KR101009415B1 - 플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치 - Google Patents

플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101009415B1
KR101009415B1 KR1020080114748A KR20080114748A KR101009415B1 KR 101009415 B1 KR101009415 B1 KR 101009415B1 KR 1020080114748 A KR1020080114748 A KR 1020080114748A KR 20080114748 A KR20080114748 A KR 20080114748A KR 101009415 B1 KR101009415 B1 KR 101009415B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plastic substrate
stage
electronic device
manufacturing
disposed
Prior art date
Application number
KR1020080114748A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100055862A (ko
Inventor
김태웅
진동언
정현중
이재섭
모연곤
Original Assignee
삼성모바일디스플레이주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성모바일디스플레이주식회사 filed Critical 삼성모바일디스플레이주식회사
Priority to KR1020080114748A priority Critical patent/KR101009415B1/ko
Priority to US12/620,569 priority patent/US8491955B2/en
Publication of KR20100055862A publication Critical patent/KR20100055862A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101009415B1 publication Critical patent/KR101009415B1/ko

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/02Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by a sequence of laminating steps, e.g. by adding new layers at consecutive laminating stations
    • B32B37/025Transfer laminating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/08Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
    • B32B2310/0806Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B32B2310/0843Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using laser
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2379/00Other polymers having nitrogen, with or without oxygen or carbon only, in the main chain
    • B32B2379/08Polyimides
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment
    • B32B2457/20Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/206Organic displays, e.g. OLED
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/0004Cutting, tearing or severing, e.g. bursting; Cutter details
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/13613Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit the semiconductor element being formed on a first substrate and thereafter transferred to the final cell substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24612Composite web or sheet

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 제조과정에서 플라스틱 기판을 구비하는 전자장치를 스테이지로부터 이탈시킬 시의 용이성을 극대화시킨 플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치를 위하여, (a) 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부들이 배치된 스테이지를 준비하는 단계와, (b) 상기 스테이지 상에 플라스틱 기판을 배치시키는 단계와, (c) 상기 플라스틱 기판 상에 소자를 형성하는 단계와, (d) 상기 플라스틱 기판을 상기 스테이지로부터 이탈시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치를 제공한다.

Description

플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치{Method for manufacturing electronic apparatus comprising plastic substrate, electronic apparatus manufactured by that method, and apparatus to be used in that method}
본 발명은 플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 제조과정에서 플라스틱 기판을 구비하는 전자장치를 스테이지로부터 이탈시킬 시의 용이성을 극대화시킨 플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 플렉서블 디스플레이 장치와 같은 플렉서블 전자장치는 플라스틱 기판을 갖는다. 이러한 전자장치의 제조공정 중에는 플라스틱 기판이 글라스재 등의 스테이지 상에 배치되고 이 플라스틱 기판 상에 다양한 소자들이 배치되는 공정이 포함된다.
이러한 제조공정에 있어서 소자를 플라스틱 기판 상의 정확한 위치에 형성하는 공정 등을 거치기 위해서는 플라스틱 기판이 스테이지로부터 이탈하지 않아야 한다. 예컨대 박막 트랜지스터 등을 플라스틱 기판 상에 형성할 시 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 소스/드레인 전극 등을 형성하는 과정을 거치게 되는데, 플라스틱 기판이 스테이지 상에서 움직여 그 위치가 변하게 되면 박막 트랜지스터에 불량이 발생하게 되기 때문이다. 반면 최종적으로 플라스틱 기판을 갖는 전자 장치를 완성한 후에는 플라스틱 기판이 스테이지로부터 용이하게 이탈해야 한다. 플라스틱 기판이 스테이지로부터 용이하게 이탈하지 않는다면 플라스틱 기판을 스테이지로부터 이탈시키는 과정에서 플라스틱 기판이 손상되거나 플라스틱 기판 상에 형성된 소자가 손상될 수 있기 때문이다.
그러나 종래의 플라스틱 기판을 갖는 전자장치의 제조방법에 따르면, 이와 같은 불량 발생을 방지할 수 없다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 제조과정에서 플라스틱 기판을 구비하는 전자장치를 스테이지로부터 이탈시킬 시의 용이성을 극대화시킨 플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 (a) 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부들이 배치된 스테이지를 준비하는 단계와, (b) 상기 스테이지 상에 접합된 플라스틱 기판을 형성하는 단계와, (c) 상기 플라스틱 기판 상에 소자를 형성하는 단계와, (d) 상기 플라스틱 기판을 상기 스테이지로부터 이탈시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 플라스틱 기판을 구비한 전자장치의 제조방법을 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 (a) 단계는, 스테이지 상에 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부들을 형성하는 단계인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 이탈 원활화부의 상기 스테이지와의 접합력이 상기 이탈 원활화부의 상기 플라스틱 기판과의 접착력보다 큰 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 플라스틱 기판의 상기 이탈 원활화부와의 접착력이 상기 플라스틱 기판의 상기 스테이지와의 접착력보다 작은 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 스테이지는 글라스재인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 이탈 원활화부는 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드로 형성된 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 플라스틱 기판은 폴리이미드로 형성된 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 (b) 단계는 상기 스테이지 상에 슬릿 코팅법을 이용하여 플라스틱 기판을 형성하는 단계인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 (a) 단계는, 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부들이 배치되고 외측에 박리 방지부가 배치된 스테이지를 준비하는 단계인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 박리 방지부는 상기 이탈 원활화부들이 배치된 영역을 감싸도록 배치된 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 복수개의 박리 방지부들이 상호 이격되어 배치된 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 박리 방지부와 상기 플라스틱 기판 사이의 접착력이 상기 스테이지와 상기 플라스틱 기판 사이의 접착력보다 큰 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 (d) 단계는, 상기 박리 방지부가 외 측에 위치하도록 결정된 커팅라인을 따라 상기 플라스틱 기판을 커팅하여 상기 플라스틱 기판을 상기 스테이지로부터 이탈시키는 단계인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 박리 방지부는 알루미늄 옥사이드, 갈륨 옥사이드, 보론 옥사이드, 마그네슘 옥사이드, 칼슘 옥사이드 및 스트로튬 옥사이드로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 형성된 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 박리 방지부의 밴드갭 에너지는 4eV보다 크고 9eV보다 작은 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 (a) 단계는, 스테이지 상에, 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부들과, 상기 이탈 원활화부들을 감싸도록 외측에 박리 방지부를 형성하는 단계인 것으로 할 수 있다.
본 발명은 또한 상기와 같은 방법에 따라 제조된, 플라스틱 기판을 구비한 전자장치를 제공한다.
본 발명은 또한 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부들이 일 면 상에 배치된 스테이지를 구비하고, 상기 스테이지 상에 접합되도록 플라스틱 기판을 형성하며, 상기 플라스틱 기판 상에 소자를 형성한 후, 상기 플라스틱 기판을 상기 스테이지로부터 이탈시키도록 하는 전자장치의 제조장치를 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 이탈 원활화부의 상기 스테이지와의 접합력은 상기 이탈 원활화부의 플라스틱 기판과의 접착력보다 큰 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 이탈 원활화부의 플라스틱 기판과의 접착력이 상기 스테이지의 플라스틱 기판과의 접착력보다 작은 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 스테이지는 글라스재인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 이탈 원활화부는 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드로 형성된 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 아일랜드 형상 이탈 원활화부들 외측에 배치된 박리 방지부를 더 구비하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 박리 방지부는 상기 이탈 원활화부들이 배치된 영역을 감싸도록 배치된 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 복수개의 박리 방지부가 상호 이격되어 배치된 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 박리 방지부와 플라스틱 기판 사이의 접착력이 상기 스테이지와 플라스틱 기판 사이의 접착력보다 큰 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 박리 방지부는 알루미늄 옥사이드, 갈륨 옥사이드, 보론 옥사이드, 마그네슘 옥사이드, 칼슘 옥사이드 및 스트로튬 옥사이드로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 형성된 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 박리 방지부의 밴드갭 에너지는 4eV보다 크고 9eV보다 작은 것으로 할 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치에 따르면, 제조과정에서 플라스틱 기판을 구비하는 전자장치를 스테이지로부터 이탈시킬 시의 용이성을 극대화시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자장치 제조공정을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
먼저 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부(112)들이 배치된 스테이지(110)를 준비한다. 그리고 도 1a에 도시된 것과 같이 스테이지(110) 상에 플라스틱 기판(121)을 배치시킨다. 이탈 원활화부(112)의 기능에 대해서는 후술한다. 스테이지(110) 상에 플라스틱 기판(121)을 배치시키는 것은 다양한 방법을 통해 이루어질 수 있는데, 바람직하게는 스테이지(110) 상에 플라스틱 기판 형성용 물질을 도포하고 이를 경화시킴으로써 플라스틱 기판(121)이 스테이지(110) 상에 배치되도록 할 수 있다. 플라스틱 기판(121)을 사전 형성하여 이를 스테이지(110) 상에 배치할 경우, 이후 공정에서 플라스틱 기판(121) 상에 소자들을 형성함에 있어서 플라스틱 기판(121)이 스테이지(110)로부터 이탈하거나 움직일 수 있다. 따라서 스테이지(110) 상에 플라스틱 기판 형성용 물질을 도포하고 이를 경화시킴으로써 플라스틱 기판(121)이 스테이지(110) 상에 배치되도록 하여, 플라스틱 기판(121)과 스테 이지(110) 사이의 접착력을 통해 이후 공정에서 플라스틱 기판(121) 상에 소자들을 형성함에 있어서 플라스틱 기판(121)이 스테이지(110)로부터 이탈하거나 움직이는 것을 방지한다.
스테이지(110) 상에 플라스틱 기판 형성용 물질을 도포하고 이를 경화시킴으로써 플라스틱 기판(121)이 스테이지(110) 상에 배치되도록 할 경우, 스테이지(110) 상의 적어도 일부에 플라스틱 기판 형성용 물질을 도포하고 이를 회전시켜 스테이지(110) 상에 플라스틱 기판 형성용 물질이 골고루 퍼지도록 하는 스핀 코팅(spin coating)법을 이용할 수 있다. 그러나 이 경우 스테이지(110) 외측으로 흘러내리는 플라스틱 기판 형성용 물질의 양이 많아지므로 제조비용이 증가하는 등의 문제점이 발생할 수 있다. 따라서 스테이지(110) 상에 슬릿 코팅(slit coating)법을 이용하여 플라스틱 기판 형성용 물질을 도포함으로써 플라스틱 기판(121)을 형성하는 것이 바람직하다.
스테이지(110) 상에 플라스틱 기판(121)을 배치시킨 후, 도 1b에 도시된 것과 같이 플라스틱 기판(121) 상에 소자(122)를 형성하는 등의 공정을 거쳐, 플라스틱 기판(121)을 구비한 전자 장치(120)를 완성한다. 도 1b에서는 소자(122)를 단순히 한 개의 층으로 간략화시켜 도시하였으나 이는 도시의 편의상 그와 같이 도시한 것일 뿐 소자(122)는 다양한 구조를 갖는 다양한 것이 될 수 있다. 소자(122)는 예컨대 박막 트랜지스터가 될 수도 있고 유기 발광 소자가 될 수도 있으며 이 모두가 될 수도 있다. 화소전극과, 이에 대향하는 대향전극과, 화소전극과 대향전극 사이에 개재된 발광층을 포함하는 중간층을 갖는 유기 발광 소자를 구비할 경우, 전자 장치(120)는 유기 발광 디스플레이 장치가 된다. 물론 소자(122)를 플라스틱 기판(121) 상에 형성한 후 보호막 또는 봉지기판 등을 형성하는 다양한 공정 등을 거칠 수도 있음은 물론이다.
이와 같이 소자(122)를 플라스틱 기판(121) 상에 형성한 후, 플라스틱 기판(121)을 스테이지(110)로부터 이탈시켜 도 1c에 도시된 것과 같이 플라스틱 기판(121)을 구비한 전자 장치(120)를 완성한다. 물론 이러한 과정을 거쳐 제조된 전자 장치(120)를 이용하여 다른 전자 장치를 만들 수도 있음은 물론이다.
전술한 바와 같이 소자(122)를 플라스틱 기판(121) 상의 정확한 위치에 형성하는 공정 등을 거치기 위해서는 플라스틱 기판(121)이 스테이지(110)로부터 이탈하지 않아야 한다. 따라서 공정 중 플라스틱 기판(121)이 움직이지 않도록 플라스틱 기판(121)과 스테이지(110) 사이의 접착력을 확보할 필요가 있다. 반면 최종적으로 플라스틱 기판(121)을 갖는 전자 장치(120)를 완성한 후에는 플라스틱 기판(121)이 스테이지(110)로부터 용이하게 이탈할 수 있어야 한다. 플라스틱 기판(121)이 스테이지(110)로부터 용이하게 이탈하지 않는다면 플라스틱 기판(121)을 스테이지(110)로부터 이탈시키는 과정에서 플라스틱 기판(121)이 손상되거나 플라스틱 기판(121) 상에 형성된 소자(122)가 손상될 수 있기 때문이다.
이를 위해서 본 실시예에 따른 전자장치 제조방법에서는 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부(112)들이 배치된 스테이지(110)를 이용한다. 즉, 플라스틱 기판(121)이 기본적으로 스테이지(110)와 접착력을 갖는 상태가 되도록 스테이지(110) 상에 배치시키되, 플라스틱 기판(121)을 스테이지(110)로부터 이탈시킬 시 용이하게 이탈하도록 하기 위하여, 플라스틱 기판(121)의 소정 영역에서는 플라스틱 기판(121)과 스테이지(110)의 접착력이 감소하도록 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부(112)들이 배치된 스테이지(110)를 이용한다. 그 결과 플라스틱 기판(121)이 이탈 원활화부(112)들과 접하는 부분에서는 그 사이의 접착력이 약해지고 플라스틱 기판(121)이 스테이지(110)의 이탈 원활화부(112) 외의 부분과 접하는 곳에서는 그 사이의 접착력을 유지함으로써, 결과적으로 플라스틱 기판(121)이 스테이지(110) 상에 부착된 상태가 되도록 하면서도, 플라스틱 기판(121)을 스테이지(110)로부터 이탈할 시에는 플라스틱 기판(121) 또는 플라스틱 기판(121) 상의 소자(122) 등이 손상되지 않도록 할 수 있다.
이를 위하여 플라스틱 기판(121)의 이탈 원활화부(112)와의 접착력이 플라스틱 기판(121)의 스테이지(110)와의 접착력보다 작도록 한다. 이를 위하여 예컨대 플라스틱 기판(121)을 폴리 이미드 등과 같은 물질로 형성할 시 스테이지(110)로는 글라스재 스테이지를 이용하고 이탈 원활화부(112)는 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등으로 형성되도록 할 수 있다. 한편, 이탈 원활화부(112)의 스테이지(110)와의 접합력이 이탈 원활화부(112)의 플라스틱 기판(121)과의 접착력보다 크도록 하는 것이 바람직하다. 그렇지 않다면 플라스틱 기판(121)을 스테이지(110)로부터 이탈할 시 이탈 원활화부(112) 역시 스테이지(110)로부터 이탈하여 플라스틱 기판(121)에 붙을 수 있기 때문이다.
한편, 이와 같이 플라스틱 기판(121)을 구비한 전자장치(120)를 제조할 시, 전자장치(120)의 플라스틱 기판(121)의 표면(121a)에는 이탈 원활화부(112)의 형상 에 따른 굴곡이 형성될 수 있다. 그러나 도 1a 내지 도 1c에 도시된 플라스틱 기판(121)의 표면(121a)의 굴곡과 이탈 원활화부(112)의 크기는 과장된 것으로, 본 실시예에 따른 제조방법으로 제조된 전자장치(120)의 플라스틱 기판(121)의 표면(121a)의 굴곡은 일상적인 사용에서 사용자에 의해 인지되지 않는다. 이탈 원활화부(112)의 두께(t1, 도 1a 참조)는 대략 수 나노미터 내지 수십 나노미터 크기로서 대략 수 마이크로미터인 플라스틱 기판(121)의 두께(t2)에 비해 매우 작기 때문이다.
한편, 본 실시예에 따른 제조방법을 이용하여 전자장치를 제조하는 과정에서 스테이지(110) 상의 이탈 원활화부(112)가 손상될 수도 있다. 따라서 경우에 따라서는 플라스틱 기판(121)을 스테이지(110) 상에 형성하기에 앞서 스테이지(110) 상에 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부(112)들을 형성하는 단계를 거칠 수도 있음은 물론이다. 또한, 플라스틱 기판(121)을 스테이지(110)로부터 이탈시킨 후 플라스틱 기판(121)의 표면(121a) 상에 필름 등을 코팅하여 그 표면(121a)을 평탄화할 수도 있는 등 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 전자장치 제조공정을 개략적으로 도시하는 평면도 또는 단면도들이다.
도 2a 및 도 2b에 도시된 것과 같이, 본 실시예에 따른 제조방법에서는 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부(212)들이 배치된 스테이지(210)에 있어서, 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부(212)들이 내측에 위치하도록 외측에 박리 방지부(214)가 배치된 스테이지(110)를 이용한다. 즉, 박리 방지부(214)가 이탈 원활화 부(212)들이 배치된 영역을 감싸도록 배치된다.
본 실시예에 따른 제조공정에서는 도 2c에 도시된 바와 같이 스테이지(210) 상에 플라스틱 기판 형성용 물질을 도포하고 이를 경화시킴으로써 플라스틱 기판(221)이 스테이지(210) 상에 배치되도록 한다. 이와 같은 과정에서 전술한 바와 같이 스핀 코팅법이 아닌 슬릿 코팅법을 이용하는 것이 사용하는 플라스틱 기판 형성용 물질의 양 등을 고려할 시 바람직한데, 이 경우 플라스틱 기판(221)이 스테이지(210)의 전면(全面)을 덮도록 배치되는 것이 아니라 도 2c에 도시된 것과 같이 스테이지(210)의 외측 가장자리가 노출되도록 플라스틱 기판(221)이 형성된다. 이와 같이 플라스틱 기판(221)을 스테이지(210) 상에 위치시킬 시, 추후 플라스틱 기판(221)이 스테이지(210)로부터 용이하게 이탈하도록 하기 위해 이탈 원활화부(212)를 이용하게 되면, 제조공정 중 플라스틱 기판(221)이 스테이지(210)로부터 이탈할 수도 있다. 즉, 이탈 원활화부(212)를 이용하기 때문에 플라스틱 기판(221)과 스테이지(210)의 전체적인 접착력이 저하되는 바, 이에 따라 플라스틱 기판(221)이 제조공정 중 스테이지(210)로부터 이탈할 수도 있다.
따라서 본 실시예에 따른 제조방법에서는 스테이지(210) 상에 이탈 원활화부(212) 뿐만 아니라 박리 방지부(214)가 구비되도록 하여 이를 방지한다. 즉, 이탈 원활화부(212)를 이용함으로써 추후 플라스틱 기판(221)을 스테이지(210)로부터 이탈시킬 시 이탈이 원활하게 이루어지도록 하되, 이탈 원활화부(212) 외측, 즉 플라스틱 기판(221) 가장자리 부근에는 박리 방지부(214)가 배치되도록 함으로써 이 박리 방지부(214)가 플라스틱 기판(221)이 제조공정 중 스테이지(210)로부터 이탈 하는 것을 방지한다. 이를 위하여 박리 방지부(214)와 플라스틱 기판(221) 사이의 접착력이 스테이지(210)와 플라스틱 기판(221) 사이의 접착력보다 크도록 할 수 있다. 이를 통해 플라스틱 기판(210)과 (박리 방지부(214)를 포함한) 스테이지(210) 사이의 전체적인 접착력을 높여 제조공정 중의 플라스틱 기판(210)의 스테이지(210)로부터의 이탈을 방지할 수 있다. 이러한 박리 방지부(214)는 알루미늄 옥사이드, 갈륨 옥사이드, 보론 옥사이드, 마그네슘 옥사이드, 칼슘 옥사이드 및 스트로튬 옥사이드로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것으로 형성될 수 있다.
한편, 박리 방지부는 그 밴드갭 에너지가 4eV보다 크고 9eV보다 작은 옥사이드 물질로 형성될 수 있다. 본 실시예에 따른 전자장치 제조공정에서는 도 2e를 참조하여 후술하는 바와 같이 레이저빔을 플라스틱 기판(221)에 조사하여 플라스틱 기판(221)을 커팅함으로써 플라스틱 기판(221)을 스테이지(210)로부터 이탈시킨다. 이 과정에서 레이저빔에 박리 방지부가 노출되더라도 박리 방지부가 레이저빔에 반응하지 않도록 하는 것이 바람직하다. 플라스틱 기판(221) 탈착에 사용되는 레이저빔의 파장은 308nm인 바, 따라서 박리 방지부는 그 밴드갭 에너지가 308nm 레이저에 해당하는 밴드갭 에너지인 4eV 보다 큰 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
이와 같이 이탈 원활화부(212) 및 박리 방지부(214)를 갖는 스테이지(210) 상에 도 2c에 도시된 것과 같이 플라스틱 기판(221)을 형성하고, 도 2d에 도시된 것과 같이 플라스틱 기판(221) 상에 소자(222)를 형성하여, 플라스틱 기판(221)을 갖는 전자장치(220)를 제조한다. 이후 플라스틱 기판(221)을 스테이지(210)로부터 이탈시켜야 하는 바, 이때 박리 방지부(214)에 의해 플라스틱 기판(221)이 스테이지(210)로부터 원활히 이탈하지 않을 수도 있다. 따라서 도 2e에 도시된 것과 같이 박리 방지부(214)가 외측에 위치하도록 결정된 커팅라인(C)을 따라 플라스틱 기판(221)을 커팅하여, 도 2f에 도시된 것과 같이 플라스틱 기판(221)을 스테이지(210)로부터 이탈시킬 수 있다. 플라스틱 기판(221)의 커팅은 레이저빔 조사를 통해 이루어질 수 있다.
도 3은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 전자장치 제조공정 중 사용할 수 있는 스테이지를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 3에 도시된 것과 같은 스테이지가 도 2a를 참조하여 전술한 스테이지와 상이한 것은, 박리 방지부(214)의 형상이다. 즉, 도 2a에서는 복수개의 이탈 원활화부(212)들이 내측에 위치하도록 박리 방지부(214)가 일체로 형성되어 복수개의 이탈 원활화부(212)들이 위치한 영역을 감싸도록 배치되어 있다. 그러나 도 3에 도시된 것과 같이 복수개의 박리 방지부(214)들이 스테이지(210) 상에 상호 이격되어 배치되되, 전체적으로 복수개의 이탈 원활화부(212)들이 내측에 위치하도록 하는 것 역시 가능하다.
한편, 본 실시예에 따른 제조방법을 이용하여 전자장치를 제조하는 과정에서 스테이지(210) 상의 이탈 원활화부(212) 및/또는 박리 방지부(214)가 손상될 수도 있다. 따라서 경우에 따라서는 플라스틱 기판(221)을 스테이지(210) 상에 형성하기에 앞서 스테이지(210) 상에 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부(212)들과, 이 이탈 원활화부(212)들을 감싸도록 외측에 박리 방지부(214)를 형성하는 단계를 거칠 수도 있음은 물론이다. 또한, 플라스틱 기판(221)을 스테이지(210)로부터 이탈 시킨 후 플라스틱 기판(221)의 표면(221a) 상에 필름 등을 코팅하여 그 표면(221a)을 평탄화할 수도 있는 등 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
이와 같은 본 발명의 실시예들에 따른 제조방법들에 의해 제조된 전자장치는 플라스틱 기판을 구비하여 플렉서블 특성 등 다양한 특성을 갖는다. 또한, 그러한 전자장치의 제조공정 중 플라스틱 기판 또는 플라스틱 기판 상에 형성된 소자들의 손상을 획기적으로 방지하여, 그 제조수율이 획기적으로 높아질 수 있다.
한편, 상술한 바와 같은 실시예들에 따른 제조방법들에서 사용되는 제조장치를 설명하면, 도 1a에 도시된 것과 같이 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부(112)들이 일 면 상에 배치된 스테이지(110)를 구비한다. 이 이탈 원활화부(112)의 스테이지(110)와의 접합력은 이탈 원활화부(112)의 플라스틱 기판과의 접착력보다 클 수 있으며, 이탈 원활화부(112)의 플라스틱 기판과의 접착력이 스테이지(110)의 플라스틱 기판과의 접착력보다 작을 수 있다. 이러한 스테이지(110)는 글라스재일 수 있으며, 이탈 원활화부(112)는 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드로 형성된 것일 수 있다.
또한, 상술한 바와 같은 실시예들에 따른 제조방법들에서 사용되는 제조장치는, 도 2a 및 도 2b에 도시된 것과 같이, 아일랜드 형상 이탈 원활화부(212)들 외측에 배치된 박리 방지부(214)를 더 구비할 수 있으며, 이때 박리 방지부(214)는 이탈 원활화부(212)들이 배치된 영역을 감싸도록 배치될 수 있다. 물론 도 3에 도시된 것과 같이 복수개의 박리 방지부(214)들이 상호 이격되어 배치될 수도 있음은 물론이다. 이러한 박리 방지부(214)와 플라스틱 기판 사이의 접착력이 스테이 지(210)와 플라스틱 기판 사이의 접착력보다 크도록 하여 향후 이 장치를 이용하여 전자장치를 제조할 시 플라스틱 기판의 스테이지(210)로부터의 이탈을 방지할 수 있다. 이러한 박리 방지부(214)는 알루미늄 옥사이드, 갈륨 옥사이드, 보론 옥사이드, 마그네슘 옥사이드, 칼슘 옥사이드 및 스트로튬 옥사이드로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것으로 형성될 수 있다. 또한, 박리 방지부는 전술한 바와 같이 그 밴드갭 에너지가 4eV보다 크고 9eV보다 작은 옥사이드 물질로 형성될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자장치 제조공정을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 전자장치 제조공정을 개략적으로 도시하는 평면도 또는 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 전자장치 제조공정에서 사용할 수 있는 스테이지를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110: 스테이지 112: 이탈 원활화부
114: 박리 방지부 120: 전자 장치
121: 플라스틱 기판 122: 소자

Claims (28)

  1. (a) 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부들이 배치된 스테이지를 준비하는 단계;
    (b) 상기 스테이지 상에 접합된 플라스틱 기판을 형성하는 단계;
    (c) 상기 플라스틱 기판 상에 소자를 형성하는 단계; 및
    (d) 상기 플라스틱 기판을 상기 스테이지로부터 이탈시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 플라스틱 기판을 구비한 전자장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (a) 단계는, 스테이지 상에 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부들을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 이탈 원활화부의 상기 스테이지와의 접합력이 상기 이탈 원활화부의 상기 플라스틱 기판과의 접착력보다 큰 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 플라스틱 기판의 상기 이탈 원활화부와의 접착력이 상기 플라스틱 기판의 상기 스테이지와의 접착력보다 작은 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 스테이지는 글라스재인 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 이탈 원활화부는 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드로 형성된 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 플라스틱 기판은 폴리이미드로 형성된 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 (b) 단계는 상기 스테이지 상에 슬릿 코팅법을 이용하여 플라스틱 기판을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 (a) 단계는, 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부들이 배치되고 외측에 박리 방지부가 배치된 스테이지를 준비하는 단계인 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 박리 방지부는 상기 이탈 원활화부들이 배치된 영역을 감싸도록 배치된 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    복수개의 박리 방지부들이 상호 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 박리 방지부와 상기 플라스틱 기판 사이의 접착력이 상기 스테이지와 상기 플라스틱 기판 사이의 접착력보다 큰 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 (d) 단계는, 상기 박리 방지부가 외측에 위치하도록 결정된 커팅라인을 따라 상기 플라스틱 기판을 커팅하여 상기 플라스틱 기판을 상기 스테이지로부터 이탈시키는 단계인 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 박리 방지부는 알루미늄 옥사이드, 갈륨 옥사이드, 보론 옥사이드, 마그네슘 옥사이드, 칼슘 옥사이드 및 스트로튬 옥사이드로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 박리 방지부의 밴드갭 에너지는 4eV보다 크고 9eV보다 작은 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 (a) 단계는, 스테이지 상에, 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부들과, 상기 이탈 원활화부들을 감싸도록 외측에 박리 방지부를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조방법.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된, 플라스틱 기판을 구비한 전자장치.
  18. 복수개의 아일랜드 형상 이탈 원활화부들이 일 면 상에 배치된 스테이지를 구비하고, 상기 스테이지 상에 접합되도록 플라스틱 기판을 형성하며, 상기 플라스틱 기판 상에 소자를 형성한 후, 상기 플라스틱 기판을 상기 스테이지로부터 이탈시키도록 하는 전자장치의 제조장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 이탈 원활화부의 상기 스테이지와의 접합력은 상기 이탈 원활화부의 플라스틱 기판과의 접착력보다 큰 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 이탈 원활화부의 플라스틱 기판과의 접착력이 상기 스테이지의 플라스틱 기판과의 접착력보다 작은 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조장치.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 스테이지는 글라스재인 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조장치.
  22. 제18항에 있어서,
    상기 이탈 원활화부는 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드로 형성된 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조장치.
  23. 제18항에 있어서,
    상기 아일랜드 형상 이탈 원활화부들 외측에 배치된 박리 방지부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조장치.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 박리 방지부는 상기 이탈 원활화부들이 배치된 영역을 감싸도록 배치된 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조장치.
  25. 제23항에 있어서,
    복수개의 박리 방지부가 상호 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조장치.
  26. 제23항에 있어서,
    상기 박리 방지부와 플라스틱 기판 사이의 접착력이 상기 스테이지와 플라스틱 기판 사이의 접착력보다 큰 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조장치.
  27. 제23항에 있어서,
    상기 박리 방지부는 알루미늄 옥사이드, 갈륨 옥사이드, 보론 옥사이드, 마그네슘 옥사이드, 칼슘 옥사이드 및 스트로튬 옥사이드로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조장치.
  28. 제23항에 있어서,
    상기 박리 방지부의 밴드갭 에너지는 4eV보다 크고 9eV보다 작은 것을 특징으로 하는 전자장치의 제조장치.
KR1020080114748A 2008-11-18 2008-11-18 플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치 KR101009415B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080114748A KR101009415B1 (ko) 2008-11-18 2008-11-18 플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치
US12/620,569 US8491955B2 (en) 2008-11-18 2009-11-17 Method of manufacturing electronic apparatus including plastic substrate, electronic apparatus manufactured using the method, and apparatus for use in the method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080114748A KR101009415B1 (ko) 2008-11-18 2008-11-18 플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100055862A KR20100055862A (ko) 2010-05-27
KR101009415B1 true KR101009415B1 (ko) 2011-01-19

Family

ID=42172263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080114748A KR101009415B1 (ko) 2008-11-18 2008-11-18 플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8491955B2 (ko)
KR (1) KR101009415B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101445044B1 (ko) 2012-11-30 2014-09-26 주식회사 엘지화학 플렉서블 기판을 포함하는 유기 발광 소자 및 이의 제조방법

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2383246T3 (es) * 2008-06-05 2012-06-19 Glaxo Group Limited 4-amino-indazoles
CN102637575B (zh) * 2011-02-09 2015-07-01 群康科技(深圳)有限公司 元件基板的制造方法
TWI445626B (zh) * 2011-03-18 2014-07-21 Eternal Chemical Co Ltd 製造軟性元件的方法
US20130115426A1 (en) * 2011-11-09 2013-05-09 Au Optronics Corporation Method of manufacturing flexible electronic device
CN103035490A (zh) * 2012-12-11 2013-04-10 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示器件的制备方法
CN104091535B (zh) * 2014-06-30 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板母板及柔性显示面板的制作方法
US9751293B2 (en) 2014-12-04 2017-09-05 Industrial Technology Research Institute Laminated substrate separating device and method for separating laminated substrate
US10279576B2 (en) * 2016-04-26 2019-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and manufacturing method of flexible device
WO2020090053A1 (ja) * 2018-10-31 2020-05-07 シャープ株式会社 表示デバイスの製造方法
CN111225511A (zh) * 2018-11-23 2020-06-02 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 电子装置的制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04290495A (ja) * 1991-03-19 1992-10-15 Fujitsu Ltd 多層フレキシブルプリント配線板及びその製造方法
JP2000321544A (ja) * 1991-04-25 2000-11-24 Sharp Corp 液晶表示素子製造装置
JP2007005805A (ja) 2005-06-22 2007-01-11 Dk Uil Co Ltd フレキシブル回路基板の製造方法
KR20080054167A (ko) * 2006-12-12 2008-06-17 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이의 제조 장치 및 이를 이용한 플렉서블디스플레이의 제조 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6391220B1 (en) * 1999-08-18 2002-05-21 Fujitsu Limited, Inc. Methods for fabricating flexible circuit structures
KR200213582Y1 (ko) 2000-08-14 2001-02-15 송주역 떡 찜틀용 깔판
US7232591B2 (en) * 2002-04-09 2007-06-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of using an adhesive for temperature control during plasma processing
JP2006059535A (ja) * 2004-08-17 2006-03-02 Seiko Instruments Inc 有機電子デバイスの製造方法
TWI321241B (en) * 2005-09-14 2010-03-01 Ind Tech Res Inst Flexible pixel array substrate and method of fabricating the same
KR100890250B1 (ko) * 2007-01-08 2009-03-24 포항공과대학교 산학협력단 플렉서블 소자의 제조 방법 및 플렉서블 표시 장치의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04290495A (ja) * 1991-03-19 1992-10-15 Fujitsu Ltd 多層フレキシブルプリント配線板及びその製造方法
JP2000321544A (ja) * 1991-04-25 2000-11-24 Sharp Corp 液晶表示素子製造装置
JP2007005805A (ja) 2005-06-22 2007-01-11 Dk Uil Co Ltd フレキシブル回路基板の製造方法
KR20080054167A (ko) * 2006-12-12 2008-06-17 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이의 제조 장치 및 이를 이용한 플렉서블디스플레이의 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101445044B1 (ko) 2012-11-30 2014-09-26 주식회사 엘지화학 플렉서블 기판을 포함하는 유기 발광 소자 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US8491955B2 (en) 2013-07-23
KR20100055862A (ko) 2010-05-27
US20100124635A1 (en) 2010-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101009415B1 (ko) 플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치
KR101043836B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
US7727818B2 (en) Substrate process for an embedded component
US10872801B2 (en) Target substrate with micro semiconductor structures
KR101456382B1 (ko) 전자 장치 및 그 제조 방법
US7381285B2 (en) Manufacturing method of a device
US20070004308A1 (en) Method for manufacturing a flexible panel for a flat panel display
US20130062782A1 (en) Stacked semiconductor devices and fabrication method/equipment for the same
JP4725638B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2018518043A (ja) 可撓性基板の支持及び取り外し
JP2012099622A (ja) 半導体装置の製造方法および製造装置
TWI505346B (zh) Manufacturing method of semiconductor device
US8820728B2 (en) Semiconductor wafer carrier
TWI389267B (zh) 晶圓加工用帶
TWI608581B (zh) 可撓顯示裝置及其製作方法
US20160162724A1 (en) Fingerprint identification device and method for manufacturing thereof
JP4725639B2 (ja) 半導体装置の製造方法
TW201635361A (zh) 半導體裝置之製造方法
CN110098225B (zh) 柔性显示面板及其制备方法
US10475675B2 (en) Manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
TWI549211B (zh) A manufacturing apparatus for a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device
JP2011211128A (ja) 半導体装置の製造方法
US8778112B2 (en) Method for bonding thin film piece
JP2012169411A (ja) 半導体装置の製造方法
TWI683357B (zh) 半導體裝置之製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140102

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141231

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151230

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170102

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180102

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190102

Year of fee payment: 9