KR100804858B1 - 에칭방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (22)
- 진공 챔버 내에 플라스마를 발생시키는 플라스마 발생수단과, 상기 진공 챔버 내에 설치된 기판전극과, 상기 기판전극에 고주파 바이어스 전력을 인가하는 고주파 바이어스 전원을 가지며, 상기 기판전극상에 장착한 기판을 에칭하는 에칭장치로서,상기 기판전극에 대향하여 설치되는 부유(浮遊)전극과,상기 부유전극에 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원과,상기 부유전극의 상기 기판전극에 대향한 측에 설치되며, 스퍼터되는 것에 의해 상기 기판상에 에칭 보호막을 형성하는 고체재료와,상기 고체재료를 간헐적으로 스퍼터하기 위해 상기 부유전극에 인가되는 고주파 전력을 제어하는 제어장치를 설치한 것을 특징으로 하는 에칭장치.
- 청구항 1에 있어서,에칭가스를 도입하는 에칭가스 도입수단을 더 가지며,상기 제어장치는 상기 부유전극으로의 고주파 전력의 인가, 상기 기판전극으로의 고주파 바이어스 전력의 인가 및 상기 진공 챔버 내로의 에칭가스의 도입을 예정된 시퀀스로 제어하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
- 청구항 2에 있어서,상기 제어장치는 상기 고체재료가 스퍼터되어 있지 않을 때에 진공 챔버 내에 에칭가스를 도입하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
- 청구항 2에 있어서,상기 제어장치는 상기 고체재료가 스퍼터되어 있지 않을 때 또는 상기 기판전극에 고주파 바이어스 전력이 인가되어 있지 않을 때에 진공 챔버 내에 에칭가스를 도입하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
- 청구항 2에 있어서,상기 제어장치는 상기 고체재료가 스퍼터된 후에, 상기 기판전극에 고주파 바이어스 전력을 인가하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 고주파 전원이 스위치 또는 가변콘덴서를 통해서 상기 부유전극에 접속되고, 또한 상기 고주파 전원은 상기 플라스마 발생수단에 접속되어 상기 플라스마 발생에 병용되며,상기 제어장치는 상기 고체재료의 스퍼터시에 상기 부유전극으로의 고주파 전력을 인가되도록 상기 스위치 또는 상기 가변콘덴서를 제어하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
- 청구항 6에 있어서,상기 제어장치가 상기 고체재료의 스퍼터시와 상기 기판의 에칭시에 상기 고주파 전원의 출력을 변경하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 에칭 보호막을 형성하는 상기 고체재료가 불소수지재, 규소재, 탄소재, 탄화 규소재, 산화 규소재 및 질화 규소재 중 어느 하나의 재료인 것을 특징으로 하는 에칭장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 고체재료가 규소재이며, 에칭가스 및 산소를 연속해서 도입하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 기판이 실리콘인 것을 특징을 하는 에칭장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 기판이 석영인 것을 특징으로 하는 에칭장치.
- 진공 챔버 내에 설치된 기판을 플라스마를 발생시켜서 에칭하는 방법으로서,상기 진공 챔버 내에 에칭가스를 도입하여 상기 기판을 에칭하는 기판 에칭공정과,상기 기판에 대향하여 설치된 고체재료를 스퍼터하여 상기 기판상에 에칭 보호막을 형성하는 에칭 보호막 형성공정과,상기 기판이 설치되어 있는 기판전극에 고주파 바이어스 전력을 인가하여 상기 에칭 보호막의 일부를 에칭하는 에칭 보호막 제거공정을 반복해서 실시하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
- 청구항 12에 있어서,상기 에칭 보호막 형성공정에서는 스퍼터 가스로서 희가스가 사용되는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
- 청구항 12에 있어서,상기 기판 에칭공정에서는 희가스에 에칭가스를 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
- 청구항 12에 있어서,상기 에칭 보호막 제거공정에서는 희가스 또는 희가스와 에칭가스를 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
- 청구항 12에 있어서,상기 기판 에칭공정, 상기 에칭 보호막 형성공정, 상기 에칭 보호막 제거공정의 각각에 있어서는 진공 챔버 내에 일정한 희가스를 도입하고, 상기 기판 에칭공정 또는 상기 기판 에칭공정 및 상기 에칭 보호막 제거공정에 있어서, 희가스에 에칭가스를 첨가하여 혼합가스로서 사용하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
- 청구항 13에 있어서,상기 희가스로서 Ar, Xe, Kr, N2 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
- 청구항 12에 있어서,상기 에칭가스로서 SF6, NF3, F2, SiF4, XeF2 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
- 청구항 12에 있어서,상기 기판 에칭공정이 기판전극에 고주파 바이어스 전력을 인가하지 않고서 행해지는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
- 청구항 12에 있어서,상기 고체재료로서 불소수지재, 규소재, 탄소재 또는 탄화 규소재가 사용되는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
- 청구항 12에 있어서,상기 고체재료가 규소재이며, 상기 에칭 보호막 형성공정에 있어서, 에칭가스 및 산소를 연속해서 도입하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
- 청구항 12에 있어서,상기 기판이 실리콘인 것을 특징으로 하는 에칭방법.
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