KR100945605B1 - 노광장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents

노광장치 및 디바이스 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100945605B1
KR100945605B1 KR1020080058099A KR20080058099A KR100945605B1 KR 100945605 B1 KR100945605 B1 KR 100945605B1 KR 1020080058099 A KR1020080058099 A KR 1020080058099A KR 20080058099 A KR20080058099 A KR 20080058099A KR 100945605 B1 KR100945605 B1 KR 100945605B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
astigmatism
optical element
order component
driving mechanism
amount
Prior art date
Application number
KR1020080058099A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080112156A (ko
Inventor
아츠시 시케노부
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20080112156A publication Critical patent/KR20080112156A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100945605B1 publication Critical patent/KR100945605B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08—Catadioptric systems
    • G02B17/0892—Catadioptric systems specially adapted for the UV
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08—Catadioptric systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/0025—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration
    • G02B27/0068—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration having means for controlling the degree of correction, e.g. using phase modulators, movable elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G03F7/706—Aberration measurement

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

노광장치는 제1광학 소자를 구동하는 제1구동 기구; 제2광학 소자를 구동하는 제2구동 기구; 및 투영 광학계의 비점수차가 조정되도록 상기 제1구동 기구 및 제2구동 기구를 제어하는 제어부를 포함한다. 제1구동 기구에 의해 제1광학 소자가 구동되는 것에 의한 비점수차의 제1차수 성분의 변화량과 해당 비점수차의 제2차수 성분의 변화량은 제1비율을 가지며, 제2구동 기구에 의해 제2광학 소자가 구동되는 것에 의한 비점수차의 제1차수 성분의 변화량과 해당 비점수차의 제2차수 성분의 변화량은 상기 제1비율과는 다른 제2비율을 가진다.

Description

노광장치 및 디바이스 제조방법{EXPOSURE APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 노광장치 및 이것을 이용한 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등의 디바이스를 제조하기 위한 리소그래피 공정에 있어서, 원판(레티클 또는 마스크라고도 칭함)의 패턴을 투영 광학계를 통해 기판(웨이퍼)에 투영해서 해당 기판을 노광하는 노광장치가 사용된다. 대규모의 집적된 디바이스를 제조하기 위해서는, 투영 광학계의 수차를 최소로 할 필요가 있다.
그러나, 투영 광학계가 기판의 노광 시 노광에 의한 부하(열)를 받으면, 그것을 구성하는 광학 소자가 변형된다. 그 결과, 광축 위에서 상(像)의 시프트, 예를 들어, 투영광학계의 전체면 위에서의 비점수차가 발생할 경우가 있다. 비점수차란, 축외의 1점으로부터 나온 광이 렌즈를 통과한 후에 1점에 모이지 않고, 서로 전후로 어긋난 2개의 직교하는 광선으로 분기되는 수차를 의미한다. 비점수차가 존재하는 경우, 홀의 형상이 디포커스에 의해 변화하게 된다. 이 문제를 해소하기 위해서, 비점수차 보정 보정 기구가 제안되어 있다.
도 1은 비점수차 보정 기구가 수차 보정을 실시하는 경우의 제르니케 다항 식(Zernike Polynomials)의 C5항과 Cl2항과의 관계를 예시하는 그래프이다. 가로축은 C5항(비점수차의 저차 성분에 상당함)의 변화량을 표시하고, 세로축은 C12항(비점수차의 고차 성분에 상당함)의 변화량이다. 여기서, C5항과 C12항은 C5항이 부여되면 C12항이 결정되고, C12항이 부여되면 C5항이 결정되는 상호 종속 관계에 있다.
보정해야 할 수차량의 저차 성분과 고차 성분 간의 비율이 보정 기구의 민감도의 저차 성분과 고차 성분 간의 비율에 가까우면, 투영 광학계의 수차를 고정밀도로 보정할 수 있다. 한편, 이들 비율이 서로 크게 다르면, 저차 수차 성분을 고정밀도로 보정할 경우 고차 수차 성분이 열화되는 반면, 고차 수차 성분을 고정밀도로 보정할 경우, 저차 수차 성분이 열화된다. 노광에 기인하는 열에 의해 발생하는 비점수차의 저차 성분과 고차 성분 간의 비율은 사용되는 조명 조건에 따라 변화한다. 그러므로, 1개의 비점수차 보정 기구 만으로는 모든 조명 조건 하에서 발생하는 수차를 고정밀도로 보정하기가 곤란하다.
본 발명은 상기 과제를 고려해서 이루어진 것으로, 그 목적은, 예를 들어, 투영 광학계의 비점수차의 적어도 2개의 성분을 보다 고정밀도로 조정할 수 있는 노광장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기판을 노광하는 노광장치에 관한 것이다. 상기 노광장치는, 제1광학 소자 및 제2광학 소자를 포함하여, 원판의 패턴을 상기 기판에 투영하는 투영 광학계; 상기 제1광학 소자를 구동하는 제1구동 기구; 상기 제2광학 소자를 구동하는 제2구동 기구; 상기 투영 광학계의 비점수차가 조정되도록 상기 제1구동 기구와 상기 제2구동 기구를 제어하는 제어부를 포함한다. 상기 제1구동 기구에 의해서 상기 제1광학 소자가 구동되는 것에 의한 상기 비점수차의 제1차수 성분의 변화량과 상기 비점수차의 제2차수 성분의 변화량은 제1비율을 가지며, 상기 제2구동 기구에 의해서 상기 제2광학 소자가 구동되는 것에 의한 상기 비점수차의 제1차수 성분의 변화량과 상기 비점수차의 제2차수 성분의 변화량은 상기 제1비율과는 다른 제2비율을 가진다.
본 발명에 의하면, 투영 광학계의 비점수차의 적어도 2개의 성분을 보다 고정밀도로 조정할 수 있다.
본 발명의 추가의 특징은 첨부된 도면을 참조한 이하의 예시적인 실시형태의 설명으로부터 명백해질 것이다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해 설명한다.
도 3은 반도체 디바이스 또는 액정 디바이스 등의 디바이스를 제조하기 위한 노광장치의 개략 구성을 나타낸 도면이다. 도 3에 나타낸 노광장치(100)에 있어서의 조명 광학계(1)는 디바이스 패턴이 형성된 원판(레티클)(2)을 조명한다. 조명 광학계(1)는 개구 조리개(9)를 포함한다. 구동 기구(10)는 개구 조리개(9)의 개구 크기 및 형상을 변경하는 기능을 가진다. 이것에 의해서 유효 광원 분포를 변경할 수 있다.
원판(2)은 원판 스테이지(레티클 스테이지)(3)에 의해 유지된 상태에서 원판 스테이지 구동 기구에 의해 구동된다. 원판(2)의 패턴은 투영 광학계(4)를 통해 기판(웨이퍼)(5)에 투영되고, 이것에 의해서 기판(5)이 노광된다. 기판(5)은 기판 척(6)에 의해 유지된다. 기판 척(6)은 기판 스테이지(7) 위에 탑재되어 있고, 기판(5)의 레버(즉, 높이 위치)을 조정하는 기구를 포함한다. 기판 스테이지(7)는 기판 스테이지 구동 기구에 의해 구동된다.
투영 광학계(4)는 복수의 광학 소자(렌즈 및 미러)를 포함할 수 있다. 투영 광학계(4)는 복수의 광학 소자의 일부로서 제1광학 소자(11a) 및 제2광학 소자(11b)를 포함한다. 제1광학 소자(11a) 및 제2광학 소자(11b)는 투영 광학계(4)의 동공의 근방에 배치되는 것이 바람직하다. 노광장치(100)는 제1광학 소자(11a) 를 구동하는 제1구동 기구(12a) 및 제2광학 소자(11b)를 구동하는 제2구동 기구(12b)를 구비한다. 노광장치(100)는 또한 투영 광학계(4)의 비점수차가 조정되도록 제1구동 기구(12a) 및 제2구동 기구(12b)를 제어하는 제어부(24)를 구비한다. 제어부(24)는 투영 광학계(4)의 비점수차의 제1차수 성분(저차 성분)과 제2차수 성분(고차 성분)의 쌍방이 목표 범위 내에 들어가도록 제1구동 기구(12a) 및 제2구동 기구(12b)를 제어한다.
제1광학 소자(11a)는 제1구동 기구(12a)에 의해 구동되는 것에 의해 변형되고, 즉, 그의 면 형상이 변화되고, 이것에 의해서 투영 광학계(4)의 비점수차가 변화한다. 제2광학 소자(11b)는, 제2구동 기구(12b)에 의해 구동되는 것에 의해 변형되고, 즉, 그의 면 형상이 변화되고, 이것에 의해 투영 광학계(4)의 비점수차가 변화한다.
투영 광학계(4)는, 그의 동공의 위치에 개구 조리개(13)를 가진다. 상기 개구 조리개(13)는 조명 광학계(1)의 개구 조리개(9)에 대해서 광학적으로 공액이고, 그의 개구의 크기는 가변적이다. 구동 기구(14)는 개구 조리개(13)의 개구의 크기(즉, 투영 광학계의 개구수)를 변경하는 기능을 가진다.
노광장치(100)는 기판(5)의 레버(광축(25)을 따른 기판(5)의 위치)을 검출하기 위한 면 위치 검출기를 구비하고 있다. 면 위치 검출기는 투광부(15) 및 수광부(16)를 포함한다. 투광부(15)에 의해 출사되어 기판(5)의 표면에서 반사된 광은 수광부(16)의 수광면에 입사한다. 수광부(16)로부터의 출력은 처리부(17)로 전송된다. 처리부(17)는 수광부(16)의 수광면 위의 광의 입사 위치에 따라서 기판(5) 의 레버을 검출한다.
스테이지(7)의 위치는 스테이지(7)에 고정된 반사경(18)을 사용해서 레이저 간섭계(19)에 의해 검출된다. 구동부(20)는 레이저 간섭계(19)에 의해 얻어진 검출 결과에 의거해서 스테이지(7)의 위치의 피드백 제어를 수행한다. 구동부(20)는 또한 처리부(17)에 의해 얻어진 기판의 레버에 의거해서, 기판(5)의 표면이 투영 광학계(4)의 상면(imaging surface)에 일치하도록 기판 척(6)을 제어한다.
이하, 투영 광학계(4)의 비점수차의 보정에 대해서 설명한다. 다음과 같은 방식으로, 제1구동 기구(12a)는 제1광학 소자(11a)를 변형시킬 수 있고, 제2구동 기구(12b)는 제2광학 소자(11b)를 변형시킬 수 있다.
제1지지부재는 제1광학 소자(11a) 및 제2광학 소자(11b)를 그들의 외주부 위의 복수 점에서 지지할 수 있다. 제1지지부재는 광학 소자(11a), (11b)를 예를 들어 180°의 각도로 서로 떨어진 두 점과 이들 두 점 중 한쪽의 점으로부터 중력 방향으로 약간 떨어진 점에서 지지할 수 있다. 대안적으로는, 제1지지부재는 광학 소자(11a) 및 (11b)를 제1점과 해당 제1점으로부터 120°이상 180°미만의 각도로 떨어진 제2점에서 지지할 수도 있다. 대안적으로는, 제1지지부재는 광학 소자(11a) 및 (11b)를 서로 90°의 각도로 떨어진 3개의 점에서 지지할 수도 있다. 상기 지지부재의 전술한 구성은 광학 소자(11a), (11b)의 그들 자체의 중량으로 인한 변형을 용이하게 할 수 있다.
제2지지 부재는 제1지지 부재를 지지한다. 제1광학 소자(11a)를 지지하는 제1지지 부재와 해당 제1지지 부재를 지지하는 제2지지 부재 사이에는 1개 혹은 복 수개의 제1구동 기구(12a)가 배치된다. 마찬가지로, 제2광학 소자(11b)를 지지하는 제1지지 부재와 해당 제1지지 부재를 지지하는 제2지지 부재 사이에는 1개 혹은 복수개의 제2구동 기구(12b)가 배치되어 있다.
각 구동 기구(12a), (12b)는 기밀실, 압력 제어부 및 레버 부재를 포함할 수 있다. 상기 기밀실의 체적은 그의 내부 압력에 따라 변화한다. 상기 압력 제어부는 상기 기밀실의 내부 압력을 제어한다. 상기 레버 부재는 상기 기밀실의 내부 압력의 변화시 발생되는 힘을 받아 광학 소자(11a), (11b)에 힘을 가한다. 이상의 구성에 의하면, 광학 소자(11a), (11b)의 그들의 자체 중량에 기인한 2θ 변형을 일으킬 수 있다. 그들의 자체 중량에 의해 변형된 부분에서 작용하는 이 힘을 중력의 반대 방향으로 조정할 수 있는 구동 기구(12a), (12b)를 설치함으로써 비점수차를 적극적으로 조정하는 것이 가능해진다. 광학 소자의 면을 변형시킴으로써 비점수차를 보정하는 사례를 예로 들었지만, 이것은 일례에 불과하며, 기타 다른 방법을 채용할 수 있다.
이하에서는, 제1광학 소자(11a) 및 제1구동 기구(12a)를 포함하는 비점수차 보정 기구를 제1비점수차 보정 기구라 칭한다. 또, 이하에서는, 제2광학 소자(11b) 및 제2구동 기구(12b)를 포함하는 비점수차 보정 기구를 제2비점수차 보정 기구라 칭한다.
도 2는 2개의 비점수차 보정 기구에 있어서의 C5항과 C12항과의 관계를 예시하고 있다. 가로축은 C5항(제1차수의 비점수차)의 민감도(변화량)를 나타내고, 세로축은 C12항(제2차수의 비점수차)의 민감도(변화량)를 나타낸다.
C51 및 C121은 제1비점수차 보정 기구가 발생하는 비점수차 성분(C5항 및 C12항)이라 하고, C52 및 C122는 제2비점수차 보정 기구가 발생하는 비점수차 성분(C5항 및 C12항)이라 한다. 보정 타겟 비점수차 성분을 C5k 및 C12k로 정의하고, 광학 소자(11a), (11b)의 변형량을 α 및 β(그들 자체 중량에 의한 변형량을 1이라 가정함)로 정의한다.
보정 타겟과 비점수차 보정 기구의 민감도와의 관계는 이하의 수식 [1]로 표현될 수 있다:
Figure 112008044093732-pat00001
우변의 행렬항은 공지되어 있다. 수식 [1]로부터 α 및 β를 산출하면, 보정 타겟의 비점수차 성분을 발생시키는 데 필요한 광학 소자(11a), (11b)의 변형량을 얻을 수 있다. 여기서, 제1비점수차 보정 기구에 의해 발생되는 비점수차 C51(제1차수 성분)의 변화량과 비점수차 C121( 제2차수 성분)의 변화량과의 비율을 제1비율이라 정의한다. 또, 제2비점수차 보정 기구에 의해 발생되는 비점수차 C52(제1차수 성분)의 변화량과 비점수차 C122(제2차수 성분)의 변화량과의 비율을 제2비율이라 정의한다. 이 경우, 제1비율이 제2비율과 다른 경우, 수식 [1]을 풀 수 있다. 또, 제1비율과 제2비율은 부호가 반대인 것이 바람직하다. 제1비율과 제2비율은 보정 타겟을 만족하도록 결정된다.
수식 [1]로부터 명백한 바와 같이, 2개의 비점수차 보정 기구가 구비되어 있으면, 비점수차 성분의 2개의 차수를 보정할 수 있다. 또, 3개 이상의 차수의 비점수차 성분을 보정하기 위해서는, 비점수차 보정 기구를 3개 이상 사용한다.
비점수차 보정 기구에 있어서 C5항과 C12항의 변화량 간의 비율은 렌즈 형상에 의존한다. 즉, 예컨대 2개의 렌즈 간의 두께 및 곡률 등의 차이가 클수록, C5항 및 C12항 간의 발생 비율의 차이도 커진다. 따라서, 이 원리에 의거해서, 비점수차 보정 기구에 의해 발생된 비점수차 성분의 변화량 간의 비율을 다르게 설정할 수 있다. 제1비점수차 보정 기구의 것과는 다른 두께 및 곡률이 다른 렌즈가 제2비점수차 보정 기구를 위해 선택될 경우, 제1비율과 제2비율을 다르게 설정하는 것이 가능하다. 도 3에 나타낸 광학 소자(11a), (11b)도 두께와 곡률이 상이하다.
또, 제1비점수차 보정 기구 및 제2비점수차 보정 기구를 투영 광학계(4)의 동공 근방에 배치함으로써, 상 높이에 대한 의존성이 작은 비점수차를 보정하는 것이 가능해진다.
도 4는 투영 광학계(4)의 구성예를 나타낸 단면도이다. 도 5a 및 도 5b는 도 4에 나타낸 투영 광학계(4)의 설계 데이터를 나타낸 표이다. 이 예에 있어서, 노광 광은 ArF 레이저 빔이다. 도 6은 제1광학 소자(11a)(G25) 및 제2광학 소자 1lb(G26)가 그들의 자체 중량에 의해 변형된 것으로 가정한 경우 파면 수차의 C5항 및 C12항의 변화량(즉, 민감도)을 나타낸 표이다. 단, 각 값은 기판(5)의 표면 상의 상 높이 6.4 ㎜ 및 14.5 ㎜에서 얻어진 것이다.
여기서, 2개의 광학 소자(1la), (11b)는 서로 민감도가 다르고, 투영 광학계(4)의 동공 근방에 배치된다. 이 예에서는, 제1광학 소자(11a)로서 렌즈(G25)를 선택하고, 제2광학 소자(11b)로서 렌즈(G26)를 선택하고 있다.
제1광학 소자(11a)(렌즈(G25))의 구동량을 ΔL1, 제2광학 소자(11b)(렌즈(G26))의 구동량을 ΔL2라 하면, 도 6에 의거해서, C5항 및 C12항의 변화량 ΔC5 및 ΔC12는 각각 하기 수식 [2] 및 [3]으로 주어진다:
Figure 112008044093732-pat00002
보정 타겟 C5 및 C12가 주어지면, ΔL1 및 ΔL2는 각각 하기 수식 [4] 및 [5]에 의해 산출될 수 있다:
Figure 112008044093732-pat00003
상기 값들을 이용함으로써, 노광 열에 의해 발생되는 저차 성분(C5항) 및 고차 성분(C12항)을 고정밀도로 조정할 수 있다. 여기서, 3개 이상의 광학 소자를 구동해서, 더욱 고차의 비점수차 성분을 조정하는 것도 가능하다.
또, 제1 및 제2광학 소자(11a), (11b)의 구동 기구(12a), (12b)를 45° 회전시킴으로써, C6항 및 C13항의 쌍방을 조정하는 것도 가능하다.
[ 응용예 ]
본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 디바이스 제조방법은, 예를 들어, 반도체 디바이스 및 액정 디바이스를 제조하는 데 적합하다. 이 방법은 기판에 도포된 감광제에 상기 노광장치를 이용해서 원판의 패턴을 전사하는 공정 및 해당 감광제를 현상하는 공정을 포함할 수 있다.
이상, 본 발명은 예시적인 실시형태를 참조해서 설명하였지만, 본 발명은 이러한 개시된 예시적인 실시형태로 제한되는 것이 아님을 이해할 필요가 있다. 이하의 특허청구범위는 이러한 모든 변형, 등가 구성 및 기능을 망라하도록 최광의의 해석에 따르는 것으로 간주된다.
도 1은 비점수차 보정 기구에 있어서의 C5항과 C12항과의 관계를 예시하는 그래프;
도 2는 2개의 비점수차 보정 기구에 있어서의 C5항과 C12항과의 관계를 예시하는 그래프;
도 3은 디바이스를 제조하기 위한 노광장치의 개략 구성을 나타낸 도면;
도 4는 투영 광학계의 구성을 나타낸 단면도;
도 5a는 도 4에 나타낸 투영 광학계의 설계 데이터를 표시한 표;
도 5b는 도 4에 나타낸 투영광학계의 설계 데이터를 표시한 표;
도 6은 제1광학 소자(11a)(G25)와 제2광학 소자(11b)(G26)가 그들의 자체 중량에 의해 변형된 것으로 가정했을 경우의 파면 수차의 제르니케 2θ성분(C5항 및 C12항)의 변화량(즉, 민감도)을 표시한 표.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 조명 광학계 2: 원판(레티클)
4: 투영 광학계 5: 기판
6: 기판 척 7: 기판 스테이지
9: 개구 조리개 10: 구동 기구
11a: 제1광학 소자 11b: 제2광학 소자
12a: 제1구동 기구 12b: 제2구동 기구
24: 제어부 100: 노광장치

Claims (7)

  1. 기판을 노광하는 노광장치에 있어서,
    제1광학 소자 및 제2광학 소자를 포함하여, 원판의 패턴을 상기 기판에 투영하는 투영 광학계;
    상기 제1광학 소자를 구동하는 제1구동 기구;
    상기 제2광학 소자를 구동하는 제2구동 기구;
    상기 투영 광학계의 비점수차가 조정되도록 상기 제1구동 기구와 상기 제2구동 기구를 제어하는 제어부를 포함하되,
    상기 제1구동 기구에 의해서 상기 제1광학 소자가 구동되는 것에 의한 상기 비점수차의 제1차수 성분의 변화량과 상기 비점수차의 제2차수 성분의 변화량은 제1관계를 유지하며,
    상기 제2구동 기구에 의해서 상기 제2광학 소자가 구동되는 것에 의한 상기 비점수차의 제1차수 성분의 변화량과 상기 비점수차의 제2차수 성분의 변화량은 상기 제1관계와는 다른 제2관계를 유지하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1관계 및 상기 제2관계는 각각 상기 제1차수 성분 및 상기 제2차수 성분의 변화량 간에 선형 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1관계의 상기 제1차수 성분과 상기 제2차수 성분의 변화량 간의 비율은 상기 제2관계의 상기 제1차수 성분과 상기 제2차수 성분의 변화량 간의 비율에 대해서 부호가 반대인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1광학 소자 및 상기 제2광학 소자는 상기 투영 광학계의 동공 근방에 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1광학 소자는 상기 제1구동 기구에 의해 구동되는 것에 의해 변형되고, 이것에 의해 상기 비점수차가 변화하고, 상기 제2광학 소자는 상기 제2구동 기구에 의해 구동되는 것에 의해 변형되고, 이것에 의해 상기 비점수차가 변화하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1차수 성분 및 상기 제2차수 성분은 각각 제르니케 다항식(Zernike polynomials)에 있어서의 제1차수의 비점수차 성분과 상기 제1차수보다 고차인 제2차수의 비점수차 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  7. 제1항에 기재된 노광장치를 이용해서 기판을 노광하는 공정; 및
    상기 기판을 노광하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
KR1020080058099A 2007-06-20 2008-06-20 노광장치 및 디바이스 제조방법 KR100945605B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007163018A JP2009004509A (ja) 2007-06-20 2007-06-20 露光装置およびデバイス製造方法
JPJP-P-2007-00163018 2007-06-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080112156A KR20080112156A (ko) 2008-12-24
KR100945605B1 true KR100945605B1 (ko) 2010-03-04

Family

ID=40136117

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080058099A KR100945605B1 (ko) 2007-06-20 2008-06-20 노광장치 및 디바이스 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7643125B2 (ko)
JP (1) JP2009004509A (ko)
KR (1) KR100945605B1 (ko)
TW (1) TW200912563A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101505256B1 (ko) * 2010-04-23 2015-03-30 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 리소그래픽 시스템의 광학 소자의 조작을 포함하는 리소그래픽 시스템의 작동 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980018216A (ko) * 1996-08-08 1998-06-05 고노 시게오 투영 노광 장치
JP2004281697A (ja) 2003-03-14 2004-10-07 Canon Inc 露光装置及び収差補正方法
KR100791161B1 (ko) 2005-04-14 2008-01-02 캐논 가부시끼가이샤 광학장치 및 그것을 구비한 노광장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1039208A (ja) * 1996-07-23 1998-02-13 Nikon Corp 投影光学系
JP3459773B2 (ja) * 1998-06-24 2003-10-27 キヤノン株式会社 投影露光装置及びデバイスの製造方法
JP2000147232A (ja) * 1998-11-06 2000-05-26 Canon Inc 回折光学装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3927774B2 (ja) * 2000-03-21 2007-06-13 キヤノン株式会社 計測方法及びそれを用いた投影露光装置
JP4005763B2 (ja) * 2000-06-30 2007-11-14 株式会社東芝 投影光学系の収差補正方法及び半導体装置の製造方法
WO2003075328A1 (fr) * 2002-03-01 2003-09-12 Nikon Corporation Procede de reglage d'un systeme optique de projection, procede de prediction, procede d'evaluation, procede de reglage, procede d'exposition, dispositif d'exposition, programme et procede de fabrication dudit dispositif
US7262831B2 (en) * 2004-12-01 2007-08-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method using such lithographic projection apparatus
TWI454731B (zh) * 2005-05-27 2014-10-01 Zeiss Carl Smt Gmbh 用於改進投影物鏡的成像性質之方法以及該投影物鏡

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980018216A (ko) * 1996-08-08 1998-06-05 고노 시게오 투영 노광 장치
JP2004281697A (ja) 2003-03-14 2004-10-07 Canon Inc 露光装置及び収差補正方法
KR100791161B1 (ko) 2005-04-14 2008-01-02 캐논 가부시끼가이샤 광학장치 및 그것을 구비한 노광장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101505256B1 (ko) * 2010-04-23 2015-03-30 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 리소그래픽 시스템의 광학 소자의 조작을 포함하는 리소그래픽 시스템의 작동 방법
US9001310B2 (en) 2010-04-23 2015-04-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographic systems and processes of making and using same

Also Published As

Publication number Publication date
TW200912563A (en) 2009-03-16
US7643125B2 (en) 2010-01-05
US20080316443A1 (en) 2008-12-25
JP2009004509A (ja) 2009-01-08
KR20080112156A (ko) 2008-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7088426B2 (en) Projection optical system adjustment method, prediction method, evaluation method, adjustment method, exposure method and exposure apparatus, program, and device manufacturing method
TWI479271B (zh) An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method
KR100791161B1 (ko) 광학장치 및 그것을 구비한 노광장치
US9798243B2 (en) Optical device having a deformable optical element
JP5727005B2 (ja) 光学系及びマルチファセットミラー
JP4741915B2 (ja) 投影システム及びその使用方法
JP5154564B2 (ja) 像収差を低減するための交換可能で操作可能な補正構成を有する光学システム
EP2502117B1 (en) Magnification control for a lithographic imaging system
KR101624758B1 (ko) 마이크로리소그래픽 투사 시스템용 텔레센트릭성 교정기
WO1998048451A1 (fr) Aligneur, procede d&#39;exposition mettant en oeuvre ledit aligneur et procede de fabrication d&#39;un dispositif de circuit
JP2013511843A5 (ko)
JPH07220988A (ja) 投影露光方法及び装置及びこれを用いたデバイス製造方法
WO2018134010A1 (en) Lithographic apparatus and method
WO1999018604A1 (fr) Procede et appareil d&#39;exposition par projection
JPH06349703A (ja) 投影露光装置
KR100945605B1 (ko) 노광장치 및 디바이스 제조방법
WO2002050506A1 (fr) Appareil de mesure de surface d&#39;onde et son utilisation, procede et appareil pour determiner des caracteristiques de mise au point, procede et appareil pour corriger des caracteristiques de mise au point, procede pour gerer des caracteristiques de mise au point, et procede et appareil d&#39;exposition
JP2002319539A (ja) 仕様決定方法及びコンピュータシステム
JP3958261B2 (ja) 光学系の調整方法
JP4408301B2 (ja) 流体および磁気軸受の補償技術
WO2012060099A1 (ja) 光源調整方法、露光方法、デバイス製造方法、照明光学系、及び露光装置
JP2005236258A (ja) 光学装置およびデバイス製造方法
JP2003045795A (ja) 光学特性計測方法、投影光学系の調整方法及び露光方法、並びに露光装置の製造方法
JP2003100612A (ja) 面位置検出装置、合焦装置の調整方法、面位置検出方法、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2012033925A (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130123

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140127

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150127

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160121

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170125

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee