KR100887528B1 - 탄소나노튜브 반응장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 화학 기상증착법(PECVD:plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하여 탄소나노튜브(CNT:carbon nano tube)를 기판상에 연속 성장시키기 위한 탄소나노튜브 반응장치에 관한 것으로서, 챔버 내에 설치되어 기판을 일정 방향으로 회전시킬 수 있게 구비되는 기판장착부와 기판장착부에 장착되어 회전되는 기판상에 촉매금속(반응미립자)을 증착시키는 증착부 및 증착된 촉매금속에 탄소나노튜브를 성장시키기 위해 상기 증착부로부터 일정거리 이격되게 설치되어 상기 촉매금속에 반응가스를 공급하는 플라즈마전극을 구비함으로써, 상압 상태에서 증착공정과 플라즈마 반응공정을 하나의 챔버 내에서 연속 실시하여 회전되는 기판상에 양질의 탄소나노튜브를 연속하여 성장시킬 수 있을 뿐 아니라, 제조비용을 현저히 절감할 수 있는 탄소나노튜브 반응장치에 관한 것이다.
챔버, 탄소나노튜브, 회전드럼, 회전디스크, 플라즈마전극

Description

탄소나노튜브 반응장치 {An chemical reactor for carbon nano tube}
도 1은 본 발명의 탄소나노튜브 반응장치의 일 실시 예의 사시도,
도 2는 도 1의 본 발명의 단면도,
도 3은 본 발명의 탄소나노튜브 반응장치의 다른 실시 예의 사시도,
도 4는 도 3의 본 발명의 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 챔버 2 : 도어
5 : 기판 7 : 촉매금속
8 : 탄소나노튜브 10,20 : 기판장착부
12,22 : 회전드럼 13,23 : 가열히터
15,25 : 회전축 28 : 회전디스크
60 : 플라즈마전극 65 : 가스공급관
70 : 증착부 90 : 전원장치
본 발명은 플라즈마 화학 기상증착법(PECVD:plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하여 탄소나노튜브(CNT:carbon nano tube)를 기판상에 연속 성장시키기 위한 탄소나노튜브 반응장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 챔버 내에 기판을 회전시킬 수 있는 기판장착부를 설치하고, 기판상에 촉매금속(반응미립자)을 증착시키는 증착부와 탄소나노튜브를 성장시키는 플라즈마전극을 일정거리 이격되게 연속으로 설치하여 하나의 챔버 내에서 회전되는 기판상에 양질의 탄소나노튜브를 연속 성장시킬 수 있는 탄소나노튜브 반응장치에 관한 것이다.
일반적으로 탄소나노튜브는 전기방전법을 이용하여 흑연 음극상에 형성시킨 탄소생성물을 분석하는 과정에서 최초로 발견된 것으로서, 하나의 탄소원자가 3개의 다른 탄소원자와 육각형 벌집무늬로 결합되어 속이 비어 있는 튜브형태를 이루고 있다.
탄소나노튜브는 튜브의 직경이 보통 1나노미터 수준으로 자연계에서 가장 작은 튜브를 형성하며, 튜브의 직경이나 배향각에 따라 전기적 성질이 상이하게 나타나기 때문에 반도체 공정 등에 응용될 수 있다.
이러한 탄소나노튜브는 도체 특성 또는 반도체 특성을 선택적으로 가질 수도 있으며, 기계적, 전기적, 화학적 성질이 우수하여 차세대 평면 디스플레이인 전계방출 소자(FED:Field Emission Display), 2차전지 전극 또는 자동차, 항공, 복합재료 등으로 다양하게 응용될 수 있다.
탄소나노튜브를 성장시켜 제조하는 방법은 전기 방전법(Arc-Discharge), 레 이저 증착법(Laser Vaporization), 열화학 기상증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 기상증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 다양한 방법이 있다.
그러나 상기와 같은 탄소나노튜브 합성방법은 다음과 같은 문제점들이 있었다.
먼저, 전기 방전법이나 레이저 증착법은 탄소나노튜브의 합성 수율이 비교적 낮고, 합성속도가 떨어질 뿐 아니라, 합성과정에서 불순물이 포함되기 때문에 별도의 정제과정이 필요하여 대량생산이 곤란한 문제점이 있고, 또한 열화학 기상증착법은 탄소나노튜브를 대면적으로 합성하는 것이 가능할 뿐 아니라, 고품질의 탄소나노튜브를 합성할 수 있는 장점이 있으나, 합성온도가 높아 유리기판 등을 사용하는 소자에는 응용하기가 곤란한 문제점이 있었다.
한편 플라즈마 화학 기상증착법은 양 전극에 인가되는 고주파 전원에 의하여 챔버 또는 반응로 내에 글로우 방전을 발생시키는 것으로서, 불순물이 거의 발생하지 않고, 열화학 기상증착법보다 저온 상태에서 탄소나노튜브를 합성할 수 있는 장점이 있었다.
그러나 종래의 플라즈마 화학 기상증착법은 탄소나노튜브를 진공상태에서 합성해야 하기 때문에 고가의 진공장비를 이용하여야 하며, 또한 증착공정과 플라즈마 반응공정을 별도의 챔버에서 각각 실시함으로써, 탄소나노튜브를 성장시키는데 많은 시간이 소요될 뿐 아니라, 상대적으로 넓은 면적의 기판을 사용하는 것이 곤란하여 대량생산을 위한 설비 구축에 많은 설비 비용이 소요되기 때문에 이에 따른 제조원가의 상승으로 나노 복합재료 산업 전반에 활용되는 데에 한계가 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 상압 상태의 플라즈마 화학 기상증착법(PECVD:plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하되, 챔버 내에 탄소나노튜브가 성장되는 기판을 회전시킬 수 있는 기판장착부를 설치하고, 기판상에 촉매금속(반응미립자)을 증착시키는 증착부와 플라즈마전극을 일정거리 이격되게 연속으로 설치하여 하나의 챔버 내에서 회전되는 기판상에 양질의 탄소나노튜브를 연속 성장시킬 수 있게 한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 챔버 내의 제한된 공간 내에서 상대적으로 면적이 넓은 기판을 사용할 수 있게 함으로써, 대량생산을 위한 설비 비용을 절감하여 적은 비용으로 탄소나노튜브를 대량생산 함으로써 제조원가를 현저히 절감시킬 수 있게 한 탄소나노튜브 반응장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 내부에 일정 공간을 형성하는 챔버와, 외측면에 설치되는 기판을 일정 방향으로 회전시킬 수 있게 상기 챔버 내에 회전 가능하게 축 결합되는 기판장착부와, 상기 기판을 가열시킬 수 있게 상기 챔버 일측에 설치되는 가열히터와, 상기 기판의 상측면에 단부가 인접되도록 상기 챔버 내의 일측에 설치되어 상기 기판상에 촉매금속을 증착시키는 증착부와, 상기 기판 상에 증착된 촉매금속에 탄소나노튜브를 성장시키기 위해 상기 증착부로부터 일정거리 이격되고 단부가 기판에 인접되게 설치되어 상기 촉매금속에 반응가스를 공급하는 플라즈마전극 및 상기 플라즈마전극과 기판장착부에 각각 전원을 공급하는 전원장치를 포함하여 구성된다.
본 발명의 상기 기판장착부는 내부가 비어 있고 일측이 개방되며 상기 챔버 내측에 타측이 축 결합되어 회전 가능하게 설치되는 회전드럼인 것을 특징으로 할 수 있다.
또한 본 발명의 상기 기판은 상기 회전드럼의 외주면에 코팅된 실리콘층으로 형성될 수 있다.
한편 본 발명의 상기 가열히터는 상기 회전드럼의 외주면에 구비된 기판을 가열시킬 수 있게 상기 회전드럼의 내주면에 인접되게 설치될 수 있다.
또 상기 가열히터는 상기 기판이 회전되어 상기 플라즈마전극을 통과할 때 적정온도로 가열된 상태가 될 수 있도록 상기 플라즈마전극으로 접근하는 상기 회전드럼의 내주면의 일정 구역을 가열시킬 수 있게 고정 설치된다.
이때 상기 증착부와 플라즈마전극은 상기 회전드럼의 외주면에 장착된 기판의 폭 전체에 대해 탄소나노튜브를 연속적으로 성장시킬 수 있도록 기판의 폭에 대응되게 일정 길이로 형성될 수 있다.
또한 본 발명의 상기 회전드럼의 일측에는 회전드럼과 일체로 회전 가능하게 설치되는 회전디스크를 더 구비하되, 상기 기판은 상기 회전디스크와 일체로 회전될 수 있도록 회전디스크 상부면에 장착된다.
또 본 발명의 상기 가열히터는 상기 기판의 상측면에 인접되게 설치하되, 상기 기판이 회전되어 상기 플라즈마전극을 통과할 때 적정온도로 가열된 상태가 될 수 있도록 상기 플라즈마전극으로 접근하는 일정 구역을 가열시킬 수 있게 상기 플라즈마전극과 증착부 사이에 설치될 수 있다.
이때 상기 증착부와 플라즈마전극은 상기 회전디스크 상부에 장착된 기판의 반경 방향의 폭 전체에 대해 탄소나노튜브를 연속적으로 성장시킬 수 있도록 기판의 반경에 대응되는 일정 길이로 형성될 수 있다.
이하 본 발명에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 탄소나노튜브 반응장치의 일 실시 예의 사시도를 나타낸 것이고, 도 2는 도 1의 단면도를 나타낸 것이다.
도시된 바와 같이, 본 발명은 챔버(1), 기판장착부(10), 가열히터(13), 증착부(70), 플라즈마전극(60) 및 전원장치(90)를 포함하여 구성된다.
챔버(1)는 외부와 격리되어 밀폐될 수 있게 내부에 일정 공간이 형성되고 일측에는 개폐 가능한 도어(2)가 구비된다.
기판장착부(10)는 기판(5)을 일정 방향으로 회전시킬 수 있게 챔버(1) 내에 회전 가능하게 설치되는 것으로서, 챔버(1) 측벽에 회전 가능하게 결합되는 회전축(15)과 회전축(15)에 일측 중앙부가 결합되는 회전드럼(12)으로 구성된다.
이때 회전드럼(12)의 외주면에는 기판(5)이 회전드럼(12)과 일체로 회전될 수 있게 설치된다.
회전드럼(12)은 내부가 비어 있고 일측이 개방된 원통 형상으로서 챔버(1)의 후측면에 설치되는 회전축(15)에 중앙부가 축 결합되어 구동모터(도시하지 않음)에 의해 회전 가능하게 설치된다.
따라서 기판(5)은 일반적인 형태의 패널 타입보다 넓은 면적을 확보할 수 있음은 물론 탄소나노튜브 성장을 위한 연속적인 면을 형성할 수 있게 되는 것이다.
기판(5)은 탄소나노튜브(8)가 성장되는 곳으로서, 도1 및 도2에 도시된 일 실시예에 따라 드럼 타입의 기판장착부(10)에 구비될 수 있으며, 이때 회전드럼(12)의 외주면에 실리콘 층을 코팅하여 일체로 형성시킬 수 있다.
한편 가열히터(13)는 회전드럼(12)의 외주면에 설치되는 기판(5)을 가열시키는 것으로서, 회전드럼(12)의 내주면에 인접되게 위치하도록 지지대(도시하지 않음) 등을 이용하여 챔버(1) 내에 고정 설치된다.
이때 가열히터(13)는 기판(5)을 탄소나노튜브(8)가 성장되기 위한 적정온도(350℃~1200℃)로 유지시킬 수 있도록 플라즈마전극(60)이 위치하는 곳에 대응되게 설치하되, 기판(5)의 촉매금속(7)이 증착된 부위가 플라즈마전극(60)을 통과할 때 적정온도로 충분히 가열된 상태가 되도록 한다.
따라서 가열히터(13)는 플라즈마전극(60)으로 접근하는 기판(5)의 일정구역이 가열될 수 있게 회전드럼(12)의 내주면의 일정 구역을 가열시킬 수 있도록 설치된다.
한편 가열히터(13)는 일반적인 열선이 설치된 가열장치 등 다양한 형태의 가열장치를 적용할 수 있고, 또한 회전드럼(12)의 내주면 전체를 가열시킬 수 있게 설치되거나, 회전드럼(12)의 외측에서 기판(5)을 가열할 수 있게 설치될 수도 있으 며, 또한 챔버(1) 내부 전체를 가열시킬 수 있게 설치될 수도 있을 것이다.
따라서 기판(5)은 증착부(70)를 통과하면서 가열히터(13)에 의해 적정온도로 가열되고, 회전드럼(12)과 함께 일체로 회전되어 플라즈마전극(60)이 설치된 곳을 통과하게 된다.
한편 증착부(70)는 회전되는 기판(5)상에 촉매금속(7)(Fe, Ni 등)의 반응미립자를 증착시키는 것으로서, 열 증착법이나 스퍼터링법 또는 스프레이법 등에 의해 촉매금속을 기판 표면에 증착시킴으로써, 탄소나노튜브(8)가 성장될 수 있는 나노 크기의 미세한 금속 파티클을 기판 표면에 생성시킨다.
이때, 증착부(70)는 회전드럼(12)의 외주면에 설치된 기판(5)의 폭 전체에 반응미립자를 일시에 증착시킬 수 있게 기판(5)의 폭과 동일한 길이로 형성하는 것이 바람직하다.
한편 플라즈마전극(60)은 회전드럼(12)의 외주면에 장착된 기판(5)의 표면에 전극 단부가 인접되게 설치하되, 증착부(70)와 일정거리 이격되어 설치되는 것으로서, 가스공급관(65)을 통해 공급되는 반응가스를 공급하여 글로우 방전을 시킴으로써 기판(5)상의 촉매금속(7)에 탄소나노튜브(8)를 성장시키는 역할을 하는 것이다.
따라서 플라즈마전극(60)은 외부의 가스공급부(도시하지 않음)와 연결되는 가스공급관(65)이 구비되며, 증착부(70)와 같이 기판(5) 폭 전체에 대해 일시에 탄소나노튜브(8)를 성장시킬 수 있게 기판(5)의 폭과 동일한 길이로 구비된다.
이때, 플라즈마전극(60)을 통해 공급되는 반응가스는 일반적으로 He, C₂H₂, C₂H₄ 등이 사용될 수 있다.
한편 챔버(1)에는 플라즈마전극(60)과 기판장착부(10)의 회전드럼(12)에 전원을 공급하는 전원장치(90)가 설치된다.
전원장치(90)는 직류전원이나 고주파전원 등을 플라즈마전극(60)과 기판장착부(10)의 회전드럼(12)으로 구성되는 양 전극에 전원을 각각 인가하여 글로우 방전을 발생시킴으로써, 플라즈마전극(60)으로부터 배출되는 반응가스의 탄소원자가 촉매금속(7)에 부착되어 탄소나노튜브(8)가 성장될 수 있게 한다.
이때 전원장치(90)와 회전드럼(12)의 전원연결은 일반적으로 회전체에 전원 등을 공급할 수 있는 슬립링(slip ring) 등을 이용할 수 있다.
이하 본 발명의 일 실시 예의 작동과정을 설명한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(1) 내에 설치된 회전드럼(12)이 화살표 방향으로 회전하게 되면 회전드럼(12)의 외주면에 장착된 기판(5)도 화살표 방향으로 회전하게 된다.
이때, 증착부(70)는 기판(5) 표면에 촉매금속(7)를 연속하여 순차적으로 증착시키게 되고, 증착된 촉매금속(7)은 기판(5)의 회전에 의해 이동되어 플라즈마전극(60)이 위치한 곳으로 이동하게 된다.
이때 가열히터(13)는 회전되는 기판(5)이 적정 온도가 되도록 회전드럼(12)과 기판(5)을 가열시키게 된다.
또한 플라즈마전극(60)은 가스공급부로부터 가스공급관(65)을 통해 반응가스를 공급받아 기판(5)을 향해 배출시키게 되고, 이때 전원장치(90)로부터 공급되는 전원에 의해 플라즈마전극(60)과 기판(5) 사이에 글로우 방전이 발생된다.
이때, 공급되는 반응가스는 촉매금속(7)에 미세한 나노 크기의 탄소나노튜브(8)를 성장시키게 되는 것이다.
기판(5)상에 합성된 탄소나노튜브(8)는 별도의 탄소나노튜브(8) 수취장치(도시하지 않음)를 이용하여 수취하면 되는 것이다.
따라서, 회전되는 기판(5)상에 촉매금속(7)을 증착시키는 증착공정과 탄소나노튜브(8)를 성장시키는 반응공정이 연속되어 이루어짐으로써, 챔버(1) 내의 제한된 공간에서 상대적으로 넓은 면적의 기판(5)상에 양질의 탄소나노튜브(8)를 대량 생산할 수 있게 되는 것이다.
도 3과 도 4는 본 발명의 탄소나노튜브 반응장치의 다른 실시 예를 나타낸 것으로서, 본 발명의 기판장착부와 가열히터의 구성 이외에는 도 1의 실시 예와 동일하므로 변경된 구성에 대해서만 설명한다.
도시된 바와 같이, 본 발명은 챔버(1), 기판장착부(20), 가열히터(23), 증착부(70), 플라즈마전극(60) 및 전원장치(90)를 포함하여 구성된다.
기판장착부(20)는 챔버(1)의 하측에 결합되는 회전축(25)과 회전드럼(22) 및 회전디스크(28)로 구성된다.
회전축(25)은 챔버(1)의 하측부에 회전 가능하게 결합되며, 상부에는 회전드럼(22)이 설치된다.
회전드럼(22)은 중앙부가 회전축(25)에 축 결합되어 챔버(1)의 하측부에 수평 상태로 구동모터(도시하지 않음)에 의해 회전 가능하게 설치된다.
한편, 회전디스크(28)는 회전드럼(22)의 상측부에 결합하되, 회전드럼(22)과 일체로 회전될 수 있게 중앙부가 회전축(25)에 결합된다.
이때 회전디스크(28)의 상부면에는 회전디스크(28)와 동일한 형태로 디스크 타입의 기판(5)이 장착된다.
한편 플라즈마전극(60)과 증착부(70)는 회전디스크(28)에 장착된 기판(5)의 상부면과 단부가 각각 인접되게 설치하되, 회전중심을 기준으로 반경 방향으로 일정 각도를 유지한 상태로 설치된다.
플라즈마전극(60)과 증착부(70)는 도시된 바와 같이 90도 각도로 설치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 작업조건에 따라 다양한 각도로 설치될 수 있다.
한편, 가열히터(23)는 회전디스크(28)의 상측면에 장착된 기판(5)의 상부면에 인접되게 설치하되, 기판(5)을 탄소나노튜브(8)가 성장되기 위한 적정온도(350℃~1200℃)로 유지시킬 수 있도록 플라즈마전극(60)과 증착부(70) 사이에 설치되어 기판(5)의 촉매금속(7)이 증착된 부위가 플라즈마전극(60)을 통과할 때 적정온도로 충분히 가열된 상태가 되도록 한다.
따라서 회전디스크(28)는 플라즈마전극(60)으로 접근하는 기판(5)의 일정구역이 가열될 수 있게 설치되며, 이때, 다양한 형태로 형성될 수 있다.
또한 가열히터(23)는 플라즈마전극(60)과 증착부(70) 사이의 기판(5) 상부에 에 위치하도록 한정되는 것은 아니며, 회전드럼(22)의 내부 등 다양한 위치에 설치될 수도 있을 것이다.
한편 전원장치(90)는 양극이 플라즈마전극(60)과 회전드럼(22)에 각각 연결 된다.
따라서 기판(5)은 회전디스크(28)와 함께 회전되면서 증착부(70)에 의해 촉매금속(7)이 표면에 증착되고, 플라즈마전극(60)에 의해 연속하여 탄소나노튜브(8)가 성장되게 된다.
따라서 본 발명은 디스크 형태의 기판(5)을 회전시키면서 기판(5) 표면상에 증착공정과 반응공정을 연속하여 실시함으로써, 상대적으로 넓은 면적의 기판(5)상에 양질의 탄소나노튜브(8)를 대량 생산할 수 있게 되는 것이다.
이상, 상기의 실시 예는 단지 설명의 편의를 위해 예시로서 설명한 것에 불과하므로 특허청구범위를 한정하는 것은 아니다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 첫째, 기판을 회전시킬 수 있는 기판장착부를 설치하고, 기판상에 증착부와 플라즈마전극을 일정거리 이격되게 연속으로 설치하여 하나의 챔버 내에서 증착공정과 플라즈마 반응공정을 연속으로 실시하여 회전되는 기판상에 양질의 탄소나노튜브를 연속 성장시킴으로써, 탄소나노튜브의 합성시간을 현저히 단축시킬 수 있는 효과가 있다.
둘째, 회전되는 기판상에 탄소나노튜브를 합성하여 상대적으로 넓은 면적의 기판을 사용할 수 있게 됨으로써, 대량생산을 위한 설비 비용을 현저히 절감할 수 있어 적은 비용으로 탄소나노튜브를 대량생산하는 것이 가능하여 제조원가를 현저히 절감시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (9)

  1. 내부에 일정 공간을 형성하는 챔버;
    외측면에 설치되는 기판을 일정 방향으로 회전시킬 수 있게 상기 챔버 내에 회전 가능하게 축 결합되는 기판장착부;
    상기 기판을 가열시킬 수 있게 상기 챔버 일측에 설치되는 가열히터;
    상기 기판의 상측면에 단부가 인접되도록 상기 챔버 내의 일측에 설치되어 상기 기판상에 촉매금속을 증착시키는 증착부;
    상기 기판상에 증착된 촉매금속에 탄소나노튜브를 성장시키기 위해 상기 증착부로부터 일정거리 이격되고, 단부가 기판에 인접되게 설치되어 상기 촉매금속에 반응가스를 공급하는 플라즈마전극; 및
    상기 플라즈마전극과 기판장착부에 각각 전원을 공급하는 전원장치; 를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 반응장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기판장착부는,
    내부가 비어 있고 일측이 개방되며 상기 챔버 내측에 타측이 축 결합되어 회전 가능하게 설치되는 회전드럼인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 반응장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 기판은 상기 회전드럼의 외주면에 코팅된 실리콘 층인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 반응장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 가열히터는 상기 회전드럼의 외주면에 구비된 기판을 가열시킬 수 있게 상기 회전드럼의 내주면에 인접되게 설치되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 반응장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 가열히터는 상기 기판이 회전되어 상기 플라즈마전극을 통과할 때 적정온도로 가열된 상태가 될 수 있도록 상기 플라즈마전극으로 접근하는 상기 회전드럼의 내주면의 일정 구역을 가열시킬 수 있게 고정 설치되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 반응장치.
  6. 제 2항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 에 있어서,
    상기 증착부와 플라즈마전극은 상기 회전드럼의 외주면에 장착된 기판의 폭 전체에 대해 탄소나노튜브를 연속적으로 성장시킬 수 있도록 기판의 폭에 대응되게 일정 길이로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 반응장치.
  7. 제 2항에 있어서,
    상기 회전드럼의 일측에는 회전드럼과 일체로 회전 가능하게 회전디스크를 더 구비하되, 상기 기판은 상기 회전디스크와 일체로 회전될 수 있도록 회전디스크 상부면에 장착되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 반응장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 가열히터는 상기 기판의 상측면에 인접되게 설치하되, 상기 기판이 회전되어 상기 플라즈마전극을 통과할 때 적정온도로 가열된 상태가 될 수 있도록 상기 플라즈마전극으로 접근하는 일정 구역을 가열시킬 수 있게 상기 플라즈마전극과 증착부 사이에 설치되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 반응장치.
  9. 제 7항 또는 제 8항에 있어서,
    상기 증착부와 플라즈마전극은 상기 회전디스크 상부에 장착된 기판의 반경 방향의 폭 전체에 대해 탄소나노튜브를 연속적으로 성장시킬 수 있도록 기판의 반경에 대응되는 일정 길이로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 반응장치.
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