KR100986897B1 - 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 기판 상에 니켈 및 란탄을 포함하는 알루미늄 합금으로 형성된 게이트 전극, 게이트 절연층에 의해 게이트 전극과 절연되는 활성층, 및 활성층과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 니켈 및 란탄을 포함하는 알루미늄 합금은 열 및 화학적으로 높은 안정성을 갖기 때문에 표면 형태가 양호하고 제조가 용이하며 낮은 비저항을 갖는다. 따라서 전기적 특성이 우수한 박막 트랜지스터 및 대형 표시 장치의 구현이 용이해진다.
게이트 전극, 비저항, 알루미늄 합금, 니켈, 란탄
Description
본 발명은 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 게이트 전극 및 배선의 비저항이 감소될 수 있는 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것이다.
박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)는 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 제공하는 활성층과, 채널 영역과 중첩되며 게이트 절연층에 의해 활성층과 전기적으로 절연되는 게이트 전극으로 이루어진다.
박막 트랜지스터는 근래에 들어 반도체 집적회로(Integrated Circuit) 뿐만 아니라 액정 표시 장치(LCD)나 유기전계발광 표시 장치(AMOLED)와 같은 평판 표시 장치에도 적용되고 있다.
그러나 평판 표시 장치의 해상도가 증가하고 대형화됨에 따라 박막 트랜지스터의 전극 및 배선의 비저항 증가로 인하여 전기적 특성을 안정적으로 확보하기 어렵다.
일반적으로 평판 표시 장치에서 박막 트랜지스터의 게이트 전극은 몰리브 덴(Mo), 알루미늄(Al), 네오디뮴(Nd), 텅스텐(W) 등의 금속이나 이들의 합금으로 형성되지만, 이들 금속은 비저항이 11μΩ㎝ 정도로 높고 열 및 화학적 안정성이 낮아 안정적인 전기적 특성 및 제조 공정을 확보하기 어렵다.
본 발명의 목적은 게이트 전극의 비저항이 낮은 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 게이트 전극의 열 및 화학적 안정성이 높은 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치를 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 박막 트랜지스터는 기판; 상기 기판 상에 니켈 및 란탄을 포함하는 알루미늄 합금으로 형성된 게이트 전극; 게이트 절연층에 의해 상기 게이트 전극과 절연되는 활성층; 및 상기 활성층과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일 측면에 따른 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치는 서로 교차하는 게이트 선 및 데이터 선, 상기 게이트 선 및 데이터 선 사이에 연결된 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극이 형성된 제 1 기판; 상기 제 1 기판과 대향하도록 배치되며, 공통 전극이 형성된 제 2 기판; 및 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이의 공간에 주입된 액정층을 포함하며, 상기 박막 트랜지스터는 상기 제 1 기판 상에 니켈 및 란탄을 포함하는 알루미늄 합금으로 형성된 게이트 전극; 게이트 절연층에 의해 상기 게이트 전극과 절연되는 활성층; 및 상기 활성층과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 일 측면에 따른 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치는 서로 교차하는 주사 라인 및 데이터 라인, 상기 주사 라인 및 데이터 라인 사이에 연결된 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 연결된 유기전계발광 소자가 형성된 제 1 기판; 및 상기 제 1 기판과 대향하도록 배치된 제 2 기판을 포함하며, 상기 박막 트랜지스터는 상기 제 1 기판 상에 니켈 및 란탄을 포함하는 알루미늄 합금으로 형성된 게이트 전극; 게이트 절연층에 의해 상기 게이트 전극과 절연되는 활성층; 및 상기 활성층과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
본 발명의 박막 트랜지스터는 니켈 및 란탄을 포함하는 알루미늄 합금으로 형성되는 게이트 전극을 구비한다. 니켈 및 란탄을 포함하는 알루미늄 합금은 열 및 화학적으로 높은 안정성을 갖기 때문에 표면 형태(surface morphology)가 양호하고 제조가 용이하며, 낮은 비저항을 갖는다. 따라서 전기적 특성이 우수한 박막 트랜지스터 및 대형 표시 장치의 구현이 용이해진다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 실시예는 이 기술 분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서, 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 일 실시예를 설명하 기 위한 단면도로서, 하부 게이트(bottom gate) 구조의 박막 트랜지스터를 도시한다.
도 1a를 참조하면, 기판(10) 상에 버퍼층(11)이 형성되고, 버퍼층(11) 상에 게이트 전극(12)이 형성된다. 게이트 전극(12)을 포함하는 상부에는 게이트 절연층(13)이 형성되고, 게이트 절연층(13) 상에는 활성층(14)이 형성된다. 활성층(14)은 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 제공하며, 채널 영역이 게이트 전극(12)과 중첩된다. 소스 및 드레인 영역의 활성층(14)에는 소스 및 드레인 전극(16a 및 16b)이 접촉된다.
게이트 전극(12)은 니켈(Ni) 및 란탄(La)을 포함하는 알루미늄(Al) 합금으로 형성되고, 활성층(14)은 폴리 실리콘(poly-Si)과 같은 반도체 또는 산소를 포함하는 화합물 반도체로 형성된다.
도 1a에는 소스 및 드레인 전극(16a 및 16b)이 소스 및 드레인 영역의 활성층(14)과 직접적으로 접촉되는 구조를 도시하였으나, 도 1b와 같이 활성층(14)을 포함하는 전체 상부에 절연층(15)이 형성되고, 소스 및 드레인 전극(16a 및 16b)이 절연층(15)에 형성된 콘택홀을 통해 소스 및 드레인 영역의 활성층(14)과 접촉될 수 있다.
또한, 도 1b의 구조를 예로 들면, 버퍼층(11) 및 게이트 절연층(13)과의 안정된 계면 접촉을 위하여 도 1c에 도시된 바와 같이 게이트 전극(12)의 하부면 및 상부면 중 적어도 일면에 베리어층(17a 및 17b)이 형성될 수 있다. 베리어층(17a 및 17b)은 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 티타늄 질화물(TiN), 탄탈 질화물(TaN) 및 몰리브덴 텅스텐(MoW)으로 이루어진 군에서 선택된 금속으로 형성된다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 다른 실시예를 설명하기 위한 단면도로서, 상부 게이트(top gate) 구조의 박막 트랜지스터를 도시한다.
도 2a를 참조하면, 기판(20) 상에 버퍼층(21)이 형성되고, 버퍼층(21) 상에 소스 및 드레인 전극(22a 및 22b)이 형성된다. 소스 및 드레인 전극(22a 및 22b)을 포함하는 기판(20) 상에는 활성층(23)이 형성되고, 활성층(23)을 포함하는 상부에는 게이트 절연층(25)이 형성된다. 활성층(23) 상부의 게이트 절연층(25) 상에는 게이트 전극(26)이 형성된다. 활성층(23)은 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 제공하며, 소스 및 드레인 영역이 소스 및 드레인 전극(22a 및 22b)과 접촉되고, 채널 영역이 게이트 전극(12)과 중첩된다. 활성층(23)은 폴리 실리콘(poly-Si)과 같은 반도체 또는 산소를 포함하는 화합물 반도체로 형성되고, 게이트 전극(26)은 니켈(Ni) 및 란탄(La)을 포함하는 알루미늄(Al) 합금으로 형성된다.
도 2b를 참조하면, 기판(30) 상에 버퍼층(31)이 형성되고, 버퍼층(31) 상에 활성층(32)이 형성된다. 활성층(32)을 포함하는 상부에는 게이트 절연층(33)이 형성되고, 활성층(32) 상부의 게이트 절연층(33) 상에는 게이트 전극(34)이 형성된다. 게이트 전극(34)을 포함하는 전체 상부에 절연층(35)이 형성되고, 절연층(35)에 형성된 콘택홀을 통해 활성층(32)과 접촉되도록 소스 및 드레인 전극(36a 및 36b)이 형성된다.
활성층(32)은 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 제공하며, 채널 영역 이 게이트 전극(34)과 중첩되고, 소스 및 드레인 영역이 소스 및 드레인 전극(36a 및 36b)과 접촉된다. 활성층(32)은 폴리 실리콘과 같은 반도체 또는 산소를 포함하는 화합물 반도체로 형성되고, 게이트 전극(34)은 니켈(Ni) 및 란탄(La)을 포함하는 알루미늄(Al) 합금으로 형성된다.
또한, 도 2b의 구조를 예로 들면, 게이트 절연층(33) 및 절연층(35)과의 안정된 계면 접촉을 위하여 도 2c에 도시된 바와 같이 게이트 전극(34)의 하부면 및 상부면 중 적어도 일면에 베리어층(37a 및 37b)이 형성될 수 있다. 베리어층(37a 및 37b)은 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 티타늄 질화물(TiN), 탄탈 질화물(TaN) 및 몰리브덴 텅스텐(MoW)으로 이루어진 군에서 선택된 금속으로 형성된다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 박막 트랜지스터는 게이트 전극(12, 26, 34)이 니켈(Ni) 및 란탄(La)을 포함하는 알루미늄(Al) 합금으로 형성된다. 니켈(Ni) 및 란탄(La)을 포함하는 알루미늄(Al) 합금은 열 및 화학적으로 높은 안정성을 갖기 때문에 표면 형태가 양호하고 제조가 용이하며 4.5μΩ㎝ 이하의 낮은 비저항을 갖기 때문에 전기적 특성이 우수하다.
도 3a는 350℃의 온도에서 열처리한 알루미늄(Al) 박막의 표면 사진으로, 알루미늄(Al)은 고온에서 팽창 및 수축하기 때문에 열적 스트레스(stress)에 의해 힐록(hillock)(A 부분)이 발생되어 표면 형태가 불량하다. 반면, 도 3b는 본 발명에 따라 알루미늄(Al) 합금으로 형성된 박막의 표면 사진으로, 열처리 후에도 표면 형태가 양호하다. 이와 같은 표면 형태는 니켈(Ni)과의 반응에 의해 알루미늄(Al)의 열적 스트레스가 완화되기 때문인 것으로 판단된다.
또한, 니켈(Ni)만 포함된 알루미늄(Al) 합금 박막은 식각제(TMAH 2.38%)에 대하여 120㎚/min 정도의 식각비(etch rate)를 나타내는 반면, 니켈(Ni) 및 란탄(La)을 포함하는 알루미늄(Al) 합금 박막은 50㎚/min 정도의 식각비를 나타내기 때문에 50% 이상의 식각비 감소로 인해 패터닝 공정이 용이해지고 식각제에 의한 박막의 피해가 방지될 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 박막 트랜지스터는 평판 표시 장치에 적용될 수 있다. 대형 평판 표시 장치에서도 게이트 전극 및 배선의 비저항이 낮게 유지됨으로써 우수한 전기적 특성을 가진다.
도 4는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 사시도로서, 화상을 표시하는 표시 패널(100)을 중심으로 개략적으로 설명한다.
표시 패널(100)은 대향하도록 배치된 두 개의 기판(110 및 120)과, 두 기판(110 및 120) 사이의 밀봉된 공간에 주입된 액정층(130)을 포함한다.
기판(110)에는 복수의 게이트 선(111)과 데이터 선(112)이 서로 교차하도록 배열되고, 복수의 게이트 선(111)과 데이터 선(112)에 의해 복수의 화소 영역(113)이 정의된다. 게이트 선(111)과 데이터 선(112)이 교차되는 부분의 기판(110)에는 각 화소로 공급되는 신호를 제어하는 박막 트랜지스터(114)와, 박막 트랜지스터(114)와 연결된 화소 전극(115)이 형성된다. 박막 트랜지스터(114)는 도 1a 내지 도 1c와 도 2a 내지 도 2c를 통해 설명한 구조로 형성될 수 있다.
또한, 기판(120)에는 화소 전극(115)과 대향하도록 컬러필터(121) 및 공통전 극(122)이 형성된다. 그리고 기판(110 및 120)의 배면에는 편광판(116 및 123)이 각각 형성되며, 편광판(116)의 하부에는 광원으로서 백 라이트(도시안됨)가 배치된다.
한편, 표시 패널(100)의 화소 영역(113) 주변에는 표시 패널(100)을 구동시키기 위한 구동부(LCD Drive IC; 도시안됨)가 실장된다. 구동부는 외부로부터 제공되는 전기적 신호를 주사 신호 및 데이터 신호로 변환하여 게이트 선(111)과 데이터 선(112)으로 공급한다.
상기 실시예의 평판 표시 장치는 본 발명에 따라 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는 과정에서 게이트 선(111) 및(또는) 데이터 선(112)과 패드(도시안됨)를 니켈(Ni) 및 란탄(La)을 포함하는 알루미늄(Al) 합금으로 형성할 수 있기 때문에 배선의 낮은 비저항에 의해 전기적 특성이 향상될 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치의 다른 실시예를 설명하기 위한 평면도 및 단면도로서, 화상을 표시하는 표시 패널(200)을 중심으로 개략적으로 설명한다.
도 5a를 참조하면, 기판(210)은 화소 영역(220)과, 화소 영역(220) 주변의 비화소 영역(230)으로 정의된다. 화소 영역(220)의 기판(210)에는 주사 라인(224) 및 데이터 라인(226) 사이에 매트릭스 방식으로 연결된 복수의 유기전계발광 소자(300)가 형성되고, 비화소 영역(230)의 기판(210)에는 화소 영역(220)의 주사 라인(224) 및 데이터 라인(226)으로부터 연장된 주사 라인(224) 및 데이터 라인(226), 유기전계발광 소자(300)의 동작을 위한 전원공급 라인(도시안됨) 그리고 패드(228)를 통해 외부로부터 제공된 신호를 처리하여 주사 라인(224) 및 데이터 라인(226)으로 공급하는 주사 구동부(234) 및 데이터 구동부(236)가 형성된다.
도 6을 참조하면, 유기전계발광 소자(300)는 애노드 전극(317) 및 캐소드 전극(320)과, 애노드 전극(317) 및 캐소드 전극(320) 사이에 형성된 유기 박막층(319)으로 이루어진다. 유기 박막층(319)은 정공 수송층, 유기발광층 및 전자 수송층이 적층된 구조로 형성되며, 정공 주입층과 전자 주입층이 더 포함될 수 있다. 또한, 유기전계발광 소자(300)의 동작을 제어하기 위한 박막 트랜지스터와 신호를 유지시키기 위한 캐패시터가 더 포함될 수 있다. 박막 트랜지스터(114)는 도 1a 내지 도 1c와 도 2a 내지 도 2c를 통해 설명한 구조로 형성될 수 있다.
상기와 같이 구성된 박막 트랜지스터를 포함하는 유기전계발광 소자(300)를 도 5a 및 도 6을 통해 보다 상세히 설명하면 다음과 같다. 설명의 편의를 위하여 도 1b에 도시된 구조의 박막 트랜지스터를 예로 들어 설명한다.
기판(210) 상에 버퍼층(11)이 형성되고, 화소 영역(220)의 버퍼층(11) 상에 게이트 전극(12)이 형성된다. 이 때 화소 영역(220)에는 게이트 전극(12)과 연결되는 주사 라인(224)이 형성되고, 비화소 영역(230)에는 화소 영역(220)의 주사 라인(224)으로부터 연장되는 주사 라인(224) 및 외부로부터 신호를 제공받기 위한 패드(228)가 형성될 수 있다.
게이트 전극(12)을 포함하는 상부에는 게이트 절연층(13)에 의해 게이트 전극(12)과 전기적으로 절연되며, 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 제공하는 활성층(14)이 형성된다.
활성층(14)을 포함하는 상부에는 절연층(15)이 형성되며, 절연층(15)에는 활성층(14)의 소스 및 드레인 영역이 노출되도록 콘택홀이 형성된다. 그리고 절연층(15) 상에는 콘택홀을 통해 소스 및 드레인 영역과 접촉되도록 소스 및 드레인 전극(16a 및 16b)이 형성된다. 이 때 화소 영역(220)에는 소스 및 드레인 전극(16a 및 16b)과 연결되는 데이터 라인(226)이 형성되고, 비화소 영역(230)에는 화소 영역(220)의 데이터 라인(226)으로부터 연장되는 데이터 라인(226) 및 외부로부터 신호를 제공받기 위한 패드(228)가 형성될 수 있다.
소스 및 드레인 전극(16a 및 16b)을 포함하는 상부에는 평탄화층(18)이 형성되고, 평탄화층(18)에는 소스 또는 드레인 전극(16a 또는 16b)이 노출되도록 비아홀이 형성된다. 그리고 비아홀을 통해 소스 또는 드레인 전극(16a 또는 16b)과 연결되는 애노드 전극(317)이 형성된다.
애노드 전극(317)의 일부 영역(발광 영역)이 노출되도록 평탄화층(18) 상에 화소 정의막(318)이 형성되며, 노출된 애노드 전극(317) 상에 유기 박막층(319)이 형성되고, 유기 박막층(319)을 포함하는 화소 정의막(318) 상에 캐소드 전극(320)이 형성된다.
도 5b를 참조하면, 상기와 같이 유기전계발광 소자(300)가 형성된 기판(210) 상부에는 화소 영역(220)을 밀봉시키기 위한 봉지 기판(400)이 배치되며, 밀봉재(410)에 의해 봉지 기판(400)이 기판(210)에 합착되어 표시 패널(200)이 완성된다.
상기 실시예의 평판 표시 장치는 본 발명에 따라 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는 과정에서 주사 라인(224) 및(또는) 데이터 라인(226)과 패드(228)를 니켈(Ni) 및 란탄(La)을 포함하는 알루미늄(Al) 합금으로 형성할 수 있기 때문에 배선의 낮은 비저항에 의해 전기적 특성이 향상될 수 있다.
이상에서와 같이 상세한 설명과 도면을 통해 본 발명의 최적 실시예를 개시하였다. 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터를 설명하기 위한 단면도.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 트랜지스터를 설명하기 위한 단면도.
도 3a 및 도 3b는 열처리를 거친 알루미늄 박막과 알루미늄 합금 박막의 표면 사진.
도 4는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 평면도.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치의 다른 실시예를 설명하기 위한 평면도 및 단면도.
도 6은 도 5a의 유기전계발광 소자를 설명하기 위한 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10, 20, 30, 110, 120, 210: 기판 11, 21, 31: 버퍼층
12, 26, 34: 게이트 전극 13, 25, 33: 게이트 절연층
14, 23, 32: 반도체층 15, 35: 절연층
16a, 22a, 36a: 소스 전극 16b, 22b, 36b: 드레인 전극
17a, 17b, 37a, 37b: 베리어층 18: 평탄화층
100, 200: 표시 패널 111: 게이트 선
112: 데이터 선 113: 화소 영역
114: 박막 트랜지스터 115: 화소 전극
116, 123: 편광판 121: 컬러필터
122: 공통전극 130: 액정층
220: 화소 영역 224: 주사 라인
226: 데이터 라인 228: 패드
230: 비화소 영역 234: 주사 구동부
236: 데이터 구동부 300: 유기전계발광 소자
317: 애노드 전극 318: 화소 정의막
319: 유기 박막층 320: 캐소드 전극
400: 봉지 기판 410: 밀봉재
Claims (24)
- 기판;상기 기판 상에 니켈 및 란탄을 포함하는 알루미늄 합금으로 형성된 게이트 전극;게이트 절연층에 의해 상기 게이트 전극과 절연되는 활성층; 및상기 활성층과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며,상기 게이트 전극의 일면 또는 양면에 베리어층이 형성된 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 활성층과 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성되며 콘택홀이 형성된 절연층을 더 포함하고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 상기 콘택홀을 통해 상기 활성층과 접촉되는 박막 트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극이 상기 활성층 상부에 형성된 박막 트랜지스터.
- 제 3 항에 있어서, 상기 게이트 전극을 포함하는 상부에 형성되며 콘택홀이 형성된 절연층을 더 포함하고, 상기 소스 및 드레인 전극이 상기 콘택홀을 통해 상기 활성층과 접촉되는 박막 트랜지스터.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 베리어층은 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 티타늄 질화물(TiN), 탄탈 질화물(TaN) 및 몰리브덴 텅스텐(MoW)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 금속으로 이루어진 박막 트랜지스터.
- 서로 교차하는 게이트 선 및 데이터 선, 상기 게이트 선 및 데이터 선 사이에 연결된 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극이 형성된 제 1 기판;상기 제 1 기판과 대향하도록 배치되며, 공통 전극이 형성된 제 2 기판; 및상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이의 공간에 주입된 액정층을 포함하며,상기 박막 트랜지스터는 상기 제 1 기판 상에 니켈 및 란탄을 포함하는 알루미늄 합금으로 형성된 게이트 전극;게이트 절연층에 의해 상기 게이트 전극과 절연되는 활성층; 및상기 활성층과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며,상기 게이트 전극의 일면 또는 양면에 베리어층이 형성된 평판 표시 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 활성층과 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형 성되며 콘택홀이 형성된 절연층을 더 포함하고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 상기 콘택홀을 통해 상기 활성층과 접촉되는 평판 표시 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 게이트 전극이 상기 활성층 상부에 형성된 평판 표시 장치.
- 제 9 항에 있어서, 상기 게이트 전극을 포함하는 상부에 형성되며 콘택홀이 형성된 절연층을 더 포함하고, 상기 소스 및 드레인 전극이 상기 콘택홀을 통해 상기 활성층과 접촉되는 평판 표시 장치.
- 삭제
- 제 7 항에 있어서, 상기 베리어층은 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 티타늄 질화물(TiN), 탄탈 질화물(TaN) 및 몰리브덴 텅스텐(MoW)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 금속으로 이루어진 평판 표시 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 게이트 선 및 상기 데이터 선이 상기 니켈 및 란탄을 포함하는 알루미늄 합금으로 형성된 평판 표시 장치.
- 삭제
- 삭제
- 서로 교차하는 주사 라인 및 데이터 라인, 상기 주사 라인 및 데이터 라인 사이에 연결된 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 연결된 유기전계발광 소자가 형성된 제 1 기판; 및상기 제 1 기판과 대향하도록 배치된 제 2 기판을 포함하며,상기 박막 트랜지스터는 상기 제 1 기판 상에 니켈 및 란탄을 포함하는 알루미늄 합금으로 형성된 게이트 전극;게이트 절연층에 의해 상기 게이트 전극과 절연되는 활성층; 및상기 활성층과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며,상기 게이트 전극의 일면 또는 양면에 베리어층이 형성된 평판 표시 장치.
- 제 16 항에 있어서, 상기 활성층과 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성되며 콘택홀이 형성된 절연층을 더 포함하고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 이 상기 콘택홀을 통해 상기 활성층과 접촉되는 평판 표시 장치.
- 제 16 항에 있어서, 상기 게이트 전극이 상기 활성층 상부에 형성된 평판 표시 장치.
- 제 18 항에 있어서, 상기 게이트 전극을 포함하는 상부에 형성되며 콘택홀이 형성된 절연층을 더 포함하고, 상기 소스 및 드레인 전극이 상기 콘택홀을 통해 상기 활성층과 접촉되는 평판 표시 장치.
- 삭제
- 제 16 항에 있어서, 상기 베리어층은 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 티타늄 질화물(TiN), 탄탈 질화물(TaN) 및 몰리브덴 텅스텐(MoW)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 금속으로 이루어진 평판 표시 장치.
- 제 16 항에 있어서, 상기 주사 라인 및 상기 데이터 라인이 상기 니켈 및 란탄을 포함하는 알루미늄 합금으로 형성된 평판 표시 장치.
- 삭제
- 삭제
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