KR100877456B1 - 표시 구동 방법, 표시 소자, 및 표시 장치 - Google Patents

Abstract

주사선을 주사하는 전압으로서는 스위칭 소자의 게이트 내압 이내로 되는 AVD1과, 게이트 내압 이상이라고 되는 AVD2 사이에서 전환 가능하게 된다. 그리고, 수평 블랭킹 기간 내에서 AVD1에 의해 주사선의 주사를 개시시킨 후에 데이터선에 프리차지를 행한다. 그리고, 이 후에 AVD2로 전환한다. 이 시점에서는 화소 용량에는 프리차지 전압에 대응하는 전위가 발생하고 있기 때문에, 내압을 초과하는 AVD2가 화소 스위치에 인가되어도 스위칭 소자의 단자 사이에서는, 내압을 초과하지 않는 전위차를 발생시키는 것이 가능해진다.

스위칭 소자, 진폭 레벨, 프리차지 전압, 주사선

Description

표시 구동 방법, 표시 소자, 및 표시 장치{DISPLAY DRIVE METHOD, DISPLAY ELEMENT, AND DISPLAY}

본 발명은, 예를 들면 액티브 매트릭스 방식에 의해 화상 표시를 행하는 경우의 표시 구동 방법에 관한 것이다. 또한, 이러한 표시 구동 방법에 대응하여 매트릭스 형상으로 배열된 화소 구동용 셀 등이 배열되는 기판 장치, 및 이러한 표시 구동 방법에 대응하는 표시 장치에 관한 것이다.

액티브 매트릭스 방식을 채용한 액정 표시 장치가, 예를 들면 액정 프로젝터 장치나 액정 디스플레이 장치 등에 널리 채용되고 있다.

이러한 액티브 매트릭스 방식에 의한 액정 표시 장치는, 주지한 바와 같이, 예를 들면 반도체 기판에 대하여, 예를 들면 MOS형 트랜지스터에 의한 화소 스위치와, 이 화소 스위치에 접속되는 화소 용량을 구비한 화소 셀 구동 회로가 매트릭스 형상으로 배치되도록 하여 형성된다. 즉, 수평(행) 방향을 따라서는 복수의 주사선이 배치됨과 함께, 수직(열) 방향을 따라서는 복수의 데이터선이 배치된다. 그리고, 이들 주사선과 데이터선과의 교점에 대응하는 위치에 대하여 화소 셀 구동 회로가 접속되는 것이다. 그리고, 이 반도체 기판에 대하여 공통 전극을 형성한 대향 기판을 대향시키고, 이들 반도체 기판과 대향 기판 간에 액정을 봉입하게 된 다. 이러한 구조에 의해 액정 표시 장치가 구성된다.

또한, 이러한 액정 표시 장치에서의 화상 표시를 위한 구동을 간단히 설명하면 다음과 같이 된다.

수평 방향에 배치된 주사선에 대해서는, 예를 들면 1수평 주사 기간마다 소정 레벨의 전압을 순차 인가하게 된다. 즉, 주사선의 순차 주사를 행하게 된다. 이 때, 주사가 행해진 주사선에 접속되어 있는 복수의 화소 스위치는 온 상태가 된다. 이와 함께, 1 수평 주사 기간 내에서는 데이터선을 구동하는 것이 행해진다. 즉, 데이터선에 대하여 데이터에 따른 전압을 인가한다. 또, 이 때에 있어서는, 데이터선에 대하여, 순차 데이터를 인가하는, 소위 점 순차 구동 방식에 의한 데이터선 구동이 일반적으로는 행해진다.

이와 같이 하여 인가된 데이터는, 상기한 바와 같이 하여 온 상태에 있는 화소 스위치를 통하여 화소 용량에 전하로서 축적된다. 즉, 1수평 라인분의 화소 셀에 대한 데이터의 기입이 행해지는 것이다. 이와 같이 하여 데이터의 기입이 행해지면, 화소 용량에 축적된 전하와, 대향 전극에 인가되는 공통 전압 Vcom 사이에 전위차가 생기고, 이 전위차에 의해 그 사이에 봉입된 액정이 여기되게 된다. 즉, 화소 셀의 구동이 행해진다.

그리고, 이러한 1 주사선마다의 화소 셀의 구동이 주사선을 순차 주사할 때마다 실행되는 것으로, 예를 들면 1 화면분의 화상이 표시된다.

또 액정 표시 장치에서의 표시 구동에 있어서는, 액정에 직류 전압이 걸리는 것으로 액정이 열화하는 것을 방지하도록 구동이 행해지는 것이 통상이다. 그리 고, 이러한 교류 구동의 방식 중 하나로서, 공통 전압 Vcom을 기준으로 하여 양극측과 음극측으로 화소 데이터를 반전시켜서 구동하는 극성 반전 구동이 알려져 있다. 이 극성 반전 구동의 타이밍으로서는 프레임 단위로 반전시키는 프레임 반전법, 수평 라인마다 반전시키는 라인 반전법, 또한 화소 셀(도트)마다 반전시키는 도트 반전법 등을 예로 들 수 있다.

그런데, 최근에는 액정 표시 장치의 고정밀화나 소형화가 촉진되어 있는 상황에 있지만, 이 경우에는 단위 면적당 화소 수가 증가하기 때문에, 화소 용량에 대하여 데이터 신호를 기입하는 데 허용되는 시간은 짧아지지 않을 수 없다. 이 때문에, 허용 시간 내에 필요한 전위에까지 데이터 신호를 기입하는 것을 시간에 대지 못함으로써, 계조 부족, 색 얼룩, 및 색 재현성의 저하 등이 생긴다는 문제가 생기기 쉽다.

이러한 문제를 해소하기 위해서는, 구동 속도를 지금까지보다도 고속으로 할 필요가 생긴다. 이로 인해, 예를 들면 동시에 주사, 구동하는 주사선, 라인수를 증가시키는 것 외에, 이 경우에도, 각 화소 스위치에 대하여 보다 높은 게이트 전압을 인가하는 것을 예로 들 수 있다. 이에 의해서는, 화소마다의 리프레시가 보다 고속으로 행해지게 된다.

그러나, 데이터선에 인가되는 화상 데이터의 신호는 상술한 바와 같이, 공통 전압 Vcom을 중심으로 하여, 소정의 양극성 최대 진폭 레벨과 음극성 최대 진폭 레벨의 범위 내에서 소정 타이밍에 의해 변화한다. 예를 들면, 화소 스위치는 N 채널형 혹은 P 채널형의 트랜지스터에 의해 형성되는 경우가 많지만, 이러한 경우에 는 온 저항이 높아져 데이터 신호의 기입 속도가 저하하는 것을 방지하기 때문에, 화상 데이터 신호의 진폭 이상의 게이트 전압을 인가해야 한다.

그리고, 상기한 사정에 의해 더 높은 레벨의 게이트 전압을 인가하게 되면, 보다 고내압의 트랜지스터를 형성한 반도체 프로세스의 사양으로 하여야 한다.

예를 들면, 액정 표시 장치의 고정밀화나 소형화를 위해, 단위 면적당 화소 수를 증가시킨 경우에는 개개의 화소 셀의 사이즈가 작아지게 되며, 이에 의해서는, 예를 들면 각 화소 스위치의 사이즈도 작아지게 되지만, 반도체 프로세스로서의 특성 상, 트랜지스터의 사이즈가 작아질수록, 그 내압은 낮아지게 된다.

이것과는 반대로, 반도체 프로세스에 대하여 고내압으로 하고자 하면, 트랜지스터 등의 소자의 사이즈는 대형으로 되지 않을 수 없다. 이 때문에, 화소 용량도 채용하기 어려워지는 것 등으로, 상기한 액정 표시 장치의 고정밀화 및 소형화는 실현하는 것이 오히려 곤란하게 된다. 즉, 소형화와 고내압화는 상반된 관계에 있다. 또한, 현 상황으로부터의 반도체 프로세스의 사양 변경도 따르기 때문에, 비용적으로도 불리하게 된다.

단, 화소 스위치에 대하여 CMOS 구성을 채용하면, 게이트 내압은 양극성 또는 음극성의 신호 진폭 이상의 게이트 내압으로 하면 된다. 그러나, 이 경우에도 CMOS로서의 트랜지스터는 사이즈가 커지기 때문에, 고정밀화 및 소형화의 실현은 곤란하며, 고비용으로 한다는 점에서는 마찬가지다. 또한, 특히 주사선 및 데이터선에 접속되는 화소 스위치의 정션 용량이 증가함으로써, 화소 용량에의 데이터 기입도 고속으로 하는 것이 어려워진다.

또한, 액정 표시 장치에서 화소 스위치를 N 채널형 혹은 P 채널형의 트랜지스터를 채용한 경우에는, 소위 백 바이어스 효과에 의해서 게이트 임계값 전압이 상승한다. 이 때문에, 어떤 규정의 게이트 전압을 인가하였다고 해도, 상기한 바와 같이 하여 상승한 게이트 임계값 전압에 의해 실효적인 게이트 전압의 범위는 좁아지게 된다. 이와 같이 하여 범위가 축소된 게이트 전압에 의해 액정을 구동한 경우에는, 구동 전압 레벨에 대한 액정 반응의 범위도 좁아지게 되며, 계조 표현성도 그만큼 뒤떨어지게 된다.

그래서, 상기한 바와 같은 액정 표시 장치로서의 특성 상의 문제점을 해소하는 하나의 방법으로서, 상술한 바와 같이, 보다 높은 게이트 전압을 화소 스위치에 인가하는 것을 예로 들 수 있지만, 이것을 실현하고자 하면, 먼저 설명한 것과 마찬가지로, 반도체 프로세스로서의 문제가 생기게 된다.

이러한 문제점을 고려하면, 반도체 프로세스의 규격으로서의 화소 스위치의 트랜지스터의 내압은 그대로로 한 후에, 예를 들면 지금까지보다 높은 게이트 전압을 인가 가능한 표시 구동이 행해지게 하는 것이 바람직하다.

<발명의 개시>

그래서, 본 발명은 상기한 과제를 고려하여 표시 구동 방법으로서 다음과 같이 하여 구성하는 것으로 하였다.

즉, 복수의 주사선과, 이들 주사선에 직교하여 화소 데이터에 대응하는 데이터 신호가 공급되는 데이터선이 매트릭스 형상으로 배치되고, 이들 주사선과 데이터선과의 교점에 대하여 화소 용량과, 상기 주사선에 대하여 인가되는 주사 신호 전압에 의해, 상기 화소 용량에 대하여 상기 데이터 신호를 공급하는 경로를 도통시키는 스위칭 소자를 접속하여 형성되는 표시 소자에 대한 표시 구동 방법으로서,

상기 스위칭 소자의 내압 특성에 따른 허용 레벨 이내로 되는 제1 진폭 레벨에 의해 상기 주사 신호 전압의 인가를 개시시키는 주사 수순과,

상기 제1 진폭 레벨에 의한 주사 신호 전압의 인가 개시 후에, 상기 데이터선에 대한 데이터의 공급이 개시되기 이전에 있어서, 상기 데이터선에 대하여 소정 레벨의 프리차지 전압을 인가하는 프리차지 수순과,

상기 프리차지 전압의 인가에 의해 생기는 전위가 유지되고 있는 기간 내의 소정 타이밍으로, 상기 제1 진폭 레벨에 의해 인가가 행해지는 주사 신호 전압을, 상기 제1 진폭 레벨보다도 큰 제2 진폭 레벨로 전환하는 진폭 전환 수순

을 행하는 것으로 하였다.

또한, 복수의 주사선과, 이들 주사선에 직교하여 화소 데이터에 대응하는 데이터 신호가 공급되는 데이터선이 매트릭스 형상으로 배치되며, 이들 주사선과 데이터선과의 교점에 대하여, 화소 용량과, 주사선에 대하여 인가되는 주사 신호 전압에 의해 화소 용량에 대하여 데이터 신호를 공급하는 경로를 도통시키는 스위칭 소자를 접속하여 형성되는 표시 소자로서 다음과 같이 구성하는 것으로 하였다.

즉, 주사선을 주사하기 위한 주사 신호 전압을 공급하는 주사선 구동 수단과,

상기 데이터선에 대하여 상기 데이터 신호를 공급하는 데이터선 구동 수단과,

상기 제1 진폭 레벨에 의한 주사 신호 전압의 인가 개시 후에, 상기 데이터선에 대한 데이터의 공급이 개시되기 이전에, 상기 데이터선에 대하여 소정 레벨의 프리차지 전압을 인가하는 프리차지 수단을 포함하고,

상기 주사선 구동 수단은 상기 주사 신호 전압에 대하여 상기 프리차지 전압의 인가에 의해 생기는 전위가 유지되는 기간 내에서의 소정 타이밍에서, 상기 스위칭 소자의 내압 특성에 따른 허용 레벨 이내가 되는 제1 진폭 레벨과, 상기 제1 진폭 레벨보다도 큰 제2 진폭 레벨 사이에서 전환하여 인가하도록 되어 있는 것으로 하였다.

또한, 표시 장치로서는 다음과 같은 구성으로 하였다.

본 발명의 표시 장치는 표시 소자가 형성된 반도체 기판과, 이 반도체 기판에 대하여 대향하여 배치되는 공통 전극을 갖는 대향 기판과, 반도체 기판과 대향 기판 사이에 개재하는 액정층을 포함하여 이루어진다.

그리고, 이 표시 소자는 복수의 주사선과, 이들 주사선에 직교하여 화소 데이터에 대응하는 데이터 신호가 공급되는 데이터선이 매트릭스 형상으로 배치되고, 이들 주사선과 데이터선과의 교점에 대하여 화소 용량과, 상기 주사선에 대하여 인가되는 주사 신호 전압에 의해 상기 화소 용량에 대하여 상기 데이터 신호를 공급하는 경로를 도통시키는 스위칭 소자를 접속하여 형성되는 화소 셀 구동 수단과,

상기 주사선을 주사하기 위한 주사 신호 전압을 공급하는 주사선 구동 수단과,

상기 데이터선에 대하여 상기 데이터 신호를 공급하는 데이터선 구동 수단 과,

상기 제1 진폭 레벨에 의한 주사 신호 전압의 인가 개시 후에, 상기 데이터선에 대한 데이터의 공급이 개시되기 이전에, 상기 데이터선에 대하여 소정 레벨의 프리차지 전압을 인가하는 프리차지 수단을 포함하고,

상기 주사선 구동 수단은 상기 주사 신호 전압에 대하여, 상기 프리차지의 인가에 의해 생기는 전위가 유지되는 기간 내에서의 소정 타이밍으로 상기 스위칭 소자의 내압 특성에 따른 허용 레벨 이내가 되는 제1 진폭 레벨과, 상기 제1 진폭 레벨보다도 큰 제2 진폭 레벨 간에 전환하여 인가하도록 이루어지는 것으로 하였다.

상기 각 구성에 따르면, 주사선을 주사하는 전압으로서는, 스위칭 소자의 내압 특성에 따른 허용 레벨 이내로 되는 제1 진폭 레벨과, 이 제1 진폭 레벨보다 크게 되어, 예를 들면 허용 레벨 이상으로 되는 제2 진폭 레벨 사이에서 전환된다.

그리고, 우선은 내압 이내로 되는 제1 진폭 레벨의 주사 신호 전압에 의해 주사선의 주사를 개시시킨 후에, 데이터선 구동에 의한 데이터 신호의 공급이 행해지기 전의 타이밍에서 데이터선에 프리차지를 행한다. 그리고, 이 후에 있어서 주사 신호 전압을 제2 진폭 레벨로 전환하게 되지만, 이 시점에서는 화소 용량에는 프리차지 전압에 대응하는 전위가 발생하기 때문에, 내압을 초과하는 제2 진폭 레벨이 스위칭 소자에 인가되어, 스위칭 소자의 단자 사이에서는 내압을 초과하지 않는 전위차를 발생시키는 것이 가능하게 된다.

도 1은 본 발명의 실시 형태로서의 액정 표시 장치의 구성예를 도시하는 회로도.

도 2는 극성 반전되는 데이터 신호를 도시하는 파형도.

도 3은 본 실시 형태의 액정 표시 장치의 표시 구동 타이밍을 도시하는 타이밍차트.

도 4는 본 실시 형태의 드라이버의 내부 구성예를 도시하는 회로도.

도 5의 (A) 내지 도 5의 (D)는 드라이버의 동작을 도시하는 파형도.

<발명을 실시하기 위한 최량의 형태>

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명을 행하는 것으로 한다. 본 실시 형태로서는, 예를 들면 액정 프로젝터 장치 등을 비롯한 각종 영상 기기, 전자 기기에 채용되는 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치를 예로 드는 것으로 한다.

도 1은 본 발명의 실시 형태로서의 액정 표시 장치의 구성예를 나타내고 있다.

이 도 1에 도시하는 액정 표시 장치(1)에서는, 그 전체적인 기본 구조로서는 반도체 기판(표시 소자)에 대하여, 적어도, 예를 들면 매트릭스 형상으로 배열되는 화소 셀 구동 회로를 비롯한 소정의 회로를 형성한다. 그리고, 이 반도체 기판에 대하여 공통 전극을 형성한 대향 기판을 대향시키고, 이들 반도체 기판과 대향 기판 사이에 액정을 봉입하도록 한 구조를 갖고 있다.

본 실시 형태의 경우에는 반사형 액정 표시 소자를 형성하는 것으로 하고 있고, 이러한 경우, 반도체 기판에는, 예를 들면 실리콘(Si)의 재질에 의한 기판을 이용한다. 이 반도체 기판에 대하여 수평 방향으로 주사선 LV1∼LVm을 형성함과 함께, 수직 방향으로는 데이터선 LH1∼LHn을 형성한다. 그리고, 이와 같이 하여 매트릭스 형상으로 배치되는 주사선 및 데이터선의 교점에 대하여 화소 셀 구동 회로(10)를 배열하여 형성함과 함께, 주사 드라이버(2), 데이터 드라이버(4)를 형성하는 것이다.

우선, 이 반도체 기판 상에 형성되는 화소 셀 구동 회로(10)의 회로 구성을, 도 1에서 파선으로 묶어 나타내는 부위를 예로 설명한다.

1개의 화소 셀 구동 회로(10)는, 도면과 같이, 화소 스위치 SW, 화소 용량 C, 및 화소 전극 P를 구비한다.

화소 스위치 SW는, 예를 들면 N 채널형 트랜지스터로서의 구조를 갖고 있다. 화소 스위치 SW의 게이트는 주사선 LV1에 대하여 접속되고, 드레인은 데이터선 LH1과 접속된다.

또한, 화소 스위치 SW의 소스는 화소 용량 C의 일단과 접속된다. 화소 용량 C의 타단은 이 경우에는 접지에 대하여 접속된다. 또한, 화소 스위치 SW의 소스와 화소 용량 C의 접속점은 화소 전극 P에 대하여 접속된다.

이 경우에는, 소정 복수의 주사선(게이트선) LV1∼LVm을 수평(행) 방향으로 배열하고, 또한 소정 복수의 데이터선 LH1∼LHn을 수직 방향으로 배열함으로써, 이들 주사선과 데이터선을 매트릭스 형상으로 배열시키고 있다. 그 위에, 예를 들면 상기 화소 셀 구동 회로(10)는 주사선 LV1과 데이터선 LH1의 교점으로 되는 위치에 대하여, 상술한 접속 형태에 의해 접속되어 있는 것이다. 그리고, 다른 화소 셀 구동 회로(10)에 대해서도 마찬가지로 하여, 다른 주사선 LV2∼LVm과 데이터선 LH2∼LHn과의 각 교점에 대하여 접속되도록 배치하여 형성된다. 이와 같이 하여, 화소 셀 구동 회로(10)는 주사선과 데이터선의 배열에 따라서 행 방향과 열 방향을 따라 매트릭스 형상으로 배열된다.

또한, 이와 같이 하여 형성되는 반도체 기판으로서는 각 화소 셀 구동 회로(10)의 화소 전극 P가 매트릭스 형상으로 배열되어 표출하고 있는 상태가 된다.

또한, 상기한 바와 같이 하여 화소 셀 구동 회로(10)가 배열하여 형성되는 반도체 기판에 대향하는 것은 공통 전압 Vcom이 인가되는 공통 전극이 형성된 대향 기판이 대향하도록 하여 배치된다. 그리고, 이 반도체 기판과, 대향 기판 간에, 액정 LC를 봉입한다. 이러한 구조에 의해 본 실시 형태의 액정 표시 장치(1) 전체가 구성된다.

또한, 본 실시 형태의 반도체 기판에 대해서는 주사 드라이버(2) 및 데이터 드라이버(4)로서의 회로도 형성된다.

주사 드라이버(2)는 행마다 수직 방향으로의 주사를 행하기 위해서 형성된다. 즉, 화상 표시를 행할 때에 1수평 주사 기간마다 주사선 LV1→LV2…LVm의 순서로, 주사 신호로서의 펄스 전압(주사 펄스)을 출력함으로써 주사선을 수직 방향으로 순차 주사한다.

이 때문에 주사 드라이버(2)는, 예를 들어 도시하여, 수직 시프트 레지스터(3)와, 주사선 수 m에 대응한 m개의 드라이버 YV1∼YVm으로서 구성된다.

수직 시프트 레지스터(3)에 대해서는, 수직 스타트 신호 VST와, 수직 클럭 신호 VCK가 입력되어 있다. 수직 스타트 신호 VST는, 예를 들면 프레임 주기에 대응하는 타이밍에 의해 출력되는 것으로, 1 프레임 기간에서의 수직 주사의 개시를 지시하는 신호이다. 또한, 수직 클럭 신호 VCK는 1 수평 주사 주기마다의 타이밍에서 출력되는 클럭 신호이다.

수직 시프트 레지스터(3)는 수직 스타트 신호 VST에 의한 수직 주사 개시의 지시에 따라 주사 신호의 시프트를 개시한다. 또한, 이 출력의 시프트는 수직 클럭 신호 VCK의 입력 타이밍에 따라 행해진다.

이에 의해, 수직 시프트 레지스터(3)에서는 수직 스타트 신호 VST에 따라서, 우선 주사 신호 V1을 출력하고, 이 후에는 1수평 주사 주기마다의 타이밍에서 주사 신호 V2로부터 주사 신호 Vm까지를 순차 출력하게 된다.

상기한 바와 같이 하여 순차 출력되는 주사 신호 V1∼Vm은 각각 드라이버 YV1∼YVm에 입력되고, 여기서 소정의 전압 레벨에 의한 주사 펄스로 변환되고, 주사선 LV1∼LVm에 대하여 출력된다.

이와 같이 하여, 상술한 바와 같이, 1수평 주사 기간마다 주사선 LV1∼LVm에 대하여, 순차, 주사 펄스를 출력해 가는 동작이 얻어지게 된다. 그리고, 예를 들면 주사선 LV1에 대하여 주사 펄스가 인가된다고 하면, 이 주사선 LV1에 접속되어 있는 복수의 화소 스위치 SW의 게이트에 대하여 소정 레벨의 게이트 전압이 인가되게 되어 이들의 화소 스위치 SW가 온이 되는 것이다.

또, 본 실시 형태로서는 화소 스위치에 대하여 내압 이상의 진폭의 게이트 전압의 인가가 가능하게 된다. 그리고, 이러한 구동을 행할 때에 드라이버 YV1∼YVm에서는 데이터 신호의 극성에 따라 주사 펄스의 출력 레벨의 전환을 행하게 되는 것이지만, 이에 대해서는 후술한다.

데이터 드라이버(4)는 데이터선 LH1∼LHn을 구동하기 위해 설치된다. 즉, 데이터선 LH1∼LHn에 대하여 데이터 신호를 출력한다.

이 경우, 데이터 드라이버(4)는 수평 시프트 레지스터(5)와, 데이터선 수n에 대응하는 n개의 드라이버 YH1∼YHn, 샘플링 스위치 SSW1∼SSWn, 및 프리차지 스위치 PSW1∼PSWn을 구비하고 있다. 이들 샘플링 스위치 SSW1∼SSWn, 및 프리차지 스위치 PSW1∼PSWn에 대해서도, 예를 들면 화소 스위치와 마찬가지로, N 채널형 트랜지스터에 의해 형성된다.

수평 시프트 레지스터(5)는 주사 신호 H1∼Hn의 출력 라인이 인출되어 있으며, 이들 주사 신호 H1∼Hn의 출력 각각이 드라이버 YH1 ∼YHn에 대하여 입력되게 되어 있다. 드라이버 YH1∼YHn의 출력은 각각, 샘플링 스위치 SSW1∼SSWn의 게이트에 대하여 접속된다.

샘플링 스위치 SSW1∼SSWn의 드레인에 대해서는 데이터 신호 SIG가 입력되게 되어 있다. 또한, 샘플링 스위치 SSW1∼SSWn의 소스는, 각각 데이터선 LH1∼LHn으로 접속된다.

또한, 먼저 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에서는 화소 스위치에 대하여 내압 이상의 진폭의 게이트 전압을 인가 가능하게 하는 구동이 행해지는 것이지만, 이에 대응하여, 본 실시 형태의 데이터 드라이버 내에는 데이터선 및 화소 용량에 대하여 소정의 타이밍에서 프리차지를 행하기 위한 프리차지 회로계가 구비된다.

이 경우의 프리차지 회로계는 프리차지 스위치 PSW1∼PSWn을 구비하여 형성된다. 프리차지 스위치 PSW1∼PSWn의 각 게이트는 프리차지 타이밍 신호 PCHG에 대하여 공통으로 접속되며, 각 드레인은 프리차지 전압 Vpre에 대하여 공통으로 접속된다. 또한, 프리차지 스위치 PSW1∼PSWn의 소스는 각각 데이터선 LH1∼LHn에 대하여 접속된다.

데이터 드라이버(4)에 의한 데이터선 구동을 위한 동작으로서는, 다음과 같이 된다. 또, 여기서는 프리차지 회로계의 동작은 생략하여 후술하는 것으로 하고, 데이터 드라이버(4)에서의 기본적인 데이터선 구동을 위한 동작에 대해서만 설명하는 것으로 한다.

데이터 드라이버(4) 내의 수평 시프트 레지스터(5)에 대해서는 수평 스타트 신호 HST와, 수평 클럭 신호 HCK가 입력되어 있다.

1수평 라인마다의 데이터선의 구동은 주사 드라이버(2)가 임의의 1개의 주사선의 주사를 개시한 시점을 기점으로 하여, 소정의 타이밍에서 개시되는 것이지만, 상기 수평 스타트 신호 HST는 이 1 수평 라인에서의 데이터선 구동의 개시를 지시하기 위한 신호가 된다.

또한, 수평 클럭 신호 HCK는, 예를 들면 1수평 라인을 형성하는 화소를 순차 주사하는 주기에 대응한, 소위 화소 주파수를 갖는 클럭이다.

그리고, 수평 시프트 레지스터(5)는 수평 스타트 신호 HST에 의해 지시되는 타이밍에서 주사 신호의 출력을 개시한다. 즉, 주사 신호 H1의 출력을 행하는 것 이다. 그리고 이후의 수평 주사 기간 내에서는, 수평 클럭 신호 HCK의 타이밍에 따라 주사 신호를 시프트함으로써, 주사 신호 H2∼Hn을 순차 출력하게 된다. 또, 각 주사 신호는 수평 클럭 신호 HCK의 주기에 대응한 펄스폭을 갖는 신호 파형을 갖는다.

이와 같이 하여 순차 출력되는 주사 신호 H1∼Hn은 각각 드라이버 YH1∼YHn에 입력되며, 여기서 소정 레벨의 전압으로 변환되고, 샘플링 스위치 SSW1∼SSWn에 대하여 게이트 전압으로서 인가되어 간다. 이에 의해, 샘플링 스위치 SSW1∼SSWn은 주사 신호 H1∼Hn으로서의 펄스가 출력되어 있는 기간에 대응하여 온 상태가 된다. 즉, 주사 신호 H1∼Hn의 출력 타이밍에 따라 순차 온 상태가 된다.

여기서, 샘플링 스위치 SSW1∼SSWn의 드레인에 대해서는 데이터 신호 SIG가 인가되게 되어 있다. 데이터 신호 SIG는, 화소 데이터에 대응하는 전압값을 갖는 신호이다.

그리고, 상기한 바와 같이 하여 샘플링 스위치 SSW1∼SSWn이 주사 신호 H1∼Hn의 출력 타이밍에 따라 순차 온 상태가 되는 것으로, 데이터 신호 SIG는 샘플링 스위치 SSW1∼SSWn의 드레인으로부터 소스를 개재하여 데이터선 LH1∼LHn에 대하여 인가되게 된다.

이 때에는, 주사가 행해져 액티브로 되어 있는 임의의 하나의 주사선에 접속되어 있는 화소 스위치 SW가 온 상태로 되어 있기 때문에, 이 주사선과 데이터선 LH1∼LHn과의 교점에 있는 화소 셀 구동 회로(10)의 각 화소 용량 C에는 데이터선 LH1∼LHn에 순차 인가되는 데이터에 따른 전하가 축적된다. 즉, 데이터의 샘플링( 기입)이 행해진다.

상기한 바와 같이 하여 데이터의 샘플링이 행해진 화소 용량 C에서는 축적된 전하에 따른 전위가 발생하고, 이 전위는 동일한 화소 스위치 SW의 소스와 접속된 화소 전극 P에도 발생하게 된다.

화소 전극 P에 대해서는 액정 LC가 개재하도록 하여, 공통 전압 Vcom이 인가되어 있는 공통 전극이 대향하여 배치되어 있는 것이지만, 상기한 바와 같이 하여, 화소 전극 P에서 데이터에 대응하는 전위가 발생하면, 이 화소 전극 P의 전위와, 공통 전압 Vcom과의 전위차에 따라, 그 사이에 개재하는 액정 LC의 액정이 반응하여 여기되게 된다. 즉, 화소 셀이 구동되며 화소 단위에서의 표시가 행해지게 된다.

또한, 주지한 바와 같이, 액정은 직류 인가에 의한 구동으로서는 열화하기 때문에, 액정에 인가해야 할 전압을 교류로 하는 것이 일반적으로 행해지고 있다.

그래서, 본 실시 형태의 액정 표시 장치에서도, 액정을 교류 인가에 의해 구동하도록 하고 있다. 이 때문에, 본 실시 형태에서는 대향 전극측에 인가하는 전압은 공통 전압 Vcom으로서 직류적인 전압 인가를 행하는 데 대하여 데이터 신호를 교류 파형으로서 인가하는 것이다.

즉, 본 실시 형태의 데이터 신호는, 도 2에 도시한 바와 같이 하여, 공통 전압 Vcom을 중심 레벨로 하여, 이 공통 전압 Vcom에 대하여 양극측의 최대값 Vpmax까지의 범위에서 진폭하는 양극성 신호와, 공통 전압 Vcom으로부터 음극측의 최대값 Vnmax까지의 범위에서 진폭하는 음극성 신호를 소정 타이밍에서 교대로 출력시 키는 것이다.

또, 액정에 인가하는 교류 신호의 반전 타이밍으로서는, 프레임마다 반전시키는 프레임 반전법, 수평 라인마다 반전시키는 라인 반전법, 화소(도트)마다 반전시키는 도트 반전법 등을 예를 들 수 있지만, 본 발명으로서의 표시 구동에 있어서는 특별히 한정되지는 않는다. 단, 본 실시 형태의 설명에 있어서는 프레임 반전법을 채용하고 있는 것으로 한다.

그리고, 상기한 바와 같이 하여 구성되는 본 실시 형태의 액정 표시 장치에 의해 화상 표시를 위한 구동을 행하는 데 있어서는, 예를 들면 각 화소 스위치 SW에 대하여 정격의 내압 이상의 게이트 전압을 인가한 후에, 게이트-소스 간 및 게이트-드레인 간은 내압 이내의 전압 인가로 들어가게 된다. 이에 의해, 화소 스위치가 내압 오버에 의해 파괴되지 않고, 화소 스위치에 대하여 충분히 높은 게이트 전압을 인가하는 것이 가능하게 된다.

그래서 이후에 있어서는 이러한 화소 스위치에 대한 게이트 전압의 인가 동작을 실현하기 위한 화상 표시 구동에 대하여 설명을 행하는 것으로 한다.

도 3은 본 실시 형태의 액정 표시 장치(1)의 화상 표시 동작으로서, 1 수평 주사 기간에서의 구동 타이밍을 도시하는 타이밍차트이다. 또, 이 도 3에 있어서는, 도 1에 도시한 주사선 LVm을 주사하고 있을 때의 구동 타이밍을 나타내고 있다.

이 도 3에 있어서 1 수평 주사 기간 H는 도 3의 (a)에 도시되는 수평 클럭 신호 HCK로서, HCK(0)∼HCK(N+18)까지가 출력되는 기간이 된다. 또, 수평 클럭 신 호 HCK의 1 주기분에 대응하는 기간을, 여기서는 화소 주사 기간 Px로 하고 있다. 그리고, 주사 신호 Vm은 도 3의 (f)에 도시한 바와 같이 하여, HCK(1)∼HCK(N+17)의 기간에 있어서, 소정 레벨의 전압으로서 출력되도록 되어 있다. 이 주사 신호 Vm이 드라이버 YVm을 개재하여 주사선 LVm에 대하여 소정의 전압 레벨로 변환되고 출력됨으로써, HCK(1)∼HCK(N+17)의 기간에 있어서는, 주사선 LVm에 접속된 화소 스위치 SW가 온 상태에 있게 된다.

또한, 도 3의 (c)에 도시하는 극성 신호 PID는 데이터 신호의 극성을 나타내는 신호로 되어 있지만, 데이터 신호의 극성이 반전하는 경우에는 수평 주사 기간 H에서의 수평 클럭 신호 HCK(1)의 시점에서, 그 반전 상태에 따라, H 레벨로부터 L 레벨, 혹은 L 레벨로부터 H 레벨로 변화한다. 여기서는 극성 신호 PID는 데이터 신호가 양극성인 경우에는 H 레벨로, 음극성인 경우에는 L 레벨이 되게 된다.

여기서, 수평 주사 기간 H에서의 시작의 HCK(0)∼HCK(15)까지의 16 화소 주사 기간은 화소 셀에 대한 데이터 기입이 행해지지 않은 수평 블랭킹 기간 HBL이 된다. 따라서, 이 기간에서의 데이터 신호 SIG는 도 3의 (e)에 도시한 바와 같이, 중심 레벨인 공통 전압 Vcom을 유지한다.

그리고, 이 수평 블랭킹 기간 HBL에서의 후방의 HCK(7)∼HCK(15)까지의 기간에 있어서는, 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이 하여, 프리차지 타이밍 신호 PCHG가 L 레벨로부터 소정의 H 레벨로 상승하게 된다. 이에 의해, 데이터 드라이버(4) 내에서의 프리차지 스위치 PSW1∼PSWn의 각 게이트에 대하여 게이트 전압이 인가되게 되며, 프리차지 스위치 PSW1∼PSWn이 일제히 도통하게 된다.

프리차지 스위치 PSW1∼PSWn이 일제히 도통하면, 이들 스위치의 드레인-소스를 통하여, 프리차지 전압 Vpre가 각 데이터선 LH1∼LHn에 대하여 인가되게 된다. 이 때에는 톤 주사선 LVm에 접속되어 있는 각 화소 스위치 SW는 이미 온 상태에 있는 것으로, 이들 화소 스위치 SW에 접속되는 화소 용량 C는 프리차지 전압 Vpre에 대응하는 전하가 축적되게 된다. 즉, 주사선 LVm에 대응하는 화소 용량 C 전부에 대하여 프리차지가 행해지게 된다. 또한, 데이터선 LH1∼LHn 그 자체도, 프리차지 전압 Vpre에 의해 프리차지되게 된다. 즉, 데이터선 LH1∼LHn에는 프리차지 전압 Vpre에 의해 임의의 전위가 생기게 되는 것이다.

또, 프리차지 전압 Vpre로서는, 화소 스위치 SW에서의 게이트 내압과, 화소 스위치 등의 게이트에 인가하여야 할 게이트 내압 이상의 전압 레벨과의 균형에 의해서 임의로 설정되면 된다. 또한, 프리차지 전압 Vpre는 반드시 일정 레벨이 아니어도 되며, 오히려 본 실시 형태와 같이 하여 프레임 반전법에 의해 프레임마다 데이터 신호 극성이 반전하는 경우에는 이 데이터 신호 극성에 따라 프리차지 전압 Vpre의 레벨의 전환을 행하는 것이 바람직하다.

또한, 수평 블랭킹 기간 HBL에서의 HCK(9)의 타이밍에서는 극성 신호 PID를 래치하는 것이 행해진다. 그리고, 수평 클럭 신호 HCK(15)의 타이밍에서 프리차지 타이밍 신호 PCHG가 L 레벨로 하강함으로써, 데이터선에 대한 프리차지 전압 Vpre의 인가가 종료하게 된다. 또, 프리차지 전압 Vpre의 인가가 종료해도, 예를 들면 완전하게 방전될 때까지는 프리차지 동작에 의해서 화소 용량 C 및 데이터선에 생긴 전위는 유지되게 된다.

그리고 이어서, HCK(16)∼HCK(17)의 기간에 있어서, 도 3의 (d)에 도시하는 수평 스타트 신호 HST로서의 펄스가 출력되면, 수평 시프트 레지스터(5)에서는 이 수평 스타트 신호 HST를 수평 클럭 신호 HCK의 타이밍에 의해 시프트하여 출력해간다. 이에 의해, 도 3의 (g), 도 3의 (h), 도 3의 (i)에 도시한 바와 같이 하여, 주사 신호 H1, H2, …Hn이 1 화소 주사 기간마다의 타이밍에서 순차 출력되게 된다. 그리고, 이와 같이 하여 주사 신호 H1, H2, …Hn이 출력되는 것으로, 상술한 바와 같이, 이 주사 신호 H1, H2… Hn의 출력 타이밍에 따라서, 데이터선 LH1, LH2…LHn에 대하여, 순차 데이터 신호 SIG가 인가되게 된다.

이 때의 데이터 신호 SIG는 도 3의 (e)에 도시되어 있다.

예를 들면, 주사 신호 H1이 출력되어 데이터선 LH1이 구동되는 HCK(18)의 기간에 있어서는, 「#1」로서 도시되는 데이터 신호 SIG가 출력되어 있다. 따라서, 이 기간에 있어서는 주사선 LVm과 데이터선 LH1과의 교점에 있는 화소 셀 구동 회로의 화소 용량 C에 대하여 데이터 신호(#1)가 기입되게 된다. 그리고, 이에 의해, 주사선 LVm과 데이터선 LH1과의 교점에 있는 화소 셀의 구동이 행해지게 된다.

이러한 화소 셀의 구동이, 수평 클럭 신호 HCK(N+17)에서의 데이터 신호(#N)까지 행해짐으로써, 주사선 LVm에 대응하는 1수평 라인분의 화소 표시가 행해지게 된다. 즉, 라인 표시가 행해지는 것이다.

그리고, 이러한 1수평 주사 기간의 동작이 1 프레임 기간 내에서 주사선 LV1∼LVm을 순차 주사할 때마다 행해지는 결과, 1 프레임분의 화상이 표시되게 된다. 그리고, 이러한 프레임 주기마다의 동작을 반복하게 되는 것으로, 계속적으로 화상 이 표시된다.

또한, 도 4는 주사 드라이버(2) 및 데이터 드라이버(4) 내에 구비되는 드라이버(YV1∼YVm, YH1∼YHn)에 대한 개개의 내부 구성예를 나타내고 있다. 이들 드라이버(YV1∼YVm, YH1∼YHn)는 이 도 4에 도시되는 구성을 공통으로 채용하게 된다.

여기서는, 회로에 대한 상세한 접속 형태 및 각부 기능의 설명은 생략하지만, N 채널형 혹은 P 채널형 트랜지스터를 도시하도록 하여 접속한 후에 동작 전원으로서, 전압 AVD1 혹은 AVD2를 소정의 트랜지스터와 접속함과 함께, 소정의 트랜지스터를 접지(GND) 혹은 공통 전압 Vcom과 접속함으로써 드라이버로서의 회로가 형성되어 있는 것이 이해된다.

이와 같이 하여 형성되는 드라이버의 회로에서, 입력 단자 IN에 대해서는 주사 신호가 입력된다. 또한, PID 입력 단자 PIDCN에 대해서는 극성 신호 PID를 래치한 신호가 입력된다. 그리고, 출력 단자 VOUT로부터 출력 전압이 얻어진다.

보다 구체적으로는, 예를 들면 주사 드라이버(2)의 드라이버 YV1에 있어서는, 입력 단자 IN에 수직 시프트 레지스터(3)로부터 주사 신호 V1이 입력되고, 출력 단자 VOUT에 주사선 LV1로부터 화소 스위치 SW의 게이트에 공급되는 출력 전압이 얻어진다. 또한, 예를 들면 데이터 드라이버(4)의 드라이버 YH1에 있어서는, 입력 단자 IN에 수평 시프트 레지스터(5)로부터 주사 신호 H1이 입력되고, 출력 단자 VOUT에 샘플링 스위치 SSW1의 게이트에 공급되는 출력 전압이 얻어진다. 또한, PID 입력 단자 PIDCN으로부터의 신호는 각 드라이버에 공급되며, 이에 따라 후술되 는 전압 AVD1과 전압 AVD2와의 전압 레벨의 전환이 제어된다.

도 5의 (A) 내지 도 5의 (D)의 파형도는 상기 도 4에 도시한 드라이버의 동작을 나타내고 있다. 입력 단자 IN에는 도 5의 (C)에 도시한 바와 같이 하여, 접지(GND) 전위를 기준 레벨로서 소정의 전압 VDD의 레벨에 의한 주사 신호가 입력되도록 되어 있다. 또한, PID 입력 단자 PIDCN에 입력되는 극성 신호 PID를 래치한 신호로서는, 도 5의 (D)에 도시한 바와 같이, 래치한 레벨이 L 레벨일 때에는 접지 전위로, H 레벨일 때에는 전압 VDD의 레벨이 된다.

또한, 도 4에 도시한 회로에서 VCENT가 출력되는 라인에는 입력 단자 IN에 입력되는 주사 신호에 따른 타이밍에 따른 파형이, 도 5의 (B)에 도시한 바와 같이 나타난다. 즉, 주사 신호가 접지 전위일 때에는 공통 전압 Vcom으로 되어 주사 신호가 VDD의 레벨로 상승하였을 때에는 AVD1의 레벨로 상승한다.

여기서, 접지 전위 GND에 대한 공통 전압 Vcom, 전압 AVD1, 및 전압 AVD2의 레벨의 관계로서는, 도 5의 (A)에 도시된 바와 같이, GND<Vcom<AVD1<AVD2로 되어 있다. 공통 전압 Vcom은 상술한 바와 같이 대향 전극에 인가되는 전압 레벨이다. 또한, 전압 AVD1은 화소 스위치 SW로 되는 트랜지스터의 게이트 내압에 거의 대응한 레벨로, 이 전압 AVD1을 화소 스위치 SW에 인가해도 내압 오버로는 되지 않는다는 레벨이다. 이에 대하여, 전압 AVD2는 화소 스위치 SW로서의 트랜지스터의 게이트 내압보다도 높다는 레벨을 갖고 있다.

그리고, 출력 단자 VOUT에 얻어지는 전압 레벨은 도 5의 (A)에 도시한 바와 같이 하여, PID 입력 단자 PIDCN에 입력되는 래치 신호의 레벨에 따라 변화하게 된 다.

즉, 예를 들면 시점 t1 이전 혹은 시점 t2 이후에 도시한 바와 같이, 래치 신호가 L 레벨에 있는 경우, 전압 AVD1의 레벨이 출력되게 된다. 이에 대하여, 기간 t1∼t2로서 도시한 바와 같이, 래치 신호가 H 레벨일 때에는 전압 AVD2의 레벨이 출력된다.

즉, 본 실시 형태의 드라이버에서는 데이터 신호 극성이 음극성(래치 신호=L)인 경우에는 게이트 내압에 들어가는 전압 AVD1을 출력하고, 데이터 신호 극성이 양극성(래치 신호=H)인 경우에는 게이트 내압보다도 높은 전압 AVD2를 출력하도록 되어 있다.

또, 상기 도 4에 도시한 드라이버에서는 출력 단자 VOUT로부터 출력되는 전압 레벨을 AVD1/AVD2 사이에서 전환 가능하게 하기 위해서, 전원 전압으로서 전압 AVD1, AVD2를 이용하게 하고 있다. 그러나, 도 4에 도시되는 접속 형태에 따르면, 드라이버를 형성하는 각 트랜지스터의 게이트-드레인 간 전압 및 게이트-소스 간 전압은, 모두 전압 AVD1 이내로 받아들여지고, 이 보다 높은 전압 AVD2가 인가되지 않게 되어 있다.

이것부터 각 드라이버를 형성하는 트랜지스터에 대해서도, 예를 들면 화소 스위치 SW와 마찬가지의 게이트 내압으로서 형성하면 되지만, 이에 의해서는, 예를 들면 드라이버를 형성하는 트랜지스터와, 화소 스위치를 형성하는 트랜지스터로, 마찬가지의 반도체 프로세스를 이용하면 되기 때문에, 반도체 기판의 제조 능률로서는 그 만큼 향상되게 된다.

그리고, 본 실시 형태에 있어서는, 먼저 도 3에 의해 설명한 프레임 반전법 및 수평 블랭킹 기간에서의 프리차지 동작을 따르는 표시 구동 타이밍에 대하여, 상기한 바와 같이 하여 래치 신호에 따라 출력 레벨을 AVD1과 AVD2 사이에서 전환하는 드라이버의 동작을 조합함으로써, 다음과 같은 본 실시 형태에 특유의 동작을 얻는다.

우선, 주사 드라이버(2)측의 드라이버(YV1∼YVm)의 동작에 의해서는 화소 스위치 SW의 게이트와 기판 간에 대하여 게이트 내압 이상의 게이트 전압을 인가한 후에, 게이트-드레인 및 게이트-소스 간에 걸린 전압은 내압 레벨 이내에 들어가도록 하여 화소 스위치 SW를 구동하는 것이 가능하게 된다. 즉, 내압 오버에 의해 화소 스위치 SW가 파괴되지 않고, 화소 스위치 SW에 대하여 내압 이상의 게이트 전압을 인가할 수 있는 것이다.

또한, 데이터 드라이버(4)측의 드라이버(YH1∼YHn)의 동작에 의해서는, 샘플링 스위치 SSW1∼SSWn에 대하여 게이트 내압 이상의 게이트 전압 인가에 의해 온/오프시키는 것이 가능해진다.

예를 들면, 도 3의 타이밍차트에 있어서 수평 클럭 신호 HCK(1)의 타이밍에서, 도 3의 (c)에 도시하는 극성 신호 PID가 L 레벨로부터 H 레벨로 반전하였다고 한다. 이것은 데이터 신호가 앞의 수평 주사 기간을 포함하는 이전 프레임 기간에 있어서는 음극성이던 것이 금회의 수평 주사 기간을 포함하는 현 프레임 기간에 있어서는 양극성으로 반전한다는 상태에 대응한다.

이 경우에 있어서, 이 반전한 극성 신호 PID가 수평 클럭 신호 HCK(9)의 타 이밍에서 래치될 때까지는, 도 3의 (j)에 도시한 바와 같이, 드라이버의 PID 입력 단자 PIDCN에는 L 레벨의 래치 신호가 입력된다. 이 때문에, 주사선 LVm에 대해서는 도 3의 (f)에 도시한 바와 같이, 드라이버 YVm에 의해 전압 AVD1이 인가되게 된다. 따라서, 이 때에는 주사선 LVm과 접속된 화소 스위치 SW는 온 상태로 되어 있게 된다.

그리고, 이 후에 있어서, 수평 클럭 신호 HCK(7)의 프리차지 기간이 개시되면, 상술한 바와 같이, 데이터선 LH1∼LHn에 대하여 일제히 프리차지가 행해지고, 이에 의해 주사선 LVm에 접속되는 화소 스위치 SW의 소스-드레인 간이 프리차지 전압 Vpre와 거의 동일하다는 전위에까지 상승하게 된다.

계속해서, 동일한 프리차지 기간 내의 수평 클럭 신호 HCK(9)의 타이밍에서는 극성 신호 PID가 래치되게 되어, 이 때에 처음으로, 도 3의 (j)에 도시하는 래치 신호는 L 레벨로부터 H 레벨로 반전한다. 이것에 따라서, 드라이버 YVm은 도 3의 (f)에 도시한 바와 같이 하여 전압 AVD1로부터 전압 AVD2로 출력 레벨을 전환하게 된다.

이에 의해서, 주사선 LVm에 접속되는 화소 스위치 SW에 대해서는, 게이트 내압 이상의 레벨의 전압이 인가되게 되지만, HCK(7)(8)에 의한 프리차지 기간의 전반에 있어서 이미 프리차지 전압 Vpre에 의해 프리차지가 행해지고 있기 때문에, 예를 들면 각 화소 스위치 SW의 게이트-소스 간 전압 Vgs, 및 게이트-드레인 간 전압 Vgd는 게이트에 인가되는 게이트 전압을 Vg로 하면,

에 의해 표시되게 된다. 즉, 게이트-소스 간 전압 Vgs와 게이트-드레인 간 전압 Vgd는, 게이트에 대하여 내압 이상의 전압 AVD2가 인가되어 있는 것에 상관없이, 게이트 내압 이내의 레벨로 할 수 있는 것이다.

또한, 데이터 드라이버(4)측의 드라이버 YH1∼YHn에 대해서도, 상기한 드라이버 YVm과 마찬가지의 동작에 의해, 극성 신호 PID에 대한 래치 신호가 H 레벨일 때에는 전압 AVD2을 출력하고, L 레벨일 때에는 전압 AVD1을 출력하게 된다.

그리고, 드라이버 YH1∼YHn이 주사 신호 H1∼Hn의 입력에 응답하여 전압 AVD2을 출력하고 있을 때에는 이미 앞의 프리차지 기간의 프리차지 동작에 의해, 각 데이터선 LH1∼LHn은 프리차지 전압 Vpre의 전위, 또는 인가된 양극성 데이터에 따른 전위로써 충전 또는 방전된 상태에 있다.

따라서, 드라이버 YH1∼YHn의 출력이 게이트 전압으로서 인가되는 샘플링 스위치 SSW1∼SSWn에 대해서도, 게이트-소스 간 전압 Vgs, 및 게이트-드레인 간 전압 Vgd는 상기 수학식 1에 의해 표시되게 된다. 즉, 샘플링 스위치 SSW1∼SSWn에 대하여 내압 이상의 전압 AVD2가 게이트 전압으로서 인가되어 있었다고 해도, 게이트-소스 간 전압 Vgs와 게이트-드레인 간 전압 Vgd는 게이트 내압 이내의 레벨로 되어 있는 것이다.

또한, 반대로, 앞의 수평 주사 기간(이전 프레임)에 있어서는 양극성이던 데이터 신호가 금회의 수평 주사 기간(현 프레임)에 있어서는 음극성으로 반전함으로 써, 도 3의 (c)에 도시하는 극성 신호가 수평 클럭 신호 HCK(1)의 타이밍에서, H 레벨로부터 L 레벨로 반전한 경우에는 다음과 같은 동작이 된다.

이 경우, 앞의 수평 주사 기간에 있어서는, 데이터 신호 SIG가 양극성으로 되어 있기 때문에, 금회의 수평 주사 기간의 수평 클럭 신호 HCK(9)의 타이밍에서 L 레벨의 극성 신호 PID가 래치될 때까지는 주사 드라이버(2) 내의 드라이버 YVm의 PID 입력 단자 PIDCN에는 H 레벨의 래치 신호가 입력되게 된다. 이 때문에, 수평 주사 기간의 수평 클럭 신호 HCK(9)의 타이밍으로 이를 때까지는 드라이버 YVm에서는 내압 이상의 전압 AVD2가 출력되게 된다.

그러나, 이 때에는 화소 용량 C에 대하여 전회 기입된 데이터에 대응하는 전하가 방전 중의 상태에 있는 것으로, 게이트 전압을 Vg, 데이터 신호의 기입에 의해 화소 용량이 유지하는 전위를 Vsig라고 하면, 화소 스위치 SW의 게이트-소스 간 전압 Vgs는,

에 의해 표시되게 되며 내압 레벨을 넘지 않도록 할 수 있다.

그리고, 게이트-드레인 간 전압 Vgd에 대해서도,

에 의해 나타낼 수 있다. 즉, 앞의 수평 주사 기간에 있어서 프리차지된 전위가 데이터선에 유지되어 있는 것으로, 게이트-드레인 간 전압 Vgd로서도 내압을 넘지 않게 된다.

또한, 샘플링 스위치 SSW1∼SSWn에 대해서도, 수평 블랭킹 기간 HBL에서는, 데이터 신호 SIG가 공통 전압 Vcom으로 되어 있는 것으로, 소스·드레인의 한쪽측 전위는 공통 전압 Vcom이 되고, 또한 다른 한쪽측의 전위는 데이터선에 생기고 있는 프리차지 전압 Vpre에 대응하는 전위로 되어 있기 때문에, 내압 이상의 전압 AVD2가 게이트에 인가되어 있다고 해도 문제는 없다.

그리고, 수평 클럭 신호 HCK(9)의 타이밍에 도달함으로써, L 레벨의 극성 신호 PID가 래치되면 주사 드라이버(2) 내의 드라이버 YVm으로부터는 전압 AVD1이 출력되게 된다. 그리고, 이후에는, 화소 스위치 SW를 전압 AVD1의 레벨에 의해 온으로 하도록 하여 라인 주사를 행하게 된다.

데이터 신호가 음극성인 경우에는, 예를 들면 도 2에 도시한 음극성의 최대값 Vnmax는, 예를 들면 0 전압 레벨로 되는 것이지만, 이러한 절대적으로 낮은 레벨의 데이터 신호가 기입된 경우에 내압 이상의 전압 AVD2를 인가하였다고 한다면, 화소 스위치 SW는 내압 오버가 된다. 그래서, 본 실시 형태에 있어서는, 데이터 신호가 음극성인 경우에는, 상기한 바와 같이 하여 내압 이내의 전압 AVD1을 인가하도록 전환하는 것이다.

또한, 데이터 드라이버측의 드라이버 YH1∼YHn에 대해서도, 마찬가지로 하여 전압 AVD1을 인가하도록 동작하기 때문에, 역시, 예를 들면 0 전압 레벨 정도의 데이터 신호가 기입되었다고 해도, 샘플링 스위치 SSW1∼SSWn은 내압 오버로는 되지 않게 되어 있다.

이와 같이 본 실시 형태에 있어서는, 적어도 화소 스위치가 전기적으로 파괴되지 않고, 이들 화소 스위치에 대하여 내압 이상의 레벨의 게이트 전압을 인가할 수 있게 하고 있다. 이것에 의해, 화소 스위치로서의 트랜지스터에서의 온 저항이 보다 작아져서 도통이 보다 양호하게 된다.

이에 의해, 종래보다도 화소 용량의 기입 고속화하는 것이 용이하게 실현되게 된다.

더구나, 본 실시 형태에 있어서는 프리차지된 데이터선, 화소 용량의 전위와 게이트 전압과의 전위차를 생기게 함으로써, 내압 이상의 게이트 전압을 인가하는 것을 가능하게 하기 때문에, 화소 스위치 등의 반도체 프로세스로서는 종래와 마찬가지의 내압으로 된다. 즉, 내압 향상시킨 반도체 프로세스를 형성하기 위해서 그 사이즈가 대형화하는 일은 없게 된다.

또한, 여기에서, 예를 들면 종래와 동일한 정도의 전압 레벨을 화소 스위치에 대하여 인가하면 된다고 한다면, 반도체 프로세스의 내압은 지금까지보다도 낮은 것으로 할 수 있고, 이 내압 저하에 따르면 반도체 프로세스의 사이즈를 보다 소형인 것으로 할 수 있게 된다.

이상의 점에서, 본 실시 형태로서의 표시 구동 방법을 채용하면, 지금까지와 동등한 내압, 사이즈의 반도체 프로세스이면서도 내압 이상의 전압을 인가하여, 지금까지보다도 고속인 데이터 기입이 가능해지는 것이라고 할 수 있다. 따라서, 고 리프레시 레이트를 실현하는 것이 용이해지는 것으로, 액정 표시 장치의 고정밀화, 및 소형화를 촉진하는 것이 지금까지보다도 용이하게 실현된다.

또한, 보다 고속인 데이터 기입을 가능하게 하면서도, 예를 들면 종래와 동등한 반도체 프로세스를 이용할 수 있기 때문에, 새롭게 고내압의 반도체 프로세스를 설계, 개발하는 데 비하면 비용적으로도 유리해진다.

또한, 상기한 바와 같이, 종래와 동등한 게이트 전압 인가에 의한 종래와 동등한 데이터 기입 속도로 좋다고 한다면, 반도체 프로세스의 사이즈는 보다 축소할 수 있기 때문에, 종래와 동등한 성능이 요구되는 경우에는 보다 소형의 표시 장치를 용이하게 제공할 수 있게 된다.

또한, 액정 표시 장치의 기판 프로세스의 특성 상, 예를 들면 화소 스위치 등을 비롯하여 반도체 기판에 형성되는 트랜지스터 소자에는 백 바이어스가 걸리게 되는 것이 알려져 있다. 이 백 바이어스에 의해, 예를 들면 12V 정도의 게이트 전압을 인가하였다고 해도, 트랜지스터 소자가 유효하게 동작하는 것은 이보다도 낮은, 예를 들면 0V∼8V 정도의 범위에까지 좁아지게 된다. 예를 들면, 화소 스위치의 게이트 전압 진폭의 범위가 상기한 바와 같이 하여 좁아지면, 데이터 신호에 따른 전위의 변화폭도 작아지게 되기 때문에, 액정의 특성을 충분히 인출하도록 하여 구동할 수 없게 된다.

또한, 액정은 전압이 인가됨으로써 반응하여 여기하는 것이지만, 주지한 바와 같이, 액정은 도 2에 도시한 바와 같이 하여 인가 전압에 대하여 임계값 전압을 갖는다. 즉, 액정이 인가 전압에 응답하여 투과율이 변화하도록 동작시키기 위해서는, 임계값 전압 이상의 소정 범위에서 인가 전압을 제공할 필요가 있다. 이에 의해, 게이트 전압이 유효하게 액정을 구동할 수 있는 범위는 좁아지고 있다.

이와 같이 하여 액정을 구동하는 진폭 범위가 좁아짐으로써, 계조 표현이 열화하게 된다. 특히, 풀 컬러 표시를 행하는 액정 표시 장치에서는 이 계조 표현이 양호하지 않으면, 색재현성이 낮아지게 된다.

그래서, 본 실시 형태로서의 구성에 의해 보다 높은 레벨의 게이트 전압을 화소 스위치에 대하여 인가하게 하면, 백 바이어스 및 액정의 임계값 전압의 영향에 의한 진폭 범위의 축소를 보충하는 것이 가능해지므로, 계조 표현성 및 색 재현성을 용이하게 향상시키는 것이 가능해진다.

그런데, 상술한 실시 형태의 구성에 의하면, 데이터 신호 SIG가 음극성으로 될 때에는, 내압 이상의 게이트 전압을 인가하도록 하지 않지만, 이것은 다음과 같은 근거에 따른다.

액정 표시 장치의 최대 주파수는, 화소 용량에 대한 데이터의 기입 속도에 의해 결정된다.

여기서, 예를 들면 N 채널형 트랜지스터를 예로 채용하면, 그 성질에 의해 데이터 신호의 전압을 높게 한 경우에는 게이트-소스 간의 전위차가 작아지기 때문에 트랜지스터의 온 저항이 매우 높아진다. 이 때문에, 데이터 기입되는 화소 용량의 충방전 속도가 늦어지게 된다. 즉, 데이터 신호가 양극성 신호로 되어 전압값 레벨이 높아질 때에 데이터 기입 속도가 저하하게 된다. 이에 대하여, 데이터 신호가 음극성이 되고 저레벨인 경우에는 충분한 게이트-소스 간의 전위차가 얻어지기 때문에, 원래 고속인 데이터 기입이 가능하게 된다. 즉, 데이터 신호가 음극성인 경우에 대응하면 고속화를 위한 구성을 채용할 필요는 없게 된다.

데이터 기입 속도에 대응하는 데이터 기입 시간은, 통상 양극성의 데이터 신호에 의한 기입 시간과 음극성의 데이터 신호에 의한 기입 시간을 더불어 1 단위로서 파악하는 것으로 하고 있다. 따라서, 상기한 것을 고려하면 데이터 기입 시간을 고속화하기 위해서는, 데이터 신호가 양극성 신호로 되어 전압값 레벨이 높아지게 될 때의 데이터 기입 속도를 고속화하는 것이 요구되는 것이다. 그래서, 본 실시 형태로서도, 데이터 신호가 양극성인 경우에만, 게이트 내압 이상의 게이트 전압을 인가함으로써 데이터 기입의 고속화를 도모하도록 하는 것이다.

또, 확인을 위해 설명하면, 종래에서도, 프리차지 자체는 행해지고 있지만, 이것은 단순하게 데이터선을 임의의 전압 레벨로 프리차지함으로써, 데이터 기입 시에 화소 용량에 있어서 충방전되는 전하량을 적게 하여 최적화하는 것만을 목적으로 하는 것이다.

이에 대하여 본 실시 형태에서는 프리차지의 동작이 상술한 타이밍에서 행해지는 것을 근거로 한 후에, 내압 이내의 전압 AVD1과 내압 이상의 전압 AVD2로 출력 레벨을 전환 가능한 드라이버를 구비함과 함께, 이 드라이버의 출력 레벨의 전환을 위한 각종 신호에 의한 타이밍 제어 등을 행하는 것으로, 내압 이상의 게이트 전압을 인가하여 데이터 기입의 고속화를 촉진하도록 하고 있는 것이다.

또한, 본 발명은 상기 실시 형태로서 설명한 구성에만 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 화소 스위치나 샘플링 스위치 등의 트랜지스터 소자, 및 드라이버를 형성하는 트랜지스터 소자에 대해서는 N 채널형 혹은 P 채널형 트랜지스터의 이외에, 예를 들면 CMOS 트랜지스터를 이용하는 것도 가능하다.

또한, 상기 실시 형태에서는 주사 드라이버(2)와 데이터 드라이버(4)에서의 출력 전압 레벨은 모두 전압 AVD1 내지 전압 AVD2로 전환하는 것으로 하였지만, 그 전압의 레벨은 주사 드라이버(2)와 데이터 드라이버(4)로 다르더라도 좋다.

또한, 상기 실시 형태에서의 전압 AVD1로부터 전압 AVD2로의 전압 레벨의 전환은, 도 3의 (a), 도 3의 (f)에서 알 수 있듯이, 프리차지 전압 Vpre가 인가되는 기간인 프리차지 기간 PCH에 있어서 행해지고 있지만, 반드시 프리차지 전압 Vpre가 인가되는 기간 내에 전압 AVD1과 전압 AVD2와의 전환을 행할 필요는 없다.

즉, 예를 들면 프리차지 전압 Vpre가 인가되는 기간이 종료한 후에도, 프리차지 동작에 의해 화소 용량 C 및 데이터선에 생긴 전위가 일정 이상 유지되어 있는 기간 내에서의 타이밍에서, 전압 AVD1에서 전압 AVD2로의 전환을 행해도 되는 것이다. 프리차지 전압 Vpre를 인가하는 목적은 앞의 실시 형태로서의 설명에서부터도 이해되듯이, 전압 AVD1로부터 전압 AVD2로의 전환을 행하는 데 앞서서, 화소 용량 C 및 데이터선에 있어서 일정 이상의 전위가 유지되는 상태를 생기게 하는 것이다. 따라서, 상기한 전환 타이밍이어도, 게이트 내압 이상의 게이트 전압을 인가하는 동작이 적절하게 얻어지는 것이다.

또한, 상기 실시 형태에서는 프레임 반전법에 의해 프레임마다 데이터 신호가 반전되는 것을 전제로 하고 있지만, 데이터 신호의 반전 타이밍으로 적응시켜 프리차지 타이밍 등을 설정함으로써, 예를 들면 라인 반전법, 도트 반전법 등의 다른 반전법에 의한 표시 구동에도 적용할 수 있다. 또한, 이들의 반전법을 조합한 것 같은 반전 방식에도 적용할 수 있는 것이다.

이상 설명한 바와 같이 본 발명은 화소 셀을 구동하는 스위칭 소자(화소 스위치)에 대하여, 예를 들면 스위칭 소자의 소정 단자 간의 전위차를 내압 이내로 한 후에, 내압 이상의 주사 신호 전압(게이트 전압)을 인가하는 것을 가능하게 하고 있다. 이와 같이 하여, 내압 이상의 주사 신호 전압이 인가되는 것으로, 예를 들면 스위칭 소자로서의 온 저항은 현저히 저하하여, 화소 용량으로의 데이터 신호의 충방전을 보다 고속으로 행하게 하는 것이 가능하게 된다.

예를 들면 종래에서는, 보다 고압의 주사 신호 전압을 인가하고자 하면, 보다 고내압이 되도록, 표시 소자로서의 반도체 프로세스의 사양을 변경할 필요가 있어, 비용적으로도 불리하며, 또한 반도체 프로세스의 대형화가 벗어나지 않은 것이지만, 본 발명에 의해서는 반도체 프로세스의 사양은 그대로로, 화소 용량으로의 데이터 기입이 보다 고속화된다. 따라서, 본 발명에서는 단위 면적당 화소 수를 증가시키는 것이 용이하게 실현되며 액정 표시 장치의 고정밀화에 의한 화질 향상, 또한 소형화를 촉진시킬 수 있게 된다.

또한, 예를 들면 가령 종래와 동등한 데이터 기입 속도로 좋은, 즉 종래와 동등 레벨의 주사 신호 전압으로 좋은 것으로 하면, 반도체 프로세스는 보다 작은 것으로 할 수 있기 때문에 소형화 점에서는 현저하게 유리해진다.

또한, 예를 들면 소위 백 바이어스 효과 등에 따른 주사 신호 전압의 범위가 협소화를 보충할 수 있기 때문에, 고정밀도로 화소 용량에 대하여 데이터 신호를 인가하는 것도 가능해진다. 그리고, 이에 의해서는 계조 표현성, 색 재현성을 향상시키는 것이 가능해지며, 보다 화상 품질이 높은 표시 장치를 제공할 수 있는 것 이다.

Claims (8)

1. 복수의 주사선과, 이들 주사선에 직교하여 화소 데이터에 대응하는 데이터 신호가 공급되는 데이터선이 매트릭스 형상으로 배치되고, 이들 주사선과 데이터선과의 교점에 대하여, 화소 용량과, 상기 주사선에 대하여 인가되는 주사 신호 전압에 의해 상기 화소 용량에 대하여 상기 데이터 신호를 공급하는 경로를 도통시키는 스위칭 소자를 접속하여 형성되는 표시 소자에 대한 표시 구동 방법으로서,

   상기 스위칭 소자의 내압 특성에 따른 허용 레벨 이내로 되는 제1 진폭 레벨에 의해 상기 주사 신호 전압의 인가를 개시시키는 주사 수순과,

   상기 제1 진폭 레벨에 의한 주사 신호 전압의 인가 개시 후에, 상기 데이터선에 대한 데이터의 공급이 개시되기 이전에, 상기 데이터선에 대하여 프리차지 전압을 인가하는 프리차지 수순과,

   상기 프리차지 전압이 인가되어 있는 기간 내에서의 상기 화소 데이터의 극성을 반전시키는 극성 신호에 대응하는 소정 타이밍에서, 상기 제1 진폭 레벨에 의해 인가가 행해지고 있는 주사 신호 전압을 상기 제1 진폭 레벨보다도 큰 제2 진폭 레벨로 전환 가능한 진폭 전환 수순

   을 행하는 것을 특징으로 하는 표시 구동 방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 데이터선을 주사하는 타이밍에 따라, 상기 데이터 신호를 상기 데이터선에 대하여 공급하는 경로를 온/오프하는 데이터 신호용 스위칭 소자의 온/오프 제어 신호 단자에 대하여, 온/오프 제어 신호 전압을 인가할 때,

   상기 제1 진폭 레벨에 의한 상기 주사 신호 전압이 인가되어 있을 때에는, 해당 데이터 신호 스위칭 소자의 내압 특성에 따른 허용 레벨 이내로 되는 제3 진폭 레벨에 의한 온/오프 제어 신호 전압을 인가하고,

   상기 제2 진폭 레벨에 의한 상기 주사 신호 전압이 인가되어 있을 때에는, 상기 제3 진폭 레벨보다도 큰 제4 진폭 레벨에 의한 온/오프 제어 신호 전압을 인가하는 진폭 레벨 전환 수순

   을 행하는 것을 특징으로 하는 표시 구동 방법.
3. 복수의 주사선과, 이들 주사선에 직교하여 화소 데이터에 대응하는 데이터 신호가 공급되는 데이터선이 매트릭스 형상으로 배치되고, 이들 주사선과 데이터선과의 교점에 대하여, 화소 용량과, 상기 주사선에 대하여 인가되는 주사 신호 전압에 의해 상기 화소 용량에 대하여 상기 데이터 신호를 공급하는 경로를 도통시키는 스위칭 소자를 접속하여 형성되는 표시 소자로서,

   상기 주사선을 주사하기 위한 주사 신호 전압을 공급하는 주사선 구동 수단과,

   상기 데이터선에 대하여 상기 데이터 신호를 공급하는 데이터선 구동 수단과,

   제1 진폭 레벨에 의한 주사 신호 전압의 인가 개시 후에, 상기 데이터선에 대한 데이터의 공급이 개시되기 이전에, 상기 데이터선에 대하여 프리차지 전압을 인가하는 프리차지 수단

   을 포함하고,

   상기 주사선 구동 수단은, 상기 주사 신호 전압에 대하여, 상기 프리차지 전압이 인가되어 있는 기간 내에서의 상기 화소 데이터의 극성을 반전시키는 극성 신호에 대응하는 소정 타이밍에서, 상기 스위칭 소자의 내압 특성에 따른 허용 레벨 이내로 되는 상기 제1 진폭 레벨과, 상기 제1 진폭 레벨보다도 큰 제2 진폭 레벨 사이에서 전환하여 인가하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 소자.
4. 제3항에 있어서,

   상기 데이터 신호가 상기 데이터선에 공급되는 경로를 온/오프 가능하게 제공되는 데이터 신호용 스위칭 소자와,

   이 데이터 신호용 스위칭 소자를, 데이터 신호의 주사 타이밍에 따라서 온/오프 제어하는 온/오프 제어 신호 전압을 인가함과 함께, 해당 온/오프 제어 신호 전압을 상기 데이터 신호용 스위치의 내압 특성에 따른 허용 레벨 이내로 되는 제3 진폭 레벨과, 상기 제3 진폭 레벨보다도 큰 제4 진폭 레벨로 전환 가능한 스위칭 소자 구동 수단

   을 포함하고,

   상기 스위칭 소자 구동 수단은 상기 제1 진폭 레벨에 의한 주사 신호 전압이 인가되어 있을 때에는, 상기 제3 진폭 레벨을 출력시키고, 상기 제2 진폭 레벨에 의한 주사 신호 전압이 인가되어 있을 때에는 상기 제4 진폭 레벨을 출력시키는 것 을 특징으로 하는 표시 소자.
5. 제3항에 있어서,

   상기 표시 소자는 반사형으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 소자.
6. 표시 소자가 형성된 반도체 기판과, 상기 반도체 기판에 대하여 대향하여 배치되는 공통 전극을 갖는 대향 기판과, 상기 반도체 기판과 대향 기판 사이에 개재하는 액정층을 포함하여 이루어지고,

   상기 표시 소자는,

   복수의 주사선과, 이들 주사선에 직교하여 화소 데이터에 대응하는 데이터 신호가 공급되는 데이터선이 매트릭스 형상으로 배치되고, 이들 주사선과 데이터선과의 교점에 대하여, 화소 용량과, 상기 주사선에 대하여 인가되는 주사 신호 전압에 의해 상기 화소 용량에 대하여 상기 데이터 신호를 공급하는 경로를 도통시키는 스위칭 소자를 접속하여 형성되는 화소 셀 구동 수단과,

   상기 주사선을 주사하기 위한 주사 신호 전압을 공급하는 주사선 구동 수단과,

   상기 데이터선에 대하여 상기 데이터 신호를 공급하는 데이터선 구동 수단과,

   제1 진폭 레벨에 의한 주사 신호 전압의 인가 개시 후에, 상기 데이터선에 대한 데이터의 공급이 개시되기 이전에, 상기 데이터선에 대하여 프리차지 전압을 인가하는 프리차지 수단

   을 포함하고,

   상기 주사선 구동 수단은, 상기 주사 신호 전압에 대하여, 상기 프리차지 전압이 인가되어 있는 기간 내에서의 상기 화소 데이터의 극성을 반전시키는 극성 신호에 대응하는 소정 타이밍에서, 상기 스위칭 소자의 내압 특성에 따른 허용 레벨 이내로 되는 상기 제1 진폭 레벨과, 상기 제1 진폭 레벨보다도 큰 제2 진폭 레벨 사이에서 전환하여 인가하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
7. 제6항에 있어서,

   상기 데이터 신호가 상기 데이터선에 공급되는 경로를 온/오프 가능하게 제공되는 데이터 신호용 스위칭 소자와,

   이 데이터 신호용 스위칭 소자를 데이터 신호의 주사 타이밍에 따라서 온/오프 제어하는 온/오프 제어 신호 전압을 인가함과 함께, 해당 온/오프 제어 신호 전압을 상기 데이터 신호용 스위치의 내압 특성에 따른 허용 레벨 이내로 되는 제3 진폭 레벨과, 상기 제3 진폭 레벨보다도 큰 제4 진폭 레벨로 전환 가능한 스위칭 소자 구동 수단

   을 포함하고,

   상기 스위칭 소자 구동 수단은 상기 제1 진폭 레벨에 의한 주사 신호 전압이 인가되어 있을 때에는, 상기 제3 진폭 레벨을 출력시키고, 상기 제2 진폭 레벨에 의한 주사 신호 전압이 인가되어 있을 때에는 상기 제4 진폭 레벨을 출력시키는 것 을 특징으로 하는 표시 장치.
8. 제6항에 있어서,

   상기 표시 소자는 반사형으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.

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