KR100983592B1 - Poly-TFT 어레이 기판의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
여기서, 상기 절연기판(511)은 n형 및 p형 TFT영역과 스토리지 영역을 포함하는 화소부와, 상기 절연기판(511)의 외곽의 패드부로 구성된다.
Claims (13)
- 화소부와 패드부로 구분되는 기판을 준비하는 단계;상기 기판의 화소부에 제 1 반도체층을 형성하고, 상기 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에, 상기 화소부에는 스토리지 전극과, 상기 제 1 반도체층 상부에 대응하여 제 1 게이트 전극을 형성하고, 상기 패드부에는 제 1 패드전극을 형성하는 단계;상기 제 1 반도체층에 n+도핑층을 형성하는 단계;상기 제 1 게이트 전극을 포함한 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 층간 절연막 상에, 상기 화소부에는 화소전극을 형성하고 상기 패드부에는 제 1패드전극을 덮도록 제 2 패드전극을 형성하는 단계;상기 화소전극을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막 상에 상기 n+도핑층에 연결되는 제 1 소스/드레인 전극과, 상기 제 1 ,제 2 패드전극의 일측에 동시에 연결되는 신호 배선을 형성하는 단계;상기 화소부의 전면과, 상기 패드부의 상기 신호 배선을 덮도록 배향막을 형성하는 단계;상기 패드부의 제 2 패드전극 상부의 상기 보호막 상에 씨일제를 형성하는 단계; 및상기 제 1,제 2 패드전극의 타측에 동시에 FPC를 접속하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Poly-TFT 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 신호 배선을 형성하는 단계는,상기 보호막, 상기 제 2 패드전극 및 상기 층간 절연막을 함께 관통하여 상기 제 1 패드전극과 상기 제 2 패드전극에 동시에 접속하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 Poly-TFT 어레이 기판의 제조방법.
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- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 패드전극은 저저항 금속층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 Poly-TFT 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 패드전극은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd : Aluminum Neodymium), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 의 금속을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 Poly-TFT 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 패드전극은 외부로 노출되지 않도록 형성함을 특징으로 하는 Poly-TFT 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 패드전극은 ITO 또는 IZO로 형성하는 것을 특징으로 하는 Poly-TFT 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 화소전극은 상기 스토리지 전극에 오버랩시키고 상기 제 1 드레인 전극에 연결하는 것을 특징으로 하는 Poly-TFT 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 n+도핑층을 형성하는 단계 이후,상기 제 1 게이트 전극을 마스크로 하여 n-도핑하여 LDD 도핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Poly-TFT 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 반도체층 형성시, 제 2 반도체층을 동시 형성하는 단계와,상기 제 2 반도체층 상부에 제 2 게이트 전극을 형성하는 단계와,상기 제 2 반도체층에 p+도핑층을 형성하는 단계와,상기 p+도핑층과 연결되는 제 2 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포 함함을 특징으로 하는 Poly-TFT 어레이 기판의 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030086929A KR100983592B1 (ko) | 2003-12-02 | 2003-12-02 | Poly-TFT 어레이 기판의 제조방법 |
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KR20050053431A KR20050053431A (ko) | 2005-06-08 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020030086929A KR100983592B1 (ko) | 2003-12-02 | 2003-12-02 | Poly-TFT 어레이 기판의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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