KR100940562B1 - Organic semiconductor display device - Google Patents

Organic semiconductor display device Download PDF

Info

Publication number
KR100940562B1
KR100940562B1 KR1020020080302A KR20020080302A KR100940562B1 KR 100940562 B1 KR100940562 B1 KR 100940562B1 KR 1020020080302 A KR1020020080302 A KR 1020020080302A KR 20020080302 A KR20020080302 A KR 20020080302A KR 100940562 B1 KR100940562 B1 KR 100940562B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
organic semiconductor
layer
insulating layer
organic
Prior art date
Application number
KR1020020080302A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20040053848A (en
Inventor
김보성
홍문표
이용욱
김진홍
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020020080302A priority Critical patent/KR100940562B1/en
Publication of KR20040053848A publication Critical patent/KR20040053848A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100940562B1 publication Critical patent/KR100940562B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/166—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
    • G02F1/167—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect by electrophoresis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background

Abstract

하부 기판; 하부 기판 위에 형성되어 있는 유기 박막 트랜지스터; 유기 박막 트랜지스터에 연결되며 하부 기판 위에 형성되어 있는 화소 전극; 화소 전극 위에 형성되며 마이크로 캡슐화 된 대전 색소를 가지고 있는 표시층; 표시층 위에 형성되어 있는 공통 전극; 공통 전극 위에 형성되어 있는 상부 기판을 포함하는 유기 반도체 표시 장치. Lower substrate; An organic thin film transistor formed on the lower substrate; A pixel electrode connected to the organic thin film transistor and formed on the lower substrate; A display layer formed on the pixel electrode and having a microencapsulated charge pigment; A common electrode formed on the display layer; An organic semiconductor display device comprising an upper substrate formed on a common electrode.

전기 영동 표시 장치, 유기 박막 트랜지스터, 유기물, 대전 색소Electrophoretic Display, Organic Thin Film Transistor, Organics, Charge Pigment

Description

유기 반도체 표시 장치{Organic semiconductor display device}Organic semiconductor display device

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치에 사용된 유기 박막 트랜지스터의 배치도이고,1 is a layout view of an organic thin film transistor used in an organic semiconductor display device according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 잘라 도시한 단면도로서, 상부 및 하부 기판에 전압이 인가되지 않은 상태를 도시한 도면이고,FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II 'of the organic semiconductor display device according to the first embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치를 도시한 단면도로서, 상부 및 하부 기판에 전압이 인가된 상태를 도시한 도면이고,3 is a cross-sectional view illustrating an organic semiconductor display device according to a first exemplary embodiment of the present invention, in which voltages are applied to upper and lower substrates.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치를 도시한 단면도로서, 상부 및 하부 기판에 전압이 인가되지 않은 상태를 도시한 도면이고,4 is a cross-sectional view illustrating an organic semiconductor display device according to a second exemplary embodiment of the present invention, in which no voltage is applied to upper and lower substrates.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치를 도시한 단면도로서, 상부 및 하부 기판에 전압이 인가된 상태를 도시한 도면이다.FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating an organic semiconductor display device according to a second exemplary embodiment of the present invention, in which voltages are applied to upper and lower substrates.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

50 ; 표시층 51 ; 음색소50; Display layer 51; Tone

52 ; 양색소 121 ; 게이트선52; Bicolor 121; Gate line

123 ; 게이트 전극 140 ; 게이트 절연층123; Gate electrode 140; Gate insulation layer

150 ; 유기 반도체 층 160 ; 절연층 150; Organic semiconductor layer 160; Insulation layer                 

161 ; 트렌치 홈 162 ; 접촉구161; Trench grooves 162; Contact

173 ; 소스 전극 175 ; 드레인 전극173; Source electrode 175; Drain electrode

176 ; 화소 전극 연결부 180 ; 보호막176; A pixel electrode connector 180; Shield

190 ; 화소 전극 270 ; 공통 전극 190; Pixel electrode 270; Common electrode

본 발명은 유기 반도체 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic semiconductor display device and a method of manufacturing the same.

차세대 디스 플레이의 구동 소자로서 유기 반도체를 이용한 전계 효과 트랜지스터에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 일반적으로 유기 반도체는 크게 재료적 측면에서 oligothiophene, pentacene, phthalocyanine, C60 등의 저분자 재료와 polythiophene 계열, polythienylenevinylene 등의 고분자 재료로 나뉜다. 저분자 유기 반도체는 전하 이동도(Mobility)가 0.05 내지 1.5로서 우수하며, 점멸비 등의 특성도 우수하다. 그러나, 섀도우 마스크(Shadow mask)를 이용하여 진공 증착을 통해 유기 반도체를 적층하고 패터닝하므로 공정이 복잡하고, 생산성이 떨어져 양산 측면에서 문제가 많다. 반면, 고분자 유기 반도체는 전하 이동도가 0.001 내지 0.1로서 다소 낮지만 용매에 녹여 기판상에 코팅 또는 프린팅이 가능하므로 대면적에 유리하고 양산성이 높다는 장점이 있다. 이러한 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터는 가볍고 얇아서, 대면적과 대량으로 생산가능한 차세대 표시 장치의 구동 소자로서 평가받고 있다. Research into field effect transistors using organic semiconductors as driving devices for next generation displays is being actively conducted. In general, organic semiconductors are largely divided into low molecular materials such as oligothiophene, pentacene, phthalocyanine, C60, and polymer materials such as polythiophene series and polythienylenevinylene. The low molecular organic semiconductor has excellent charge mobility (Mobility) of 0.05 to 1.5, and also has excellent characteristics such as a flashing ratio. However, since the organic semiconductor is laminated and patterned through a vacuum deposition using a shadow mask, the process is complicated and productivity is low, resulting in problems in mass production. On the other hand, the polymer organic semiconductor has a low charge mobility of 0.001 to 0.1 but can be coated or printed on a substrate by dissolving in a solvent, which is advantageous in large area and high in mass productivity. Thin film transistors using such organic semiconductors are light and thin, and are being evaluated as driving elements of next generation display devices that can be produced in large areas and in large quantities.                         

그러나 이러한 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터가 액정 표시 장치 등에 이용되어도 액정 표시 장치의 기판은 유연성이 없고 무거워서 적용에 한계가 있다. However, even when such a thin film transistor using an organic semiconductor is used in a liquid crystal display device or the like, the substrate of the liquid crystal display device is inflexible and heavy, and thus there is a limit in application.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 가볍고 유연성이 있는 유기 반도체 표시 장치를 제공하는 데 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an organic semiconductor display device that is light and flexible.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 유기 반도체 표시 장치는 하부 기판; 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 유기 박막 트랜지스터; 상기 유기 박막 트랜지스터에 연결되며 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 화소 전극; 상기 화소 전극 위에 형성되며 마이크로 캡슐화 된 대전 색소를 가지고 있는 표시층; 상기 표시층 위에 형성되어 있는 공통 전극; 상기 공통 전극 위에 형성되어 있는 상부 기판을 포함하는 것이 바람직하다. In order to achieve the above object, the organic semiconductor display device of the present invention comprises a lower substrate; An organic thin film transistor formed on the lower substrate; A pixel electrode connected to the organic thin film transistor and formed on the lower substrate; A display layer formed on the pixel electrode and having a charge encapsulated microencapsulated; A common electrode formed on the display layer; It is preferable to include an upper substrate formed on the common electrode.

또한, 상기 표시층의 대전 색소는 상기 상부 및 하부 기판에 걸리는 전위차에 의해 음으로 대전된 음색소와 양으로 대전된 양색소로 분리되는 것이 바람직하다. In addition, the charge dye of the display layer is preferably separated into negatively charged tone tone and positively charged positive dye by the potential difference across the upper and lower substrates.

또한, 상기 유기 박막 트랜지스터는 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 덮고 있는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극의 상부에 위치하는 게이트 절연층을 노출하는 트렌지 홈을 가지는 절연층; 상기 트렌치 홈 내부에 형성되어 있는 유기 반도체 층; 상기 유기 반도체 층 및 절연층 위에 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 덮고 있는 보호막을 포함하는 것이 바람직하다. The organic thin film transistor may further include a gate electrode formed on the lower substrate; A gate insulating layer covering the gate electrode; An insulating layer formed on the gate insulating layer and having a trench groove exposing a gate insulating layer positioned on the gate electrode; An organic semiconductor layer formed in the trench grooves; A source electrode and a drain electrode formed on the organic semiconductor layer and the insulating layer; It is preferable to include the protective film which covers the said source electrode and the drain electrode.

또한, 상기 유기 박막 트랜지스터는 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극; 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극; 상기 하부 기판 및 상기 게이트 전극을 덮고 있는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 위에 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 게이트 절연층 위에 형성되어 있으며, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 노출하는 트렌치 홈을 가지는 절연층; 상기 트렌치 홈 내부에 형성되어 있는 유기 반도체 층; 상기 유기 반도체 층 및 절연층을 덮고 있는 보호막을 포함하는 것이 바람직하다. The organic thin film transistor may further include a gate electrode formed on the lower substrate; A gate electrode formed on the lower substrate; A gate insulating layer covering the lower substrate and the gate electrode; A source electrode and a drain electrode formed on the gate insulating layer; An insulating layer formed on the gate insulating layer and having a trench groove exposing the source electrode and the drain electrode; An organic semiconductor layer formed in the trench grooves; It is preferable to include the protective film which covers the said organic semiconductor layer and the insulating layer.

또한, 상기 절연층에는 상기 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 접촉구를 더 형성하는 것이 바람직하다. The insulating layer may further include a contact hole for connecting the pixel electrode and the drain electrode formed on the passivation layer.

또한, 상기 유기 반도체 층은 테트라센 또는 펜타센의 치환기를 포함하는 유도체; 티오펜 링의 2, 5 위치를 통하여 4 내지 8개가 연결된 올리고티오펜; 페릴렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드 또는 그의 이미드 유도체; 나프탈렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드 또는 그의 이미드 유도체; 금속화 프타로시아닌 또는 그의 할로겐화 유도체, 페릴렌 또는 코로엔과 그의 치환기를 포함하는 유도체; 티에닐렌 및 비닐렌의 코올리머 또는 코포리머; 티오펜; 페릴렌 또는 코로렌과 그 들의 치환기를 포함하는 유도체; 또는 상기 물질의 아로마틱 또는 헤테로아로마틱 링에 탄소수 1 내지 30개의 하이드로 카본 체인을 한 개 이상 포함하는 유도체; 중에서 선택 된 어느 하나인 것이 바람직하다. In addition, the organic semiconductor layer is a derivative containing a substituent of tetracene or pentacene; Oligothiophenes linked by 4 to 8 through the 2 and 5 positions of the thiophene ring; Perylenetetra carbocyclic dianhydride or imide derivative thereof; Naphthalenetetra carbocyclic dianhydride or imide derivative thereof; Metalized phthalocyanine or halogenated derivatives thereof, derivatives containing perylene or coroene and substituents thereof; Copolymers or copolymers of thienylene and vinylene; Thiophene; Derivatives containing perylene or corylene and their substituents; Or derivatives comprising at least one hydrocarbon chain having 1 to 30 carbon atoms in the aromatic or heteroaromatic ring of the material; It is preferable that it is any one selected from among.

또한, 상기 하부 기판 및 상부 기판은 플라스틱으로 이루어진 것이 바람직하다. In addition, the lower substrate and the upper substrate is preferably made of plastic.

또한, 상기 게이트 절연층, 절연층 및 보호막은 유기물로 이루어진 것이 바람직하다. In addition, the gate insulating layer, the insulating layer and the protective film is preferably made of an organic material.

또한, 상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 화소 전극 및 공통 전극은 유기물로 이루어진 것이 바람직하다. In addition, the gate electrode, the source electrode, the drain electrode, the pixel electrode and the common electrode is preferably made of an organic material.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치의 유기 박막 트랜지스터의 배치도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치의 단면도로서, 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절단하여 도시한 단면도이다.1 is a layout view of an organic thin film transistor of an organic semiconductor display device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of an organic semiconductor display device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. Is a cross-sectional view taken along a line.

도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치는 하부 기판(110)과, 하부 기판(110) 위에 형성되어 있는 유기 박막 트랜지스터를 포함 한다. 그리고, 이러한 유기 박막 트랜지스터에 연결되어 유기 박막 트랜지스터의 위에 화소 전극(190)이 형성되어 있다. Referring to FIG. 2, the organic semiconductor display device according to the first exemplary embodiment of the present invention includes a lower substrate 110 and an organic thin film transistor formed on the lower substrate 110. The pixel electrode 190 is formed on the organic thin film transistor connected to the organic thin film transistor.

이러한 화소 전극(190) 위에는 마이크로 캡슐화 된 대전 색소(51, 52)를 가지고 있는 표시층(50)이 형성되어 있다. 그리고, 표시층(50) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있으며, 공통 전극(270) 위에 상부 기판(210)이 형성되어 있다. The display layer 50 including the microencapsulated charging pigments 51 and 52 is formed on the pixel electrode 190. The common electrode 270 is formed on the display layer 50, and the upper substrate 210 is formed on the common electrode 270.

하부 기판(110)으로는 투명한 절연 기판을 사용한다. 하부 기판(110)은 플라스틱이나 얇은 유리등의 유연성이 있는 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. As the lower substrate 110, a transparent insulating substrate is used. The lower substrate 110 is preferably made of a flexible material such as plastic or thin glass.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치의 박막 트랜지스터는 투명한 절연 기판(110) 위에 게이트 배선(121, 123, 125)이 형성되어 있다. 게이트 배선(121, 123, 125)은 가로방향으로 길게 형성되어 있는 게이트선(121), 게이트선(121)의 일단에 연결되어 있으며 외부로부터 게이트 신호를 인가 받아 게이트선(121)으로 전달하는 게이트 일단부(125), 게이트선(121)의 일부분인 게이트 전극(123)을 포함한다. 게이트 배선(121, 123, 125)은 유기물로 형성될 수 있다.1 and 2, gate wirings 121, 123, and 125 are formed on a transparent insulating substrate 110 in the thin film transistor of the organic semiconductor display device according to the first embodiment of the present invention. The gate wires 121, 123, and 125 are connected to one end of the gate line 121 and the gate line 121 that are formed to extend in the horizontal direction, and receive a gate signal from the outside and transfer the gate signal to the gate line 121. One end 125 includes a gate electrode 123 that is a part of the gate line 121. The gate lines 121, 123, and 125 may be formed of an organic material.

그리고 게이트 배선(121, 123, 125)을 포함하는 절연 기판(110) 전면에 게이트 절연층(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연층(140)은 유기물로 형성될 수 있다. The gate insulating layer 140 is formed on the entire surface of the insulating substrate 110 including the gate lines 121, 123, and 125. The gate insulating layer 140 may be formed of an organic material.

게이트 절연층(140) 위에 트렌치 홈(161)을 가지는 절연층(160)이 형성되어 있다. 절연층(160)은 유기막과 같은 유전 물질을 사용한다. 트렌치 홈(161)은 게이트 전극(123)의 상부에 형성되어 있다. 그리고 트렌치 홈(161)내에는 유기 반도체 가 주입되어 유기 반도체 층(150)이 형성되어 있다. 트렌치 홈(161)은 유기 반도체가 프린팅 되는 경우에 유기 반도체의 적하 크기(Drop size)가 크거나 정확한 위치에 유기 반도체가 떨어지지 않는 경우, 그리고 적하 크기가 서로 다른 경우에는 주위로 퍼지는 정도가 각각 달라 유기 반도체 층이 균일하게 형성되지 않으므로 이를 방지하기 위해 형성한다. 즉, 트렌치 홈(161)은 용액 상태의 유기 반도체가 일정한 위치에 형성되도록 장벽을 형성하는 역할을 한다. 또한, 트렌치 홈(161)은 측벽이 경사지게 형성되어 있는 것이 바람직하다.An insulating layer 160 having a trench groove 161 is formed on the gate insulating layer 140. The insulating layer 160 uses a dielectric material such as an organic film. The trench grooves 161 are formed on the gate electrode 123. An organic semiconductor is injected into the trench groove 161 to form the organic semiconductor layer 150. The trench grooves 161 have a different spreading degree when the organic semiconductor is printed when the drop size of the organic semiconductor is large or when the organic semiconductor does not drop at the correct position, and when the drop size is different. Since the organic semiconductor layer is not formed uniformly, it is formed to prevent it. That is, the trench groove 161 serves to form a barrier so that the organic semiconductor in a solution state is formed at a predetermined position. In addition, the trench grooves 161 are preferably formed such that sidewalls are inclined.

트렌치 홈(161)에 주입되는 유기 반도체는 수용액이나 유기 용매에 용해되는 고분자 물질이나 저분자 물질이 이용된다. 고분자 유기 반도체는 일반적으로 용매에 잘 용해되므로 프린팅 공정에 적합하다. 그리고, 저분자 유기 반도체중에서도 유기 용매에 잘 용해되는 물질이 있으므로 이를 이용한다. As the organic semiconductor injected into the trench groove 161, a high molecular material or a low molecular material dissolved in an aqueous solution or an organic solvent is used. Polymeric organic semiconductors are generally well soluble in solvents and are suitable for printing processes. In addition, there is a material that is well dissolved in an organic solvent even in a low molecular organic semiconductor is used.

유기 반도체 층(150)은 테트라센(tetracene) 또는 펜타센(pentacene)의 치환기를 포함하는 유도체이거나, 티오펜 링(thiophene ring)의 2, 5 위치를 통하여 4 내지 8개가 연결된 올리고티오펜(oligothiophene) 일 수 있다. The organic semiconductor layer 150 may be a derivative including a substituent of tetratracene or pentacene, or an oligothiophene in which 4 to 8 are linked through 2 and 5 positions of a thiophene ring. Can be).

또한, 유기 반도체 층(150)은 페릴렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드(perylenetetracarboxylic dianhydride, PTCDA) 또는 그의 이미드(imide) 유도체이거나 나프탈렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드(napthalenetetracarboxylic dianhydride, NTCDA) 또는 그의 이미드(imide) 유도체일 수 있다. In addition, the organic semiconductor layer 150 may be perylenetetracarboxylic dianhydride (PTDA) or an imide derivative thereof or naphthalenetetracarboxylic dianhydride (NTCDA) or its already It may be an imide derivative.

또한, 유기 반도체 층(150)은 금속화 프타로시아닌(metallized pthalocyanine) 또는 그의 할로겐화 유도체이거나 페릴렌 또는 코로엔과 그의 치환기를 포함하는 유도체일 수 있다. 여기서 프타로시아닌(metallized pthalocyanine)에 첨가되는 금속으로는 구리, 코발트, 아연 등이 바람직하다. In addition, the organic semiconductor layer 150 may be a metallized pthalocyanine or a halogenated derivative thereof or a derivative including perylene or coroene and substituents thereof. The metal added to metallized pthalocyanine is preferably copper, cobalt, zinc, or the like.

또한, 유기 반도체 층(150)은 티에닐렌(thienylene) 및 비닐렌(vinylene)의 코올리머(co-oligomer) 또는 코포리머(co-polymer)일 수 있다. 또한, 유기 반도체 층(150)은 티오펜(thiophene)일 수 있다. In addition, the organic semiconductor layer 150 may be a co-oligomer or co-polymer of thienylene and vinylene. In addition, the organic semiconductor layer 150 may be thiophene.

또한, 유기 반도체 층(150)은 페릴렌(perylene) 또는 코로렌(coroene)과 그 들의 치환기를 포함하는 유도체일 수 있다.In addition, the organic semiconductor layer 150 may be a derivative including perylene or coroene and substituents thereof.

또한, 유기 반도체 층(150)은 이러한 유도체들의 아로마틱(aromatic) 또는 헤테로아로마틱 링(heteroaromatic ring)에 탄소수 1 내지 30개의 하이드로 카본 체인(hydrocarbon chain)을 한 개 이상 포함하는 유도체일 수 있다.In addition, the organic semiconductor layer 150 may be a derivative including one or more hydrocarbon chains having 1 to 30 carbon atoms in an aromatic or heteroaromatic ring of the derivatives.

절연층(160) 및 유기 반도체 층(150)위에는 데이터 배선(171, 173, 175, 176)이 형성되어 있다. Data lines 171, 173, 175, and 176 are formed on the insulating layer 160 and the organic semiconductor layer 150.

데이터 배선(171, 173, 175, 176, 179)은 게이트선(121)과 수직하게 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선(171), 데이터선(171)의 분지이며 게이트 전극(123)과 일부 중첩되는 소스 전극(173), 데이터선(171)의 일단에 연결되어 있으며 외부로부터의 화상 신호를 인가 받는 데이터 일단부(179), 소스 전극(173)과 분리되어 있으며 게이트 전극(123)에 대하여 소스 전극(173)의 반대편에 형성되어 있는 드레인 전극(175)을 포함한다. 또한, 드레인 전극(175)과 연결되어 화소 전극 연결부(176)가 형성되어 있다. 이러한 데이터 배선은 유기물로 형성될 수 있다. The data wires 171, 173, 175, 176, and 179 are branches of the data line 171 and the data line 171 that vertically intersect the gate line 121 to define a pixel area, and are partially connected to the gate electrode 123. It is connected to one end of the overlapping source electrode 173 and the data line 171, and is separated from the data end portion 179 and the source electrode 173 for receiving an image signal from the outside, and with respect to the gate electrode 123. And a drain electrode 175 formed on the opposite side of the source electrode 173. In addition, the pixel electrode connector 176 is connected to the drain electrode 175. The data line may be formed of an organic material.                     

유기 반도체 층(150)의 상면에 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)의 일부가 겹쳐지도록 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)이 형성되어 있다. The source electrode 173 and the drain electrode 175 are formed on the upper surface of the organic semiconductor layer 150 so that a part of the source electrode 173 and the drain electrode 175 overlap each other.

소스 전극(173), 드레인 전극(175), 화소 전극 연결부(176) 및 접촉층(160)을 덮도록 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 화소 전극 연결부(176)가 노출되도록 접촉구(181)를 가진다. 보호막(180)은 유기물로 형성될 수 있다. 보호막(180) 위에는 접촉구(181)를 통해 드레인 전극(175)과 연결되는 화소 전극(190)이 형성되어 있다. 화소 전극(190)은 유기물로 형성될 수 있다. The passivation layer 180 is formed to cover the source electrode 173, the drain electrode 175, the pixel electrode connection part 176, and the contact layer 160. The passivation layer 180 has a contact hole 181 to expose the pixel electrode connection part 176. The passivation layer 180 may be formed of an organic material. The pixel electrode 190 is formed on the passivation layer 180 to be connected to the drain electrode 175 through the contact hole 181. The pixel electrode 190 may be formed of an organic material.

그리고, 이러한 화소 전극(190)과 소정 간격 이격되어 상부에 상부 기판(210)이 위치한다. 이러한 상부 기판(210)은 플라스틱이나 얇은 유리등의 유연성 있는 소재로 이루어져 있다. The upper substrate 210 is positioned above the pixel electrode 190 at a predetermined interval. The upper substrate 210 is made of a flexible material such as plastic or thin glass.

상부 기판(210)의 아래에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 유기물로 형성될 수 있다. The common electrode 270 is formed under the upper substrate 210. The common electrode 270 may be formed of an organic material.

공통 전극(270)과 화소 전극(190)의 사이에는 표시층(50)이 형성되어 있다. 이러한 표시층(50)에는 다수개의 대전된 색소(51, 52)가 마이크로 캡슐화 되어 있다. The display layer 50 is formed between the common electrode 270 and the pixel electrode 190. In the display layer 50, a plurality of charged pigments 51 and 52 are microencapsulated.

이러한 다수개의 대전된 색소는 음으로 대전된 음색소(51)와 양으로 대전된 양색소(52)로 이루어져 있다. Such a plurality of charged pigments is composed of a negatively charged tone pigment 51 and a positively charged sheep pigment 52.

도 2에 도시된 바와 같이, 상부 및 하부 기판(210, 110)에 전압이 인가되어 있지 않은 경우에는 표시층(50) 내에 음색소(51)와 양색소(52)가 섞여 있다.As shown in FIG. 2, when no voltage is applied to the upper and lower substrates 210 and 110, the tone tone 51 and the positive dye 52 are mixed in the display layer 50.

그러나, 도 3에 도시된 바와 같이, 상부 및 하부 기판(210, 110)에 전압이 인가되면 이렇게 섞여 있던 마이크로 캡슐화된 음색소(51)와 양색소(52)는 상부 및 하부 기판(210, 110)에 걸리는 전위차에 의해 분리된다. 즉, 음색소(51)는 양극으로, 양색소(52)는 음극으로 분리된다. 도 3에는 상부 기판의 공통 전극(270)이 음극으로, 하부 기판의 화소 전극(190)이 양극으로 전압이 인가된 경우를 나타내었다. 따라서, 음색소(51)는 화소 전극(190)의 근처로 몰리고, 양색소(52)는 공통 전극(270)의 근처로 몰려서 음색소(51)와 양색소(52)는 분리된다. However, as shown in FIG. 3, when voltage is applied to the upper and lower substrates 210 and 110, the microencapsulated tones 51 and the two-color pigments 52 thus mixed are the upper and lower substrates 210 and 110. It is separated by a potential difference across). In other words, the tone tone 51 is separated into an anode, and the color tone 52 is separated into a cathode. 3 illustrates a case where a voltage is applied to the common electrode 270 of the upper substrate as the cathode and the pixel electrode 190 of the lower substrate as the anode. Accordingly, the tone tone 51 is driven near the pixel electrode 190, and the positive pigment 52 is driven near the common electrode 270, so that the tone tone 51 and the positive dye 52 are separated.

일반적으로 마이크로 캡슐화된 대전된 색소를 가진 표시층을 가지는 표시 장치를 전기 영동 표시 장치(Electrophoretic display)라 한다. In general, a display device having a display layer having a microencapsulated charged pigment is called an electrophoretic display.

상술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 유기 반도체 표시 장치, 즉, 전기 영동 표시 장치는 상부 및 하부 기판에 인가된 전위차가 사라져도 오랜 시간동안 상이 유지되므로 전력소비가 적다. 또한, 반사율과 컨트래스트(Contrast)가 높다. 그리고, 마이크로 캡슐화되어 있으므로 모든 방향에서 시야각의 차이가 없어서 시야각이 넓다. The organic semiconductor display device according to the present invention configured as described above, that is, the electrophoretic display device has a low power consumption because the image is maintained for a long time even when the potential difference applied to the upper and lower substrates disappears. In addition, the reflectance and contrast are high. And because it is microencapsulated, there is no difference in viewing angle in all directions, so the viewing angle is wide.

또한, 표시층은 유기 박막 트랜지스터가 형성된 하부 기판 위에 라미네이팅을 통해 박막으로 제조 가능하므로 제조 공정이 단순하다. In addition, since the display layer may be manufactured as a thin film through lamination on the lower substrate on which the organic thin film transistor is formed, the manufacturing process is simple.

본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치가 도 4에 도시되어 있다. 여기서, 앞서 도시된 도면에서와 동일한 참조부호는 동일한 기능을 하는 동일한 부재를 가리킨다. An organic semiconductor display device according to a second embodiment of the present invention is illustrated in FIG. 4. Here, the same reference numerals as in the above-described drawings indicate the same members having the same function.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치의 단면도로서, 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절단하여 도시한 단면도이다. 도 1은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 반도체 표시 장치의 유기 박막 트랜지스터의 배치도이기도 하다. FIG. 4 is a cross-sectional view of the organic semiconductor display device according to the second exemplary embodiment, taken along the line II-II ′ of FIG. 1. 1 is a layout view of an organic thin film transistor of an organic semiconductor display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치는 하부 기판(110)과, 하부 기판(110) 위에 형성되어 있는 유기 박막 트랜지스터를 포함한다. 그리고, 이러한 유기 박막 트랜지스터에 연결되어 유기 박막 트랜지스터의 위에 화소 전극(190)이 형성되어 있다. Referring to FIG. 4, the organic semiconductor display device according to the second embodiment of the present invention includes a lower substrate 110 and an organic thin film transistor formed on the lower substrate 110. The pixel electrode 190 is formed on the organic thin film transistor connected to the organic thin film transistor.

이러한 화소 전극(190) 위에는 마이크로 캡슐화 된 대전 색소(51, 52)를 가지고 있는 표시층(50)이 형성되어 있다. 그리고, 표시층(50) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있으며, 공통 전극(270) 위에 상부 기판(210)이 형성되어 있다. The display layer 50 including the microencapsulated charging pigments 51 and 52 is formed on the pixel electrode 190. The common electrode 270 is formed on the display layer 50, and the upper substrate 210 is formed on the common electrode 270.

하부 기판(110)으로는 투명한 절연 기판을 사용한다. 하부 기판(110)은 플라스틱이나 얇은 유리등의 유연성이 있는 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. As the lower substrate 110, a transparent insulating substrate is used. The lower substrate 110 is preferably made of a flexible material such as plastic or thin glass.

도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 유기 박막 트랜지스터는 투명한 절연 기판(110) 위에 게이트 배선(121, 123, 125)이 형성되어 있다. 게이트 배선(121, 123, 125)은 가로방향으로 길게 형성되어 있는 게이트선(121), 게이트선(121)의 일단에 연결되어 있으며 외부로부터 게이트 신호를 인가 받아 게이트선(121)으로 전달하는 게이트 일단부(125), 게이트선(121)의 일부분인 게이트 전극(123)을 포함한다. 게이트 배선(121, 123, 125)은 유기물로 형성될 수 있다. As illustrated in FIGS. 1 and 4, gate lines 121, 123, and 125 are formed on the transparent insulating substrate 110 in the organic thin film transistor. The gate wires 121, 123, and 125 are connected to one end of the gate line 121 and the gate line 121 that are formed to extend in the horizontal direction, and receive a gate signal from the outside and transfer the gate signal to the gate line 121. One end 125 includes a gate electrode 123 that is a part of the gate line 121. The gate lines 121, 123, and 125 may be formed of an organic material.

그리고 게이트 배선(121, 123, 125)을 포함하는 절연 기판(110) 전면에 게이트 절연층(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연층(140)은 유기물로 형성될 수 있다. The gate insulating layer 140 is formed on the entire surface of the insulating substrate 110 including the gate lines 121, 123, and 125. The gate insulating layer 140 may be formed of an organic material.

게이트 절연층(140) 위에는 데이터 배선(171, 173, 175, 176, 179)이 형성되 어 있다. The data lines 171, 173, 175, 176, and 179 are formed on the gate insulating layer 140.

데이터 배선(171, 173, 175, 176, 179)은 게이트선(121)과 수직하게 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선(171), 데이터선(171)의 분지이며 게이트 전극(123)과 일부 중첩되는 소스 전극(173), 데이터선(171)의 일단에 연결되어 있으며 외부로부터의 화상 신호를 인가 받는 데이터 일단부(179), 소스 전극(173)과 분리되어 있으며 게이트 전극(123)에 대하여 소스 전극(173)의 반대편에 형성되어 있는 드레인 전극(175)을 포함한다. 또한, 드레인 전극(175)과 연결되어 화소 전극 연결부(176)가 형성되어 있다. 데이터 배선(171, 173, 175, 176, 179)은 유기물로 형성될 수 있다. The data wires 171, 173, 175, 176, and 179 are branches of the data line 171 and the data line 171 that vertically intersect the gate line 121 to define a pixel area, and are partially connected to the gate electrode 123. It is connected to one end of the overlapping source electrode 173 and the data line 171, and is separated from the data end portion 179 and the source electrode 173 for receiving an image signal from the outside, and with respect to the gate electrode 123. And a drain electrode 175 formed on the opposite side of the source electrode 173. In addition, the pixel electrode connector 176 is connected to the drain electrode 175. The data lines 171, 173, 175, 176, and 179 may be formed of an organic material.

데이터 배선(171, 173, 175, 176) 위에 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 노출하는 트렌치 홈(161), 화소 전극 연결부(176)를 노출하는 접촉구(162)를 가지는 절연층(160)이 형성되어 있다.An insulating layer having a trench groove 161 exposing the source electrode 173 and the drain electrode 175 and a contact hole 162 exposing the pixel electrode connection portion 176 on the data wires 171, 173, 175 and 176. 160 is formed.

절연층(160)은 유기막 등과 같은 유전 물질을 사용한다. 그리고 트렌치 홈(161)내에는 유기 반도체가 채워져 유기 반도체 층(150)을 이루고 있다. 트렌치 홈(161)은 유기 반도체가 프린팅 되는 경우에 유기 반도체의 적하 크기(Drop size)가 크거나 정확한 위치에 유기 반도체가 떨어지지 않는 경우, 그리고 적하 크기가 서로 다른 경우 등에 있어서 유기 반도체가 주위로 퍼지는 정도가 각각 달라 유기 반도체 층이 균일하게 형성되지 않는 것을 방지하기 위해 형성한다. 즉, 트렌치 홈(161)은 용액 상태의 유기 반도체가 일정한 위치에 형성되도록 틀을 형성하는 역할을 한다. 또한, 트렌치 홈(161)은 측벽이 경사지게 형성되어 있는 것이 바람직하 다. The insulating layer 160 uses a dielectric material such as an organic film. The trench groove 161 is filled with an organic semiconductor to form the organic semiconductor layer 150. The trench groove 161 is formed in which the organic semiconductor is spread around when the organic semiconductor is printed, when the organic semiconductor does not drop at a large drop size or at an accurate position, and when the organic semiconductor is different from each other. The degree is different from each other, so as to prevent the organic semiconductor layer from being formed uniformly. That is, the trench grooves 161 form a frame such that the organic semiconductor in a solution state is formed at a predetermined position. In addition, the trench grooves 161 are preferably formed with the sidewalls inclined.

이러한 유기 반도체의 종류는 제1 실시예와 동일하다. The kind of such an organic semiconductor is the same as that of the first embodiment.

절연층(160) 및 유기 반도체 층(150) 위에는 화소 전극 연결부(176)를 노출하는 접촉구(181)를 가지는 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 유기물로 형성될 수 있다. 보호막(180) 위에는 접촉구(162, 181)를 통해 드레인 전극(175)과 연결되는 화소 전극(190)이 형성되어 있다. 화소 전극(190)은 유기물로 형성될 수 있다. A passivation layer 180 having a contact hole 181 exposing the pixel electrode connection part 176 is formed on the insulating layer 160 and the organic semiconductor layer 150. The passivation layer 180 may be formed of an organic material. The pixel electrode 190 connected to the drain electrode 175 is formed on the passivation layer 180 through the contact holes 162 and 181. The pixel electrode 190 may be formed of an organic material.

그리고, 이러한 화소 전극(190)과 소정 간격 이격되어 상부에 상부 기판(210)이 위치한다. 이러한 상부 기판(210)은 플라스틱이나 얇은 유리등의 유연성 있는 소재로 이루어져 있다. The upper substrate 210 is positioned above the pixel electrode 190 at a predetermined interval. The upper substrate 210 is made of a flexible material such as plastic or thin glass.

상부 기판(210)의 아래에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 유기물로 형성될 수 있다. The common electrode 270 is formed under the upper substrate 210. The common electrode 270 may be formed of an organic material.

공통 전극(270)과 화소 전극(190)의 사이에는 표시층(50)이 형성되어 있다. 이러한 표시층(50)에는 다수개의 대전된 색소(51, 52)가 마이크로 캡슐화 되어 있다. The display layer 50 is formed between the common electrode 270 and the pixel electrode 190. In the display layer 50, a plurality of charged pigments 51 and 52 are microencapsulated.

이러한 다수개의 대전된 색소는 음으로 대전된 음색소(51)와 양으로 대전된 양색소(52)로 이루어져 있다. Such a plurality of charged pigments is composed of a negatively charged tone pigment 51 and a positively charged sheep pigment 52.

도 4에 도시된 바와 같이, 상부 및 하부 기판(210, 110)에 전압이 인가되어 있지 않은 경우에는 표시층(50) 내에 음색소(51)와 양색소(52)가 섞여 있다.As shown in FIG. 4, when no voltage is applied to the upper and lower substrates 210 and 110, the tone tone 51 and the positive dye 52 are mixed in the display layer 50.

그러나, 도 5에 도시된 바와 같이, 상부 및 하부 기판(210, 110)에 전압이 인가되면 이렇게 섞여 있던 마이크로 캡슐화된 음색소(51)와 양색소(52)는 상부 및 하부 기판(210, 110)에 걸리는 전위차에 의해 분리된다. 즉, 음색소(51)는 양극으로, 양색소(52)는 음극으로 분리된다. 도 5에는 상부 기판의 공통 전극(270)이 음극으로, 하부 기판의 화소 전극(190)이 양극으로 전압이 인가된 경우를 나타내었다. 따라서, 음색소(51)는 화소 전극(190)의 근처로 몰리고, 양색소(52)는 공통 전극(270)의 근처로 몰려서 음색소(51)와 양색소(52)는 분리된다. However, as shown in FIG. 5, when voltages are applied to the upper and lower substrates 210 and 110, the microencapsulated tones 51 and the two-color pigments 52 thus mixed are the upper and lower substrates 210 and 110. It is separated by a potential difference across). In other words, the tone tone 51 is separated into an anode, and the color tone 52 is separated into a cathode. 5 illustrates a case where a voltage is applied to the common electrode 270 of the upper substrate as the cathode and the pixel electrode 190 of the lower substrate as the anode. Accordingly, the tone tone 51 is driven near the pixel electrode 190, and the positive pigment 52 is driven near the common electrode 270, so that the tone tone 51 and the positive dye 52 are separated.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the accompanying drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Could be. Accordingly, the true scope of protection of the invention should be defined only by the appended claims.

본 발명에 따른 유기 반도체 표시 장치는 유기 박막 트랜지스터를 전기 영동 표시 장치의 구동 소자로 이용함으로써 유연성 있고 가벼운 표시 장치를 만들 수 있다는 장점이 있다. The organic semiconductor display device according to the present invention has an advantage that a flexible and light display device can be made by using an organic thin film transistor as a driving element of an electrophoretic display device.

또한, 전기 영동 표시 장치의 여러 재료들을 유기 재료로 이용함으로써 유연성 있고, 가벼운 표시 장치를 만들 수 있다는 장점이 있다. 또한, 전기 영동 표시 장치는 저 전력 구동이 가능하므로 전하 이동도가 낮은 유기 박막 트랜지스터와 함께 이용할 경우 적합하다.In addition, by using various materials of the electrophoretic display device as an organic material, there is an advantage that a flexible and light display device can be made. In addition, since the electrophoretic display device can be driven with low power, the electrophoretic display device is suitable for use with an organic thin film transistor having low charge mobility.

Claims (11)

삭제delete 삭제delete 하부 기판;Lower substrate; 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 유기 박막 트랜지스터;An organic thin film transistor formed on the lower substrate; 상기 유기 박막 트랜지스터에 연결되며 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 화소 전극;A pixel electrode connected to the organic thin film transistor and formed on the lower substrate; 상기 화소 전극 위에 형성되며 대전 색소를 가지고 있는 표시층;A display layer formed on the pixel electrode and having a charge dye; 상기 표시층 위에 형성되어 있는 공통 전극;A common electrode formed on the display layer; 상기 공통 전극 위에 형성되어 있는 상부 기판An upper substrate formed on the common electrode 을 포함하고,Including, 상기 유기 박막 트랜지스터는 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극;The organic thin film transistor may include a gate electrode formed on the lower substrate; 상기 게이트 전극을 덮고 있는 게이트 절연층;A gate insulating layer covering the gate electrode; 상기 게이트 절연층 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극의 상부에 위치하는 게이트 절연층을 노출하는 트렌치 홈을 가지는 절연층;An insulating layer formed on the gate insulating layer and having a trench groove exposing a gate insulating layer positioned on the gate electrode; 상기 트렌치 홈 내부에 형성되어 있는 유기 반도체 층;An organic semiconductor layer formed in the trench grooves; 상기 유기 반도체 층 및 절연층 위에 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극;A source electrode and a drain electrode formed on the organic semiconductor layer and the insulating layer; 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 덮고 있는 보호막;A passivation layer covering the source electrode and the drain electrode; 을 포함하는 유기 반도체 표시 장치.An organic semiconductor display device comprising a. 하부 기판;Lower substrate; 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 유기 박막 트랜지스터;An organic thin film transistor formed on the lower substrate; 상기 유기 박막 트랜지스터에 연결되며 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 화소 전극;A pixel electrode connected to the organic thin film transistor and formed on the lower substrate; 상기 화소 전극 위에 형성되며 대전 색소를 가지고 있는 표시층;A display layer formed on the pixel electrode and having a charge dye; 상기 표시층 위에 형성되어 있는 공통 전극;A common electrode formed on the display layer; 상기 공통 전극 위에 형성되어 있는 상부 기판An upper substrate formed on the common electrode 을 포함하고,Including, 상기 유기 박막 트랜지스터는 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극;The organic thin film transistor may include a gate electrode formed on the lower substrate; 상기 하부 기판 및 상기 게이트 전극을 덮고 있는 게이트 절연층;A gate insulating layer covering the lower substrate and the gate electrode; 상기 게이트 절연층 위에 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극; A source electrode and a drain electrode formed on the gate insulating layer; 상기 게이트 절연층 위에 형성되어 있으며, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 노출하는 트렌치 홈을 가지는 절연층;An insulating layer formed on the gate insulating layer and having a trench groove exposing the source electrode and the drain electrode; 상기 트렌치 홈 내부에 형성되어 있는 유기 반도체 층;An organic semiconductor layer formed in the trench grooves; 상기 유기 반도체 층 및 절연층을 덮고 있는 보호막;A protective film covering the organic semiconductor layer and the insulating layer; 을 포함하는 유기 반도체 표시 장치.An organic semiconductor display device comprising a. 제3항 또는 제4항에서,The method of claim 3 or 4, 상기 절연층에는 상기 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 접촉구를 더 형성하는 유기 반도체 표시 장치. And an contact hole connecting the pixel electrode and the drain electrode formed on the passivation layer to the insulating layer. 제3항 또는 제4항에서,The method of claim 3 or 4, 상기 유기 반도체 층은 테트라센 또는 펜타센의 치환기를 포함하는 유도체; 티오펜 링의 2, 5 위치를 통하여 4 내지 8개가 연결된 올리고티오펜; 페릴렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드 또는 그의 이미드 유도체; 나프탈렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드 또는 그의 이미드 유도체; 금속화 프타로시아닌 또는 그의 할로겐화 유도체, 페릴렌 또는 코로엔과 그의 치환기를 포함하는 유도체; 티에닐렌 및 비닐렌의 코올리머 또는 코포리머; 티오펜; 페릴렌 또는 코로렌과 그 들의 치환기를 포함하는 유도체 중 선택된 하나의 유기 화합물, 또는 상기 유기 화합물의 아로마틱 또는 헤테로아로마틱 링에 탄소수 1 내지 30개의 하이드로 카본 체인을 한 개 이상 포함하는 유도체 중에서 선택된 어느 하나인 유기 반도체 표시 장치.The organic semiconductor layer is a derivative containing a substituent of tetracene or pentacene; Oligothiophenes linked by 4 to 8 through the 2 and 5 positions of the thiophene ring; Perylenetetra carbocyclic dianhydride or imide derivative thereof; Naphthalenetetra carbocyclic dianhydride or imide derivative thereof; Metalized phthalocyanine or halogenated derivatives thereof, derivatives containing perylene or coroene and substituents thereof; Copolymers or copolymers of thienylene and vinylene; Thiophene; Any one selected from among organic compounds selected from perylene or from corrolene and derivatives thereof or derivatives containing one or more hydrocarbon chains having 1 to 30 carbon atoms in an aromatic or heteroaromatic ring of the organic compound Organic semiconductor display device. 제3항 또는 제4항에서,The method of claim 3 or 4, 상기 하부 기판 및 상부 기판은 플라스틱으로 이루어진 유기 반도체 표시 장치. And the lower substrate and the upper substrate are made of plastic. 제3항 또는 제4항에서,The method of claim 3 or 4, 상기 게이트 절연층, 절연층 및 보호막은 유기물로 이루어진 유기 반도체 표시 장치.The gate insulating layer, the insulating layer, and the protective layer are organic semiconductor display devices. 제3항 또는 제4항에서,The method of claim 3 or 4, 상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 화소 전극 및 공통 전극은 유기물로 이루어진 유기 반도체 표시 장치.The gate electrode, the source electrode, the drain electrode, the pixel electrode, and the common electrode are made of an organic material. 제3항 또는 제4항에서,The method of claim 3 or 4, 상기 표시층의 대전 색소는 마이크로 캡슐화되어 있는 유기 반도체 표시 장치.An organic semiconductor display device wherein the charging dye of the display layer is microencapsulated. 제3항 또는 제4항에서,The method of claim 3 or 4, 상기 표시층의 대전 색소는 상기 상부 및 하부 기판에 걸리는 전위차에 의해 음으로 대전된 음색소와 양으로 대전된 양색소로 분리되는 유기 반도체 표시 장치.The charged dye of the display layer is separated into negatively charged tone pigment and positively charged positive pigment by the potential difference across the upper and lower substrates.
KR1020020080302A 2002-12-16 2002-12-16 Organic semiconductor display device KR100940562B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020080302A KR100940562B1 (en) 2002-12-16 2002-12-16 Organic semiconductor display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020080302A KR100940562B1 (en) 2002-12-16 2002-12-16 Organic semiconductor display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040053848A KR20040053848A (en) 2004-06-25
KR100940562B1 true KR100940562B1 (en) 2010-02-03

Family

ID=37347003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020080302A KR100940562B1 (en) 2002-12-16 2002-12-16 Organic semiconductor display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100940562B1 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101133759B1 (en) * 2004-12-28 2012-04-09 삼성전자주식회사 Electrophoretic indication Display and Method for Manufacturing the same
KR101107680B1 (en) * 2004-12-30 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 Electrophoretic Display Device And Fabricating The Same
KR100719547B1 (en) * 2005-03-24 2007-05-17 삼성에스디아이 주식회사 Method for patterning organic semiconductor layer, OTFT and Fabrication method using the same and flat panel display with OTFT
EP1900032B1 (en) * 2005-06-30 2012-06-06 Creator Technology B.V. Pixel performance improvement by use of a field-shield
KR20080065486A (en) * 2007-01-09 2008-07-14 삼성에스디아이 주식회사 Electrophoretic display apparatus and manufacturing method thereof
KR101158179B1 (en) * 2009-09-14 2012-06-19 삼성전기주식회사 Electronic Paper Display Device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62269124A (en) * 1986-05-17 1987-11-21 Ricoh Co Ltd Electrophoretic display element
JP2002169190A (en) * 2000-12-01 2002-06-14 Seiko Epson Corp Electrophoresis equipment, electronic paper using the same, electronic book using electronic paper, and manufacturing method therefor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62269124A (en) * 1986-05-17 1987-11-21 Ricoh Co Ltd Electrophoretic display element
JP2002169190A (en) * 2000-12-01 2002-06-14 Seiko Epson Corp Electrophoresis equipment, electronic paper using the same, electronic book using electronic paper, and manufacturing method therefor

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040053848A (en) 2004-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101090250B1 (en) Thin film transistor array panel using organic semiconductor and manufacturing method thereof
KR100973811B1 (en) Thin film transistor array panel using organic semiconductor and manufacturing method thereof
KR101133759B1 (en) Electrophoretic indication Display and Method for Manufacturing the same
US7993958B2 (en) Organic thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
US20070024766A1 (en) Organic thin film transistor display panel
KR101551979B1 (en) Thin-film transistor electro-optical device and electronic apparatus
US20070152558A1 (en) Organic thin film transistor array panel
KR101061845B1 (en) Thin film transistor array panel using organic semiconductor and manufacturing method thereof
KR100940562B1 (en) Organic semiconductor display device
KR100925460B1 (en) Organic thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
Kim et al. Materials Chemistry, Device Engineering, and Promising Applications of Polymer Transistors
KR20090010699A (en) Organic thin film transistor array panel and manufacturing method of the same
KR101122231B1 (en) Thin film transistor array panel using organic semiconductor and manufacturing method thereof
KR101251997B1 (en) Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same
KR100749502B1 (en) Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured by the method, and display device using the same
KR20090095027A (en) Display device and manufacturing method thereof
KR101112541B1 (en) Thin film transistor array panel using organic semiconductor and manufacturing method thereof
KR100670354B1 (en) Method of manufacturing organic thin film transistor, organic thin film transistor manufactured by the method, and flat panel display apparatus having the same
KR20060077735A (en) Thin film transistor array panel
US20080073648A1 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
KR20070096609A (en) Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same
KR20100057309A (en) Organic thin film transitor
KR20060042334A (en) Thin film transistor array panel using organic semiconductor and manufacturing method thereof
KR20070105446A (en) Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee