JP5065725B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
[実験条件]
・RF1:13.56MHz、3kW
・RF2:12.5MHz、0.5kW
・RF3:12.5MHz、0.5kW
・エッチングガス:SF6+Ar
・エッチング圧力:10Pa
・基板サイズ:8インチ
21 真空槽
23 高周波コイル(第1のプラズマ源)
24 磁気コイル群(磁場形成手段)
25 磁気中性線
26 ステージ
27 真空ポンプ
28 天板
29 ガス導入ノズル(ガス導入手段)
30 基板
33 窓部材(誘電体)
34 RFアンテナ(第2のプラズマ源)
35 ターゲット
36 スイッチ(切替手段)
37 RF電極(第2のプラズマ源)
38 誘電体
41 センサ
RF1 第1の高周波電源
RF2 第2の高周波電源
RF3,RF4 バイアス電源
Claims (7)
- 反応室を形成する真空槽と、
中央部に開口を有し、前記開口に誘電体が設置された、前記真空槽の上部を閉塞する天板と、
前記反応室の周囲に配置され第1の高周波電源に接続された第1のプラズマ源と、
前記反応室に設置され所定のバイアス電源に接続された基板支持用のステージと、
前記反応室へプロセスガスを導入するガス導入手段と、
前記反応室に磁場ゼロの環状磁気中性線を形成する磁場形成手段と、
前記開口に前記誘電体を介して設置され、第2の高周波電源に接続された、前記磁気中性線の径内方位置におけるプラズマ密度が高められるようにプラズマ分布を調整可能な第2のプラズマ源と、
を備えたプラズマ処理装置。 - 前記誘電体は透明材料からなり、前記第2のプラズマ源は、RFアンテナである
請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記誘電体を介して真空槽内部の基板の被処理面を光学的にモニタするセンサを備えた
請求項2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第2のプラズマ源は、RF電極である
請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記天板は、前記第2の高周波電源とは異なる第3の高周波電源に接続されている
請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記天板および前記第2のプラズマ源は、切替手段を介して前記第2の高周波電源に接続されており、前記切替手段は、前記第2の高周波電源に対する前記天板及び前記第2のプラズマ源の接続を選択的に切り替える
請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記天板の前記反応室と対向する側の面には、スパッタ用ターゲットが設置されている
請求項1に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007078860A JP5065725B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007078860A JP5065725B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008243917A JP2008243917A (ja) | 2008-10-09 |
JP5065725B2 true JP5065725B2 (ja) | 2012-11-07 |
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ID=39914937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007078860A Active JP5065725B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5065725B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012142317A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Ulvac Japan Ltd | エッチング装置及びエッチング方法 |
JP5727853B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2015-06-03 | 株式会社アルバック | プラズマ生成方法 |
KR101794088B1 (ko) * | 2012-04-03 | 2017-11-07 | 주식회사 원익아이피에스 | 플라즈마 처리장치 및 기판처리방법 |
KR101649947B1 (ko) * | 2014-07-08 | 2016-08-23 | 피에스케이 주식회사 | 이중 플라즈마 소스를 이용한 플라즈마 생성 장치 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 |
CN107369602B (zh) * | 2016-05-12 | 2019-02-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室及半导体加工设备 |
CN110416053B (zh) * | 2019-07-30 | 2021-03-16 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种电感耦合等离子体处理*** |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0773997A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-03-17 | Kobe Steel Ltd | プラズマcvd装置と該装置を用いたcvd処理方法及び該装置内の洗浄方法 |
JPH07263192A (ja) * | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Ulvac Japan Ltd | エッチング装置 |
JPH09270416A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Sony Corp | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 |
JP3955351B2 (ja) * | 1996-12-27 | 2007-08-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP3940464B2 (ja) * | 1997-05-14 | 2007-07-04 | 株式会社アルバック | 反応性イオンエッチング装置及び方法 |
JP3676919B2 (ja) * | 1997-10-09 | 2005-07-27 | 株式会社アルバック | 反応性イオンエッチング装置 |
JP4474026B2 (ja) * | 2000-07-13 | 2010-06-02 | アルバック成膜株式会社 | 誘導結合プラズマの空間分布制御方法及びこの方法を実施するためのプラズマ発生装置及びエッチング装置 |
JP4171590B2 (ja) * | 2001-05-18 | 2008-10-22 | 株式会社アルバック | エッチング方法 |
JP4796965B2 (ja) * | 2004-07-02 | 2011-10-19 | 株式会社アルバック | エッチング方法及び装置 |
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2007
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008243917A (ja) | 2008-10-09 |
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