KR100856280B1 - 반도체 레이저 다이오드 패키지 - Google Patents

반도체 레이저 다이오드 패키지 Download PDF

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Abstract

반도체 레이저 다이오드 패키지가 개시된다. 개시된 반도체 레이저 다이오드 패키지는, 소정의 두께를 가지고, 그 중심부에는 관통공이 형성된 스템과; 관통공 주위에 스템의 일면으로부터 돌출되어 마련되는 히트싱크와; 히트싱크 상에 부착되는 반도체 레이저 다이오드와; 반도체 레이저 다이오드의 후방에 마련되는 것으로, 상기 관통공의 내부에 상기 스템의 두께보다 얇은 두께로 채워지는 충진부재를; 구비한다.

Description

반도체 레이저 다이오드 패키지{Semiconductor laser diode package}
도 1은 종래 반도체 레이저 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드 패키지의 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드 패키지의 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110... 스템(stem) 110a... 관통공
111... 접속핀 112... 히트싱크(heat sink)
115... 반도체 레이저 다이오드 116... 서브마운트(submount)
120... 캡 122... 윈도우
130... 충진부재
본 발명은 반도체 레이저 다이오드 패키지에 관한 것으로, 상세하게는 긴 공진기 길이를 가지는 고출력 반도체 레이저 다이오드에 대응할 수 있는 반도체 레이저 다이오드 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 레이저 다이오드는 비교적 소형이면서 레이저 발진을 위한 임계 전류(threshold current)가 다른 레이저 장치에 비해 작다는 점 등의 특징 때문에 통신 분야나 광 디스크가 사용되는 플레이어에서 고속 데이터 전송이나 고속 데이터 기록 및 판독을 위한 소자로 널리 사용되고 있다.
도 1에는 종래 반도체 레이저 다이오드 패키지의 단면이 도시되어 있다.
도 1을 참조하면, 스템(stem,10)의 일면에는 히트싱크(heat sink,12)가 돌출되어 형성되며, 상기 히트싱크(12) 위에는 레이저 빔을 발생시키는 반도체 레이저 다이오드(15)가 부착된다. 그리고, 상기 스템(10)의 타면에는 반도체 레이저 다이오드(15)와 전기적으로 접속되는 복수개의 접속핀(11)이 마련된다. 또한, 상기 스템(10)의 일면에는 상기 히트싱크(12) 및 반도체 레이저 다이오드(15)를 덮도록 캡(cap,20)이 마련되며, 이 캡(20)의 중앙부에는 반도체 레이저 다이오드(15)로부터 발생된 레이저 빔이 출사되는 윈도우(22)가 형성된다.
한편, 고속 광디스크용 광원으로 개발되고 있는 반도체 레이저 다이오드는 고출력이 필요함에 따라 열적 성질을 좋게 하기 위해서 그 모양이 좁고 긴 공진기 길이(예를 들면, 1.5㎜ 이상)를 가져야 한다.
그러나, 이와 같이 긴 공진기 길이를 가지는 반도체 레이저 다이오드를 도 1에 도시된 종래 반도체 레이저 다이오드 패키지(참고적으로, 현재 광디스크용 광원 으로 표준화된 TO-18 can type 패키지의 경우 스템의 길이는 대략 1.41㎜이다)에 적용하여 기존의 광학계와 호환되도록 하는 데에는 구조적으로 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 긴 공진기 길이를 가지는 고출력 반도체 레이저 다이오드에 대응할 수 있는 반도체 레이저 다이오드 패키지를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여,
본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드 패키지는,
소정의 두께를 가지고, 그 중심부에는 관통공이 형성된 스템과;
상기 관통공 주위에 상기 스템의 일면으로부터 돌출되어 마련되는 히트싱크와;
상기 히트싱크 상에 부착되는 반도체 레이저 다이오드와;
상기 반도체 레이저 다이오드의 후방에 마련되는 것으로, 상기 관통공의 내부에 상기 스템의 두께보다 얇은 두께로 채워지는 충진부재를; 구비한다.
여기서, 상기 반도체 레이저 다이오드는 그 일부가 상기 관통공의 내부에 들어가도록 위치하며, 이때, 상기 반도체 레이저 다이오드는 공진기 길이가 1.5mm 이상인 것이 바람직하다.
상기 충진부재는 절연 물질 또는 비금속 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
이때, 상기 충진부재를 이루는 물질은 검은색으로 이루어질 수 있으며, 상기 충진부재는 상기 반도체 레이저 다이오드에 인접하는 면이 경사지도록 형성될 수 있다.
상기 충전부재의 뒷면에는 상기 반도체 레이저 다이오드의 후방으로 출사되어 상기 충진부재를 통과한 광을 수광하는 포토 다이오드가 더 구비될 수 있다.
상기 반도체 레이저 다이오드와 상기 히트싱크 사이에는 상기 반도체 레이저 다이오드로부터 발생된 열을 상기 히트싱크로 전달하는 서브마운트가 마련되는 것이 바람직하다.
상기 스템의 일면에는 상기 히트싱크 및 반도체 레이저 다이오드를 덮도록 캡이 마련되며, 상기 캡의 중심부에는 상기 반도체 레이저 다이오드의 전방으로 출사되는 광을 투과시키는 윈도우가 형성된다.
그리고, 상기 스템의 타면에는 상기 반도체 레이저 다이오드와 전기적으로 연결되는 복수개의 접속핀이 마련된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드 패키지의 분해 사시도이며, 도 3은 도 2에 도시된 반도체 레이저 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드 패키지는 관통공(110a)이 형성된 스템(stem,110)과, 상기 스템(110)의 일면으로부터 돌출되게 형성된 히트싱크(heat sink,112)와, 상기 히트싱크(112) 상에 부착되 는 반도체 레이저 다이오드(115)와, 상기 관통공(110a)의 내부에 채워지는 충진부재(130)를 구비한다.
상기 스템(110)는 소정의 두께를 가지고, 그 중심부에는 소정 형상, 예를 들면 단면이 사각형인 형상을 가지는 관통공(110a)이 형성되어 있다. 그리고, 이 관통공(110a)의 하부에는 히트싱크(112)가 스템(110)의 일면으로부터 돌출되게 형성된다. 이 히트싱크(112) 위에는 레이저 빔을 발생시키는 반도체 레이저 다이오드(115)가 부착된다. 여기서, 상기 반도체 레이저 다이오드(115)는 그 후단부가 관통공(110a)의 내부로 들어가도록 위치하게 된다.
그리고, 상기 반도체 레이저 다이오드(115)의 후방에는 스템(110)의 두께보다 얇은 두께를 가진 충진부재(130)가 상기 관통공(110a)을 채우게 된다. 상기 충진부재(130)는 절연 물질 또는 비금속 물질로 이루어진다. 그리고, 상기 충진부재(130)를 이루는 물질은 검은색으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이는 상기 충진부재(130)가 반도체 레이저 다이오드(115)의 후방으로 출사되는 광을 효과적으로 흡수하여 광 피드백(optical feedback)에 의한 광 성능 저하의 발생 요인인 스템의 광 반사를 방지하기 위한 것이다. 한편, 상기 충진부재(130)의 뒷면에는 반도체 레이저 다이오드(115)의 후방으로 출사되어 충진부재(130)를 통과한 광을 수광하는 포토 다이오드(미도시)가 더 마련될 수 있다.
상기와 같이, 스템(110)에 관통공(110a)을 형성하고 이 관통공(110a)의 내부에 스템(110a)의 두께보다 얇은 두께의 충진부재(130)를 채우게 되면, 히트싱크(112) 상에는 종래보다 긴 공진기 길이(cavity length)를 가진 반도체 레 이저 다이오드(115)를 배치시킬 수 있게 된다. 본 실시예에서는 고출력 적색 레이저를 발진시킬 수 있는 대략 1.5mm 이상의 공진기 길이(cavity length)를 가진 반도체 레이저 다이오드(115)가 사용되는 것 바람직하다.
한편, 반도체 레이저 다이오드(115)와 히트싱크(112) 사이에는 서브마운트(submount,116)가 형성된다. 이러한 서브마운트(116)는 반도체 레이저 다이오드(115)로부터 발생되는 열을 히트싱크(112)로 전달하고, 반도체 레이저 다이오드(115)와 히트싱크(112)의 부착을 용이하게 하기 위한 것이다.
그리고, 상기 스템(110)의 일면에는 상기 히트싱크(112) 및 반도체 레이저 다이오드(115)를 덮도록 캡(cap,120)이 마련된다. 그리고, 이 캡(120)의 중심부에는 상기 반도체 레이저 다이오드(115)의 전방으로 출사되는 광이 투과할 수 있도록 윈도우(window,122)가 부착된다. 한편, 캡(120)이 마련된 스템(110)의 뒤쪽에는 반도체 레이저 다이오드(115)와 전기적으로 연결되는 복수개의 접속핀(111)이 마련된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드 패키지의 단면을 도시한 것이다. 이하에서는, 전술한 실시예와 다른 점에 대해서만 설명하기로 한다.
도 4를 참조하면, 스템(110)에 형성된 관통공(110a)의 내부에는 스템(110)의 두께보다 얇은 두께를 가지는 충진부재(230)가 채워진다. 이때, 상기 충진부재(230)는 반도체 레이저 다이오드(115)에 인접한 면이 경사지도록 형성된다. 이는 상기 충진부재(230)가 반도체 레이저 다이오드(115)의 후방으로 출사되는 광을 경사면에서 소정 각도로 반사시켜 광 피드백에 의한 광 성능 저하의 발생 요인인 스템(110)의 광 반사를 방지하기 위한 것이다.
이상에서 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드 패키지에 의하면, 스템에 관통공을 형성하고 이 관통공의 내부에 스템의 두께보다 얇은 두께의 충진부재를 채움으로써 기존의 광학계와 호환이 가능하면서 종래보다 긴 공진기 길이를 가진 고출력 반도체 레이저 다이오드를 채용할 수 있게 된다.

Claims (11)

  1. 소정의 두께를 가지고, 그 중심부에는 관통공이 형성된 스템과;
    상기 관통공 주위에 상기 스템의 일면으로부터 돌출되어 마련되는 히트싱크와;
    상기 히트싱크 상에 부착되는 반도체 레이저 다이오드와;
    상기 반도체 레이저 다이오드의 후방에 마련되는 것으로, 상기 관통공의 내부에 상기 스템의 두께보다 얇은 두께로 채워지는 충진부재를; 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 레이저 다이오드는 그 일부가 상기 관통공의 내부에 들어가도록 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 패키지.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반도체 레이저 다이오드는 공진기 길이가 1.5mm 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 충진부재는 절연 물질 또는 비금속 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 패키지.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 충진부재를 이루는 물질은 검은색으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 패키지.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 충진부재는 상기 반도체 레이저 다이오드에 인접하는 면이 경사지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 패키지.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 충전부재의 뒷면에는
    상기 반도체 레이저 다이오드의 후방으로 출사되어 상기 충진부재를 통과한 광을 수광하는 포토 다이오드를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 패키지.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 레이저 다이오드와 상기 히트싱크 사이에는 상기 반도체 레이저 다이오드로부터 발생된 열을 상기 히트싱크로 전달하는 서브마운트가 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 패키지.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 스템의 일면에는 상기 히트싱크 및 반도체 레이저 다이오드를 덮도록 캡이 마련되는 것을 특징으로 반도체 레이저 다이오드 패키지.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 캡의 중심부에는 상기 반도체 레이저 다이오드의 전방으로 출사되는 광을 투과시키는 윈도우가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 패키지.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 스템의 타면에는 상기 반도체 레이저 다이오드와 전기적으로 연결되는 복수개의 접속핀이 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 패키지.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7508854B2 (en) * 2003-11-14 2009-03-24 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device
US8391326B1 (en) 2008-03-18 2013-03-05 Mitsubishi Electric Corporation Laser light source module
JP2011258704A (ja) * 2010-06-08 2011-12-22 Fujitsu Optical Components Ltd 光デバイス
JP5472632B2 (ja) * 2010-09-13 2014-04-16 新光電気工業株式会社 半導体パッケージ用ステムおよび半導体パッケージ用ステムの製造方法
US8946877B2 (en) 2010-09-29 2015-02-03 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor package including cap
KR101504257B1 (ko) * 2012-07-11 2015-03-30 (주)엘이디팩 미세온도 조절형 쿨드 레이저 다이오드 어셈블리
KR101362122B1 (ko) * 2012-08-02 2014-02-18 주식회사 오이솔루션 초고속 광 송수신 모듈
DE102013217796A1 (de) * 2013-09-05 2015-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Vorrichtung
KR101880070B1 (ko) * 2013-10-18 2018-07-20 지멘스 악티엔게젤샤프트 광 도파관을 통한 동시의 데이터 및 전력 전송을 위한 장치
JP2016029718A (ja) * 2014-07-15 2016-03-03 ローム株式会社 半導体レーザ装置
FR3044391B1 (fr) 2015-11-27 2018-01-05 Valeo Vision Dispositif lumineux pour module d'eclairage de projecteur de vehicule automobile, module d'eclairage et projecteurs associes
DE102018207293A1 (de) * 2018-05-09 2019-11-14 Ibeo Automotive Systems GmbH LIDAR Messsystem und Verfahren zur Montage eines LIDAR Messsystems
JP7398877B2 (ja) * 2019-04-18 2023-12-15 新光電気工業株式会社 半導体装置用ステム及び半導体装置
JP2021015849A (ja) * 2019-07-10 2021-02-12 住友電気工業株式会社 光モジュール、ステム部品

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0428282A (ja) * 1990-05-23 1992-01-30 Rohm Co Ltd 半導体レーザ装置
JPH09148680A (ja) * 1995-11-29 1997-06-06 Sharp Corp 半導体レーザ装置
JP2003332668A (ja) 2002-05-15 2003-11-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60190058U (ja) * 1984-05-29 1985-12-16 株式会社東芝 半導体レ−ザ装置
JPH11103120A (ja) * 1997-09-25 1999-04-13 Rohm Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2000058962A (ja) * 1998-08-12 2000-02-25 Sony Corp 半導体レーザ装置
JP4262937B2 (ja) * 2001-07-26 2009-05-13 シャープ株式会社 半導体レーザ装置
JP2003304022A (ja) * 2002-04-12 2003-10-24 Sharp Corp 半導体レーザ装置
TW529766U (en) * 2002-04-18 2003-04-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Package of tails and a base of a laser
JP4645008B2 (ja) * 2002-06-10 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置
JP4586337B2 (ja) * 2002-08-26 2010-11-24 住友電気工業株式会社 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ装置
JP4064218B2 (ja) * 2002-11-28 2008-03-19 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
JP2004356359A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Sharp Corp 半導体レーザ装置およびその製造方法
KR100526504B1 (ko) * 2003-06-04 2005-11-08 삼성전자주식회사 광소자 모듈 패키지 및 그 제조 방법
JP2005167189A (ja) * 2003-11-13 2005-06-23 Hitachi Cable Ltd 光−電気変換モジュール及びそれを用いた光トランシーバ
US7508854B2 (en) * 2003-11-14 2009-03-24 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device
TWM253992U (en) * 2003-11-14 2004-12-21 Arima Optoelectronics Corp Laser diode unit
JP2005303242A (ja) * 2004-03-19 2005-10-27 Hitachi Cable Ltd 冷却機能付き電気−光変換モジュール

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0428282A (ja) * 1990-05-23 1992-01-30 Rohm Co Ltd 半導体レーザ装置
JPH09148680A (ja) * 1995-11-29 1997-06-06 Sharp Corp 半導体レーザ装置
JP2003332668A (ja) 2002-05-15 2003-11-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置

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