KR100940562B1 - 유기 반도체 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
하부 기판; 하부 기판 위에 형성되어 있는 유기 박막 트랜지스터; 유기 박막 트랜지스터에 연결되며 하부 기판 위에 형성되어 있는 화소 전극; 화소 전극 위에 형성되며 마이크로 캡슐화 된 대전 색소를 가지고 있는 표시층; 표시층 위에 형성되어 있는 공통 전극; 공통 전극 위에 형성되어 있는 상부 기판을 포함하는 유기 반도체 표시 장치.
전기 영동 표시 장치, 유기 박막 트랜지스터, 유기물, 대전 색소
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치에 사용된 유기 박막 트랜지스터의 배치도이고,
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 잘라 도시한 단면도로서, 상부 및 하부 기판에 전압이 인가되지 않은 상태를 도시한 도면이고,
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치를 도시한 단면도로서, 상부 및 하부 기판에 전압이 인가된 상태를 도시한 도면이고,
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치를 도시한 단면도로서, 상부 및 하부 기판에 전압이 인가되지 않은 상태를 도시한 도면이고,
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치를 도시한 단면도로서, 상부 및 하부 기판에 전압이 인가된 상태를 도시한 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
50 ; 표시층 51 ; 음색소
52 ; 양색소 121 ; 게이트선
123 ; 게이트 전극 140 ; 게이트 절연층
150 ; 유기 반도체 층 160 ; 절연층
161 ; 트렌치 홈 162 ; 접촉구
173 ; 소스 전극 175 ; 드레인 전극
176 ; 화소 전극 연결부 180 ; 보호막
190 ; 화소 전극 270 ; 공통 전극
본 발명은 유기 반도체 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
차세대 디스 플레이의 구동 소자로서 유기 반도체를 이용한 전계 효과 트랜지스터에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 일반적으로 유기 반도체는 크게 재료적 측면에서 oligothiophene, pentacene, phthalocyanine, C60 등의 저분자 재료와 polythiophene 계열, polythienylenevinylene 등의 고분자 재료로 나뉜다. 저분자 유기 반도체는 전하 이동도(Mobility)가 0.05 내지 1.5로서 우수하며, 점멸비 등의 특성도 우수하다. 그러나, 섀도우 마스크(Shadow mask)를 이용하여 진공 증착을 통해 유기 반도체를 적층하고 패터닝하므로 공정이 복잡하고, 생산성이 떨어져 양산 측면에서 문제가 많다. 반면, 고분자 유기 반도체는 전하 이동도가 0.001 내지 0.1로서 다소 낮지만 용매에 녹여 기판상에 코팅 또는 프린팅이 가능하므로 대면적에 유리하고 양산성이 높다는 장점이 있다. 이러한 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터는 가볍고 얇아서, 대면적과 대량으로 생산가능한 차세대 표시 장치의 구동 소자로서 평가받고 있다.
그러나 이러한 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터가 액정 표시 장치 등에 이용되어도 액정 표시 장치의 기판은 유연성이 없고 무거워서 적용에 한계가 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 가볍고 유연성이 있는 유기 반도체 표시 장치를 제공하는 데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 유기 반도체 표시 장치는 하부 기판; 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 유기 박막 트랜지스터; 상기 유기 박막 트랜지스터에 연결되며 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 화소 전극; 상기 화소 전극 위에 형성되며 마이크로 캡슐화 된 대전 색소를 가지고 있는 표시층; 상기 표시층 위에 형성되어 있는 공통 전극; 상기 공통 전극 위에 형성되어 있는 상부 기판을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 표시층의 대전 색소는 상기 상부 및 하부 기판에 걸리는 전위차에 의해 음으로 대전된 음색소와 양으로 대전된 양색소로 분리되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 유기 박막 트랜지스터는 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 덮고 있는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극의 상부에 위치하는 게이트 절연층을 노출하는 트렌지 홈을 가지는 절연층; 상기 트렌치 홈 내부에 형성되어 있는 유기 반도체 층; 상기 유기 반도체 층 및 절연층 위에 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 덮고 있는 보호막을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 유기 박막 트랜지스터는 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극; 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극; 상기 하부 기판 및 상기 게이트 전극을 덮고 있는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 위에 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 게이트 절연층 위에 형성되어 있으며, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 노출하는 트렌치 홈을 가지는 절연층; 상기 트렌치 홈 내부에 형성되어 있는 유기 반도체 층; 상기 유기 반도체 층 및 절연층을 덮고 있는 보호막을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 절연층에는 상기 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 접촉구를 더 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 유기 반도체 층은 테트라센 또는 펜타센의 치환기를 포함하는 유도체; 티오펜 링의 2, 5 위치를 통하여 4 내지 8개가 연결된 올리고티오펜; 페릴렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드 또는 그의 이미드 유도체; 나프탈렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드 또는 그의 이미드 유도체; 금속화 프타로시아닌 또는 그의 할로겐화 유도체, 페릴렌 또는 코로엔과 그의 치환기를 포함하는 유도체; 티에닐렌 및 비닐렌의 코올리머 또는 코포리머; 티오펜; 페릴렌 또는 코로렌과 그 들의 치환기를 포함하는 유도체; 또는 상기 물질의 아로마틱 또는 헤테로아로마틱 링에 탄소수 1 내지 30개의 하이드로 카본 체인을 한 개 이상 포함하는 유도체; 중에서 선택 된 어느 하나인 것이 바람직하다.
또한, 상기 하부 기판 및 상부 기판은 플라스틱으로 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 상기 게이트 절연층, 절연층 및 보호막은 유기물로 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 화소 전극 및 공통 전극은 유기물로 이루어진 것이 바람직하다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치의 유기 박막 트랜지스터의 배치도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치의 단면도로서, 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절단하여 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치는 하부 기판(110)과, 하부 기판(110) 위에 형성되어 있는 유기 박막 트랜지스터를 포함 한다. 그리고, 이러한 유기 박막 트랜지스터에 연결되어 유기 박막 트랜지스터의 위에 화소 전극(190)이 형성되어 있다.
이러한 화소 전극(190) 위에는 마이크로 캡슐화 된 대전 색소(51, 52)를 가지고 있는 표시층(50)이 형성되어 있다. 그리고, 표시층(50) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있으며, 공통 전극(270) 위에 상부 기판(210)이 형성되어 있다.
하부 기판(110)으로는 투명한 절연 기판을 사용한다. 하부 기판(110)은 플라스틱이나 얇은 유리등의 유연성이 있는 재료로 이루어지는 것이 바람직하다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치의 박막 트랜지스터는 투명한 절연 기판(110) 위에 게이트 배선(121, 123, 125)이 형성되어 있다. 게이트 배선(121, 123, 125)은 가로방향으로 길게 형성되어 있는 게이트선(121), 게이트선(121)의 일단에 연결되어 있으며 외부로부터 게이트 신호를 인가 받아 게이트선(121)으로 전달하는 게이트 일단부(125), 게이트선(121)의 일부분인 게이트 전극(123)을 포함한다. 게이트 배선(121, 123, 125)은 유기물로 형성될 수 있다.
그리고 게이트 배선(121, 123, 125)을 포함하는 절연 기판(110) 전면에 게이트 절연층(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연층(140)은 유기물로 형성될 수 있다.
게이트 절연층(140) 위에 트렌치 홈(161)을 가지는 절연층(160)이 형성되어 있다. 절연층(160)은 유기막과 같은 유전 물질을 사용한다. 트렌치 홈(161)은 게이트 전극(123)의 상부에 형성되어 있다. 그리고 트렌치 홈(161)내에는 유기 반도체 가 주입되어 유기 반도체 층(150)이 형성되어 있다. 트렌치 홈(161)은 유기 반도체가 프린팅 되는 경우에 유기 반도체의 적하 크기(Drop size)가 크거나 정확한 위치에 유기 반도체가 떨어지지 않는 경우, 그리고 적하 크기가 서로 다른 경우에는 주위로 퍼지는 정도가 각각 달라 유기 반도체 층이 균일하게 형성되지 않으므로 이를 방지하기 위해 형성한다. 즉, 트렌치 홈(161)은 용액 상태의 유기 반도체가 일정한 위치에 형성되도록 장벽을 형성하는 역할을 한다. 또한, 트렌치 홈(161)은 측벽이 경사지게 형성되어 있는 것이 바람직하다.
트렌치 홈(161)에 주입되는 유기 반도체는 수용액이나 유기 용매에 용해되는 고분자 물질이나 저분자 물질이 이용된다. 고분자 유기 반도체는 일반적으로 용매에 잘 용해되므로 프린팅 공정에 적합하다. 그리고, 저분자 유기 반도체중에서도 유기 용매에 잘 용해되는 물질이 있으므로 이를 이용한다.
유기 반도체 층(150)은 테트라센(tetracene) 또는 펜타센(pentacene)의 치환기를 포함하는 유도체이거나, 티오펜 링(thiophene ring)의 2, 5 위치를 통하여 4 내지 8개가 연결된 올리고티오펜(oligothiophene) 일 수 있다.
또한, 유기 반도체 층(150)은 페릴렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드(perylenetetracarboxylic dianhydride, PTCDA) 또는 그의 이미드(imide) 유도체이거나 나프탈렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드(napthalenetetracarboxylic dianhydride, NTCDA) 또는 그의 이미드(imide) 유도체일 수 있다.
또한, 유기 반도체 층(150)은 금속화 프타로시아닌(metallized pthalocyanine) 또는 그의 할로겐화 유도체이거나 페릴렌 또는 코로엔과 그의 치환기를 포함하는 유도체일 수 있다. 여기서 프타로시아닌(metallized pthalocyanine)에 첨가되는 금속으로는 구리, 코발트, 아연 등이 바람직하다.
또한, 유기 반도체 층(150)은 티에닐렌(thienylene) 및 비닐렌(vinylene)의 코올리머(co-oligomer) 또는 코포리머(co-polymer)일 수 있다. 또한, 유기 반도체 층(150)은 티오펜(thiophene)일 수 있다.
또한, 유기 반도체 층(150)은 페릴렌(perylene) 또는 코로렌(coroene)과 그 들의 치환기를 포함하는 유도체일 수 있다.
또한, 유기 반도체 층(150)은 이러한 유도체들의 아로마틱(aromatic) 또는 헤테로아로마틱 링(heteroaromatic ring)에 탄소수 1 내지 30개의 하이드로 카본 체인(hydrocarbon chain)을 한 개 이상 포함하는 유도체일 수 있다.
절연층(160) 및 유기 반도체 층(150)위에는 데이터 배선(171, 173, 175, 176)이 형성되어 있다.
데이터 배선(171, 173, 175, 176, 179)은 게이트선(121)과 수직하게 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선(171), 데이터선(171)의 분지이며 게이트 전극(123)과 일부 중첩되는 소스 전극(173), 데이터선(171)의 일단에 연결되어 있으며 외부로부터의 화상 신호를 인가 받는 데이터 일단부(179), 소스 전극(173)과 분리되어 있으며 게이트 전극(123)에 대하여 소스 전극(173)의 반대편에 형성되어 있는 드레인 전극(175)을 포함한다. 또한, 드레인 전극(175)과 연결되어 화소 전극 연결부(176)가 형성되어 있다. 이러한 데이터 배선은 유기물로 형성될 수 있다.
유기 반도체 층(150)의 상면에 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)의 일부가 겹쳐지도록 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)이 형성되어 있다.
소스 전극(173), 드레인 전극(175), 화소 전극 연결부(176) 및 접촉층(160)을 덮도록 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 화소 전극 연결부(176)가 노출되도록 접촉구(181)를 가진다. 보호막(180)은 유기물로 형성될 수 있다. 보호막(180) 위에는 접촉구(181)를 통해 드레인 전극(175)과 연결되는 화소 전극(190)이 형성되어 있다. 화소 전극(190)은 유기물로 형성될 수 있다.
그리고, 이러한 화소 전극(190)과 소정 간격 이격되어 상부에 상부 기판(210)이 위치한다. 이러한 상부 기판(210)은 플라스틱이나 얇은 유리등의 유연성 있는 소재로 이루어져 있다.
상부 기판(210)의 아래에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 유기물로 형성될 수 있다.
공통 전극(270)과 화소 전극(190)의 사이에는 표시층(50)이 형성되어 있다. 이러한 표시층(50)에는 다수개의 대전된 색소(51, 52)가 마이크로 캡슐화 되어 있다.
이러한 다수개의 대전된 색소는 음으로 대전된 음색소(51)와 양으로 대전된 양색소(52)로 이루어져 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상부 및 하부 기판(210, 110)에 전압이 인가되어 있지 않은 경우에는 표시층(50) 내에 음색소(51)와 양색소(52)가 섞여 있다.
그러나, 도 3에 도시된 바와 같이, 상부 및 하부 기판(210, 110)에 전압이 인가되면 이렇게 섞여 있던 마이크로 캡슐화된 음색소(51)와 양색소(52)는 상부 및 하부 기판(210, 110)에 걸리는 전위차에 의해 분리된다. 즉, 음색소(51)는 양극으로, 양색소(52)는 음극으로 분리된다. 도 3에는 상부 기판의 공통 전극(270)이 음극으로, 하부 기판의 화소 전극(190)이 양극으로 전압이 인가된 경우를 나타내었다. 따라서, 음색소(51)는 화소 전극(190)의 근처로 몰리고, 양색소(52)는 공통 전극(270)의 근처로 몰려서 음색소(51)와 양색소(52)는 분리된다.
일반적으로 마이크로 캡슐화된 대전된 색소를 가진 표시층을 가지는 표시 장치를 전기 영동 표시 장치(Electrophoretic display)라 한다.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 유기 반도체 표시 장치, 즉, 전기 영동 표시 장치는 상부 및 하부 기판에 인가된 전위차가 사라져도 오랜 시간동안 상이 유지되므로 전력소비가 적다. 또한, 반사율과 컨트래스트(Contrast)가 높다. 그리고, 마이크로 캡슐화되어 있으므로 모든 방향에서 시야각의 차이가 없어서 시야각이 넓다.
또한, 표시층은 유기 박막 트랜지스터가 형성된 하부 기판 위에 라미네이팅을 통해 박막으로 제조 가능하므로 제조 공정이 단순하다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치가 도 4에 도시되어 있다. 여기서, 앞서 도시된 도면에서와 동일한 참조부호는 동일한 기능을 하는 동일한 부재를 가리킨다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치의 단면도로서, 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절단하여 도시한 단면도이다. 도 1은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 반도체 표시 장치의 유기 박막 트랜지스터의 배치도이기도 하다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 반도체 표시 장치는 하부 기판(110)과, 하부 기판(110) 위에 형성되어 있는 유기 박막 트랜지스터를 포함한다. 그리고, 이러한 유기 박막 트랜지스터에 연결되어 유기 박막 트랜지스터의 위에 화소 전극(190)이 형성되어 있다.
이러한 화소 전극(190) 위에는 마이크로 캡슐화 된 대전 색소(51, 52)를 가지고 있는 표시층(50)이 형성되어 있다. 그리고, 표시층(50) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있으며, 공통 전극(270) 위에 상부 기판(210)이 형성되어 있다.
하부 기판(110)으로는 투명한 절연 기판을 사용한다. 하부 기판(110)은 플라스틱이나 얇은 유리등의 유연성이 있는 재료로 이루어지는 것이 바람직하다.
도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 유기 박막 트랜지스터는 투명한 절연 기판(110) 위에 게이트 배선(121, 123, 125)이 형성되어 있다. 게이트 배선(121, 123, 125)은 가로방향으로 길게 형성되어 있는 게이트선(121), 게이트선(121)의 일단에 연결되어 있으며 외부로부터 게이트 신호를 인가 받아 게이트선(121)으로 전달하는 게이트 일단부(125), 게이트선(121)의 일부분인 게이트 전극(123)을 포함한다. 게이트 배선(121, 123, 125)은 유기물로 형성될 수 있다.
그리고 게이트 배선(121, 123, 125)을 포함하는 절연 기판(110) 전면에 게이트 절연층(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연층(140)은 유기물로 형성될 수 있다.
게이트 절연층(140) 위에는 데이터 배선(171, 173, 175, 176, 179)이 형성되 어 있다.
데이터 배선(171, 173, 175, 176, 179)은 게이트선(121)과 수직하게 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선(171), 데이터선(171)의 분지이며 게이트 전극(123)과 일부 중첩되는 소스 전극(173), 데이터선(171)의 일단에 연결되어 있으며 외부로부터의 화상 신호를 인가 받는 데이터 일단부(179), 소스 전극(173)과 분리되어 있으며 게이트 전극(123)에 대하여 소스 전극(173)의 반대편에 형성되어 있는 드레인 전극(175)을 포함한다. 또한, 드레인 전극(175)과 연결되어 화소 전극 연결부(176)가 형성되어 있다. 데이터 배선(171, 173, 175, 176, 179)은 유기물로 형성될 수 있다.
데이터 배선(171, 173, 175, 176) 위에 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 노출하는 트렌치 홈(161), 화소 전극 연결부(176)를 노출하는 접촉구(162)를 가지는 절연층(160)이 형성되어 있다.
절연층(160)은 유기막 등과 같은 유전 물질을 사용한다. 그리고 트렌치 홈(161)내에는 유기 반도체가 채워져 유기 반도체 층(150)을 이루고 있다. 트렌치 홈(161)은 유기 반도체가 프린팅 되는 경우에 유기 반도체의 적하 크기(Drop size)가 크거나 정확한 위치에 유기 반도체가 떨어지지 않는 경우, 그리고 적하 크기가 서로 다른 경우 등에 있어서 유기 반도체가 주위로 퍼지는 정도가 각각 달라 유기 반도체 층이 균일하게 형성되지 않는 것을 방지하기 위해 형성한다. 즉, 트렌치 홈(161)은 용액 상태의 유기 반도체가 일정한 위치에 형성되도록 틀을 형성하는 역할을 한다. 또한, 트렌치 홈(161)은 측벽이 경사지게 형성되어 있는 것이 바람직하 다.
이러한 유기 반도체의 종류는 제1 실시예와 동일하다.
절연층(160) 및 유기 반도체 층(150) 위에는 화소 전극 연결부(176)를 노출하는 접촉구(181)를 가지는 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 유기물로 형성될 수 있다. 보호막(180) 위에는 접촉구(162, 181)를 통해 드레인 전극(175)과 연결되는 화소 전극(190)이 형성되어 있다. 화소 전극(190)은 유기물로 형성될 수 있다.
그리고, 이러한 화소 전극(190)과 소정 간격 이격되어 상부에 상부 기판(210)이 위치한다. 이러한 상부 기판(210)은 플라스틱이나 얇은 유리등의 유연성 있는 소재로 이루어져 있다.
상부 기판(210)의 아래에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 유기물로 형성될 수 있다.
공통 전극(270)과 화소 전극(190)의 사이에는 표시층(50)이 형성되어 있다. 이러한 표시층(50)에는 다수개의 대전된 색소(51, 52)가 마이크로 캡슐화 되어 있다.
이러한 다수개의 대전된 색소는 음으로 대전된 음색소(51)와 양으로 대전된 양색소(52)로 이루어져 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상부 및 하부 기판(210, 110)에 전압이 인가되어 있지 않은 경우에는 표시층(50) 내에 음색소(51)와 양색소(52)가 섞여 있다.
그러나, 도 5에 도시된 바와 같이, 상부 및 하부 기판(210, 110)에 전압이 인가되면 이렇게 섞여 있던 마이크로 캡슐화된 음색소(51)와 양색소(52)는 상부 및 하부 기판(210, 110)에 걸리는 전위차에 의해 분리된다. 즉, 음색소(51)는 양극으로, 양색소(52)는 음극으로 분리된다. 도 5에는 상부 기판의 공통 전극(270)이 음극으로, 하부 기판의 화소 전극(190)이 양극으로 전압이 인가된 경우를 나타내었다. 따라서, 음색소(51)는 화소 전극(190)의 근처로 몰리고, 양색소(52)는 공통 전극(270)의 근처로 몰려서 음색소(51)와 양색소(52)는 분리된다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
본 발명에 따른 유기 반도체 표시 장치는 유기 박막 트랜지스터를 전기 영동 표시 장치의 구동 소자로 이용함으로써 유연성 있고 가벼운 표시 장치를 만들 수 있다는 장점이 있다.
또한, 전기 영동 표시 장치의 여러 재료들을 유기 재료로 이용함으로써 유연성 있고, 가벼운 표시 장치를 만들 수 있다는 장점이 있다. 또한, 전기 영동 표시 장치는 저 전력 구동이 가능하므로 전하 이동도가 낮은 유기 박막 트랜지스터와 함께 이용할 경우 적합하다.
Claims (11)
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- 하부 기판;상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 유기 박막 트랜지스터;상기 유기 박막 트랜지스터에 연결되며 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 화소 전극;상기 화소 전극 위에 형성되며 대전 색소를 가지고 있는 표시층;상기 표시층 위에 형성되어 있는 공통 전극;상기 공통 전극 위에 형성되어 있는 상부 기판을 포함하고,상기 유기 박막 트랜지스터는 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극;상기 게이트 전극을 덮고 있는 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극의 상부에 위치하는 게이트 절연층을 노출하는 트렌치 홈을 가지는 절연층;상기 트렌치 홈 내부에 형성되어 있는 유기 반도체 층;상기 유기 반도체 층 및 절연층 위에 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 드레인 전극을 덮고 있는 보호막;을 포함하는 유기 반도체 표시 장치.
- 하부 기판;상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 유기 박막 트랜지스터;상기 유기 박막 트랜지스터에 연결되며 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 화소 전극;상기 화소 전극 위에 형성되며 대전 색소를 가지고 있는 표시층;상기 표시층 위에 형성되어 있는 공통 전극;상기 공통 전극 위에 형성되어 있는 상부 기판을 포함하고,상기 유기 박막 트랜지스터는 상기 하부 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극;상기 하부 기판 및 상기 게이트 전극을 덮고 있는 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 위에 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극;상기 게이트 절연층 위에 형성되어 있으며, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 노출하는 트렌치 홈을 가지는 절연층;상기 트렌치 홈 내부에 형성되어 있는 유기 반도체 층;상기 유기 반도체 층 및 절연층을 덮고 있는 보호막;을 포함하는 유기 반도체 표시 장치.
- 제3항 또는 제4항에서,상기 절연층에는 상기 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 접촉구를 더 형성하는 유기 반도체 표시 장치.
- 제3항 또는 제4항에서,상기 유기 반도체 층은 테트라센 또는 펜타센의 치환기를 포함하는 유도체; 티오펜 링의 2, 5 위치를 통하여 4 내지 8개가 연결된 올리고티오펜; 페릴렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드 또는 그의 이미드 유도체; 나프탈렌테트라 카보실릭 디안하이드라이드 또는 그의 이미드 유도체; 금속화 프타로시아닌 또는 그의 할로겐화 유도체, 페릴렌 또는 코로엔과 그의 치환기를 포함하는 유도체; 티에닐렌 및 비닐렌의 코올리머 또는 코포리머; 티오펜; 페릴렌 또는 코로렌과 그 들의 치환기를 포함하는 유도체 중 선택된 하나의 유기 화합물, 또는 상기 유기 화합물의 아로마틱 또는 헤테로아로마틱 링에 탄소수 1 내지 30개의 하이드로 카본 체인을 한 개 이상 포함하는 유도체 중에서 선택된 어느 하나인 유기 반도체 표시 장치.
- 제3항 또는 제4항에서,상기 하부 기판 및 상부 기판은 플라스틱으로 이루어진 유기 반도체 표시 장치.
- 제3항 또는 제4항에서,상기 게이트 절연층, 절연층 및 보호막은 유기물로 이루어진 유기 반도체 표시 장치.
- 제3항 또는 제4항에서,상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 화소 전극 및 공통 전극은 유기물로 이루어진 유기 반도체 표시 장치.
- 제3항 또는 제4항에서,상기 표시층의 대전 색소는 마이크로 캡슐화되어 있는 유기 반도체 표시 장치.
- 제3항 또는 제4항에서,상기 표시층의 대전 색소는 상기 상부 및 하부 기판에 걸리는 전위차에 의해 음으로 대전된 음색소와 양으로 대전된 양색소로 분리되는 유기 반도체 표시 장치.
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