JP4896963B2 - ウエハ状計測装置及びその製造方法 - Google Patents
ウエハ状計測装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4896963B2 JP4896963B2 JP2008510776A JP2008510776A JP4896963B2 JP 4896963 B2 JP4896963 B2 JP 4896963B2 JP 2008510776 A JP2008510776 A JP 2008510776A JP 2008510776 A JP2008510776 A JP 2008510776A JP 4896963 B2 JP4896963 B2 JP 4896963B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- bonding layer
- bonding
- substrate
- forming step
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
- G01K1/16—Special arrangements for conducting heat from the object to the sensitive element
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Description
ウエハと、
前記ウエハ上に設置される複数の基板と、
前記複数の基板のそれぞれの一方の主面上に形成された測温抵抗体と、
前記複数の基板のそれぞれと前記ウエハとの間に、前記複数の基板それぞれの設置される領域に対応して前記ウエハ上に形成された複数の第1の接合層と、
前記複数の第1の接合層と対向する前記複数の基板のそれぞれの他方の主面上の全体に、前記複数の基板について同一のプロセスで形成された複数の第2の接合層と、を備え、
前記複数の第1の接合層と前記複数の第2の接合層とは、同一の材料から形成されることを特徴とする。
11 温度センサ
12 半導体ウエハ
14 第1の接合層
15 保護膜
16 配線
17 ワイヤ
18 フラットケーブル
21 基板
22 白金層
23 端子
24 第2の接合層
以上の工程から、図6Cに示すように温度測定装置10が形成される。
このように本実施の形態の製造方法によれば、良好な測温性能を備える温度測定装置を製造することができる。
Claims (19)
- ウエハと、
前記ウエハ上に設置される複数の基板と、
前記複数の基板のそれぞれの一方の主面上に形成された測温抵抗体と、
前記複数の基板のそれぞれと前記ウエハとの間に、前記複数の基板それぞれの設置される領域に対応して前記ウエハ上に形成された複数の第1の接合層と、
前記複数の第1の接合層と対向する前記複数の基板のそれぞれの他方の主面上の全体に、前記複数の基板について同一のプロセスで形成された複数の第2の接合層と、を備え、
前記複数の第1の接合層と前記複数の第2の接合層とは、同一の材料から形成されることを特徴とするウエハ状計測装置。 - 前記基板は、前記ウエハ上に形成された凹部の底面に設置され、
前記第1の接合層は、前記ウエハの前記凹部の底面に形成されることを特徴とする請求項1に記載のウエハ状計測装置。 - 前記ウエハ上に形成された前記凹部の深さと、前記基板の厚みとはほぼ同じに形成されることを特徴とする請求項2に記載のウエハ状計測装置。
- 前記第1の接合層と前記第2の接合層とは、金又は銅からなることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のウエハ状計測装置。
- 前記基板は、シリコンウエハであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載のウエハ状計測装置。
- 前記基板の一方の主面に形成された前記測温抵抗体は、白金層であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載のウエハ状計測装置。
- 前記基板は、A面又はC面のサファイア単結晶基板であることを特徴とする請求項6に記載のウエハ状計測装置。
- 前記第1の接合層と前記ウエハとの間には第1の密着層が形成されることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載のウエハ状計測装置。
- 前記第2の接合層と前記基板との間には、第2の密着層が形成されることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載のウエハ状計測装置。
- 複数の基板のそれぞれの一方の主面上に測温抵抗体を形成する機能層形成工程と、
ウエハ上の前記複数の基板のそれぞれが設置される領域に対応し、複数の第1の接合層を形成する第1の接合層形成工程と、
前記複数の基板のそれぞれの他方の主面上の全体に、前記複数の基板について同一のプロセスで複数の第2の接合層を形成する第2の接合層形成工程と、
前記複数の第1の接合層のそれぞれと前記複数の第2の接合層のそれぞれとを接合させる接合工程と、を備え、
前記第1の接合層形成工程と、前記第2の接合層形成工程では、同一の材料を用いることを特徴とするウエハ状計測装置の製造方法。 - 前記基板が設置される領域に対応する凹部を前記ウエハ上に形成する凹部形成工程を更に備え、
前記第1の接合層形成工程では、前記ウエハに形成された前記凹部の底面に前記第1の接合層を形成することを特徴とする請求項10に記載のウエハ状計測装置の製造方法。 - 前記凹部形成工程では、前記凹部の深さと前記基板の厚みとをほぼ同じに形成することを特徴とする請求項11に記載のウエハ状計測装置の製造方法。
- 前記第1の接合層形成工程及び前記第2の接合層形成工程では、金又は銅を用いて前記第1の接合層及び前記第2の接合層を形成することを特徴とする請求項10ないし12のいずれか1項に記載のウエハ状計測装置の製造方法。
- 前記基板は、シリコンウエハを用いることを特徴とする請求項10ないし13のいずれか1項に記載のウエハ状計測装置の製造方法。
- 前記機能層形成工程は、前記基板の一方の主面上に前記測温抵抗体として機能する白金層を形成することを特徴とする請求項10ないし14のいずれか1項に記載のウエハ状計測装置の製造方法。
- 前記基板は、A面又はC面のサファイア単結晶基板を用いることを特徴とする請求項15に記載のウエハ状計測装置の製造方法。
- 前記第1の接合層形成工程は、前記第1の接合層と前記ウエハとの間に、第1の密着層を形成する工程を更に備えることを特徴とする請求項10ないし16のいずれか1項に記載のウエハ状計測装置の製造方法。
- 前記第2の接合層形成工程は、更に前記第2の接合層と前記基板との間に、第2の密着層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項10ないし17のいずれか1項に記載のウエハ状計測装置の製造方法。
- 前記機能層形成工程は、前記複数の基板について同一のプロセスで前記測温抵抗体を形成し、
前記第2の接合層形成工程は、前記複数の基板について同一のプロセスで前記第2の接合層を形成し、
前記第1の接合層形成工程は、前記ウエハ上の前記基板が設置される複数の領域に対応して、第1の接合層を形成し、
前記接合工程は、前記複数の基板について前記第1の接合層と前記第2の接合層を接合する、
ことを特徴とする請求項10ないし18のいずれか1項に記載のウエハ状計測装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008510776A JP4896963B2 (ja) | 2006-03-16 | 2007-03-14 | ウエハ状計測装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006073052 | 2006-03-16 | ||
JP2006073052 | 2006-03-16 | ||
PCT/JP2007/055084 WO2007119359A1 (ja) | 2006-03-16 | 2007-03-14 | ウエハ状計測装置及びその製造方法 |
JP2008510776A JP4896963B2 (ja) | 2006-03-16 | 2007-03-14 | ウエハ状計測装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007119359A1 JPWO2007119359A1 (ja) | 2009-08-27 |
JP4896963B2 true JP4896963B2 (ja) | 2012-03-14 |
Family
ID=38609155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008510776A Expired - Fee Related JP4896963B2 (ja) | 2006-03-16 | 2007-03-14 | ウエハ状計測装置及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090085031A1 (ja) |
JP (1) | JP4896963B2 (ja) |
TW (1) | TW200741934A (ja) |
WO (1) | WO2007119359A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020040381A1 (ko) * | 2018-08-22 | 2020-02-27 | 한국표준과학연구원 | 다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE602007002805D1 (de) * | 2006-04-20 | 2009-11-26 | Nxp Bv | Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der temperatur eines halbleitersubstrats |
JP2010519768A (ja) * | 2007-02-23 | 2010-06-03 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | プロセス条件測定デバイス |
JP5476114B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2014-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度測定用装置 |
JP5314664B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 物理量計測装置及び物理量計測方法 |
CN104105960B (zh) * | 2011-12-23 | 2018-01-12 | 赛诺菲-安万特德国有限公司 | 用于药剂的包装物的传感器装置 |
WO2014136484A1 (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-12 | 住友ベークライト株式会社 | 装置、接着剤用組成物、接着シート |
CN103258772B (zh) * | 2013-05-02 | 2016-02-10 | 苏州日月新半导体有限公司 | 打线工艺的加热座及加热装置 |
JP6094392B2 (ja) * | 2013-06-11 | 2017-03-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
NL2016982A (en) | 2015-07-16 | 2017-01-19 | Asml Netherlands Bv | An Inspection Substrate and an Inspection Method |
CN111742203B (zh) * | 2018-03-15 | 2023-03-10 | 贺利氏先进传感器技术有限公司 | 温度传感器元件 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06137960A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Kyocera Corp | 温度センサ |
JPH109963A (ja) * | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Yamari Sangyo Kk | 測温抵抗体素子によるシリコンウェハー等の温度計測構造 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1018844B (zh) * | 1990-06-02 | 1992-10-28 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 防锈干膜润滑剂 |
US5141334A (en) * | 1991-09-24 | 1992-08-25 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Sub-kelvin resistance thermometer |
JPH09166501A (ja) * | 1995-12-13 | 1997-06-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 温度測定装置及び温度測定方法 |
US6744346B1 (en) * | 1998-02-27 | 2004-06-01 | Micron Technology, Inc. | Electronic device workpieces, methods of semiconductor processing and methods of sensing temperature of an electronic device workpiece |
JP2001289715A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Yamari Sangyo Kk | 測温基板 |
JP2002202204A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Sensarray Japan Corp | 温度計測用球状半導体デバイス |
JP4486289B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2010-06-23 | 株式会社デンソー | フローセンサ及びその製造方法 |
US6919730B2 (en) * | 2002-03-18 | 2005-07-19 | Honeywell International, Inc. | Carbon nanotube sensor |
US6870270B2 (en) * | 2002-12-28 | 2005-03-22 | Intel Corporation | Method and structure for interfacing electronic devices |
JP2005340291A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Komatsu Ltd | 基板熱状態測定装置及び基板熱状態分析制御方法 |
-
2007
- 2007-03-14 US US12/224,280 patent/US20090085031A1/en not_active Abandoned
- 2007-03-14 JP JP2008510776A patent/JP4896963B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-14 WO PCT/JP2007/055084 patent/WO2007119359A1/ja active Application Filing
- 2007-03-16 TW TW096109151A patent/TW200741934A/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06137960A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Kyocera Corp | 温度センサ |
JPH109963A (ja) * | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Yamari Sangyo Kk | 測温抵抗体素子によるシリコンウェハー等の温度計測構造 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020040381A1 (ko) * | 2018-08-22 | 2020-02-27 | 한국표준과학연구원 | 다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200741934A (en) | 2007-11-01 |
TWI331785B (ja) | 2010-10-11 |
US20090085031A1 (en) | 2009-04-02 |
WO2007119359A1 (ja) | 2007-10-25 |
JPWO2007119359A1 (ja) | 2009-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4896963B2 (ja) | ウエハ状計測装置及びその製造方法 | |
US6444487B1 (en) | Flexible silicon strain gage | |
JP4814429B2 (ja) | 集積回路製造ツール基板上で温度を検出する装置 | |
US7934430B2 (en) | Die scale strain gauge | |
TWI635571B (zh) | 多層佈線基板及使用該多層佈線基板之探針卡 | |
US9702038B2 (en) | Pressure sensor and method for manufacturing the same | |
JP4006081B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP7364781B2 (ja) | 可撓性受動電子部品およびその生産方法 | |
JP5621664B2 (ja) | 評価用半導体チップ、評価システムおよび放熱材料評価方法 | |
JP2011089859A (ja) | 温度センサ | |
KR20100112699A (ko) | 가스 센싱 장치 및 가스 센싱 장치의 제조 방법 | |
KR100821127B1 (ko) | 열전대를 구비하는 고전력 소자 및 그 제조방법 | |
KR100377417B1 (ko) | 기판온도측정 장치 및 제작 방법 | |
KR101976461B1 (ko) | 수직 적층된 온습도 복합 센서 및 그 제조방법 | |
TW202029438A (zh) | 半導體元件及製造半導體元件之方法 | |
JPH10332455A (ja) | フローセンサ及びその製造方法 | |
KR101003448B1 (ko) | 마이크로 탐침장치 및 그 제조방법 | |
KR100559129B1 (ko) | 감열식 공기유량센서 | |
JP2007114107A (ja) | 半導体集積センサ | |
KR200197336Y1 (ko) | 기판 매입형 박막온도센서 | |
JP4877465B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の検査方法、半導体ウェハ | |
KR102119757B1 (ko) | 다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서 및 그 제조 방법 | |
JPH10221144A (ja) | マイクロヒータ及びその製造方法 | |
KR20000059127A (ko) | 온도 측정용 웨이퍼 제작방법 및 이 웨이퍼를 이용한온도측정 방법 | |
JP2023077232A (ja) | 圧力センサ、圧力センサを作製する方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110518 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111017 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111220 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |