KR100996926B1 - Method for manufacturing probe and probe card - Google Patents

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Abstract

한번 이상 절곡 연장되어 있는 프로브 카드용 프로브의 제조 방법은 (a) 기판을 마련하는 단계, (b) 상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계, (c) 상기 제 1 도전층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, (d) 상기 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 제 1 도전층을 노출시키는 저부 및 상기 저부로부터 연장되어 있는 경사부를 가지는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, (e) 상기 경사부 상에 상기 제 1 도전층과 전기적으로 연결된 도전 패턴을 형성하는 단계, (f) 상기 노출되어 있는 제 1 도전층 및 상기 도전 패턴 상에 도전성 물질을 형성하여 상기 프로브를 형성하는 단계 및 (g) 상기 프로브를 둘러싸는 부분을 제거하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a probe for a probe card that is bent and extended at least once includes (a) preparing a substrate, (b) forming a first conductive layer on the substrate, and (c) a photo on the first conductive layer. Forming a resist layer, (d) exposing and developing the photoresist layer to form a photoresist pattern having a bottom exposing the first conductive layer and an inclined portion extending from the bottom, (e) the Forming a conductive pattern electrically connected to the first conductive layer on the inclined portion, (f) forming the probe by forming a conductive material on the exposed first conductive layer and the conductive pattern; and g) removing the portion surrounding the probe.

프로브, 경사부, 도전 패턴 Probe, slope, conductive pattern

Description

프로브 및 프로브 카드의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING PROBE AND PROBE CARD}Method for manufacturing probes and probe cards {METHOD FOR MANUFACTURING PROBE AND PROBE CARD}

본 발명은 프로브의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 반도체 웨이퍼 등의 피검사체에 형성된 접촉 패드와 접촉하는 프로브와 프로브의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a probe, and more particularly, to a probe and a method for manufacturing a probe in contact with a contact pad formed on a test object such as a semiconductor wafer.

일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼(wafer) 상에 회로 패턴 및 검사를 위한 접촉 패드를 형성하는 패브리케이션(fabrication) 공정과 회로 패턴 및 접촉 패드가 형성된 웨이퍼를 각각의 반도체 칩으로 조립하는 어셈블리(assembly) 공정을 통해서 제조된다.In general, semiconductor devices have a fabrication process of forming contact pads for circuit patterns and inspections on a wafer, and an assembly process of assembling wafers having circuit patterns and contact pads into respective semiconductor chips. It is manufactured through.

패브리케이션 공정과 어셈블리 공정 사이에는 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드에 전기 신호를 인가하여 웨이퍼의 전기적 특성을 검사하는 검사 공정이 수행된다. 이 검사 공정은 웨이퍼의 불량을 검사하여 어셈블리 공정 시 불량이 발생한 웨이퍼의 일 부분을 제거하기 위해 수행하는 공정이다.An inspection process is performed between the fabrication process and the assembly process to inspect the electrical characteristics of the wafer by applying an electrical signal to the contact pads formed on the wafer. This inspection process is performed to inspect a defect of a wafer and to remove a portion of a wafer in which a defect occurs during an assembly process.

검사 공정 시에는 웨이퍼에 전기적 신호를 인가하는 테스터라고 하는 검사 장비와 웨이퍼와 테스터 사이의 인터페이스 기능을 수행하는 프로브 카드라는 검사 장비가 주로 이용된다. 이 중에서 프로브 카드는 테스터로부터 인가되는 전기 신호를 수신하는 인쇄 회로 기판 및 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드와 접촉하는 복수개의 프로브를 포함한다.In the inspection process, inspection equipment called a tester for applying an electrical signal to a wafer and probe equipment for performing an interface function between the wafer and the tester are mainly used. Among them, the probe card includes a printed circuit board that receives an electrical signal applied from a tester and a plurality of probes in contact with contact pads formed on the wafer.

최근에, 고 집적 칩의 수요가 증가함에 따라서, 패브리케이션 공정에 의해 웨이퍼에 형성되는 회로 패턴 및 회로 패턴과 연결된 접촉 패드가 고 집적으로 형성된다. 즉, 이웃하는 접촉 패드간의 간격이 매우 좁고, 접촉 패드 자체의 크기도 미세하게 형성된다. 이에 의해, 접촉 패드와 접촉하는 프로브 카드의 프로브의 크기를 미세하게 제조할 수 있는 포토리소그래피(photolithography) 공정을 이용한 제조 방법이 개발되었다.In recent years, as the demand for high integrated chips increases, circuit patterns formed on the wafer by the fabrication process and contact pads connected with the circuit patterns are highly integrated. That is, the spacing between neighboring contact pads is very narrow, and the size of the contact pad itself is also finely formed. As a result, a manufacturing method using a photolithography process capable of finely manufacturing the size of the probe of the probe card in contact with the contact pad has been developed.

이하, 도 1을 참조하여 종래의 프로브의 제조 방법을 살펴본다.Hereinafter, a method of manufacturing a conventional probe will be described with reference to FIG. 1.

도 1은 종래의 프로브의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional method for manufacturing a probe.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 프로브의 제조 방법은 희생 기판(10)에 포토리소그래피(photolithography) 기술을 이용해 개구(11)를 형성하고, 상기 개구(11)에 도전성 물질을 채워 프로브(20)를 형성한 후, 희생 기판(10)을 프로브(20)로부터 분리함으로써 프로브(20)를 제조한다.As shown in FIG. 1, a conventional method of manufacturing a probe forms an opening 11 in a sacrificial substrate 10 using photolithography, and fills the opening 11 with a conductive material to form a probe 20. After forming), the probe 20 is manufactured by separating the sacrificial substrate 10 from the probe 20.

이상과 같은, 종래의 프로브의 제조 방법은 반도체의 패턴 형성에 사용되는 포토리소그래피 기술을 이용하기 때문에 프로브(20) 자체의 크기를 미세하게 형성할 수 있다.As described above, the conventional method for manufacturing a probe uses a photolithography technique used for pattern formation of a semiconductor, so that the size of the probe 20 itself can be finely formed.

그러나, 종래의 프로브 카드의 제조 방법은 프로브(20)가 탄성을 가지도록 기울기를 가진 개구(11)를 형성하는 순서가 복잡하기 때문에 제조 비용이 상승하는 문제점이 있었다.However, the manufacturing method of the conventional probe card has a problem that the manufacturing cost increases because the order of forming the opening 11 having the inclination so that the probe 20 has elasticity is complicated.

또한, 프로브(20)가 형성되는 개구(11)가 복수개의 각진 부분을 포함하기 때문에 프로브(20)도 복수개의 각진 부분을 포함하게 된다. 검사 공정 시 프로브(20)의 각진 부분에 응력이 집중되어 프로브(20)가 파손되는 문제점이 있었다.In addition, since the opening 11 in which the probe 20 is formed includes a plurality of angled portions, the probe 20 also includes a plurality of angled portions. In the inspection process, stress is concentrated on the angled portions of the probe 20, so that the probe 20 may be damaged.

또한, 프로브(20)의 형성 시 프로브(20)를 둘러싸고 있는 희생 기판(10)의 재료가 프로브(20)의 재료와 다르기 때문에 희생 기판(10)의 표면 결정 구조가 프로브(20)의 표면 결정 구조가 상이하다. 이와 같은 결정 구조의 차이로 인해 프로브(20)의 형성 시 희생 기판(10)과 접촉한 프로브(20)의 표면 특성이 저하되는 문제점이 있었다. In addition, when the probe 20 is formed, the material of the sacrificial substrate 10 surrounding the probe 20 is different from that of the probe 20, so that the surface crystal structure of the sacrificial substrate 10 is determined by the surface of the probe 20. The structure is different. Due to such a difference in crystal structure, there is a problem in that the surface characteristics of the probe 20 in contact with the sacrificial substrate 10 are lowered when the probe 20 is formed.

이하, 도 2 내지 도 4를 참조하여 다른 종래의 프로브의 제조 방법을 살펴본다.Hereinafter, another method for manufacturing a conventional probe will be described with reference to FIGS. 2 to 4.

도 2 내지 도 4는 다른 종래의 프로브의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.2 to 4 are cross-sectional views showing another conventional method for manufacturing a probe.

도 2 및 도 3에 다른 종래의 프로브의 제조 방법은 우선 희생 기판(10) 상에 순차적으로 희생층(30), 접착층(40), 도전층(50) 및 포토레지스트층을 형성한 후, 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 개구(A)를 가진 포토레지스트 패턴(60)으로 형성한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 개구(A)는 접촉 구조물의 형상에 대응한 형상으로 형성되어 있다.2 and 3, a method of manufacturing a conventional probe is first formed on the sacrificial substrate 10 in order to sequentially form the sacrificial layer 30, the adhesive layer 40, the conductive layer 50, and the photoresist layer. The resist layer is exposed and developed to form a photoresist pattern 60 having an opening A. FIG. As shown in FIG. 3, the opening A is formed in a shape corresponding to the shape of the contact structure.

다음, 도 4에 도시된 바와 같이, 개구(A)에 도전층(50)과 다른 도전 재료를 가지는 프로브(70)를 형성시킨 후, 포토레지스트 패턴(60)을 도전층(50)으로부터 분리하고, 희생층(30)을 식각함으로써, 희생 기판(10)을 접착층(40), 도전층(50) 및 프로브(70)로부터 분리한다.Next, as shown in FIG. 4, after the probe 70 having the conductive material different from the conductive layer 50 is formed in the opening A, the photoresist pattern 60 is separated from the conductive layer 50. By etching the sacrificial layer 30, the sacrificial substrate 10 is separated from the adhesive layer 40, the conductive layer 50, and the probe 70.

다음, 접착층(40) 및 도전층(50)을 프로브(70)로부터 분리하여 프로브(70)를 형성한다.Next, the adhesive layer 40 and the conductive layer 50 are separated from the probe 70 to form a probe 70.

이와 같이, 다른 종래의 프로브의 제조 방법은 프로브(70)의 형성 시 도전층(50)을 이용한 도금 공정에 의해 프로브(70) 상으로 돌출된 도전성 물질을 물리적 또는 화학적 방법에 의한 폴리싱(polishing) 공정을 수행하여 제거해야 하는데, 이 폴리싱 공정에 의해 프로브(70)에 응력(stress)이 인가되어 프로브(70) 자체에 휨 현상 등의 변형이 발행하는 문제점이 있었다.As described above, another conventional method for manufacturing a probe is polishing a conductive material protruding onto the probe 70 by a plating process using the conductive layer 50 when forming the probe 70 by physical or chemical methods. Although the process must be removed, a stress is applied to the probe 70 by the polishing process, which causes deformation such as a warpage phenomenon to the probe 70 itself.

또한, 프로브(70)의 형성 시 프로브(70)를 둘러싸고 있는 포토레지스트 패턴(60)의 재료가 프로브(70)의 재료와 다르기 때문에 포토레지스트 패턴(60)의 표면 결정 구조가 프로브(70)의 표면 결정 구조가 상이하다. 이와 같은 결정 구조의 차이로 인해 프로브(70)의 형성 시 포토레지스트 패턴(60)과 접촉한 프로브(70)의 표면 특성이 저하되는 문제점이 있었다. In addition, since the material of the photoresist pattern 60 surrounding the probe 70 is different from the material of the probe 70 when the probe 70 is formed, the surface crystal structure of the photoresist pattern 60 may be reduced. The surface crystal structure is different. Due to such a difference in crystal structure, there is a problem in that the surface characteristics of the probe 70 in contact with the photoresist pattern 60 are lowered when the probe 70 is formed.

본 발명의 일 실시예는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 제조 방법이 간단하여 제조 비용을 절감할 수 있는 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.One embodiment of the present invention is to solve the above-described problems, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a probe and a probe card can be reduced in the manufacturing method is simple.

또한, 프로브의 각진 부분을 줄여 검사 공정 시 프로브의 파손을 억제할 수 있는 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a probe and a probe card that can reduce the angle of the probe to suppress the damage of the probe during the inspection process.

또한, 프로브에 변형이 발생하는 것을 억제할 수 있는 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a method for producing a probe and a probe card that can suppress deformation of the probe.

또한, 프로브의 표면 특성의 저하를 억제할 수 있는 프로브 및 프로브의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Moreover, it aims at providing the probe and the manufacturing method of the probe which can suppress the fall of the surface characteristic of a probe.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제 1 측면은 한번 이상 절곡 연장되어 있는 프로브 카드용 프로브의 제조 방법에 있어서, (a) 기판을 마련하는 단계, (b) 상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계, (c) 상기 제 1 도전층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, (d) 상기 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 제 1 도전층을 노출시키는 저부 및 상기 저부로부터 연장되어 있는 경사부를 가지는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, (e) 상기 경사부 상에 상기 제 1 도전층과 전기적으로 연결된 도전 패턴을 형성하는 단계, (f) 상기 노출되어 있는 제 1 도전층 및 상기 도전 패턴 상에 도전성 물질을 형성하여 상기 프로브를 형성하는 단계 및 (g) 상기 프로브를 둘러싸는 부분을 제거하는 단계를 포함하는 프로브의 제조 방법을 제공한다.As a technical means for achieving the above-described technical problem, the first aspect of the present invention is a method of manufacturing a probe for a probe card which is bent and extended at least once, (a) providing a substrate, (b) on the substrate Forming a first conductive layer on the substrate, (c) forming a photoresist layer on the first conductive layer, (d) exposing and developing the photoresist layer to expose the first conductive layer; Forming a photoresist pattern having an inclined portion extending from the bottom, (e) forming a conductive pattern electrically connected to the first conductive layer on the inclined portion, and (f) the exposed first Forming a probe by forming a conductive material on the conductive layer and the conductive pattern; and (g) removing a portion surrounding the probe. It provides.

상기 (d)단계는 반투명 마스크 또는 슬릿 마스크를 이용하여 수행할 수 있다.Step (d) may be performed using a translucent mask or a slit mask.

상기 (d)단계는 상기 경사부가 하나 이상의 굴곡부를 포함하도록 수행할 수 있다.Step (d) may be performed such that the inclined portion includes at least one bent portion.

상기 (d)단계는 상기 포토레지스트 패턴이 상기 저부로부터 연장되어 상기 경사부와 마주하는 격벽부를 더 포함하도록 수행할 수 있다.The step (d) may be performed such that the photoresist pattern further extends from the bottom to further include a partition wall facing the inclined portion.

상기 (e)단계는 (e-1) 상기 기판을 기울이는 단계, (e-2) 상기 포토레지스트 패턴 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계 및 (e-3) 상기 제 2 도전층을 제거하여 상기 도전 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The step (e) comprises (e-1) tilting the substrate, (e-2) forming a second conductive layer on the photoresist pattern, and (e-3) removing the second conductive layer The method may include forming the conductive pattern.

상기 (e-1)단계는 상기 포토레지스트 패턴의 상기 격벽부가 상측으로 노출되지 않도록 수행할 수 있다.The step (e-1) may be performed such that the partition portion of the photoresist pattern is not exposed upward.

상기 (e-2)단계는 상기 포토레지스트 패턴의 상기 격벽부 상에 상기 제 2 도전층이 형성되지 않도록 수행할 수 있다.Step (e-2) may be performed such that the second conductive layer is not formed on the partition portion of the photoresist pattern.

상기 (e-3)단계는 상기 기판을 기울이기 이전 상태로 위치시킨 후 수행할 수 있다.The step (e-3) may be performed after placing the substrate in a state before tilting.

상기 (f)단계는 상기 제 1 도전층을 이용한 도금 공정에 의해 수행할 수 있다.Step (f) may be performed by a plating process using the first conductive layer.

또한, 본 발명의 제 2 측면은 인쇄 회로 기판 및 한번 이상 절곡 연장되어 있는 프로브를 포함하는 프로브 카드의 제조 방법에 있어서, (a) 기판을 마련하는 단계, (b) 상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계, (c) 상기 제 1 도전층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, (d) 상기 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 제 1 도전층을 노출시키는 저부 및 상기 저부로부터 연장되어 있는 경사부를 가지는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, (e) 상기 경사부 상에 상기 제 1 도전층과 전기적으로 연결된 도전 패턴을 형성하는 단계, (f) 상기 노출되어 있는 제 1 도전층 및 상기 도전 패턴 상에 도전성 물질을 형성하여 상기 프로브를 형성하는 단계, (g) 상기 프로브를 둘러싸는 부분을 제거하는 단계 및 (h) 상기 프로브를 상기 인쇄 회로 기판과 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 프로브 카드의 제조 방법을 제공한다.In addition, a second aspect of the present invention provides a method of manufacturing a probe card comprising a printed circuit board and a probe that is bent and extended at least once, the method comprising the steps of: (a) providing a substrate, (b) a first conductivity on the substrate Forming a layer, (c) forming a photoresist layer on the first conductive layer, (d) exposing and developing the photoresist layer to extend the bottom and the bottom to expose the first conductive layer Forming a photoresist pattern having an inclined portion, (e) forming a conductive pattern electrically connected to the first conductive layer on the inclined portion, (f) the exposed first conductive layer and the Forming a probe by forming a conductive material on a conductive pattern, (g) removing a portion surrounding the probe, and (h) electrically connecting the probe to the printed circuit board. It provides a method of manufacturing a probe card comprising the step of connecting.

전술한 본 발명의 과제 해결 수단 중 하나에 의하면, 경사부를 이용해 프로브를 형성하기 때문에 제조 방법이 간단하여 제조 비용을 절감할 수 있는 기술적 효과가 있다.According to one of the problem solving means of the present invention described above, since the probe is formed using the inclined portion, there is a technical effect that the manufacturing method is simple and the manufacturing cost can be reduced.

또한, 경사부를 이용해 프로브를 형성하기 때문에 프로브의 각진 부분을 줄여 검사 공정 시 프로브의 파손을 억제할 수 있는 기술적 효과가 있다.In addition, since the probe is formed using the inclined portion, there is a technical effect of reducing the breakage of the probe during the inspection process by reducing the angled portion of the probe.

또한, 폴리싱 공정이 필요없기 때문에 프로브에 변형이 발생하는 것을 억제할 수 있는 기술적 효과가 있다.In addition, since there is no need for a polishing step, there is a technical effect that can suppress deformation of the probe.

또한, 도전 패턴 상에 프로브를 형성하기 때문에 프로브의 표면 특성의 저하를 억제할 수 있는 기술적 효과가 있다.In addition, since the probe is formed on the conductive pattern, there is a technical effect that can suppress a decrease in the surface properties of the probe.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재와 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 “포함” 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a member is located “on” another member, this includes not only when one member is in contact with another member but also when another member exists between the two members. In addition, when a part is said to "include" a certain component, it means that it can further include other components, without excluding other components unless otherwise stated.

이하, 도 5 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a probe and a probe card according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 13.

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 나타낸 순서도이며, 도 6 내지 도 13은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a probe and a probe card according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 6 to 13 are views illustrating a method of manufacturing a probe and a probe card according to a first embodiment of the present invention. Drawing.

우선, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 기판(110)을 마련한다(S100).First, as shown in FIGS. 5 and 6, the substrate 110 is provided (S100).

구체적으로, 실리콘 웨이퍼 등의 판 형상의 절연성 물질인 기판(110)을 마련한다.Specifically, a substrate 110 that is a plate-like insulating material such as a silicon wafer is provided.

다음, 기판(110) 상에 제 1 도전층(130)을 형성한다(S200).Next, the first conductive layer 130 is formed on the substrate 110 (S200).

구체적으로, 기판(110) 상에 스퍼터링(sputtering) 공정 등을 이용하여 티타 늄 등을 포함하는 접착층(120)과 구리 등을 포함하는 제 1 도전층(130)을 순차적으로 형성한다. 접착층(120)은 제 1 도전층(130)과 기판(110) 사이의 접착을 도와주는 역할을 한다.Specifically, the adhesive layer 120 including titanium and the like and the first conductive layer 130 including copper are sequentially formed on the substrate 110 using a sputtering process or the like. The adhesive layer 120 serves to help adhesion between the first conductive layer 130 and the substrate 110.

다음, 제 1 도전층(130) 상에 포토레지스트층(140)을 형성한다(S300).Next, the photoresist layer 140 is formed on the first conductive layer 130 (S300).

구체적으로, 스핀 코팅 공정 또는 도포 공정 등을 이용하여 제 1 도전층(130) 상에 빛을 받으면 현상 공정 시 현상액에 녹는 포지티브 타입의 포토레지스트 물질로 이루어진 포토레지스트층(140)을 형성한다. Specifically, when light is received on the first conductive layer 130 using a spin coating process or an application process, a photoresist layer 140 made of a positive type photoresist material that is soluble in a developer during the development process is formed.

다음, 도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 포토레지스트층(140)을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴(150)을 형성한다(S400).Next, as shown in FIGS. 7 to 9, the photoresist layer 140 is exposed and developed to form a photoresist pattern 150 (S400).

구체적으로, 도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 포토레지스트층(140) 상에 차광부(210), 투광부(220) 및 반투명부(230)를 가지는 반투명 마스크(200)를 정렬하거나 투명 본체부(310), 암부(320) 및 슬릿부(330)를 가지는 슬릿 마스크(300)를 정렬한 후 반투명 마스크(200) 또는 슬릿 마스크(300)를 통해 포토레지스트층(140)에 자외선 등을 조사하여 포토레지스트층(140)을 노광한 다음, 현상액을 이용해 노광된 포토레지스트층(140)을 현상하여 저부(151), 경사부(152) 및 격벽부(153)를 가진 포토레지스트 패턴(150)을 형성한다. 포토레지스트 패턴(150)의 격벽부(153)와 경사부(152)는 저부(151)로부터 연장되어 저부(151)를 사이에 두고 서로 마주한다.In detail, as illustrated in FIGS. 7 to 9, the translucent mask 200 having the light blocking portion 210, the light transmitting portion 220, and the translucent portion 230 is aligned or transparent on the photoresist layer 140. After the slit mask 300 having the main body 310, the arm part 320, and the slit part 330 is aligned, UV light is applied to the photoresist layer 140 through the semi-transparent mask 200 or the slit mask 300. Irradiate the photoresist layer 140 and then develop the exposed photoresist layer 140 using a developer to form the photoresist pattern 150 having a bottom portion 151, an inclined portion 152, and a partition portion 153. ). The partition portion 153 and the inclined portion 152 of the photoresist pattern 150 extend from the bottom portion 151 to face each other with the bottom portion 151 therebetween.

더 자세하게는, 도 7 및 도 9에 도시된 바와 같이, 포토레지스트층(140)의 노광 공정에 반투명 마스크(200)를 사용하는 경우, 노광 공정 시 사용하는 반투명 마스크(200)의 차광부(210)는 포토레지스트층(140)의 제 1 영역(A)에 대응하여 제 1 영역(A)에 빛이 도달하는 것을 차단하고, 투광부(220)는 포토레지스트층(140)의 제 2 영역(B)에 대응하여 제 2 영역(B)에 빛이 전면적으로 도달하도록 하며, 반투명부(230)는 포토레지스트층(140)의 제 3 영역(C)에 대응하여 도 7 상에서 우측으로 갈수록 순차적으로 어두워져서 제 3 영역(C)에 빛이 우측으로 갈수록 순차적으로 덜 도달하도록 하는 역할을 한다. 이와 같이, 반투명 마스크(200)로 인해 노광 공정 시 포토레지스트층(140)에 도달하는 빛은 조절되며, 현상액을 이용한 현상 공정에 의해 제 1 영역(A)과 제 2 영역(B) 사이에서 격벽부(153)가 형성되고, 제 2 영역(B)에서 격벽부(153)로부터 연장되어 제 1 도전층(130)을 노출시키는 저부(151)가 형성되며, 제 3 영역(C)에서 저부(151)로부터 연장되어 경사를 가지는 경사부(152)가 형성된다. In detail, as illustrated in FIGS. 7 and 9, when the translucent mask 200 is used in the exposure process of the photoresist layer 140, the light shield 210 of the translucent mask 200 used in the exposure process is used. ) Blocks light from reaching the first area A in response to the first area A of the photoresist layer 140, and the light transmitting part 220 blocks the second area of the photoresist layer 140. In response to B), the light reaches the entire area of the second region B, and the translucent portion 230 sequentially moves to the right side in FIG. 7 in correspondence to the third region C of the photoresist layer 140. It becomes dark so that the light reaches the third region C sequentially to the right, and serves to reach less sequentially. As such, the light reaching the photoresist layer 140 during the exposure process is controlled by the semi-transparent mask 200, and the barrier rib is formed between the first region A and the second region B by the developing process using a developer. A portion 153 is formed, and a bottom portion 151 extending from the partition portion 153 in the second region B to expose the first conductive layer 130 is formed, and the bottom portion (3) in the third region C is formed. An inclined portion 152 extending from 151 and having an inclination is formed.

또한, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 포토레지스트층(140)의 노광 공정에 슬릿 마스크(300)를 사용하는 경우, 노광 공정 시 사용하는 슬릿 마스크(300)의 암부(320)는 포토레지스트층(140)의 제 1 영역(A)에 대응하여 투명 본체부(310)를 거쳐 제 1 영역(A)에 빛이 도달하는 것을 차단하고, 암부(320) 및 슬릿부(330)가 형성되지 않은 투명 본체부(310)는 포토레지스트층(140)의 제 2 영역(B)에 대응하여 제 2 영역(B)에 빛이 전면적으로 도달하도록 하며, 슬릿부(330)는 포토레지스트층(140)의 제 3 영역(C)에 대응하여 도 8 상에서 우측으로 갈수록 이웃하는 슬릿부(330) 간의 거리가 순차적으로 가까워져서 제 3 영역(C)에 빛이 우측으로 갈수록 순차적으로 덜 도달하도록 하는 역할을 한다. 이와 같이, 슬릿 마스크(300)로 인해 노광 공정 시 포토레지스트층(140)에 도달하는 빛은 조절되며, 현상액을 이용한 현상 공정에 의해 제 1 영역(A)과 제 2 영역(B) 사이에서 격벽부(153)가 형성되고, 제 2 영역(B)에서 격벽부(153)로부터 연장되어 제 1 도전층(130)을 노출시키는 저부(151)가 형성되며, 제 3 영역(C)에서 저부(151)로부터 연장되어 경사를 가지는 경사부(152)가 형성된다.8 and 9, when the slit mask 300 is used in the exposure process of the photoresist layer 140, the dark portion 320 of the slit mask 300 used in the exposure process may be a photo. Corresponding to the first region A of the resist layer 140, light is blocked from reaching the first region A through the transparent main body 310, and the dark portion 320 and the slit portion 330 are formed. The non-transparent body portion 310 may allow light to reach the second region B entirely in correspondence with the second region B of the photoresist layer 140, and the slit portion 330 may be a photoresist layer ( The distance between adjacent slit portions 330 is closer to the right side in FIG. 8 corresponding to the third region C of 140 so that light reaches the third region C sequentially less toward the right side. Play a role. As such, the light reaching the photoresist layer 140 during the exposure process is controlled by the slit mask 300, and the partition wall is formed between the first region A and the second region B by a developing process using a developer. A portion 153 is formed, and a bottom portion 151 extending from the partition portion 153 in the second region B to expose the first conductive layer 130 is formed, and the bottom portion (3) in the third region C is formed. An inclined portion 152 extending from 151 and having an inclination is formed.

한편, 포토레지스트층(140)을 구성하는 포토레지스트 물질이 빛을 받지 않으면, 현상 공정 시 현상액에 녹는 네거티브 타입의 포토레지스트 물질로 이루어진 경우, 노광 공정에 사용할 수 있는 반투명 마스크(200)의 차광부(210)는 포토레지스트층(140)의 제 2 영역(B)에 대응하고, 투광부(220)는 포토레지스트층(140)의 제 1 영역(A)에 대응하며, 반투명부(230)는 포토레지스트층(140)의 제 3 영역(C)에 대응하여 도 7 상에서 우측으로 갈수록 순차적으로 투명해진다. 또한, 노광 공정에 사용할 수 있는 슬릿 마스크(300)의 암부(320)는 포토레지스트층(140)의 제 2 영역(B)에 대응하고, 암부(320)가 형성되지 않은 투명 본체부(310)는 포토레지스트층(140)의 제 1 영역(A)에 대응하며, 슬릿부(330)는 포토레지스트층(140)의 제 3 영역(C)에 대응하여 도 8 상에서 우측으로 갈수록 이웃하는 슬릿부(330) 간의 거리가 순차적으로 멀어진다.On the other hand, when the photoresist material constituting the photoresist layer 140 does not receive light, when the photoresist material is made of a negative type photoresist material that melts in the developer during the development process, the light shielding portion of the semi-transparent mask 200 that can be used in the exposure process Reference numeral 210 corresponds to the second region B of the photoresist layer 140, the light transmitting portion 220 corresponds to the first region A of the photoresist layer 140, and the translucent portion 230 In response to the third region C of the photoresist layer 140, the transparent regions are sequentially transparent to the right side in FIG. 7. In addition, the arm part 320 of the slit mask 300 that can be used in the exposure process corresponds to the second region B of the photoresist layer 140, and the transparent body part 310 in which the arm part 320 is not formed is formed. Corresponds to the first region A of the photoresist layer 140, and the slit portion 330 corresponds to the third region C of the photoresist layer 140 toward the right side in FIG. 8. The distance between the 330 is gradually away.

다음, 도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(150) 상에 도전 패턴(170)을 형성한다(S500).Next, as shown in FIGS. 10 to 12, the conductive pattern 170 is formed on the photoresist pattern 150 (S500).

구체적으로, 우선, 도 10에 도시된 바와 같이, 기판(110)을 제 1 방향과 제 2 방향 사이로 기울인다. 기판(110)을 기울일 때, 포토레지스트 패턴(150)의 격벽 부(153)가 제 2 방향인 상측으로 노출되지 않도록 기판(110)을 기울인다.Specifically, first, as shown in FIG. 10, the substrate 110 is tilted between the first direction and the second direction. When the substrate 110 is tilted, the substrate 110 is tilted so that the partition portion 153 of the photoresist pattern 150 is not exposed upward in the second direction.

다음, 스퍼터링 공정 등을 이용해 포토레지스트 패턴(150)의 격벽부(153)를 제외하고 포토레지스트 패턴(150) 상에 구리 등을 포함하는 제 2 도전층(160)을 형성한다. 제 2 도전층(160)을 형성할 때, 포토레지스트 패턴(150)의 경사부(152) 상에 위치하는 제 2 도전층(160)이 포토레지스트 패턴(150)의 저부(151)에 의해 노출된 제 1 도전층(130)과 접촉하여 제 1 도전층(130)과 전기적으로 연결되도록 형성한다.Next, except for the partition 153 of the photoresist pattern 150, the second conductive layer 160 including copper or the like is formed on the photoresist pattern 150 using a sputtering process or the like. When forming the second conductive layer 160, the second conductive layer 160 positioned on the inclined portion 152 of the photoresist pattern 150 is exposed by the bottom 151 of the photoresist pattern 150. Contact with the first conductive layer 130 to be electrically connected to the first conductive layer 130.

다음, 도 11에 도시된 바와 같이, 기판(110)을 기울이기 이전의 상태로 위치시킨다. 기판(110)이 기울이기 이전의 상태로 위치하게 되면, 기판(110)의 표면의 연장 방향은 제 1 방향과 나란하게 된다.Next, as shown in FIG. 11, the substrate 110 is positioned in a state before tilting. When the substrate 110 is positioned in a state before tilting, the extending direction of the surface of the substrate 110 is parallel with the first direction.

다음, 도 12에 도시된 바와 같이, 담금 공정 등을 이용해 경사부(152) 상측을 제외한 포토레지스트 패턴(150) 상에 위치한 제 2 도전층(160)을 제거하여, 도전 패턴(170)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 12, the second conductive layer 160 positioned on the photoresist pattern 150 except for the upper side of the inclined portion 152 is removed using a immersion process to form the conductive pattern 170. do.

이상과 같은 공정에 의해 도전 패턴(170)이 형성된다.The conductive pattern 170 is formed by the above process.

한편, 제 2 도전층(160)을 제거하여 도전 패턴(170)을 형성할 때, 기판(110)을 기울이기 이전의 상태로 위치시키지 않고, 기판(110)이 기울어진 상태에서 제 2 도전층(160)을 제거하여 도전 패턴(170)을 형성할 수 있다.On the other hand, when the second conductive layer 160 is removed to form the conductive pattern 170, the second conductive layer is in the inclined state of the substrate 110 without being placed in the state before the substrate 110 is tilted. The conductive pattern 170 may be formed by removing the 160.

다음, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 도전 패턴(170) 상에 프로브(400)를 형성한다(S600).Next, as shown in FIG. 13, the probe 400 is formed on the conductive pattern 170 (S600).

구체적으로, 도 13에서 (a)에 도시된 바와 같이, 제 1 도전층(130)을 이용한 전해 도금 공정 등의 도금 공정을 이용하여 포토레지스트 패턴(150)의 저부(151)에 의해 노출된 제 1 도전층(130) 및 도전 패턴(170) 상에 도전성 물질로 형성된 프로브(400)를 형성한다.Specifically, as shown in (a) of FIG. 13, the agent exposed by the bottom 151 of the photoresist pattern 150 using a plating process such as an electrolytic plating process using the first conductive layer 130. 1 A probe 400 formed of a conductive material is formed on the conductive layer 130 and the conductive pattern 170.

다음, 프로브(400)를 둘러싸는 부분을 제거한다(S700).Next, the portion surrounding the probe 400 is removed (S700).

구체적으로, 도 13에서 (b)에 도시된 바와 같이, 에슁(ashing) 공정 또는 리프트 오프(lift off) 공정을 이용해 포토레지스트 패턴(150)을 제거하고, 식각(etching) 공정 등을 이용해 도전 패턴(170) 및 제 1 도전층(130)을 제거하게 되면, 프로브(400)가 기판(110)으로부터 분리된다. 즉, 프로브(400)를 둘러싸는 부분이 제거된다.Specifically, as shown in (b) of FIG. 13, the photoresist pattern 150 is removed using an ashing process or a lift off process, and the conductive pattern is used by using an etching process or the like. When the 170 and the first conductive layer 130 are removed, the probe 400 is separated from the substrate 110. That is, the portion surrounding the probe 400 is removed.

한편, 도전 패턴(170)을 프로브(400)로부터 분리하지 않고 포토레지스트 패턴(150) 및 제 1 도전층(130)만을 제거하여 도전 패턴(170)을 프로브(400)의 강성을 보강하는 부재로서 사용할 수 있다.Meanwhile, the photoresist pattern 150 and the first conductive layer 130 may be removed without separating the conductive pattern 170 from the probe 400 to reinforce the rigidity of the probe 400. Can be used.

이상과 같은 공정에 의해 연결부(410), 빔부(420) 및 접촉부(430)를 가진 프로브(400)가 제조된다. 프로브(400)의 연결부(410)는 인쇄 회로 기판 패드에 연결되는 역할을 하고, 접촉부(430)는 반도체 등의 피검사체에 형성된 검사용 패드에 접촉하는 역할을 하며, 빔부(420)는 연결부(410)로부터 절곡되어 연결부(410)와 접촉부(430) 사이를 연결하여 접촉부(430)가 탄성을 가지고 피검사체에 형성된 검사용 패드에 접촉하도록 도와주는 역할을 한다.By the above process, the probe 400 having the connection part 410, the beam part 420, and the contact part 430 is manufactured. The connection part 410 of the probe 400 serves to be connected to the printed circuit board pad, the contact part 430 is in contact with the test pad formed on the inspected object such as a semiconductor, and the beam part 420 is connected to the connection part ( It is bent from the 410 is connected between the connecting portion 410 and the contact portion 430 serves to help the contact portion 430 in contact with the test pad formed on the object to be elastic.

다음, 제조된 프로브(400)를 인쇄 회로 기판과 전기적으로 연결한다(S800).Next, the manufactured probe 400 is electrically connected to the printed circuit board (S800).

구체적으로, 프로브 회로 패턴이 형성된 인쇄 회로 기판(110)의 패드에 프로 브(400)를 접속하여 프로브 카드를 제조한다.Specifically, a probe card is manufactured by connecting the probe 400 to a pad of the printed circuit board 110 on which the probe circuit pattern is formed.

한편, 인쇄 회로 기판 대신에 프로브 카드에 사용되는 다층 세라믹 기판(MLC, multi layer ceramic substrate) 등의 공간 변환기(space transformer)에 형성된 패드에 프로브(400)를 접속한 후, 공간 변환기를 인쇄 회로 기판에 접속하여 프로브 카드를 제조할 수 있다.Meanwhile, the probe 400 is connected to a pad formed on a space transformer such as a multi-layer ceramic substrate (MLC) used for a probe card instead of a printed circuit board, and then the space transducer is connected to the printed circuit board. The probe card can be manufactured by connecting to a.

이상과 같은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 의해 프로브 및 프로브 카드가 제조된다.A probe and a probe card are manufactured by the method of manufacturing a probe and a probe card according to the first embodiment of the present invention as described above.

이와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법은 기판(110) 상에 경사부(152)를 가진 포토레지스트 패턴(150) 및 경사부(152) 상에 도전 패턴(170)을 형성하여 프로브(400)를 형성하기 때문에 제조 방법이 단순하며, 이에 의해 제조 시간이 단축되어 제조 원가가 절감된다.As described above, in the method of manufacturing the probe and the probe card according to the first embodiment of the present invention, the photoresist pattern 150 having the inclined portion 152 on the substrate 110 and the conductive pattern on the inclined portion 152 may be formed. Since the 170 is formed to form the probe 400, the manufacturing method is simple, and the manufacturing time is shortened, thereby reducing the manufacturing cost.

또한, 경사진 경사부(152) 상에 프로브(400)를 형성하기 때문에 프로브의 각진 부분을 줄여 검사 공정 시 프로브의 파손을 억제할 수 있다.In addition, since the probe 400 is formed on the inclined inclined portion 152, it is possible to reduce the angle of the probe to prevent damage to the probe during the inspection process.

또한, 폴리싱 공정을 할 필요가 없기 때문에 폴리싱 공정에 의한 프로브(400)의 변형이 발생하지 않는다.In addition, since the polishing process does not need to be performed, deformation of the probe 400 by the polishing process does not occur.

또한, 구리 등의 도전성 물질로 이루어진 제 1 도전층(130) 및 도전 패턴(170) 상에 도전성 물질로 이루어진 프로브(400)를 형성하기 때문에 프로브(400)의 형성 시 프로브(400)와 접촉하는 다른 부재의 결정 구조 차이에 의한 표면 특성의 저하가 억제된다.In addition, since the probe 400 made of a conductive material is formed on the first conductive layer 130 and the conductive pattern 170 made of a conductive material such as copper, the probe 400 is in contact with the probe 400 when the probe 400 is formed. The fall of the surface characteristic by the crystal structure difference of another member is suppressed.

또한, 포토레지스트 패턴(150)의 경사부(152)의 형태에 따라 프로브(400)의 형태를 구성할 수 있기 때문에, 다양한 형태로 경사부(152)를 형성하여 다양한 형태의 경사부(152)에 대응하는 다양한 형태의 프로브(400)를 형성할 수 있다.In addition, since the shape of the probe 400 may be configured according to the shape of the inclined portion 152 of the photoresist pattern 150, the inclined portion 152 may be formed in various forms to form various inclined portions 152. Various types of probes 400 may be formed.

또한, 포토리소그래피 공정을 이용하여 프로브(400) 형성되는 경사부(152)를 형성하기 때문에 고집적 웨이퍼를 검사할 수 있는 멤스(MEMS, Micro Electro Mechanical System) 프로브 카드의 프로브로서 사용될 수 있다.In addition, since the inclined portion 152 is formed using the photolithography process to form the inclined portion 152, it may be used as a probe of a MEMS probe card capable of inspecting a highly integrated wafer.

이하, 도 14 내지 도 16을 참조하여 본 발명의 제 2 실시예 내지 제 4 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a probe and a probe card according to the second to fourth embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 14 to 16.

이하, 제 1 실시예와 구별되는 특징적인 부분만 발췌하여 설명하며, 설명이 생략된 부분은 제 1 실시예에 따른다. 그리고, 본 발명의 제 2 실시예 내지 제 4 실시예에서는 설명의 편의를 위하여 동일한 구성요소에 대하여는 본 발명의 제 1 실시예와 동일한 참조번호를 사용하여 설명한다.Hereinafter, only the characteristic parts distinguished from the first embodiment will be described and described, and the descriptions thereof will be omitted according to the first embodiment. Incidentally, in the second to fourth embodiments of the present invention, for the convenience of description, the same components will be described using the same reference numerals as in the first embodiment of the present invention.

이하, 도 14를 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a probe and a probe card according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 14.

도 14는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.14 is a view for explaining a method for manufacturing a probe and a probe card according to a second embodiment of the present invention.

우선, 상술한 공정을 이용해 도 14에 도시된 바와 같이, 도전 패턴(170) 상에 프로브(400)를 형성한다. First, as shown in FIG. 14 using the above-described process, the probe 400 is formed on the conductive pattern 170.

구체적으로, 도 14에서 (a)에 도시된 바와 같이, 반투명 마스크(200)의 반투명부(230) 또는 슬릿 마스크(300)의 슬릿부(330)의 형태를 조정하여 경사부(152)가 곡선으로 이루어지도록 포토레지스트층(140)을 노광 및 현상하여 곡선으로 이루어 진 경사부(152)를 가지는 포토레지스트 패턴(150)을 형성한 후, 경사부(152) 상에 곡선으로 이루어진 경사부(152)에 의해 곡선으로 이루어진 프로브(400)를 형성한다.Specifically, as shown in (a) of FIG. 14, the inclined portion 152 is curved by adjusting the shape of the semi-transparent portion 230 of the semi-transparent mask 200 or the slit portion 330 of the slit mask 300. After exposing and developing the photoresist layer 140 to form the photoresist pattern 150 having the curved inclined portion 152, the curved inclined portion 152 is formed on the inclined portion 152. To form a curved probe 400.

다음, 프로브(400)를 둘러싸는 부분을 제거한다.Next, the portion surrounding the probe 400 is removed.

구체적으로, 도 14에서 (b)에 도시된 바와 같이, 프로브(400)를 둘러싸는 부분을 제거하여 연결부(410), 곡선으로 이루어진 빔부(420) 및 접촉부(430)를 가진 프로브(400)를 제조한다.Specifically, as shown in (b) of FIG. 14, the portion surrounding the probe 400 is removed to remove the probe 400 having the connection part 410, the curved beam part 420, and the contact part 430. Manufacture.

다음, 제조된 프로브(400)를 인쇄 회로 기판의 패드 또는 공간 변형기의 패드에 접속한다.Next, the manufactured probe 400 is connected to a pad of a printed circuit board or a pad of a space transducer.

이상과 같은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 의해 프로브 및 프로브 카드가 제조된다.The probe and the probe card are manufactured by the method of manufacturing the probe and the probe card according to the second embodiment of the present invention as described above.

이상과 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 의해 제조된 프로브(400)는 빔부(420)가 곡선을 이루기 때문에, 검사 공정 시 빔부(420)에 인가될 수 있는 응력이 분산되어 프로브(400)의 물리적인 손상이 방지된다.As described above, the probe 400 manufactured by the method of manufacturing the probe and the probe card according to the second embodiment of the present invention may be applied to the beam part 420 during the inspection process because the beam part 420 is curved. Stresses are dispersed to prevent physical damage of the probe 400.

이하, 도 15를 참조하여 본 발명의 제 3 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a probe and a probe card according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 15.

도 15는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.15 is a view for explaining a method for manufacturing a probe and a probe card according to a third embodiment of the present invention.

우선, 상술한 공정을 이용해 도 15에 도시된 바와 같이, 도전 패턴(170) 상 에 프로브(400)를 형성한다. First, as illustrated in FIG. 15, the probe 400 is formed on the conductive pattern 170 using the above-described process.

구체적으로, 도 15에서 (a)에 도시된 바와 같이, 반투명 마스크(200)의 반투명부(230) 또는 슬릿 마스크(300)의 슬릿부(330)의 형태를 조정하여 경사부(152)가 굴곡부(152a)를 가지는 동시에 곡선으로 이루어지도록 포토레지스트층(140)을 노광 및 현상하여 굴곡부(152a)을 가지고 곡선으로 이루어진 경사부(152)를 포함하는 포토레지스트 패턴(150)을 형성한 후, 경사부(152) 상에 절곡부(421)를 가지는 동시에 곡선으로 이루어진 프로브(400)를 형성한다.Specifically, as shown in (a) of FIG. 15, the inclined portion 152 is bent by adjusting the shape of the semi-transparent portion 230 of the semi-transparent mask 200 or the slit portion 330 of the slit mask 300. After exposing and developing the photoresist layer 140 to have a curve 152a and to form a curve, the photoresist pattern 150 including the curved portion 152 having the curved portion 152a is formed and then sloped. The bent portion 421 is formed on the portion 152 and the curved probe 400 is formed.

다음, 프로브(400)를 둘러싸는 부분을 제거한다.Next, the portion surrounding the probe 400 is removed.

구체적으로, 도 15에서 (b)에 도시된 바와 같이, 프로브(400)를 둘러싸는 부분을 제거하여 연결부(410), 절곡부(421)를 가지는 동시에 곡선으로 이루어진 빔부(420) 및 접촉부(430)를 가진 프로브(400)를 제조한다.Specifically, as shown in (b) of FIG. 15, the portion surrounding the probe 400 is removed to have a connection portion 410, a bent portion 421, and a curved beam portion 420 and a contact portion 430. To produce a probe 400 with

다음, 제조된 프로브(400)를 인쇄 회로 기판의 패드 또는 공간 변형기의 패드에 접속한다.Next, the manufactured probe 400 is connected to a pad of a printed circuit board or a pad of a space transducer.

이상과 같은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 의해 프로브 및 프로브 카드가 제조된다.The probe and the probe card are manufactured by the method of manufacturing the probe and the probe card according to the third embodiment of the present invention as described above.

이상과 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 의해 제조된 프로브(400)는 빔부(420)가 절곡부(421)를 가지는 동시에 곡선을 이루기 때문에, 검사 공정 시 빔부(420)에 인가될 수 있는 응력이 분산되어 프로브(400)의 물리적인 손상이 방지된다.As described above, the probe 400 manufactured by the method of manufacturing the probe and the probe card according to the third embodiment of the present invention has a curved portion at the same time as the beam portion 420 has a bent portion 421, so Stresses that may be applied to the beam part 420 are distributed to prevent physical damage of the probe 400.

이하, 도 16을 참조하여 본 발명의 제 4 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카 드의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a probe and a probe card according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 16.

도 16은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.16 is a view for explaining a method for manufacturing a probe and a probe card according to a fourth embodiment of the present invention.

우선, 상술한 공정을 이용해 도 16에 도시된 바와 같이, 도전 패턴(170) 상에 프로브(400)를 형성한다. First, as shown in FIG. 16 using the above-described process, the probe 400 is formed on the conductive pattern 170.

구체적으로, 도 16에서 (a)에 도시된 바와 같이, 반투명 마스크(200)의 반투명부(230) 또는 슬릿 마스크(300)의 슬릿부(330)의 형태를 조정하여 경사부(152)가 제 1 굴곡부(152a) 및 제 2 굴곡부(152b)를 가지는 동시에 곡선으로 이루어지도록 포토레지스트층(140)을 노광 및 현상하여 제 1 굴곡부(152a) 및 제 2 굴곡부(152b)를 가지고 곡선으로 이루어진 경사부(152)를 포함하는 포토레지스트 패턴(150)을 형성한 후, 경사부(152) 상에 제 1 절곡부(421) 및 제 2 절곡부(422)를 가지는 동시에 곡선으로 이루어진 프로브(400)를 형성한다.Specifically, as shown in (a) of FIG. 16, the inclined portion 152 may be formed by adjusting the shape of the semi-transparent portion 230 of the semi-transparent mask 200 or the slit portion 330 of the slit mask 300. The photoresist layer 140 is exposed and developed to have a first curved portion 152a and a second curved portion 152b and to be curved, and has a curved portion having a first curved portion 152a and a second curved portion 152b. After forming the photoresist pattern 150 including the 152, the probe 400 having a curved portion having a first bent portion 421 and a second bent portion 422 on the inclined portion 152 is formed. Form.

다음, 프로브(400)를 둘러싸는 부분을 제거한다.Next, the portion surrounding the probe 400 is removed.

구체적으로, 도 16에서 (b)에 도시된 바와 같이, 프로브(400)를 둘러싸는 부분을 제거하여 연결부(410), 제 1 절곡부(421) 및 제 2 절곡부(422)를 가지는 동시에 곡선으로 이루어진 빔부(420) 및 접촉부(430)를 가진 프로브(400)를 제조한다.Specifically, as shown in (b) of FIG. 16, the portion surrounding the probe 400 is removed to have a connecting portion 410, a first bent portion 421, and a second bent portion 422, and simultaneously curved. The probe 400 having the beam part 420 and the contact part 430 made of the same is manufactured.

다음, 제조된 프로브(400)를 인쇄 회로 기판의 패드 또는 공간 변형기의 패드에 접속한다.Next, the manufactured probe 400 is connected to a pad of a printed circuit board or a pad of a space transducer.

이상과 같은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 의해 프로브 및 프로브 카드가 제조된다.The probe and the probe card are manufactured by the method of manufacturing the probe and the probe card according to the fourth embodiment of the present invention as described above.

이상과 같이, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법에 의해 제조된 프로브(400)는 빔부(420)가 제 1 절곡부(421) 및 제 2 절곡부(422)를 가지는 동시에 곡선을 이루기 때문에, 검사 공정 시 빔부(420)에 인가될 수 있는 응력이 분산되어 프로브(400)의 물리적인 손상이 방지된다.As described above, in the probe 400 manufactured by the method of manufacturing the probe and the probe card according to the fourth embodiment of the present invention, the beam part 420 may be formed by the first bent part 421 and the second bent part 422. Since the branches are curved at the same time, the stress that can be applied to the beam unit 420 during the inspection process is dispersed to prevent physical damage of the probe 400.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The foregoing description of the present invention is intended for illustration, and it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be easily modified in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the above description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

도 1은 종래의 프로브의 제조 방법을 나타낸 단면도이고,1 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a conventional probe,

도 2 내지 도 4는 다른 종래의 프로브의 제조 방법을 나타낸 단면도이고,2 to 4 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of another conventional probe,

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 나타낸 순서도이고, 5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a probe and a probe card according to the first embodiment of the present invention.

도 6 내지 도 13은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이고,6 to 13 are views for explaining a method for manufacturing a probe and a probe card according to a first embodiment of the present invention,

도 14는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이고,14 is a view for explaining a method for manufacturing a probe and a probe card according to a second embodiment of the present invention,

도 15는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이며,15 is a view for explaining a method for manufacturing a probe and a probe card according to a third embodiment of the present invention,

도 16은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 프로브 및 프로브 카드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.16 is a view for explaining a method for manufacturing a probe and a probe card according to a fourth embodiment of the present invention.

Claims (13)

한번 이상 절곡 연장되어 있는 프로브 카드용 프로브의 제조 방법에 있어서,In the method for producing a probe for a probe card which is bent and extended at least once, (a) 기판을 마련하는 단계,(a) preparing a substrate, (b) 상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계,(b) forming a first conductive layer on the substrate, (c) 상기 제 1 도전층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계,(c) forming a photoresist layer on the first conductive layer, (d) 상기 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 제 1 도전층을 노출시키는 저부 및 상기 저부로부터 연장되어 있는 경사부를 가지는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,(d) exposing and developing the photoresist layer to form a photoresist pattern having a bottom exposing the first conductive layer and an inclined portion extending from the bottom, (e) 상기 경사부 상에 상기 제 1 도전층과 전기적으로 연결된 도전 패턴을 형성하는 단계,(e) forming a conductive pattern electrically connected to the first conductive layer on the inclined portion, (f) 상기 노출되어 있는 제 1 도전층 및 상기 도전 패턴 상에 도전성 물질을 형성하여 상기 프로브를 형성하는 단계 및(f) forming a probe by forming a conductive material on the exposed first conductive layer and the conductive pattern; and (g) 상기 프로브를 둘러싸는 부분을 제거하는 단계(g) removing the portion surrounding the probe 를 포함하는 프로브의 제조 방법.Method for producing a probe comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (d)단계는,In step (d), 반투명 마스크 또는 슬릿 마스크를 이용하여 수행하는 것인 프로브의 제조 방법.A method of making a probe, which is performed using a translucent mask or a slit mask. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (d)단계는,In step (d), 상기 경사부가 하나 이상의 굴곡부를 포함하도록 수행하는 것인 프로브의 제조 방법.And wherein the inclined portion comprises one or more bends. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (d)단계는,In step (d), 상기 포토레지스트 패턴이 상기 저부로부터 연장되어 상기 경사부와 마주하는 격벽부를 더 포함하도록 수행하는 것인 프로브의 제조 방법.And the photoresist pattern extends from the bottom portion to further include a partition wall portion facing the inclined portion. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 (e)단계는,In step (e), (e-1) 상기 기판을 기울이는 단계,(e-1) tilting the substrate; (e-2) 상기 포토레지스트 패턴 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계 및(e-2) forming a second conductive layer on the photoresist pattern; and (e-3) 상기 제 2 도전층을 제거하여 상기 도전 패턴을 형성하는 단계(e-3) removing the second conductive layer to form the conductive pattern 를 포함하는 프로브의 제조 방법.Method for producing a probe comprising a. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 (e-1)단계는,Step (e-1), 상기 포토레지스트 패턴의 상기 격벽부가 상측으로 노출되지 않도록 수행하는 것인 프로브의 제조 방법The method of manufacturing a probe is performed so that the barrier rib portion of the photoresist pattern is not exposed upward. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 (e-2)단계는,Step (e-2), 상기 포토레지스트 패턴의 상기 격벽부 상에 상기 제 2 도전층이 형성되지 않도록 수행하는 것인 프로브의 제조 방법.And the second conductive layer is not formed on the barrier rib portion of the photoresist pattern. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 (e-3)단계는,In the step (e-3), 상기 기판을 기울이기 이전 상태로 위치시킨 후 수행하는 것인 프로브의 제조 방법.And positioning the substrate in a state prior to tilting. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (f)단계는,Step (f), 상기 제 1 도전층을 이용한 도금 공정에 의해 수행하는 것인 프로브의 제조 방법.Method of manufacturing a probe that is carried out by a plating process using the first conductive layer. 인쇄 회로 기판 및 한번 이상 절곡 연장되어 있는 프로브를 포함하는 프로브 카드의 제조 방법에 있어서,A method of manufacturing a probe card comprising a printed circuit board and a probe that is bent and extended at least once, (a) 기판을 마련하는 단계,(a) preparing a substrate, (b) 상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계,(b) forming a first conductive layer on the substrate, (c) 상기 제 1 도전층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계,(c) forming a photoresist layer on the first conductive layer, (d) 상기 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 제 1 도전층을 노출시키는 저부 및 상기 저부로부터 연장되어 있는 경사부를 가지는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,(d) exposing and developing the photoresist layer to form a photoresist pattern having a bottom exposing the first conductive layer and an inclined portion extending from the bottom, (e) 상기 경사부 상에 상기 제 1 도전층과 전기적으로 연결된 도전 패턴을 형성하는 단계,(e) forming a conductive pattern electrically connected to the first conductive layer on the inclined portion, (f) 상기 노출되어 있는 제 1 도전층 및 상기 도전 패턴 상에 도전성 물질을 형성하여 상기 프로브를 형성하는 단계,(f) forming the probe by forming a conductive material on the exposed first conductive layer and the conductive pattern, (g) 상기 프로브를 둘러싸는 부분을 제거하는 단계 및(g) removing the portion surrounding the probe and (h) 상기 프로브를 상기 인쇄 회로 기판과 전기적으로 연결하는 단계(h) electrically connecting the probe with the printed circuit board 를 포함하는 프로브 카드의 제조 방법.Method of manufacturing a probe card comprising a. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 (d)단계는,In step (d), 반투명 마스크 또는 슬릿 마스크를 이용하여 수행하는 것인 프로브 카드의 제조 방법.A method of manufacturing a probe card, which is performed by using a translucent mask or a slit mask. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 (d)단계는,In step (d), 상기 경사부가 하나 이상의 굴곡부를 포함하도록 수행하는 것인 프로브 카드의 제조 방법.And the inclined portion includes one or more curved portions. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 (f)단계는,Step (f), 상기 제 1 도전층을 이용한 도금 공정에 의해 수행하는 것인 프로브 카드의 제조 방법.A method of manufacturing a probe card, which is performed by a plating process using the first conductive layer.
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