KR101029094B1 - 반도체 공정설비용 석영히터의 히터판 결합방법과 석영히터의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조된 석영히터 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 공정설비용 석형히터의 히터판 결합방법과 석영히터의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조된 석영히터에 관한 것으로서, 용접방식과 홈 가공기술을 통하여 석영히터의 히터판에 대해 다양한 두께로 제작할 수 있고, 히터판을 구성하는 상판과 하판의 접합 내구력을 크게 향상시킬 수 있으며, 전반적으로 석영히터의 내구성을 높이고 사용수명을 연장시킬 수 있으며, 기존방식보다 가공시간을 단축할 수 있고 그에 따른 기회비용과 부수적으로 따라오는 비용들을 절감할 수 있으며, 기존에 많이 발생되던 재료비들을 크게 절감할 수 있으며, 국내기술에 의한 제조기술력을 확보하므로 수입대체효과는 물론 외화낭비를 최소화할 수 있고 폐기되는 제품을 재활용할 수 있는 반도체 공정설비용 석형히터의 히터판 결합방법과 석영히터의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조된 석영히터에 관한 것이다.

Description

반도체 공정설비용 석영히터의 히터판 결합방법과 석영히터의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조된 석영히터{HEATING PLATE COMBINING METHOD FOR QUARTZ HEATER OF SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT, AND FABRICATION METHOD OF QUARTZ HEATER, AND QUARTZ HEATER FABRICATED BY THIS METHOD}

본 발명은 반도체 공정설비용으로 사용되는 석영히터의 제조기술에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 용접방식과 홈 가공기술을 접목하여 히터판 구성을 위한 상판과 하판간의 결합력을 높일 수 있도록 하고 제품의 내구성을 높이면서 사용수명을 연장시킬 수 있도록 하며 제조비용 등 원가절감을 구현할 수 있도록 한 반도체 공정설비용 석영히터의 히터판 결합방법과 석영히터의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조된 석영히터에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 제조공정 중에는 증착기술을 이용하여 웨이퍼의 표면에 막을 형성시키는 LPCVD(화상기상증착) 등의 증착공정을 실시하게 되는데, 석영히터는 이와 같은 LPCVD 공정을 위한 공정설비의 하나로 구비되는 장치로서 웨이퍼를 가열하되 웨이퍼의 표면온도를 일정하게 유지시킴으로써 웨이퍼의 표면에 균일한 두께의 막을 형성시키는데 사용된다.

이렇게 반도체 공정설비의 하나로 사용되고 있는 석영히터는 석영재질의 상판과 하판 사이에 카본코일 등의 열선이 내장되는 히터판과 이 히터판의 일측에 결합되며 웨이퍼 가열을 위한 열선과 연결되는 텅스텐전극이 내부에 배치된 석영튜브를 포함하여 구성되는데, LPCVD 공정의 진행과정 중에 히터판의 상판이 식각되므로 공정설비의 사용시간 경과에 따라 주기적으로 교체되고 있는 소모성 부품이다.

하지만, 반도체 공정설비용으로 사용되고 있는 석영히터의 대부분이 수입제품으로 가격이 비싸 경제적인 부담이 있을 뿐만 아니라 기술 로열티의 부담으로 외화낭비를 초래하고 있다.

한편, 반도체 공정설비용 석영히터의 종래 기술을 개략적으로 더 살펴보면, 열선을 내부에 위치시킨 상태로 상판과 하판을 접합 실링하여 히터판을 구성하게 되는데, 세라믹 본드를 이용하여 본딩(bonding)을 실시하거나 또는 상판과 하판 자체를 융착시키는 방식으로 상판과 하판을 서로 결합 및 실링(sealing) 처리하여 열선이 내장된 히터판을 구성하고 있다.

그런데, 세라믹 본딩방식에 의해 만들어지는 히터판의 경우는 제품이 불투명으로 되어 사용할 수가 없게 되는 문제점은 물론 히터판과 세라믹 본드와의 열팽창계수 차이로 인해 크랙이 발생되므로 고온과 산 처리에 약한 문제점 및 접합면이 매끄럽지 못하고 기타 가공조건을 잡아내기가 상당히 까다로운 문제점이 있었다.

또한, 상판과 하판을 융착시켜 접합 실링하는 방식에 의한 히터판의 경우는 융착에 의해 상하판이 일체가 되어 열선에서의 고장발생시 수리가 불가능한 문제점이 있었고, 고가의 융착장비 사용 및 고도의 기술을 요하므로 제작비용이 많이 소요됨은 물론 제조원가의 상승요인이 되고 있으며, 융착에 의한 히터판 제조과정에서부터 상판과 하판 자체의 두께가 줄어들므로 사용수명을 떨어뜨리는 문제점이 있었다.

나아가, 히터판의 내부에 내장되는 카본코일 등의 열선에 있어서는 코일이 풀리는 문제점 및 이로 인해 발열량에 문제가 발생되는 단점이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 제반 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 용접방식과 홈 가공기술을 접목하여 히터판 구성을 위한 상판과 하판간의 상호 결합력을 높일 수 있도록 하고, 제품의 내구성을 높이면서 사용수명을 연장시킬 수 있도록 하며, 제조비용 등 원가절감을 구현할 수 있도록 한 반도체 공정설비용 석영히터의 히터판 결합방법과 석영히터의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조된 석영히터를 제공하는데 그 목적이 있다.

또한, 본 발명은 가공시간을 절감할 수 있도록 하고 기존에 많이 발생되던 재료비용들을 크게 절감할 수 있도록 하며, 국내기술의 제조에 의한 수입대체효과는 물론 폐기제품의 재활용을 이끌어낼 수 있도록 한 반도체 공정설비용 석영히터의 히터판 결합방법과 석영히터의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조된 석영히터를 제공하는데 있다.

본 발명의 상기 목적과 여러 가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 본 발명의 바람직한 실시예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 공정설비용 석영히터의 히터판 결합방법은, 상판과 하판의 상호 결합 사이에 열선을 내재시켜 실링 처리하는 반도체 공정설비용 석영히터의 히터판 결합방법에 있어서, 상기 상판과 하판은 열적 안정화를 위해 용융 석영(fused quartz)으로 구성하되 상판의 지름이 하판의 지름보다 작게 형성시키며; 상기 하판에 열선삽입홈 및 용접홈을 형성시키고, 이 열선삽입홈을 통하여 하판에 열선을 삽입 배치한 상태에 이 열선이 내재되도록 상판을 하판에 대응 위치시킨 후, 상판과 하판이 접하는 외측부를 석영용접으로 서로 결합하여 실링 처리하는 단계를 포함하되; 상기 하판의 용접홈은 상판과의 석영용접이 이루어지는 위치에 바로 인접되게 형성시킴으로써 석영용접 시 상판에서 녹아지는 석영이 하판의 용접홈 내로 쉽게 스며들 수 있도록 하여 상판과 하판간의 접합 내구력을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 반도체 공정설비용 석영히터의 제조방법은, 석영히터의 히터판 몸체가 되는 상판과 하판을 만들기 위한 자재를 준비하고 재단하는 제1단계; 상기 자재에 대해 래핑을 실시하여 표면을 다듬질함과 아울러 폴리싱 처리하여 평탄도를 맞춘 상판과 하판을 각각 구비하는 제2단계; 상기 제2단계를 통해 구비된 하판의 일면에 열선삽입홈 및 용접홈을 형성시키되, 상기 용접홈은 상판과의 용접이 이루어지는 위치에 바로 인접되게 형성시키는 제3단계; 상기 열선삽입홈 및 용접홈이 형성된 하판의 타면 일측에 연결튜브를 석영용접으로 결합하되, 열선삽입홈측과 연통되게 연결하는 제4단계; 상기 제4단계를 거친 연결튜브가 석영용접 결합된 하판과 상판을 에칭 처리하여 불순물을 제거하는 제5단계; 상기 제5단계를 거친 하판의 열선삽입홈에 삽입 배치하기 위한 열선을 열처리하는 제6단계; 상기 열처리된 열선을 하판의 열선삽입홈에 삽입하여 배치하는 제7단계; 상기 제7단계 이후에는, 열선이 삽입 배치된 하판에 상판을 대응 위치시키고 상판과 하판이 접하는 외측부를 석영용접으로 서로 결합하여 실링 처리함으로써 열선이 내장된 히터판을 구비하는 제8단계; 상기 히터판을 열처리하는 제9단계; 상기 제9단계를 거친 히터판에 대해 에칭 처리하는 제10단계; 상기 제10단계 이후에는, 열선측에 전원을 공급하기 위한 텅스텐전극을 연결 접속한 상태에 이들이 내재되도록 버티컬 석영튜브를 연결튜브에 석영용접으로 결합하여 석영히터를 완성하는 제11단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

나아가, 본 발명은 상기한 기술구성에 의한 반도체 공정설비용 석영히터의 제조방법에 의해 제조되는 석영히터를 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 용접방식과 홈 가공기술을 통하여 석영히터의 히터판에 대해 다양한 두께로 제작할 수 있고, 히터판을 구성하는 상판과 하판의 접합 내구력을 크게 향상시킬 수 있으며, 열선을 안정적으로 배치 및 코일이 풀리는 현상을 방지할 수 있는 등 전반적으로 석영히터의 내구성을 높이면서 사용수명을 연장시킬 수 있는 유용한 효과가 있다.

또한, 기존방식보다 가공시간을 단축할 수 있고 그에 따른 기회비용과 부수적으로 따라오는 비용들을 절감할 수 있으며, 기존에 많이 발생되던 재료비들을 크게 절감할 수 있는 등 석영히터의 제조에 따른 비용과 원가를 절감할 수 있는 유용한 효과가 있다.

나아가, 국내기술에 의한 제조기술력을 확보하므로 수입대체효과는 물론 외화낭비를 최소화할 수 있고, 본 발명을 통해서는 기존 수입품이나 사용부품 중 크랙이 발생한 상판을 가져다 용접방식으로 하판에 결합하여 재사용할 수 있는 등 폐기제품을 재활용할 수 있는 유용한 효과를 달성할 수 있다.

덧붙여, 열선이 내장되는 히터판 내부를 진공상태로 형성시킴에 따라 열선에서 일정한 발열량으로 고온을 유지하게 할 수 있고 불순 가스의 발생을 없앨 수 있으며 열팽창에 의한 히터판의 파손을 방지 및 열선의 산화까지 방지할 수 있는 유용함을 제공한다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 공정설비용 석영히터의 제조방법을 나타낸 흐름도.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제조방법에 의해 생산된 반도체 공정설비용 석영히터를 나타낸 평면도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제조방법에 의해 생산된 반도체 공정설비용 석영히터를 나타낸 개략 단면도.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제조방법에 의해 생산된 반도체 공정설비용 석영히터에 있어 상판과 하판의 구성을 보인 단면 상세도.

이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 공정설비용 석영히터의 제조방법을 나타낸 흐름도이고, 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제조방법에 의해 생산된 반도체 공정설비용 석영히터를 나타낸 평면도이고, 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제조방법에 의해 생산된 반도체 공정설비용 석영히터를 나타낸 개략 단면도이고, 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제조방법에 의해 생산된 반도체 공정설비용 석영히터에 있어 상판과 하판의 구성을 보인 단면 상세도이다.

본 발명에 따른 반도체 공정설비용 석영히터의 히터판 결합방법을 포함하는 석영히터의 제조방법은 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명하면, 자재를 준비하되 자재 치수를 확인하고 모따기 가공 등을 통하여 자재에서 불필요한 부분이나 파편(chipping)을 없애는 등 재단을 행한다(S1).

이때, 자재는 석영히터(100)의 히터판(110) 몸체가 되는 상판(111)과 하판(112)을 구비하기 위한 것이며, 상판(111)과 하판(112)의 사이에 내재되는 열선(113)에 의해 실제 열을 많이 받는 부분이므로 열적 안정화를 위해 용융 석영(fused quartz; 석영결정을 녹여서 제조한 것)으로 구비함이 바람직하다.

여기서, 상기 상판(111)은 하판(112)에 비해 지름을 작게 형성시켜 구비함이 바람직한데, 이는 후술하는 석영용접에 의한 상호 결합시 상판과 하판간에 접합 내구력을 좋게 하기 위함이다.

상기 S1단계를 거친 자재에 대해 래핑(lapping)을 실시하여 표면을 다듬질함과 아울러 폴리싱(polishing) 처리하여 평탄도를 맞춘 히터판(110)의 몸체 구성을 위한 상판(111)과 하판(112)을 각각 구비한다(S2).

이때, 래핑과 폴리싱은 표면처리 및 가공 효율성을 위해 기계적 래핑 및 폴리싱을 실시함이 바람직하다.

상기 S2단계를 통해 구비된 하판(112)의 일면에 MCT(머시닝센터) 등의 기계적 가공을 통하여 도 4에서 보여주는 바와 같이, 열선삽입홈(112a) 및 용접홈(112b)을 형성시킨다(S3).

이때, 하판(112)은 물론 상판(111)의 외측면을 함께 가공함이 바람직하며, 상기 열선삽입홈(112a)은 하판 전체에 걸쳐 형성되고, 상기 용접홈(112b)은 상판(111)과의 석영용접이 이루어지는 위치에 바로 인접되게 형성시킴으로써 석영용접 시 상판(111)에서 녹아지는 석영이 하판(112)의 용접홈(112b) 내로 쉽게 스며들 수 있게 하고 이를 통해 상판(111)과 하판(112)간의 결합력을 증진시켜 접합 내구력이 좋아질 수 있도록 함이 바람직하다.

상기 열선삽입홈(112a)은 도 4의 상세도에서 보여주는 바와 같이, 홈 단면을 "

"의 구조로 가공함으로써 열선삽입홈 내로 삽입 배치되는 열선(113)을 안정적으로 내부 배치 및 열선의 코일이 쉽게 풀리는 현상을 방지하여 발열량에 문제가 발생되는 것을 방지할 수 있도록 함이 바람직하다.

상기 S3단계를 통해 열선삽입홈(112a) 및 용접홈(112b)이 가공된 하판(112)의 타면 일측에 연결튜브(121)를 석영용접으로 결합한다(S4).

이때, 연결튜브(121)는 석영재질로 구성되는 것으로서, 열선삽입홈(112a)의 일측과 연통되게 연결되며, 석영용접되는 용접부위는 그라인딩을 통해 표면을 매끄럽게 처리한다.

상기 S4단계를 통해 연결튜브(121)가 석영용접되어 결합된 하판(112)과 상판(111)을 에칭 처리함에 의해 이들로부터 불순물을 제거하여 고순도 상태로 만든다(S5).

상기 S5단계를 통하여 고순도 처리된 하판(112)의 열선삽입홈(112a)에 삽입 배치하기 위한 카본코일 등의 열선(113)을 열처리한다(S6).

이때, 열선(113)의 열처리는 전기로 등의 열처리장치를 통해 900~1,100℃에서 10분 정도 열처리를 행하며, 이는 열선(113)에 함유되어있는 가스와 불순물을 제거하여 순수한 열선을 히터선으로 사용하기 위함이다.

상기 S6단계를 통해 열처리된 열선(113)을 하판(112)의 열선삽입홈(112a)에 삽입하여 배치한다(S7).

이때, 하판(112)의 열선삽입홈(112a)에 배치되는 열선(113)은 연결튜브(121)를 통하여 외부에 노출되게 배치함으로써 이후에 버티컬 석영튜브(122) 내에 배치되는 텅스텐전극(미 도시됨)과의 연결 접속이 용이하게 한다.

여기서, 열선(113)은 홈 단면이 "

"의 구조로 가공 형성된 열선삽입홈(112a)측의 내부에 삽입되어 지지되므로 기존 열선 장착에 비해 열선(113)을 안정적으로 배치할 수 있으면서 열선의 코일이 쉽게 풀리는 현상을 방지할 수 있어 발열량에 문제가 발생되는 것을 방지할 수 있다.

상기 S7단계를 통하여 열선(113)을 하판(112)에 삽입 배치한 후에는, 열선(113)이 상판(111)과 하판(112)의 사이에 위치하여 내장되도록 상판(111)과 하판(112)을 석영용접으로 서로 결합함으로써 외측부분을 실링(sealing) 처리하여 히터판(110)을 구성한다(S8).

이때, 상판(111)과 하판(112)의 석영용접 결합시에는 상판(111)에서 녹아지는 석영이 하판(112)의 용접홈(112b) 내로 스며들어 서로간의 조직이 융합되기 때문에 상판(111)과 하판(112)간의 결합력을 크게 증진시킬 수 있으며, 하판(112)에 비해 지름을 축소시켜 형성시킨 상판(111)으로 인해 석영용접에 따른 상호간의 접합 내구력을 더욱 우수하게 할 수 있다.

상기 S8단계를 통한 석영용접 결합에 의해 구비된 히터판(110)을 열처리한 후, 상판(111)과 하판(112)의 용접부위를 그라인딩 처리한다(S9).

이때, 히터판(110)의 열처리는 전기로 등의 열처리장치를 통해 1,100~1,200℃에서 행하며, 이는 석영용접 결합된 상판(111)과 하판(112)의 두 판이 서로 같은 재질이나 석용용접을 통해 결합되어 있기 때문에 열처리를 통해 상판(111)과 하판(112)을 더욱 융합된 하나의 석영몸체로 만들기 위함이다.

상기 S9단계를 거친 히터판(110)에 대해 에칭 처리한다(S10).

상기 S10단계 이후에는, 열선(113)측에 전원을 공급하기 위한 텅스텐전극을 연결 접속한 상태에 이들이 내재되도록 버티컬 석영튜브(122)를 연결튜브(121)에 석영용접으로 상호 결합한다(S11).

이때에는 열선(113)이 내장된 히터판(110) 내부를 진공으로 만든 다음, 연결튜브(121)와의 연결부위에 위치된 버티컬 석영튜브(122)를 용융시켜 내부 실링 처리함으로써 히터판(110) 내부를 진공상태로 밀봉함이 바람직하다.

이러한 히터판(110) 내부의 진공상태 형성을 통해 열선(113)에서 일정한 발열량으로 고온을 유지할 수 있고 불순 가스의 발생을 없앨 수 있을 뿐만 아니라 열팽창에 의한 제품의 파손을 방지 및 열선의 산화까지 방지하여 주므로 히터판(110)의 사용 수명을 향상시킬 수 있게 된다.

한편, 본 발명에서는 연결튜브(121)의 사용없이 히터판(110)측에 바로 버티컬 석영튜브(122)를 석영용접으로 결합하여 사용할 수 있다 할 것이다.

이렇게 본 발명에서는 석영히터를 제조함에 있어 히터판(110)의 구성에 용접 결합방식을 적용함에 따라 상판(111)과 하판(112)에 대해 다양한 두께로 제작 및 적용할 수 있으며, 제품의 사용수명을 연장시킬 수 있다.

덧붙여, 본 발명은 기존 사용제품에서 LPCVD 공정 진행에 따라 식각에 의해 폐기되고 있는 상판을 가져다 본 발명에서 제안하는 용접홈(112b) 구조를 갖는 하판(112)과의 석영용접 결합을 통해 재사용할 수 있다.

이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일 실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정과 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.

100 : 석영히터 110 : 히터판
111 : 상판 112 : 하판
112a : 열선삽입홈 112b : 용접홈
113 : 열선 121 : 연결튜브
122 : 버티컬 석영튜브

Claims (5)

1. 상판과 하판의 상호 결합 사이에 열선을 내재시켜 실링 처리하는 반도체 공정설비용 석영히터의 히터판 결합방법에 있어서,
   상기 상판과 하판은 열적 안정화를 위해 용융 석영(fused quartz)으로 구성하되 상판의 지름이 하판의 지름보다 작게 형성시키며;
   상기 하판에 열선삽입홈 및 용접홈을 형성시키고, 이 열선삽입홈을 통하여 하판에 열선을 삽입 배치한 상태에 이 열선이 내재되도록 상판을 하판에 대응 위치시킨 후, 상판과 하판이 접하는 외측부를 석영용접으로 서로 결합하여 실링 처리하는 단계를 포함하되;
   상기 하판의 용접홈은 상판과의 석영용접이 이루어지는 위치에 바로 인접되게 형성시킴으로써 석영용접 시 상판에서 녹아지는 석영이 하판의 용접홈 내로 쉽게 스며들 수 있도록 하여 상판과 하판간의 접합 내구력을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비용 석영히터의 히터판 결합방법.
2. 화상기상증착 공정에 사용되는 반도체 공정설비용 석영히터의 제조방법에 있어서,
   석영히터의 히터판 몸체가 되는 상판과 하판을 만들기 위한 자재를 준비하고 재단하는 제1단계;
   상기 자재에 대해 래핑을 실시하여 표면을 다듬질함과 아울러 폴리싱 처리하여 평탄도를 맞춘 상판과 하판을 각각 구비하는 제2단계;
   상기 제2단계를 통해 구비된 하판의 일면에 열선삽입홈 및 용접홈을 가공 형성하되, 상기 용접홈은 상판과의 석영용접이 이루어지는 위치에 바로 인접되게 형성시키는 제3단계;
   상기 열선삽입홈 및 용접홈이 형성된 하판의 타면 일측에 연결튜브를 석영용접으로 결합하되, 열선삽입홈측과 연통되게 연결하는 제4단계;
   상기 제4단계를 거친 연결튜브가 용접 결합된 하판과 상판을 에칭 처리하여 불순물을 제거하는 제5단계;
   상기 제5단계를 거친 하판의 열선삽입홈에 삽입 배치하기 위한 열선을 열처리하는 제6단계;
   상기 열처리된 열선을 하판의 열선삽입홈에 삽입하여 배치하는 제7단계;
   상기 제7단계 이후에는, 열선이 삽입 배치된 하판에 상판을 대응 위치시키고 상판과 하판이 접하는 외측부를 석영용접으로 서로 결합하여 실링 처리함으로써 열선이 내장된 히터판을 구비하는 제8단계;
   상기 히터판을 열처리하는 제9단계;
   상기 제9단계를 거친 히터판에 대해 에칭 처리하는 제10단계;
   상기 제10단계 이후에는, 열선측에 전원을 공급하기 위한 텅스텐전극을 연결 접속한 상태에 이들이 내재되도록 버티컬 석영튜브를 연결튜브에 석영용접으로 결합하여 석영히터를 완성하는 제11단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비용 석영히터의 제조방법.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 제11단계에서는 연결튜브와 버티컬 석영튜브를 석영용접으로 결합시 열선이 내장된 히터판 내부를 진공으로 만든 다음, 연결튜브와의 연결부위에 위치된 버티컬 석영튜브를 용융시켜 내부를 실링 처리함으로써 히터판 내부를 진공상태로 밀봉시키는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비용 석영히터의 제조방법.
4. 제 2 항에 있어서,
   상기 상판과 하판은 열적 안정화를 위해 용융 석영(fused quartz)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비용 석영히터의 제조방법.
5. 상기한 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 의한 반도체 공정설비용 석영히터의 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 석영히터.

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