KR100898975B1 - Method for processing the substrate with plasma - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 처리방법에 관한 것으로서, 다수장의 기판을 동시에 처리함으로써, 수율을 높이면서도 모든 기판에 대하여 균일한 처리가 가능한 플라즈마 처리방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing method, and more particularly, to a plasma processing method capable of uniformly processing all substrates while increasing the yield by processing a plurality of substrates simultaneously.

본 발명은, 진공 상태의 공정 챔버 내에 플라즈마를 발생시켜서 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리방법에 있어서, The present invention provides a plasma processing method in which a plasma is generated in a vacuum process chamber to perform a predetermined treatment on a substrate.

1) 상기 공정 챔버 내부에 다수장의 기판을 반입하고, 하부 전극 상에 각 기판이 겹치지 않도록 재치하는 단계;1) loading a plurality of substrates into the process chamber, and placing the substrates on the lower electrode so as not to overlap each other;

2) 상기 공정 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 다수장의 기판을 동시에 처리하는 단계;2) simultaneously generating a plurality of substrates by generating a plasma inside the process chamber;

3) 처리가 완료된 다수장의 기판을 외부로 반출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법을 제공한다.And 3) carrying out a plurality of substrates on which the processing is completed to the outside.

평판표시소자, 플라즈마, 평판표시소자 제조장치, 클러스터 Flat Panel Display, Plasma, Flat Panel Display Manufacturing Device, Cluster

Description

플라즈마 처리방법{METHOD FOR PROCESSING THE SUBSTRATE WITH PLASMA}Plasma treatment method {METHOD FOR PROCESSING THE SUBSTRATE WITH PLASMA}

도 1은 종래의 플라즈마 처리방법에 관한 공정도이다. 1 is a process chart related to the conventional plasma processing method.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리방법에 관한 공정도이다. 2 is a flowchart illustrating a plasma processing method according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 평판표시소자 제조장치의 구성을 나타내는 개념도이다. 3 is a conceptual diagram illustrating a configuration of a flat panel display device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 전극의 구조를 나타내는 사시도이다. 4 is a perspective view illustrating a structure of a lower electrode according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반송 로봇의 평면도이다. 5 is a plan view of a carrier robot according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반송 로봇의 측면도이다. 6 is a side view of a transport robot according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 로드락 챔버의 구조를 나타내는 단면도이다. 7 is a cross-sectional view showing the structure of a load lock chamber according to an embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 로드락 챔버의 운용 방법을 설명하는 도면이다. 8 is a view for explaining a method of operating the load lock chamber according to an embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 로더의 구조를 설명하는 도면이다. 9 is a view for explaining the structure of a loader according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 플라즈마 처리방법에 관한 것으로서, 다수장의 기판을 동시에 처리함으로써, 수율을 높이면서도 모든 기판에 대하여 균일한 처리가 가능한 플라즈마 처리방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing method, and more particularly, to a plasma processing method capable of uniformly processing all substrates while increasing the yield by processing a plurality of substrates simultaneously.

최근에 사회가 정보화 사회로 급격하게 변모하면서 정보표시기기의 수요도 폭발적으로 증가하고 있다. 이러한 정보표시기에는 고화질과 사용 편의성이 우수한 평판표시소자(Flat Panel Display, FPD)가 많이 사용되고 있다. 평판표시소자에는 LCD, PDP, OLED 등의 다양한 제품이 있으며, 최근에는 LCD가 가장 각광받고 있다. Recently, as the society has rapidly changed into an information society, the demand for information display devices has exploded. In such information display, a flat panel display (FPD) having high image quality and ease of use is widely used. There are various products such as LCD, PDP, OLED, etc. in flat panel display devices, and recently, LCDs are in the spotlight.

이러한 LCD 등의 평판표시소자를 제조함에 있어서, 유리 기판 상에 다양한 박막을 증착하고 특정한 형상으로 식각하는 등의 매우 정밀한 처리과정이 요구된다. 일반적으로 이러한 처리 과정은 플라즈마를 이용하는 과정이 많다. In manufacturing a flat panel display device such as an LCD, a very precise process such as depositing various thin films on a glass substrate and etching them into a specific shape is required. In general, this process is often a process using a plasma.

평판표시소자 제조방법 중에서 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 일반적인 방법을 간단히 설명한다. A general method of processing a substrate using plasma among flat panel display device manufacturing methods will be briefly described.

플라즈마를 이용한 기판의 처리에는 진공 챔버가 이용된다. 즉, 챔버 내부의 압력을 진공에 가까운 초저압 상태로 만든 상태에서 그 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 하는 것이다. A vacuum chamber is used for processing a substrate using plasma. In other words, a plasma is generated inside the chamber while the pressure inside the chamber is made at an ultra-low pressure state close to vacuum, and the substrate is subjected to a predetermined treatment.

이러한 플라즈마 처리를 하기 위해서는 우선 진공 상태의 공정 챔버 내부에 기판을 반입시키는 공정(S10)이 진행된다. 진공 상태의 공정 챔버에 기판을 반입시키기 위해서는, 공정 챔버의 진공 분위기를 해제시키지 않고 기판을 반입시킬 수 있는 방안이 요구된다. 따라서 일반적으로는 공정 챔버에 이웃하게 반송 챔버 및 로드락 챔버를 마련한다. 이 로드락 챔버와 반송 챔버를 이용하여 기판을 내부로 반입하고, 챔버 내부를 진공 상태로 감압한 후 공정 챔버 내부로 기판을 반입하는 것이다. 그리고 공정 챔버에서 하나의 기판이 처리되는 동안 다른 기판이 로드락 챔버를 통하여 반입되어 처리 준비를 하는 것이다. In order to perform such a plasma treatment, first, a process (S10) of carrying a substrate into a vacuum process chamber is performed. In order to bring a substrate into a process chamber in a vacuum state, there is a need for a method of loading a substrate without releasing the vacuum atmosphere of the process chamber. Therefore, in general, a transfer chamber and a load lock chamber are provided adjacent to the process chamber. By using this load lock chamber and a conveyance chamber, a board | substrate is carried in inside, a chamber is pressure-reduced in a vacuum state, and a board | substrate is carried in in a process chamber. And while one substrate is processed in the process chamber, another substrate is loaded through the load lock chamber to prepare for processing.

다음으로는 공정 챔버 내부로 반입된 기판을, 챔버 내부 하측에 마련되어 있는 하부 전극 상에 재치하는 과정(S20)이 진행된다. 이 과정에서는 하부 전극의 가장자리를 관통하여 승강할 수 있도록 마련되어 있는 리프트 핀을 이용하여 기판을 하부 전극 상면에 내려 놓는다. Next, the process (S20) which mounts the board | substrate carried into the process chamber on the lower electrode provided under the chamber inside is advanced. In this process, the substrate is placed on the upper surface of the lower electrode by using a lift pin provided to move up and down through the edge of the lower electrode.

다음으로는 하부 전극 상에 재치된 기판을 정전력을 사용하여 하부 전극에 고정시키는 과정(S30)이 진행된다. 처리되는 기판의 크기가 대형화되면서 기판과 하부 전극 상에 간극이 발생하여 균일한 처리가 이루어지지 않는 문제점이 있으므로, 기판을 하부 전극 상에 견고하게 고정시킨 상태에서 균일하면서도 정밀한 공정을 진행하기 위한 것이다. Next, a process (S30) of fixing the substrate mounted on the lower electrode to the lower electrode using electrostatic power is performed. As the size of the substrate to be processed increases in size, gaps are generated between the substrate and the lower electrode so that uniform processing is not performed. Therefore, the present invention is to proceed a uniform and precise process in a state where the substrate is firmly fixed on the lower electrode. .

다음으로는 상기 공정 챔버 내에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 과정(S40)이 진행된다. 이 단계에서는 챔버 내부에 공정 가스를 주입하고, 챔버 내부의 상부 전극 또는 하부 전극에 RF전원을 인가하여 공급된 공정 가스를 플라즈마화시킨다. 그리고 이 플라즈마가 기판 상에 소정의 처리를 실시하는 것이다. Next, a process (S40) of generating a plasma in the process chamber to perform a predetermined process on the substrate is performed. In this step, a process gas is injected into the chamber, and RF power is applied to the upper electrode or the lower electrode in the chamber to plasma the supplied process gas. This plasma performs a predetermined process on the substrate.

다음으로는 정전력을 제거하여 기판을 하부 전극으로부터 디처킹(dechucking)하는 공정(S50)이 진행된다. 이 단계에서는 상기 하부 전극 상에 마련 된 정전척에 인가된 직류 전원을 제거하여 전하의 배열을 무질서하게 하여 정전력을 제거한다. Next, a process (S50) of removing the electrostatic force to dechuck the substrate from the lower electrode is performed. In this step, the DC power applied to the electrostatic chuck provided on the lower electrode is removed to disorder the charge, thereby removing the electrostatic power.

다음으로는 리프트 핀을 이용하여 기판을 들어올린 후 공정 챔버 외부로 반출하는 과정(S50, S60)이 진행된다. Next, a process of lifting a substrate using a lift pin and taking it out of the process chamber (S50 and S60) is performed.

그리고 새로운 기판이 공정 챔버 내부로 반입되어 각 공정이 반복된다. A new substrate is then introduced into the process chamber and each process is repeated.

전술한 과정을 거쳐서 진행되는 플라즈마 처리방법에 있어서, 최근에는 처리되는 기판의 면적이 매우 커지면서 하나의 대면적 기판을 취급하는 어려움과 대면적 기판의 처리 결과 균일한 처리가 이루어지지 않는 문제점이 발생하고 있다. 즉, 하나의 대면적 기판을 처리하기 위해서는 챔버 자체의 체적이 비례하여 증가하고 이러한 장치를 제어하기가 매우 어려운 상황이며, 대면적 기판 자체의 취급도, 기판 파손 등의 문제 때문에 매우 어렵다. 더구나 수율 향상을 위하여 기판을 대면적화시키고 있으나, 대면적 기판에 대하여 균일한 처리가 이루어지지 않아서 불량률이 높아지는 문제점이 발생하고 있다. In the plasma processing method which proceeds through the above-described process, in recent years, as the area of the substrate to be processed becomes very large, there is a problem in that it is difficult to handle one large area substrate and a uniform processing is not performed as a result of the processing of the large area substrate. have. That is, in order to process one large area substrate, the volume of the chamber itself increases proportionally, and it is very difficult to control such a device, and the handling of the large area substrate itself and the breakage of the substrate are very difficult. In addition, the large area of the substrate is increased in order to improve the yield, but there is a problem in that the defective rate is increased because uniform processing is not performed on the large area substrate.

따라서 불량률이 낮으면서도 높은 수율을 달성할 수 있으며, 처리가 용이하여 처리 시간을 단축할 수 있는 새로운 플라즈마 처리방법이 요구되고 있다. Therefore, there is a need for a new plasma treatment method capable of achieving a high yield while having a low defect rate and facilitating the treatment to shorten the treatment time.

본 발명의 목적은 다수장의 기판을 동시에 처리함으로써, 수율을 높임과 동시에 각 기판을 균일하게 처리하여 불량률을 낮출 수 있는 플라즈마 처리방법을 제공함에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a plasma processing method capable of simultaneously processing a plurality of substrates, thereby increasing yield and simultaneously treating each substrate uniformly to reduce a defect rate.

전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 진공 상태의 공정 챔버 내에 플라즈마를 발생시켜서 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리방법에 있어서, In order to achieve the above object, the present invention provides a plasma processing method in which a plasma is generated in a vacuum process chamber to perform a predetermined treatment on a substrate.

1) 상기 공정 챔버 내부에 다수장의 기판을 반입하고, 하부 전극 상에 각 기판이 겹치지 않도록 재치하는 단계;1) loading a plurality of substrates into the process chamber, and placing the substrates on the lower electrode so as not to overlap each other;

2) 상기 공정 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 다수장의 기판을 동시에 처리하는 단계;2) simultaneously generating a plurality of substrates by generating a plasma inside the process chamber;

3) 처리가 완료된 다수장의 기판을 외부로 반출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법을 제공한다.And 3) carrying out a plurality of substrates on which the processing is completed to the outside.

이때 본 발명에서는 다수장의 기판을 동시에 상기 공정 챔버 내부로 반입하고, 하부 전극 상에 재치하는 것이, 전체적인 공정 처리시간을 단축할 수 있어서 바람직하다. At this time, in this invention, it is preferable to carry in several board | substrates simultaneously into the said process chamber, and to mount on a lower electrode, since the whole process process time can be shortened.

또한 본 발명에서는 상기 하부 전극 상에 재치된 각 기판을, 정전력을 이용하여 하부 전극 측으로 강하게 잡아 당겨 고정시키는 단계가 더 진행되는 것이, 각 기판의 모든 영역에 걸쳐서 균일한 처리를 수행할 수 있어서 바람직하다. In addition, in the present invention, the step of firmly pulling and fixing the respective substrates mounted on the lower electrode to the lower electrode side using the electrostatic force is further progressed, so that uniform processing can be performed over all regions of each substrate. desirable.

또한 본 발명의 기판 처리 단계에서는, 상기 각 기판마다 별도로 공급되는 RF 전원에 의하여 전계를 발생시켜 진행하는 것이, RF 전원의 낭비를 막고, 각 기 판을 균일하게 처리할 수 있어서 바람직하다. Further, in the substrate processing step of the present invention, it is preferable to generate an electric field by using an RF power source supplied separately for each of the substrates to prevent waste of the RF power source and to uniformly process each substrate.

또한 본 발명에서는, 처리가 완료된 다수장의 기판을 동시에 들어올린 후, 동시에 챔버 외부로 배출하는 것이, 전체적인 기판 처리 시간을 단축할 수 있어서 바람직하다. Moreover, in this invention, it is preferable to lift up several board | substrates of which the process was completed simultaneously, and to discharge to the exterior of a chamber at the same time, since the whole substrate processing time can be shortened.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 일 실시예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a specific embodiment of the present invention.

본 실시예에 따른 플라즈마 처리방법은, 전체적인 공정 순서에 있어서는 종래의 플라즈마 처리방법과 동일하다. 그러나 각 공정 수행시에 다수장의 기판을 동시에 처리하기 위하여 종래와 다른 과정을 거친다. 이하에서는 이러한 부분을 중점으로 설명한다. The plasma processing method according to the present embodiment is the same as the conventional plasma processing method in the overall process order. However, in order to process a plurality of substrates at the same time to perform each process goes through a different process than the conventional. The following description focuses on these parts.

우선 진공 상태의 공정 챔버 내부에 기판을 반입시키는 공정(S110)이 진행된다. 진공 상태의 공정 챔버에 기판을 반입시키기 위해서는, 공정 챔버의 진공 분위기를 해제시키지 않고 기판을 반입시킬 수 있는 방안이 요구된다. 따라서 일반적으로는 공정 챔버에 이웃하게 반송 챔버 및 로드락 챔버를 마련하다. 이 로드락 챔버와 반송 챔버를 이용하여 기판을 내부로 반입하고, 챔버 내부를 진공 상태로 감압한 후 공정 챔버 내부로 기판을 반입하는 것이다. 따라서 공정 챔버에서 하나의 기판이 처리되는 동안 다른 기판이 로드락 챔버를 통하여 반입되어 처리 준비를 하는 것이다. 한편 본 실시예에서는 다수장의 기판을 공정 챔버 내부로 반입시켜야 하므로, 다수장의 기판을 순차적으로 공정 챔버 내부로 반입시키는 방법과 다수장의 기판을 동시에 챔버 내부로 반입시키는 방법이 있다. 물론 다수장의 기판을 동시에 챔버 내부로 진입시키는 것이, 전체적인 기판의 처리 시간을 단축시킬 수 있어서 바람직하다. 즉, 반송 로봇의 한번의 동작으로 다수장의 기판을 챔버 내부로 반입시킬 수 있기 때문에, 다수번의 동작에 의하여 기판을 반입시키는 것보다 시간이 단축되는 것이다. First, a process (S110) of loading a substrate into a vacuum process chamber is performed. In order to bring a substrate into a process chamber in a vacuum state, there is a need for a method of loading a substrate without releasing the vacuum atmosphere of the process chamber. Therefore, in general, a transfer chamber and a load lock chamber are provided adjacent to the process chamber. By using this load lock chamber and a conveyance chamber, a board | substrate is carried in inside, a chamber is pressure-reduced in a vacuum state, and a board | substrate is carried in in a process chamber. Therefore, while one substrate is processed in the process chamber, another substrate is loaded through the load lock chamber to prepare for processing. On the other hand, in the present embodiment, since a plurality of substrates must be carried into the process chamber, there are a method of sequentially bringing the plurality of substrates into the process chamber and a method of simultaneously bringing the plurality of substrates into the chamber. Of course, it is preferable to enter a plurality of substrates into the chamber at the same time, because the processing time of the entire substrate can be shortened. In other words, since a plurality of substrates can be carried into the chamber by one operation of the transfer robot, the time is shorter than that of carrying the substrates by multiple operations.

다음으로는 공정 챔버 내부로 반입된 기판을, 챔버 내부 하측에 마련되어 있는 하부 전극 상에 재치하는 과정(S120)이 진행된다. 이 과정에서는 하부 전극의 가장자리를 관통하여 승강할 수 있도록 마련되어 있는 리프트 핀을 이용하여 기판을 하부 전극 상면에 내려 놓는다. 물론 본 실시예에서는 다수장의 기판을 하부 전극 상에 재치시켜야 하므로, 하부 전극 상에 다수개의 기판을 수취할 수 있도록 마련된 리프트 핀을 이용하여 다수장의 기판을 순차적 또는 동시에 하부 전극 상에 재치시킨다. Next, a process (S120) of placing the substrate loaded into the process chamber on the lower electrode provided below the chamber is performed. In this process, the substrate is placed on the upper surface of the lower electrode by using a lift pin provided to move up and down through the edge of the lower electrode. Of course, in this embodiment, since a plurality of substrates must be placed on the lower electrode, the plurality of substrates are placed on the lower electrode sequentially or simultaneously using a lift pin provided to receive the plurality of substrates on the lower electrode.

다음으로는 하부 전극 상에 재치된 기판을 정전력을 사용하여 하부 전극에 고정시키는 과정(S130)이 진행된다. 처리되는 기판의 크기가 대형화되면서 기판과 하부 전극 상에 간극이 발생하여 균일한 처리가 이루어지지 않는 문제점이 있으므로, 기판을 하부 전극 상에 견고하게 고정시킨 상태에서 균일하면서도 정밀한 공정을 진행하기 위한 것이다. 특히 본 실시예에서는 다수장의 기판을 동시에 처리하므로 균일한 처리를 위하여 각 기판의 위치상태가 동일한 조건일 필요가 있다. 따라 서 각 기판마다 별도의 정전척을 이용하여 동일한 상태로 고정시키는 과정이 요구되는 것이다. Next, a process (S130) of fixing the substrate mounted on the lower electrode to the lower electrode using electrostatic power is performed. As the size of the substrate to be processed increases in size, gaps are generated between the substrate and the lower electrode so that uniform processing is not performed. Therefore, the present invention is to proceed a uniform and precise process in a state where the substrate is firmly fixed on the lower electrode. . In particular, in this embodiment, since a plurality of substrates are processed at the same time, it is necessary that the position state of each substrate is the same condition for uniform processing. Therefore, the process of fixing the same state using a separate electrostatic chuck for each substrate is required.

다음으로는 상기 공정 챔버 내에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 과정(S140)이 진행된다. 이 단계에서는 챔버 내부에 공정 가스를 주입하고, 챔버 내부의 상부 전극 또는 하부 전극에 RF전원을 인가하여 공급된 공정 가스를 플라즈마화시킨다. 그리고 이 플라즈마가 기판 상에 소정의 처리를 실시하는 것이다. 본 실시예에서는 다수장의 기판에 대하여 동시에 처리를 실시하므로, 각 기판 하부에 위치하는 하부 전극 상에, 각 기판 별로 독립된 전계에 의하여 처리되도록 분리된 분할 전극을 이용하여 RF 전원을 인가하면서 본 공정을 진행한다. Next, a process (S140) of generating a plasma in the process chamber to perform a predetermined process on the substrate is performed. In this step, a process gas is injected into the chamber, and RF power is applied to the upper electrode or the lower electrode in the chamber to plasma the supplied process gas. This plasma performs a predetermined process on the substrate. In this embodiment, since a plurality of substrates are processed at the same time, the process is performed while applying RF power to a lower electrode positioned under each substrate by using a split electrode separated to be processed by an independent electric field for each substrate. Proceed.

다음으로는 정전력을 제거하여 기판을 하부 전극으로부터 디처킹(dechucking)하는 과정(S150)단계가 진행된다. 이 단계에서는 상기 하부 전극 상에 마련된 정전척에 인가된 직류 전원을 제거하여 전하의 배열을 무질서하게 하여 정전력을 제거한다. Next, a process of dechucking the substrate from the lower electrode by removing the electrostatic force is performed (S150). In this step, the direct current power applied to the electrostatic chuck provided on the lower electrode is removed to disorder the arrangement of charges to remove the electrostatic power.

다음으로는 리프트 핀을 이용하여 기판을 들어올린 후 공정 챔버 외부로 반출하는 과정(S160)이 진행된다. 즉, 하부 전극 상에 재치된 다수장의 기판의 각 가장자리 영역을 지지할 수 있는 리프트 핀을 이용하여 기판을 들어올리는 것이다. 그리고 처리가 완료된 기판을 챔버 외부로 반출하는 것이다. 본 실시예에서는 이 공정 진행 시에, 다수장의 기판을 동시에 챔버 외부로 반출하는 방식으로 진행한다. 그 이유는 공정 시간을 단축하기 위함이다. 물론 다수장의 기판을 순차적으로 여러번의 동작을 거쳐서 반출할 수도 있다. Next, a process of lifting a substrate using a lift pin and then taking it out of the process chamber (S160) is performed. That is, the substrate is lifted using a lift pin capable of supporting each edge region of the plurality of substrates mounted on the lower electrode. Then, the processed substrate is taken out of the chamber. In this embodiment, the process proceeds in such a manner that a plurality of substrates are carried out to the outside of the chamber at the same time. The reason is to shorten the process time. Of course, a plurality of substrates may be taken out in sequence through several operations.

그리고 새로운 기판이 공정 챔버 내부로 반입되어 각 공정이 반복된다. A new substrate is then introduced into the process chamber and each process is repeated.

이하에서는 본 실시예에 따른 플라즈마 처리방법을 수행하기 위한 플라즈마 처리장치를 설명한다. 본 실시예에서는 다수장이 기판을 동시에 처리하므로, 종래의 플라즈마 평판표시소자 제조장치로 수행이 불가하므로, 새로운 평판표시소자 제조장치가 필요하다. 따라서 본 실시예에 따른 플라즈마 처리방법을 수행하기 위한 새로운 구조의 평판표시소자 제조장치를 설명하는 것이다. Hereinafter, a plasma processing apparatus for performing the plasma processing method according to the present embodiment will be described. In this embodiment, since a plurality of sheets simultaneously process the substrate, it is impossible to perform the conventional plasma flat panel display device manufacturing apparatus, a new flat panel display device manufacturing apparatus is required. Therefore, a description will be given of a flat panel display device manufacturing apparatus having a new structure for performing the plasma processing method according to the present embodiment.

본 실시예에 따른 평판표시소자 제조장치(100)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(110); 반송 챔버(120); 로드락 챔버(130); 로더(140);를 포함하여 구성된다. 그리고 본 실시예에서는 한 번의 공정으로 4 장의 기판을 처리할 수 있는 장치를 예로 들어 설명한다. The flat panel display device manufacturing apparatus 100 according to the present embodiment includes a process chamber 110, as shown in FIG. Conveyance chamber 120; Load lock chamber 130; The loader 140; is configured to include. In this embodiment, an apparatus capable of processing four substrates in one process will be described as an example.

먼저 공정챔버(110)는 종래의 공정 챔버(30)와 마찬가지로, 챔버 내부를 진공분위기로 만든 상태에서 플라즈마를 발생시켜 기판 상에 소정의 처리를 실시하는 구성요소이다. 다만, 본 실시예에 따른 공정 챔버(110)는 한 번에 다수장의 기판을 동시에 처리할 수 있는 구조로 마련되는 것이 상이하다. First, the process chamber 110 is a component that performs a predetermined process on a substrate by generating a plasma in a state in which the inside of the chamber is made in a vacuum atmosphere, similar to the conventional process chamber 30. However, the process chamber 110 according to the present exemplary embodiment is different from that provided in a structure capable of simultaneously processing a plurality of substrates at one time.

따라서 본 실시예에 따른 공정 챔버(110)에는, 도 4에 도시된 바와 같이, 다수개의 분할 전극(112a)이 형성된 하부 전극(112)이 마련된다. 여기에서 분할 전극이라 함은, 큰 하부 전극에 다수장의 기판이 위치되어 각각 처리될 수 있도록 독립하여 기판이 재치되는 분할된 전극을 말한다. 본 실시예에서는 한 번의 공정으로 4 장의 기판을 처리하기 위하여 하나의 하부 전극(112)에 4개의 분할 전극(112a)이 형성된다. 이 각 분할 전극(112a)에는 별도로 RF 전원이 인가되며, 별도로 구동된다. Therefore, in the process chamber 110 according to the present embodiment, as shown in FIG. 4, a lower electrode 112 having a plurality of split electrodes 112a is provided. Herein, the divided electrode refers to a divided electrode in which a plurality of substrates are placed on a large lower electrode so that the substrates can be independently disposed. In this embodiment, four split electrodes 112a are formed on one lower electrode 112 to process four substrates in one process. RF power is separately applied to each of the divided electrodes 112a and driven separately.

그리고 각 분할 전극(112a)에는 각각 1장의 기판이 재치되므로, 각 분할 전극별로 별도의 기판을 수취할 수 있는 리프트 핀(114)이 마련된다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 각 분할 전극(112a)의 가장 자리 영역을 관통하여 승강하도록 리프트 핀(114)이 마련된다. 이 리프트 핀(114)은 각 분할 전극(112a)에 재치되는 기판의 가장자리를 지지하여 기판의 장탈착을 돕는다. Since each of the divided electrodes 112a is provided with one substrate, a lift pin 114 capable of receiving a separate substrate for each divided electrode is provided. That is, as shown in FIG. 4, a lift pin 114 is provided to move up and down through the edge region of each split electrode 112a. The lift pins 114 support the edges of the substrates mounted on the respective split electrodes 112a to assist in the removal of the substrates.

한편 본 실시예에 따른 평판표시소자 제조장치(100)에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 하나의 반송 챔버(120)가 마련되고, 이 반송 챔버(120)의 외측에 다수개의 공정챔버(110)가 연결되어 마련되는 클러스터형으로 마련되는 것이, 하나의 반송 챔버를 이용하여 다수개의 공정 챔버를 운영함으로써 기판 처리 효율을 높일 수 있어서 바람직하다. Meanwhile, in the flat panel display device manufacturing apparatus 100 according to the present exemplary embodiment, as illustrated in FIG. 3, one transfer chamber 120 is provided, and a plurality of process chambers 110 are disposed outside the transfer chamber 120. It is preferable that the substrate processing efficiency is increased by operating a plurality of process chambers using one transfer chamber.

다음으로 반송 챔버(120)는 종래의 반송 챔버(20)와 마찬가지로 공정 챔버(110)와 로드락 챔버(130) 사이에서 기판을 전달하는 공간으로 기능한다. 다만, 본 실시예에 따른 반송 챔버(120)는 다수장의 기판을 한 번의 동작으로 반송할 수 있는 구조로 마련된다. 따라서 본 실시예에 따른 반송 챔버(120)에는 다수장의 기판을 동시에 이송할 수 있는 구조의 로봇암이 마련된 반송 로봇(122)이 구비된다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 로봇암의 로봇 핸드(122b)가 긴 직선 형태로 마련되되, 하나의 로봇암(122a)에 4개 이상의 로봇 핸드가 평행하게 마련되어 4장의 기판 이 일시에 이동될 수 있도록 하는 것이다. Next, the transfer chamber 120 functions as a space for transferring the substrate between the process chamber 110 and the load lock chamber 130 like the conventional transfer chamber 20. However, the transfer chamber 120 according to the present embodiment is provided in a structure capable of carrying a plurality of substrates in one operation. Therefore, the transfer chamber 120 according to the present embodiment is provided with a transfer robot 122 provided with a robot arm having a structure capable of simultaneously transferring a plurality of substrates. That is, as shown in Figure 5, the robot arm (122b) of the robot arm is provided in a long straight form, four or more robot hands are provided in parallel to one robot arm (122a) to move the four substrates at once To make it possible.

한편 본 실시예에서는 공정 챔버(110) 내에서 처리가 완료된 기판과 미처리 기판의 원활한 교환을 위하여, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 로봇암을 더블암 구조로 마련한다. 즉, 상하에 각각 기판을 적재할 수 있도록 로봇 핸드(122b)가 상하로 일정 간격 이격되어 적층된 구조를 가지는 것이다. 따라서 상측의 로봇 핸드가 처리 완료된 기판을 임시로 적재하고 있는 상태에서 미처리 기판을 공정 챔버 내부로 반입할 수 있도록 하여 기판의 교환 공정을 용이하게 하는 것이다.(설명하지 않은 112c는 기판의 미끄러짐을 방지하는 패드이다.) Meanwhile, in the present embodiment, the robot arm is provided in a double arm structure as shown in FIG. 6 to smoothly exchange the processed substrate and the unprocessed substrate in the process chamber 110. That is, the robot hand 122b has a structure in which the robot hands 122b are vertically spaced apart from each other to be stacked on the substrate. Therefore, the upper robot hand is able to carry the unprocessed substrate into the process chamber while temporarily loading the processed substrate, thereby facilitating the replacement process of the substrate. Is a pad.)

다음으로 로드락 챔버(130)는, 대기압 분위기의 외부와 연통하면서 외부에서 기판을 평판표시소자 제조장치 내로 반입하고, 처리가 완료된 기판을 외부로 반출하는 구성요소이다. 본 실시예에 따른 로드락 챔버(130)는 종래와 달리, 다수장의 기판을 동시에 반입하고, 동시에 반출할 수 있는 구조로 마련된다. 따라서 본 실시예에 따른 로드락 챔버(130)에는 도 7에 도시된 바와 같이, 2장의 기판이 일렬로 나란하게 재치될 수 있는 버퍼(132)가 평행하게 배치된다. 이때 각 버퍼(132)는 기판의 진행방향과 평행하게 마련된다. 따라서 로드락 챔버(130) 내로 진입된 기판이 진입되는 방향에서 다른 이동과정 없이 버퍼(132)에 수취될 수 있다. 물론 본 실시예에 따른 로드락 챔버(130)에도 종래와 같이, 리프트 핀과 얼라이너가 마련된다. 다만, 본 실시예에 따른 로드락 챔버(130)에서는 다수장의 기판을 반출입하므로, 도 7에 도시된 바와 같이, 다수장의 기판을 승강시킬 수 있도록 2조의 리프트 핀(134)이 마련된다. 즉, 일측의 2 버퍼가 한조가 되고, 타측의 이웃한 2 버퍼가 한 조가 되며, 각 버퍼에는 별도로 구동되는 리프트 핀이 마련되는 것이다. 따라서 각 조의 버퍼에는 별도의 기판이 수취될 수 있는 것이다. Next, the load lock chamber 130 is a component which carries out a board | substrate into a flat panel display element manufacturing apparatus from the outside, communicating with the exterior of atmospheric pressure atmosphere, and carries out the processed board | substrate to the outside. Unlike the related art, the load lock chamber 130 according to the present embodiment is provided with a structure capable of simultaneously carrying in and carrying out a plurality of substrates at the same time. Therefore, in the load lock chamber 130 according to the present exemplary embodiment, as shown in FIG. 7, buffers 132 on which two substrates may be placed in a line are arranged in parallel. At this time, each buffer 132 is provided in parallel with the traveling direction of the substrate. Therefore, the substrate entered into the load lock chamber 130 may be received in the buffer 132 without any movement in the direction in which the substrate enters the load lock chamber 130. Of course, the load lock chamber 130 according to the present embodiment is provided with a lift pin and an aligner as in the prior art. However, in the load lock chamber 130 according to the present embodiment, since a plurality of substrates are taken in and out, two sets of lift pins 134 are provided to lift and lift a plurality of substrates. That is, two buffers on one side become a set, two adjacent buffers on the other side become a set, and each buffer is provided with a lift pin driven separately. Therefore, a separate substrate can be received in each pair of buffers.

또한 얼라이너(136)는 4장의 기판을 동시에 얼라인할 수 있도록 각 기판이 재치될 위치에 별도로 마련된다. 이 얼라이너(136)들은 각각 별도로 구동하며 버퍼(132)에 재치된 기판의 위치를 보정한다. 그리고 본 실시예에 따른 로드락 챔버(130)에 마련되는 얼라이너(136)들은 각각 별도로 상하 방향으로 구동된다. 따라서 기판(S)이 버퍼(132)에 재치되어 수평이동하는 동안에는 얼라이너(136)가 하강하여 기판의 이동을 방해하지 않으며, 기판이 완전히 이동한 후에는 상승하여 기판의 위치 재조정 작업을 진행한다. In addition, the aligner 136 is separately provided at the position where each board | substrate is mounted so that 4 board | substrates can be aligned simultaneously. These aligners 136 are driven separately and correct the position of the substrate placed in the buffer 132. And the aligners 136 provided in the load lock chamber 130 according to the present embodiment are driven separately in the vertical direction. Therefore, while the substrate S is placed on the buffer 132 and moved horizontally, the aligner 136 is lowered to prevent movement of the substrate, and after the substrate is completely moved, the substrate S is raised to proceed with the repositioning of the substrate. .

한편 본 실시예에 따른 로드락 챔버(130)에는 상기 버퍼(132) 상부에 재치되는 기판을 수평 방향으로 이동시키는 기판 이동수단(도면에 미도시)이 더 마련되는 것이 바람직하다. 이 기판 이동수단은 기판(S)을 버퍼(132) 상에서 수평이동시킬 수 있도록 마련되어, 도 8a, 8b에 도시된 바와 같이, 버퍼(132)의 일단에 재치된 기판을 버퍼(132)의 타단으로 이동시킬 수 있다. 따라서 로드락 챔버(130) 내부로 기판을 반입하는 경우에 상기 버퍼(132)의 어느 일단에 기판을 재치시키면 이를 버퍼 상의 다른 위치로 이동시킬 수 있다. 이렇게 로드락 챔버(130) 내 버퍼(132) 상의 기판을 용이하게 이동시킬 수 있는 경우에는 로드락 챔버(130) 외측에서 로드락 챔버 내로 기판을 반입하고 반출시키는 로더(140)의 구성을 매우 다양하게 변경할 수 있는 장점이 있다. On the other hand, the load lock chamber 130 according to the present embodiment is preferably further provided with a substrate moving means (not shown in the figure) for moving the substrate placed on the buffer 132 in the horizontal direction. The substrate moving means is provided to move the substrate S horizontally on the buffer 132, and as shown in FIGS. 8A and 8B, the substrate placed at one end of the buffer 132 to the other end of the buffer 132 is provided. You can move it. Accordingly, when the substrate is loaded into the load lock chamber 130, when the substrate is placed at one end of the buffer 132, the substrate may be moved to another position on the buffer. When the substrate on the buffer 132 in the load lock chamber 130 can be easily moved in this way, the configuration of the loader 140 for loading and unloading the substrate into the load lock chamber from the outside of the load lock chamber 130 is very diverse. There is an advantage that can be changed.

한편 본 실시예에서는 평판표시소자 제조장치(100) 내로의 기판의 반입 및 반출의 효율성을 높이기 위하여 적층형 로드락 챔버를 채용할 수도 있다. 적층형 로드락 챔버란, 동일한 구조의 로드락 챔버가 상하로 적층되어 마련되고, 각 로드락 챔버는 반송 챔버와 연결되어 마련되는 것이다. 이렇게 적층형 로드락 챔버를 이용하는 경우에는, 어느 한 로드락 챔버를 반입용으로 사용하고, 다른 하나를 반출용으로 사용하는 등 기판의 반입 및 반출을 보다 효율적으로 수행할 수 있는 장점이 있다. Meanwhile, in the present embodiment, a stacked load lock chamber may be employed to increase the efficiency of loading and unloading the substrate into the flat panel display device manufacturing apparatus 100. In the stacked load lock chamber, load lock chambers having the same structure are stacked up and down, and each load lock chamber is connected to the transfer chamber. When using the stacked load lock chamber as described above, there is an advantage that the loading and unloading of the substrate can be more efficiently performed by using one load lock chamber for carrying in and using the other for carrying out.

다음으로 본 실시예에 따른 평판표시소자 제조장치(100)에서는, 상기 로드락 챔버(130)의 외측에 마련되어, 상기 로드락 챔버(130)로 기판을 반입하고, 로드락 챔버(130) 내부의 기판을 외부로 반출하는 로더(loader, 140)가 더 마련된다. 본 실시예에 따른 평판표시소자 제조장치(100)에는 상기 로드락 챔버(130) 내에 2개의 버퍼(132)가 존재하므로 각 버퍼에 별도로 기판을 반입하고 반출할 수 있도록, 도 2에 도시된 바와 같이, 2개의 로더(140)가 나란히 배치되는 것이 바람직하다. 이렇게 2개의 로더가 배치되는 경우에는, 도 8a에 도시된 바와 같이, 각 버퍼에 동시에 한 장의 기판이 반입될 수 있는 장점이 있다. 이때 각 로더(140)에 인접한 위치에는 다수장의 기판이 적재되어 있는 별도의 카세트(C)가 마련되어 각 로더(140)에 기판을 공급하고, 반출되는 기판을 수납하여야 한다. Next, in the flat panel display device manufacturing apparatus 100 according to the present embodiment, provided on the outside of the load lock chamber 130, the substrate is loaded into the load lock chamber 130, the inside of the load lock chamber 130 A loader 140 for further carrying out the substrate is further provided. In the flat panel display device manufacturing apparatus 100 according to the present exemplary embodiment, since two buffers 132 are present in the load lock chamber 130, a substrate may be separately loaded into and taken out of each buffer, as shown in FIG. 2. Likewise, the two loaders 140 are preferably arranged side by side. When two loaders are arranged in this way, as shown in FIG. 8A, one substrate may be loaded into each buffer at the same time. In this case, a separate cassette C in which a plurality of substrates are stacked is provided at a position adjacent to each loader 140 to supply a substrate to each loader 140 and to store the substrate to be taken out.

한편 본 실시예에 따른 로드락 챔버(130) 내에 마련되는 버퍼(132)는 1장의 기판만 재치될 수 있는 것이 아니라, 다수장의 기판이 나란하게 일렬로 배치될 수 있다. 따라서 이 버퍼(132)의 다양한 위치에 기판을 용이하게 재치할 수 있도록, 상기 로더(140)의 구조가 전후 좌우의 동작 폭이 큰 구조로 이루어지는 것이 바람 직하다. Meanwhile, the buffer 132 provided in the load lock chamber 130 according to the present exemplary embodiment may not be mounted on only one substrate, but a plurality of substrates may be arranged side by side. Therefore, it is preferable that the structure of the loader 140 is a structure having a large width of the front, rear, left, and right sides so that the substrate can be easily placed at various positions of the buffer 132.

또한 도 9에 도시된 바와 같이, 하나의 로더(140)에 다수장의 기판을 동시에 적재시킨 상태에서 이동시킬 수 있는 구조로 로더를 구성할 수도 있다. 이 경우에는 기판이 적재되는 로봇 핸드의 길이를 연장하여 하나의 로봇 핸드에 2 장의 기판이 위치될 수 있도록 하는 것이다. 이렇게 하나의 로봇 핸드에 2 장의 기판이 위치되는 경우에는 상기 로드락 챔버에 기판 이동수단이 마련될 필요가 없다. 다만, 이 경우에는 카세트의 구조가 종래와 달리 한 층에 2 장의 기판이 일렬로 배치되는 구조로 변경되어야 한다. In addition, as shown in FIG. 9, the loader may be configured in a structure capable of moving in a state in which a plurality of substrates are simultaneously loaded in one loader 140. In this case, the length of the robot hand on which the substrate is loaded is extended so that two substrates can be positioned in one robot hand. When two substrates are positioned in one robot hand as described above, it is not necessary to provide substrate moving means in the load lock chamber. In this case, however, the structure of the cassette should be changed to a structure in which two substrates are arranged in one layer in a single layer unlike in the related art.

본 발명에 따르면 다수장의 기판을 한 번의 공정으로 동시에 처리할 수 있으므로, 각 공정의 반복에 소요되는 기판 처리시간이 불필요하여, 기판 처리시간이 대폭 단축되는 장점이 있다. According to the present invention, since a plurality of substrates can be processed simultaneously in a single process, the substrate processing time required for repetition of each process is unnecessary, and the substrate processing time is greatly shortened.

또한 다수장의 기판을 하나의 챔버 내에서 동일한 조건으로 처리하므로 각 기판이 균일하게 처리되어 평판표시소자의 제조 수율이 높아지는 장점이 있다. In addition, since a plurality of substrates are treated under the same conditions in one chamber, each substrate is uniformly processed, thereby increasing the manufacturing yield of the flat panel display device.

Claims (8)

진공 상태의 공정 챔버 내에 플라즈마를 발생시켜서 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리방법에 있어서, In the plasma processing method of generating a plasma in a vacuum process chamber, a predetermined treatment is performed on a substrate. 1) 반송 로봇의 로봇 핸드 상에 상기 로봇 핸드의 길이방향을 따라 적재된 상기 기판들을 상기 반송 로봇을 이용하여 상기 공정챔버 내부에 반입하는 단계;1) importing the substrates loaded along the longitudinal direction of the robot hand onto a robot hand of a transfer robot into the process chamber by using the transfer robot; 2) 상기 공정챔버 내부에 설치된 하부전극 상에 상기 기판들을 상기 하부전극의 상부면을 따라 재치하는 단계;2) placing the substrates along an upper surface of the lower electrode on a lower electrode provided in the process chamber; 3) 상기 공정 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 다수장의 기판을 동시에 처리하는 단계; 및3) generating a plasma inside the process chamber to simultaneously process a plurality of substrates; And 4) 처리가 완료된 다수장의 기판을 상기 로봇 핸드에 적재하고 상기 반송 로봇을 이용하여 외부로 반출하는 단계를 포함하되,4) loading the completed plurality of substrates into the robot hand and taking them out using the transfer robot; 상기 4) 단계는,Step 4), a) 각 기판의 하측마다 별도로 마련되는 리프트 핀을 이용하여 다수장의 기판을 동시에 들어올리는 단계; 및a) simultaneously lifting a plurality of substrates by using lift pins provided separately for each lower side of each substrate; And b) 들어올려진 다수장의 기판을 동시에 상기 공정 챔버 외부로 배출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.b) simultaneously discharging the lifted plurality of substrates out of the process chamber. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 로봇 핸드는,The robot hand, 미처리된 상기 기판들을 적재하는 제1 로봇핸드; 및A first robot hand for loading the unprocessed substrates; And 상기 제1 로봇핸드의 상부에 위치하여 처리완료된 상기 기판들을 적재하는 제2 로봇핸드를 구비하며,A second robot hand positioned on the first robot hand to load the processed substrates; 상기 1) 단계는 상기 제2 로봇핸드에 처리완료된 상기 기판들이 적재된 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.The step 1) is a plasma processing method, characterized in that the processing is carried out in the state that the substrates that are completed in the second robot hand is loaded. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 방법은 상기 1) 단계 이전에,The method before step 1), c) 로드락 챔버 내에 상기 기판들을 적재하는 단계; 및c) loading the substrates into a load lock chamber; And d) 상기 로드락 챔버 내에 적재된 상기 기판들을 상기 로봇 핸드 상에 올려놓는 단계를 더 포함하며,d) placing the substrates loaded in the load lock chamber on the robot hand, 상기 c) 단계는 로더를 이용하여 상기 로드락 챔버 내부에 설치된 버퍼의 일측에 상기 기판들을 적재하고 상기 버퍼를 이용하여 상기 기판들을 상기 버퍼의 타측을 향하여 이동하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.The step c) further comprises the step of loading the substrates on one side of the buffer installed in the load lock chamber using a loader and moving the substrates to the other side of the buffer using the buffer. Plasma treatment method. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 c) 단계는 상기 버퍼의 일측에 적재된 상기 기판들을 정렬하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.The step c) further comprises the step of aligning the substrates loaded on one side of the buffer. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 c) 단계는,C), 상기 기판들이 이동하기 전에 상기 기판들에 대한 정렬을 완료하며, 상기 기판들이 이동한 이후에 상기 기판들을 재정렬하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.And completing the alignment of the substrates before the substrates are moved, and rearranging the substrates after the substrates are moved. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 3) 단계는,Step 3), 상기 하부전극 상에 설치되고 상기 기판들과 각각 대응되도록 상기 기판들의 하부에 설치되는 분할전극들을 이용하여 상기 플라즈마를 생성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.And generating the plasma by using the split electrodes provided on the lower electrodes and disposed below the substrates so as to correspond to the substrates, respectively. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 리프트 핀은 상기 하부전극의 테두리를 따라 배치되는 테두리 리프트 핀들 및 상기 하부전극의 중앙 영역에 배치되는 중앙 리프트 핀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.And the lift pins include edge lift pins disposed along the edge of the lower electrode and center lift pins disposed in the center region of the lower electrode. 진공 상태의 공정 챔버 내에 플라즈마를 발생시켜서 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리방법에 있어서, In the plasma processing method of generating a plasma in a vacuum process chamber, a predetermined treatment is performed on a substrate. 1) 반송 로봇의 로봇 핸드 상에 상기 로봇 핸드의 길이방향을 따라 적재된 상기 기판들을 상기 반송 로봇을 이용하여 상기 공정챔버 내부에 반입하는 단계;1) importing the substrates loaded along the longitudinal direction of the robot hand onto a robot hand of a transfer robot into the process chamber by using the transfer robot; 2) 상기 공정챔버 내부에 설치된 하부전극 상에 상기 기판들을 상기 하부전극의 상부면을 따라 재치하는 단계;2) placing the substrates along an upper surface of the lower electrode on a lower electrode provided in the process chamber; 3) 상기 공정 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 다수장의 기판을 동시에 처리하는 단계; 및3) generating a plasma inside the process chamber to simultaneously process a plurality of substrates; And 4) 처리가 완료된 다수장의 기판을 상기 로봇 핸드에 적재하고 상기 반송 로봇을 이용하여 외부로 반출하는 단계를 포함하되,4) loading the completed plurality of substrates into the robot hand and taking them out using the transfer robot; 상기 방법은,The method, 상기 2) 단계와 3) 단계 사이에 상기 하부 전극 상에 재치된 각 기판을 정전력을 이용하여 하부 전극 측으로 잡아 당겨 고정시키는 단계; 및Pulling each of the substrates mounted on the lower electrode between the step 2) and the step 3) by fixing them to the lower electrode side using electrostatic force; And 상기 3) 단계와 4) 단계 사이에 정전력을 해제하여 다수장의 기판이 하부 전극으로부터 디처킹되도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.And releasing the electrostatic force between steps 3) and 4) to cause the plurality of substrates to be de-chucked from the lower electrode.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100903626B1 (en) * 2007-12-17 2009-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 Dry eching apparatus
CN111471965A (en) * 2020-04-30 2020-07-31 苏州迈正科技有限公司 Conveying carrier plate, vacuum coating equipment and vacuum coating method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08255785A (en) * 1995-03-17 1996-10-01 Nec Corp Plasma treating apparatus
JP2000353690A (en) * 1999-06-11 2000-12-19 Sharp Corp Plasma reactor apparatus

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277489A (en) * 1999-03-24 2000-10-06 Sharp Corp Plasma processing device
JP2001007117A (en) * 1999-06-24 2001-01-12 Tokyo Electron Ltd Treating apparatus and treating method
US20050106873A1 (en) * 2003-08-15 2005-05-19 Hoffman Daniel J. Plasma chamber having multiple RF source frequencies
KR100995636B1 (en) * 2003-12-05 2010-11-19 엘지디스플레이 주식회사 Apparatus for Processing under Atmosphere Pressure Plasma

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08255785A (en) * 1995-03-17 1996-10-01 Nec Corp Plasma treating apparatus
JP2000353690A (en) * 1999-06-11 2000-12-19 Sharp Corp Plasma reactor apparatus

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