KR100868621B1

KR100868621B1 - 태양 전지 전극용 페이스트, 태양 전지 전극의 제조 방법,및 태양 전지

Info

Publication number: KR100868621B1
Application number: KR1020060130833A
Authority: KR
Inventors: 다꾸야 곤노
Original assignee: 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Priority date: 2005-12-21
Filing date: 2006-12-20
Publication date: 2008-11-13
Also published as: EP2270872A3; US8721931B2; EP1801890A1; KR20070067636A; TW200733142A; DE602006017959D1; US20070138659A1; EP1801890B1; EP2270872A2; CN1988182A; CN1988182B

Abstract

본 발명은 태양 전지 전극용 도전성 페이스트에 관한 것으로, 결정자 직경이 58 ㎚ 이상인 제1 은 분말, 이 은 분말과 결정자 직경이 상이한 제2 은 분말, 유리 프릿, 및 수지 결합제를 포함한다. 또한, 본 발명은 상기 도전성 페이스트를 함유하는 전극을 갖는 태양 전지를 포함한다.

은 분말, 태양 전지, 유리 프릿, 수지 결합제

Description

태양 전지 전극용 페이스트, 태양 전지 전극의 제조 방법, 및 태양 전지{PASTE FOR SOLAR CELL ELECTRODE, SOLAR CELL ELECTRODE MANUFACTURING METHOD, AND SOLAR CELL}

도 1의 (a) 내지 (d)는 본 발명의 도전성 페이스트를 사용하여 태양 전지를 제조할 때의 제조 공정을 설명하기 위한 도면.

도 2는 은 분말의 최적 함유량을 견적하기 위해 제1 은 분말 및 제2 은 분말의 함량을 변화시킨 경우 제조되는 태양 전지의 전기 특성을 측정한 결과를 도시하는 그래프.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

102: Si 기판

104: 땜납 접속용 도전성 페이스트

106: 이면 전극용 알루미늄 페이스트

108: Si 기판의 수광측 표면상의 도전성 페이스트

110: 도전성 페이스트로부터 형성된 전극

112: 이면측의 Al을 주성분으로 하는 전극

114: 이면측의 Ag을 주성분으로 하는 전극

[문헌 1] 일본 특허 공개 제2005-243500호 공보

본 발명은 태양 전지에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 태양 전지에 있어서의 전극의 제조에 이용되는 페이스트, 상기 페이스트를 이용한 태양 전지의 제조 방법, 및 얻어지는 태양 전지에 관한 것이다.

태양 전지용 전극을 제조할 때에는 반사 방지막이 형성된 측에 전극이 형성된다. 전극을 형성하기 위해, 은 분말 등의 도전성 분말, 유리 프릿, 수지 결합제, 및 필요에 따라 다른 첨가제를 함유하는 페이스트를 반사 방지층 상에 도포한 뒤, 이를 소성한다.

태양 전지의 발전 특성을 높이기 위해서는 전극의 특성이 중요하다. 예를 들면, 전극의 저항치를 낮춤으로써 발전 효율이 높아질 수 있다. 이 목적을 달성하기 위해 다양한 수법이 제안되었다.

예를 들면, 일본 특허 공개 제2005-243500호 공보에는 충분한 도통성을 갖는 전극을 제조하는 기술이 개시되어 있다. 구체적으로는, 상기 특허출원은 유기결합제, 용제, 유리 프릿, 도전성 분말, 및 Ti, Bi, Zn, Y, In 및 Mo에서 선택되는 적어도 1종의 금속 또는 그의 금속 화합물을 함유하는 도전성 페이스트를 개시한다. 상기 도전성 페이스트 중의 금속 또는 그의 금속 화합물의 평균 입경은 0.001 ㎛ 이상 0.1 ㎛ 미만이다. 상기 도전성 페이스트는 반도체에 대한 높은 도통성과 우 수한 접착성을 제공할 수 있다.

페이스트를 소성하는 도중 도막의 수축에 의해 접촉 저항이 증대하거나 미소 균열이 발생한다. 이들 문제는 태양 전지의 특성에 악영향을 미칠 수 있다. 예를 들면, 태양 전지의 면내 균일성이 저하되거나 태양 전지의 변환 효율이 저하된다.

본 발명의 목적은 얻어지는 전극의 특성, 나아가서는 태양 전지의 특성을 개선함으로써 상기 문제들을 해결하는 것이다.

본 발명은 태양 전지 전극의 제조에 유용한 도전성 페이스트에 관한 것으로, 결정자 직경이 58 ㎚ 이상인 제1 은 분말, 제1 은 분말과 결정자 직경이 상이한 제2 은 분말, 유리 프릿, 및 수지 결합제를 포함한다.

또한, 본 발명은 결정자 직경이 58 ㎚ 이상인 제1 은 분말, 상기 은 분말과 결정자 직경이 상이한 제2 은 분말, 유리 프릿을 포함하는 전극을 포함하는 태양 전지에 관한 것이다.

상기 도전성 페이스트 및 태양 전지에 있어서 제1 은 분말은 이하의 특성을 갖는 것이 바람직하다. (1) 제1 은 분말은 미립화법을 사용하여 제조한 은인 것이 바람직하다. (2) 제1 은 분말의 수축 개시 온도가 700 ℃ 이상인 것이 바람직하다. (3) 제1 은 분말의 함유량은 은의 총 중량에 기초하여 10 내지 70 중량％인 것이 바람직하다. (4) 제1 은 분말의 결정자 직경은 58 내지 90 ㎚이고, 제2 은 분말의 결정자 직경은 30 내지 58 ㎚인 것이 바람직하다.

접촉 저항의 증대나 미소 균열의 발생이 억제될 수 있다. 그 결과, 얻어지는 태양 전지의 특성을 높일 수 있다.

페이스트 중 도전성 분말로서, 특정 결정자 직경을 갖는 은을 이용함으로써, 접촉 저항의 증대나 미소 균열의 발생을 억제할 수 있음이 발견되었다. 본 발명은 이에 기초한 것이다.

본 발명은 결정자 직경이 58 ㎚ 이상인 제1 은 분말과, 상기 은 분말과 결정자 직경이 상이한 제2 은 분말, 유리 프릿, 및 수지 결합제를 함유하는, 태양 전지 전극용 도전성 페이스트를 제공한다.

본 발명의 도전성 페이스트는 태양 전지의 표면측 전극의 형성에 이용되는 것이다.

이하에 본 발명의 도전성 페이스트의 각 성분에 대하여 설명한다.

1. 도전성 금속

본 발명의 도전성 페이스트 중의 도전성 금속으로서 은(Ag) 입자를 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명에 사용되는 은 입자는 소정 범위의 결정자 직경을 갖는 것이다. 결정자 직경이 상이한 2종의 은 입자를 도전성 금속으로서 이용하는 것이 더욱 바람직하다.

본 명세서에서 결정자 직경은 Ag 분말의 X선 회절 측정에 있어서, Ag의 111 반사의 피크(2θ: 약 38.1° 부근의 피크)의 반값폭으로부터 하기 수학식(쉐러(Scherrer)의 식)에 의해 계산된다. 결정자 직경이 클수록 결정성이 양호하다.

D＝K·λ/βcosθ

단, D: 결정자 직경

λ: 측정에 사용된 X선 파장

β: 반값폭(라디안)

θ: 회절각

K: 쉐러 상수(0.9)

본 발명에서 규정되는 결정자 직경은 λ(측정에 사용된 X선 파장)으로서, Cu＝1.54056Å을 이용한 경우에 얻어지는 값이다. 결정자 직경의 측정 장치에 대해서는 특별히 한정되지 않는다. MXP18VAHF X선 회절 장치 등 임의의 시판되는 장치를 사용할 수 있다.

결정자 직경이 58 ㎚ 이상인 제1 은 분말과, 이 제1 은 분말과 결정자 직경이 상이한 제2 은 분말이 은 입자로서 이용된다. 제1 은 분말의 결정자 직경은 58 내지 90 ㎚인 것이 바람직하다. 제2 은 분말의 결정자 직경은 30 내지 58 ㎚, 바람직하게는 35 내지 50 ㎚, 보다 바람직하게는 40 내지 45 ㎚이다. 이들 범위의 결정자 직경을 갖는 은 분말을 조합하여 사용함으로써, 소성 후에 형성되는 은 전극의 접촉 저항의 증대나 미소 균열의 발생을 억제할 수 있다.

제1 은 분말의 함유량은 은의 총 중량에 기초하여, 바람직하게는 10 내지 70 중량％, 보다 바람직하게는 20 내지 55 중량％, 가장 바람직하게는 25 내지 45 중량％이다. 제1 은 분말과 같은 결정자 직경이 큰 은 입자는 소성 억제 효과가 높 다고 여겨진다. 한편, 높은 도전율을 얻기 위해서는 소결성을 개선시켜 저저항의 도체를 얻는 것이 바람직하다. 상기 언급한 성질의 균형을 취함에 있어서 상기 범위가 바람직하다. 제1 은 분말의 함유량이 너무 적으면 소결 과잉이 될 우려가 있다. 제1 은 분말이 너무 많으면 소결 부족이 될 우려가 있다. 제1 은 분말과 제2 은 분말의 총 함유량은 도전성 페이스트의 중량에 기초하여 60 내지 90 중량％인 것이 바람직하다.

제1 은 분말은 수축 개시 온도(소결 개시 온도라고도 칭함)가 700 ℃ 이상인 것이 바람직하다. 저온에서 소결이 개시되는 경우, 수축에 의해 과잉의 잔류 응력이 발생한다. 그 결과, 발전 특성이 저하될 우려가 있다.

은 입자는 미립화법을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. 상기 미립화법에 의해 은 입자가 형성된다면, 본 발명의 특정 범위의 결정자 직경을 갖는 은 입자를 효율적으로 얻을 수 있다.

은 입자의 입경은 일반적인 도전성 페이스트로서 사용되는 경우, 기술적인 효과의 견지에서는 특별히 한정되지 않는다. 그러나, 입경은 은의 소결 특성에 영향을 주기 때문에(예를 들면, 입경이 큰 은 입자는 입경이 작은 은 입자보다도 느린 속도로 소결됨), 본 발명의 목적을 위해서는 특정 입경의 은 입자를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 은 입자는 도전성 페이스트를 도포하기 위해 사용되는 방법(예를 들면 스크린 인쇄)에 적합한 입경을 갖는 것도 필요하다.

상기 요건을 만족시키기 위해, 본 발명에 사용되는 은 입자는 평균 입경 0.1 내지 14 ㎛, 바람직하게는 1.0 내지 8.0 ㎛을 갖는다. 상기 범위의 입경을 갖는 은 입자를 이용하는 경우, 도전성 페이스트의 도포에 적합한 페이스트를 형성할 수 있다. 보다 구체적으로는 제1 은 분말의 평균 입경은 바람직하게는 3.5 내지 14.0 ㎛, 보다 바람직하게는 4.0 내지 10.0 ㎛, 가장 바람직하게는 4.5 내지 8.0 ㎛이다. 제2 은 분말의 평균 입경은 바람직하게는 0.1 내지 3.5 ㎛, 보다 바람직하게는 0.5 내지 3.0 ㎛, 가장 바람직하게는 1.0 내지 2.5 ㎛이다. 평균 입경은 호리바 사 제조의 LA-920 장치에 의해 측정된 값으로부터(평균 입경 분포 중 누적된 50％ 지점) 계산된다.

통상적으로 고순도(99＋％)의 은을 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 전극 패턴의 전기적인 요구에 따라 저순도의 은을 사용할 수도 있다.

2. 유리 프릿

본 발명의 도전성 페이스트는 무기 결합제로서의 유리 프릿을 함유하는 것이 바람직하다. 본 발명에서 사용 가능한 유리 결합제는 도전성 페이스트가 600 내지 800 ℃에서 소성되고, 적절히 습윤되고, 더욱 적절히 실리콘 기체에 대해 접착될 수 있도록 450 내지 550 ℃의 연화점을 갖는 유리 프릿이다. 연화점이 450 ℃보다도 낮으면 소결이 수행될 수 없고, 본 발명의 효과를 충분히 얻을 수 없다. 한편, 연화점이 550 ℃보다도 높으면 소성시에 양호한 용융 및 유동이 발생하지 않을 것이다. 그 결과, 양호한 접착 강도가 발현되지 않고, 또한 은의 액상 소결을 촉진시킬 수도 없다.

여기서, "연화점"이란 ASTM C338-57의 섬유 신장법(fiber elongation method)을 사용하여 측정된다.

유리 프릿의 화학 조성은 본 발명에서는 중요하지 않기 때문에, 전자 재료용 도전성 페이스트에 이용되는 유리 프릿이라면 본 발명에 사용할 수 있다. 예를 들면, 납 보로실리케이트 유리 등을 바람직하게 사용할 수 있다. 납 실리케이트 유리 및 납 보로실리케이트 유리는 연화점의 범위 및 유리 용착성의 양쪽 견지에서, 본 발명에 있어서 우수한 재료이다. 또한, 아연 보로실리케이트 또는 다른 종류의 무기 유리도 사용할 수 있다.

유리 프릿의 함유량은 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 한 특별히 한정되지 않는다. 유리 프릿의 함유량은 통상 도전성 페이스트의 중량에 기초하여 O.5 내지 10.0 중량％, 바람직하게는 1.0 내지 3.0 중량％이다.

유리 프릿의 양이 0.5 중량％보다도 적으면 접착 강도가 충분히 높지 않을 수 있다. 유리 프릿의 양이 10.0 중량％를 초과하면, 유리 부유 등에 의해 후속 공정인 납땜에 지장을 초래할 수 있다.

3. 수지 결합제

본 발명의 도전성 페이스트는 수지 결합제를 함유한다. 본 명세서에 있어서 "수지 결합제"는 중합체와 시너의 혼합물을 포함하는 개념이다. 따라서, 수지 결합제에는 유기 액체(시너라고도 칭해짐)가 포함될 수 있다. 본 발명에서는 유기 액체를 함유하는 수지 결합제를 사용하는 것이 바람직하다. 점도가 높은 경우에 필요에 따라서 별도로 유기 액체를 점도 조정제로서 추가할 수 있다.

본 발명에서는 임의의 수지 결합제를 사용할 수 있다. 본 발명에서는 수지(폴리메타크릴레이트 등) 또는 에틸 셀룰로오스의, 파인유 용액 또는 에틸렌글리콜 모노부틸에테르모노아세테이트 용액, 에틸셀룰로오스의 테르피네올 용액 등을 들 수 있다. 본 발명에서는 에틸셀룰로오스의 테르피네올 용액(에틸셀룰로오스 함량＝5 중량％ 내지 50 중량％)을 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 본 발명에서는 (특별한)중합체를 함유하지 않는 용매, 예를 들면 물 또는 유기 액체를 점도 조절제로서 사용할 수 있다. 사용할 수 있는 유기 액체로는 예를 들면 알코올; 알코올의 에스테르(예를 들면 아세테이트 또는 프로피오네이트); 또는 테르펜(예를 들면 파인유, 테르피네올 등)을 들 수 있다.

수지 결합제의 함유량은 바람직하게는 도전성 페이스트의 중량에 기초하여 5 내지 50 중량％이다.

4. 첨가제

본 발명의 도전성 페이스트에는 증점제 및/또는 안정화제 및/또는 그 밖의 일반적 첨가제를 첨가할 수 있다. 첨가제를 첨가하는 경우, 증점제, 안정화제 등을 첨가할 수 있다. 또는, 그 밖의 일반적인 첨가제로서 분산제, 점도 조정제 등을 첨가할 수도 있다. 첨가제의 양은 최종적으로 얻어지는 도전성 페이스트의 특성에 의존하여 결정된다. 첨가제의 양은 당업자에 의해 적절히 결정할 수 있다. 한편, 복수 종류의 첨가제를 첨가할 수도 있다.

이하에 설명하는 바와 같이, 본 발명의 도전성 페이스트는 소정 범위의 점도를 갖는 것이 바람직하다. 도전성 페이스트에 적절한 점도를 부여하기 위해 필요에 따라 증점제를 첨가할 수 있다. 증점제의 예로서는 상술한 것을 들 수 있다. 증점제 등의 첨가량은 최종적인 도전성 페이스트의 점도에 의존하여 변화되며, 당 업자에 의해 적절히 결정할 수 있다.

본 발명의 도전성 페이스트는 상술한 성분들을 3개 롤 블렌더로 혼합함으로써 제조될 수 있다. 본 발명의 도전성 페이스트는 바람직하게는 스크린 인쇄로 태양 전지 이면의 원하는 부위에 도포된다. 페이스트가 인쇄 방법을 사용하여 도포되는 경우, 소정 범위의 전압을 얻을 수 있다. 본 발명의 도전성 페이스트의 점도는 부룩 필드 HBT 점도계로 # 14 스핀들을 이용하고, 유틸리티 컵을 이용하여 10 rpm 및 25 ℃에서 측정한 경우에 50 내지 300 PaS인 것이 바람직하다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 도전성 페이스트는 태양 전지의 수광면측에 있어서의 은을 주성분으로 하는 전극을 형성하기 위해 이용된다. 즉, 상기 페이스트는 태양 전지의 수광면측에 도포 및 건조된다. 태양 전지의 이면측에도 페이스트를 도포하여 알루미늄이나 은 등으로 이루어지는 이면 전극을 형성할 수도 있다. 이들 전극은 동시에 소성되는 것이 바람직하다.

이하에, 본 발명의 도전성 페이스트를 사용하여 태양 전지를 제조하는 예를 도 1을 참조하여 설명한다.

우선, Si 기판(102)을 준비한다. 이 기판의 이면측에 땜납 접속용 도전성 페이스트(104)를 스크린 인쇄에 의해 도포하고, 건조한다(도 1(a)). 이 도전성 페이스트는 예를 들면, 은 입자, 유리 입자, 및 수지 결합제를 함유하는 종래의 은 도전성 페이스트일 수 있다. 다음으로, 태양 전지의 이면 전극용 알루미늄 페이스트(태양 전지에 사용되는 알루미늄 페이스트라면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 상품번호 PV333, PV322(이. 아이. 듀폰 디 네모어 앤드 컴퍼니로부터 이용 가 능) 106 등)을 스크린 인쇄 등에 의해 도포하고, 건조한다(도 1(b)). 각 페이스트의 건조 온도는 180 ℃ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 이면의 각 전극의 건조 후 막 두께는 알루미늄 페이스트가 20 내지 40 ㎛, 은 도전성 페이스트가 15 내지 30 ㎛인 것이 바람직하다. 또한, 알루미늄 페이스트와 은 도전성 페이스트의 중첩 부분은 약 0.5 ㎜ 내지 약 2.5 ㎜인 것이 바람직하다.

다음으로, Si 기판의 수광측 표면(표면) 상에 본 발명에 따른 도전성 페이스트(108)를 스크린 인쇄 등에 의해 도포하고, 건조한다(도 1(c)). 얻어진 기판 상의 알루미늄 페이스트와 은 도전성 페이스트를 적외선 소성로에서 예를 들면 약 600 ℃ 내지 약 900 ℃의 온도에서 약 2 내지 15분 동안 동시 소성한다. 이러한 방식으로 목적하는 태양 전지를 얻을 수 있다(도 1(d)).

본 발명의 도전성 페이스트를 이용하여 제조된 태양 전지는 도 1(d)에 도시된 바와 같이, 기판(예를 들면 Si 기판)(102)의 수광면(표면)측에 본 발명의 도전성 페이스트로부터 형성된 전극(110)을 갖고, 이면측에 Al을 주성분으로 하는 Al 전극(제1 전극)(112) 및 Ag을 주성분으로 하는 은 전극(제2 전극)(114)을 갖는다.

<실시예>

1. 도전성 페이스트의 제조

(실시예 1)

결정자 직경 59.8 ㎚의 제1 은 분말, 및 결정자 직경 43.5 ㎚의 제2 은 분말, Si-B-Pb-O계 유리 프릿, 및 소결 보조 재료를 함유하는 혼합물을 준비하였다. 이 혼합물에, 수지 결합제로서 에틸셀룰로오스를 20 중량％ 함유하는 테르피네올 용액을 첨가하였다. 점도를 조정하기 위해 시너로서 테르피네올을 첨가하였다. 각 성분의 함유량은 표 1에 나타낸 바와 같다. 즉, 결정자 직경이 58 ㎚ 이상인 제1 은 분말이 8.4 중량％, 결정자 직경이 43.5 ㎚인 제2 은 분말이 75.6 중량％, 유리 프릿이 1.6 중량％, 수지 결합제가 10.0 중량％, 점도 조정을 위해 첨가된 테르피네올이 0.9 중량％, 및 소결 보조 재료가 3.5 질량％이다.

이 혼합물을 만능 혼합기로 예비 혼합한 후, 3개 롤 혼련기로 혼련하여 태양 전지용 페이스트를 얻었다. 사용한 재료의 입경, 함유량, 특징 등은 표 1에 나타내었다.

(실시예 2, 비교예 1 내지 2)

사용하는 은 분말의 종류 및 사용량을 표 1에 나타낸 양으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 태양 전지 전극용 페이스트를 제조하였다.

2. 태양 전지의 제조

얻어진 4 종류의 페이스트를 이용하여 태양 전지를 제조하였다. 우선, Si 기판을 준비하였다. 이 Si 기판의 이면측에 땜납 접속용 도전성 페이스트(은 페이스트)를 스크린 인쇄에 의해 도포하고, 건조하였다. 이어서, 건조한 은 페이스트와 일부 겹치도록 이면 전극용 알루미늄 페이스트(상품번호 PV333(이. 아이. 듀폰 디 네모어 앤드 컴퍼니로부터 이용 가능)을 스크린 인쇄에 의해 도포하고, 건조하였다. 각 페이스트의 건조 온도는 120 ℃였다. 또한, 이면의 각 전극의 건조 후 막 두께는 알루미늄 페이스트가 35 ㎛, 은 페이스트가 20 ㎛였다.

또한 본 발명의 페이스트를 수광측 표면(표면) 상에 스크린 인쇄에 의해 도포하고, 건조하였다. 인쇄기는 프라이스사 제조, 마스크는 8인치×10인치 프레임의 스테인레스 스틸 와이어 250 메쉬의 것을 사용하였다. 패턴은 100 μm-폭의 핑거 라인과 2 ㎜ 폭의 버스 바(bar)로 구성되는 1.5 평방인치의 평가용 패턴이었다. 소성 후 막 두께는 13 ㎛였다.

다음으로, 기판 상에 도포된 페이스트를 적외선 소성로에서 피크 온도 약 730 ℃에서 IN-OUT 약 5분의 조건으로 동시 소성하였다. 그 결과, 목적하는 태양 전지를 얻었다.

본 발명의 도전성 페이스트를 이용하여 얻어지는 태양 전지는 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(예를 들면 Si 기판)(102)의 수광면(표면)측에 Ag 전극(110)을 갖고, 이면측에 Al을 주성분으로 하는 Al 전극(제1 전극)(112) 및 Ag를 주성분으로 하는 은 전극(제2 전극)(114)을 갖는다.

3. 전지의 평가

얻어진 태양 전지 기판의 전기 특성(I-V 특성) 평가를 셀 테스터에 의해 행하였다. 셀 테스터는 NPC사 제조의 테스터(NCT-M-150AA)를 사용하였다.

얻어지는 특성치는 Eff: 변환 효율(％), FF: 충전 요소(％), Voc: 개방 전압(mV), Jsc: 단락 전류(mA·㎠), Rs: 직렬 저항(Ω·㎠), Rsh: 션트 저항(Ω·㎠)이다. Rs 이외의 특성치는 높은 쪽이 태양 전지로서의 발전 성능이 우수하다. 결과를 표 2에 나타내었다. 표 2에 나타낸 각 전기 특성의 수치는 5장의 태양 전지 셀 기판의 측정치의 평균으로써, 비교예 1의 각 수치를 100.0으로 한 경우의 상대치이다.

상기에 나타낸 바와 같이 본 발명에서 규정하는 소정의 결정자 직경을 갖는 2종의 은 분말을 사용함으로써, 얻어지는 태양 전지의 특성이 향상된다.

(실시예 3)

은 분말 중의 제1 은 분말의 적정 함유량을 견적하기 위한 시험을 행하였다. 제1 은 분말(A)로서 결정자 직경 59.8 ㎚(수축 개시 온도 740 ℃)의 은 분말을 이용하고, 제2 은 분말(B)로서 결정자 직경 43.5 ㎚(수축 개시 온도 670 ℃)의 은 분말을 이용하였다. 제1 은 분말과 제2 은 분말의 조성비를 하기 표 4와 같이 변화시키고, 실시예 1 및 2에 기재된 것과 동일한 절차로 도전성 페이스트 및 태양 전지 기판을 제조하였다. 얻어진 태양 전지의 변환 효율(Eff)을 측정하였다. 결과를 표 3에 나타내었다. 또한, 표 3의 결과를 도 2에 그래프로 나타내었다.

상기 결과로부터, 제1 은 분말의 적정 함유량은 은의 총 중량에 기초하여 10 내지 70 중량％라고 견적할 수 있었다.

<산업상 이용 가능성>

본 발명은 태양 전지에 적용 가능하다.

접촉 저항의 증대나 미소 균열의 발생이 억제된다. 이에 따라, 얻어지는 태양 전지의 특성을 높일 수 있다.

Claims

결정자 직경이 58 내지 90 ㎚인 제1 은 분말,

결정자 직경이 30 내지 58 ㎚인 제2 은 분말,

유리 프릿, 및

수지 결합제를 함유하고, 여기서 상기 제1 은 분말의 함유량은 은의 총 중량에 기초하여 25 내지 45 중량%인, 태양 전지 전극의 제조에 사용되는 페이스트.
제1항에 있어서, 상기 제1 은 분말이 미립화법(atomization method)을 사용하여 제조된 것인 페이스트.
제1항에 있어서, 상기 제1 은 분말의 수축 개시 온도가 700 ℃ 이상인 페이스트.
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결정자 직경이 58 내지 90 ㎚인 제1 은 분말, 결정자 직경이 30 내지 58 ㎚인 제2 은 분말, 및 유리 프릿을 포함하고, 여기서 상기 제1 은 분말의 함유량은 은의 총 중량에 기초하여 25 내지 45 중량%인 전극을 갖는 태양 전지.
제6항에 있어서, 상기 제1 은 분말이 미립화법을 사용하여 제조된 것인 태양 전지.
제6항에 있어서, 상기 제1 은 분말의 수축 개시 온도가 700 ℃ 이상인 태양 전지.
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