are mounted on a substrate, thereby reducing manufacturing period and manufacturing cost.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재와 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 “포함” 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a member is located “on” another member, this includes not only when one member is in contact with another member but also when another member exists between the two members. In addition, when a part is said to "include" a certain component, it means that it can further include other components, without excluding other components unless otherwise stated.

이하, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 카드의 제조 방법에 의해 제조된 프로브 카드를 설명한다.Hereinafter, a probe card manufactured by the method of manufacturing a probe card according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 카드의 제조 방법에 의해 제조된 프로브 카드의 사시도이며, 도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ로 절단되었을 때의 단면도이다.4 is a perspective view of a probe card manufactured by the method of manufacturing a probe card according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV of FIG. 4.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 프로브 카드는 기판(100) 및 프로브(200)를 포함한다.As shown in FIGS. 4 and 5, the probe card includes a substrate 100 and a probe 200.

기판(100)은 인쇄 회로 기판(PCB) 또는 공간 변환 기능을 수행하는 다층 세라믹 기판(MLC) 등일 수 있다. 기판(100)은 피검사체에 검사 신호를 인가하는 테스트 장치와 연결되어 있을 수 있다.The substrate 100 may be a printed circuit board (PCB) or a multilayer ceramic substrate (MLC) that performs a space conversion function. The substrate 100 may be connected to a test device that applies an inspection signal to the object under test.

기판(100)은 패드(110) 및 기판 얼라인부(120)를 포함한다.The substrate 100 includes a pad 110 and a substrate alignment portion 120.

기판(100)은 절연성 물질로 이루어져 있으며, 공간 변환 기능을 수행하는 사각형의 판 형상일 수 있다. 또한, 기판(100)이 인쇄 회로 기판일 경우 원형의 판 형상일 수 있다. 기판(100)의 내부에는 도전성 패턴(미도시)이 형성되어 있다. 기판(100)의 표면에는 패드(110)가 형성되어 있다.The substrate 100 may be made of an insulating material, and may have a rectangular plate shape for performing a space conversion function. In addition, when the substrate 100 is a printed circuit board, it may have a circular plate shape. A conductive pattern (not shown) is formed inside the substrate 100. The pad 110 is formed on the surface of the substrate 100.

패드(110)는 도전성 물질로 이루어져 있으며, 기판(100)의 내부에 형성된 도전성 패턴(미도시)과 연결되어 있다. 패드(110) 상에는 접착층(121)이 위치하고 있다.The pad 110 is made of a conductive material and is connected to a conductive pattern (not shown) formed in the substrate 100. The adhesive layer 121 is positioned on the pad 110.

기판 얼라인부(120)는 접착층(121), 제 1 금속층(122), 기판 얼라인 본체부(123) 및 제 2 금속층(124)을 포함한다. 복수개의 기판 얼라인부(120)에는 복수개의 프로브(200)가 장착되어 있다.The substrate alignment part 120 includes an adhesive layer 121, a first metal layer 122, a substrate alignment main body part 123, and a second metal layer 124. A plurality of probes 200 are mounted on the plurality of substrate alignment units 120.

접착층(121)은 도전성 물질로 이루어져 있으며, 제 1 금속층(122)과 기판(100) 상의 패드(110) 사이에 위치하고 있다. 접착층(121)은 제 1 금속층(122)과 패드(110) 사이의 접착을 용이하게 하는 역할을 한다. 접착층(121)은 제 1 금속층(122)보다 기판(100) 및 패드(110)와 화학적 친화력이 더 높으며, 티타늄(Ti) 또는 크롬(Cr)등의 재료를 포함한다.The adhesive layer 121 is made of a conductive material and is positioned between the first metal layer 122 and the pad 110 on the substrate 100. The adhesive layer 121 serves to facilitate adhesion between the first metal layer 122 and the pad 110. The adhesive layer 121 has a higher chemical affinity with the substrate 100 and the pad 110 than the first metal layer 122, and includes a material such as titanium (Ti) or chromium (Cr).

여기서, 화학적 친화력이란, 두개의 물질에 있어서 상호간의 접착력을 의미 한다.Here, chemical affinity means the adhesive force between two materials.

제 1 금속층(122)은 접착층(121) 상에 위치하고 있으며, 금(Au) 또는 구리(Cu) 등으로 이루어진 금속 재료이다. 제 1 금속층(122)은 추후 행해지는 전해 도금 공정에 있어서 시드층(seed layer)으로서 이용된다.The first metal layer 122 is positioned on the adhesive layer 121 and is a metal material made of gold (Au), copper (Cu), or the like. The first metal layer 122 is used as a seed layer in a subsequent electroplating process.

기판 얼라인 본체부(123)는 제 1 금속층(122) 상에 위치하고 있으며, 단면이 사다리꼴 형상인 볼록 형상으로 돌출되어 있다. 기판 얼라인부(120)는 니켈(Ni) 등의 도전성 물질로 이루어져 있으며, 기판 얼라인부(120)의 상측 표면에는 금 등의 전도율이 높은 금속 재료인 제 2 금속층(124)이 형성되어 있다. The substrate alignment main body 123 is positioned on the first metal layer 122 and protrudes in a convex shape having a trapezoidal cross section. The substrate alignment unit 120 is made of a conductive material such as nickel (Ni), and the second metal layer 124, which is a metal material having high conductivity such as gold, is formed on the upper surface of the substrate alignment unit 120.

프로브(200)는 기판 얼라인부(120) 상에 위치하고 있으며, 기판 얼라인부(120)의 적어도 일부를 감싸고 있다. 프로브(200)에는 기판 얼라인부(120)의 볼록 형상에 대응하는 오목 형상의 프로브 얼라인부(210)가 형성되어 있다.The probe 200 is positioned on the substrate alignment unit 120 and surrounds at least a portion of the substrate alignment unit 120. The probe 200 is formed with a concave probe alignment unit 210 corresponding to the convex shape of the substrate alignment unit 120.

이하, 도 6 내지 도 21을 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 카드의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a probe card according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 21.

도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 카드의 제조 방법을 나타낸 순서도이고, 도 7 내지 도 21은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이며, 도 14는 도 13의 ⅩⅣ-ⅩⅣ로 절단되었을 때의 단면도이다.6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a probe card according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 7 to 21 are views illustrating a method of manufacturing a probe card according to a first embodiment of the present invention. 14 is a cross sectional view taken along the line XIV-XIV of FIG. 13.

우선, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 표면에 패드(110)가 형성된 기판(100)을 마련한다(S100).First, as shown in FIGS. 6 and 7, a substrate 100 having a pad 110 formed on a surface thereof is provided (S100).

기판(100)에 도전성 패턴을 형성하고, 포토리소그래피(photolithography) 공 정 등을 이용해 기판(100) 표면에 복수의 패드(110)를 형성한다.A conductive pattern is formed on the substrate 100, and a plurality of pads 110 are formed on the surface of the substrate 100 using a photolithography process or the like.

다음, 도 8 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 복수의 기판 얼라인부(120)를 형성한다(S200).Next, as illustrated in FIGS. 8 to 11, a plurality of substrate alignment units 120 is formed on the substrate 100 (S200).

우선, 도 8에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 접착층(121), 제 1 금속층(122) 및 제 1 포토레지스트층(600)을 순차적으로 형성한다.First, as shown in FIG. 8, the adhesive layer 121, the first metal layer 122, and the first photoresist layer 600 are sequentially formed on the substrate 100.

다음, 도 9에 도시된 바와 같이, 제 1 포토레지스트층(600)을 노광 및 현상하여 패드(110)에 대응하는 제 1 영역(A)이 개구되도록 제 1 포토레지스트 패턴(650)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 9, the first photoresist layer 600 is exposed and developed to form a first photoresist pattern 650 such that the first region A corresponding to the pad 110 is opened. .

구체적으로, 제 1 포토레지스트층(600) 상에 마스크를 정렬시키고, 자외선 등을 이용하여 제 1 포토레지스트층(600)을 노광하고, 노광 후 현상액을 이용해 제 1 포토레지스트층(600)을 현상하여 패드(110)에 대응하는 제 1 영역(A)이 개구되도록 제 1 포토레지스트 패턴(650)을 형성한다.Specifically, the mask is aligned on the first photoresist layer 600, the first photoresist layer 600 is exposed using ultraviolet rays, and the first photoresist layer 600 is developed using a post-exposure developer. As a result, the first photoresist pattern 650 is formed to open the first region A corresponding to the pad 110.

다음, 도 10에 도시된 바와 같이, 제 1 영역(A)에 도전성 물질을 채워 기판 얼라인부(120)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 10, the substrate alignment part 120 is formed by filling the first region A with a conductive material.

제 1 금속층(122)을 시드층으로서 이용한 전해 도금 공정에 의해 제 1 영역(A)에 도전성 물질을 채우고, 상기 전해 도금 공정에 의해 제 1 포토레지스트 패턴(650)의 표면으로부터 돌출된 도전성 물질을 연마하여 기판 얼라인 본체부(123)를 형성한다. 그 후, 전해 도금 공정을 이용해 기판 얼라인 본체부(123) 상에 제 2 금속층(124)을 형성한다.The conductive material is filled in the first region A by the electrolytic plating process using the first metal layer 122 as the seed layer, and the conductive material protruding from the surface of the first photoresist pattern 650 is obtained by the electrolytic plating process. Polishing is performed to form the substrate alignment main body portion 123. Thereafter, the second metal layer 124 is formed on the substrate alignment main body 123 using an electrolytic plating process.

다음, 도 11에 도시된 바와 같이, 에슁 공정을 이용해 제 1 포토레지스트 패 턴(650)을 기판(100)으로부터 제거한다.Next, as shown in FIG. 11, the first photoresist pattern 650 is removed from the substrate 100 using an etching process.

다음, 도 12에 도시된 바와 같이, 외부로 노출된 접착층(121) 및 제 1 금속층(122)을 에칭한다.Next, as shown in FIG. 12, the adhesive layer 121 and the first metal layer 122 exposed to the outside are etched.

즉, 얼라인 본체부(123)를 마스크로 이용하여 외부로 노출된 접착층(121) 및 제 1 금속층(122)을 에칭하여 제거한다.That is, the adhesive layer 121 and the first metal layer 122 exposed to the outside are etched and removed using the alignment main body 123 as a mask.

이상과 같은 방법에 의해 기판(100) 상에 복수의 기판 얼라인부(120)가 형성된다. 기판 얼라인부(120)는 볼록한 사다리꼴 형상으로 형성된다. 기판 얼라인부(120)가 볼록한 사다리꼴 형상으로 이루어지기 때문에, 기판 얼라인부(120) 상에 프로브(200)를 정렬할 때, 미세한 정렬 오차가 발생해도 기판 얼라인부(120) 상에 프로브(200)를 용이하게 정렬할 수 있다. 상기와 같은 정렬 오차는 프로브(200)를 기판 얼라인부(120) 상에 본딩한 후, 프로브(200)의 팁 위치를 조정하여 교정될 수 있다.By the method as described above, a plurality of substrate alignment portions 120 are formed on the substrate 100. The substrate alignment part 120 is formed in a convex trapezoidal shape. Since the substrate alignment unit 120 is formed in a convex trapezoidal shape, when the probe 200 is aligned on the substrate alignment unit 120, the probe 200 may be disposed on the substrate alignment unit 120 even when a minute alignment error occurs. Can be easily aligned. The alignment error as described above may be corrected by bonding the probe 200 on the substrate alignment unit 120 and then adjusting the tip position of the probe 200.

다음, 도 13 내지 도 17에 도시된 바와 같이, 프로브 결합부(2000)를 마련한다(S300).Next, as shown in FIGS. 13 to 17, a probe coupling part 2000 is provided (S300).

우선, 도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판 등으로 이루어진 희생 기판(1000)을 마련하고, 희생 기판(1000) 상에 도전성 물질로 이루어진 제 3 금속층(1100)을 형성한다. 제 3 금속층(1100)은 추후 행하여질 전해 도금 공정에 있어서, 시드층으로서 이용된다.13 and 14, a sacrificial substrate 1000 made of a silicon substrate or the like is provided, and a third metal layer 1100 made of a conductive material is formed on the sacrificial substrate 1000. The third metal layer 1100 is used as a seed layer in an electrolytic plating process to be performed later.

다음, 제 3 금속층(1100) 상에 제 2 포토레지스트층(700)을 형성하고, 제 2 포토레지스트층(700)을 노광 및 현상하여 후에 형성될 프로브 결합부(2000)에 대응 하는 제 2 영역(B)이 개구되도록 제 2 포토레지스트 패턴(750)을 형성한다.Next, a second photoresist layer 700 is formed on the third metal layer 1100, and the second photoresist layer 700 is exposed and developed to correspond to the probe coupling portion 2000 to be formed later. The second photoresist pattern 750 is formed such that (B) is opened.

즉, 제 2 포토레지스트층(700) 상에 마스크를 정렬시키고, 자외선 등을 이용하여 제 2 포토레지스트층(700)을 노광하고, 노광 후 현상액을 이용해 제 2 포토레지스트층(700)을 현상하여 프로브 결합부(2000)에 대응하는 제 2 영역(B)이 개구되도록 제 2 포토레지스트 패턴(750)을 형성한다.That is, the mask is aligned on the second photoresist layer 700, the second photoresist layer 700 is exposed using ultraviolet rays, and the second photoresist layer 700 is developed using a post-exposure developer. The second photoresist pattern 750 is formed to open the second region B corresponding to the probe coupling portion 2000.

다음, 도 15에 도시된 바와 같이, 제 2 영역(B)에 도전성 물질을 채워 프로브 결합부(2000)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 15, the probe coupling part 2000 is formed by filling the second region B with a conductive material.

구체적으로, 제 3 금속층(1100)을 시드층으로서 이용한 전해 도금 공정을 이용해 제 2 영역(B)에 도전성 물질을 채우고, 상기 전해 도금 공정에 의해 제 2 포토레지스트 패턴(750)의 표면으로부터 돌출된 도전성 물질을 연마하여 프로브 결합부(2000)를 형성한다.Specifically, the conductive material is filled in the second region B using an electrolytic plating process using the third metal layer 1100 as a seed layer, and protrudes from the surface of the second photoresist pattern 750 by the electroplating process. The conductive material is polished to form the probe coupling part 2000.

다음, 도 16에 도시된 바와 같이, 제 2 포토레지스트 패턴(750)을 제거하고, 희생 기판(1000)을 프로브 결합부(2000)로부터 분리한다.Next, as shown in FIG. 16, the second photoresist pattern 750 is removed, and the sacrificial substrate 1000 is separated from the probe coupling part 2000.

즉, 에슁 공정을 이용해 희생 기판(1000)으로부터 제 2 포토레지스트 패턴(750)을 제거하고, 습식 에칭 공정을 이용해 제 3 금속층(1100)을 제거하여 프로브 결합부(2000)로부터 희생 기판(1000)을 분리한다. 이와 달리, 희생 기판(1000) 자체를 에칭 공정에 의해 제거할 수도 있다.That is, the second photoresist pattern 750 is removed from the sacrificial substrate 1000 using an etching process, and the third metal layer 1100 is removed using a wet etching process to remove the third metal layer 1100 from the probe coupling portion 2000. To separate. Alternatively, the sacrificial substrate 1000 itself may be removed by an etching process.

이상과 같은 방법에 의해, 도 17에 도시된 바와 같이, 판상의 프로브 결합부(2000)가 마련된다. 프로브 결합부(2000)는 기판 얼라인부(120)의 볼록 형상에 대응하는 오목 형상의 프로브 얼라인부(210)를 갖는 복수의 프로브(200) 및 복수의 프로브(200)와 일체로 형성되어 각각의 프로브(200)를 상호 연결하는 브릿지부(500)를 포함한다. 즉, 브릿지부(500)에 의해 복수의 프로브(200)가 연결되어 있다.By the above method, as shown in FIG. 17, the plate-shaped probe coupling part 2000 is provided. The probe coupling part 2000 is integrally formed with the plurality of probes 200 and the plurality of probes 200 having the concave probe alignment part 210 corresponding to the convex shape of the substrate alignment part 120, respectively. It includes a bridge unit 500 for interconnecting the probe 200. That is, the plurality of probes 200 are connected by the bridge unit 500.

다음, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 프로브 결합부(2000)를 정렬한다(S400).Next, as shown in FIGS. 18 and 19, the probe coupling unit 2000 is aligned on the substrate 100 (S400).

우선, 도 18에 도시된 바와 같이, 흡착 기구(미도시) 등에 의해 프로브 결합부(2000)를 프로브 결합부(2000)의 판면(2100)에 대하여 흡착하고, 프로브 결합부(2000)의 판면(2100)이 기판(100)의 표면과 나란하도록 기판(100) 상에 프로브 결합부(2000)를 위치시킨다.First, as shown in FIG. 18, the probe coupling portion 2000 is sucked to the plate surface 2100 of the probe coupling portion 2000 by an adsorption mechanism (not shown) or the like, and the plate surface of the probe coupling portion 2000 ( The probe coupling portion 2000 is positioned on the substrate 100 so that the 2100 is parallel to the surface of the substrate 100.

다음, 도 19에 도시된 바와 같이, 프로브 결합부(2000)의 판면(2100)이 기판(100)의 표면과 실질적으로 수직을 이루도록 프로브 결합부(2000)를 제 1 방향으로 회전시킨 후, 복수의 기판 얼라인부(120) 상에 복수의 프로브(200)의 프로브 얼라인부(210)가 안착되도록 프로브 결합부(2000)를 기판(100) 상에 안착시킨다.Next, as shown in FIG. 19, after rotating the probe coupling portion 2000 in the first direction such that the plate surface 2100 of the probe coupling portion 2000 is substantially perpendicular to the surface of the substrate 100, The probe coupling part 2000 is seated on the substrate 100 so that the probe alignment parts 210 of the plurality of probes 200 are seated on the substrate alignment part 120 of the substrate.

이상과 같은 방법에 의해, 기판(100) 상에 프로브 결합부(2000)가 정렬한다.By the above method, the probe coupling portion 2000 is aligned on the substrate 100.

다음, 기판 얼라인부(120)와 프로브(200) 사이를 본딩한다(S500).Next, the substrate is aligned between the alignment unit 120 and the probe 200 (S500).

기판 얼라인부(120)와 프로브 결합부(2000)의 프로브(200) 사이를 열 또는 레이저를 이용해 본딩한다.The substrate alignment unit 120 and the probe 200 of the probe coupling unit 2000 are bonded using heat or a laser.

프로브(200)의 프로브 얼라인부(210)와 직접 마주하고 있는 제 2 금속층(124)을 열 또는 레이저를 이용해 녹여서 기판 얼라인부(120)와 프로브(200) 사이를 본딩할 수 있다.The second metal layer 124 directly facing the probe alignment unit 210 of the probe 200 may be melted using heat or a laser to bond the substrate alignment unit 120 to the probe 200.

다른 실시예에서, 기판 얼라인부(120)와 프로브(200) 사이의 본딩은 도전성 페이스트 등의 접착제를 이용해 수행될 수 있다.In another embodiment, the bonding between the substrate alignment unit 120 and the probe 200 may be performed using an adhesive such as a conductive paste.

또 다른 실시예에서, 기판 얼라인부(120)와 프로브(200) 사이의 본딩은 기판 얼라인부(120)와 프로브(200) 사이의 구조적 결합에 의해 수행될 수 있다.In another embodiment, bonding between the substrate alignment unit 120 and the probe 200 may be performed by structural coupling between the substrate alignment unit 120 and the probe 200.

여기서 구조적 결합이란, 별도의 접착제 또는 접착툴 없이 두 부재간의 구조적 차이를 이용해 두 부재가 결합하는 것을 말한다.Structural bonding herein means that two members are joined by using a structural difference between the two members without a separate adhesive or an adhesive tool.

다음, 도 20에 도시된 바와 같이, 프로브(200)로부터 브릿지부(500)를 분리한다(S600).Next, as shown in FIG. 20, the bridge part 500 is separated from the probe 200 (S600).

기판(100) 상에 형성된 복수의 기판 얼라인부(120)에 복수의 프로브(200)를 본딩시킨 후, 레이저 등의 기계적 툴을 이용해 프로브 결합부(2000)의 프로브(200)로부터 브릿지부(500)를 분리시킨다.After bonding the plurality of probes 200 to the plurality of substrate alignment units 120 formed on the substrate 100, the bridge unit 500 from the probes 200 of the probe coupling unit 2000 using a mechanical tool such as a laser. ).

한편, 도 21에 도시된 바와 같이, 상기와 같은 프로브 결합부(2000)의 판면(2100)에 대한 흡착, 프로브 결합부(2000)의 회전에 의한 정렬 및 장착 등의 행동은 피대상물에 대한 흡착, 자체의 회전 및 자체의 이동이 가능한 진공척(90)을 이용하여 수행할 수 있다.On the other hand, as shown in Figure 21, such as the adsorption on the plate surface 2100 of the probe coupling portion 2000, the alignment and mounting by the rotation of the probe coupling portion 2000, such as the adsorption to the object It can be carried out using a vacuum chuck 90 that can rotate itself and move itself.

이상과 같은 방법에 의해, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 카드의 제조 방법에 의해 제조된 프로브 카드가 제조된다.By the above method, as shown in Fig. 4, a probe card manufactured by the method of manufacturing a probe card according to the first embodiment of the present invention is manufactured.

이와 같이, 기판(100) 상에 기판 얼라인부(120)가 형성되어 있고, 프로브(200)에 프로브 얼라인부(210)가 형성되어 있으며, 복수의 프로브(200)가 브릿지부(500)에 의해 연결되어 있는 프로브 결합부(2000)를 기판(100) 상에 장착하기 때 문에, 프로브(200)를 기판에 본딩할 때 기판(100)에 대한 프로브(200)의 정렬 상태를 올바르게 할 수 있다.As described above, the substrate alignment unit 120 is formed on the substrate 100, the probe alignment unit 210 is formed in the probe 200, and the plurality of probes 200 are formed by the bridge unit 500. Since the probe coupling unit 2000 connected to the substrate 100 is mounted on the substrate 100, when the probe 200 is bonded to the substrate, the alignment of the probe 200 with respect to the substrate 100 may be correct. .

또한, 복수의 프로브(200)가 브릿지부(500)에 의해 연결되어 있는 프로브 결합부(2000)를 따로 형성하기 때문에, 프로브(200)를 기판(100)에 본딩할 때 프로브(200)의 상태를 확인할 수 있다.In addition, since the plurality of probes 200 separately form the probe coupling parts 2000 connected by the bridge part 500, the state of the probe 200 when the probes 200 are bonded to the substrate 100. You can check.

또한, 복수의 프로브(200)가 브릿지부(500)에 의해 연결되어 있는 프로브 결합부(2000)를 기판(100) 상에 장착하기 때문에, 복수의 프로브(200)를 한번의 공정을 이용해 일괄적으로 기판(100) 상에 본딩할 수 있다. 이에 의해, 제조 기간 및 제조 비용이 절감된다.In addition, since the plurality of probes 200 are mounted on the substrate 100 with the probe coupling unit 2000 connected by the bridge unit 500, the plurality of probes 200 may be collectively used in one process. Can be bonded onto the substrate 100. Thereby, the manufacturing period and manufacturing cost are reduced.

즉, 제조 신뢰성이 향상되며, 제조 기간 및 제조 비용을 절감한 프로브 카드의 제조 방법이 제공된다.That is, the manufacturing reliability is improved, and the manufacturing method of the probe card which reduced the manufacturing period and manufacturing cost is provided.

이하, 도 22 내지 도 24를 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 카드의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a probe card according to a second exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 22 to 24.

도 22 내지 도 24는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이며, 도 23는 도 22의 ⅩⅩⅢ-ⅩⅩⅢ으로 절단되었을 때의 단면도이다.22 to 24 are views for explaining a method of manufacturing a probe card according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 23 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 22.

이하, 제 1 실시예와 구별되는 특징적인 부분만 발췌하여 설명하며, 설명이 생략된 부분은 제 1 실시예에 따른다. 그리고, 본 발명의 제 2 실시예에서는 설명의 편의를 위하여 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 사용하여 설명한다.Hereinafter, only the characteristic parts distinguished from the first embodiment will be described and described, and the descriptions thereof will be omitted according to the first embodiment. In addition, in the second embodiment of the present invention, for the convenience of description, the same components will be described using the same reference numerals.

도 22 내지 도 24에 도시된 바와 같이, 프로브 결합부(2000)를 마련한다.As shown in FIGS. 22 to 24, a probe coupling part 2000 is provided.

우선, 도 22 및 도 23에 도시된 바와 같이, 도전성 물질로 이루어진 도전성 기판(3000)을 마련하고, 도전성 기판(3000) 상에 제 3 포토레지스트층(800)을 형성한다.First, as illustrated in FIGS. 22 and 23, a conductive substrate 3000 made of a conductive material is provided, and a third photoresist layer 800 is formed on the conductive substrate 3000.

다음, 제 3 포토레지스트층(800)을 노광 및 현상하여 후에 형성될 프로브 결합부(2000)에 대응하는 제 3 영역(C)을 둘러싸는 제 4 영역(D)이 개구되도록 제 3 포토레지스트 패턴(850)을 형성한다.Next, the third photoresist pattern is exposed and developed so that the fourth region D surrounding the third region C corresponding to the probe coupling portion 2000 to be formed later is opened. Form 850.

제 3 포토레지스트층(800) 상에 마스크를 정렬시키고, 자외선 등을 이용하여 제 3 포토레지스트층(800)을 노광하고, 노광 후 현상액을 이용해 제 3 포토레지스트층(800)을 현상하여 프로브 결합부(2000)에 대응하는 제 3 영역(C)을 둘러싸는 제 4 영역(D)이 개구되도록 제 3 포토레지스트 패턴(850)을 형성한다.Align the mask on the third photoresist layer 800, expose the third photoresist layer 800 using ultraviolet rays, and develop the third photoresist layer 800 using a post-exposure developer to bond the probes. The third photoresist pattern 850 is formed to open the fourth region D surrounding the third region C corresponding to the portion 2000.

다음, 도 24에 도시된 바와 같이, 제 4 영역(D)에 대응하는 도전성 기판(3000)을 에칭하여 프로브 결합부(2000)를 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 24, the probe coupling portion 2000 is formed by etching the conductive substrate 3000 corresponding to the fourth region D. Referring to FIG.

습식 또는 건식 에칭 공정을 이용해 제 4 영역(D)에 대응하는 도전성 기판(3000)을 제거하여 프로브 결합부(2000)를 형성하고, 에슁 공정을 이용해 프로브 결합부(2000)로부터 제 3 포토레지스트 패턴(850)을 분리한다.The probe coupling portion 2000 is formed by removing the conductive substrate 3000 corresponding to the fourth region D using a wet or dry etching process, and the third photoresist pattern from the probe coupling portion 2000 using the etching process. Remove 850.

이상과 같은 방법에 의해, 복수의 프로브(200)가 연결되어 있는 브릿지부(500)를 포함하는 판상의 프로브 결합부(2000)가 마련된다.By the above method, the plate-shaped probe coupling part 2000 including the bridge part 500 to which the plurality of probes 200 are connected is provided.

이에 의하여, 제조 신뢰성이 향상되며, 제조 기간 및 제조 비용을 절감한 프로브 카드의 제조 방법이 제공된다.Thereby, the manufacturing reliability is improved, and the manufacturing method of the probe card which reduced the manufacturing period and manufacturing cost is provided.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The foregoing description of the present invention is intended for illustration, and it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be easily modified in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the above description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

도 1 내지 도 3은 종래의 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이고,1 to 3 are views for explaining a conventional method of manufacturing a probe card,

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 카드의 제조 방법에 의해 제조된 프로브 카드의 사시도이고,4 is a perspective view of a probe card manufactured by the method of manufacturing a probe card according to the first embodiment of the present invention;

도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ로 절단되었을 때의 단면도이고,5 is a cross-sectional view taken along the line VV of FIG. 4,

도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 카드의 제조 방법을 나타낸 순서도이고,6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a probe card according to a first embodiment of the present invention.

도 7 내지 도 21는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이고,7 to 21 are views for explaining a method of manufacturing a probe card according to a first embodiment of the present invention,

도 14는 도 13의 ⅩⅣ-ⅩⅣ로 절단되었을 때의 단면도이고,14 is a cross-sectional view taken along the line IV-XIV of FIG. 13,

도 22 내지 도 24는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이며,22 to 24 are views for explaining a method of manufacturing a probe card according to a second embodiment of the present invention,

도 23은 도 22의 ⅩⅩⅢ-ⅩⅩⅢ으로 절단되었을 때의 단면도이다.FIG. 23 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 22. FIG.

Claims (11)

프로브 카드의 제조 방법에 있어서,In the manufacturing method of the probe card, a) 표면에 패드가 형성된 기판을 마련하는 단계,a) providing a substrate having a pad formed on the surface thereof, b) 상기 기판의 상기 패드 상에 사다리꼴 단면을 갖는 볼록 형상의 복수의 기판 얼라인부를 형성하는 단계,b) forming a plurality of convex substrate alignment portions having a trapezoidal cross section on the pad of the substrate, c) 각각 상기 기판 얼라인부와 대응하는 오목 형상의 프로브 얼라인부가 형성된 복수의 프로브 및 상기 복수의 프로브와 일체로 형성되며, 각각의 상기 프로브를 상호 연결하는 브릿지부를 포함하는 프로브 결합부를 마련하는 단계,c) providing a probe coupling portion including a plurality of probes each having a concave probe alignment portion corresponding to the substrate alignment portion, and a bridge portion formed integrally with the plurality of probes and interconnecting each of the probes; , d) 흡착 기구에 의해 상기 프로브 결합부의 판면을 흡착한 후 상기 흡착 기구에 의해 상기 프로브 결합부의 상기 판면이 상기 기판의 상기 표면과 수직을 이루도록 상기 프로브 결합부를 회전시켜 상기 프로브 얼라인부가 상기 복수의 기판 얼라인부 상에 위치하도록 정렬하는 단계,d) adsorbing the plate surface of the probe coupling portion by an adsorption mechanism, and then rotating the probe coupling portion so that the plate surface of the probe coupling portion is perpendicular to the surface of the substrate by the suction mechanism, so that the probe alignment portion is formed by Aligning to be positioned on the substrate alignment portion, e) 상기 복수의 기판 얼라인부와 상기 복수의 프로브 사이를 본딩하는 단계 및e) bonding between the plurality of substrate alignment portions and the plurality of probes, and f) 상기 복수의 프로브로부터 상기 브릿지부를 분리하는 단계f) separating the bridge portion from the plurality of probes 를 포함하는 프로브 카드의 제조 방법.Method of manufacturing a probe card comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 d)단계는,In step d), 상기 프로브 결합부는 판상이며, 상기 프로브 결합부의 판면이 상기 기판의 표면과 수직을 이루도록 상기 기판 상에 상기 프로브 결합부를 정렬하는 것인 프로브 카드의 제조 방법.And the probe coupling portion is plate-shaped, and the probe coupling portion is aligned on the substrate such that the plate surface of the probe coupling portion is perpendicular to the surface of the substrate. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 b)단계는,Step b), 상기 기판 상에 제 1 금속층을 형성하는 단계,Forming a first metal layer on the substrate, 상기 기판의 패드에 대응하는 제 1 영역이 개구되도록 상기 제 1 금속층 상에 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,Forming a first photoresist pattern on the first metal layer such that a first region corresponding to the pad of the substrate is opened; 상기 제 1 영역에 도전성 물질을 채우는 단계,Filling a conductive material in the first region, 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계 및Removing the first photoresist pattern; and 외부로 노출된 상기 제 1 금속층을 제거하는 단계Removing the first metal layer exposed to the outside 를 포함하는 프로브 카드의 제조 방법.Method of manufacturing a probe card comprising a. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 b)단계는,Step b), 상기 기판 및 상기 제 1 금속층 사이에 위치하도록, 상기 기판 상에 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 프로브 카드의 제조 방법.And forming an adhesive layer on the substrate so as to be positioned between the substrate and the first metal layer. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 b)단계는,Step b), 상기 제 1 포토레지스트 패턴의 표면으로부터 돌출된 상기 도전성 물질을 연마하는 단계 및Polishing the conductive material protruding from the surface of the first photoresist pattern; and 상기 도전성 물질 상에 제 2 금속층을 형성하는 단계Forming a second metal layer on the conductive material 를 더 포함하는 프로브 카드의 제조 방법.Method of manufacturing a probe card further comprising. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 c)단계는,Step c) is 희생 기판을 마련하는 단계,Preparing a sacrificial substrate, 상기 희생 기판 상에 상기 프로브 결합부에 대응하는 제 2 영역이 개구되도록 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,Forming a second photoresist pattern on the sacrificial substrate such that a second region corresponding to the probe coupling portion is opened; 상기 제 2 영역에 도전성 물질을 채워 상기 프로브 결합부를 형성하는 단계 및Filling the second region with a conductive material to form the probe coupling part; and 상기 제 2 포토레지스트 패턴을 제거하고, 상기 희생 기판을 상기 프로브 결합부로부터 분리하는 단계Removing the second photoresist pattern and separating the sacrificial substrate from the probe coupling portion 를 포함하는 프로브 카드의 제조 방법.Method of manufacturing a probe card comprising a. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 희생 기판과 상기 제 2 포토레지스트 패턴 사이에 위치하도록 상기 희생 기판 상에 제 3 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 프로브 카드의 제조 방법.And forming a third metal layer on the sacrificial substrate to be positioned between the sacrificial substrate and the second photoresist pattern. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 c)단계는,Step c) is 도전성 기판을 마련하는 단계,Preparing a conductive substrate, 상기 도전성 기판 상에 상기 프로브 결합부에 대응하는 제 3 영역을 둘러싸는 제 4 영역이 개구되도록 제 3 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,Forming a third photoresist pattern on the conductive substrate such that a fourth region surrounding the third region corresponding to the probe coupling portion is opened; 상기 제 4 영역에 대응하는 상기 도전성 기판을 에칭하는 단계 및Etching the conductive substrate corresponding to the fourth region; and 상기 제 3 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계Removing the third photoresist pattern 를 포함하는 프로브 카드의 제조 방법.Method of manufacturing a probe card comprising a. 삭제delete 삭제delete

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