KR101003448B1 - 마이크로 탐침장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 마이크로 탐침장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 날카로운 탐침을 제작하는데 있어서, 건식식각 방식 및 습식식각 방식을 동시에 수행하는 새로운 방식의 공정을 이용하여, 사각구조의 4 단자 탐침을 제작함으로써, 시편의 평면상 뿐만 아니라, 곡면상의 전기적 특성의 측정가능하다.
또한, 캔틸레버내에 열적구동을 위한 열구동 배선을 형성하여, 각각의 캔틸레버를 초소형 집게로도 활용가능한 마이크로 탐침장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
마이크로 4 단자 탐침, 열구동기, 마이크로 집게

Description

마이크로 탐침장치 및 그 제조방법{Micro probe apparatus and there manufacturing method}
본 발명은 열구동기가 집적화된 사각구조의 4 단자 탐침장치 및 제조방법에 관한 것으로, 시편의 평면상에 존재하는 불순물 또는 전기적인 특성뿐만 아니라, 시편의 곡면상의 불순물 및 전기적 특성까지도 측정가능한 마이크로 탐침장치 및 제조방법에 관한 것이다.
또한, 캔틸레버 내에 열적구동이 가능하도록 열구동 배선을 삽입하여 각각의 캔틸레버를 구동하여 초소형 집게로의 응용이 가능한 마이크로 탐침장치 및 제조방법에 관한 것이다.
4 단자 저항 측정은 반도체의 저항, 특히 절연체 위에 형성된 금속박막의 비저항을 측정하는데 있어서, 가장 널리 사용되는 방법으로 측정이 매우 간단하고 정확하다는 장점이 있다.
비저항은 특히 반도체 분야에서 샘플의 불순물 농도 때문에 중요한 요소가 된다.
종래에 사용되는 4 단자 탐침은 일련선상에 위치하는 탐침을 사용하여 평면으로 존재하는 시편의 저항을 측정하기 때문에 곡면의 경우 정확한 측정이 어렵다는 단점이 있었다.
또한, 탐침의 제조방법에 있어서, 식각방법으로 건식식각 또는 습식식각 중 어느하나를 선택하여 수행하였는바, 이는 탐침을 날카로움, 탐침의 제작 기간 및 제작비용 면에서 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 탐침을 사각구조의 4 단자로 구비함으로써, 3 차원적인 구조를 갖는 시편의 불순물 또는 전기적 특성 측정이 가능하도록 함을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 마이크로 탐침장치의 캔틸레버 내부에 열적 구동이 가능한 이온 주입배선을 형성하여 초소형 집게로 활용함을 다른 목적으로 한다.
아울러, 상기와 같은 목적달성을 위하여 습식식각과 건식식각을 병행하여 수행함으로써, 날카로운 탐침장치의 제작 및 제작기간의 단축을 위한 제조방법의 제공을 또 다른 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 마아크로 탐침장치는 핸들링부 및 상기 핸들링부에 연결된 캔틸레버부를 포함하며, 상기 캔틸레버부는 상기 핸들링부에 연결되는 연결부, 상기 연결부의 끝단에 형성되되, 2개씩 서로 마주보는 형태로 구비되는 4개의 캔틸레버 및 상기 각각의 캔틸레버 끝단에 형성된 탐침을 포함한다.
바람직하게는, 상기 각각의 탐침은 상부면이 끝단으로 갈수록 두께가 얇아지는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하며, 상기 핸들링부 및 캔틸레버부는 실리콘 기판으로 구비되며, 상기 캔틸레버는 상부면에 일정한 패턴의 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 각각의 캔틸레버의 상부면에 형성되어 상기 캔틸레버를 구동시키는 이온주입 배선을 더 포함하며, 상기 핸들링부의 일정부분에 구비되되, 상기 이온주입 배선과 각각 연결되어 있는 이온주입부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 각각의 캔틸레버 및 상기 각각의 탐침 상부면에는 금속배선이 형성된 것을 특징으로 하며, 상기 핸들링부의 일정부분에 구비되되, 상기 금속 배선과 각각 연결되어 있는 금속 배선부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 마이크로 탐침 및 제조방법은 다음가 같은 우수한 효과를 가진다.
먼저, 4 개의 탐침을 2개씩 서로 마주보는 구조로 구비함으로써, 평면구조로 이루어진 시편뿐만 아니라, 3차원적인 구조를 가지는 시편의 불순물 및 전기적 특성 측정이 가능하여, 종래 탐침에 비해 측정한계를 극복하는 효과가 있다.
또한, 캔틸레버 내부에 열적구동을 위한 이온주입배선을 형성하여 이를 초소형 집게로의 활용이 가능한 효과가 있다.
아울러, 본 발명에 따른 제조방법을 통하여 마이크로 탐침의 제작 시간을 단축하고, 시편의 전기적 특성에 대한 정확한 측정값을 도출하기 위한 마이크로 탐침을 더욱더 날카롭게 제조할 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부한 도면에 도시된 바람직한 실시예를 참조하여 본 발명의 기술적 구성을 상세하게 설명한다.
그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 1 은 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로 탐침장치의 전체구성도, 도 2 는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 탐침장치의 캔틸레버부의 요부확대도, 도 3 은 본 발명의 일 실시예에 따른 일정패턴의 홈이 형성된 캔틸레버의 요부확대도이며, 도 4 는 본 발명의 일실시예에 따른 이온주입배선이 형성된 캔틸레버를 나타낸 도이다.
도 1을 참조하면 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 탐침장치는 핸들링부(110) 및 캔틸레버부(120)를 포함한다.
상기 핸들링부(110)는 실리콘 기판으로 구비되나, 본 발명의 일 실시예에 있어서는 실리콘 기판 중 실리콘 식각을 진행할 때 두께 조절이 용이한 SOI(Silicon On Insulator)기판을 사용한다.
상기 핸들링부(110)의 상부면에는 금속배선부(140) 및 이온주입부(130)를 더 포함하여 구비된다.
도 2를 참조하면, 상기 캔틸레버부(120)는 4개의 캔틸레버(122), 연결부(121) 및 탐침(125)을 포함하며, 상기 캔틸레버부(120)는 상기 핸들링부(110)와 동일한 재료로 구비된다.
상기 연결부(121)는 상기 핸들링부(110)와 연결되어 있으며, 상기 4 개의 캔틸레버(122)를 지지한다.
상기 4 개의 캔틸레버(122) 끝단에는 각각 탐침(125)이 형성되어 있으며, 이때 탐침(125)의 형상은 끝단으로 갈수록 두께가 얇아지는 형상으로 형성되어 있어서, 시편을 안정적으로 얹을 수 있다.
또한, 상기 탐침(125)이 형성된 4 개의 캔틸레버(122)는 탐침(125)이 중심방향을 향하도록 2 개씩 서로 마주보는 구조로 구비된다.
따라서, 상기와 같은 구조를 통하여 기존의 일련선상으로 구비되는 4 단자 탐침이 곡면을 갖는 시편의 불순물 및 전기적 특성을 측정하지 못하는 문제점을 해결할 수 있다.
도 3 에 도시된 바와 같이, 상기 캔틸레버(122)의 상부면에는 일정패턴의 홈(123)이 형성되어 있으며, 상기 홈(123)이 형성됨으로써 후술할 마이크로 탐침의 열적구동시 그 휘어짐을 크게 할 수 있다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 상기 4개의 캔틸레버(122)에는 상기 캔틸레버(122)의 구동을 위한 이온주입배선(124)이 상기 캔틸레버(122)에 형성된 홈(123)을 따란 지그재그 형태로 형성되며, 상기 연결부(121)를 따라 상기 핸들링부(110)에 형성된 이온주입부(130)와 연결되어 있다.
한편, 도 2 에 도시된 바와 같이, 상기 캔틸레버(122) 및 상기 탐침(125)의 상부면에는 금속배선(126)이 형성되어 있다.
상기 금속배선(126)은 상기 연결부(121)를 따라 상기 핸들링부(110)에 형성된 금속배선부(140)와 연결되어 있으며, 전기전도성을 갖는 다양한 금속으로 구비될 수 있으나, 본 발명의 일 실시예에 있어서 상기 금속배선(126)은 금으로 구비된다.
여기서, 상기 이온주입배선(124)과 상기 금속배선(126)은 모두 전기 전도성 재질로 구비되는바, 상호 간에 전기적 영향을 받을 수 있으므로 이를 방지하기 위하여 상기 이온주입배선(124)과 상기 금속배선(126) 사이에 절연처리를 한다.
상기 절연처리를 위해서는 다양한 절연체를 이용하여 절연처리가 가능하나, 본 발명의 일 실시예에서는 상기 이온주입배선(124) 위에 산화막을 형성하여 절연처리 한다.
이하, 상기 마이크로 탐침(100)의 열적 구동 방식에 대해서 상세하게 설명한다.
상기 마이크로 탐침(100)은 상술한 바와 같이, 상기 4 개의 캔틸레버(122)에 일정패턴의 홈(123), 이온주입배선(124) 및 금속배선(126)이 형성되어 있다.
상기 이온주입배선(124)과 연결되어 있는 이온주입부(130)에 전극을 연결하여, 전류를 흘려주게 되면, 이온주입배선(124)에 줄열(Joule heating)이 발생한다.
이때, 상기 이온주입배선(124)에는 산화막으로 절연처리가 되어 있어, 상기 전류는 상기 금속배선(126)으로는 흐르지 아니하나, 발생 된 줄열이 상기 금속배선(126)에 전달되어 상기 금속배선(126)을 팽창시킨다.
이때, 상기 실리콘의 열팽창계수는 상기 금속배선(126)의 열팽창계수 보다 작으므로, 상기 4 개의 캔틸레버(122)는 상기 금속배선(126)이 형성된 반대 방향으로 휘어져 구동되며, 이때 상기 4 개의 캔틸레버(122)에 형성된 일정패턴의 홈(123)은 상기 구동을 원활하게 하는 역할을 한다.
따라서, 상술한 바와 같이 상기 4 개의 캔틸레버(1220가 휘어짐으로써, 상기 4 개의 캔틸레버(122) 중심부분이 넓어지고, 상기 중심에 시편 등이 위치하는 경우 인가된 전류를 차단하면, 상기 4 개의 캔틸레버(122)가 원형을 유지하면서, 상기 시편 등의 물체를 집을 수 있는 초소형 집게로의 역할을 하게 된다.
결과적으로, 상기 마이크로 탐침(100)은 상기 4 개의 캔틸레버(122)에 형성된 각각의 탐침을 2개씩 서로 마주보는 구조로 형성함으로써, 기존의 일련선상에 위치하는 4 단자 탐침이 갖는 문제점을 해결하고, 아울러 상기 4 개의 캔틸레버(122)에 열적 구동을 위한 이온주입배선(124)을 형성함으로써, 초소형 집게 기능을 할 수 있다.
이하에서는 도 5를 참조하여 상술한 바와 같은 효과 및 기능을 갖는 마이크로 탐침장치의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.
도 5 는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 탐침장치의 제조방법의 순서 도다.
먼저, 실리콘 기판 위에 산화막을 형성하는 단계(S100)로, 본 발명의 실시예에 있어서는 상기 실리콘 기판은 식각을 진행할 때 두께 조절이 용이한 SOI(Silicon On Insulator)기판을 사용하였으며, 상기 산화막으로는 SiO2 를 상기 실리콘 기판 위에 성장시켜 형성하였다.
이어, 상기 실리콘 기판의 일면에 일정패턴의 홈을 형성하는 단계(S200)로 상기 홈을 형성하는 방법으로는 상기 일정패턴이 형성된 마스크(Mask)를 상기 실리콘 기판위에 덮고, 일반적인 포토리소그래피 공정수행한 후, SiO2막과 상기 실리콘을 TMAH(trimethylammonium hydroxide)용액을 이용하여 실리콘 습식식각을 수행하여 제작하였다.
상기 홈은 상기 마이크로 탐침 부분에서 설명한 바와 같이, 상기 캔틸레버의 열적구동시 휨 현상을 증가시키기 위한 것이다.
여기서, 상기 홈을 제외한 상기 캔틸레버의 두께가 얇을수록 스프링상수 값이 작을수록 휨 현상이 증가하므로 상기 홈의 두께를 조절하여 상기 홈을 제외한 상기 캔틸레버의 두께가 줄어들도록 한다.
이후, 상기 식각되어 형성된 상기 홈 위에 SiO2막을 성장시킨 후, 포토레지스트막을 코팅하고, 캔틸레버 형상이 패터닝 된 마스크를 얹는다.(S300)
이때, 상기 형성된 홈이 캔틸레버의 상부면에 위치하도록 상기 마스크를 덮는다.
이후, 상기 형성된 SiO2막을 바탕으로 식각을 수행하여(S400) 연결구조로 설계된 4개의 캔틸레버를 분리시키면서 동시에 끝단이 날카로운 구조의 탐침 및 상기 4개의 캔틸레버와 연결된 연결부가 형성된다.
종래에는 건식식각 방식을 이용한 이방성 식각을 이방성 식각을 실시한 후 습식식각 방식을 이용한 등방성 식각을 수행하고, 그 후 다시 건식식각 방식을 이용한 이방성 식각을 수행하여 날카로운 탐침을 형성하는 방법이었으나, 본 발명의 실시예에 있어서는, BHF(Buffered HF)용액을 이용하여 습식식각 방식을 통한 등방성 식각을 바로 실시하여 다른 부분보다 작게 설계된 캔틸레버 간의 연결구조 부분에 측면 식각이 이루어져서 날카로운 산화막 탐침 형상이 만들어지며, 그 후 건식식각 방식을 통한 이방성 식각을 수행하여 날카로운 탐침 형상이 그대로 실리콘 기판에 전사되어 지는 것이다.
따라서, 본 발명의 일 실시예와 같은 식각공정을 통하여, 날카로운 탐침의 형성이 가능하며, 종래에 수행하던 식각공정을 줄임으로써, 마이크로 탐침장치의 제작기간을 단축하였다.
다음으로, 상기 4 개의 캔틸레버의 상부면에 열적 구동을 위한 이온주입배선을 형성한다.(S500)
상기 이온주입 배선은 도 4 에 도시된 바와 같이, 상기 캔틸레버에 형성된 홈 위에 지그재그 형태로 형성되며, 상기 형성된 이온주입배선은 상기 연결부를 통하여 상기 핸들링부에 형성된 이온주입부와 연결한다.
이때, 상기 이온주입배선의 상부면에 SiO2막을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 SiO2막은 이온주입배선 형성 후, 형성될 금속배선과의 전기적 절연을 위한 것이다.
다음으로, 상기 이온주입배선이 형성된 4 개의 캔틸레버 및 탐침위에 금속층을 형성하고, 식각을 수행하여 금속배선을 형성한다.(S600)
실리콘 기판으로 구비되는 4개의 캔틸레버와 금속층의 접착력을 향상시키기 위하여 중간층을 형성하는데 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 중간층은 크롬막을 이용하여 형성하였다.
다음으로, 상기 크롬막 위에 금속층을 증착하는데 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 금속층으로는 금을 이용하였다.
또한, 상기 금속층에 금속배선을 형성하는 방법으로는 상기 금속층 위에 금속배선이 패터닝된 마스크를 얹고, 일반적인 포토리소그래피 공정을 통하여 패턴을 형성하며, 이후, 금속 식각공정을 통하여 금속배선을 형성한다.
상기와 같은 방법으로 형성된 상기 금속배선은 상기 핸들링부의 금속배선부와 연결되도록 형성된다.
마지막으로, 상기 실리콘 기판의 반대면을 식각하는 단계로(S700), 먼저, 상기 금속배선 형성 후 금속배선이 형성된 면에 포토레지스트를 코팅하여, 반대면 식각시 앞면이 식각되지 않도록 한다.
이때, 앞면에 코팅되는 포토레지스트는 AZ4335를 사용하였다.
이는 앞면에 식각되어진 두께 때문에 그 두께만큼 덮어줄 포토레지스트를 사용하여야 하기 때문이다.
이후, 반대면을 RIE장비를 이용하여 상기 실리콘 기판의 반대면을 식각한다.
이때, 본 발명의 일 실시예에서는 상기 실리콘 기판은 SOI 기판이므로, 중간층에 SiO2막이 존재하는데 상기 실리콘 기판 식각시 상기 SiO2막이 들어날때 식각률이 현저히 떨어지게 되는데, 이때 식각을 멈추게 된다.
이후, 상기 SiO2막을 식각하기 위하여 BHF용액을 이용하여 SiO2막을 제거하고, 앞면을 보호하였던 포토레지스트를 제거하면, 본 발명에 따른 마이크로 탐침장치의 제조공정이 모두 마무리된다.
결과적으로 본 발명에 따른 마이크로 탐침장치의 제조방법을 통하여 탐침을 제작하는 경우, 상술한 바와 같이 날카로운 탐침의 제작이 가능하며, 또한 제조공정을 줄임으로써, 탐침 제작기간을 단축할 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 탐침장치의 전체구성도다.
도 2 는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 탐침장치의 캔틸레버부의 요부확대도다.
도 3 은 본 발명의 일 실시예에 따른 일정패턴의 홈이 형성된 캔틸레버의 요부확대도다.
도 4 는 본 발명의 일 실시예에 따른 이온주입배선이 형성된 캔틸레버를 나타낸 도이다.
도 5 는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 탐침장치의 제조방법의 순서도다.

Claims (21)

  1. 핸들링부; 및
    상기 핸들링부에 연결된 캔틸레버부;를 포함하며,
    상기 캔틸레버부:는
    상기 핸들링부의 일면에 연결되는 연결부;
    상기 연결부의 끝단에 형성되되, 2개씩 서로 마주보는 형태로 구비되는 4개의 캔틸레버; 및
    상기 각각의 캔틸레버 끝단에 형성된 탐침;을 포함하는 마이크로 탐침장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 각각의 탐침은 상부면이 끝단으로 갈수록 두께가 얇아지는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 핸들링부 및 캔틸레버부는 실리콘 기판으로 구비되는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 각각의 캔틸레버의 상부면에는 일정패턴의 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 각각의 캔틸레버의 상부면에 형성되어, 상기 캔틸레버를 구동시키는 이온주입 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 핸들링부의 일정부분에 구비되되, 상기 이온주입 배선과 각각 연결되어 있는 이온주입부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 각각의 캔틸레버 및 상기 각각의 탐침 상부면에는 금속배선이 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 핸들링부의 일정부분에 구비되되, 상기 금속 배선과 각각 연결되어 있는 금속 배선부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치.
  9. 핸들링부;
    상기 핸들링부와 연결되는 연결부와 상기 연결부의 끝단에 형성된 복 수개의 캔틸레버 및 상기 캔틸레버의 끝단에 형성된 탐침을 구비하는 캔틸레버부; 및
    상기 캔틸레버의 상부면에 형성되어, 상기 캔틸레버를 구동시키는 이온주입배선;을 포함하되, 상기 복 수개의 캔틸레버는 4개로 구비되며, 4개의 캔틸레버가 2개씩 서로 마주보는 구조로 구비되는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치.
  10. 삭제
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 각각의 탐침은 상부면이 끝단으로 갈수록 두께가 얇아지는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 핸들링부 및 캔틸레버부는 실리콘 기판으로 구비되는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 복 수개의 캔틸레버의 상부면에는 일정 패턴의 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 핸들링부의 일정부분에 구비되되, 상기 이온주입 배선과 연결되어 있는 이온주입부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 복 수개의 캔틸레버 및 탐침 상부면에 금속 배선이 각각 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 핸들링부의 일정부분에 구비되되, 상기 금속 배선과 연결되어 있는 금속 배선부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치.
  17. 실리콘 기판의 양면에 산화막을 형성하는 제 1 단계;
    상기 실리콘 기판의 일면에 일정패턴의 홈을 형성하는 제 2 단계;
    상기 실리콘 기판에 캔틸레버 형상을 패터닝하되, 상기 홈이 상기 캔틸레버 상부면에 위치하도록 패터닝 하는 제 3 단계;
    상기 실리콘 기판을 식각하여 상기 캔틸레버 및 탐침을 형성하되, 식각방법으로는 습식식각을 통한 등방성 식각을 수행한 후, 건식식각을 통한 이방성 식각을 수행하는 제 4 단계;
    상기 캔틸레버의 상부면에 이온주입 배선을 형성하는 제 5 단계;
    상기 캔틸레버 및 탐침 위에 금속층을 형성하고, 식각을 통하여 금속배선을 형성하는 제 6 단계; 및
    상기 실리콘 기판의 반대면을 식각을 통하여 일정부분 제거하는 제 7 단계;를 포함하는 마이크로 탐침장치 제조방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 캔틸레버는 4개의 캔틸레버가 2개씩 서로 마주보는 구조가 되도록 식각되는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치 제조방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 탐침은 상부면이 끝단으로 갈수록 두께가 얇아지는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치 제조방법.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 5 단계와 상기 제 6 단계 사이에 상기 이온주입 배선 형성 후, 상기 이온주입 배선 위에 산화막을 형성하는 제 5-1 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치 제조방법.
  21. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 6 단계:는
    상기 실리콘 기판과 금속층의 접착력을 향상시키기 위하여 크롬층을 형성하는 제 6-1 단계;
    상기 형성된 크롬층 위에 금속층을 증착시키는 제 6-2 단계; 및
    상기 금속층을 금속 식각하여 금속배선을 형성하는 제 6-3 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 탐침장치 제조방법.
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