KR101010790B1 - 반사패턴층을 구비하는 발광다이오드 및 이의 제조방법 - Google Patents
반사패턴층을 구비하는 발광다이오드 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
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- 기판;상기 기판 상에 위치하며, 굴절율이 서로 다른 제1 반사층 및 제2 반사층이 적층되어 배치된 다수개의 반사패턴들, 및 상기 반사패턴들 사이에 위치하는 다수개의 홀들을 구비하는 반사패턴층;상기 반사패턴층 상에 위치하는 제1 클래드층;상기 제1 클래드층 상에 위치하는 활성층; 및상기 활성층 상에 위치하는 제2 클래드층을 포함하는 발광다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 제1 반사층은 AlXGa(1-X)N(0<X<1)층으로 구성되고, 상기 제2 반사층은 GaN 또는 AlYGa(1-Y)N(0<Y<1, X<Y)층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 반사층들은 각각 기준 발광파장에 대해 1/4n의 두께로 구비되는 발광다이오드:상기 n은 상기 반사층의 굴절율을 나타낸다.
- 제1항에 있어서,상기 홀의 너비는 발광 파장의 반파장의 정수배가 되도록 구비되는 발광다이오드.
- 기판 상에 굴절율이 서로 다른 제1 반사층 및 제2 반사층을 적층하여 반사구조체를 형성하는 단계;상기 반사구조체를 패터닝하여 다수개의 반사패턴 및 다수개의 홀들을 구비하는 반사패턴층을 형성하는 단계; 및상기 반사패턴층 상에 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 차례로 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법.
- 기판 상에 굴절율이 서로 다른 제1 반사층 및 제2 반사층을 적층하여 반사구조체를 형성하는 단계;상기 반사구조체 상에 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 차례로 형성하는 단계; 및상기 제2 클래드층, 활성층, 제1 클래드층 및 반사구조체를 패터닝하여 다수개의 홀을 구비하는 반사패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법.
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KR101270056B1 (ko) | 2012-01-30 | 2013-05-31 | 한국광기술원 | 반사막 구조의 제조 방법 및 이 제조 방법에 의하여 제조된 반사막 구조물과, 이를 채용하는 발광 다이오드 소자 |
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KR20080058722A (ko) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | 서울옵토디바이스주식회사 | 다수의 절연층이 적층된 산란 중심을 구비하는 발광 소자제조방법 및 그 발광 소자 |
KR20080061694A (ko) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | 서울옵토디바이스주식회사 | 다수의 절연층이 적층된 산란 중심을 구비하는 발광 소자제조방법 및 그 발광 소자 |
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