KR100959451B1 - 이미지센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 이미지센서는 배선을 포함하는 회로(circuitry)가 형성된 기판; 상기 배선을 노출시키면서 상기 회로 상측의 기판상에 형성된 하부 차광층; 상기 노출된 배선 상에 형성된 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성된 진성층(intrinsic layer); 및 상기 진성층 상에 형성된 제2 도전형 전도층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이미지센서, 포토다이오드
Description
실시예는 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게 전하결합소자(charge coupled device: CCD)와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)(CIS)로 구분된다.
씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
한편, 종래기술에 따른 씨모스 이미지센서는 포토다이오드가 트랜지스터와 수평으로 배치되는 구조이다.
물론, 종래기술에 의한 수평형의 씨모스 이미지센서에 의해 CCD 이미지센서의 단점이 해결되기는 하였으나, 종래기술에 의한 수평형의 씨모스 이미지센서에는 여전히 문제점들이 있다.
즉, 종래기술에 의한 수평형의 씨모스 이미지센서에 의하면 포토다이오드와 트랜지스터가 기판상에 상호 수평으로 인접하여 제조된다. 이에 따라, 포토다이오드를 위한 추가적인 영역이 요구되며, 이에 의해 필팩터(fill factor) 영역을 감소시키고 또한 레졀류션(Resolution)의 가능성을 제한하는 문제가 있다.
또한, 종래기술에 의한 수평형의 씨모스 이미지센서에 의하면 포토다이오드와 트랜지스터를 동시에 제조하는 공정에 대한 최적화를 달성하는 점이 매우 어려운 문제가 있다. 즉, 신속한 트랜지스터 공정에서는 작은 면저항(low sheet resistance)을 위해 샐로우 졍션(shallow junction)이 요구되나, 포토다이오드에는 이러한 샐로우 졍션(shallow junction)이 적절하지 않을 수 있다.
또한, 종래기술에 의한 수평형의 씨모스 이미지센서에 의하면 추가적인 온칩(on-chip) 기능들이 이미지센서에 부가되면서 단위화소의 크기가 이미지센서의 센서티버티(sensitivity)를 유지하기 위해 증가되거나 또는 포토다이오드를 위한 면적이 픽셀사이즈를 유지하기 위해 감소되야한다. 그런데, 픽셀사이즈가 증가되면 이미지센서의 레졀류션(Resolution)이 감소하게되며, 또한, 포토다이오드의 면적이 감소되면 이미지센서의 센서티버티(sensitivity)가 감소하는 문제가 발생한다.
실시예는 회로(circuitry)와 포토다이오드의 새로운 집적을 제공할 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 포토다이오드로 들어가는 빛의 양을 증가시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 레졀류션(Resolution)과 센서티버티(sensitivity)가 함께 개선될 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 수직형의 포토다이오드를 채용하면서 포토다이오드 내에 디펙트를 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 이미지센서는 배선을 포함하는 회로(circuitry)가 형성된 기판; 상기 배선을 노출시키면서 상기 회로 상측의 기판상에 형성된 하부 차광층; 상기 노출된 배선 상에 형성된 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성된 진성층(intrinsic layer); 및 상기 진성층 상에 형성된 제2 도전형 전도층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법은 기판에 배선을 포함하는 회로(circuitry)를 형성하는 단계; 상기 배선을 노출시키면서 상기 기판상에 하부 차광층을 형성하는 단계; 상기 배선과 전기적으로 연결되는 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 상에 진성층(intrinsic layer)을 형성하는 단계; 및 상기 진성 층 상에 제2 도전형 전도층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법에 의하면 회로(circuitry)와 포토다이오드의 수직형 집적을 제공할 수 있다.
실시예에 의하면 포토다이오드의 하면 또는 측면에 차광막을 형성함으로써 포토다이오드로 들어가는 빛의 양을 증가시켜 이미지센서의 이미지성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 회로(circuitry)와 포토다이오드의 수직형 집적에 의해 필팩터(fill factor)를 100%에 근접시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 종래기술보다 수직형 집적에 의해 같은 픽셀 사이즈에서 높은 센서티버티(sensitivity)를 제공할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 종래기술보다 같은 레졀류션(Resolution)을 위해 공정비용을 감축할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 각 단위 픽셀은 센서티버티(sensitivity)의 감소 없이 보다 복잡한 회로(circuitry)를 구현할 수 있다.
또한, 실시예에 의해 집적될 수 있는 추가적인 온칩 회로(on-chip circuitry)는 이미지센서의 퍼포먼스(performance)를 증가시키고, 나아가 소자의 소형화 및 제조비용을 절감을 획득할 수 있다.
이하, 실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/아래(on/under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/아래는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
본 발명은 씨모스이미지센서에 한정되는 것이 아니며, 포토다이오드가 필요한 이미지센서에 적용이 가능하다.
(실시예)
도 1은 실시예에 따른 이미지센서의 단면도이다.
실시예에 따른 이미지센서는 배선(150)을 포함하는 회로(circuitry)(미도시)가 형성된 기판(100); 상기 배선(150)을 노출시키면서 상기 회로 상측의 기판상에 형성된 하부 차광층(170); 상기 노출된 배선(150) 상에 형성된 하부 전극(210); 상기 하부 전극(210) 상에 형성된 진성층(intrinsic layer)(223); 및 상기 진성층(223) 상에 형성된 제2 도전형 전도층(225);을 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시예는 상기 진성층(223)과 제2 도전형 전도층(225)의 측면에 형성된 측면 차광층(270)을 더 포함할 수 있다.
실시예에서 상기 하부 차광층(170)과 측면 차광층(270)은 Al2O3로 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예는 상기 배선(150)과 진성층(223) 사이에 형성된 제1 도전형 전도층(221)을 더 포함할 수 있다.
실시예에 따른 이미지센서에 의하면 회로(circuitry)와 포토다이오드의 수직 형 집적을 제공할 수 있다.
실시예에 의하면 포토다이오드의 하면 또는 측면에 차광막을 형성함으로써 포토다이오드로 들어가는 빛의 양을 증가시켜 이미지센서의 이미지성능을 향상시킬 수 있다.
이하, 도 2 내지 도 4를 참조하여 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법을 설명한다.
우선, 도 2와 같이 기판(100)에 배선(150)을 포함하는 회로(circuitry)(미도시)를 형성한다. 상기 배선(150)(도 3 참조)은 탑메탈(153)과 플러그(미도시)를 포함할 수 있다.
이후, 상기 배선(150) 상에 하부 차광층(170)을 형성한다. 예를 들어, 탑메탈(153) 형성공정 후 추가적으로 제2 층간절연층(161)을 형성하고,상기 제2 층간절연층(161) 상에 하부 차광층(170)을 형성한다. 예를 들어, 상기 하부 차광층(170)은 Al2O3로 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 도 3과 같이 상기 하부 차광층(170)과 제1 층간절연층(161)을 선택적으로 식각하여 상기 탑메탈(153)을 노출하는 비아홀(미도시)을 형성한다. 이후, 상기 비아홀을 메우는 탑플러그(154c)를 형성한다.
다음으로, 도 4와 같이 상기 배선(150)과 전기적으로 연결되는 하부 전극(210)을 형성한다. 예를 들어, 상기 탑플러그(154c) 상에 하부 전극(210)을 Cr 등으로 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이후, 상기 하부 전극(210) 상에 포토다이오드(220)를 비정질층으로 형성한 다.
예를 들어, 상기 하부 전극(210) 상에 제1 도전형 전도층(221)을 형성한다. 한편, 경우에 따라서는 상기 제1 도전형 전도층(221)이 형성되지 않고 이후의 공정이 진행될 수도 있다. 상기 제1 도전형 전도층(221)은 실시예에서 채용하는 PIN 다이오드의 N층의 역할을 할 수 있다. 즉, 상기 제1 도전형 전도층(221)은 N 타입 도전형 전도층일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 도전형 전도층(221)은 N 도핑된 비정질 실리콘(n-doped amorphous silicon)을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
즉, 상기 제1 도전형 전도층(221)은 비정질 실리콘에 게르마늄, 탄소, 질소 또는 산소 등을 첨가하여 a-Si:H, a-SiGe:H, a-SiC, a-SiN:H a-SiO:H 등으로 형성될 수도 있다.
상기 제1 도전형 전도층(221)은 화학기상증착(CVD) 특히, PECVD 등에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 전도층(221)은 실란가스(SiH4)에 PH3, P2H5 등을 혼합하여 PECVD에 의해 비정질 실리콘으로 형성될 수 있다.
이후, 상기 제1 도전형 전도층(221) 상에 진성층(intrinsic layer)(223)을 형성한다. 상기 진성층(223)은 본 발명의 실시예에서 채용하는 PIN 다이오드의 I층의 역할을 할 수 있다.
상기 진성층(223)은 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 진성층(223)은 화학기상증착(CVD) 특히, PECVD 등에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 진성층(223)은 실란가스(SiH4) 등을 이용하여 PECVD에 의해 비정질 실리콘으로 형성될 수 있다.
그 후, 상기 진성층(223) 상에 제2 도전형 전도층(225)을 형성한다. 상기 제2 도전형 전도층(225)은 상기 진성층(223)의 형성과 연속공정으로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 전도층(225)은 실시예에서 채용하는 PIN 다이오드의 P층의 역할을 할 수 있다. 즉, 상기 제2 도전형 전도층(225)은 P 타입 도전형 전도층일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 도전형 전도층(225)은 P 도핑된 비정질 실리콘(p-doped amorphous silicon)을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 도전형 전도층(225)은 화학기상증착(CVD) 특히, PECVD 등에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도전형 전도층(225)은 실란가스(SiH4)에 보론 등을 혼합하여 PECVD에 의해 비정질 실리콘으로 형성될 수 있다.
상기 제2 도전형 전도층(225) 상에 상부전극(240)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 상부전극(240)은 빛의 투과성이 높고 전도성이 높은 투명전극으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 상부전극(240)은 ITO(indium tin oxide) 또는 CTO(cardium tin oxide) 등으로 형성될 수 있다.
실시예는 포토다이오드(220)의 측면에 측면 차광층(270)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 포토다이오드(220) 또는 상기 상부 전극(240) 까지 완성 된 상태에서 픽셀의 경계에 갭(미도시)을 형성하고, 상기 갭을 메우는 측면 차광층(270)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 측면 차광층(270)은 Al2O3일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 실시예에 의하면 포토다이오드의 하면 또는 측면에 차광막을 형성함으로써 포토다이오드로 들어가는 빛(L)을 포토다이오드 내로 반사시켜 포토다이오드 내로 들어 오는 빛의 양을 증가시켜 이미지센서의 이미지성능을 향상시킬 수 있다.
이후, 패시베이션층(250), 컬러필터(260) 등을 형성할 수 있다.
실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법에 의하면 회로(circuitry)와 포토다이오드의 수직형 집적을 제공할 수 있다.
실시예에 의하면 포토다이오드의 하면 또는 측면에 차광막을 형성함으로써 포토다이오드로 들어가는 빛(L)을 포토다이오드 내로 반사시켜 포토다이오드 내로 들어 오는 빛의 양을 증가시켜 이미지센서의 이미지성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 회로(circuitry)와 포토다이오드의 수직형 집적에 의해 필팩터(fill factor)를 100%에 근접시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 종래기술보다 수직형 집적에 의해 같은 픽셀 사이즈에서 높은 센서티버티(sensitivity)를 제공할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 종래기술보다 같은 레졀류션(Resolution)을 위해 공정비용을 감축할 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 각 단위 픽셀은 센서티버티(sensitivity)의 감소 없이 보다 복잡한 회로(circuitry)를 구현할 수 있다.
또한, 실시예에 의해 집적될 수 있는 추가적인 온칩 회로(on-chip circuitry)는 이미지센서의 퍼포먼스(performance)를 증가시키고, 나아가 소자의 소형화 및 제조비용을 절감을 획득할 수 있다.
본 발명은 기재된 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 청구항의 권리범위에 속하는 범위 안에서 다양한 다른 실시예가 가능하다.
도 1은 실시예에 따른 이미지센서의 단면도.
도 2 내지 도 4는 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법의 공정단면도.
Claims (6)
- 배선을 포함하는 회로(circuitry)가 형성된 기판;상기 배선을 노출시키면서 상기 회로 상측의 기판상에 형성된 하부 차광층;상기 노출된 배선 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 진성층(intrinsic layer);상기 진성층 상에 형성된 제2 도전형 전도층; 및상기 진성층과 제2 도전형 전도층의 측면에 형성된 측면 차광층을 포함하며,상기 하부 차광층은 상기 배선의 양측에 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 삭제
- 제1 항에 있어서,상기 하부 차광층과 상기 측면 차광층은 Al2O3인 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 기판에 배선을 포함하는 회로(circuitry)를 형성하는 단계;상기 배선을 노출시키면서 상기 기판상에 하부 차광층을 형성하는 단계;상기 배선과 전기적으로 연결되는 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 진성층(intrinsic layer)을 형성하는 단계;상기 진성층 상에 제2 도전형 전도층을 형성하는 단계; 및상기 진성층과 제2 도전형 전도층의 측면에 측면 차광층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 하부 차광층은 상기 배선의 양측에 형성되는 것을 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
- 삭제
- 제4 항에 있어서,상기 하부 차광층과 상기 측면 차광층은 Al2O3인 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
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| KR (1) | KR100959451B1 (ko) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000156488A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-06-06 | Agilent Technol Inc | 高性能画像センサアレイ |
| KR20020048717A (ko) * | 2000-12-18 | 2002-06-24 | 박종섭 | 기판 내에 반사층을 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR20060027662A (ko) * | 2004-09-23 | 2006-03-28 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법. |
-
2007
- 2007-12-27 KR KR1020070139367A patent/KR100959451B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000156488A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-06-06 | Agilent Technol Inc | 高性能画像センサアレイ |
| KR20020048717A (ko) * | 2000-12-18 | 2002-06-24 | 박종섭 | 기판 내에 반사층을 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR20060027662A (ko) * | 2004-09-23 | 2006-03-28 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법. |
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| Publication number | Publication date |
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