KR101042513B1 - 전기 시험용 접촉자, 이를 이용한 전기적 접속 장치, 및 접촉자의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 목적은, 원하는 저항값을 갖는 저항체를 용이하게 형성할 수 있게 하여, 저항체를 형성시 수율(收率, yield)을 높이는데 있다. 본 발명의 전기 시험용 접촉자는, 상하 방향으로 연장하는 판상(板狀)의 설치부, 그 설치부의 하단부로부터 좌우 방향의 적어도 어느 한 방향 쪽으로 연장하는 판상의 암(arm)부 및 그 암부의 선단부에서 아래쪽으로 돌출하는 판상의 받침대부(pedestal portion)를 갖춘 접촉자 본체와, 상기 받침대부의 하단에서 아래쪽으로 돌출하는 접촉부로서 그 접촉부의 하단에 침선을 갖는 접촉부와, 상기 접촉자 본체 및 상기 접촉부보다 높은 저항값을 갖는 저항체로서 그 접촉자의 저항값을 높이기 위해 상기 접촉자 본체에 배치된 저항체를 포함한다.

접촉자, 프로브, 집적회로, 침선(針先, probe tip), 인성(靭性, resiliency), 경도(硬度), 수율(收率, yield), 캔틸레버(cantilever, 외팔보), 포토리소그래피(photo lithographic), 스패터링(spattering), 저항체, 테스터

Description

전기 시험용 접촉자, 이를 이용한 전기적 접속 장치, 및 접촉자의 제조 방법 {Contactor for Electrical Test, Electrical Connecting Apparatus Using the Same, and Method for Manufacturing Contactor}

본 발명은, 반도체 집적회로와 같은 평판형 피검사체의 전기 시험에 사용하는 접촉자, 이를 이용한 전기적 접속 장치, 및 접촉자의 제조 방법에 관한 것이다.

반도체 집적회로와 같은 평판형 피검사체는, 사용서대로 제조되고 있는지 아닌지의 전기적인 시험을 받는다. 이러한 종류의 전기 시험은, 피검사체의 전극 각각을 누르는(押壓) 복수의 프로브, 즉 접촉자를 배선 기판이나 프로브 기판 등의 기판에 배치한 프로브 카드, 프로브 블록, 프로브 유닛 등의 전기적 접속 장치를 이용하여 실시한다. 이러한 종류의 전기적 접속 장치는, 피검사체의 전극과, 테스터의 전기회로를 전기적으로 접속하기 위하여 이용된다.

이러한 종류의 전기적 접속 장치의 하나로서, 복수의 프로브, 즉 접촉자를 프로브 기판의 밑면에 캔틸레버(cantilever, 외팔보) 형태로 지지시키고, 전기적 접속기를 통해 프로브 기판을 배선 기판의 아래쪽에 배치하여, 반도체 웨이퍼에 형성되어 있는 미절단된(un-diced) 다수의 집적회로의 통전 전기적 시험을 한 번 또는 여러 번으로 나눠 실시하는 것이 있다(특허문헌 1).

그러나, 최근, 보다 작고 더욱 고집적도인 집적회로의 수요가 높아지고 있는 이래, 최근 각 집적회로는, 패드 전극의 간격이 상당히 좁아져서 패드 전극 자체의 간격이 협소화되고 있는 추세이다. 또한, 시험 효율을 높이기 위하여, 상기 전기적 접속 장치처럼, 한번에 보다 많은 집적회로의 전기적 시험을 실시하는 것도 요구되고 있다.

상기와 같이, 패드 전극의 간격이 협소화되고 있는 다수의 집적회로의 전기적 시험을 한번에 실시하기 위한 전기적 접속 장치에 있어서는, 보다 많은 접촉자를 사용해야 하므로, 접촉자를 통해 테스터와 집적회로의 패드 전극을 전기적으로 접속하는 프로브 기판 및 배선 기판의 내부 배선(특히, 신호용 전송로가 되는 배선)수가 많아지고, 그 결과, 이들 내부 배선은 복잡해짐과 동시에 밀집된다.

상기와 같이, 내부 배선이 복잡해짐과 동시에 밀집된 전기적 접속 장치에서는, 내부에 절연 불량이나 전기적 접촉(短絡) 등을 갖는 불량 집적회로가 존재하면, 이들 불량 집적회로용 내부 배선의 전기 신호가, 동시에 검사를 받는 다른 우량 집적회로에 입력되는 신호에 악영향을 끼친다. 이 같은 악영향의 하나로서, 우량 집적회로에 입력되는 신호의 전압 저하 또는 파형 흐트러짐(waveform break) 등이 발생하는 경우가 있으며, 이런 경우 정상적인 시험이 불가능해진다.

상기 문제점을 극복하기 위하여, 본 특허 출원인은, 배선 기판 또는 프로브 기판에 각 내부 배선에 전기적으로 접속된 저항체를 설치하고, 각 내부 배선 및 저항체를 통해, 테스터와 집적회로를 전기적으로 접속하는 기술을 채용하고 있다(일본 특허출원 제2007-128292호).

그러나, 그 같은 기술로는, 원하는 저항값을 갖는 저항체를 기판 내에 형성하는 것이 어렵다. 또한, 각 저항체, 나아가, 내부 배선의 저항값은, 이를 설치하는 기판이 완성된 후가 아니면, 측정하는 것이 불가능하다. 이 때문에, 종래에는, 완성된 기판의 좋고 나쁨을 조기에 판별할 수 없었다. 완성된 기판의 좋고 나쁨의 판정은, 각 저항체, 나아가, 각 내부 배선의 저항값이 원하는 값을 갖는지 아닌지를 판정함으로써 이루어진다.

불량 기판에 관해서는, 프로브 기판에 구비되어 있는 다층 배선 기판을 깍아 내거나 기판에 구멍을 뚫어 내부 배선들을 수리하는 작업을 한다. 그러나, 이 수리 작업은, 내부 배선이 미세하므로, 번잡하고 치밀한 작업이 요구된다. 그 결과, 이 같은 수리 작업은 숙련자밖에 할 수 없다. 이처럼 저항체를 기판에 설치하는 것은, 저항체를 설치하는 작업 자체에 매우 많은 시간과 노력을 요할 뿐 아니라, 기판의 수율(收率, yield) 향상에 방해가 되고 있다.

특허문헌 1: 국제공개 WO 제2007-108110호 공보

본 발명의 목적은, 원하는 저항값을 갖는 저항체를 용이하게 형성할 수 있게 하여, 저항체 형성시 수율을 높이는데 있다.

본 발명에 따른 전기 시험용 접촉자는, 상하 방향으로 연장하는 판상(板狀)의 설치부, 그 설치부의 하단부(下端部)로부터 좌우 방향의 적어도 어느 한 방향 쪽으로 연장하는 판상의 암(arm)부 및 그 암부의 선단부(先端部)에서 아래쪽으로 돌출하는 판상의 받침대부를 갖춘 접촉자 본체와, 상기 받침대부의 하단(下端)에서 아래쪽으로 돌출하는 접촉부로서 그 접촉부의 하단에 침선(針先, probe tip)을 갖는 접촉부와, 상기 접촉자 본체 및 상기 접촉부보다 높은 저항값을 갖는 저항체로서 그 접촉자의 저항값을 높이기 위해 상기 접촉자 본체에 배치된 저항체를 포함한다.

상기 저항체는, 상기 접촉자 본체에 배치되어 상기 접촉자 본체와 상기 접촉부를 전기적으로 접속하고 있어도 된다.

상기 저항체는, 적어도 상기 받침대부에 배치되어 상기 받침대부와 상기 접촉부를 전기적으로 접속하고 있어도 된다.

상기 접촉부와 상기 접촉자 본체의 일부는 같은 금속으로 형성되어 있고, 그 금속은, 상기 받침대부에 위치되어 상기 받침대부의 일부로서 작용하는 제1 부위와, 상기 받침대부의 하단에서 아래쪽으로 돌출되어 상기 접촉부로서 작용하는 제2 부위를 갖출 수 있다.

상기 제1 부위는, 그 일부에서, 적어도 그 제1 부위를 제외한 상기 받침대부 의 다른 부분에 전기적으로 접속되어 있어도 된다.

상기 접촉자 본체는, 적어도 상기 제1 부위를 제외하고, 상기 금속보다 높은 인성(靭性, resiliency)을 갖는 제1 금속 재료로 형성되어 있으며, 상기 금속은 상기 제1 금속재료보다 높은 경도(硬度)를 갖는 제2 금속 재료로 형성되어 있어도 된다.

적어도 상기 제1 부위는, 그 일부를 상기 받침대부의 두께 방향의 한쪽 측면에 노출시키고 있어도 된다.

상기 저항체는, 전기 도금 기술, 스패터링(spattering) 기술 및 증착 기술을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나에 의해 형성되어 있어도 된다.

본 발명에 따른 전기 시험용 접촉자는, 또한, 상기 저항체의 일부가 적어도 상기 금속의 상기 제1 부위를 제외한 상기 받침대부의 나머지 부분에 전기적으로 접속하는 것을 허락하도록 적어도 상기 받침대부와 상기 저항체 사이에 배치된 전기적 절연층을 포함할 수 있다.

본 발명에 따른 전기적 접속 장치는, 판상(板狀) 또는 시트 형태의 기판과, 상기와 같은 복수의 전기 시험용 접촉자로서 상기 기판의 밑면에 캔틸레버(cantilever, 외팔보) 형태로 지지된 복수의 전기 시험용 접촉자를 포함한다.

본 발명에 따른 접촉자의 제조 방법은, 접촉자 본체와, 그 접촉자 본체에서 돌출하며 선단(先端)에 침선을 갖는 접촉부를 구비한 전기 시험용 접촉자를 제조한다. 이 같은 제조 방법은, 이하의 공정을 포함한다.

상기 접촉자 본체 및 상기 접촉부보다 높은 저항값을 갖는 고저항 도전성 재 료에 의해 형성된 저항체층으로서 상기 접촉자의 받침대부의 일부가 되는 저항체의 형태인 저항체층을 판상의 베이스 부재의 윗면에 형성하는 제1 공정.

상기 받침대부의 나머지 부분보다 높은 경도(硬度)를 갖는 고경도 도전성 재료로 만들어진 금속층으로서 상기 받침대부의 다른 일부 및 상기 접촉부의 형태인 금속층을 상기 베이스 부재 및 상기 저항체층의 위에 형성하는 제2 공정.

상기 금속층보다 높은 인성을 갖는 고인성(高靭性) 도전성 재료에 의해 형성된 고인성 도전체층(導電體層)으로서 상기 접촉자 본체의 나머지 부분의 형태인 고인성 도전체층을 상기 저항체층 및 상기 금속층의 위에 형성하는 제3 공정.

본 발명에 따른 접촉자의 다른 제조 방법은, 접촉자 본체와, 그 접촉자 본체에서 돌출하며 선단(先端)에 침선을 갖는 접촉부를 구비한 전기 시험용 접촉자를 제조한다. 이 같은 제조 방법은, 이하의 공정을 포함한다.

상기 접촉자 본체 및 상기 접촉부보다 높은 저항값을 갖는 고저항 도전성 재료에 의해 형성된 저항체층으로서 상기 접촉자의 받침대부의 일부가 되는 저항체의 형태인 저항체층을 판상의 베이스 부재의 윗면에 형성하는 제1 공정.

상기 받침대부의 나머지 부분보다 높은 경도(硬度)를 갖는 고경도 도전성 재료로 만들어진 금속층으로서 상기 받침대부의 다른 일부 및 상기 접촉부의 형태인 금속층을 상기 베이스 부재 및 상기 저항체층의 위에 형성하는 제2 공정.

전기적 절연층 재료에 의해 형성된 전기적 절연층으로서 상기 받침대부 내에 위치하는 상기 금속층의 부위 및 상기 저항체층의 일부의 형태인 전기적 절연층을, 상기 베이스 부재판, 상기 금속층의 일부 및 상기 저항체층의 위에 형성하는 제3 공정.

상기 금속층보다 높은 인성을 갖는 고인성 도전성 재료에 의해 형성된 고인성 도전체층으로서 상기 접촉자 본체의 나머지 부분의 형태인 고인성 도전체층을 상기 저항체층 및 상기 금속층의 위에 형성하는 제4 공정.

나아가, 본 발명에 따른 접촉자의 또 다른 제조 방법은, 접촉자 본체와, 그 접촉자 본체에서 돌출하며 선단에 침선을 갖는 접촉부를 구비한 전기 시험용 접촉자를 제조한다. 이 같은 제조 방법은, 이하의 공정을 포함한다.

상기 접촉자 본체 및 상기 접촉부보다 높은 저항값을 갖는 고저항 도전성 재료에 의해 형성된 저항체층으로서 상기 접촉자의 받침대부의 일부가 되는 저항체의 형태인 저항체층을 판상의 베이스 부재의 윗면에 형성하게 만드는 제1 공정.

상기 받침대부의 나머지 부분보다 높은 경도를 갖는 고경도 도전성 재료로 만들어진 금속층으로서 상기 받침대부의 다른 일부 및 상기 접촉부의 형태인 금속층을 상기 기판 및 상기 저항체층의 위에 형성하는 제2 공정.

전기적 절연 재료에 의해 형성된 전기적 절연층으로서 상기 받침대부 내에 위치하는 상기 금속층의 부위 및 상기 저항체층의 일부의 형태인 전기적 절연층을 상기 금속층의 일부 및 상기 저항체층의 위에 형성하는 제3 공정.

도전성 재료에 의해 형성된 도전층으로서 상기 받침대부 내에 위치하는 상기 금속층의 부위 및 상기 저항체층의 일부의 형태인 도전층을, 상기 저항체층의 일부 및 상기 전기적 절연층의 위에 형성하는 제4 공정.

상기 금속층보다 높은 인성을 갖는 고인성 도전성 재료에 의해 형성된 고인 성 도전체층으로서 상기 접촉자 본체의 나머지 부분의 형태인 고인성 도전체층을 상기 도전체층의 위에 형성하는 제5 공정.

본 발명에 따르면, 접촉자는, 받침대부 및 접촉부보다 높은 저항값을 갖는 저항체로서 그 접촉자의 저항값을 높이기 위해 접촉자 본체에 배치된 저항체를 포함한다. 이 때문에, 접촉자 자체의 저항값을 측정하여, 접촉자의 좋고 나쁨을 판정하는 것이 가능하므로, 원하는 저항값을 갖는 접촉자를 선택하여 전기적 접속 장치에 이용할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 기판 내에 저항체를 배치할 필요가 없으므로, 기판의 내부 배선을 단순화하는 것이 가능하고, 저항값이 불량한 기판을 수리할 필요가 없으므로, 제조되는 기판의 수율이 향상한다.

[용어의 설명]

본 발명에 있어서는, 도1에서, 전기적 접속 장치쪽이 위쪽이 됨과 동시에 검사 스테이지쪽이 아래쪽이 되는 방향을 상하 방향이라 하며, 이 상하 방향과 직교하는 좌우 방향을 좌우 방향이라 하며, 양 방향과 직교하는 종이 뒷면을 향하는 방향(수직 방향)을 전후 방향이라 한다.

그러나, 본 발명에서 말하는 상하 방향은, 테스터에 대한 검사시 피검사체의 자세에 따라 다르다. 따라서 본 발명에서 말하는 상하 방향은, 실제 검사 장치에 따라, 상하 방향, 그 반대 방향, 수평 방향, 및 수평면에 대해 경사진 경사 방향 중 어느 한 방향이 되도록 결정해도 된다.

[전기적 시험 장치 및 접촉자의 실시예]

도1을 참조하여 보면, 전기적 시험 장치(10)는, 복수의 집적 회로를 갖는 원판형 반도체 웨이퍼를 피검사체(12)로 하는 테스터(도시되어 있지 않음)에 배치된다. 테스터는, 피검사체(웨이퍼)(12)에 형성된 미절단된 복수의 집적회로의 전기적 성능 시험을 한번 또는 여러 번으로 나눠 검사한다. 각 집적회로는, 패드 전극과 같은 복수의 전극을 윗면에 갖는다.

전기적 시험 장치(10)는, 복수의 판상의 접촉자(14)를 갖춘 프로브 카드, 즉 전기적 접속 장치(16)와, 집적회로(12)가 배치되는 척탑(chuck top)(18)과, 척탑(18)을 적어도 전후 방향, 좌우 방향 및 상하 방향으로 삼차원적으로 이동시키는 검사 스테이지(20)와, 적어도 하나의 전기 시험용 접촉자(14)를 촬영하도록 검사 스테이지(20)에 배치된 CCD카메라와 같은 에어리어 센서(area sensor)(22)를 포함한다.

도2 내지 도6을 참조하여 보면, 각 접촉자(14)는, 상하 방향으로 연장하는 설치부(24)와, 설치부(24)의 하단부로부터 좌우 방향의 어느 한 방향 쪽으로 연장하는 암(arm)부(26)와, 암부(26)의 선단부에서 아래쪽으로 돌출하는 판상의 받침대부(28)와, 받침대부(28)의 하단에서 아래쪽으로 돌출하는 접촉부(30)를 포함한다. 설치부(24), 암부(26) 및 받침대부(28)는, 이 실시예에서는, 접촉자 본체로서 작용 한다.

상기의 접촉자 본체는 같은 두께 치수를 갖는 판 형태로 일체적으로 형성되어 있다. 뒤에서 설명할 받침대부(28)의 일부를 제외한 접촉자 본체의 대부분은, 니켈·인 합금(Ni-P), 니켈·텅스텐 합금(Ni-W), 로듐(Rh), 인청동(隣靑銅, phosphor bronze)(Cu-Sn-P), 니켈(Ni), 팔라듐·코발트 합금(Pd-Co), 팔라듐·니켈·코발트 합금(Pd-Ni-Co) 등, 고인성(高靭性)을 갖는 도전성 금속 재료의 퇴적에 의해 형성되어 있다.

받침대부(28)의 상기 일부는, 도6을 참조하여 뒤에서 설명할, 금속(34)의 제1 부위(34a), 저항체(36), 전기적 절연층(38), 및 도전성 금속층(40)을 포함한다. 이 같은 받침대부(28)의 일부를 제외한 나머지 부분은, 고인성 도전성 금속 재료로 형성되어 있으므로, 탄성 변형이 가능하며, 따라서 받침대부(28)의 메인부(主體部), 즉 받침대 메인부(28a)로서 작용한다.

접촉부(30)는, 설치부(24) 등을 형성하고 있는 금속 재료의 경도(硬度)보다 높은 경도의 도전성 금속 재료로 만들어져 있다. 도시된 예에서는, 접촉부(30)의 하단면(下端面)은, 피검사체(12)의 전극에 눌러지도록(押壓), 상하 방향으로 연장하는 가상의 축선(軸線)(31)(도3 참조)에 직각인 평탄한 침선(針先, probe tip)(32)으로 되어 있다.

도6에 나타나 있듯이, 위에서 설명한 금속(34)은, 접촉부(30)와, 적어도 받침대 메인부(28a)의 일부에 공통으로 형성되어 있다. 금속(34)은, 로듐(Rh)이나 텅스텐(W)처럼, 받침대 메인부(28a)를 형성하고 있는 도전성 금속 재료보다 높은 경 도를 갖는 도전성 금속 재료의 퇴적에 의해, 형성되어 있다.

금속(34)은, 받침대부(28)에 위치되어 받침대부(28)의 일부의 한 부재로서 작용하는 제1 부위(34a)와, 받침대부(28)의 하단(下端)에서 아래쪽으로 돌출되어 접촉부(30)로서 작용하는 제2 부위(34b)에 의해, 크랭크 형태를 갖고 있다.

도6을 참조하여 보면, 각 접촉자(14)의 상기 저항체(36)는, 받침대부(28) 및 접촉부(30)보다 높은 저항값을 갖는 도전성 금속 재료에 의해 시트 형태로 형성되어 있다. 저항체(36)는, 그 한쪽 면을 받침대부(28)의 한쪽 면에 노출하고 있으며, 또한 금속(34)의 제1 부위(34a)(나아가, 접촉부(30))와 받침대 메인부(28a)를 전기적으로 접속하고 있다.

저항체(36)는, 예를 들어, 크롬·팔라듐 합금(Cr-Pd), 크롬(Cr), 티탄·팔라듐 합금(Ti-Pd), 티탄(Ti), 산화 탄탈룸(TaO), 질화 탄탈룸(Ta₂N), 니켈·크롬 합금(Ni-Cr)처럼, 받침대 메인부(28a)를 형성하고 있는 금속 재료나 금속(34)을 형성하고 있는 금속 재료보다 높은 저항값을 갖는 도전성 금속 재료로 형성할 수 있다.

저항체(36)는, 상기와 같은 도전성 금속 재료의 퇴적에 의해, 금속(34)과 뒤에서 설명할 전기적 절연층(38) 및 금속층(40)에 일체적으로 형성되어 있다. 각 접촉자(14)의 상기 전기적 절연층(38) 및 도전성 금속층(40)은, 도6에 나타나 있듯이, 저항체(36) 및 받침대부(28) 사이에 서로 겹쳐서 배치되어 있다.

전기적 절연층(38)은, 폴리이미드와 같은 전기적 절연성 수지에 의해 형성되어 있다. 전기적 절연층(38)은, 또한, 저항체(36)가 그 일부에서 적어도 금속(34) 의 제1 부위(34a)와 받침대 메인부(28a)를 전기적으로 접속하도록, 금속(34)의 제1 부위(34a) 및 저항체(36)의 받침대 메인부(28a)쪽 면에 일체적으로 형성되어 있다.

전기적 절연층(38)은, 저항체(36)의 상단부(上端部)를 금속층(40)에 노출시키고 있다. 이 같은 저항체(36)의 노출된 부분은, 금속층(40)을 통해, 받침대 메인부(28a)에 전기적으로 접속되어 있고, 저항체(36)의 다른 부분은 받침대 메인부(28a)로부터 전기적으로 절연되어 있다.

금속층(40)은, 크롬·팔라듐 합금(Cr-Pd), 티탄·팔라듐 합금(Ti-Pd)처럼, 받침대 메인부(28a)와 같은 정도의 도전성을 갖는 도전성 금속 재료의 퇴적에 의해 형성되어 있다.

금속층(40)의 일부는, 받침대 메인부(28a)쪽의 전기적 절연층(38) 부분과, 전기적 절연층(38)에 의해 노출된 저항체(36)의 노출부를 덮고 있다. 금속층(40)의 나머지 부분은, 적어도 메인부(28a)의 한쪽 면에 노출되어 있다.

저항체(36), 전기적 절연층(38) 및 금속층(40)은, 이들이 서로 겹쳐져 있는 상태로, 일체적으로 결합되어 있으며, 또한 금속층(40)에서 받침대 메인부(28a)에 일체적으로 결합되어 있다. 이 때문에, 금속(34)이 그 제1 부위(34a)에서 받침대부(28)의 다른 부분에 일체적으로 결합되어 있는 것과 더불어, 접촉부(30)와 받침대 메인부(28a)의 결합력이 크므로, 받침대부(28)로부터 접촉부(30)가 탈락하는 일이 확실히 방지된다.

도2에 나타난 예에서, 암(arm)부(26)는, 상하 방향으로 간격을 두고 좌우 방향으로 연장하는 두 개의 암(arm)영역(42, 44)과, 이 두 개의 암 영역(42, 44)을 이들 선단부(先端部) 및 후단부(後端部)에서 각각 연결하는 두 개의 연결 영역(46, 48)을 갖추고 있다.

다시 도2~도6을 참조하여 보면, 금속(34)의 제2 부위(34b), 즉 접촉부(30)는, 이를 전후 방향에서 볼 때, 절두각뿔형(截頭角錐形, truncated pyramidal shape)의 형상을 갖고 있다. 이 때문에, 접촉부(30)의 좌우 방향의 각 면은, 상하 방향으로 연장하는 가상의 축선(31)에 대해 경사져 있다.

침선(針先, probe tip)(32)은, 제2 부위(34b)의 기둥형 선단부의 밑면으로 되어 있다. 그러나, 침선(32)은, 상하 방향으로 연장하는 가상의 축선(31)에 대해 경사진 면이어도 되며, 각뿔형이나 원뿔형의 선단처럼 끝이 뾰족한 침선이어도 된다.

전기적 절연층(38)은, 저항체(36)와 도전성 금속층(40)의 결합 면적을 크게 하여, 양자의 결합력을 높이고 있고, 도전성 금속층(40)은, 전기적 절연층(38)과 받침대 메인부(28a)의 결합 면적을 크게 하여, 양자의 결합력을 높이고 있다. 이에 따라, 저항체(36)를 크게 하여 원하는 저항값을 얻을 수 있을 때에도 저항체(36)와 받침대 메인부(28a)의 결합력은 크다.

각 접촉자(14)는, 설치부(24)의 윗면에서, 전기적 접속 장치(16)의 밑면에 형성된 평탄한 도전성부(conductive portion)(예를 들어, 접속 랜드)에, 납땜과 같은 도전성 결합재에 의해, 캔틸레버 형태로 설치되어 있다.

상기와 같은 접촉자(14)에 있어, 저항체(36)의 치수는 예를 들어 이하와 같이 할 수 있다.

길이 치수(도6에서 좌우 방향의 치수)=500㎛

폭 치수(도6에서 종이 뒷면을 향하는 방향(수직 방향)의 치수)=10㎛

두께 치수(도6에서 상하 방향의 치수)=0.1㎛

예를 들어, 저항률이 45μΩ·cm인 크롬·팔라듐 합금이나, 저항률이 107μΩ·cm인 니켈·크롬 합금을 사용한 스패터링(spattering)으로 저항체(36)를 제조할 때 저항체(36)의 저항값은, 이하의 식(1)에서 얻을 수 있다.

R=ρ·S/L...(1)

단, ρ는 저항률, S는 단면적(위에서 설명한 저항체(36)의 폭 치수×두께 치수), L은 위에서 설명한 길이 치수이다.

식(1)에 따르면, 저항률이 45μΩ·cm인 크롬·팔라듐 합금제로 만들어진 저항체(36)의 저항값은 225Ω이고, 저항률이 107μΩ·cm인 니켈·크롬 합금제로 만들어진 저항체(36)의 저항값은 535Ω이다.

저항체(36)의 저항값은, 이하의 이유에 근거하여, 200~500Ω 정도가 바람직하다.

실제 전기적 시험에 있어, 테스터에서 발생된 전기 신호는, 테스터로부터 배선을 통해 전기적 접속 장치(16)의 배선 기판(50)의 내부 배선으로 전송되며, 이어서 배선 기판(50)에 세라믹 기판(52)의 내부 배선을 통해 프로브 기판(54)의 내부에서 분기되고, 최종적으로 피검사체(12)에 도달한다.

즉, 테스터에서 발생된 각 전기 신호가, 분기되어 복수의 집적회로에 입력된다. 시험시에 집적회로의 입력 전극의 절연 불량이나 실리콘 기판의 접촉(短絡) 등, 불량 집적회로가 존재할 경우, 분기된 다른 전기 신호도 영향을 받아, 우량 집적회로로 공급되는 전기 신호가 영향을 받으므로, 정상적인 조건에서 우량 집적회로의 시험이 불가능해진다.

상기 과제를 제어하기 위해서는, 분기한 배선에 가능한 한 큰 값의 저항이 필요해지지만, 식(2)에서 나타나는 시정수(時定數, time constant) τ의 R값이 커질수록, 시정수가 커지게 되므로, 입력 신호의 파형(waveform)이 흐트러진다. 이 때문에, 저항체(36)의 저항값은 상기와 같은 값이 바람직하다.

τ=C·R...(2)

단, C는 커패시턴스(capacitance), R은 레지스턴스(resistance)이다.

도1에 나타나 있듯이, 전기적 접속 장치(16)는, 유리 에폭시수지와 같은 전기 절연 재료로 제작된 배선 기판(50)과, 배선 기판(50)의 밑면에 설치된 세라믹 기판(52)과, 세라믹 기판(52)의 밑면에 설치된 프로브 기판(54)과, 배선 기판(50)의 윗면에 설치된 보강판(56)을 포함한다.

프로브 기판(54)은, 접속 랜드와 같은 평탄한 복수의 도전성부(conductive portion)를 밑면에 갖는다. 각 접촉자(14)는, 전기적 접속 장치(16)에 조립되어 있는 상태에서, 침선(32)이 척탑(18)에 수용된 피검사체(12)의 대응하는 전극과 대향하도록, 설치부(24)의 상단부에서 납땜과 같은 도전성 결합 부재에 의해, 암부(26)가 좌우 방향으로 연장하는 상태로, 도전성부에 캔틸레버 형태로 설치되어 있다.

척탑(chuck top)은, 집적회로(12)를 진공적으로 흡착하여 이동 불가능하게 유지함과 동시에, 흡착을 해제한다. 검사 스테이지(20)는, 척탑(18)을, 전후, 좌우 및 상하의 세 방향으로 이동시키는 삼차원 이동 기구로 되어 있음과 동시에, 척탑(18)을 상하 방향으로 연장하는 축선의 둘레에 각도적으로 회전시키는 θ 이동기구를 갖추고 있다.

도1에 나타나 있듯이, 에어리어 센서(22)는, 광선(58)을 집속하여 특정 접촉자(14)의 침선(32)을 향하게(指向) 하여 침선(32) 및 그 근방을 조명하고, 침선(32) 및 그 근방에서 나온 반사광을 받아들여 전기 신호로 변환한다. 에어리어 센서(22)의 출력 신호는, 특정 접촉자(14), 특히 침선(32)의 좌표 위치를 결정하는 화상 처리 장치에 공급된다.

전기적 시험 장치(10)에서, 특정 접촉자(14)에 아래쪽으로부터 조사(照射)되는 광선(58)은, 접촉부(30)의 침선(32) 및 받침대부(28)의 밑면에서 반사된다. 반사광은, 에어리어 센서(22)에서 반사광량에 따른 전기 신호로 변환된다. 변환된 전기 신호는, 테스터의 전기 회로에서, 테스터에 대한 전기적 접속 장치(16)의 좌표 위치 결정에 사용된다.

금속층(40)에 대한 저항체(36)의 노출 부분은, 접촉자(14)의 총 저항값에 크게 영향을 미친다. 각 접촉자(14)는, 그 총 저항값을 원하는 범위 내의 값으로 만들기 위하여, 예를 들어, 저항체(36)의 두께 치수와 저항체(36)의 노출 부분의 면적이 원하는 범위 내의 값이 되도록, 제작된다. 이 같은 접촉자(14)는, 뒤에서 설명하듯이, 포토리소그래피(photolithographic) 기술, 금속 재료의 퇴적 기술 등을 이용하여 제작할 수 있다.

각 접촉자(14)는, 프로브 기판(54)에 설치되기 전에, 접촉자의 총 저항값을 측정하여, 측정된 저항값이 원하는 범위 내에 있는지 아닌지에 입각하여 좋고 나쁨이 판정된다. 접촉자(14)를 프로브 기판(54)에 설치할 때는, 원하는 범위 내의 저항값을 갖는 우량 접촉자(14)를 선택하여, 선택된 접촉자(14)를 전기적 접속 장치(16)에 사용할 수 있다.

각 접촉자(14)는, 전기적 접속 장치(16)에 조립된 상태에서, 프로브 기판(54), 세라믹 기판(52) 및 배선 기판(50)의 내부 배선을 통해, 배선 기판(50)의 윗면에 설치된 테스터 랜드나 커넥터와 같은 접속부(도시되어 있지 않음)에 전기적으로 접속된다. 각 접속부는, 전기적 접속 장치(16)가 테스터에 설치된 상태에서, 테스터의 전기 회로에 접속된다.

전기적 접속 장치(16)가 테스터에 설치된 상태에서, 각 접촉자(14)는, 그 침선(32)을 피검사체(12)의 전극에 누른다(押壓). 이에 따라, 각 접촉자(14)는 암부(26)에서 탄성에 의해 만곡(灣曲)된다. 이 같은 상태에서, 테스터에서 발생된 전기 신호는 소정의 접촉자(14)를 통해 피검사체(12)에 입력되고, 또한 피검사체(12)에서 발생된 전기 신호는 소정의 접촉자를 통해 테스터로 출력된다.

각 접촉자(14)에 따르면, 기판 내에 저항체를 배치할 필요가 없으므로, 기판의 내부 배선을 단순화하는 것이 가능하고, 저항값이 불량한 기판을 수리할 필요가 없으므로, 제조되는 기판의 수율이 향상된다.

[제조 방법의 실시예]

도7~도10을 참조하여, 도2~도6에 나타나 있는 제조 방법을 취하는 접촉자(14)의 제조 방법의 일례에 관하여 설명한다. 도7~도10은, 도6과 마찬가지로, 도 5의 6-6선을 따라서 얻은 단면도의 상태로 나타낸다.

우선, 도7(A)에 나타나 있듯이, 스테인리스 또는 실리콘으로 만들어진 판상(板狀)의 기판(60)이 준비되고, 니켈층(62)이, 전기 도금, 스패터링, 증착 등의 퇴적 기술, 바람직하게는 스패터링(spattering)에 의해, 기판(60)의 윗면에 형성된다.

이어서, 도7(B)에 나타나 있듯이, 구리층(64)이, 전기 도금, 스패터링, 증착 등의 퇴적 기술, 바람직하게는 스패터링에 의해, 니켈층(62)의 윗면에 형성된다.

니켈층(62) 및 구리층(64)은, 이들 위에 접촉자가 제작된 후에, 제조된 접촉자를 기판(60)으로부터 떼어내는(박리하는) 것을 용이하게 하기 위하여 사용된다.

이어서, 도7(C)에 나타나 있듯이, 앞서 설명한 금속 재료를 사용한 저항체층(66)이, 전기 도금, 스패터링, 증착 등의 퇴적 기술, 바람직하게는 스패터링에 의해 구리층(64)의 윗면에 형성된다.

이어서, 도7(D)에 나타나 있듯이, 포토레지스트층(68)이 도포에 의해 저항체층(66)의 윗면에 형성된다.

이어서, 도7(E)에 나타나 있듯이, 포토레지스트층(68)이 그 일부가 가려진 상태에서 노광(露光)되고, 현상된 후, 저항체층(66)이 에칭 처리된다. 이에 따라, 포토레지스트층(68)의 볼록부(凸部)가 형성된다. 이 볼록부는, 포토레지스트층(68) 중에서, 현상 처리로 제거된 후의 잔존부(68a)이며, 또한 앞서 설명한 저항체(36)의 형태인 평면 형상을 갖는다.

이어서, 도7(F)에 나타나 있듯이, 저항체층(66)이 에칭 처리되어, 저항 체(36)가 구리층(64) 위에 형성된다. 저항체(36)는, 저항체층(66) 중에서, 현상 처리된 후의 포토레지스트층(68)의 잔존부(68a)에 의해 덮여진 부분을 뺀 나머지 부분이 에칭 처리로 제거됨으로써, 형성된다. 바꿔 발하면, 저항체(36)는, 현상 처리된 후의 저항체층(66)의 나머지 부분에 해당한다.

이어서, 도7(G)에 나타나 있듯이, 저항체(36)가 남겨진 상태로, 포토레지스트층(68)의 잔존부(68a)가 제거된다.

이어서, 도8(A)에 나타나 있듯이, 포토레지스트층(70)이 구리층(64) 및 저항체(36)의 윗면에 도포에 의해 형성된다.

이어서, 도8(B)에 나타나 있듯이, 포토레지스트층(70)이 그 일부가 가려진 상태에서 노광되고, 그 상태의 포토레지스트층(70)이 현상된다.

이 같은 포토리소그래피 기술에 의해, 포토레지스트층(70)에 요소(凹所, recess)(70a)가 형성된다.

이어서, 도8(C)에 나타나 있듯이, 구리와 같은 금속 재료가, 전기 도금, 스패터링, 증착 등의 퇴적 기술, 바람직하게는 전기 도금에 의해, 적어도 요소(70a) 내에 퇴적된다. 이에 따라, 희생층(sacrificial layer)(72)이 요소(70a) 내에 형성된다.

이어서, 포토레지스트층(70)이 제거된다. 이에 따라, 도8(D)에 나타나 있듯이, 구리층(64), 저항체(36) 및 희생층(72)이 노출된다.

이어서, 도8(E)에 나타나 있듯이, 포토레지스트층(74)이, 구리층(64), 저항체(36) 및 희생층(72)의 윗면에 도포에 의해 형성된다.

이어서, 포토레지스트층(74)이 그 일부가 가려진 상태에서 노광되고, 그 상태의 포토레지스트층(74)이 현상된다. 이 같은 포토리소그래피 기술에 따라, 도8(F)에 나타나 있듯이, 앞서 설명한 금속(34)의 형태인 평면 형상을 갖는 요소(74a)가 포토레지스트층(74)에 형성되고, 저항체(36) 및 희생층(72)의 서로 대향하는 쪽의 일부가 요소(74a) 내에 노출된다.

이어서, 도9(A)에 나타나 있듯이, 로듐과 같은 높은 경도를 갖는 도전성 금속 재료가, 전기 도금, 스패터링, 증착 등의 퇴적 기술, 바람직하게는 전기 도금에 의해, 적어도 요소(74a) 내에 퇴적된다. 이에 따라, 적어도 저항체(36)와 일체적으로 결합된 금속(34)이 요소(74a) 내에 형성된다.

이어서, 포토레지스트층(74)이 제거된다. 이에 따라, 도9(B)에 나타나 있듯이, 구리층(64), 저항체(36), 금속(34) 및 희생층(72)이 노출된다.

이어서, 도9(C)에 나타나 있듯이, 폴리이미드 수지와 같은 전기 절연 재료(76)가 구리층(64), 저항체(36), 금속(34) 및 희생층(72)의 노출된 윗면에 도포된다.

이어서, 포토레지스트(도시되어 있지 않음)가 전기 절연 재료(76)의 윗면에 도포되고, 그 포토레지스트가 포토리소그래피 기술에 의해 처리된다. 이에 따라, 앞서 설명한 전기적 절연층(38)의 형태인 평면 형상을 갖는 부분을 제외한 범위에 걸쳐 그 포토레지스트가 제거된다. 이에 따라, 포토레지스트는, 전기적 절연층(38)의 형태인 평면 형상을 갖는 부분을 남기고, 위쪽에 노출된다.

이어서, 위에서 설명한 상태에서, 전기 절연 재료(76)가 에칭 처리된다. 이 에 따라, 도9(D)에 나타나 있듯이, 전기 절연 재료(76)의 노출 부분이 제거되고, 저항체(36)와 일체적인 전기적 절연층(38)이 저항체(36)의 윗면에 남아 있음과 동시에, 저항체(36)의 일부, 희생층(72)의 일부, 및 구리층(64)의 나머지 부분이 위쪽에 노출된다.

이어서, 도9(E)에 나타나 있듯이, 받침대 메인부(28a)와 같은 정도의 도전성을 갖는 도전성 금속 재료(78)가, 전기 도금, 스패터링, 증착 등의 퇴적 기술, 바람직하게는 스패터링에 의해, 저항체(36), 희생층(72) 및 구리층(64)의 노출된 부분 위에 퇴적된다.

이어서, 도9(F)에 나타나 있듯이, 포토레지스트층(80)이 도전성 금속 재료(78)의 윗면에 도포에 의해 형성된다.

이어서, 포토레지스트층(80)이 그 일부가 가려진 상태에서 노광되고, 그 상태의 포토레지스트층(80)이 현상된다. 이 같은 포토리소그래피 기술에 따라, 도10(A)에 나타나 있듯이, 앞서 설명한 받침대 메인부(28a)의 형태인 평면 형상을 갖는 요소(80a)가 포토레지스트층(80)에 형성되고, 도전성 금속 재료(78)의 일부는 요소(80a) 내에 노출된다.

이어서, 도10(B)에 나타나 있듯이, 앞서 설명한 고인성(高靭性) 도전성 금속 재료가, 전기 도금, 스패터링, 증착 등의 퇴적 기술, 바람직하게는 전기 도금에 의해, 적어도 요소(80a) 내에 퇴적된다. 이에 따라, 도전성 금속 재료(78)와 일체적으로 결합된 받침대 메인부(28a)가 요소(80a) 내에 형성된다.

이어서, 도10(C)에 나타나 있듯이, 포토레지스트층(80)이 제거되고, 도전성 금속 재료(78)가 받침대 메인부(28a)에 의해 덮여진 부분을 제외하고 제거된다.

이어서, 도10(D)에 나타나 있듯이, 도전성 금속 재료(78)가, 이온 빔 에칭, 습식 에칭(wet etching) 등의 에칭으로 처리되고, 받침대 메인부(28a)에 의해 덮여진 부분을 제외한 도전성 금속 재료(78)의 부분이 제거된다. 이에 따라, 저항체(36) 및 전기적 절연층(38)과 일체적으로 결합된 도전성 금속층(40)이 형성됨과 동시에, 접촉자(14)가 완성된다.

이어서, 구리층(64)과 희생층(72)이 습식 에칭 처리에 의해 제거되고, 완성된 접촉자(14)를 도10(E)에 나타나 있듯이 기판(60) 및 니켈층(62)으로부터 떼어낸다.

[변형예]

상기 실시예에서는, 저항체(36)를 받침대부(28)에 배치하고, 저항체(36)에 의해 받침대부(28)와 접촉부(30)를 전기적으로 접속하고 있으나, 저항체를 다른 부분에 배치해도 된다. 예를 들어, 저항체를, 설치부(24) 내, 암부(26) 내, 및 받침대부(28) 내 등에 배치해도 되며, 설치부(24)와 암부(26)에 걸쳐지도록 또는 암부(26)와 받침대부(28)에 걸쳐지도록 배치해도 된다.

본 발명은, 반도체 웨이퍼에 형성된 미절단 집적회로의 통전시험용 뿐만 아니라, 절단된(diced) 집적회로의 통전시험용으로도 이용할 수 있다.

본 발명은, 상기 실시예에 한정되지 않고, 특허청구의 범위에 기재된 발명의 취지를 벗어나지 않는 한, 각종 변경이 가능하다.

도1은 본 발명에 따른 접촉자를 이용한 전기적 시험 장치의 일실시예를 나타낸 정면도이다.

도2는 본 발명에 따른 접촉자의 일실시예를 나타낸 정면도이다.

도3은 도2에 나타나 있는 접촉자의 접촉부 근방을 확대하여 나타낸 정면도이다.

도4는 도3의 좌측면도이다.

도5는 도3의 저면도이다.

도6은 도5의 6-6선을 따라서 얻은 확대 단면도이다.

도7은 도2~도6에 나타나 있는 접촉자의 제조 방법의 일실시예를 나타낸 공정도이다.

도8은 도7에 이어지는 공정을 설명하기 위한 도면이다.

도9는 도8에 이어지는 공정을 설명하기 위한 도면이다.

도10은 도9에 이어지는 공정을 설명하기 위한 도면이다.

*도면의 주요 부호에 대한 설명*

10: 전기적 시험 장치 12: 피검사체

14: 접촉자 24: 설치부

26: 암(arm)부 28: 받침대부

30: 접촉부 32: 침선(針先, probe tip)

34: 금속 34a, 34b: 제1 및 제2 부위

36: 저항체 38: 전기적 절연층

40: 도전성 금속층 50: 배선 기판

52: 세라믹 기판 56: 프로브 기판

Claims (13)

1. 상하 방향으로 연장하는 판상의 설치부, 그 설치부의 하단부로부터 좌우 방향의 적어도 어느 한 방향 쪽으로 연장하는 판상의 암부 및 그 암부의 선단부에서 아래쪽으로 돌출하는 판상의 받침대부를 갖춘 접촉자 본체;

   상기 받침대부의 하단에서 아래쪽으로 돌출하는 접촉부로서 그 접촉부의 하단에 침선을 갖는 접촉부; 및

   상기 접촉자 본체 및 상기 접촉부보다 높은 저항값을 갖는 저항체로서 그 접촉자의 저항값을 높이기 위해 상기 접촉자 본체에 배치된 저항체이며 한쪽 면을 상기 받침대부의 한쪽 면으로 노출하고 있고, 또 상기 접촉부와 상기 받침대부를 전기적으로 접속하고 있는 저항체;

   를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 시험용 접촉자.
2. 제1항에 있어서, 상기 저항체는, 상기 접촉자 본체에 배치되어 상기 접촉자 본체와 상기 접촉부를 전기적으로 접속하고 있는 것을 특징으로 하는 전기 시험용 접촉자.
3. 제2항에 있어서, 상기 저항체는, 적어도 상기 받침대부에 배치되어 상기 받침대부와 상기 접촉부를 전기적으로 접속하고 있는 것을 특징으로 하는 전기 시험용 접촉자.
4. 제3항에 있어서, 상기 접촉부와 상기 접촉자 본체의 일부는 같은 금속으로 형성되어 있고, 그 금속은, 상기 받침대부에 위치되어 상기 받침대부의 일부로서 작용하는 제1 부위와, 상기 받침대부의 하단에서 아래쪽으로 돌출되어 상기 접촉부로서 작용하는 제2 부위로 구성된 것을 특징으로 하는 전기 시험용 접촉자.
5. 제4항에 있어서, 상기 제1 부위는, 그 일부에서, 적어도 그 제1 부위를 제외한 상기 받침대부의 다른 부분에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 시험용 접촉자.
6. 제4항에 있어서, 상기 접촉자 본체는, 적어도 상기 제1 부위를 제외하고, 상기 금속보다 높은 인성(靭性, resiliency)을 갖는 제1 금속 재료로 형성되어 있고, 상기 금속은 상기 제1 금속 재료보다 높은 경도(硬度)를 갖는 제2 금속재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 시험용 접촉자.
7. 제4항에 있어서, 적어도 상기 제1 부위는, 그 일부를 상기 받침대부의 두께 방향의 한쪽 측면에 노출시키고 있는 것을 특징으로 하는 전기 시험용 접촉자.
8. 제1항에 있어서, 상기 저항체는, 전기 도금 기술, 스패터링(spattering) 기술 및 증착 기술을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 시험용 접촉자.
9. 제4항에 있어서, 또한, 상기 저항체의 일부가 적어도 상기 금속의 상기 제1 부위를 제외한 상기 받침대부의 나머지 부분에 전기적으로 접속하는 것을 허용하도록 적어도 상기 받침대부와 상기 저항체 사이에 배치된 전기적 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 시험용 접촉자.
10. 판상(板狀) 또는 시트형 기판과, 제1항 내지 제7항의 어느 한 항에 기재된 복수의 전기 시험용 접촉자로서 상기 기판의 밑면에 캔틸레버(cantilever, 외팔보) 형태로 지지된 복수의 전기 시험용 접촉자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 접속 장치.
11. 받침대부를 갖는 접촉자 본체와, 그 접촉자 본체에서 돌출하여 선단에 침선(針先)을 갖는 접촉부를 구비한 전기 시험용 접촉자를 제조하는 방법으로서,

    상기 접촉자 본체 및 상기 접촉부보다 높은 저항값을 갖는 고저항 도전성 재료에 의해 형성된 저항체층으로서 상기 받침대부의 일부가 되는 저항체의 형태인 저항체층을 판상의 베이스 부재의 윗면에 형성하는 제1 공정;

    상기 받침대부의 나머지 부분보다 높은 경도를 갖는 고경도 도전성 재료로 만들어진 금속층으로서 상기 받침대부의 다른 일부 및 상기 접촉부의 형태인 금속층을 상기 베이스 부재 및 상기 저항체층의 위에 형성하는 제2 공정; 및

    상기 금속층보다 높은 인성을 갖는 고인성 도전성 재료에 의해 형성된 고인성 도전체층으로서 상기 접촉자 본체의 나머지 부분의 형태인 고인성 도전체층을 상기 저항체층 및 상기 금속층의 위에 형성하는 제3 공정;

    을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 시험용 접촉자의 제조 방법.
12. 받침대부를 갖는 접촉자 본체와, 그 접촉자 본체에서 돌출하여 선단을 침선으로 하는 접촉부를 구비한 전기 시험용 접촉자를 제조하는 방법으로서,

    상기 접촉자 본체 및 상기 접촉부보다 높은 저항값을 갖는 고저항 도전성 재료에 의해 형성된 저항체층으로서 상기 받침대부의 일부가 되는 저항체의 형태인 저항체층을 판상의 베이스 부재의 윗면에 형성하는 제1 공정;

    상기 받침대부의 나머지 부분보다 높은 경도를 갖는 고경도 도전성 재료로 만들어진 금속층으로서 상기 받침대부의 다른 일부 및 상기 접촉부의 형태인 금속층을 상기 베이스 부재 및 상기 저항체층의 위에 형성하는 제2 공정;

    전기적 절연 재료에 의해 형성된 전기적 절연층으로서 상기 받침대부 내에 위치하는 상기 금속층의 부위 및 상기 저항체층의 일부의 형태인 전기적 절연층을, 상기 베이스 부재, 상기 금속층의 일부 및 상기 저항체층의 위에 형성하는 제3 공정; 및

    상기 금속층보다 높은 인성을 갖는 고인성 도전성 재료에 의해 형성된 고인성 도전체층으로서 상기 접촉자 본체의 나머지 부분의 형태인 고인성 도전체층을 상기 저항체층 및 상기 금속층의 위에 형성하는 제4 공정;

    을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 시험용 접촉자의 제조 방법.
13. 받침대부를 갖는 접촉자 본체와, 그 접촉자 본체에서 돌출하여 선단을 침선으로 하는 접촉부를 구비한 전기 시험용 접촉자를 제조하는 방법으로서,

    상기 접촉자 본체 및 상기 접촉부보다 높은 저항값을 갖는 고저항 도전성 재료에 의해 형성된 저항체층으로서 상기 받침대부의 일부가 되는 저항체의 형태인 저항체층을 판상의 베이스 부재의 윗면에 형성하는 제1 공정;

    상기 받침대부의 나머지 부분보다 높은 경도를 갖는 고경도 도전성 재료로 만들어진 금속층으로서 상기 받침대부의 다른 일부 및 상기 접촉부의 형태인 금속층을 상기 베이스 부재 및 상기 저항체층의 위에 형성하는 제2 공정;

    전기적 절연 재료에 의해 형성된 전기적 절연층으로서 상기 받침대부 내에 위치하는 상기 금속층의 부위 및 상기 저항체층의 일부의 형태인 전기적 절연층을 상기 금속층의 일부 및 상기 저항체층의 위에 형성하는 제3 공정;

    도전성 재료에 의해 형성된 도전층으로서 상기 받침대부 내에 위치하는 상기 금속층의 부위 및 상기 저항체층의 일부의 형태인 도전층을, 상기 저항체층의 일부 및 상기 전기적 절연층의 위에 형성하는 제4 공정; 및

    상기 금속층보다 높은 인성을 갖는 고인성 도전성 재료에 의해 형성된 고인성 도전체층으로서 상기 접촉자 본체의 나머지 부분을 본뜬 고인성 도전체층을 상기 도전층 위에 형성하는 제5 공정;

    을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 시험용 접촉자의 제조 방법.

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