KR100905897B1 - 탑재대의 온도 제어 장치 및 탑재대의 온도 제어 방법 및처리 장치 및 탑재대 온도 제어 프로그램 - Google Patents
탑재대의 온도 제어 장치 및 탑재대의 온도 제어 방법 및처리 장치 및 탑재대 온도 제어 프로그램 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100905897B1 KR100905897B1 KR1020060028274A KR20060028274A KR100905897B1 KR 100905897 B1 KR100905897 B1 KR 100905897B1 KR 1020060028274 A KR1020060028274 A KR 1020060028274A KR 20060028274 A KR20060028274 A KR 20060028274A KR 100905897 B1 KR100905897 B1 KR 100905897B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- refrigerant
- temperature
- temperature control
- passage
- circulator
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 75
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 60
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims abstract description 343
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 83
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 94
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- 238000007710 freezing Methods 0.000 claims description 7
- 230000008014 freezing Effects 0.000 claims description 7
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 36
- 230000006870 function Effects 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- -1 chlorine halide Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003936 working memory Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
Abstract
Description
Claims (25)
- 피처리체를 탑재하는 탑재대의 온도를 제어하기 위한 탑재대 온도 제어 장치에 있어서,상기 탑재대에 마련된 각각 개별의 입구 및 출구를 가지는 제 1 및 제 2 냉매 통로와,상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매를 순환 공급하기 위해서, 상기 제 1 냉매 통로의 입구에 제 1 유로를 거쳐서 접속된 송출구와, 상기 제 2 냉매 통로의 출구에 제 2 유로를 거쳐서 접속된 귀환구를 가지고, 상기 귀환구에 귀환한 냉매를 기준 온도로 되돌려 상기 송출구로부터 송출하는 냉매 순환기와,상기 제 1 유로의 도중에 냉매의 온도를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키는 냉매 온도 제어부와,상기 제 1 냉매 통로의 출구에 제 3 유로를 거쳐서 접속된 제 1 포트와, 상기 제 1 유로의 상기 냉매 온도 제어부보다도 상류측에 마련된 제 1 유로 분기점에 제 4 유로를 거쳐서 접속된 제 2 포트와, 상기 제 2 냉매 통로의 입구에 제 5 유로를 거쳐서 접속된 제 3 포트와, 상기 제 2 유로에 마련된 제 2 유로 분기점에 제 6 유로를 거쳐서 접속된 제 4 포트를 가지고, 상기 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 포트의 사이에서 유로의 도통, 차단 및 변경이 가능한 유로 전환부와,상기 유로 전환부내의 상기 유로의 도통, 차단 또는 변경을 제어하는 유로 제어부를 가지는 탑재대 온도 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 유로 전환부가, 상기 제 1 포트와 상기 제 3 포트와의 사이에 접속된 제 1 개폐 밸브와, 상기 제 1 포트와 상기 제 4 포트와의 사이에 접속된 제 2 개폐 밸브와, 상기 제 2 포트와 상기 제 3 포트의 사이에 접속된 제 3 개폐 밸브와, 상기 제 2 포트와 상기 제 4 포트의 사이에 접속된 제 4 개폐 밸브를 가지고,상기 유로 제어부가, 상기 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 개폐 밸브의 온·오프를 제어하는 탑재대 온도 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 유로 전환부가, 상기 제 1 포트와 상기 제 3 및 제 4 포트의 사이에 접속된 제 1 방향 전환 밸브와, 상기 제 2 포트와 상기 제 3 및 제 4 포트의 사이에 접속된 제 2 방향 전환 밸브를 가지고,상기 유로 제어부가, 상기 제 1 및 제 2 방향 전환 밸브내의 각각의 유로 상태를 제어하는 탑재대 온도 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 냉매 온도 제어부가상기 제 1 유로에 부착된 인라인 히터와,상기 인라인 히터보다도 하류측에서 상기 제 1 유로내의 냉매 온도를 검출하는 온도 센서와,상기 온도 센서에 의해서 검출되는 냉매 온도를 상기 설정 온도에 일치시키도록 상기 인라인 히터의 발열량을 제어하는 온도 제어부를 가지는 탑재대 온도 제어 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 인라인 히터가, 상기 탑재대에 가까운 위치에서 상기 제 1 유로내의 냉매를 가열하는 탑재대 온도 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 유로의 상기 제 1 유로 분기점보다도 하류측에 냉매의 유량을 가변 제어하기 위한 유량 제어 밸브가 마련되는 탑재대 온도 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로는, 상기 탑재대의 중심에 대하여 동심원 형상으로 배치되어 있는 탑재대 온도 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 냉매 통로가 상기 탑재대의 중심부 영역에 마련되어, 상기 제 2 냉매 통로가 상기 탑재대의 주변부 영역에 마련되는 탑재대 온도 제어 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 냉매 순환기가, 냉매를 순환시키기 위한 펌프와, 귀환 직후의 냉매를 냉동하기 위한 냉동부와, 냉동후의 냉매를 소정의 기준 온도까지 가열하는 가열부를 가지는 탑재대 온도 제어 장치.
- 피처리체를 탑재하는 탑재대에 마련된 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매 순환기로부터 냉매를 순환 공급시켜 상기 탑재대의 온도를 제어하는 탑재대 온도 제어 방법에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구와의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 기준 온도로 송 출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 냉매 통로로 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 1 온도 제어 모드를 가지는 탑재대 온도 제어 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 냉매 통로로 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 2 온도 제어 모드를 또한 가지고,상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드와 상기 제 2 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기의 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 3 온도 제어 모드를 또한 가지고,상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드와 상기 제 2 온도 제어 모드와 상기 제 3 온도 제어 모드의 사이에서 교환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매의 전부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 및 제 2 유체 통로에 순차적으로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 4 온도 제어 모드를 또한 가지고,상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드와 상기 제 2 온도 제어 모드와 상기 제 4 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상 기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 5 온도 제어 모드를 또한 가지고,상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드, 상기 제 3 온도 제어 모드와 상기 제 5 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 5 온도 제어 모드를 또한 가지고,상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드, 상기 제 4 온도 제어 모드와 상기 제 5 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기의 송출된 냉매의 전부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 6 온도 제어 모드를 또한 가지고,상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드, 상기 제 3 온도 제어 모드와 상기 제 6 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기의 송출된 냉매의 전부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 6 온도 제어 모드를 또한 가지고,상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드, 상기 제 4 온도 제어 모드와 상기 제 6 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온 도 제어 방법.
- 피처리체를 탑재하는 탑재대에 마련된 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매 순환기로부터 냉매를 순환 공급시켜 상기 탑재대의 온도를 제어하는 탑재대 온도 제어 방법에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 기준 온도로 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 냉매 통로로 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 1 온도 제어 모드와,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 냉매 통로로 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 2 온도 제어 모드와,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기의 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 3 온도 제어 모드와,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하여, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 5 온도 제어 모드 중,상기 제 1 모드와, 상기 제 2, 제 3, 제 5 모드의 적어도 하나의 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법.
- 피처리체를 탑재하는 탑재대를 수용하는 감압 가능한 챔버와,상기 탑재대의 온도를 제어하기 위한 제 1 항에 기재된 탑재대 온도 제어 장치와,상기 챔버내를 배기하기 위한 배기부와,상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부를 가지는 피처리기판 처리 장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 챔버내에 상기 처리 가스의 플라즈마를 생성 또는 공급하기 위한 플라즈마원을 가지는 피처리기판 처리 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 탑재대에 제 1 고주파를 급전하기 위한 제 1 고주파 급전부를 가지는 피처리기판 처리 장치.
- 제 21 항에 있어서,상기 챔버내에서 상기 탑재대와 대향하는 대향 전극과, 상기 대향 전극에 제 2 고주파를 급전하기 위한 제 2 고주파 급전부를 가지는 피처리기판 처리 장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 탑재대가, 상기 피처리체를 정전 흡착하기 위한 정전척과, 상기 피처리체의 이면과 탑재면의 사이에 열전도 가스를 공급하는 열전도 가스 공급로를 가지는 피처리기판 처리 장치.
- 제 20 항에 있어서,피처리체에 대하여 소망하는 플라즈마 처리가 시작되기 전에, 상기 냉매 온도 제어부에 의해 상기 제 1 유로를 흐르는 냉매를 가열하여 상기 피처리체의 온도를 처리용의 설정 처리 온도까지 상승시켜,상기 플라즈마 처리가 시작하고 나서 그 이후도 처리가 종료할 때까지 상기 피처리체의 온도가 상기 설정 처리 온도로 실질적으로 유지되도록 상기 냉매 온도 제어부에 의해 상기 제 1 유로를 흐르는 냉매에 대한 가열을 점차적으로 약하게 하는 피처리기판 처리 장치.
- 피처리체를 탑재하는 탑재대에 마련된 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매 순환기로부터 냉매를 순환 공급시켜 상기 탑재대의 온도를 제어하기 위한 탑재대 온도 제어 프로그램을 포함하는 기억매체에 있어서,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 기준 온도로 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 냉매 통로로 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 스텝과,상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기의 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서, 또는 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 스텝을 실행하는 탑재대 온도 제어 프로그램을 포함하는 기억매체.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005101767A JP4551256B2 (ja) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | 載置台の温度制御装置及び載置台の温度制御方法及び処理装置及び載置台温度制御プログラム |
JPJP-P-2005-00101767 | 2005-03-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060106736A KR20060106736A (ko) | 2006-10-12 |
KR100905897B1 true KR100905897B1 (ko) | 2009-07-02 |
Family
ID=37030599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060028274A KR100905897B1 (ko) | 2005-03-31 | 2006-03-29 | 탑재대의 온도 제어 장치 및 탑재대의 온도 제어 방법 및처리 장치 및 탑재대 온도 제어 프로그램 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4551256B2 (ko) |
KR (1) | KR100905897B1 (ko) |
CN (1) | CN1841654B (ko) |
TW (1) | TWI440079B (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101108337B1 (ko) * | 2009-12-31 | 2012-01-25 | 주식회사 디엠에스 | 2단의 냉매 유로를 포함하는 정전척의 온도제어장치 |
KR101335435B1 (ko) * | 2012-09-25 | 2013-11-29 | 유니셈(주) | 반도체 제조설비용 냉각장치 |
US9070726B2 (en) | 2009-11-02 | 2015-06-30 | Ligadp Co., Ltd. | Temperature control method of chemical vapor deposition device |
WO2023239585A1 (en) * | 2022-06-07 | 2023-12-14 | Lam Research Corporation | Substrate temperature control with integrated thermoelectric cooling system |
Families Citing this family (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4551256B2 (ja) | 2005-03-31 | 2010-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台の温度制御装置及び載置台の温度制御方法及び処理装置及び載置台温度制御プログラム |
CN100361288C (zh) * | 2005-12-07 | 2008-01-09 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 控制静电卡盘温度*** |
US7582491B2 (en) | 2006-10-27 | 2009-09-01 | Tokyo Electron Limited | Method for diagnosing electrostatic chuck, vacuum processing apparatus, and storage medium |
JP5003102B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャックの診断方法、真空処理装置及び記憶媒体 |
JP5042661B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2012-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
JP4917981B2 (ja) * | 2007-07-10 | 2012-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査方法及び検査方法を記録したプログラム記録媒体 |
KR100927391B1 (ko) * | 2007-10-17 | 2009-11-19 | 유니셈(주) | 반도체 공정설비용 칠러 장치 및 그 제어방법 |
JP2009111301A (ja) * | 2007-11-01 | 2009-05-21 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP5301812B2 (ja) * | 2007-11-14 | 2013-09-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR101006252B1 (ko) * | 2008-05-19 | 2011-01-06 | 주식회사 동부하이텍 | 칠러를 이용한 플래튼 온도조절 시스템 |
US8596336B2 (en) * | 2008-06-03 | 2013-12-03 | Applied Materials, Inc. | Substrate support temperature control |
WO2010004620A1 (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化膜除去装置及び窒化膜除去方法 |
KR100890961B1 (ko) * | 2008-07-08 | 2009-03-27 | (주)피티씨 | 소비전력절감을 위한 칠러 장치의 하이브리드 온도제어방법 |
CN101373731B (zh) * | 2008-10-21 | 2013-02-27 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 静电卡盘装置及其温度控制方法 |
KR100884319B1 (ko) * | 2008-12-03 | 2009-02-18 | (주)피티씨 | 소비전력절감을 위한 칠러 장치 |
KR100906629B1 (ko) * | 2008-12-29 | 2009-07-10 | (주)테키스트 | 온도 조절 장치 |
JP5641709B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2014-12-17 | キヤノン株式会社 | デバイス製造装置およびデバイス製造方法 |
CN102640260B (zh) * | 2009-11-02 | 2014-12-03 | 丽佳达普株式会社 | 化学气相沉积设备以及化学气相沉积设备的温度控制方法 |
JP5643062B2 (ja) | 2009-11-24 | 2014-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US8916793B2 (en) * | 2010-06-08 | 2014-12-23 | Applied Materials, Inc. | Temperature control in plasma processing apparatus using pulsed heat transfer fluid flow |
CN102412169B (zh) * | 2010-09-21 | 2014-05-28 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 一种具有温度自动控制功能的晶片加工机台 |
JP5762841B2 (ja) | 2011-06-21 | 2015-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置 |
JP5822578B2 (ja) * | 2011-07-20 | 2015-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台温度制御装置及び基板処理装置 |
CN102509714B (zh) * | 2011-11-18 | 2014-08-27 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 快速控制静电吸盘温度的装置及方法 |
JP5863582B2 (ja) * | 2012-07-02 | 2016-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、及び温度制御方法 |
TWI683382B (zh) * | 2013-03-15 | 2020-01-21 | 應用材料股份有限公司 | 具有光學測量的旋轉氣體分配組件 |
CN104681380B (zh) * | 2013-11-29 | 2017-07-07 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种静电卡盘及其等离子体处理室 |
CN103762188B (zh) * | 2014-01-02 | 2016-06-15 | 同济大学 | 一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法 |
JP6018606B2 (ja) | 2014-06-27 | 2016-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御可能なステージを含むシステム、半導体製造装置及びステージの温度制御方法 |
KR101634452B1 (ko) * | 2014-10-24 | 2016-06-29 | 세메스 주식회사 | 프로브 카드를 이용한 웨이퍼 검사용 척 구조물 |
JP6529512B2 (ja) | 2014-11-12 | 2019-06-12 | 東京エレクトロン株式会社 | ステージ及び基板処理装置 |
KR101681493B1 (ko) * | 2015-03-11 | 2016-12-05 | (주)티티에스 | 서셉터 및 서셉터의 온도 가변 장치 |
JP6570894B2 (ja) * | 2015-06-24 | 2019-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御方法 |
JP6651408B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2020-02-19 | 光洋サーモシステム株式会社 | 熱処理装置 |
JP6837202B2 (ja) | 2017-01-23 | 2021-03-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 基材加熱装置および方法および電子デバイスの製造方法 |
JP6820206B2 (ja) * | 2017-01-24 | 2021-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 被加工物を処理する方法 |
CN106653661B (zh) * | 2017-02-28 | 2020-06-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种热处理设备工艺门冷却***及冷却方法 |
CN106814769B (zh) * | 2017-03-27 | 2018-08-10 | 成都深冷科技有限公司 | 一种高低温循环控制***及高低温快速控制方法 |
KR102529412B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2023-05-04 | 램 리써치 코포레이션 | 플렉서블 웨이퍼 온도 제어부를 갖는 정전 척 (electrostatic chuck) |
CN107436069A (zh) * | 2017-04-18 | 2017-12-05 | 迪弗斯科技股份有限公司 | 静电冷库***以及静电冷冻、解冻方法 |
JP7101023B2 (ja) * | 2018-04-03 | 2022-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調方法 |
JP7195060B2 (ja) * | 2018-05-17 | 2022-12-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP7042158B2 (ja) * | 2018-05-23 | 2022-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置及び温度制御方法 |
JP7175114B2 (ja) | 2018-07-19 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び電極部材 |
JP7112915B2 (ja) * | 2018-09-07 | 2022-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調システム |
JP7129877B2 (ja) * | 2018-10-15 | 2022-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御システム及び温度制御方法 |
CN110544663A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-12-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 静电吸附卡盘的循环液*** |
CN109972122B (zh) * | 2019-03-28 | 2022-04-19 | 惠科股份有限公司 | 一种用于显示面板的物料派送控制方法及*** |
CN112216585B (zh) * | 2019-07-11 | 2022-12-30 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子体处理器及基座温度控制方法 |
JP7394556B2 (ja) * | 2019-08-09 | 2023-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び基板処理装置 |
JP7365815B2 (ja) | 2019-08-09 | 2023-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び基板処理装置 |
JP7330017B2 (ja) * | 2019-08-22 | 2023-08-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱媒体巡回システム及び熱媒体巡回システムの制御方法 |
CN112951695B (zh) * | 2019-11-26 | 2023-09-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 冷却管组件、冷却装置和等离子体处理设备 |
US20210249284A1 (en) * | 2020-02-12 | 2021-08-12 | Applied Materials, Inc. | Fast response dual-zone pedestal assembly for selective preclean |
JP7537147B2 (ja) | 2020-07-10 | 2024-08-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台、基板を処理する装置、及び基板を温度調節する方法 |
CN112501589A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-03-16 | 北京印刷学院 | 一种原子层沉积装置 |
CN114300386A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种反应腔室尾气压力控制装置及半导体工艺设备 |
CN114540800B (zh) * | 2022-02-24 | 2023-09-12 | 季华实验室 | 衬底预热***、方法、电子设备、存储介质及外延设备 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002076103A (ja) | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Hitachi Ltd | 試料台の温度制御方法及び装置と試料処理方法及び装置 |
KR20040059262A (ko) * | 2002-12-28 | 2004-07-05 | 동부전자 주식회사 | 다중 채널 웨이퍼 냉각 장치 및 그 방법 |
US20060219360A1 (en) | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Tokyo Electron Limited | Device and method for controlling temperature of a mounting table, a program therefor, and a processing apparatus including same |
JP2006286733A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 載置台の温度制御装置及び載置台の温度制御方法及び処理装置及び載置台温度制御プログラム |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000216140A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Hitachi Ltd | ウエハステ―ジおよびウエハ処理装置 |
-
2005
- 2005-03-31 JP JP2005101767A patent/JP4551256B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-29 KR KR1020060028274A patent/KR100905897B1/ko active IP Right Grant
- 2006-03-31 TW TW095111616A patent/TWI440079B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-03-31 CN CN2006100664987A patent/CN1841654B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002076103A (ja) | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Hitachi Ltd | 試料台の温度制御方法及び装置と試料処理方法及び装置 |
KR20040059262A (ko) * | 2002-12-28 | 2004-07-05 | 동부전자 주식회사 | 다중 채널 웨이퍼 냉각 장치 및 그 방법 |
US20060219360A1 (en) | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Tokyo Electron Limited | Device and method for controlling temperature of a mounting table, a program therefor, and a processing apparatus including same |
JP2006286733A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 載置台の温度制御装置及び載置台の温度制御方法及び処理装置及び載置台温度制御プログラム |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9070726B2 (en) | 2009-11-02 | 2015-06-30 | Ligadp Co., Ltd. | Temperature control method of chemical vapor deposition device |
KR101108337B1 (ko) * | 2009-12-31 | 2012-01-25 | 주식회사 디엠에스 | 2단의 냉매 유로를 포함하는 정전척의 온도제어장치 |
KR101335435B1 (ko) * | 2012-09-25 | 2013-11-29 | 유니셈(주) | 반도체 제조설비용 냉각장치 |
WO2023239585A1 (en) * | 2022-06-07 | 2023-12-14 | Lam Research Corporation | Substrate temperature control with integrated thermoelectric cooling system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060106736A (ko) | 2006-10-12 |
JP2006286733A (ja) | 2006-10-19 |
CN1841654B (zh) | 2010-10-20 |
JP4551256B2 (ja) | 2010-09-22 |
CN1841654A (zh) | 2006-10-04 |
TW200703489A (en) | 2007-01-16 |
TWI440079B (zh) | 2014-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100905897B1 (ko) | 탑재대의 온도 제어 장치 및 탑재대의 온도 제어 방법 및처리 장치 및 탑재대 온도 제어 프로그램 | |
US8182869B2 (en) | Method for controlling temperature of a mounting table | |
KR101934322B1 (ko) | 재치대 온도 제어 장치 및 기판 처리 장치 | |
US7838792B2 (en) | Plasma processing apparatus capable of adjusting temperature of sample stand | |
US10332772B2 (en) | Multi-zone heated ESC with independent edge zones | |
TWI492321B (zh) | A temperature adjusting device and a temperature adjusting method of the substrate to be processed, and a plasma processing apparatus provided with the same | |
KR101509419B1 (ko) | 기판 지지부의 온도 제어 장치 및 온도 제어 방법 | |
JP6018606B2 (ja) | 温度制御可能なステージを含むシステム、半導体製造装置及びステージの温度制御方法 | |
KR101455249B1 (ko) | 플라즈마 프로세싱 장치 내 신속 반응성 열 제어를 위한 방법 및 장치 | |
JP4969259B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20110220288A1 (en) | Temperature control system, temperature control method, plasma processing apparatus and computer storage medium | |
WO2011149508A2 (en) | Apparatus and method for temperature control of a semiconductor substrate support | |
US20160104605A1 (en) | Temperature control system and temperature control method | |
US9916967B2 (en) | Fast response fluid control system | |
US20090321017A1 (en) | Plasma Processing Apparatus and Plasma Processing Method | |
JP2002076103A (ja) | 試料台の温度制御方法及び装置と試料処理方法及び装置 | |
JP2016162794A (ja) | 真空処理装置 | |
JP2010199421A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマエッチング方法 | |
US20220310368A1 (en) | Temperature controller, substrate processing apparatus, and pressure control method | |
CN112786426B (zh) | 气体供给方法和基片处理装置 | |
US20220010428A1 (en) | Substrate support, apparatus for processing substrate, and method of adjusting temperature of substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130531 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140603 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150601 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160527 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170530 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180618 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190618 Year of fee payment: 11 |