KR20080065828A - 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비 - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래의 건식식각공정에 사용되는 플라즈마 처리설비를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 갭 발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따르는 갭발생방지구조를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 표시부호 A에 대한 확대단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 갭발생방지구조의 다른 실시예를 보여주는 단도면이다.
도 6은 본 발명에 따르는 갭발생방지구조의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 갭발생방지구조의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 6에 도시된 갭발생방지구조의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **
100 : 챔버
200 : 정전척
300 : 포커스링
400 : 갭방지부
410 : 제 1연장부
420 : 제 2연장부
430 : 제 3연장부
500 : 홀더링
본 발명은 플라즈마 처리설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 척과 링과의 사이 공간에 폴리머증착을 방지할 수 있는 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비를 제공함에 있다.
일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼 상에 포토리소그래피, 식각, 애싱, 확산, 화학기상증착, 이온주입 및 금속증착 등의 공정이 선택적으로 반복 수행됨으로써 제조된다.
상기와 같은 반도체소자를 제조하기 위한 공정들 중에서 식각공정은 습식식각공정과 건식식각공정으로 구분될 수 있다.
여기서, 상기 건식식각공정은 챔버의 내부에 반응성 가스를 공급 상기 챔버 의 내부에 플라즈마 상태를 형성하고, 반응성 이온의 화학적 물리적 반응을 이용하여 웨이퍼에 형성된 막질을 식각하는 공정이다.
도 1은 종래의 건식식각공정에 사용되는 플라즈마 처리설비를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 플라즈마 식각설비는 챔버와, 상기 챔버의 내부에 설치되며, 막질이 상부에 형성된 웨이퍼가 안착되며, 하부전극을 갖는 정전척과, 상기 정전척의 상부에 위치되도록 상기 챔버에 설치되는 상부전극과, 상기 챔버의 내부에 반응성 가스를 공급하는 가스공급부를 갖는다.
따라서, 상기 챔버는 그 내부에 상기 가스공급부로부터 반응성 가스가 공급되고, 상기 상부 및 하부전극에 외부의 전원으로부터 RF전원이 가해지면, 그 내부에는 플라즈마 분위기가 형성된다.
특히, 종래의 플라즈마 처리설비의 정전척의 외측부에는 포커스링이 구비된다. 상기 포커스링은 Si 재질로 이루어지고, 상기 정전척의 외측부를 에워싼다. 따라서, 상기 포커스링은 상기 정전척에 안착된 웨이퍼 상에 플라즈마의 발생 영역이 균일하게 형성되도록 한다.
한편, 상기 포커스링의 주변에는 다수개의 링들이 더 설치된다. 이를 좀 더 상세하게 설명하도록 한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 정전척(20)은 그 외측둘레에 단차부를 갖는다. 상기 포커스링(30)은 상기 단차부에 설치된다. 상기 포커스링(30)의 외측부에는 다수개의 링들이 배치된다. 상기 다수개의 링들은 상기 정전척(20)의 외측둘레에 배치 되되, 상기 포커스링(30)의 저면부에 배치되는 홀더링(50)과, 상기 홀더링(50)의 외측부에 배치되는 아우터 링과, 상기 아우터 링의 상부에 배치되되, 상기 포커스링의 외측부를 감싸는 커버링으로 구성된다.
여기서, 상기 홀더링(50)과 상기 포커스링(30)의 외주면의 사이와 링들의 사이 공간에는 화살표를 따르는 유로가 형성되는 갭이 형성된다. 상기 갭은 챔버의 내부에서의 공정 진행 이후의 가스가 배기되는 배기유로이다.
이에 더하여, 상기 플라즈마 처리설비 중에, TEL사의 Me_SCCM 설비는 상기 포커스링(30)의 열전도율을 향상시키도록 상기 정전척(20)과 상기 포커스링(30)의 사이에 개재되는 Si 재질의 러버(31)를 갖는다.
상기 러버(31)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 포커스링(30)의 저면과 정전척(20)의 단차부에 개재된다.
이와 같은 구성을 갖는 종래의 플라즈마 처리설비의 작용을 설명하도록 한다.
도 1을 참조하면, 도면에 도시되지는 않았지만, 외부전원은 상/하부전극으로 RF전원을 인가한다. 가스공급부는 반응성 가스를 챔버의 내부로 공급한다. 따라서, 상기 챔버의 내부에 공급된 반응성 가스는 챔버의 내부에서 플라즈마로 형성된다. 상기 플라즈마의 반응 이온들은 웨이퍼의 자기 바이어스 전위에 의하여 웨이퍼(W)로 당겨지고, 상기 당겨지는 반응 이온들은 상기 웨이퍼(W) 상에 형성된 막질을 식각한다.
이때, 상기 반응 이온들은 서로 접하고 있는 포커스링(30)의 내주면과 정전 척(20)의 외주면을 식각하여, 상기 포커스링(30)의 내주면과 상기 정전척(20)의 외주면의 사이에 틈(B)을 발생시킨다. 따라서, 종래에는 상기 틈(B)으로 유입되는 반응 이온들은 도 1에 도시된 화살표 방향을 따르는 유로를 따라 유입되어, 정전척(20)의 단차부에 설치된 러버(31)를 버닝시키는 문제점이 있다.
또한, 식각된 이후의 반응 이온들은 상기 화살표를 따르는 유로를 경유하여 챔버의 외부로 배기된다. 이때, 종래에는 고온이 형성된 상기 반응 이후의 반응 이온들은 상기와 같이 러버(31)를 버닝시키는 문제점이 있다.
이에 더하여, 종래에는 상기 반응 이온들에 의하여 웨이퍼(W)의 막질이 식각될 때에 발생되는 폴리머(P) 또는 부산물이 상기 틈(B)에 쌓이거나, 상기 화살표를 따르는 유로의 내부로 유입되어 쌓이는 문제점도 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있도록 안출된 것으로서, 본 발명의 제 1목적은 정전척과 포커스링과의 사이에 개재되는 실링부재의 버닝을 방지할 수 있는 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비를 제공함에 있다.
본 발명의 제 2목적은 정전척과 포커스링과의 사이에 형성되는 공간에 식각후의 폴리머 또는 부산물이 쌓이는 것을 방지할 수 있는 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비를 제공함에 있다.
본 발명은 전술한 목적을 달성하기 위하여 갭발생방지구조를 제공한다.
상기 갭 발생방지구조는 척과, 상기 척의 외측부에 배치되는 링과, 상기 척과 상기 링과의 사이 공간을 외부로부터 격리시키는 갭방지부를 포함한다.
여기서, 상기 척은 그 외측둘레에 제 1단차면과 제 2단차면으로 이루어진 단차부가 형성되고, 상기 링은 상기 단차부에 배치되고, 상기 척과 상기 링과의 사이 공간은 상기 링의 내주면과 상기 제 1단차면과의 사이에 형성되는 제 1공간과, 상기 링의 저면과 상기 제 2단차면과의 사이에 형성되는 제 2공간을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 갭방지부는 상기 척의 제 1외면과 밀착되도록 상기 링으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 1공간을 외부로부터 밀폐하는 제 1연장부와, 상기 척의 제 2외면과 밀착되도록 상기 링으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 2연장부를 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 척의 제 1외면은 상기 제 1연장부가 끼워져 결합되는 제 1결합홈이고, 상기 척의 제 2외면은 상기 제 2연장부가 끼워져 결합되는 제 2결합홈일 수도 있다.
한편, 상기 갭방지부는 상기 링의 제 1외면과 밀착되도록 상기 척으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 1공간을 외부로부터 밀폐하는 제 1'연장부와, 상기 링의 제 2외면과 밀착되도록 상기 척으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 2'연장부를 가질 수도 있다.
여기서, 상기 링의 제 1외면은 상기 제 1'연장부가 끼워져 결합되는 제 1'결합홈이고, 상기 링의 제 2 면은 상기 제 2연장부가 끼워져 결합되는 제 2'결합홈일 수도 있다.
또 한편, 상기 척과 상기 링과의 사이 공간에는 실링부재가 개재되는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 실링부재는 상기 링의 내주면과 상기 링의 저면 각각에 형성되는 제 1홈에 끼워져 배치되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 실링부재는 상기 척의 제 1단차면과 상기 척의 제 2단차면 각각에 형성되는 제 2홈에 끼워져 배치될 수도 있다.
본 발명은 전술한 목적을 달성하기 위하여 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비를 제공한다.
상기 플라즈마 처리설비는 그 내부에 플라즈마 분위기가 형성되는 챔버와, 상기 챔버의 상단에 설치되는 상부전극과, 상기 챔버의 하단에 설치되며 하부전극을 갖고 그 상면에 웨이퍼가 안착되는 정전척과, 상기 정전척의 외측부에 배치되는 링과, 상기 척과 상기 링과의 사이 공간을 외부로부터 격리시키는 갭방지부를 포함한다.
여기서, 상기 정전척은 그 외측둘레에 제 1단차면과 제 2단차면으로 이루어진 단차부를 갖고, 상기 링은 상기 단차부에 배치되고, 상기 정전척과 상기 링과의 사이 공간은 상기 링의 내주면과 상기 제 1단차면과의 사이에 형성되는 제 1공간과, 상기 링의 저면과 상기 제 2단차면과의 사이에 형성되는 제 2공간을 갖는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 링은 그 외측부가 상기 정전척의 외경보다 큰 외경을 갖으며 상기 단차부에 배치되는 포커스링인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 정전척의 외측부에는 상기 포커스링의 저부에 위치되는 홀더링을 더 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 갭방지부는 상기 정전척의 제 1외면과 밀착되도록 상기 링으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 1공간을 외부로부터 밀폐하는 제 1연장부와, 상기 정전척의 제 2외면과 밀착되도록 상기 링으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 2연장부를 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 갭방지부는 상기 홀더링의 상면과 상기 정전척의 제 3면과 밀착되도록 상기 포커스링의 저부로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 3연장부를 갖을 수도 있다.
이에 더하여, 상기 정전척의 제 1외면은 상기 제 1연장부가 끼워져 결합되는 제 1결합홈이고, 상기 정전척의 제 2외면은 상기 제 2연장부가 끼워져 결합되는 제 2결합홈일 수 있다.
한편, 상기 갭방지부는 상기 링의 제 1외면과 밀착되도록 상기 정전척으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 1공간을 외부로부터 밀폐하는 제 1'연장부와, 상기 링의 제 2외면과 밀착되도록 상기 정전척으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 2'연장부를 갖을 수도 있다.
여기서, 상기 갭방지부는 상기 포커스링의 저면과 상기 정전척의 제 3면과 밀착되도록 상기 홀더링의 상단으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부 로부터 밀폐하는 제 3'연장부를 가질 수도 있다.
또한, 상기 링의 제 1외면은 상기 제 1'연장부가 끼워져 결합되는 제 1'결합홈이고, 상기 링의 제 2외면은 상기 제 2연장부가 끼워져 결합되는 제 2'결합홈일 수 있다.
그리고, 상기 정전척과 상기 링과의 사이 공간에는 실링부재가 개재되는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 실링부재는 상기 링의 내주면과 상기 링의 저면 각각에 형성되는 제 1홈에 끼워져 배치될 수 있다.
또한, 상기 실링부재는 상기 척의 제 1단차면과 상기 척의 제 2단차면 각각에 형성되는 제 2홈에 끼워져 배치될 수도 있다.
이하, 첨부되는 도면들을 참조로 하여, 본 발명의 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비를 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 갭 발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 갭 발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비는 그 내부에 플라즈마 분위기가 형성되는 챔버(100)를 구비한다. 상기 챔버(100)는 그 내부에 상부전극(110)과 정전척(200)을 구비한다. 상기 상부전극(110)은 상기 챔버(100)의 내부 상단에 설치된다. 상기 정전척(200)은 그 내부에 하부전극(120)과 외부로부터 전원을 인가받아 일정 온도로 가열되는 히터(130)를 구비한다. 막질 이 형성된 웨이퍼(W)는 상기 정전척(200)의 상면에 안착된다.
그리고, 도 3을 참조하면, 상기 정전척(200)은 그 외측부에 배치되는 포커스링(300)을 구비한다. 상기 포커스링(300)은 상기 정전척(200)의 외측둘레에 형성된 단차부(210)에 배치된다.
도 4를 참조하면, 상기 정전척(200)의 단차부(210)는 상기 포커스링(300)의 내주면(301)을 마주보는 제 1단차면(211)과, 상기 제 1단차면(211)과 수직을 이루고 상기 포커스링(300)의 저면(302)을 마주보는 제 2단차면(212)을 갖는다. 상기 제 1단차면(211)과 상기 제 2단차면(212)은 서로 수직을 이룬다.
따라서, 상기 포커스링(300)의 내주면(301)은 상기 제 1단차면(211)과 마주보도록 위치되고, 그 저면(302)은 상기 제 2단차면(212)과 마주보도록 위치된다. 이때, 상기 포커스링(300)의 내주면(301)과 상기 정전척(200)의 제 1단차면(211)의 사이에는 제 1공간(S1)이 형성된다. 상기 포커스링(300)의 저면(302)과 상기 정전척(200)의 제 2단차면(212)의 사이에는 제 2공간(S2)이 형성된다.
여기서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 포커스링(300)의 최외곽의 외경은 상기 정전척(200)의 최외곽의 외경보다 큰 외경을 갖는다. 따라서, 상기 포커스링(300)의 외측부는 상기 정전척(200)의 외측둘레로부터 돌출된다.
다음, 본 발명에 따르는 갭방지부(400)를 설명하도록 한다.
도 3을 참조로 하면, 상기 갭방지부(400)는 상기 정전척(200)의 제 1단차면(211)과 밀착되도록 상기 포커스링(300)의 내주면(301)으로부터 일정 길이 돌출된 제 1연장부(410)와, 상기 정전척(200)의 제 2단차면(212)과 밀착되도록 상기 포 커스링(300)의 저면(302)으로부터 일정 길이로 돌출된 제 2연장부(420)를 갖는다. 따라서, 상기 제 1연장부(410)와 상기 제 2연장부(420)는 제 1공간(S1)과 제 2공간(S2)을 외부로부터 밀폐시킬 수 있다.
또한, 도 4를 참조하면, 상기 정전척(200)은 상기 제 1연장부(410)가 끼워지는 제 1결합홈(211a)과 상기 제 2연장부(420)가 끼워지는 제 2결합홈(212a)을 가질 수 있다. 상기 제 1결합홈(211a)은 상기 정전척(200)의 제 1단차면(211)의 상단에 형성되고, 상기 제 2결합홈(212a)은 상기 정전척(200)의 제 2단차면(212)에 형성된다.
한편, 도 6을 참조로 하면, 본 발명에 따르는 갭방지부(400)는 상기 포커스링(300)의 내주면(301)에 밀착되도록 상기 정전척(200)의 제 1단차면(211)으로부터 일정 길이 돌출된 제 1'연장부(410')와, 상기 포커스링(300)의 저면(302)에 밀착되도록 상기 정전척(200)의 제 2단차면(212)으로부터 일정 길이로 돌출된 제 2'연장부(420')를 가질 수도 있다. 따라서, 상기 제 1'연장부(410')와 상기 제 2'연장부(420')는 제 1공간(S1)과 제 2공간(S2)을 외부로부터 밀폐시킬 수 있는 구조이다.
도 7을 참조하면, 상기 포커스링(300)은 상기 제 1'연장부(410')가 끼워지는 제 1'결합홈(311a)과 상기 제 2'연장부(420')가 끼워지는 제 2'결합홈(312a)을 가질 수도 있다. 상기 제 1'결합홈(311a)은 상기 포커스링(300)의 내주면(301)의 상단에 형성되고, 상기 제 2'결합홈(312a)은 상기 포커스링(300)의 저면(302)에 형성될 수 있다.
또 한편, 도 4 및 도 7에 도시된 바와 같이, 포커스링(300)과 정전척(200)의 사이 공간, 즉 제 1공간(S1)과 제 2공간(S2)에는 제 1,2실링부재(351,352)가 각각 개재될 수 있다. 또한, 상기 실링부재는 도 5 및 도 8에 도시된 바와 같이 오링 타잎의 제 1',2'실링부재(351',352')일 수도 있다. 상기 실링부재들(351,352,351',352')은 러버로 이루어질 수도 있고 금속으로 이루어질 수도 있다.
먼저, 도 5를 참조하면, 포커스링(300)은 상기 실링부재들(351,352)이 각각 끼워지는 홈을 갖는다. 상기 홈은 제 1홈(301a)과 제 2홈(302a)을 갖는다. 상기 제 1홈(301a)은 상기 포커스링(300)의 내주면(301)에 형성되고, 상기 제 2홈(302a)은 상기 포커스링(300)의 저면(302)에 형성될 수 있다.
또한, 도 8을 참조하면, 정전척(200)은 상기 실링부재들(351',352')이 각각 끼워지는 홈을 갖는다. 상기 홈은 제 1'홈(201a)과 제 2'홈(202a)을 갖는다. 상기 제 1'홈(201a)은 상기 정전척(200)의 제 1단차면(211)에 형성되고, 상기 제 2'홈(202a)은 상기 정전척(200)의 제 2단차면(212)에 형성될 수 있다.
또 한편, 도 2에 도시된 포커스링(300)의 저부에는 홀더링(500)이 더 배치된다. 상기 홀더링(500)의 내주면은 상기 정전척(200)의 외주면과 밀착될 수 있다.
그리고, 상기 포커스링(300)은 그 저면(302)으로부터 일정길이 연장되어 상기 홀더링(500)의 상면에 밀착되는 제 3연장부(430)를 구비할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르는 갭방지부(400)는 상기 제 3연장부(430)를 더 구비할 수 있다. 그리고, 제 2공간(S2)은 상기 제 3연장부(430)와 상기 홀더링(500)의 상면이 서로 밀착 되기 때문에 외부로부터 밀폐될 수 있다.
한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 홀더링(500)의 외측부에는 쿼츠로 이루어진 아우터 링(530)이 배치된다. 상기 아우터 링(530)의 내주면과 상기 홀더링(500)의 외주면의 사이에는 일정 간격의 제 1갭(G1)이 형성될 수 있다.
그리고, 상기 아우터 링(530)의 상단에는 상기 포커스링(300)의 외측부를 감싸는 이너 커버링(510)이 배치된다. 상기 아우터 링(530)의 내주면과 상기 포커스링(300)의 외주면의 사이에는 일정 간격의 제 2갭(G2)이 형성된다.
상기 제 1갭(G1)과 상기 제 2갭(G2)은 서로 연결되는 유로일 수 있다. 상기 유로는 상기 포커스링(300)의 외부 즉, 챔버(100)의 내부공간에 노출될 수 있다. 상기 유로는 상기 챔버(100)의 내부공간에 잔존될 수 있는 반응이후의 이온들이 챔버(100)의 외부로 배기되는 배기유로일 수 있다.
이에 더하여, 상기 아우터 링(530)의 상단부에는 상기 이너 커버링(510)의 외측부를 감싸는 아우터 커버링(520)이 배치된다. 여기서, 상기 이너 커버링(510)의 외주면과 상기 아우터 링(530)의 상단면은 상기 아우터 커버링(520)의 내면과 서로 밀착될 수 있다.
다음은, 상기와 같은 구성을 갖는 본 발명의 갭 발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비에 대한 작용 및 효과를 설명하도록 한다.
도 2를 참조하면, 도시되지 않은 가스공급부는 플라즈마 반응 가스를 일정량으로 챔버(100)의 내부로 공급한다. 이와 아울러, 외부의 전원공급부는 상부전 극(110)과 하부전극(120)으로 RF전원을 인가한다. 그리고, 정전척(200)의 내부에 내설된 히터(130)는 외부로부터 전원을 인가받아 일정 온도로 가열된다. 따라서, 상기 챔버(100)의 내부에는 플라즈마 분위기가 형성됨과 아울러 일정 온도로 가열된다.
이때, 상기 챔버(100)의 내부에 형성된 반응 이온들은 웨이퍼(W)상에 형성된 막질을 식각한다. 여기서, 포커스링(300)은 정전척(200)의 외측부에 배치되어, 상기 반응 이온들을 웨이퍼(W)의 상면으로 이동될 수 있도록 가이드할 수 있다.
또한, 상기와 같이 웨이퍼(W)의 막질이 식각된 이후에 상기 챔버(100)의 내부에는 폴리머 및 부산물이 생성된다. 이와 같은 폴리머 및 부산물은 아우터 커버링(520)의 외측부로 유동되어 챔버(100)의 외부로 배기될 수 있다.
여기서, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따르는 포커스링(300)은 그 내주면(301)과 저면(302)에 일정 길이로 돌출된 제 1,2연장부(410,420)를 구비하고, 상기 제 1,2연장부(410,420)는 상기 정전척(200)의 제 1단차면(211)과 제 2단차면(212)의 표면에 밀착된다, 따라서, 웨이퍼(W) 상으로 이동되는 반응이온들은 제 1,2공간(S1, S2)으로 유입되지 않을 수 있다.
좀 더 상세하게는, 포커스링(300)의 상단부와 정전척(200)의 상단부에 배치되는 제 1연장부(410)가 제 1공간(S1)을 외부로부터 밀폐한다. 따라서, 상기 반응 이온들이 제 1공간(S1)으로 유입되는 것을 방지할 뿐만 아니라, 포커스링(300)의 상단부가 반응 이온들에 의하여 일부 식각됨에 의하여 발생되는 폴리머가 제 1공간(S1)으로 유입되어 증착되는 것을 방지할 수도 있다.
또한, 상기 제 1공간(S1)에는 제 1실링부재(351)가 개재되기 때문에 상기 제 1공간(S1)으로 미량의 상기 반응 이온들과 폴리머가 유입된다 할 지라도, 상기 유입된 반응이온들과 폴리머가 제 2공간(S2)으로 유동되는 것을 방지 할 수 있다.
또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 1'실링부재(351')는 포커스링(300)의 내주면(301)에 형성된 제 1홈(301a)에 끼워져 고정되기 때문에, 상기 포커스링(300)의 내주면(301)과 정전척(200)의 제 1단차면(211)의 사이에서의 실링 포인트(sealing point)의 위치가변은 최소화 될 수 있다.
그리고, 포커스링(300)의 저면(302)에 형성된 제 2연장부(420)는 정전척의 제 2단차면(212)과 밀착되기 때문에, 제 2공간(S2)을 외부로부터 밀폐한다. 따라서, 상기 반응 이온들이 홀더링(500)과 제 3연장부(430)와의 접촉공간을 통하여 제 2공간(S2)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 제 1공간(S2)에는 제 2실링부재(352)가 개재되기 때문에 상기 제 2공간(S2)으로 미량의 상기 반응 이온들과 폴리머가 유입된다 할 지라도, 상기 유입된 반응이온들과 폴리머가 제 1공간(S1)으로 유동되는 것을 방지 할 수 있다.
또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 2'실링부재(352')는 포커스링(300)의 저면(302)에 형성된 제 2홈(302a)에 끼워져 고정되기 때문에, 상기 포커스링(300)의 저면(301)과 정전척(200)의 제 2단차면(212)의 사이에서의 실링 포인트(sealing point)의 위치가변은 최소화 될 수 있다.
이에 더하여, 도 2에 도시된 바와 같이, 포커스링(300)의 저면(301)에 형성된 제 3연장부(430)는 홀더링(500)의 상단부와 밀착된다. 또한, 상기 제 3연장 부(430)의 내측과 상기 홀더링(500)의 상단에는 러버 또는 금속재질로 이루어진 제 3실링부재(453)가 더 개재된다.
따라서, 챔버(100)의 내부에서 생성되고, 배기유로를 통하여 배기되는 폴리머 및 부산물은 상기 제 3연장부(430)와 상기 제 3실링부재(453)로 인하여 포커스링(300)의 저면(302)과 홀더링(500)의 상단의 사이가 밀폐되기 때문에 제 2공간(S2)으로 유입되지 않을 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르는 갭방지부(400)는 3곳의 실링 포인트를 갖는다. 즉, 제 1실링 포인트는 제 1공간(S1)에 위치되는 제 1실링부재(351)의 설치위치이며, 제 2실링 포인트는 제 2공간(S2)에 위치되는 제 2실링부재(352)의 설치위치이며, 제 3실링 포인트는 포커스링(300)의 제 3연장부(430)와 홀더링(500)의 상단의 사이에 개재되는 제 3실링부재(353)의 설치위치이다.
이상, 상기에서는 포커스링(300)에 형성된 제 1,2,3연장부(410,420,430)가 정전척(200)의 제 1단차면(211)과 제 2단차면(212)과, 홀더링(500)의 상단면과 각각 밀착되어, 제 1,2공간(S1,S2)이 외부로부터 밀폐되는 작용과, 3곳의 실링 포인트 즉, 제 1실링부재(351)와 제 2실링부재(352)와 제 3실링부재(353)가 마련되는 위치에서의 실링포인트 위치가변이 최소화되는 작용에 대하여 설명하였다.
그러나, 본 발명에 따르는 갭 방지부(400)의 제 1,2연장부(410,420)는 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이 포커스링(300)에 형성될 수도 있지만, 정전척(200)에 형성될 수도 있다. 이에 대한 구체적인 실시예를 도 6 내지 도 8을 참조로 하여 설명하도록 한다.
도 6을 참조로 하면, 정전척(200)의 제 1단차면(211)으로부터 일정 길이로 돌출된 제 1'연장부(410')는 단차부(210)에 배치된 포커스링(300)의 내주면(301)에 밀착될 수 있다. 따라서, 상기 포커스링(300)의 외부에서 형성된 반응 이온 및 폴리머는 제 1공간(S1)으로 용이하게 유입되지 않는다.
또한, 상기 정전척(200)의 제 2단차면(212)으로부터 일정 길이로 돌출된 제 2'연장부(420')는 단차부(210)에 배치된 포커스링(300)의 저면(302)에 밀착될 수 있다. 따라서, 배기유로를 통하여 배기되는 폴리머는 제 2공간(S2)으로 용이하게 유입되지 않을 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 정전척(200)에 형성된 제 1'연장부(410')는 포커스링(300)의 내주면에 형성된 제 1'결합홈(311a)에 끼워진다. 또한, 상기 정전척(200)의 제 2'연장부(420')는 포커스링(300)의 저면(302)에 형성된 제 2'결합홈(312a)에 끼워진다. 따라서, 제 1',2'결합홈(311a,312a)에 상기 제 1',2'연장부(410',420')가 끼워짐으로써, 제 1,2공간(S1,S2)은 외부로부터 용이하게 밀폐될 수 있다.
이에 더하여, 포커스링(300)은 정전척(200)의 외측부에 배치되어 정전척(200)의 상면을 기준으로 측방 또는 상하방으로 쉽게 유동되지 않을 수 있다.
도 7을 참조하면, 정전척(200)의 제 1단차면(211)과 포커스링(300)의 내주면(301)의 사이에는 제 1실링부재(351)가 개재된다. 또한, 도 8을 참조하면, 제 1'실링부재(351')는 정전척(200)의 제 1단차면(211)에 형성된 제 1'홈(201a)에 끼워진다. 따라서, 챔버(100)의 내부에 형성된 반응 이온들은 제 1'연장부(410')에 의 하여 제 1공간(S1)으로 유입됨이 방지되지만, 미량의 반응 이온들이 제 1공간(S1)으로 유입되는 경우에, 상기 유입된 반응 이온들은 상기 제 1,1'실링부재(351,351')에 의하여 제 2공간(S2)으로 유동됨이 방지될 수 있다. 그리고, 제 1'실링부재(351')가 상기 제 1'홈(201a)에 끼워지기 때문에 제 1'실링부재(351')의 위치는 용이하게 고정될 수 있다.
또한, 도 7을 참조하면, 상기 정전척(200)의 제 2단차면(212)과 포커스링(300)의 저면(302)의 사이에는 제 2실링부재(352)가 개재된다. 또한, 도 8에 도시된 바와 같이, 제 2'실링부재(352')는 정전척(200)의 제 2단차면(212)에 형성된 제 2'홈(202a)에 끼워진다. 따라서, 배기유로를 통하여 배기되는 폴리머는 제 2'연장부(420')에 의하여 제 2공간(S2)으로 유입됨이 방지되지만, 미량의 폴리머 제 2공간으로 유입되는 경우에, 상기 유입된 폴리머는 상기 제 2,2'실링부재(352,352')에 의하여 제 1공간(S1)으로 유동됨이 방지될 수 있다. 그리고, 제 2'실링부재(352')가 상기 제 2'홈(202a)에 끼워지기 때문에 제 2'실링부재(352')의 위치는 용이하게 고정될 수 있다.
또한, 배기유로를 통하여 배기되는 폴리머는 포커스링(300)의 저면(302)으로부터 일정 길이 연장되고 홀더링(500)의 상단과 밀착되는 제 3연장부(430)에 의하여 제 2공간(S2)으로 유입됨이 방지될 수도 있다. 이에 더하여, 상기 폴리머는 상기 제 3연장부(430)의 내측에 위치되고 홀더링(500)의 상단에 배치되는 제 3실링부재(353)에 의하여 제 2공간(S2)으로 유입됨이 더 용이하게 방지될 수도 있다.
한편, 도 3 및 도 6에 도시된 제 3연장부(430)는 도면에 도시되지는 않았지 만, 홀더링(500)의 상단부가 상방으로 일정길이로 연장되어 포커스링(300)의 저면(302)과 밀착되는 제 3'연장부일 수도 있다. 따라서, 상기 제 3'연장부가 상기 포커스링(300)의 저면(302)에 밀착되고, 제 3실링부재(353)가 제 3'연장부의 내측에 위치되도록 상기 홀더링(500)의 상단에 개재되기 때문에, 배기유로를 통하여 배기되는 폴리머는 제 2공간(S2)으로 유입되지 않을 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 정전척과 포커스링과의 사이에 개재되는 실링부재의 버닝을 방지할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 정전척과 포커스링과의 사이에 형성되는 공간에 다중의 실링 포인트를 형성함으로써, 챔버의 내부에서 형성되는 반응이온들과 폴리머등이 상기 공간에 침투되어 증착되는 것을 용이하게 방지할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 정전척 또는 포커스링에 형성되는 연장부들을 정전척 또는 포커스링에 형성되는 결합홈들에 끼워져 고정되도록 함으로써, 정전척에서의 포커스링의 틀어짐을 방지할 수 있는 효과도 있다.
Claims (19)
- 척;상기 척의 외측부에 배치되는 링; 및상기 척과 상기 링과의 사이 공간을 외부로부터 격리시키는 갭방지부를 포함하는 갭발생방지구조.
- 제 1항에 있어서,상기 척은 그 외측둘레에 제 1단차면과 제 2단차면으로 이루어진 단차부가 형성되고,상기 링은 상기 단차부에 배치되고,상기 척과 상기 링과의 사이 공간은 상기 링의 내주면과 상기 제 1단차면과의 사이에 형성되는 제 1공간과, 상기 링의 저면과 상기 제 2단차면과의 사이에 형성되는 제 2공간을 갖는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조.
- 제 2항에 있어서,상기 갭방지부는 상기 척의 제 1단차면과 밀착되도록 상기 링으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 1공간을 외부로부터 밀폐하는 제 1연장부와,상기 척의 제 2단차면과 밀착되도록 상기 링으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 2연장부를 갖는 것을 특징으로 하는 갭발생 방지부.
- 제 3항에 있어서,상기 척의 제 1단차면에는 상기 제 1연장부가 끼워져 결합되는 제 1결합홈이 형성되고,상기 척의 제 2단차면에는 상기 제 2연장부가 끼워져 결합되는 제 2결합홈이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조.
- 제 2항에 있어서,상기 갭방지부는 상기 링의 내주면과 밀착되도록 상기 척으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 1공간을 외부로부터 밀폐하는 제 1'연장부와,상기 링의 저면과 밀착되도록 상기 척으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 2'연장부를 갖는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조.
- 제 5항에 있어서,상기 링의 내주면에는 상기 제 1'연장부가 끼워져 결합되는 제 1'결합홈이 형성되고,상기 링의 저면에는 상기 제 2연장부가 끼워져 결합되는 제 2'결합홈이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조.
- 제 2항에 있어서,상기 척과 상기 링과의 사이 공간에는 실링부재가 개재되는 되는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조.
- 제 7항에 있어서,상기 실링부재는 상기 링의 내주면에 형성되는 제 1홈에 끼워지는 제 1실링부재와, 상기 링의 저면에 형성되는 제 2홈에 끼워지는 제 2실링부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조.
- 제 7항에 있어서,상기 실링부재는 상기 척의 제 1단차면에 형성되는 제 1'홈에 끼워지는 제 1실링부재와, 상기 척의 제 2단차면에 형성되는 제 2'홈에 끼워지는 제 2실링부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조.
- 그 내부에 플라즈마 분위기가 형성되는 챔버;상기 챔버의 상단에 설치되는 상부전극;상기 챔버의 하단에 설치되며 하부전극을 갖고 그 상면에 웨이퍼가 안착되는 정전척;상기 정전척의 외측부에 배치되는 링; 및상기 정전척과 상기 링과의 사이 공간을 외부로부터 격리시키는 갭방지부를 포함하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
- 제 10항에 있어서,상기 정전척은 그 외측둘레에 제 1단차면과 제 2단차면으로 이루어진 단차부가 형성되고,상기 링은 상기 단차부에 배치되고,상기 정전척과 상기 링과의 사이 공간은 상기 링의 내주면과 상기 제 1단차면과의 사이에 형성되는 제 1공간과, 상기 링의 저면과 상기 제 2단차면과의 사이에 형성되는 제 2공간을 갖는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
- 제 11항에 있어서,상기 링은 그 외경이 상기 정전척의 외경보다 크며, 상기 단차부에 배치되는 포커스링인 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
- 제 12항에 있어서,상기 정전척의 외측부에는 상기 포커스링의 저부에 위치되는 홀더링을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
- 제 11항에 있어서,상기 갭방지부는 상기 정전척의 제 1단차면과 밀착되도록 상기 링으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 1공간을 외부로부터 밀폐하는 제 1연장부와,상기 정전척의 제 2단차면과 밀착되도록 상기 링으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 2연장부를 갖는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
- 제 13항에 있어서,상기 갭방지부는 상기 홀더링의 상면에 밀착되도록 상기 포커스링의 저면으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐시키는 제 3연장부를 갖는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
- 제 14항에 있어서,상기 정전척의 제 1단차면은 상기 제 1연장부가 끼워져 결합되는 제 1결합홈이 형성되고,상기 정전척의 제 2단차면에는 상기 제 2연장부가 끼워져 결합되는 제 2결합홈이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
- 제 11항에 있어서,상기 갭방지부는 상기 링의 내주면과 밀착되도록 상기 정전척으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 1공간을 외부로부터 밀폐하는 제 1'연장부와,상기 링의 저면과 밀착되도록 상기 정전척으로부터 일정 길이 연장되어 상기 제 2공간을 외부로부터 밀폐하는 제 2'연장부를 갖는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
- 제 17항에 있어서,상기 링의 내주면에는 상기 제 1'연장부가 끼워져 결합되는 제 1'결합홈이 형성되고,상기 링의 저면에는 상기 제 2연장부가 끼워져 결합되는 제 2'결합홈이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
- 제 11항에 있어서,상기 정전척과 상기 링과의 사이 공간에는 실링부재가 개재되는 되는 것을 특징으로 하는 갭발생방지구조를 갖는 플라즈마 처리설비.
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR101146906B1 (ko) | 2004-07-06 | 2012-05-22 | 주성엔지니어링(주) | 정전척 |
US20090221150A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Applied Materials, Inc. | Etch rate and critical dimension uniformity by selection of focus ring material |
CN102124820B (zh) * | 2008-08-19 | 2014-09-10 | 朗姆研究公司 | 用于静电卡盘的边缘环 |
US8869741B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber |
US8707705B2 (en) * | 2009-09-03 | 2014-04-29 | General Electric Company | Impingement cooled transition piece aft frame |
US8270141B2 (en) * | 2009-11-20 | 2012-09-18 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with reduced arcing |
US20120318455A1 (en) * | 2011-06-14 | 2012-12-20 | Andreas Fischer | Passive compensation for temperature-dependent wafer gap changes in plasma processing systems |
CN103094166B (zh) * | 2011-10-31 | 2015-04-15 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 晶圆承载装置及具有它的半导体处理设备 |
KR20130086806A (ko) * | 2012-01-26 | 2013-08-05 | 삼성전자주식회사 | 박막 증착 장치 |
US10755902B2 (en) * | 2015-05-27 | 2020-08-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and focus ring |
JP6435247B2 (ja) * | 2015-09-03 | 2018-12-05 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック装置及び静電チャック装置の製造方法 |
CN106548959B (zh) * | 2015-09-23 | 2020-01-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室以及半导体加工设备 |
CN116110846A (zh) * | 2016-01-26 | 2023-05-12 | 应用材料公司 | 晶片边缘环升降解决方案 |
DE102016206193A1 (de) * | 2016-04-13 | 2017-10-19 | Trumpf Gmbh + Co. Kg | Elektroadhäsionsgreifer mit fraktalen Elektroden |
US9966292B2 (en) * | 2016-07-12 | 2018-05-08 | Globalfoundries Inc. | Centering fixture for electrostatic chuck system |
US10504765B2 (en) | 2017-04-24 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck assembly having a dielectric filler |
JP6839624B2 (ja) * | 2017-07-19 | 2021-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の処理装置、及び、処理装置の検査方法 |
KR102387008B1 (ko) * | 2017-11-06 | 2022-04-18 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 정전 척 어셈블리, 정전 척 및 포커스 링 |
TWI780093B (zh) * | 2017-12-15 | 2022-10-11 | 美商蘭姆研究公司 | 用於電漿腔室的環結構及系統 |
JP7055040B2 (ja) * | 2018-03-07 | 2022-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置及び処理装置 |
WO2020161919A1 (ja) * | 2019-02-08 | 2020-08-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP7340938B2 (ja) * | 2019-02-25 | 2023-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び基板処理装置 |
JP7333712B2 (ja) * | 2019-06-05 | 2023-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック、支持台及びプラズマ処理装置 |
JP2021068782A (ja) * | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台アセンブリ、基板処理装置、及びシール部材 |
JP7308767B2 (ja) * | 2020-01-08 | 2023-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台およびプラズマ処理装置 |
JP7446176B2 (ja) | 2020-07-31 | 2024-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
KR20220029103A (ko) * | 2020-09-01 | 2022-03-08 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 공정 장비 |
Family Cites Families (11)
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---|---|---|---|---|
US6074488A (en) * | 1997-09-16 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc | Plasma chamber support having an electrically coupled collar ring |
KR20000011778U (ko) | 1998-12-08 | 2000-07-05 | 윤종용 | 건식식각장치의 정전척 절연링 |
JP4592916B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置 |
JP4559595B2 (ja) * | 2000-07-17 | 2010-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置及びプラズマ処理装置 |
US6554954B2 (en) * | 2001-04-03 | 2003-04-29 | Applied Materials Inc. | Conductive collar surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber |
JP2003152063A (ja) | 2001-11-09 | 2003-05-23 | Applied Materials Inc | 静電チャック及び半導体製造装置 |
US7582186B2 (en) * | 2002-12-20 | 2009-09-01 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved focus ring in a plasma processing system |
KR20050091854A (ko) | 2004-03-11 | 2005-09-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 제조 장치의 포커스 링 |
KR20060005740A (ko) | 2004-07-14 | 2006-01-18 | 삼성전자주식회사 | 건식 식각 장비의 프로세스 챔버 내부구조 |
KR20060029359A (ko) * | 2004-10-01 | 2006-04-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 건식 식각 장비 |
KR20070008980A (ko) * | 2005-07-14 | 2007-01-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 식각 장비 및 반도체 식각장비의 척 조립체 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200022636A (ko) * | 2018-08-23 | 2020-03-04 | 세메스 주식회사 | 기판 처리장치 |
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