KR100834691B1

KR100834691B1 - Ｒｆｉｃ용 과전압 보호회로

Info

Publication number: KR100834691B1
Application number: KR1020070070587A
Authority: KR
Inventors: 박봉석; 유형모
Original assignee: 베렉스주식회사
Priority date: 2007-07-13
Filing date: 2007-07-13
Publication date: 2008-06-02

Abstract

본 발명은 비정상적인 고전류에 의한 RF IC의 손상을 방지하는 RF IC 용 과전압 보호하는 회로에 관한 것으로서, 제1 트랜지스터와 제1,2바이어스 저항을 포함하는 RF IC 소자에 있어서, 외부 공급전압의 크기에 따라 상기 RF IC 소자로 유입되는 과전류를 차단하는 제2 트랜지스터와, 상기 공급전압을 분배하여, 상기 제2 트랜지스터의 작동전압을 결정하는 작동전압 결정부을 포함하여, 상기 제1 트랜지스터가 내구할 수 없는 비정상적으로 높은 전류가 유입될 때, 상기 작동전압 결정부로부터 인가되는 전압에 의해 활성 상태로 된 상기 제2 트랜지스터가 상기 제1 트랜지스터를 불활성 상태로 만들어 외부전원을 차단함으로써, 상기 RF IC의 영구적 손상을 방지할 수 있다.

RF IC, 달링톤 증폭기, 바이어스 저항, 전류 변화량, 과전압, 전력 증폭기, 보호회로

Description

ＲＦＩＣ용 과전압 보호회로{Over Voltage Protection Circuit for RF IC}

본 발명은 RF IC 용 과전압 보호 회로에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 RF IC 소자에 과전압 보호회로를 결합함으로써, 비정상적인 과전류 유입에 대한 RF IC 소자의 강인성(ruggedness)를 개선하기 위한 RF IC 용 과전압 보호회로에 관한 것이다.

최근 들어 RF 대역의 자원을 이용하는 전자기기의 사용자가 점차 증가하고 있다. 즉, 휴대단말기, RF ID 장비, 이동통신 단말기 등의 RF 대역의 주파수 자원을 이용하는 전자기기는 사용자에게 많은 편의성을 제공한다.

더욱이 이러한 전자기기는 더욱더 소형화 다기능화되는 추세이므로, RF IC 소자의 효용성이 더욱 증대되고 있다. 따라서 이러한 RF IC 소자의 구동전압은 점차 낮아지고 있으나, 순간적으로 높은 전류를 발생시키는 입력전원의 변동이나 정전기 등에 취약하다.

도 1은 단순화된 RF IC의 등가회로로서, 도면에서 보여지는 바와 같이, RF IC(100)는 공급전압 단자(110) 및 출력신호 단자(160)에 연결된 제1 컬렉터 단자(131)와 입력신호 단자(120)에 연결된 제1 베이스(133)와 접지단자에 연결된 제1 이미터 단자(132)를 가지는 제1 트랜지스터(130); 및 상기 제1 트랜지스터의 바이어스 전압을 제공하기 위하여, 상기 공급전압 단자(110)와 상기 제1 베이스(133) 단자에 연결된 제1 바이어스 저항(140)과, 상기 제1 베이스(133) 단자와 접지에 연결된 제2 바이어스 저항(150)을 포함하여 구성된다.

상기 RF IC(100)는 상기 제1 트랜지스터(130)의 제1 콜렉터 단자(131)에 유입되는 전류(Icc)가 2개의 바이어스 저항(140,150) (R1, R2) 및 공급전압 단자(110)에서 제공되는 공급전압((Vcc)에 의해 결정되도록 구성되어 있다. 상기 공급전압(Vcc)이 변하면 상기 제1 콜렉터 전류(Icc)도 연동하여 변하며, 상기 제1 콜렉터 전류(Icc)는 공급전압(Vcc)에 대하여 지수함수적으로 변한다.

도 2는 종래기술에 따른 과전압 보호회로를 채용하고 있지 않은 RF IC의 전압에 대한 전류의 특성곡선이다. 도2를 참조하여 설명하면, 실선은 모의 실험을 통한 전류-전압 특성곡선이며, 점선은 상기 RF IC 소자가 정상적으로 동작 가능한 상태에서 허용할 수 있는 최대치의 전류를 나타내고 있다. 상기 실험에 적용된 RF IC 소자는 최대전류 이하인 5V/100mA에서 정상적으로 작동하도록 설계되어있다. 도 2로부터, 상기 RF IC 소자는 200mA 이상의 전류가 흐르면 소자의 일부 또는 전부가 열적 손상을 입게 되고, 과전압 차단으로 유입된 과전류가 소멸하더라도 정상적인 동작을 할 수가 없다는 것을 알 수 있다.

공급전압에 의하여 제1 콜렉터 단자를 통하여 상기 제1 트랜지스터로 유입되는 전류(Ice)는 다음의 식에 의하여 결정된다.

즉, Vbe1 = Vcc*R1/(R1+R2) ---------------------------------------(1)

Ice ≒ exp(Vbe1/KT) ---------------------------------------(2)

여기서 Vbe1는 제1 트랜지스터의 베이스 전압, Vcc는 외부 공급전압, R1, R2는 각각 제1,2 바이어스 저항, Ice는 제1 콜렉터 전류이다.

따라서 제1 트랜지스터(130)로 유입되는 제1 콜렉터 전류(Ice)는 외부 공급전압(Vcc)의 변화에 따라 지수함수로 변한다는 점을 주의하여야 한다.

도3은 RF IC에 사용되는 일반적인 응용회로의 일예이다. 도 3을 참조하여 설명하면, 인덕터(221)(L1)는 직류신호와 라디오 주파수(RF) 신호를 분리시키는 것으로서, 고주파 신호에 대하여 출력단과 입력단을 분리시키는 기능을 한다.

공급전압 단자(220)(Vcc)와 상기 인덕터(221) 사이에 연결된 다수의 커패시터(222,223,224)(C3,C4,C5)는 외부전원에 의하여 발생되어, RF IC 소자로 유입되는 고주파 잡음(Noise)를 제거하기 위한 바이패스(By-pass)용 커패시터이다. 제너 다이오드(225)(Zd)는 외부전원(Vcc)에서 발생한 고전압 스파이크나 서지전압으로부터 RF IC를 보호한다.

상기 제너 다이오드(225)는 정격 전압보다 높은 전압이 유기되면, 저저항 상태가 되어 상기 유기된 높은 전압에 의한 과전류를 접지로 흐르게 하는 경로가 되므로, 정격 전압보다 높은 전압으로부터 주변 소자를 보호하는 역할을 한다. 경우에 따라 상기 제너 다이오드 대신, 외부 공급전원(Vcc)와 접지 사이에 높은 용량(2~10uF)의 탄탈(Tantalum) 커패시터를 연결하는 것이 가능하다. 상기 높은 용량의(2~10uF) 탄탈(Tantalum) 커패시터는 외부전원에서 발생한 고전압 서지(Surge)나 스파이크(Spike)가 인덕터(221)를 통해서 RF IC로 들어가기 전에 접지로 방출함으로써 RF IC를 보호한다.

예를 들어, RF IC 소자가 5V/100mA 이하의 전압 전류조건에서 정상적으로 동작하도록 설계되어 있다면, 상기 RF IC소자에 200mA 이상의 전류가 흐르면 영구적인 손상을 받을 수 있다. 상기 수식(1),(2)에서 보듯이 RF IC에 흐르는 전류는 외부전원(Vcc) 단자에 유기되는 전압에 의해 결정된다. 정상적인 상태에서는 외부전원 단자에 5V의 전압이 인가되나 경우에 따라서 5V 이상의 전압이 걸릴 수 있다.

전원을 켜고 끌 때, 전압 스파이크(Voltage Spike)나 서지 전압(Surge)이 발생할 때, 외부전원 단자로부터 과전압이 공급될 때, 출력 단자(230)가 순간적으로 접지에 단락(Short)될 때, RF IC 소자로 비정상적인 과전류가 유입될 수 있는 상황이 발생할 수 있다.

상술한 바와 같이 종래의 보호방식은 대용량의 커패시터 또는 제너 다이오드를 사용하여야 하기에 공간 확보 및 경제적인 측면에서 바람직하지 않다.

또한 출력단자에서 발생한 서지(Surge) 전압이나 전압 스파이크(Spike)는 인덕터(221)를 통하지 않고 직접 RF IC로 들어가기 때문에, 상기 인덕터(221)나 다수의 커패시터(222,223,224)도 출력단자에서 발생한 고전압 스파이크(Spike)나 서지(Surge)로부터 RF IC를 보호하지는 못하는 문제점이 있다.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 본 발명은 RF IC에 과전압 보호회로를 결합하여 순간적이거나 지속적인 과전압으로 인하여, RF IC에 유입되는 비정상적인 과전류를 차단함으로써 RF IC를 보호하는데 그 목적이 있다.

또한 출력단자에서 발생한 고전압 서지(Surge)나 스파이크(Spike) 등의 문제로 인하여 RF IC에 유입되는 비정상적인 과전류를 차단함으로써 RF IC를 보호하는데 그 목적이 있다.

상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 RF IC 용 과전압 보호회로는 제1 트랜지스터와 제1,2 바이어스 저항을 포함하는 RF IC 소자에 있어서, 외부 공급전압의 크기에 따라 상기 RF IC로 유입되는 과전류를 차단하는 제2 트랜지스터와, 상기 공급전압을 분배하여, 상기 제2 트랜지스터의 작동전압을 결정하는 작동전압 결정부을 포함하여 구성된다.

상기 제2 트랜지스터는, 신호입력 단자 및 상기 제1 트랜지스터의 베이스 단자에 연결된 제2 콜렉터 단자와, 접지단자에 연결된 제2 에미터 단자와, 제2 트랜지스터의 작동전압을 인가받는 제2 베이스 단자를 구비하여, 상기 제2 베이스에 인가되는 전압의 크기에 따라 온(on)/오프(off) 되는 것을 특징으로 한다.

상기 작동전압 결정부는, 상기 공급전압 단자와 상기 제2 베이스 단자 사이 에 연결된 제1 전압 분배저항과, 상기 제2 베이스 단자와 접지단자 사이에 연결된 제2 전압 분배저항을 포함하여 구성된다.

여기서, 상기 제1,2 전압 분배저항은, 상기 RF IC의 출력이 상기 과전압 보호회로의 입력으로 궤환되는 것을 방지하기 위하여, 상기 제1,제2 바이어스 저항에 비하여 3배 내지 5배 더 큰 저항값을 갖는 것을 특징으로 한다.

상기 작동전압 결정부는, 상기 RF IC 소자가 고주파 응답에 수렴하는 저주파 응답을 얻도록, 상기 제2 전압 분배저항에 병렬연결된 커패시터를 더 포함하는 것이 필요하다.

상기 RF IC 용 과전압 보호회로의 상기 커패시터는 저주파수 응답특성을 개선하기 위하여 사용된다. 상기 커패시터의 유무가 4~5 GHz 이상의 고주파수에서는 RF 응답특성에 별 영향을 미치지 않지만, 이 이하의 주파수에서는 RF 응답특성에 큰 영향을 미친다. 즉, 상기 커패시터가 클수록 저주파수에서의 RF 응답특성은 개선된다.

상기 제2 트랜지스터는 상기 제2 베이스 단자의 전압이 기준전압보다 높을 경우 온(on)되어 상기 제1 트랜지스터를 오프(off) 시키고, 상기 기준전압보다 낮은 경우 오프(off) 되어, 상기 제1 트랜지스터를 온(on) 시키는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 제1,2 전압 분배저항은 상기 기준전압을 조정하도록 가변가능하다.

상술한 바와 같이 본 발명은 RF IC 소자에 유기될 수 있는 과전압으로부터 소자를 보호한다. 외부전원으로부터 과전압 인가시 또는 출력단자로부터 고전압 서지나 스파이크 발생시에는 본 발명에 따른 RF IC 용 과전압 보호회로가 작동하여 RF IC 소자의 동작을 중단시킨다.

또한, 본 발명에 따른 RF IC 용 과전압 보호회로는 과전압 인가시에는 활성되어, 비정상적인 과전류의 유입을 차단하여 RF IC를 보호하며, 비활성시에도 1mA 가량의 적은 전류를 소모하므로 전력 소비량을 절감할 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 RF IC 용 과전압 보호회로는 비활성시에 출력 임피던스가 RF IC 소자의 입력 임피던스에 비해 50배 이상이므로, RF IC 소자의 라디오 주파수(RF) 응답특성에 영향을 주지 않는다.

이하 도4 내지 도6을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 RF IC 용 과전압 보호회로를 상세히 설명하겠다.

도 4는 RF IC 소자에 본 발명의 실시예에 따른 RF IC 용 과전압 보호회로를 부가 회로도이다.

도4를 참조하여 설명하면, 일반적인 RF IC 소자는 공급전압 단자(110) 및 출력신호 단자(160)에 연결된 제1 컬렉터 단자(131)와 입력신호 단자(120)에 연결된 제1 베이스(132)와 접지단자에 연결된 제1 이미터 단자(133)를 가지는 제1 트랜지스터(130)와, 상기 제1 베이스(132)에 연결되어 상기 제1 트랜지스터에 바이어스 전압을 제공하는 제1,2 바이어스 저항(140,150)으로 구성되는 것으로 간주된다.

상기 RF IC 용 과전압 보호회로(300)는 제2 트랜지스터(310)와 작동전압 결정부를 포함하여 구성되며, 제1 트랜지스터(130)와 제1,2 바이어스 저항(140,150)을 포함하는 상기 RF IC 소자에 결합 되어있다. 상기 제2 트랜지스터(310)는 공급전압(Vcc)의 크기에 따라 상기 RF IC 소자에 유입되는 비정상적인 과전류의 유입을 차단하거나 정상 전류의 유입을 허용하며, 상기 작동전압 결정부는 상기 공급전압을 상기 제2 베이스 단자(312)로 분배하여, 상기 제2 트랜지스터의 작동전압을 결정한다. 즉, 상기 제2 트랜지스터를 온(on)/오프(off)를 시키는 입력전압을 결정하게 된다.

상기 제2 트랜지스터(310)는, 입력신호 단자 및 상기 제1 트랜지스터의 베이스 단자에 연결되어 있는 제2 콜렉터 단자(311)와, 상기 접지단자에 연결된 제2 에 미터 단자(313)와, 상기 출력신호를 궤환받는 제2 베이스 단자(312)를 구비하여, 공급전압의 크기에 따라 상기 제1 트랜지스터(130)를 온(on)/오프(off) 시킴으로써, 상기 RF IC 소자로 유입되는 비정상적인 과전류의 유입을 제한한다.

상기 작동전압 결정부는, 상기 공급전압 단자(110)와 상기 제2 베이스 단자(312) 사이에 연결된 제1 전압 분배저항(320)과, 상기 제2 베이스 단자(312)와 접지단자 사이에 연결된 제2 전압 분배저항(330)으로 구성되는 것이 가능하다.

여기서, 상기 제1,2 전압 분배저항(320,330)은, 상기 RF IC 소자의 출력이 상기 RF IC 용 제2 베이스 단자(312)로 궤환되는 것을 방지하기 위하여, 상기 제1,제2 바이어스 저항(140,150)에 비하여 3배 내지 5배 더 큰 저항값을 갖는 것이 바람직하다.

또한 상기 제2 전압 분배저항(330)에 커패시터(340)를 병렬연결시킴으로써, 상기 RF IC 소자는 고주파 응답에 수렴하는 저주파 응답을 얻을 수 있다. 상기 커패시터(340)의 용량이 증가함에 따라, 본 발명에 따른 과전압 보호회로(300)의 저주파에서의 출력과 고주파에서의 출력의 차이는 점점 감소하게 된다.

상기 제2 트랜지스터(310)는 상기 제2 베이스 단자의 전압이 기준전압보다 높을 경우 온(on)되어 상기 제1 트랜지스터를 오프(off) 시키고, 기준전압보다 낮은 경우 오프(off)되어 상기 제1 트랜지스터를 온(on) 시킨다.

여기서, 상기 공급전압이 과전압에 해당되면, 상기 제2 트랜지스터가 온(on) 되어, 상기 제1 트랜지스터를 오프(off) 시키므로, 상기 RF IC 소자로 비정상적인 과전류가 유입되는 것이 차단된다.

상기 기준전압의 크기는 상기 제1,2 전압 분배저항(320,330)으로 쉽게 조정할 수 있으며, 상기 제1,2 전압 분배저항은 가변저항으로 구성되는 것도 가능하다.

상술한 바와 같이, 상기 제2 트랜지스터(310)의 상태는 상기 제2 베이스 단자의 전압에 의하여 결정되며, 상기 제2 베이스 단자의 전압(Vbe2)은 아래 수식(3)에 의하여 계산된다. 상기 기준전압(Vref)은 상기 공급전압이 임계전압(Vcc,crit) 이하인 경우의 상기 제2 베이스 전압으로, 아래 수식(4)에 의하여 결정할 수 있다.

Vbe2 = Vcc × R4 / ( R3 + R4 ) --------------------------------(3)

Vref = Vcc,crit × R4 / ( R3 + R4 ) ---------------------------(4)

여기서, Vbe2는 제2 베이스 단자의 전압이고, Vcc는 상기 RF IC 소자에 인가되는 공급전압이며, R3, R4는 제2 트랜지스터의 입력전압을 분배하는 저항이고, Vref는 기준전압이고, Vcc,crit는 상기 RF IC 소자 정상적으로 동작할 수 있는 임계전압이다.

일반적으로, 트랜지스터의 작동전압(온(ON) 전압)은 1.1 ~ 1.3V 이므로, 상기 제2 트랜지스터의 작동전압을 1.2V로 할 경우, 상기 제1,2 전압 분배저항(R3,R4)의 비는 수식(3)에 의하여 구할 수 있다. 따라서 상기 제1,2 전압 분배항의 비(R3/R4)는 4.42가 되므로, 상기 제1,2 전압 분배저항 가운데 하나의 저항값을 임의로 결정하면, 나머지 전압 분배저항 값도 결정된다.

상기 공급전압이 임계전압 이하이어서, 상기 RF IC 소자가가 정상적으로 동 작하고 있는 경우에도, 상기 RF IC 용 과전압 보호회로(300)는 아래 수식(5)에 의하여 계산되는 소정의 휴지전류(Ioff)를 소모한다. 따라서 상기 제1,2 전압 분배저항 값은 상기 RF IC 소자 내에 구현할 수 있는 범위 내에서 큰 것이 유리하다.

Ioff = Vcc / (R3 + R4) ---------------------------------------(5)

도 5는 상기 임계전압을 6.5V로 한 경우, 본 발명의 실시예에 따른 RF IC 용 과전압 보호회로가 있을 경우와 없을 경우의 전류-전압 특성도이다.

도 5에서, 점선은 상기 RF IC 용 과전압 보호회로가 있을 경우의 전류-전압 특성도이다. 상기 점선은 외부 공급전압의 증가로 인하여 RF IC 소자에 유입되는 전류가 최대전류에 도달하더라도, 상기 RF IC 소자에 유입되는 전류가 최대전류를 증가하지 않고 있음을 나타내고 있다. 이것은 상기 RF IC 용 과전압 보호회로가 작동하여, 상기 제1 트랜지스터를 오프(off) 시켜, 상기 RF IC 소자에 유입되는 전류를 차단하기 때문이다.

도 5의 실선은 상기 RF IC 용 과전압 보호회로가 없는 경우의 전류-전압 특성도이다. 상기 실선은 외부 공급전압이 점점 증가하여 RF IC 소자에 유입되는 전류가 최대전류보다 더 커지더라도 전류유입을 차단하지 못하고, 유입전류가 계속 증가하고 있음을 나타내고 있다.

도6은 상기 커패시터(340)의 용량이 변할 때, 상기 RF IC 소자의 출력 특성 비교도이다.

도6은 본 발명에 따른 RF IC소자의 과전압 보호회로가 없는 경우의 출력(P1dB)과, 본 발명에 따른 RF IC소자의 과전압 보호회로에 커패시터가 없는 경 우, 5pF, 10pF 일 경우의 출력 특성을 비교한 결과를 보여준다. 도 6에서 보여지는 바와 같이, 상기 RF IC 용 과전압 보호회로에 커패시터(340)가 없으면 출력이 저주파에서 많이 감소함을 보여준다. 그러나 커패시터의 용량이 증가할수록, 주파수가 높아질수록 보상회로는 원래 RF IC의 특성을 변형시키지 않는다.

상기 RF IC 용 과전압 보호회로(300)를 주파수 영역에서 분석하면, 상기 제2 전압 분배저항(330)과 상기 커패시터(340)는 병렬로 연결되어있으며, 낮은 주파수에서는 상기 커패시터(340)의 임피던스(Impedance)가 높다. 그러므로 상기 RF IC 용 과전압 보호회로가 낮은 에너지의 신호(소 신호)를 다루는 경우에는 상기 커패시터(340)의 영향을 무시할 수 있지만, 높은 에너지 신호(대 신호)를 다루는 경우에는 무시할 수 없는 정도의 출력신호가 상기 제2 전압 분배저항(330)과 커패시터(340)의 병렬회로 부분으로 피드백(feedback) 된다. 따라서 상기 커패시터(340)는 최저 사용 주파수가 낮을수록 용량이 큰 값을 사용하여야한다.

그러나 상기 커패시터(340)의 용량이 적은 경우, 저 주파수 대역에서 상기 커패시터(340)의 임피던스가 커지므로, 높은 에너지 신호를 다루는 경우에는 상기 RF IC 소자의 이득은 감소하게 된다.

전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예가 도면을 참조하여 상세히 설명되었지만, 본 발명의 사상과 범위는 상기 실시예에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 하며, 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해지는 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형들이 가능하다는 것은 당업자에 자명할 것이다. 또한 본 발명자는 본 발명의 청구범위 및 상세한 설명에 기재된 발명의 모든 조합이 가능하며, 청구범위에 기재된 발 명을 보호받고자 하는 권리로 청구한다.

도1. 단순화된 종래기술에 따른 과전압 보호회로를 채용하고 있지 않은 RF IC의 등가 회로도이다.

도2. 종래기술에 따른 도1에 도시된 RF IC의 전류-전압 특성곡선이다.

도3. 종래기술에 따른 RF IC에 사용되는 일반적인 응용회로의 예제.

도4. 본 발명의 실시예에 따른 RF IC 용 과전압 보호회로도.

도5. 본 발명의 실시예를 적용한 RF IC 소자의 전류-전압 특성곡선.

도6. 본 발명의 실시예에 적용된 커패시터의 용량변화에 대한 출력 특성도.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

300 : RF IC 용 과전압 보호회로 310 : 제2 트랜지스터

311 : 제2 콜렉터 단자 312 : 제2 베이스 단자

313 : 제2 이미터 단자 320 : 제1 전압 분배저항

330 : 제2 전압 분배 저항 340 : 커패시터

Claims

제1 트랜지스터와 제1,2바이어스 저항을 포함하는 RF IC 소자에 있어서,

외부 공급전압의 크기에 따라 상기 RF IC 소자로 유입되는 과전류를 차단하는 제2 트랜지스터와,

상기 공급전압을 분배하여, 상기 제2 트랜지스터의 작동전압을 결정하는 작동전압 결정부를 포함하는 RF IC 용 과전압 보호회로.
제1항에 있어서,

상기 제2 트랜지스터는, 신호입력 단자 및 상기 제1 트랜지스터의 베이스 단자에 연결된 제2 콜렉터 단자와, 접지단자에 연결된 제2 에미터 단자와, 제2 트랜지스터의 작동전압을 인가받는 제2 베이스 단자를 구비하여, 상기 제2 베이스 단자에 인가되는 전압의 크기에 따라 온(on)/오프(off) 되는 것을 특징으로 하는 RF IC 용 과전압 보호회로.
제2항에 있어서,

상기 작동전압 결정부는, 상기 공급전압 단자와 상기 제2 베이스 단자 사이에 연결된 제1 전압 분배저항과, 상기 제2 베이스 단자와 접지단자 사이에 연결된 제2 전압 분배저항으로 구성되며,

상기 제2 트랜지스터는, 상기 RF IC의 출력이 상기 과전압 보호회로의 입력으로 궤환되는 것을 방지하기 위하여, 상기 제1,2 전압 분배저항은 상기 제1,제2 바이어스 저항에 비하여 3배 내지 5배 더 큰 저항값을 갖는 것을 특징으로 하는 RF IC 용 과전압 보호회로.
제3항에 있어서,

상기 작동전압 결정부는, 상기 RF IC 소자가 고주파 응답에 수렴하는 저주파 응답을 얻도록, 상기 제2 전압 분배저항에 병렬연결된 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RF IC 용 과전압 보호회로.
제3항에 있어서,

상기 제2 트랜지스터는,

상기 제2 베이스 단자의 전압이 기준전압보다 높을 경우 온(on)되어 상기 제1 트랜지스터를 오프(off) 시키고, 상기 기준전압보다 낮은 경우 오프(off) 되어 상기 제1 트랜지스터를 온(on) 시키는 것을 특징으로 하는 RF IC 용 과전압 보호회로.
제3항에 있어서,

상기 제1,2 전압 분배저항은 기준전압을 조정하도록 가변가능한 것을 특징으로 하는 RF IC 용 과전압 보호회로.