KR100825314B1 - 박막트랜지스터 어레이의 검사 장비 - Google Patents

박막트랜지스터 어레이의 검사 장비 Download PDF

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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터 완성 후, 이루어지는 검사 공정을 위한 박막트랜지스터 검사 장비에 관한 것으로 기존의 리뷰(review) 단계와 리페어(repair) 단계를 통합하여 리뷰와 리페어 기능이 동시에 이루어지도록 함으로써, 공정 시간을 단축시키고 팹(fab) 공간 활용에 기여할 수 있어 생산량 증가를 기대할 수 있다.
본 발명의 박막트랜지스터 검사 공정 단계는 각 픽셀의 형태를 비교 체크하여 불량 픽셀을 검출하는 패턴 검사 단계와, 박막 트랜지스터 구동시 불량이 되는 어레이를 체크하는 MPS 검사단계와, 패턴 검사 단계에서 얻은 결함의 좌표를 이용하여 현미경으로 패널의 정상과 불량 판정 및 불량에 대해서 리페어 가능 여부를 체크하는 리뷰 공정과 리뷰와 MPS 검사 단계에서 얻은 정보를 이용하여 불량을 리페어 하는 리페어 단계로 진행되는 것을 특징으로 한다.

Description

박막트랜지스터 어레이의 검사 장비 {SYSTEM FOR INSPECTING THIN FILM TRANSISTOR ARRAY}
도 1은 통상적인 박막트랜지스터 어레이의 평면도.
도 2a 내지 도 2c는 도 1에 도시된 박막 트랜지스터 어레이 제조 공정을 보인 공정별 단면도.
도 3a 내지 3g는 박막트랜지스터 상에 발생할 수 있는 결함들을 보인 도면.
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도 4는 본 발명에 따른 박막트랜지스터 어레이의 검사 장비 중 투과 광원이 장착된 리페어 장비를 나타낸 도면.
도 5는 도 4의 리페어 장비를 통해 박막트랜지스터 어레이에 발생된 결함을 리페어한 후, 리페어된 박막트랜지스터 어레이의 등가회로를 나타낸 도면.
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*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ***
11:데이터 라인 12: 게이트 라인
13:박막트랜지스터 14:화소 전극
20:투명 기판 21a:게이트 전극
21b:스토리지 라인 22:게이트 절연막
23:액티브층 25:오믹접합층
24:보호막 41:투명 스테이지
42:지지 핀 43:투과 광원
44:현미경
본 발명은 검사 장비에 관한 것으로, 상세하게는 TFT 완성 후 이루어지는 검사 공정 장비를 변형시켜 패턴 검사 단계와, 리뷰 단계와, MPS(Mass Production System) 검사 단계와, 리페어 단계를 가지고 진행하는 종래의 검사 단계에서 리뷰와 리페어를 동시에 할 수 있도록 하여 공정 시간을 줄일 수 있는 TFT 검사 장비를 제공한다.
액티브 매트랙스(Active Matrix) 구동방직의 액정 표시 소자는 스위칭 소자로서 박막트랜지스터를 이용하여 자연스러운 동화상을 표시하고 있다. 이러한 액정 표시 소자는 브라운관에 비하여 소형화가 가능하여 휴대용 텔레비전(television)아나 랩탑(Lab-Top)형 퍼스널 컴퓨터(Personal Computer) 등의 모니터로서 상품화되고 있다.
액티브 매트릭스 타입의 액정 표시 소자는 화소들이 게이트라인과 데이터 라인들의 교차부들 각각에 배열되어진 화소 매트릭스(Picture Element Matrix 또는 Pixel Matrix)에 텔레비전 신호와 같은 비디오 신호에 해당하는 화상을 표시하게 된다. 화소들 각각은 데이터 라인으로부터의 데이터 신호의 전압레벨에 따라 투과 광량을 조절하는 액정셀을 포함한다. 박막트랜지스터는 게이트라인과 데이터라인들의 교차부에 설치되어 게이트라인으로부터의 스캔 신호(게이트 펄스)에 응답하여 액정셀 쪽으로 전송될 데이터신호를 전환하게 된다.
일반적으로, 액정 표시 소자는 도 1과 같이 데이터 라인(11)과 게이트 라인(12)의 교차부에 박막트랜지스터(13)가 형성되며, 데이터 라인(11)과 게이트 라인(12) 사이의 화소 영역에 화소 전극(14)들이 매트릭스 형태로 배치된다.
박막트랜지스터는 도 2a와 같이, 기판(20)위에 게이트 전극(21a)을 형성하고, 게이트 전극 위에 게이트 절연층(22)을 형성한다. 게이트 전극(21a)을 형성하는 공정 중에 스토리지 라인(21b)이 형성된다.
상기 게이트 절연층(22) 위에 적절한 패턴을 형성하여 반도체층(29)을 형성하게 되는데 반도체층(29)은 소오스 전극과 드레인 전극 사이의 채널 역할을 하는 액티브층(23)의 양쪽 상단에 패터닝을 하여 오믹층(25)이 형성되어 있다. 액티브층(23)은 비정질 실리콘으로 이루어져 있으며 오믹층(25)은 n+ 이온이 도핑된 비정질 실리콘층으로 이루어진다.
다음은, 액티브층(23)의 양측 상단에 형성된 오믹층(25)위에 각각 소오스 전극(27b)과 드레인 전극(27a)을 형성하여 도 2b와 같은 소자를 만든다.
TFT의 소오스 전극(27b) 및 드레인 전극(27a)이 만들어지는 공정 중에 스토리지 전극(27c)이 형성된다.
게이트 절연층(22)을 사이에 두고 스토리지 라인(21b)과 스토리지 전극(27c)으로 형성된 스토리지 커패시터는 상부 게이트 라인(12)에 주사신호가 인가되는 동안 주사 전압을 충전한 후 다음 주사 라인의 구동시 화소전극에 데이터 전압이 공급되는 기간동안 충전된 전압을 방전하여 화소전극의 전압 변동을 방지하는 역할을 한다.
마지막으로, 소자를 보호하기 위하여 도 2c에 보여지는 바와 같이, 보호막(24)을 전면에 형성한 후, 화소 전극(14)을 입히게 된다. 화소 전극(14)은 패터닝을 하여 콘택홀(28a)을 형성하여 소오스 전극(27b)과 접촉시키고, 스토리지 커패시터는 스후홀(28b)를 형성하여 스토리지 전극(27c)과 화소 전극(14) 간을 접소 시킨다. 투명한 화소 전극(14)은 ITO를 사용하는 것이 바람직하다.
이 스토리지 커패시터는 상부 게이트 라인(12)에 주사신호가 인가되는 동안 주사 전압을 충전한 후 다음 주사 라인의 구동시 화소전극에 데이터 전압이 공급되는 기간동안 충전된 전압을 방전하여 화소전극의 전압 변동을 방지하는 역할을 한다.
보호막의 재료로는 SiNX등의 무기 물질이 주로 이용되고 있으나, 비정질 실리콘의 보호막으로 사용되는 SiNX는 소정의 유전율을 가지게 되어 소오스 전극과 데이터 라인간에 커플링(coupling)이 발생되어 크로스 토크(cross talk)를 유발하게 된다. 이러한, 문제를 해결하기 위하여 최근에는, 개구율 향상을 위하여 유전율이 낮은 벤조사이크로부텐(Benzocyclobutene), SOG(Spin on Glass), 아크릴(Acryl)등의 유기 물질이 사용된다.
상기와 같은 공정을 통하여 완성된 박막트랜지스터는 소자의 정상적인 작동을 위해, 공정 진행시 발생한 결함들을 체크하고 체크된 결함들을 리페어 하는 검사 공정 단계를 거치게 된다.
박막트랜지스터의 공정 진행시 발생할 수 있는 결함으로는 패턴의 유실 및 화소간의 쇼트와 같은 점 결함이나 혹은 배선간의 단선이나 배선간의 쇼트와 같은 선 결함들을 들 수 있다.
도 3a내지 3g는 통하여 박막트랜지스터 상에 발생할 수 있는 결함들에 대하여 나타낸 것이다.
도 3a는 데이터 라인과 화소 전극 사이에 쇼트로 인한 결함(30a)을 나타낸 것이다.
데이터 라인(11)과 화소 전극(14) 사이에 공정 불량으로 인하여 데이터 라인(11)과 화소 전극(14) 간에 쇼트가 발생한 것으로, 상기 결함(30a)은 레이져를 이용하여 리페어가 가능하다. 쇼트가 일어난 데이터 라인(11)과 화소 전극(14) 사이를 레이져로 처리하여 원래 상태로 격리시킬 수가 있다.
도 3b는 TFT 내부에서 발생할 수 있는 결함을 나타낸 것이다.
게이트 전극과 소오스 전극간의 쇼트, 혹은 게이트 전극과 드레인 전극간의 쇼트, 혹은 소오스 전극과 드레인 전극과의 쇼트 등을 포함하는 박막트랜지스터 내부의 결함(30b)은 리뷰 검사 단계에서 투명 광을 통하여 체크할 수 있으며, 리페어가 가능한 것과 불가능한 것으로 분리가 이루어진다.
도 3c는 데이터 라인과 게이트 라인과의 교차점에서 발생한 결함을 나타낸 것이다.
데이터 라인(11)과 게이트 라인(14)이 오버랩(overlap) 되는 영역에서 두 라인간의 쇼트를 일으켜 생긴 결함(31c)이다.
도 3d는 화소간의 결함을 나타낸 것이다.
실질적으로 빛의 투과량을 결정하는 화소 영역(14)의 패턴을 형성하는 공정 에서 불량이 생겨 화소 전극간의 쇼트로 인해 발생한 결함(31d)이다. 상기 결함(31d)은 리페어 검사 단계에서 리페어가 가능한 결함이다.
도 3e는 데이터 라인의 단선으로 인한 결함을 나타낸 것이다.
데이터 라인(11)을 형성하는 과정이나, 혹은 이 후 공정에서 발생한 것으로, 데이터(11)라인이 연결되지 않고 끊어져 절연된 결함(31e)이다. 상기 결함(31e)으로 인하여 데이터 라인이 화소 영역에 신호를 제대로 전달할 수 없게 된다.
도 3f는 게이트 라인의 단선으로 인한 결함을 나타낸 것이다.
게이트 라인(11)을 형성하는 과정이나, 혹은 이 후 공정에서 발생한 것으로, 게이트(11)라인이 연결되지 않고 끊어져 생긴 결함(31e)이다. 상기 결함(31e)으로 인하여 구동 회로부에서 전달하는 비디오 신호를 제대로 스위칭 할 수 없게 된다. 상기 결함은 리페어 검사 단계에서 리페어가 가능한 결함이다.
도 3g는 화소 영역의 결함을 나타낸 것이다.
화소 영역(14)의 패턴을 형성하는 공정 중에 발생한 것으로, 화소 영역(14)의 패턴이 제대로 형성되지 않아 생긴 결함(31g)이다. 화소 영역(14)은 실질적으로 빛의 투과영역을 결정짓는 LCD의 중요한 요소이다.
상기 결함들은 모두 LCD 제품에 치명적인 불량을 초래하게 됨으로, 제품으로 흘리기 전에 완성된 TFT 어레이의 충분한 검토가 이루어져야 한다.
검사 단계에서 체크된 상기 결함들 중 쇼트가 생긴 부분들은 레이져를 이용하여 절단시키고, 단선된 부분들의 결함은 웰딩(welding)을 하여 다시 접합시킴으로써 결함들을 리페어 한다.
이하, TFT 완성 후, 진행되는 검사 단계에 대하여 상세히 설명한다.
TFT 어레이의 검사 단계는 패턴 검사 단계, 리뷰 단계, MPS 검사단계 및 리페어 단계를 순서대로 진행하게 된다.
먼저, 패턴 검사 단계에서는 제논 램프(xenon-lamp)를 TFT 어레이에 조사하여 TFT의 픽셀에 의해 반사된 광의 밝기 차이로 정상부분과 결함부분을 구분하게 된다. 결함이 있는 부분은 결함의 좌표를 설정하여 다음 단계에 이 결함 좌표에 대한 정보를 전달하게 된다.
패턴 검사 단계 후에는 리뷰 스테이션(review station)으로 이동하게 된다. 리뷰 스테이션에서는 패턴 검사기에서 검출된 결함의 좌표를 토대로 하여 결함의 종류나, 결함의 정도가 리페어의 가능성이 있는지 없는지의 여부를 작업자들이 직접 판단하고, 리뷰 스테이션의 뒷면에 투과광이 설치되어 TFT 어레이의 내부에 생긴 결함까지도 체크하게 된다.
다음은, MPS 검사단계로서 MPS 검사기를 통하여 각각의 패널에 전압을 인가하여 실제로 박막트랜지스터의 구동시 불량이 되는 어레이를 식별함으로써, 패널의 전기적인 불량을 체크를 하게 된다.
마지막으로, 리뷰 단계와 MPS 검사기를 거쳐서 체크된 박막트랜지스터 어레이의 결함 중에서 리페어가 가능한 결함을 반사 광원으로 체크하여 리페어 공정 단계에서 리페어가 이루어지게 된다. MPS에서 사용되는 반사 광원은 헬로겐 램프이다.
그러나, 종래의 이런 검사 단계는 리뷰 스테이션에서는 투과 광원을 사용하 여 박막트랜지스터 하부 층에서 발생한 불량 검출이 가능하지만 리페어 장비에서는 반사 광원만을 사용하므로 박막트랜지스터의 하부 층에서 발생한 불량에 대해서는 불량 형태의 검출이 어려울 경우가 있다.
따라서, 본 발명에서는 리뷰 스테이션에서 사용하는 투과광원을 리페어 장비에 장착하여 리뷰 스테이션의 역할과 리페어 장비의 역할을 동시에 할 수 있도록 하여 박막트랜지스터 하부에 발생한 불량을 간과 없이 리페어 하도록 하고, 작업 공수의 감수와 공간 활용에도 기여를 할 수 있도록 하였다.
본 발명의 목적은 리뷰 스테이션에서 사용하던 투과 광원의 기능을 리페어 장비에 설치하여 리뷰 스테이션의 역할과 리페어 장비의 기능을 동시에 할 수 있도록 하여 리페어 장비의 기능을 향상시키는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 리뷰 검사 단계와 리페어 검사 단계를 통합하여 검사 공정 시간을 단축하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 종래의 4단계의 검사 공정을 3단계로 변경하여 원가 및 공수 절감에 기여하는데 있다.
기타 본 발명의 목적 및 특징은 이하의 발명의 구성 및 특허청구범위에서 상세히 기술될 것이다.
상기 목적을 달성하고자, 본 발명에 따른 박막트랜지스터 어레이의 결함을 체크하는데 검사 장비는 상기 박막트랜지스터 어레이에 광을 조사하고, 상기 박막트랜지스터 어레이에 의해 반사된 광을 통해 상기 조사된 광과 상기 반사된 광 간의 밝기 차이로 상기 박막트랜지스터 어레이의 결함을 구별하여 상기 결함의 위치 좌표를 설정하는 패턴 검사기와, 상기 박막트랜지스터 어레이에 전기적인 신호를 인가하여 상기 박막트랜지스터의 정상적인 동작을 체크하는 MPS 검사기와, 투과 광을 통하여 박막트랜지스터 어레이의 하부 층에 발생한 결함을 체크하고 상기 패턴 검사기를 통해 검출된 결함의 위치 좌표를 이용하여 리페어의 가능 여부를 판단하는 리페어장비로 구성된다.
상기 리페어 장비는 투명한 스테이지와, 상기 투명 스테이지 하부에 설치된 투과 광원을 포함한다. 상기 리페어 장비는 상기 박막트랜지스터 어레이 하부 층에 형성된 결함을 확인하기 위한 현미경과, 상기 현미경을 통해 검출된 결함을 리페어하기 위한 레이져 장비를 더 포함한다.
상기 패턴 검사기에서, 상기 반사광원은 제논 램프인 것이 바람직하다.
본 발명은 리뷰 스테이션에서 사용하던 투과 광원의 기능을 리페어 장비에 설치하여 리뷰 스테이션의 역할과 리페어 장비의 기능을 동시에 할 수 있도록하여 검사 공정의 수를 종래의 4 단계에서 3 단계로 줄임으로써, 공정시간을 단축시키고, 원가 및 공수를 절감하여 제품의 가격 경쟁력을 향상시킬 수 있는 박막트랜지스터 어레이의 검사 장비를 제공한다.
본 발명의 박막트랜지스터 어레이의 검사 장비 단계의 특징은 본 발명의 박막트랜지스터 검사 공정 단계는 각 픽셀의 형태를 비교 체크하여 불량 픽셀을 검출하는 패턴 검사 단계와, 박막 트랜지스터 구동시 불량이 되는 어레이를 체크하는 MPS 검사단계와, 패턴 검사 단계에서 얻은 결함의 좌표를 이용하여 현미경으로 패널의 정상과 불량 판정 및 불량에 대해서 리페어 가능 여부를 체크하는 리뷰 공정과 리뷰와 MPS 검사 단계에서 얻은 정보를 이용하여 불량을 리페어 하는 리페어 단계로 진행되는 것을 특징으로 한다.
통상적으로 박막트랜지스터의 검사 장비는 반사광의 밝기 차이로 결함을 구별하여 결함의 위치의 좌표를 형성하는 패턴 검사 단계와, 투과 광원을 이용하여 박막트랜지스터의 하부 층에 발생한 결함을 체크하고 패턴 검사를 통해 검출된 결함 좌표를 토대로 리페어 가능 여부를 작업자가 직접 확인하는 리뷰 단계와, 패널에 전압을 인가하여 실제 박막트랜지스터 구동시 불량이 되는 어레이를 식별하는 MPS 검사 단계와, 반사 광원을 이용하여 리뷰 공정과 MPS 검사 단계에서 형성된 결함의 불량 좌표를 이용하여 검출된 불량을 리페어 하는 단계로 이루어진다.
그러나, 종래의 검사 공정 장비의 리페어 단계에서는 반사 광원만을 사용하여 체크된 결함을 리페어 하므로 리뷰 검사 단계에서 투과 광원을 이용하여 검출된 박막트랜지스터 하부 층의 결함에 대해서는 불량의 형태 검출이 어려울 경우가 있다.
따라서, 본 발명은 리뷰단계와 리페어 단계를 하나로 통합하여 리페어 장비에 투과 광원을 장착하여 리페어 단계에서 박막트랜지스터의 하부에 발생한 모든 결함을 검출할 수 있도록 하였으며, 종래의 4단계 검사 공정을 3단계로 줄임으로써, 작업 공수 감소와 팹(fab) 공간 활용에도 기여할 수 있도록 하였다.
상기와 같은 특징을 가지는 본 발명에 따른 박막트랜지스터의 검사 장비에 관하여 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 본 발명은 리페어 장비에 리뷰 공정에서 사용하는 투과 광원을 설치하여 리뷰 스테이션의 역할과 리페어 장비의 기능을 동시에 할 수 있도록 하였다.
즉, 종래의 패턴 검사 단계 및 MPS 검사 단계를 그대로 유지하면서, 리뷰 스테이션에서 사용하는 투과 광원을 리페어 장비에 장착하여 종래의 리페어 단계와 리페어 단계가 따로 따로 이루어졌던 것을 리뷰와 리페어를 한 공정에서 동시에 할 수 있도록 하였다.
도 4는 본 발명에 따른 박막트랜지스터 어레이의 검사 장비 중 투과 광원이 장착된 리페어 장비를 나타낸 도면이다.
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도 4에 나타낸 바와 같이, 리뷰와 리페어 기능을 동시에 가진 장비는 박막트랜지스터 어레이 기판을 놓을 수 있는 투명한 스테이지(41)와, 박막트랜지스터 기판을 안전하게 받칠 수 있는 투명 스테이지 상에(41) 설치된 지지 핀(support pin)(42)과, 상기 스테이지(41)의 뒷면에서 광을 투과시킬 수 있도록 스테이지 하부에 설치된 투과 광원(43)과, 투과 광원을 통하여 검출된 결함을 육안으로 확인할 수 있는 현미경(44)과, 실질적으로 리페어를 할 수 있는 레이져(미도시)로 이루어져 있다. 상기 투명한 스테이지(41)은 리뷰와 리페어를 겸한 스테이지에 해당된다.
박막트랜지스터 어레이의 하부층에 형성되어 있는 여러 가지 결함들을 검출하기 위하여 투명한 스테이지(41)에 박막트랜지스터 어레이 기판이 놓이게 되면 스테이지의 뒷면에 설치된 투과 광원(43)을 박막트랜지스터가 놓인 투명 스테이지에 투과시키게 된다. 이 때 투과된 빛을 통하여 보여지는 박막트랜지스터의 하부 층에 형성된 결함을 기판의 상부에 설치된 현미경(43)을 통하여 결함을 볼 수 있도록 하였다.
박막트랜지스터 어레이에 결함 중 리페어가 가능한 결함은 레이져를 통하여 리페어가 이루어진다.
배선간의 쇼트나, 배선과 트랜지스터간의 쇼트, 혹은 화소 전극과 배선과의 쇼트 등을 포함하는 결함들은 적당한 파워를 가지는 레이져를 이용해 리페어가 이루어지면 배선간의 단선이나 혹은 불량 패턴을 형성하는 화소 영역 등을 포함하는 결함들은 웰딩 작업을 통해 단선이 발생된 부분을 적당히 접합시키게 된다.
도 5는 도 4의 리페어 장비를 통해 박막트랜지스터 어레이에 발생된 결함을 리페어한 후, 리페어된 박막트랜지스터 어레이의 등가회로를 나타낸 도면이다.
본 발명에 따른 리페어 장비를 통해 리페어 검사 단계를 마친 박막트랜지스터 어레이에 대하여 도 5에 나타내었다.
점 결함이나 선결함 등을 포함하는 결함들을 가진 박막트랜지스터 어레이는 본 발명에 따른 리페어 장비를 통하여 도 5에 도시된 바와 같이 정상적으로 동작할 수 있도록 리페어 되었다.
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본 발명의 이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 박막트랜지스터 어레이 검사 장비는 패턴 검사 단계와, MPS 단계와, 리뷰와 리페어가 동시에 이루어지는 단계로 이루어진다. 종래의 4 단계의 검사 공정 중 리뷰와 리페어를 하나의 검사 공정으로 통합하여 3 단계의 검사 공정으로 변경함으로써, 리페어 장비의 반사 광원으로는 박막트랜지스터의 불량 발생층을 구별하지 못했던 결함까지 검출 할 수 있으며, 리뷰 단계와 리페어 단계에 각각 1명의 작업자가 필요한데 리페어 장비에 리뷰 기능이 추가되었으므로 공수 절감의 효과를 얻을 수가 있다.
상술한 바와 같이, 종래의 4 단계의 검사 공정 중 리뷰와 리페어를 하나의 검사 공정으로 통합하여 3 단계의 검사 공정으로 변경함으로써, 리페어 장비의 반사 광원으로는 박막트랜지스터의 불량 발생 층을 구별하지 못했던 결함까지 검출 할 수 있으며, 리뷰 단계와 리페어 단계에 각각 1명의 작업자가 필요한데 리페어 장비에 리뷰 기능이 추가되었으므로 공수 절감과 팹(fab)의 공간 활용의 효과를 얻을 수가 있다.

Claims (4)

  1. 완성된 박막트랜지스터 어레이의 결함을 체크하는 검사 장비에 있어서,
    상기 박막트랜지스터 어레이에 광을 조사하고, 상기 박막트랜지스터 어레이에 의해 반사된 광을 통해 상기 조사된 광과 상기 반사된 광 간의 밝기 차이로 상기 박막트랜지스터 어레이의 결함을 구별하여 상기 결함의 위치 좌표를 설정하는 패턴 검사기와,
    상기 박막트랜지스터 어레이에 전기적인 신호를 인가하여 상기 박막트랜지스터의 정상적인 동작을 체크하는 MPS 검사기와,
    상기 패턴 검사기를 통해 검출된 결함의 위치 좌표에 따라 상기 박막트랜지스터 어레이의 하부 층에 형성된 결함을 체크하고, 이 결함의 리페어 가능 여부를 판단하여 리페어하는 리페어장비로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이의 검사 장비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 리페어 장비는 박막트랜지스터 어레이 기판이 로딩(loading)되고 광이 투과되는 투명한 스테이지와, 상기 투명 스테이지 하부에 설치되어 광을 제공하는 투과 광원을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이의 검사 장비.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 리페어 장비는 상기 스테이지의 상측에 구비되어 상기 박막트랜지스터 어레이 하부 층에 형성된 결함을 확인하기 위한 현미경과, 상기 현미경을 통해 검출된 결함을 리페어하기 위한 레이져 장비를 더 포함하는 박막트랜지스터 어레이의 검사 장비.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 패턴 검사기는 상기 박막트랜지스터 어레이에 광을 조사하는 제논 램프를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이의 검사 장비.
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