JP2003133567A - 太陽電池素子の製造方法およびそれに用いる電極材料 - Google Patents
太陽電池素子の製造方法およびそれに用いる電極材料Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はこのような従来技術の問題点に鑑み
てなされたものであり、基板と電極材料との接触抵抗が
大きく、曲線因子が悪いという従来の問題を解消した太
陽電池の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 一導電型を呈する半導体基板の表面側に
微細な凹凸を形成するとともに、この半導体基板の表面
側に逆導電型を呈する領域を形成し、この半導体基板の
表面側と裏面側に電極を形成する太陽電池素子の製造方
法であって、上記半導体基板の表面側に銀を主成分と
し、その銀１００重量部に対して０．１〜０．５μｍの
範囲の粒径のものを５〜５０重量部含有する銀ペースト
を塗布して焼き付ける。
てなされたものであり、基板と電極材料との接触抵抗が
大きく、曲線因子が悪いという従来の問題を解消した太
陽電池の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 一導電型を呈する半導体基板の表面側に
微細な凹凸を形成するとともに、この半導体基板の表面
側に逆導電型を呈する領域を形成し、この半導体基板の
表面側と裏面側に電極を形成する太陽電池素子の製造方
法であって、上記半導体基板の表面側に銀を主成分と
し、その銀１００重量部に対して０．１〜０．５μｍの
範囲の粒径のものを５〜５０重量部含有する銀ペースト
を塗布して焼き付ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池素子の製造
方法とそれに用いる電極材料に関し、特に半導体基板の
表面に微細な凹凸を形成した太陽電池素子の製造方法お
よびそれに用いる電極材料に関する。
方法とそれに用いる電極材料に関し、特に半導体基板の
表面に微細な凹凸を形成した太陽電池素子の製造方法お
よびそれに用いる電極材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池素子には、単結晶半導体基板を
用いた太陽電池素子、多結晶半導体基板を用いた太陽電
池素子、アモルファス半導体層を用いた太陽電池素子が
ある。このうち、量産性の点では多結晶半導体基板を用
いた太陽電池素子が最も優れている。
用いた太陽電池素子、多結晶半導体基板を用いた太陽電
池素子、アモルファス半導体層を用いた太陽電池素子が
ある。このうち、量産性の点では多結晶半導体基板を用
いた太陽電池素子が最も優れている。
【０００３】このような多結晶半導体基板を用いた太陽
電池素子の高効率化を図るために、従来から種々の検討
がなされている。例えば半導体基板に照射された光をで
きるだけ多く半導体基板内に取り込むとともに、半導体
基板内に取り込まれた光をできるだけ多く半導体基板内
に閉じ込めるために、半導体基板の表面に微細な凹凸を
形成することが提案されている。
電池素子の高効率化を図るために、従来から種々の検討
がなされている。例えば半導体基板に照射された光をで
きるだけ多く半導体基板内に取り込むとともに、半導体
基板内に取り込まれた光をできるだけ多く半導体基板内
に閉じ込めるために、半導体基板の表面に微細な凹凸を
形成することが提案されている。
【０００４】このような微細な凹凸は、例えば反応性イ
オンエッチング（Reactive Ion Etching：ＲＩＥ）法で
形成される（例えば特公昭６０−２７１９５号、特開平
５−７５１５２号、特開平９−１０２６２５号公報参
照）。この方法によると、半導体基板として多結晶シリ
コンを用いた場合でも、結晶の不規則な面方位に左右さ
れることなく、均一な凹凸を形成することができ、特に
多結晶シリコンを用いた太陽電池素子においては、より
効果的に表面反射を低減できるようになる。
オンエッチング（Reactive Ion Etching：ＲＩＥ）法で
形成される（例えば特公昭６０−２７１９５号、特開平
５−７５１５２号、特開平９−１０２６２５号公報参
照）。この方法によると、半導体基板として多結晶シリ
コンを用いた場合でも、結晶の不規則な面方位に左右さ
れることなく、均一な凹凸を形成することができ、特に
多結晶シリコンを用いた太陽電池素子においては、より
効果的に表面反射を低減できるようになる。
【０００５】すなわち、単結晶シリコン基板は、結晶の
面方位が均一であることから、例えば濃度が５％程度の
水酸化ナトリウム水溶液などのアルカリ溶液で等方性エ
ッチングを行うと基板の表面の全面にわたって微細な凹
凸を均一に形成することができるが、多結晶シリコン基
板は結晶の面方位が不均一であることから、アルカリ溶
液でエッチングしても凹凸が均一にならず、基板表面で
の反射を効果的に防止することができず、太陽電池の高
効率化を図ることができない。
面方位が均一であることから、例えば濃度が５％程度の
水酸化ナトリウム水溶液などのアルカリ溶液で等方性エ
ッチングを行うと基板の表面の全面にわたって微細な凹
凸を均一に形成することができるが、多結晶シリコン基
板は結晶の面方位が不均一であることから、アルカリ溶
液でエッチングしても凹凸が均一にならず、基板表面で
の反射を効果的に防止することができず、太陽電池の高
効率化を図ることができない。
【０００６】ところが、このような多結晶シリコン基板
でも、反応性イオンエッチング法などのドライエッチン
グ法であれば、その面方位に左右されることなく、微細
な凹凸を均一に形成することができる。
でも、反応性イオンエッチング法などのドライエッチン
グ法であれば、その面方位に左右されることなく、微細
な凹凸を均一に形成することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の方法
で形成された微細な凹凸部の上にスクリーン印刷法等を
用いて銀ペースト等の導電性ペーストを塗布して焼成し
た場合、この銀ペーストには銀の粒径が１〜５μｍ程度
のものを多量に含んでいるために、凹凸部の深さが０．
２〜０．５μｍ、幅が０．２〜１．０μｍ程度しかない
凹部には銀が入り込めず、シリコン基板との接触が行え
なくなって接触抵抗が高くなり、とりわけ曲線因子が低
下して太陽電池素子の変換効率を低下させるという問題
があった。
で形成された微細な凹凸部の上にスクリーン印刷法等を
用いて銀ペースト等の導電性ペーストを塗布して焼成し
た場合、この銀ペーストには銀の粒径が１〜５μｍ程度
のものを多量に含んでいるために、凹凸部の深さが０．
２〜０．５μｍ、幅が０．２〜１．０μｍ程度しかない
凹部には銀が入り込めず、シリコン基板との接触が行え
なくなって接触抵抗が高くなり、とりわけ曲線因子が低
下して太陽電池素子の変換効率を低下させるという問題
があった。
【０００８】本発明はこのような従来技術の問題点に鑑
みてなされたものであり、基板と電極材料との接触抵抗
が大きく、曲線因子が悪いという従来の問題を解消した
太陽電池素子の製造方法を提供することを目的とする。
みてなされたものであり、基板と電極材料との接触抵抗
が大きく、曲線因子が悪いという従来の問題を解消した
太陽電池素子の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る太陽電池素子の製造方法によれば、一
導電型を呈する半導体基板の表面側に微細な凹凸を形成
するとともに、この半導体基板の表面側に逆導電型を呈
する領域を形成し、この半導体基板の表面側と裏面側に
電極を形成する太陽電池素子の製造方法において、前記
半導体基板の表面側に銀を主成分とし、その銀１００重
量部に対して０．１〜０．５μｍの範囲の粒径のものを
５〜５０重量部含有する銀ペーストを塗布して焼き付け
ることを特徴とする。
に、本発明に係る太陽電池素子の製造方法によれば、一
導電型を呈する半導体基板の表面側に微細な凹凸を形成
するとともに、この半導体基板の表面側に逆導電型を呈
する領域を形成し、この半導体基板の表面側と裏面側に
電極を形成する太陽電池素子の製造方法において、前記
半導体基板の表面側に銀を主成分とし、その銀１００重
量部に対して０．１〜０．５μｍの範囲の粒径のものを
５〜５０重量部含有する銀ペーストを塗布して焼き付け
ることを特徴とする。
【００１０】また、本発明に係る太陽電池素子用電極材
料によれば、前記半導体接合部を有する半導体基板の表
面側に焼き付けられる太陽電池素子用電極材料におい
て、前記電極材料が銀を主成分とし、その銀１００重量
部に対して０．１〜０．５μｍの範囲の粒径のものを５
〜５０重量部含有することを特徴とする。
料によれば、前記半導体接合部を有する半導体基板の表
面側に焼き付けられる太陽電池素子用電極材料におい
て、前記電極材料が銀を主成分とし、その銀１００重量
部に対して０．１〜０．５μｍの範囲の粒径のものを５
〜５０重量部含有することを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は本発明の太陽電池素子の製造方
法を示す断面図であり、１は半導体基板、２は反射防止
膜、３は裏面電極、４は表面電極である。
詳細に説明する。図１は本発明の太陽電池素子の製造方
法を示す断面図であり、１は半導体基板、２は反射防止
膜、３は裏面電極、４は表面電極である。
【００１２】まず、半導体基板１を用意する（図１
（ａ）参照）。この半導体基板１は、単結晶又は多結晶
シリコンなどから成る。この半導体基板１をシリコンで
形成する場合は、ボロン（Ｂ）などの一導電型半導体不
純物を１×１０16 〜 18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有し、
比抵抗１．５Ω・ｃｍ程度の基板である。単結晶シリコ
ンの場合は引き上げ法などによって形成され、多結晶シ
リコンの場合は鋳造法などによって形成される。多結晶
シリコンは、大量生産が可能であり製造コスト面で単結
晶シリコンよりも有利である。引き上げ法や鋳造法によ
って形成されたブロックを１０ｃｍ×１０ｃｍもしくは
１５ｃｍ×１５ｃｍ程度の大きさに切断し、３００〜５
００μｍ程度の厚みにスライスして半導体基板とする。
（ａ）参照）。この半導体基板１は、単結晶又は多結晶
シリコンなどから成る。この半導体基板１をシリコンで
形成する場合は、ボロン（Ｂ）などの一導電型半導体不
純物を１×１０16 〜 18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有し、
比抵抗１．５Ω・ｃｍ程度の基板である。単結晶シリコ
ンの場合は引き上げ法などによって形成され、多結晶シ
リコンの場合は鋳造法などによって形成される。多結晶
シリコンは、大量生産が可能であり製造コスト面で単結
晶シリコンよりも有利である。引き上げ法や鋳造法によ
って形成されたブロックを１０ｃｍ×１０ｃｍもしくは
１５ｃｍ×１５ｃｍ程度の大きさに切断し、３００〜５
００μｍ程度の厚みにスライスして半導体基板とする。
【００１３】次に、半導体基板１の表面側に、微細な凹
凸１ｃを多数形成する（図１（ｂ）参照）。この微細な
凹凸１ｃは、半導体基板１の表面側に照射される光を多
重反射させて、表面反射を減少させるために設ける。こ
の微細な凹凸１ｃは、円錐形もしくは角錐形を呈し、Ｒ
ＩＥ法によるガス濃度若しくはエッチング時間を制御す
ることにより、その大きさを変化させることができる。
この微細な凹凸１ｃの幅と高さはそれぞれ２μｍ以下に
形成される。この凹凸１ｃの幅と高さが２μｍ以上にな
ると、エッチングの処理時間が長くなる反面、基板１表
面での反射率はさほど低減されない。この微細な凹凸１
ｃを半導体基板１の表面側の全面にわたって均一且つ正
確に制御性を持たせて形成するには、その幅と高さは１
μｍ以下が好適である。また、この微細な凹凸１ｃは極
めて微小なものでも反射率低滅の効果はあるが、面内に
均一かつ正確に形成するためには、製造工程上１ｎｍ以
上であることが望まれる。
凸１ｃを多数形成する（図１（ｂ）参照）。この微細な
凹凸１ｃは、半導体基板１の表面側に照射される光を多
重反射させて、表面反射を減少させるために設ける。こ
の微細な凹凸１ｃは、円錐形もしくは角錐形を呈し、Ｒ
ＩＥ法によるガス濃度若しくはエッチング時間を制御す
ることにより、その大きさを変化させることができる。
この微細な凹凸１ｃの幅と高さはそれぞれ２μｍ以下に
形成される。この凹凸１ｃの幅と高さが２μｍ以上にな
ると、エッチングの処理時間が長くなる反面、基板１表
面での反射率はさほど低減されない。この微細な凹凸１
ｃを半導体基板１の表面側の全面にわたって均一且つ正
確に制御性を持たせて形成するには、その幅と高さは１
μｍ以下が好適である。また、この微細な凹凸１ｃは極
めて微小なものでも反射率低滅の効果はあるが、面内に
均一かつ正確に形成するためには、製造工程上１ｎｍ以
上であることが望まれる。
【００１４】次に、半導体基板１を拡散炉中に配置し
て、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3）などの中で加熱する
ことによって、半導体基板１の表面部分にリン原子を拡
散させて他の導電型を呈する領域１ａを形成する（図１
（ｃ）参照）。この他の導電型を呈する領域１ａは、
０．３〜０．５μｍ程度の深さに形成され、シート抵抗
が６０Ω／□以上になるように形成される。この熱拡散
により、半導体基板１の外表面全体に他の導電型を呈す
る領域とリン原子を含むリンガラス層（不図示）が形成
されるが、半導体基板１の一主面側の他の導電型を呈す
る領域のみを残して他の部分は、弗酸（ＨＦ）と硝酸
（ＨＮＯ3）を主成分とするエッチング液に浸漬して除
去した後、純水で洗浄する（図１（ｃ））。
て、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3）などの中で加熱する
ことによって、半導体基板１の表面部分にリン原子を拡
散させて他の導電型を呈する領域１ａを形成する（図１
（ｃ）参照）。この他の導電型を呈する領域１ａは、
０．３〜０．５μｍ程度の深さに形成され、シート抵抗
が６０Ω／□以上になるように形成される。この熱拡散
により、半導体基板１の外表面全体に他の導電型を呈す
る領域とリン原子を含むリンガラス層（不図示）が形成
されるが、半導体基板１の一主面側の他の導電型を呈す
る領域のみを残して他の部分は、弗酸（ＨＦ）と硝酸
（ＨＮＯ3）を主成分とするエッチング液に浸漬して除
去した後、純水で洗浄する（図１（ｃ））。
【００１５】次に、半導体基板１の一主面側に反射防止
膜２を形成する（図１（ｄ））。この反射防止膜２は例
えば窒化シリコン膜などから成り、シランとアンモニア
との混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法などで形成され
る。この反射防止膜２は、半導体基板１の表面で光が反
射するのを防止して、半導体基板１内に光を有効に取り
込むために設ける。また、半導体基板１の表面部の界面
準位を低下させると共に、半導体基板１の内部の結晶欠
陥を緩和するために設ける。この反射防止膜２は、半導
体基板１との屈折率差などを考慮して、屈折率が１．８
〜２．３程度になるように形成され、厚み８５０Å程度
に形成される。
膜２を形成する（図１（ｄ））。この反射防止膜２は例
えば窒化シリコン膜などから成り、シランとアンモニア
との混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法などで形成され
る。この反射防止膜２は、半導体基板１の表面で光が反
射するのを防止して、半導体基板１内に光を有効に取り
込むために設ける。また、半導体基板１の表面部の界面
準位を低下させると共に、半導体基板１の内部の結晶欠
陥を緩和するために設ける。この反射防止膜２は、半導
体基板１との屈折率差などを考慮して、屈折率が１．８
〜２．３程度になるように形成され、厚み８５０Å程度
に形成される。
【００１６】次に、裏面電極材料３を塗布して乾燥した
後、表面電極材料４を塗布して乾燥する。この際に使用
される裏面電極材料３、４は０．１〜５μｍ程度の銀粉
末の１００重量部に対し、有機ビヒクルを１０〜３０重
量部、ガラスフリットを０．１〜５重量部含有する電極
材料を用いる。また、表面電極材料４の銀粉末は、銀粉
末の１００重量部に対して０．１〜０．５μｍの粒径の
銀粉末を５〜５０重量部含有する。このような電極材料
を用いると、図２に示すように、半導体基板１の表面側
の凹部１ｃに電極材料が入り込み、半導体基板１と電極
材料４との接触抵抗を極力低減できる。この表面電極材
料４の０．１〜０．５μｍの粒径の銀粉末が５重量部よ
り少ない場合には、微細な凹凸１ｃの凹部に銀が充分に
入りこまず、電極の接触抵抗が増大する。また、５０重
量部を越える場合には、ペースト中のガラスフリット成
分がシリコンと電極との界面に多量に押し出されて電極
の接触抵抗が増大する。
後、表面電極材料４を塗布して乾燥する。この際に使用
される裏面電極材料３、４は０．１〜５μｍ程度の銀粉
末の１００重量部に対し、有機ビヒクルを１０〜３０重
量部、ガラスフリットを０．１〜５重量部含有する電極
材料を用いる。また、表面電極材料４の銀粉末は、銀粉
末の１００重量部に対して０．１〜０．５μｍの粒径の
銀粉末を５〜５０重量部含有する。このような電極材料
を用いると、図２に示すように、半導体基板１の表面側
の凹部１ｃに電極材料が入り込み、半導体基板１と電極
材料４との接触抵抗を極力低減できる。この表面電極材
料４の０．１〜０．５μｍの粒径の銀粉末が５重量部よ
り少ない場合には、微細な凹凸１ｃの凹部に銀が充分に
入りこまず、電極の接触抵抗が増大する。また、５０重
量部を越える場合には、ペースト中のガラスフリット成
分がシリコンと電極との界面に多量に押し出されて電極
の接触抵抗が増大する。
【００１７】このような電極材料３、４は塗布して乾燥
した後、６００〜８００℃で１〜３０分程度焼成するこ
とにより焼き付けられる。
した後、６００〜８００℃で１〜３０分程度焼成するこ
とにより焼き付けられる。
【００１８】
【実施例】比抵抗が１．５Ωｃｍの半導体基板の一主面
側をドライエッチング法により表面に凹部の深さが０．
２〜０．５μｍ、凸部の間隔が０．２〜１．０μｍとな
る微細な凹凸を形成して粗面化したのち、リンを１×１
０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3拡散させて、厚み８５０Åの窒
化シリコン膜を形成した。その後、銀粉末１００重量部
に対し有機ビヒクル２５重量部、ガラスフリット２重量
部からなる裏面電極材料を塗布したのち、銀粉末１００
重量部に対し有機ビヒクル２５重量部、ガラスフリット
２重量部からなる表面電極材料で銀ペーストの粒径が
０．１〜５μｍの銀粉末のうち、０．１〜０．５μｍの
銀粉末の重量比が１％、５％、１５％、２５％、３５
％、５０％、６０％のものを７５０℃×１５分で焼き付
けて、太陽電池素子の電極部とした。このときの曲線因
子および太陽電池特性を測定した。その結果を表１に示
す。
側をドライエッチング法により表面に凹部の深さが０．
２〜０．５μｍ、凸部の間隔が０．２〜１．０μｍとな
る微細な凹凸を形成して粗面化したのち、リンを１×１
０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3拡散させて、厚み８５０Åの窒
化シリコン膜を形成した。その後、銀粉末１００重量部
に対し有機ビヒクル２５重量部、ガラスフリット２重量
部からなる裏面電極材料を塗布したのち、銀粉末１００
重量部に対し有機ビヒクル２５重量部、ガラスフリット
２重量部からなる表面電極材料で銀ペーストの粒径が
０．１〜５μｍの銀粉末のうち、０．１〜０．５μｍの
銀粉末の重量比が１％、５％、１５％、２５％、３５
％、５０％、６０％のものを７５０℃×１５分で焼き付
けて、太陽電池素子の電極部とした。このときの曲線因
子および太陽電池特性を測定した。その結果を表１に示
す。
【００１９】
【表１】
【００２０】粒径が０．１〜５μｍの銀粉末を含有する
銀ペーストで、粒径が０．１〜０．５μｍの銀粉末の重
量比を変えた場合の曲線因子の結果は表１に示すとおり
である。すなわち、０．１〜０．５μｍの銀粉末の重量
比が１％のとき、曲線因子は７４．０％であった。０．
１〜０．５μｍの銀粉末の重量比が５％のとき、曲線因
子は７５．５％であった。０．１〜０．５μｍの銀粉末
の重量比が１５％のとき、曲線因子は７６．１％であっ
た。０．１〜０．５μｍの銀粉末の重量比が２５％のと
き、曲線因子は７６．８％であった。０．１〜０．５μ
ｍの銀粉末の重量比が３５％のとき、曲線因子は７６．
２％であった。０．１〜０．５μｍの銀粉末の重量比が
５０％のとき、曲線因子は７５．０％であった。０．１
〜０．５μｍの銀粉末の重量比が６０％のとき、曲線因
子は７４．２％であった。
銀ペーストで、粒径が０．１〜０．５μｍの銀粉末の重
量比を変えた場合の曲線因子の結果は表１に示すとおり
である。すなわち、０．１〜０．５μｍの銀粉末の重量
比が１％のとき、曲線因子は７４．０％であった。０．
１〜０．５μｍの銀粉末の重量比が５％のとき、曲線因
子は７５．５％であった。０．１〜０．５μｍの銀粉末
の重量比が１５％のとき、曲線因子は７６．１％であっ
た。０．１〜０．５μｍの銀粉末の重量比が２５％のと
き、曲線因子は７６．８％であった。０．１〜０．５μ
ｍの銀粉末の重量比が３５％のとき、曲線因子は７６．
２％であった。０．１〜０．５μｍの銀粉末の重量比が
５０％のとき、曲線因子は７５．０％であった。０．１
〜０．５μｍの銀粉末の重量比が６０％のとき、曲線因
子は７４．２％であった。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る太陽電池素
子の製造方法によれば、一導電型を呈する半導体基板の
表面側に微細な凹凸を形成するとともに、この半導体基
板の表面側に銀を主成分とし、その銀１００重量部に対
して０．１〜０．５μｍの範囲の粒径のものを５〜５０
重量部含有する銀ペーストを塗布して焼き付けることか
ら、電極の接触抵抗が低減できて良好な曲線因子を有す
る太陽電池素子を得ることができる。
子の製造方法によれば、一導電型を呈する半導体基板の
表面側に微細な凹凸を形成するとともに、この半導体基
板の表面側に銀を主成分とし、その銀１００重量部に対
して０．１〜０．５μｍの範囲の粒径のものを５〜５０
重量部含有する銀ペーストを塗布して焼き付けることか
ら、電極の接触抵抗が低減できて良好な曲線因子を有す
る太陽電池素子を得ることができる。
【００２２】また、本発明に係る太陽電池用電極材料に
よれば、銀を主成分とし、その銀１００重量部に対して
０．１〜０．５μｍの範囲の粒径のものを５〜５０重量
部含有することから、表面に微細な凹凸部を形成した太
陽電池素子においても、電極の接触抵抗が低減でき、良
好な曲線因子を有する太陽電池素子を得ることができ
る。
よれば、銀を主成分とし、その銀１００重量部に対して
０．１〜０．５μｍの範囲の粒径のものを５〜５０重量
部含有することから、表面に微細な凹凸部を形成した太
陽電池素子においても、電極の接触抵抗が低減でき、良
好な曲線因子を有する太陽電池素子を得ることができ
る。
【図１】本発明に係る太陽電池素子の製造方法を説明す
るための図であり、（ａ）〜（ｅ）は工程毎の断面図で
ある。
るための図であり、（ａ）〜（ｅ）は工程毎の断面図で
ある。
【図２】本発明に係る太陽電池素子の製造方法の表面側
の凹凸部を拡大して示す図である。
の凹凸部を拡大して示す図である。
１・・・半導体基板、１ａ・・・逆導電型半導体不純物
を有する領域、１ｃ・・・微細な凹凸部、２・・・反射
防止膜、３・・・裏面電極、４・・・表面電極
を有する領域、１ｃ・・・微細な凹凸部、２・・・反射
防止膜、３・・・裏面電極、４・・・表面電極
Claims (2)
- 【請求項１】 一導電型を呈する半導体基板の表面側に
微細な凹凸を形成するとともに、この半導体基板の表面
側に逆導電型を呈する領域を形成し、この半導体基板の
表面側と裏面側に電極を形成する太陽電池素子の製造方
法において、前記半導体基板の表面側に銀を主成分と
し、その銀１００重量部に対して０．１〜０．５μｍの
範囲の粒径のものを５〜５０重量部含有する銀ペースト
を塗布して焼き付けることを特徴とする太陽電池素子の
製造方法。 - 【請求項２】 前記半導体接合部を有する半導体基板の
表面側に焼き付けられる太陽電池素子用電極材料におい
て、前記電極材料が銀を主成分とし、その銀１００重量
部に対して０．１〜０．５μｍの範囲の粒径のものを５
〜５０重量部含有することを特徴とする太陽電池素子用
電極材料。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001326830A JP2003133567A (ja) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | 太陽電池素子の製造方法およびそれに用いる電極材料 |
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|---|---|---|---|
| JP2001326830A JP2003133567A (ja) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | 太陽電池素子の製造方法およびそれに用いる電極材料 |
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|---|---|
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ID=19143147
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|---|---|---|---|
| JP2001326830A Pending JP2003133567A (ja) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | 太陽電池素子の製造方法およびそれに用いる電極材料 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2003133567A (ja) |
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