KR101022189B1 - 수증기 개질기 - Google Patents

수증기 개질기 Download PDF

Info

Publication number
KR101022189B1
KR101022189B1 KR1020057016318A KR20057016318A KR101022189B1 KR 101022189 B1 KR101022189 B1 KR 101022189B1 KR 1020057016318 A KR1020057016318 A KR 1020057016318A KR 20057016318 A KR20057016318 A KR 20057016318A KR 101022189 B1 KR101022189 B1 KR 101022189B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
high temperature
temperature reaction
heat transfer
adjacent
catalyst layer
Prior art date
Application number
KR1020057016318A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050115887A (ko
Inventor
타케시 쿠와바라
요시오 토미자와
준 오노
야스시 요시노
Original Assignee
가부시키가이샤 티라도
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2003068286A external-priority patent/JP4387677B2/ja
Priority claimed from JP2003089211A external-priority patent/JP4281084B2/ja
Priority claimed from JP2003089208A external-priority patent/JP4281083B2/ja
Application filed by 가부시키가이샤 티라도 filed Critical 가부시키가이샤 티라도
Publication of KR20050115887A publication Critical patent/KR20050115887A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101022189B1 publication Critical patent/KR101022189B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00—Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
    • C01B3/02—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen
    • C01B3/32—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by reaction of gaseous or liquid organic compounds with gasifying agents, e.g. water, carbon dioxide, air
    • C01B3/34—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by reaction of gaseous or liquid organic compounds with gasifying agents, e.g. water, carbon dioxide, air by reaction of hydrocarbons with gasifying agents
    • C01B3/38—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by reaction of gaseous or liquid organic compounds with gasifying agents, e.g. water, carbon dioxide, air by reaction of hydrocarbons with gasifying agents using catalysts
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F13/00—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/008—Details of the reactor or of the particulate material; Processes to increase or to retard the rate of reaction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/02—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds
    • B01J8/04—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds the fluid passing successively through two or more beds
    • B01J8/0446—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds the fluid passing successively through two or more beds the flow within the beds being predominantly vertical
    • B01J8/0461—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds the fluid passing successively through two or more beds the flow within the beds being predominantly vertical in two or more cylindrical annular shaped beds
    • B01J8/0465—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds the fluid passing successively through two or more beds the flow within the beds being predominantly vertical in two or more cylindrical annular shaped beds the beds being concentric
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/02—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds
    • B01J8/04—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds the fluid passing successively through two or more beds
    • B01J8/0446—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds the fluid passing successively through two or more beds the flow within the beds being predominantly vertical
    • B01J8/0461—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds the fluid passing successively through two or more beds the flow within the beds being predominantly vertical in two or more cylindrical annular shaped beds
    • B01J8/0469—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds the fluid passing successively through two or more beds the flow within the beds being predominantly vertical in two or more cylindrical annular shaped beds the beds being superimposed one above the other
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/02—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds
    • B01J8/04—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds the fluid passing successively through two or more beds
    • B01J8/0492—Feeding reactive fluids
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/02—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds
    • B01J8/04—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds the fluid passing successively through two or more beds
    • B01J8/0496—Heating or cooling the reactor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00—Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
    • C01B3/02—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen
    • C01B3/22—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by decomposition of gaseous or liquid organic compounds
    • C01B3/24—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by decomposition of gaseous or liquid organic compounds of hydrocarbons
    • C01B3/26—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by decomposition of gaseous or liquid organic compounds of hydrocarbons using catalysts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00—Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
    • C01B3/02—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen
    • C01B3/32—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by reaction of gaseous or liquid organic compounds with gasifying agents, e.g. water, carbon dioxide, air
    • C01B3/34—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by reaction of gaseous or liquid organic compounds with gasifying agents, e.g. water, carbon dioxide, air by reaction of hydrocarbons with gasifying agents
    • C01B3/38—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by reaction of gaseous or liquid organic compounds with gasifying agents, e.g. water, carbon dioxide, air by reaction of hydrocarbons with gasifying agents using catalysts
    • C01B3/382—Multi-step processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00—Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
    • C01B3/02—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen
    • C01B3/32—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by reaction of gaseous or liquid organic compounds with gasifying agents, e.g. water, carbon dioxide, air
    • C01B3/34—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by reaction of gaseous or liquid organic compounds with gasifying agents, e.g. water, carbon dioxide, air by reaction of hydrocarbons with gasifying agents
    • C01B3/48—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by reaction of gaseous or liquid organic compounds with gasifying agents, e.g. water, carbon dioxide, air by reaction of hydrocarbons with gasifying agents followed by reaction of water vapour with carbon monoxide
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/00477—Controlling the temperature by thermal insulation means
    • B01J2208/00495—Controlling the temperature by thermal insulation means using insulating materials or refractories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/00522—Controlling the temperature using inert heat absorbing solids outside the bed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/0053—Controlling multiple zones along the direction of flow, e.g. pre-heating and after-cooling
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00796—Details of the reactor or of the particulate material
    • B01J2208/00884—Means for supporting the bed of particles, e.g. grids, bars, perforated plates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/02—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor with stationary particles
    • B01J2208/023—Details
    • B01J2208/024—Particulate material
    • B01J2208/025—Two or more types of catalyst
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00—Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/02—Processes for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/0205—Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a reforming step
    • C01B2203/0227—Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a reforming step containing a catalytic reforming step
    • C01B2203/0244—Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a reforming step containing a catalytic reforming step the reforming step being an autothermal reforming step, e.g. secondary reforming processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00—Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/08—Methods of heating or cooling
    • C01B2203/0805—Methods of heating the process for making hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/0838—Methods of heating the process for making hydrogen or synthesis gas by heat exchange with exothermic reactions, other than by combustion of fuel
    • C01B2203/0844—Methods of heating the process for making hydrogen or synthesis gas by heat exchange with exothermic reactions, other than by combustion of fuel the non-combustive exothermic reaction being another reforming reaction as defined in groups C01B2203/02 - C01B2203/0294
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00—Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/14—Details of the flowsheet
    • C01B2203/142—At least two reforming, decomposition or partial oxidation steps in series
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2203/00—Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
    • C01B2203/80—Aspect of integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas not covered by groups C01B2203/02 - C01B2203/1695
    • C01B2203/82—Several process steps of C01B2203/02 - C01B2203/08 integrated into a single apparatus

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
  • Fuel Cell (AREA)

Abstract

본 발명은, 수증기 개질기(1)는 내부통(2)과 그 주위에 배치된 외부통(3)을 구비한 이중구조를 가지며, 내부통(2)에는 고온반응부(6)와 그것에 인접하는 인접부(7)를 배치하고, 고온반응부(6)에는 수증기 개질촉매와 산화촉매를 혼합해서 이루어지는 혼합촉매층(4) 및 산소함유 가스도입부(5)를 배치한다. 고온반응부(6)로부터 인접부(7) 또는 산소함유 가스도관(5)으로의 전열을 억제하기 위해서, 전열억제수단(50)이 구성된다. 전열억제수단(50)에 의해 고온반응부(6)로부터 주변으로의 열확산을 효과적으로 억제할 수 있는 것을 특징으로 한 것이다.

Description

수증기 개질기{STEAM REFORMER}
본 발명은, 원료가스를 수증기와 산소의 존재 하에 자체산화 및 개질을 실시해서 수소가 풍부한 개질가스를 생성하는 수증기 개질기에 관한 것이다.
종래, 원료가스와 수증기의 혼합물(이하, 원료가스-수증기 혼합물이라고 함)을 수증기 개질촉매의 존재 하에 수증기 개질하여, 수소가 풍부한 개질가스를 생성하는 수증기 개질기가 공지되어 있다. 수증기 개질기로 얻어지는 수소가 풍부한 개질가스는 연료전지의 연료로서 매우 적합하게 이용된다. 원료가스로서는 메탄 등의 탄화수소, 메탄올 등의 지방족 알콜류, 혹은 디메틸에테르 등의 에테르류 등이 이용된다.
수증기 개질기에 있어서, 메탄을 원료가스로서 사용한 경우의 수증기 개질의 반응식은 CH4+2H2O → CO2+4H2로 표시할 수 있으며, 바람직한 개질반응온도는 700~750℃의 범위이다.
수증기 개질기의 반응에 필요한 열을 공급하는 방식으로서 내부가열형이 있다. 내부가열형의 수증기 개질기는 그 공급쪽(상류쪽)에 부분산화반응층을 형성하고, 상기 부분산화반응층에서 발생한 열을 이용해서 하류쪽에 비치한 수증기 개질반응층을 수증기 개질반응온도까지 가열하며, 상기 가열된 수증기 개질촉매층에서 수증기 개질반응시켜서 수소가 풍부한 개질가스를 생성하도록 구성되어 있다. 부분산화반응은 CH4+1/2O2 → CO+2H2로 표시할 수 있으며, 바람직한 부분산화반응의 온도는 250℃이상의 범위이다.
상기 내부가열형의 수증기 개질기를 개량한 것으로서 자체산화 내부가열형 수증기 개질기가 있으며, 예를 들면 일본국 특허공개공보 2001-192201이 공지되어 있다. 동일 공보의 기술은 산화반응에 의한 발열과 수증기 개질반응을 각각 산화촉매와 수증기 개질촉매로 이루어지는 혼합촉매층에서 동시에 실시하고 있다.
도 13은 본 발명자에 의한 자체산화 내부가열형의 수증기 개질기의 일예를 모식적으로 예시한 단면도이다. 수증기 개질기(1)는 내부통(2)과 그 주위에 배치된 외부통(3)을 구비하고 있다. 내부통(2)의 안쪽 최상부에 고온반응부(6)가 배치되고, 이 고온반응부(6)에 수증기 개질촉매와 산화촉매를 혼합한 혼합촉매층(4)과, 산소함유 가스도입부(5)가 배치된다. 또 고온반응부(6)의 하부쪽에 전열층으로 이루어지는 인접부(7)가 배치되고, 또 이 인접부(7)의 하부쪽에 고온 시프트 촉매층(8)과 저온 시프트 촉매층(9)이 차례로 배치된다.
수증기 개질촉매는 원료가스를 수증기 개질하는 촉매이며, 예를 들면 NiO-SiO2ㆍAl2O3 등의 Ni계 개질반응촉매나, WO2-SiO2ㆍAl2O3이나 NiO-WO2-SiO2ㆍAl2O3 등의 개질반응촉매가 사용된다.
산화촉매는 원료가스-수증기 혼합물 중의 원료가스를 산화 발열시켜서, 수증 기 개질반응에 필요한 온도를 얻는 것이며, 예를 들면 백금(Pt)이나 팔라듐(Pd)이 사용된다. 수증기 개질촉매에 대한 산화촉매의 혼합비율은, 수증기 개질해야 할 원료가스의 종류에 따라서 1~15%정도의 범위에서 선택한다. 예를 들면 원료가스로서 메탄을 사용하는 경우는 5%±2%정도, 메탄올의 경우는 3%±1%정도의 혼합비율로 된다.
고온 시프트 촉매층(7)이나 저온 시프트 촉매층(9)을 형성하는 시프트 촉매로서는, CuO-ZnO2, Fe2O3, Fe3O4를 함유하는 산화구리의 혼합물 등이 사용되지만, 7OO℃이상에서 반응을 실시하는 경우에는 Cr2O3을 사용하는 경우도 있다.
인접부(7)를 구성하는 전열층은, 고온반응부(6)로부터 유출되는 개질가스로부터 열을 흡수해서 냉각하는 것으로, 세라믹입자 등의 전열성이 양호한 입자를 충전해서 형성한다.
또한 전열층은 생략되는 경우도 있으며, 그 경우는 예를 들면 고온 시프트 촉매층(8) 또는 그것과 저온 시프트 촉매층(9)이 본 발명에 있어서의 인접부(7)를 구성한다.
내부통(2)에 배치한 혼합촉매층(4), 인접부(7), 고온 시프트 촉매층(8) 및 저온 시프트 촉매층(9)의 각 바닥부분은, 통기성의 지지체(10, 11, 12, 13)에 의해 각각 지지된다.
산소함유 가스도입부(5)는 도입관(14)과 그 선단부에 형성한 분출부(15)를 가진다. 산소함유 가스는 공기 또는 산소가스를 사용할 수 있으며, 예를 들면 도시 하지 않은 공기압축장치로부터 공급되는 가압공기를 도입관(14)에 공급하고, 그 공기를 분출부(15)로부터 혼합촉매층(4) 속으로 불어넣을 수 있다.
외부통(3)의 안쪽 최상부에 수증기 개질촉매층(16)이 배치되고, 그 하부쪽에 전열층(17)이 배치된다. 그리고 수증기 개질촉매층(16) 및 전열층(17)의 바닥부분은 각각 통기성의 지지체(18, 19)에 의해 지지된다. 전열층(17)의 아래쪽에 원료가스-수증기 혼합물의 공급부(20)가 연통(連通)되고, 수증기 촉매층(16)의 상부쪽에 배출부(21)가 연통되며, 이 배출부(21)는 고온반응부(6)의 윗쪽에 형성한 공급부(22)에 연통된다. 또한 내부통(2)의 최하부쪽에 배치된 상기 저온 시프트 촉매층(9)의 아래쪽에는 생성된 개질가스를 배출하는 배출부(23)가 형성된다.
고온반응부(6)의 내부온도는 수증기 개질반응을 효율적으로 실시할 수 있는 고온영역으로 유지할 필요가 있다. 그러기 위해서는 가능한 한 불필요한 열확산을 억제하는 것이 중요하게 되며, 고온반응부(6)를 배치한 내부통(2) 부분과 수증기 촉매층(16)을 배치한 외부통(3) 부분의 사이에 중공(中空)부분을 가지는 단열부(24)가 형성된다.
도 14는 단열부(24)를 포함한 부분확대도이다. 단열부(24)는 고리형상의 내벽부(25)와 고리형상의 외벽부(26)을 가지고, 이들의 상하단부를 측벽부(27)에서 일체적으로 연결함으로써, 그 내부에 고리형상의 중공부(28)가 형성된다. 또한 내벽부(25)는 내부통(2)의 일부를 겸비하고 있다.
다음에 상기한 수증기 개질기(1)를 이용한 수증기 개질방법을 설명한다. 우선 원료가스-수증기 혼합물을 공급부(20)에 공급하면, 이 원료가스-수증기 혼합물은 고온 시프트 촉매층(8) 및 저온 시프트 촉매층(9)으로부터의 전열에 의해 고온상태로 되어 있는 전열층(17)을 통과하는 동안에 온도 상승한다. 온도 상승된 원료가스-수증기 혼합물은 수증기 개질촉매층(16)에 유입되고, 그곳에서 원료가스의 일부가 수증기 개질된다. 외부통(3)의 배출부(21)로부터 개질가스와 나머지의 원료가스-수증기 혼합물이 배출되고, 내부통(2)의 공급부(22)로부터 고온반응부(6)에 유입된다.
고온반응부(6)에 있어서, 혼합촉매층(4)을 구성하는 산화촉매의 존재 하에, 유입된 원료가스-수증기 혼합물에 함유되는 원료가스의 일부가, 산소함유 가스도입부(5)로부터 공급되는 산소함유 가스의 산소에 의해 산화반응된다. 산화반응에 의해서 원료가스-수증기 혼합물은 개질반응에 필요한 온도범위, 예를 들면 650℃~750℃정도(표준적으로는 700℃ 전후)로 온도 상승한다. 즉 자체산화 내부가열이 실시되고, 그 열에 의해 원료가스-수증기 혼합물의 수증기 개질반응이 실시되어서 수소가 풍부한 개질가스가 효율적으로 생성된다. 즉, 고온반응부(6)에 있어서, 발열반응인 산화반응과, 흡열반응인 개질반응이 동시에 진행되고 있으며 온도분포는 균일하게 유지된다. 또한 상기 외부통(3)의 수증기 개질촉매층(16)은, 고온반응부(6)의 예비개질부로서 기능한다.
고온반응부(6)에서 생성된 개질가스는 그 하부쪽의 인접부(7)에 유출되고, 그곳에서 온도 저하되고 나서 고온 시프트 촉매층(8), 저온 시프트 촉매층(9)을 순차적으로 통과한다. 그리고 개질가스가 이들 고온 시프트 촉매층(8), 저온 시프트 촉매층(9)을 통과하는 동안에, 개질가스 중에 잔류하는 일산화탄소의 대부분은 수 소로 변환된다. 저온 시프트 촉매층(9)으로부터 유출되는 고순도의 개질가스는, 배출부(23)를 경유해서 도시하지 않은 부하설비, 예를 들면 차량탑재용의 연료전지 또는 가정용의 연료전지에 공급된다.
상기와 같이, 고온반응부(6)의 열은 단열부(24)에 의해 외부통(3)쪽으로의 확산을 억제하도록 고려되어 있다. 그러나 도 14에 화살표 A로 나타낸 바와 같이, 고온반응부(6)의 열은 단열부(24)의 내벽부(25)로부터 내부통(2)의 하류쪽, 즉 인접부(7)로 확산하는 동시에, 일부의 열은 내벽부(25)로부터 측벽부(27)를 통과해서 단열부(24)의 외벽부(26)쪽으로도 확산한다. 그런 연유로 고온반응부(6)의 가열에 소비하는 열에너지가 많아져서, 수증기 개질기(1)의 열효율 및 반응효율이 저하된다.
그러므로, 도 14와 같은 전열부(24)를 형성한 것 만으로는, 고온반응부(6)로부터 인접부(7) 또는 산소함유 가스도입관(4)으로의 열확산을 억제하는 것은 충분하게는 불가능하므로, 수증기 개질기(1)의 열효율 및 반응효율의 향상효과가 불충분하다.
그래서 본 발명은 이들 고온반응부에 있어서의 열확산의 문제를 한층더 해결하는 것을 과제로 한다.
즉 본 발명은 고온반응부로부터 인접부로의 열확산의 억제작용을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 고온반응부로부터 산소함유 가스도입관으로의 열확산의 억제작용을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
또 본 발명은 고온반응부로부터 인접부로의 열확산과 산소함유 가스도입관으로의 열확산의 억제작용을 모두 향상시키는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 간단한 구조로 고온반응부로부터 인접부나 산소함유 가스도입관으로의 열확산의 억제작용을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
또 본 발명은 수증기 개질기의 열효율 및 반응효율을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 수증기 개질기(1)는 내부통(2)과 그 주위에 배치된 외부통(3)을 구비한 이중구조로 되어 있다. 상기 내부통(2)에는 고온반응부(6)와 그것에 인접하는 인접부(7)를 배치하고, 상기 고온반응부(6)에는 수증기 개질촉매와 산화촉매를 혼합한 혼합촉매층(4)과, 산소함유 가스도입부(5)를 배치한다. 또 상기 외부통(3)에는 수증기 개질촉매층(16)을 배치한다. 그리고 본 발명의 수증기 개질기(1)는, 상기 고온반응부(6)로부터 인접부(7) 또는 산소함유 가스도입부(5)로의 전열을 억제하는 전열억제수단(50)을 구성한 것을 특징으로 한다.
상기와 같이, 본 발명의 수증기 개질기(1)에 상기 전열억제수단(50)을 구성함으로써, 고온반응부(6)로부터 인접부(7) 또는 산소함유 가스도관(5)으로의 열확산을 효과적으로 억제할 수 있다. 그런 연유로 고온반응부(6)의 열효율 및 반응효율이 향상된다.
상기 수증기 개질기(1)에 있어서, 상기 고온반응부(6)를 형성한 부분의 내부통(2)과 그것에 대향하는 외부통(3)과의 사이에 중공부를 가지는 단열부(24)를 배치하고, 그 중공부를 구성하는 내벽부(25)에 간극부(30)를 형성하고, 상기 간극부(30)에 의해 상기 고온반응부(6)로부터 인접부(7)로의 전열을 억제하는 상기 전열억제수단(50)을 구성할 수 있다. 그리고 간극부(30)는 내벽부(25)에 고리형상으로 배열한 복수의 슬릿(31)에 의해 형성될 수 있다.
상기와 같이 구성된 전열억제수단(50)은, 간단한 구조임에도 불구하고, 고온반응부(6)로부터 인접부(7)로의 열확산을 효율적으로 억제할 수 있다.
또한 상기 수증기 개질기(1)에 있어서, 상기 고온반응부(6)와 인접부(7)를 소정간격으로 이반시키는 공극층(40)을 형성하고, 상기 공극층(40)에 의해 상기 고온반응부(6)로부터 인접부(7)로의 전열을 억제하는 상기 전열억제수단(50)을 구성할 수 있다.
그리고 상기 산소함유 가스도입부(5)로서, 내부통(2)의 축방향 중앙으로 연장한 도입관(14)과, 그 선단부 근방에 형성한 분출부(15)를 가지는 것을 사용하며, 이 도입관(14)에는 바깥쪽으로 돌기하는 지지편(支持片)(42)을 형성하고, 그것에 대향하는 내부통(2)에는 안쪽으로 돌기하는 지지편(41)을 형성하며, 상기 혼합촉매층(4)의 바닥부분을 이들 지지편(41, 42)의 상부쪽에 배치한 통기성의 지지체(43)에 의해 지지하고, 이 지지체(43)와 상기 인접부(7)와의 사이에 상기를 형성할 수 있다.
상기와 같이 공극층(40)에 의해 구성된 전열억제수단(50)도, 간단한 구조임에도 불구하고, 고온반응부(6)로부터 인접부(7)로의 열확산을 효율적으로 억제할 수 있다.
또한 상기 수증기 개질기(1)에 있어서, 상기 고온반응부(6)를 형성한 부분의 내부통(2)과 그것에 대향하는 외부통(3)과의 사이에 중공부를 가지는 단열부(24)를 배치하며, 이 중공부를 구성하는 내벽부(25)에 간극부(30)를 형성하고, 이 간극부(30)에 의해 상기 고온반응부(6)로부터 인접부(7)로의 전열을 억제하는 상기 전열억제수단(50)을 구성하며, 그것에 부가해서, 상기 고온반응부(6)와 인접부(7)를 소정간격으로 이반시키는 공극층(40)을 형성하고, 이 공극층(40)에 의해 상기 고온반응부(6)로부터 인접부(7)로의 전열을 억제하는 상기 전열억제수단(50)을 구성할 수 있다.
상기와 같이 간극부(30)에 의한 전열억제수단(50)과 공극층(40)에 의한 전열억제수단(50)의 양방을 구성함으로써, 고온반응부(6)로부터 인접부(7)로의 열확산을 한층 효율적으로 억제할 수 있다.
또한 상기 수증기 개질기(1)에 있어서, 상기 산소함유 가스도입부(5)는, 내부통(2)의 축방향 중앙으로 연장한 도입관(14)과 그 선단부 근방에 형성한 분출부(15)를 가지며, 도입관(14)의 바깥쪽에 간극층(41a)을 형성하는 통체(40a) 또는 도입관(14)의 바깥쪽을 덮는 단열층(43a)을 형성하고, 상기 통체(40a) 또는 단열층(43a)에 의해 상기 고온반응부(6)로부터 산소함유 가스도입부(4)로의 전열을 억제하는 상기 전열억제수단(50)을 구성할 수 있다.
상기의 통체(40a) 또는 단열층(43a)에 의해 구성된 전열억제수단(50)은 간단한 구조임에도 불구하고, 고온반응부(6)로부터 산소함유 가스도관(5)으로의 전열을 효과적으로 억제할 수 있다. 그런 연유로 고온반응부(6)의 열효율 및 반응효율을 향상시킬 수 있다.
또한 상기 수증기 개질기(1)에 있어서, 상기 고온반응부(6)로부터 산소함유 가스도입부(4)로의 전열을 억제하기 위한 통체(40a) 또는 단열층(43a)에 의한 전열억제수단(50)에 부가해서, 추가로,
(1) 상기 고온반응부(6)를 형성한 부분의 내부통(2)과 그것에 대향하는 외부통(3)과의 사이에 중공부를 가지는 단열부(24)를 배치하고, 이 중공부를 구성하는 내벽부(25)에 간극부(30)를 형성하며, 이 간극부(30)에 의해 상기 고온반응부(6)로부터 인접부(7)로의 전열을 억제하는 상기 전열억제수단(50)을 구성하고, 또는,
(2) 상기 고온반응부(6)와 인접부(7)를 소정간격으로 이반시키는 공극층(40)을 형성하고, 이 공극층(40)에 의해 상기 고온반응부(6)로부터 인접부(7)로의 전열을 억제하는 상기 전열억제수단(50)을 구성하고, 또는,
(3) 상기 (1)과 (2)의 양방의 전열억제수단(50)을 구성할 수 있다.
이와 같이 구성된 전열억제수단(50)은, 고온반응부(6)로부터 산소함유 가스도입부(5) 및 인접부(7)로의 열확산을 효율적으로 억제할 수 있으므로, 고온반응부(6)의 열효율 및 반응효율을 한층 향상시킬 수 있다.
또한 상기 어느 하나의 수증기 개질기(1)에 있어서, 상기 내부통(2)에는 혼합촉매층(4) 이외에 고온 시프트 촉매층(8)과 저온 시프트 촉매층(9)을 배치하고, 상기 외부통(3)에는 수증기 개질촉매층(16)을 배치하며, 이들 각 촉매층에 입자형상의 촉매(44a)를 충전하고, 이들 입자형상의 촉매(44a)가 접촉되는 상기 혼합촉매층(4), 고온 시프트 촉매층(8), 저온 시프트 촉매층(9) 및 수증기 개질촉매층(16) 중 적어도 1개의 내부벽면을, 다수의 凹면이 이차원적으로 균일하게 형성된 움푹 패인 면(45)으로 하여, 상기 입자형상의 촉매(44a)를 상기 凹면에 면접촉할 수 있도록 구성할 수 있다.
상기와 같이 구성하면, 입자형상의 촉매(44a)의 충전효율을 높일 수 있으며, 촉매층 내부의 전열효율도 향상된다. 그런 연유로 수증기 개질기(1)의 반응효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 관한 수증기 개질기의 단열부 부근의 부분확대단면도;
도 2는 도 1에 있어서의 간극부(30)의 예를 예시한 부분확대사시도;
도 3은 도 1에 있어서의 간극부(30)의 다른 예를 예시한 부분확대사시도;
도 4는 본 발명의 수증기 개질기의 다른 형태로서, 그 단열부 부근의 부분확대단면도;
도 5는 도 4의 변형예를 예시한 부분확대단면도;
도 6은 도 4의 다른 변형예를 예시한 부분확대사시도;
도 7은 본 발명의 수증기 개질기의 또 다른 형태로서, 그 단열부 부근을 분해해서 나타낸 부분확대사시도;
도 8은 도 7의 조립 후에 있어서의 부분확대단면도;
도 9는 본 발명의 수증기 개질기의 또 다른 형태로서, 그 단열부 부근의 부분확대단면도;
도 10은 도 9에 있어서의 전열억제수단(50)을 변형한 경우의 단열부 부근의 부분확대사시도;
도 11은 본 발명의 수증기 개질기의 또 다른 형태로서, 그 고온반응부 부근의 부분적인 사시도;
도 12는 도 11에 있어서의 고온반응부의 내부면과 그것에 접하는 혼합촉매층을 모식적으로 나타낸 부분확대도;
도 13은 본 발명의 자체산화형의 수증기 개질기의 일예를 예시한 모식적인 단면도;
도 14는 도 13에 있어서의 단열부(24) 부근의 부분확대단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 개질기 2: 내부통
3: 외부통 4: 혼합촉매층
5: 산소함유 가스도입부 6: 고온반응부
7: 인접부 8: 고온 시프트 촉매층
9: 저온 시프트 촉매층 10,11,12,13,18,19,43: 지지체
14: 도입관 15: 분출부
16: 개질촉매층 17: 전열층
20,22: 공급부 21,23: 배출부
24: 단열부 25: 고리형상의 내벽부
26: 고리형상의 외벽부 27: 측벽부
28: 고리형상의 중공부 30: 간극부
31: 슬릿 40: 공극층
40a: 통체 41,42: 지지편
41a: 간극층 43a: 단열층
44: 지지판 44a: 입자형상의 촉매
45: 움푹 패인 면 45a: 각부(脚部)
50: 전열억제수단
<본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
다음에 본 발명의 실시의 형태를 도면에 의해 설명한다. 도 1에 있어서, 본 실시형태의 수증기 개질기의 주요부분 및 촉매는 도 13에 도시한 것과 동일하다. 그러므로, 동일한 부분에는 동일부호를 붙여서, 중복되는 설명은 생략한다.
수증기 개질기(1)는, 내부통(2)과 그 주위에 배치한 외부통(3)의 이중통구조를 가진다. 내부통(2)에는 고온반응부(6)가 배치되고, 이 고온반응부(6)에 수증기 개질촉매와 산화촉매를 혼합한 혼합촉매층(4)과, 산소함유 가스도입부(5)가 배치된다. 고온반응부(6)의 혼합촉매층(4)의 바닥부분은 펀칭메탈 등으로 이루어진 원판형상으로 통기성의 지지체(10)에 의해 지지되고, 그 하류쪽(도 1의 하부쪽)에 전열층으로 구성된 인접부(7)가 배치된다. 또한 지지체(10)는 도입관(14)에 형성한 지지편(10a)과 내벽부(25)에 형성한 지지편(10b) 위에 착석된다. 한편, 외부통(3) 안에는 수증기 개질촉매층(16)이 형성된다.
고온반응부(6)로부터 외부통(3)쪽으로의 열확산을 억제하기 위해서, 고온반응부(6)의 바깥쪽에는 도 13과 마찬가지의 단열부(24)가 배치된다. 단열부(24)는 고리형상의 내벽부(25)와 고리형상의 외벽부(26) 및 이들의 상하를 서로 연결하는 측벽부(27)에 의해 중공으로 형성되고, 그 내부는 단면이 고리형상의 중공부(28)로 된다. 또한 내벽부(25)는 내부통(2)의 일부에 의해 형성되어 있다.
내벽부(25)와 인접부(7)의 사이에 전열억제수단(50)을 구성하는 간극부(30)가 형성되고, 이 간극부(30)에 의해서 고온반응부(6)의 열이 내부통(2)의 일부에서 인접부(7)로 확산되는 것을 억제한다. 또한 간극부(30)는 열의 일부가 측벽부(27)를 경유해서 외벽부(26)로 확산되는 것을 유효하게 억제한다. 그리고 이들 전열억제효과에 의해 고온반응부(6)에 있어서의 가열에 필요로 하는 열에너지를 절약하여, 개질반응에 있어서의 열효율 및 반응효율을 향상시킬 수 있다.
도 2 및 도 3에 간극부(30)의 예를 예시한다. 간극부(30)는 내벽부(25)의 둘레방향에 고리형상으로 단속적으로 배열한 복수의 비교적 짧은 슬릿(31)에 의해 형성되고, 도 2는 슬릿(31)을 1단만 배열한 예이며, 도 3은 그것을 격자형으로 2단 배열한 예이다. 또한 각 슬릿(31)의 간격은 열확산의 억제의 면에서 가능한 한 작은 것이 바람직하지만, 강도적인 면에서 그 하한이 정해진다.
또한, 도 1의 실시형태에서는 상기 간극부(30) 이외에, 내벽부(25)의 상부에 다른 간극부(32)를 형성하고 있다. 이 간극부(32)는 도 2, 도 3에 나타낸 슬릿(31)과 마찬가지의 것으로 구성할 수 있고, 이것을 형성함으로써 내벽부(25)로부터 상부쪽의 측벽부(27)를 경유해서 외벽부(26)쪽으로 열확산되는 것을 억제할 수 있다. 그러나 이 간극부(32)는 경우에 따라서는 생략할 수도 있다.
다음에, 도 4에 나타낸 수증기 개질기(1)는, 그 내부통(2)에 배치된 고온반응부(6)의 바닥부분과 그것에 인접하는 인접부(7)의 사이를 소정간격으로 이반하기 위한 공극층(40)을 형성한 데에 특징이 있다. 이 공극층(40)은 고온반응부(6)의 열이 열전도에 의해 인접부(7)로 확산되는 것을 억제하는 전열억제수단(50)을 구성한다. 이와 같은 전열억제수단(50)을 구성함으로써, 고온반응부(6)의 열에너지를 절약하여, 개질반응에 있어서의 열효율 및 반응효율을 향상시킬 수 있다.
단열부(24)에 있어서의 내벽부(25)의 하부에는 안쪽으로 돌기한 지지편(41)이 형성되고, 그것에 대향하는 산소함유 가스도입부(5)를 구성하는 도입관(14) 부분에는 바깥쪽으로 돌기하는 지지편(42)이 형성된다. 이들 지지편(41, 42)은 둘레방향에 연속되는 고리형상으로서도 되지만, 둘레방향에 단속적으로 형성할 수도 있다. 그리고 이들 지지편(41, 42) 위에 통기성의 지지체(43)가 배치된다.
지지체(43)는 전체가 고리형상으로 형성되고, 펀칭메탈 등으로 만들어진 다공성으로 원판형상의 지지판(44)과, 지지판(44)으로부터 아래쪽으로 연장하는 각부(脚部)(45a)에 의해 구성되고, 각부(45a)의 바닥이 상기 지지편(41, 42) 위에 지지된다. 그리고 지지체(43)와 지지편(41, 42)과의 간극에 의해서 상기 공극층(40)이 형성되고, 각부(45a)의 길이를 조정함으로써 공극층(40)의 상하방향의 치수를 변화시킬 수 있다. 또한 이 상하방향의 치수는 하류쪽에 배치되는 인접부(7)에 배치되는 전열재의 높이 조정에 의해서도 약간 조정 가능하다.
도 5는 도 4의 변형예이며, 이 실시형태에서는 공극층(40)을 형성하는 지지체(43)가 펀칭메탈 등으로 만들어진 다공성으로 원판형상의 지지판(44)만으로 구성되어서, 도 4의 예와 같은 각부(45a)를 가지고 있지 않다. 그 대신에 단열부(24)의 내벽부(25)의 하부에서 안쪽으로 돌기하는 지지편(41)의 위치와, 그것에 대향해서 도입관(14) 부분에서 바깥쪽으로 돌기하는 지지편(42)의 위치가 도 4의 각부(45a)의 길이분만큼 윗쪽에 설정되어 있다.
도 6은 도 4의 또 다른 변형예이며, 이 실시형태에서는 공극층(40)을 형성하는 지지체(43)가 펀칭메탈 등으로 만들어진 다공성으로 원판형상의 지지판(44)과, 복수의 각부(45a)에 의해 구성된다. 그러나 각부(45a)는 도 4의 예와 같이 지지판(44)에 일체적으로 연결되어 있지 않고, 지지체(4)에 대해서 별체로 되어 있다. 그리고 직사각형 형상으로 형성된 복수의 각부(45a)는 그 표면이 수직인 상태로 도입관(14)의 외부면에 고정되고, 이들 각부(45a) 위에 지지판(44)이 배치된다. 그리고 각부(45a)의 상하방향의 길이에 의해 공극층(40)의 상하방향의 치수가 설정된다.
도 7은 본 발명의 수증기 개질기의 또 다른 형태로서, 그 단열부 부근을 분해해서 나타낸 부분확대사시도이다. 또한 도 8은 도 7의 단열부 부근을 조합한 상태의 단면도이다. 이 실시형태는 도 1의 예에 나타낸 공극부(30)와, 도 4에 나타낸 공극층(40)의 2개의 전열억제수단(50)을 구성하고 있으며, 이들 양자에 의해 고온반응부(6)의 열이 인접부(7)로 확산되는 것을 보다 효과적으로 억제한다.
이 실시형태에서는 내부통(2)의 상부 단면이 확대되어 있으며, 그 확대부분에 단열부(24)를 도 7에 나타낸 화살표 방향으로 삽입해서 조합하면 도 8의 상태가 된다. 그리고 내부통(2)의 확대부분의 세로벽이 단열부(24)의 외벽부(26)를 형성하고, 확대부분의 가로벽이 단열부(24)의 하부쪽에 있어서의 측벽부(27)를 형성한다. 또한 측벽부(27)와 내벽부(25)의 하부쪽 선단부와의 사이에 간극부(30)가 형성된다. 그리고 소망에 의해서 내벽부(25)의 상부에 다른 간극부(슬릿)(32)를 형성할 수도 있다.
공극층(40)은 도 6의 예와 마찬가지로, 펀칭메탈 등으로 만들어진 다공성으로 원판형상의 지지판(44)만으로 구성된 지지체(43)에 의해 형성된다. 그리고 단열부(24)의 내벽부(25)의 하부에서 안쪽으로 돌기하는 지지편(41)의 위치와, 그것에 대향하는 도입관(14)으로부터 바깥쪽으로 돌기하는 지지편(42)의 위치가 도 4의 각부(45a)의 길이분만큼 윗쪽에 설정되고, 이들 지지편(41, 42) 위에 지지체(43)가 배치된다.
도 9는 본 발명에 관한 수증기 개질기(1)의 또 다른 실시형태이며, 그 고온반응부(2) 부근의 부분확대도를 도 1에 기준해서 나타내고 있다. 또한 본 실시형태의 수증기 개질기(1)의 주요부분은 도 1에 나타낸 것과 동일하다.
수증기 개질기(1)는, 고온반응부(6)와 그것에 인접하는 인접부(7)를 배치한 내부통(2)과, 그 주위에 배치된 외부통(3)의 이중통구조로 되어 있다. 고온반응부(6)에는 수증기 개질촉매와 산화촉매를 혼합한 혼합촉매층(4)과, 산소함유 가스도입부(5)가 배치되고, 외부통(3) 안에는 수증기 개질촉매층(16)이 배치된다. 그리고 내부통(2)의 바깥쪽에 고리형상의 중공부를 가지는 단열부(24)가 배치된다.
내부통(2)의 확대부분의 세로벽이 단열부(24)의 외벽부(26)를 형성하고, 확대부분의 플랜지형상부분이 단열부(24)의 하부쪽에 있어서의 측벽부(27)를 형성한다.
산소함유 가스도입부(5)는 내부통(2)의 축방향 중앙을 따라서 연장한 도입관(14)과 그 선단부 근방에 형성한 분출부(15)를 가진다. 도입관(14)의 외경보다 큰 내경을 가지는 통체(40a)가 도입관(14)의 주위를 둘러쌓도록 배치된다. 통체(40a)의 상단부는 도입관(14)의 상부, 즉 분출부(15)의 바로 하부쪽에 연결된다. 도입관(14)과 통체(40a)의 사이에 소정폭의 간극층(41a)이 형성되고, 이 간극층(41a)은 상기 연결부에서 내벽부(25)의 아래 가장자리부분의 위치까지 연장하고, 하단부는 개구하고 있다. 그리고 간극층(41a)을 형성하는 통체(40)에 의해 고온반응부(6)로부터 산소함유 가스 도입관(14)으로의 열확산을 억제하는 열확산억제수단(50)이 구성된다.
지지판(10)에 지지된 혼합촉매층(4)에 있어서의 아래쪽의 외주면은, 통체(40a)의 내부면에 접해 있고 도입관(14)에는 접해 있지 않다. 그런 연유로 고온반응부(6)(혼합촉매층(4))로부터 도입관(14)으로의 전열은 큰 폭으로 억제되고, 결과적으로 고온반응부(6)의 열효율을 높일 수 있다.
본 실시형태에서는 고온반응부(6)로부터 인접부(7)로의 2개의 전열확산억제수단(50)이 구성된다. 한 쪽의 전열확산억제수단(50)은 단열부(24)를 구성하는 내벽부(25)의 하부에 고리형상으로 형성된 간극부(30)에 의해 구성된다.
또 다른 전열확산억제수단(50)은 공극층에 의해 구성된다. 즉 내벽부(25)의 아래 가장자리부분에서 안쪽으로 돌기하는 고리형상의 지지편(41)과, 그것에 대향해서 통체(40a)의 아래 가장자리부분에서 바깥쪽으로 돌기하는 고리형상의 지지편(42)을 형성하고, 이들 위에 펀칭메탈 등으로 이루어진 원판형상으로 통기성의 지지체(10)를 지지한다. 지지체(10) 위에 고온반응부(6)에 배치된 혼합촉매층(4)의 바닥부분이 지지되고, 그 하류쪽(도 9의 하부쪽)에 전열층으로 구성된 인접부(7)가 배치된다. 그리고 혼합촉매층(4)의 바닥면과 인접부(7)의 상부면과의 사이에 전열억제수단(50)을 구성하는 공극층(40)이 형성된다.
이와 같이 본 실시형태는 3개의 전열억제수단(50), 즉 통체(40a), 간극부(30) 및 공극층(33)을 형성하고 있으며, 이들의 상승효과에 의해 고온반응부(6)에서 주변으로의 열확산을 극히 효과적으로 억제할 수 있다. 또한 경우에 따라서는, 간극부(30) 및 공극층(40) 중 어느 한 쪽을 생략할 수도 있다.
또한 도 9에 나타낸 본 실시형태에서는, 단열부(24)를 구성하는 내벽부(25)의 상단부에서 외벽부(26)의 상단부분까지의 플랜지형상의 연장부에 짧은 슬릿을 배열해서 형성된 간극부(30a)를 형성하고 있지만, 이 간극부(30a)는 내벽부(25)의 상단부에서 외벽부(26)로의 전열을 억제하는 것이며, 경우에 따라서는 생략해도 된다.
도 10은 도 9의 변형예이다. 본 실시형태와 도 9의 예와 다른 부분은 전열억제수단(50)뿐이고, 그 이외는 마찬가지로 구성된다. 이 전열억제수단(50)은 도입관(14)의 바깥쪽을 덮는 통형상의 단열층(43a)에 의해 구성된다. 단열층(43a)은 내열성 및 단열성을 지니는 유리섬유 등의 무기섬유재를 통형상으로 성형하고, 그것을 도입관(4)의 외주에 삽입하여 장착된다.
단열층(43a)의 상단부는 도 9의 예와 마찬가지로 도입관(14)의 상부, 즉 분출부(15)의 바로 하부쪽까지 연장하고, 하단부는 단열부(24)를 구성하는 내벽부(25)의 아래 가장자리부분의 위치까지 연장한다. 그리고 도 9의 예와 마찬가지로 내벽부(25)의 아래 가장자리부분에 형성한 고리형상의 지지편(41)과 그것에 대향해서 도입관(4)의 외주면에 형성한 고리형상의 지지편(42) 위에 고리형상으로 통기성을 가지는 지지판(10)이 지지된다. 그러나 지지판(10)의 내주면은 상기 단열층(43a)의 외주면에 접촉해서 직접 도입관(14)에는 접촉하고 있지 않으므로, 혼합촉매층(4)의 열이 지지판(10)을 통해서 도입관(14)으로 전열되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
도 11은 본 발명에 관한 수증기 개질기의 또 다른 실시형태이다. 본 실시형태는 수증기 개질기(1)에 있어서의 촉매층이 접촉되는 벽면을 특정 형상으로 한 데에 특징이 있으며, 그 특정 형상은 지금까지 설명한 각 실시형태의 내부통(2)이나 외부통(3)의 벽면에 적용 가능하다.
도 11은 내부통(2)의 고온반응부(6)의 내주면을 특정 형상으로 형성한 예이다. 고온반응부(6)에 배치된 혼합촉매층(4)은 작은 입자형상의 촉매(44a)(입자형상의 수증기 개질촉매 및 입자형상의 산화촉매의 혼합촉매)를 최밀충전(最密充塡)해서 형성된다. 내부통(2)에 있어서의 적어도 혼합촉매층(4)과 접하는 내부면(2a)은 凹면을 이차원적으로 등간격으로 무수 연속 형성한 움푹 패인 면(45)으로 된다. 그리고 혼합촉매층(4)을 형성하는 입자형상의 촉매(44a)에 있어서의 외주부분의 일부가 움푹 패인 면(45)에 비집고 들어가도록 해서 접촉된다.
움푹 패인 면(45)의 각 凹부는 동일한 곡률반경을 가지고, 이 곡률반경은 균일하게 입자제조 성형된 입자형상의 촉매(44a)의 곡률반경에 동일하거나, 또는 약간 크게(예를 들면 수% 크게) 형성된다. 일반적으로 입자제조 성형에 의해 만들어지는 수증기 개질촉매, 산화촉매 또는 시프트 촉매 등은 공지된 것이 사용되고, 그 직경에 적합한 곡률반경의 凹부를 가지는 움푹 패인 면(45)을 형성한다.
도 12는 입자형상의 촉매(44a)와 움푹 패인 면(45)과의 접촉상태를 모식적으로 나타낸 확대단면도이다. 상기와 같이, 움푹 패인 면(45)의 각 凹부를 입자형상의 촉매(44a)와 실질적으로 동일한 곡률반경으로 함으로써, 내부통(2)의 내부면(2a)에 접하는 각 입자형상의 촉매(44a)는 각 凹부에 면접촉한 상태로 배열된다. 그런 연유로 내부면(2a)과 입자형상의 촉매(44a)와의 사이에 형성되는 공극 B는 작아져, 2단째 이후에서 서로 인접하는 입자형상의 촉매(44a)의 사이에 형성되는 공극 C와 실질적으로 동등하게 된다.
상기와 같이 공극 B와 공극 C의 크기가 동일한 정도가 되면, 혼합촉매층(4) 전체가 동일한 공극률이 되므로, 유통하는 원료가스-수증기 혼합물에 편향을 일으키는 일없이 균일한 흐름을 유지할 수 있다. 그런 연유로 혼합촉매층(4)을 통과하는 원료가스-수증기 혼합물과 촉매와의 접촉시간도 균일화되므로, 고온반응부(6)에 있어서의 반응효율이 향상된다. 또 입자형상의 촉매(44a)나 이상적인 최밀충전이 가능하게 되므로, 동일한 공간 내에 많은 입자형상의 촉매(44a)를 충전할 수 있어서, 이런 면에서도 반응효율이 향상된다.
그리고 입자형상의 촉매(44a)가 내부면(2a)과의 공극 B가 감소되면, 이 감소에 따라서 내부면(2a)을 통과시켜서 외부로 전열확산되는 비율도 많아지지만, 이 전열확산의 증가는 상기 전열억제수단(50)에 의해 억제된다. 따라서 본 실시형태와 같은 벽면형상과 상기 전열확산억제수단(50)을 조합함으로써, 높은 반응효율을 유지하면서 열효율의 저하를 효과적으로 억제할 수 있다.
상기 실시형태는 혼합촉매층(4)이 접하는 내부통(2)의 내부면(2a)에 대해서 설명하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 수증기 개질촉매층(16)이 접하는 외부통(3)의 내부면, 고온 시프트 촉매층(8)이나 저온 시프트 촉매층(9)이 접하는 내부통(2)의 내부면(2a)에 대해서도 마찬가지로 적용할 수 있다.
상기 실시형태에 의하면, 입자형상의 촉매(44a)의 충전효율을 높일 수 있고, 촉매층 내부의 전열효율도 향상된다. 그런 연유로 수증기 개질기(1)의 반응효율을 향상시킬 수 있다.

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 내부통(2)과 그 주위에 배치된 외부통(3)을 구비한 이중구조를 가지고, 상기 내부통(2)에는 고온반응부(6)와 그것에 인접하는 인접부(7)를 형성하며, 상기 고온반응부(6)에는 수증기 개질촉매와 산화촉매를 혼합해서 이루어지는 혼합촉매층(4) 및 산소함유 가스도입부(5)를 배치하고, 상기 외부통(3)에는 수증기 개질촉매층(16)을 배치한 이중통구조의 수증기 개질기(1)에 있어서,
    상기 고온반응부(6)로부터 인접부(7) 또는 산소함유 가스도관(5)으로의 전열을 억제하는 전열억제수단(50)을 구성하고,
    상기 고온반응부(6)를 형성한 부분의 내부통(2)과 그것에 대향하는 외부통(3)과의 사이에 중공부를 가지는 단열부(24)를 배치하고, 그 중공부를 구성하는 내벽부(25)에 간극부(30)를 형성하며, 상기 간극부(30)에 의해 상기 고온반응부(6)로부터 인접부(7)로의 전열을 억제하는 상기 전열억제수단(50)을 구성한 것을 특징으로 하는 수증기 개질기.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 간극부(30)는 내벽부(25)에 고리형상으로 배열한 복수의 슬릿(31)에 의해 형성한 것을 특징으로 하는 수증기 개질기.
  4. 내부통(2)과 그 주위에 배치된 외부통(3)을 구비한 이중구조를 가지고, 상기 내부통(2)에는 고온반응부(6)와 그것에 인접하는 인접부(7)를 형성하며, 상기 고온반응부(6)에는 수증기 개질촉매와 산화촉매를 혼합해서 이루어지는 혼합촉매층(4) 및 산소함유 가스도입부(5)를 배치하고, 상기 외부통(3)에는 수증기 개질촉매층(16)을 배치한 이중통구조의 수증기 개질기(1)에 있어서,
    상기 고온반응부(6)로부터 인접부(7) 또는 산소함유 가스도관(5)으로의 전열을 억제하는 전열억제수단(50)을 구성하고,
    상기 고온반응부(6)와 인접부(7)를 소정간격으로 이반시키는 공극층(40)을 형성하고, 상기 공극층(40)에 의해 상기 고온반응부(6)로부터 인접부(7)로의 전열을 억제하는 상기 전열억제수단(50)을 구성한 것을 특징으로 하는 수증기 개질기.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 산소함유 가스도입부(5)는 내부통(2)의 축방향 중앙을 따라서 연장한 도입관(14)과, 그 선단부 근방에 형성한 분출부(15)를 가지고, 그 도입관(14)에 바깥쪽으로 돌기하는 지지편(42)을 형성하며, 그것에 대향하는 내부통(2)에 안쪽으로 돌기하는 지지편(42)을 형성하고, 상기 혼합촉매층(4)의 바닥부분을 그들 지지편(41, 42)의 상부쪽에 배치한 통기성의 지지체(43)로 지지하고, 그 지지체(43)와 상기 인접부(7)와의 사이에 상기 공극층(40)을 형성한 것을 특징으로 하는 수증기 개질기.
  6. 내부통(2)과 그 주위에 배치된 외부통(3)을 구비한 이중구조를 가지고, 상기 내부통(2)에는 고온반응부(6)와 그것에 인접하는 인접부(7)를 형성하며, 상기 고온반응부(6)에는 수증기 개질촉매와 산화촉매를 혼합해서 이루어지는 혼합촉매층(4) 및 산소함유 가스도입부(5)를 배치하고, 상기 외부통(3)에는 수증기 개질촉매층(16)을 배치한 이중통구조의 수증기 개질기(1)에 있어서,
    상기 고온반응부(6)로부터 인접부(7) 또는 산소함유 가스도관(5)으로의 전열을 억제하는 전열억제수단(50)을 구성하고,
    상기 고온반응부(6)를 형성한 부분의 내부통(2)과 그것에 대향하는 외부통(3)과의 사이에 중공부를 가지는 단열부(24)를 배치하고, 그 중공부를 구성하는 내벽부(25)에 간극부(30)를 형성하며, 상기 간극부(30)에 의해 상기 고온반응부(6)로부터 인접부(7)로의 전열을 억제하는 상기 전열억제수단(50)을 구성하고,
    또한, 상기 고온반응부(6)와 인접부(7)를 소정간격으로 이반시키는 공극층(40)을 형성하고, 상기 공극층(40)에 의해 상기 고온반응부(6)로부터 인접부(7)로의 전열을 억제하는 상기 전열억제수단(50)을 구성한 것을 특징으로 하는 수증기 개질기.
  7. 내부통(2)과 그 주위에 배치된 외부통(3)을 구비한 이중구조를 가지고, 상기 내부통(2)에는 고온반응부(6)와 그것에 인접하는 인접부(7)를 형성하며, 상기 고온반응부(6)에는 수증기 개질촉매와 산화촉매를 혼합해서 이루어지는 혼합촉매층(4) 및 산소함유 가스도입부(5)를 배치하고, 상기 외부통(3)에는 수증기 개질촉매층(16)을 배치한 이중통구조의 수증기 개질기(1)에 있어서,
    상기 고온반응부(6)로부터 인접부(7) 또는 산소함유 가스도관(5)으로의 전열을 억제하는 전열억제수단(50)을 구성하고,
    상기 산소함유 가스도입부(5)는, 내부통(2)의 축방향 중앙으로 연장한 도입관(14)과 그 선단부 근방에 형성한 분출부(15)를 가지고, 도입관(14)의 바깥쪽에 간극층(41a)을 형성하는 통체(40a) 또는 도입관(14)의 바깥쪽을 덮는 단열층(43a)을 형성하고, 상기 통체(40a) 또는 단열층(43a)에 의해 상기 고온반응부(6)로부터 산소함유 가스도입부(4)로의 전열을 억제하는 상기 전열억제수단(50)을 구성한 것을 특징으로 하는 수증기 개질기.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 통체(40a) 또는 단열층(41)에 부가해서, 또한
    (1) 상기 고온반응부(6)를 형성한 부분의 내부통(2)과 그것에 대향하는 외부통(3)과의 사이에 중공부를 가지는 단열부(24)를 배치하고, 그 중공부를 구성하는 내벽부(25)에 간극부(30)를 형성하며, 상기 간극부(30)에 의해 상기 고온반응부(6)로부터 인접부(7)로의 전열을 억제하는 상기 전열억제수단(50)을 구성하거나, 또는
    (2) 상기 고온반응부(6)와 인접부(7)를 소정간격으로 이반시키는 공극층(40) 을 형성하고, 상기 공극층(40)에 의해 상기 고온반응부(6)로부터 인접부(7)로의 전열을 억제하는 상기 전열억제수단(50)을 구성하거나, 또는
    (3) 상기 (1)과 (2)의 양방의 전열억제수단(50)을 구성한 것을 특징으로 하는 수증기 개질기.
  9. 제 2항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 내부통(2)에 혼합촉매층(4) 이외에 고온 시프트 촉매층(8)과 저온 시프트 촉매층(9)을 배치하며, 상기 외부통(3)에, 수증기 개질촉매층(16)을 배치하고, 그들 각 촉매층에는 입자형상의 촉매(44a)를 충전하며, 그들 입자형상의 촉매(44a)가 접촉하는 상기 혼합촉매층(4), 고온 시프트 촉매층(8), 저온 시프트 촉매층(9) 및 수증기 개질촉매층(16) 중 적어도 1개의 내부벽면을, 다수의 凹면이 이차원적으로 균일하게 연속되는 움푹 패인 면(45)으로 하여, 상기 입자형상의 촉매(44a)를 상기 凹면에 면접촉할 수 있도록 구성한 것을 특징으로 하는 수증기 개질기.
KR1020057016318A 2003-03-13 2004-03-11 수증기 개질기 KR101022189B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003068286A JP4387677B2 (ja) 2003-03-13 2003-03-13 水蒸気改質器
JPJP-P-2003-00068286 2003-03-13
JPJP-P-2003-00089211 2003-03-27
JP2003089211A JP4281084B2 (ja) 2003-03-27 2003-03-27 水蒸気改質器
JP2003089208A JP4281083B2 (ja) 2003-03-27 2003-03-27 水蒸気改質器
JPJP-P-2003-00089208 2003-03-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050115887A KR20050115887A (ko) 2005-12-08
KR101022189B1 true KR101022189B1 (ko) 2011-03-17

Family

ID=32995599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057016318A KR101022189B1 (ko) 2003-03-13 2004-03-11 수증기 개질기

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7517507B2 (ko)
EP (1) EP1602627B1 (ko)
KR (1) KR101022189B1 (ko)
CA (1) CA2517161C (ko)
WO (1) WO2004080891A1 (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AR059898A1 (es) 2006-03-15 2008-05-07 Janssen Pharmaceutica Nv Derivados de 3-ciano-piridona 1,4-disustituida y su uso como moduladores alostericos de los receptores mglur2
TW200845978A (en) 2007-03-07 2008-12-01 Janssen Pharmaceutica Nv 3-cyano-4-(4-tetrahydropyran-phenyl)-pyridin-2-one derivatives
DE602008004794D1 (de) 2007-09-14 2011-03-10 Addex Pharmaceuticals Sa 1',3'-disubstituierte 4-phenyl-3,4,5,6-tetrahydro-2h,1'h-ä1,4'übipyridinyl-2'-one
CA2698929C (en) 2007-09-14 2016-01-19 Addex Pharma S.A. 1,3-disubstituted-4-phenyl-1h-pyridin-2-ones
ATE516272T1 (de) 2007-09-14 2011-07-15 Ortho Mcneil Janssen Pharm 1,3-disubstituierte 4-(aryl-x-phenyl)-1h-pyridin- 2-one
CN102232074B (zh) 2008-11-28 2014-12-03 奥梅-杨森制药有限公司 作为代谢性谷氨酸盐受体调节剂的吲哚和苯并噁嗪衍生物
EP2386129B1 (en) * 2009-01-07 2020-04-29 Powercell Sweden AB Fuel processor and method for generating hydrogen rich gas
US9772149B2 (en) 2012-07-10 2017-09-26 Intramicron, Inc. Method for improving wall heat transfer in a chemical reactor
US9958211B2 (en) 2015-03-12 2018-05-01 Bayotech, Inc. Nested-flow heat exchangers and chemical reactors
FR3040313B1 (fr) * 2015-08-24 2017-08-25 Air Liquide Echangeur-reacteur integrant les reactions de vaporeformage et de gaz a l'eau pour la production d'hydrogene
US10454147B2 (en) 2015-11-19 2019-10-22 Intramicron, Inc. Battery pack for energy storage devices
JP6677011B2 (ja) * 2016-02-25 2020-04-08 アイシン精機株式会社 燃料電池モジュールおよびその製造方法
US11597649B2 (en) 2020-03-17 2023-03-07 Bayotech, Inc. Steam methane reformer hydrogen generation systems
US11891302B2 (en) 2020-03-17 2024-02-06 Bayotech, Inc. Hydrogen generation systems
US10894244B1 (en) 2020-03-17 2021-01-19 Bayotech, Inc. Hydrogen generation systems
JP7407635B2 (ja) * 2020-03-26 2024-01-04 大阪瓦斯株式会社 反応装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001192201A (ja) * 1999-10-20 2001-07-17 Nippon Chem Plant Consultant:Kk 自己酸化内部加熱型改質装置及び方法
KR20020092373A (ko) * 2000-03-03 2002-12-11 니폰 케미컬 플랜트 컨설턴트 컴퍼니 리미티드 산화에 의한 내부 가열형 개질 방법 및 장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6089235U (ja) * 1983-11-24 1985-06-19 三菱重工業株式会社 燃料改質装置
JPH01261201A (ja) * 1988-04-12 1989-10-18 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 炭化水素改質反応器
DE68905891T2 (de) 1988-07-22 1993-10-14 Ici Plc Erzeugung von Wasserstoff welche Kohlenmonoxidkonvertierung mittels Wasserdampf umfasst.
JPH1183367A (ja) 1997-09-17 1999-03-26 Toshiba Corp 伝熱管及び伝熱管の使用方法
JPH11199201A (ja) * 1998-01-09 1999-07-27 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 部分酸化改質器
US6254807B1 (en) * 1998-01-12 2001-07-03 Regents Of The University Of Minnesota Control of H2 and CO produced in partial oxidation process
US6254307B1 (en) 1999-12-20 2001-07-03 Richard E. Ragold Bi-partite sluiceway apparatus with silt removal tray components
US6793698B1 (en) * 2001-03-09 2004-09-21 Uop Llc Fuel processor reactor with integrated pre-reforming zone
US7367996B2 (en) * 2001-05-30 2008-05-06 Nuvera Fuel Cells, Inc. Heat transfer optimization in multi shelled reformers
US6936238B2 (en) * 2002-09-06 2005-08-30 General Motors Corporation Compact partial oxidation/steam reactor with integrated air preheater, fuel and water vaporizer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001192201A (ja) * 1999-10-20 2001-07-17 Nippon Chem Plant Consultant:Kk 自己酸化内部加熱型改質装置及び方法
KR20020092373A (ko) * 2000-03-03 2002-12-11 니폰 케미컬 플랜트 컨설턴트 컴퍼니 리미티드 산화에 의한 내부 가열형 개질 방법 및 장치
KR100817875B1 (ko) 2000-03-03 2008-03-31 니폰 케미컬 플랜트 컨설턴트 컴퍼니 리미티드 산화에 의한 내부 가열형 개질 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CA2517161C (en) 2011-08-16
EP1602627A1 (en) 2005-12-07
CA2517161A1 (en) 2004-09-23
WO2004080891A1 (ja) 2004-09-23
EP1602627A4 (en) 2009-10-21
EP1602627B1 (en) 2015-07-08
US20060185243A1 (en) 2006-08-24
KR20050115887A (ko) 2005-12-08
US7517507B2 (en) 2009-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101022189B1 (ko) 수증기 개질기
US6162267A (en) Process for the generation of pure hydrogen for use with fuel cells
AU2006264047B8 (en) Compact reforming reactor
CA2633814C (en) Oxidative autothermal reformer and oxidative autothermal reforming method using the same
AU2006264046B2 (en) Compact reforming reactor
US6436354B1 (en) Apparatus for generation of pure hydrogen for use with fuel cells
JP2001518390A (ja) 不均質触媒反応を行う装置および触媒を生成する方法
ES2218012T3 (es) Procedimiento para reformado catalitico autotermico con vapor.
US6759016B2 (en) Compact multiple tube steam reformer
JP2003517417A (ja) 小型軽量の自熱式改質装置
JP4281084B2 (ja) 水蒸気改質器
JP4387677B2 (ja) 水蒸気改質器
JP4281083B2 (ja) 水蒸気改質器
JP2002356306A (ja) 改質装置
JP2005239525A (ja) 水蒸気改質装置
JP2005314210A (ja) 改質装置
JP4804883B2 (ja) 改質器
JP2007320796A (ja) 酸化自己熱型改質装置
JP2007161530A (ja) 改質器
JP2003081608A (ja) 改質装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140220

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150224

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160218

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170220

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee