KR100801660B1 - 반도체 제조 설비의 압력 밸런스를 조절하기 위한 압력 제어 시스템 및 그 방법 - Google Patents

반도체 제조 설비의 압력 밸런스를 조절하기 위한 압력 제어 시스템 및 그 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 설비의 압력 밸런스를 유지시키는 압력 제어 시스템 및 그 방법에 관한 것이다. 반도체 제조 설비는 이송 로봇을 구비하는 트랜스퍼 영역과, 다수의 처리조들을 구비하는 처리조 영역으로 구성된다. 트랜스퍼 영역과 처리조 영역 상부에는 각각 제 1 및 제 2 클린 유닛을 구비하고, 처리조 영역 하단에는 배기 배관을 이용하여 처리조 영역과 오토 댐퍼를 연결한다. 배기 배관은 압력 게이지를 구비한다. 따라서 본 발명의 압력 제어 시스템은 어느 하나의 처리조에서 약액을 사용하면, 약액의 품(fume)을 배기시키는 배기량을 압력 게이지로 모니터링하고, 제 1 및 제 2 클린 유닛과 오토 댐퍼를 제어하여 트랜스퍼 영역과 처리조 영역의 압력 밸런스를 유지시킨다.
반도체 제조 설비, 세정 설비, 처리조, 퓸, 압력 밸런스 유지, 압력 제어

Description

반도체 제조 설비의 압력 밸런스를 조절하기 위한 압력 제어 시스템 및 그 방법{SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING PRESSURE BALANCE OF EQUIPMENT}
도 1은 종래기술의 실시예에 따른 웨트 스테이션의 구성을 도시한 도면;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨트 스테이션의 구성을 도시한 도면;
도 3은 도 2에 도시된 웨트 스테이션의 A 단면도;
도 4는 도 2에 도시된 웨트 스테이션의 일부 구성을 나타내는 B 단면도; 그리고
도 5는 본 발명에 따른 압력 제어 시스템의 배기 압력을 제어하는 수순을 도시한 흐름도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
100 : 반도체 제조 설비 102 : 로드 포트
104 : 웨이퍼 카세트 106 : 트랜스퍼 유닛
108 : 처리조 영역 110 : 처리 유닛
112 ~ 116 : 처리조 118 : 자동 덮개
120 : 제 1 클린 유닛 122 : 제 2 클린 유닛
124, 136, 138 : 배기 배관 126, 152 : 오토 댐퍼
128 : 배기구 130 : 트랜스퍼 영역
132 : 로봇 영역 134 : 재순환 영역
140 ~ 144 : 개폐 장치 146 : 압력 게이지
150 : 제어부 154 : 구동 장치
156, 158 : 외부 배기 장치
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 약액들을 사용하는 다수의 처리조를 구비하는 웨트 스테이션(wet station)의 압력 밸런스를 유지하기 위한 압력 제어 시스템 및 그 방법에 관한 것이다.
웨트 스테이션은 다양한 약액들을 이용하여 세정, 식각 공정 등을 처리하는 반도체 제조 설비로, 약액을 공급받아서 공정을 처리하는 다수의 처리조들을 구비하여 세정, 습식 식각 등을 처리한다. 따라서 웨트 스테이션에서는 다수의 처리조에서 약액 처리시, 약액으로 인해 설비 내부에 퓸(fume)이 발생되는데, 퓸은 다른 처리조 또는 약액에 영향을 끼치게 되어 공정 사고의 원인이 된다. 따라서 웨트 스테이션은 설비 내부의 퓸을 배기시키는 기술이 중요하다.
도 1을 참조하면, 종래기술의 일 실시예에 따른 웨트 스테이션(10)은 설비 내부에 웨이퍼가 이송되는 트랜스퍼 영역(transfer area)(8)과, 다수의 처리조(14)들이 배치되는 처리조 영역(bath area)(22)으로 나누어진다. 그리고 웨트 스테이션(10)은 트랜스퍼 영역(8) 및 처리조 영역(22) 상부에 하나의 클린 유닛(2)을 구 비하고, 이를 이용하여 트랜스퍼 영역(8) 및 처리조 영역(22)에 존재하는 퓸(fume)을 설비 외부로 배기시킨다.
구체적으로, 트랜스퍼 영역(8)은 하단부에 웨이퍼를 이송하는 이송 로봇(미도시됨)이 배치되는 로봇 영역(6)을 포함하며, 이송 로봇이 상하로 이동하면서 웨이퍼를 처리조(14)로 이송하기 위한 구조로 이루어진다. 처리조 영역(22)은 중앙에 처리조(14)가 구비되며, 처리조(14)는 상부에 처리조(14)를 개폐하는 오토 커버(12)가 구비된다. 또 처리조(14)는 하단 일측에 배기 시스템(16, 18, 24)이 연결된다. 배기 시스템(16, 18, 24)은 처리조 영역(22)에 근접된 재순환 영역(recirculation area)(20)에 구비되며, 처리조 영역(22)에 연결되는 배기 배관(16)과, 배기 배관(16) 일측에 구비되어 배기량을 측정하는 압력 게이지(18)를 포함한다. 배기 배관(16)은 재순환 영역(20) 하단부 즉, 설비 하단부에 구비되는 배기구(24)(예를 들어, 댐퍼 등)에 연결되어 설비 외부의 배기 장치(미도시됨)와 연결된다.
그러므로 이러한 웨트 스테이션(10)은 트랜스퍼 영역(8)과 처리조(22) 영역이 내통하는 상단에 구비되는 하나의 클린 유닛(2)이 배기 시스템(16, 18, 24)과 연동해서 설비 내부 즉, 트랜스퍼 영역(8) 및 처리조 영역(22)의 내부 공기의 유속(Va, Vd, Vc)을 조절하여 약액에 의한 퓸을 외부로 배기시킨다.
이 때, 웨트 스테이션(10)은 공정 처리시, 하나의 클린 유닛(2)으로 유속(Va)을 조절함에 따라 트랜스퍼 영역(8)의 압력(P2)이 처리조 영역(22)의 압력(P3)보다 작아지는 현상이 발생되어 압력 밸런스가 유지하지 못하게 되고, 그 결과 처리조 영역(22)의 퓸이 트랜스퍼 영역(8)을 통하여 설비 외부로 방출하게 된다. 또 처리조 영역(22) 내부의 압력(P3)가 증가되면, 배기 시스템(16, 18, 24)을 통하여 퓸이 충분히 배기되지 못하므로 다른 처리조 및 그의 처리조 영역들로 방출되어 공정 불량이 발생되는 원인이 된다.
따라서 이러한 웨트 스테이션(10)은 하나의 클린 유닛(2)을 이용함으로써, 공정 처리시 처리조 영역(22) 내의 압력 밸런스가 유지되지 않는 현상이 발생되어 설비 외부로 품이 방출되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 반도체 제조 설비의 압력 밸런스를 유지시키는 압력 제어 시스템 및 그 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 반도체 제조 설비의 약액 처리시 발생되는 배기 유량을 조절하기 위한 압력 제어 시스템 및 그 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적들을 달성하기 위한, 반도체 제조 설비의 압력 제어 시스템은 약액 처리시, 트랜스퍼 영역과 처리조 영역의 압력 밸런스를 유지하도록 제어하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 압력 제어 시스템은 약액 처리시 압력 밸런스를 유지시킴으로써, 약액의 퓸을 외부로 방출되는 현상을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 압력 제어 시스템은, 웨이퍼가 이송되는 트랜스퍼 영역 상부에 구비되어, 상기 트랜스퍼 영역의 유속을 조절하는 제 1 클린 유닛과; 상기 트랜스퍼 영역으로부터 웨이퍼를 받아서 공정을 처리하는 다수의 처리조들을 갖는 처리조 영역 상부에 구비되어, 상기 처리조 영역의 유속을 조절하는 제 2 클린 유닛과; 상기 처리조 영역의 일측에 구비되고, 상기 제 1 및 상기 제 2 클린 유닛의 구동에 대응하여 상기 트랜스퍼 영역 및 상기 처리조 영역의 내부 공기를 외부로 배기시키는 배기 시스템 및; 상기 제 1 및 상기 제 2 클린 유닛과, 상기 배기 시스템을 제어하여 상기 트랜스퍼 영역과 상기 처리조 영역의 내부 공기의 압력 밸런스를 유지하도록 조절하는 제어부를 포함한다.
한 실시예에 있어서, 상기 처리조 영역은 상기 다수의 처리조들 중 약액을 이용하는 처리조를 포함하는 상기 반도체 제조 설비의 내부 영역이다.
다른 실시예에 있어서, 상기 배기 시스템은; 일측이 상기 처리조 영역에 연결되는 배기 배관과; 상기 배기 배관의 배기량을 측정하는 압력 게이지 및; 상기 배기 배관 타측에 연결되어 상기 배기 배관의 배기량을 조절하도록 온 오프되는 오토 댐퍼를 포함한다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 압력 제어 시스템은; 상기 제어부로부터 제어를 받아서 상기 오토 댐퍼의 개폐율을 조절하는 구동 장치를 더 포함한다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 제어부는 상기 압력 게이지로부터 배기량을 모니터링하여 상기 제 1 및 상기 제 2 클린 유닛과, 상기 오토 댐퍼를 제어한다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 오토 댐퍼는 상기 반도체 제조 설비의 외부로 배기시키는 배기 장치에 연결된다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 이송 로봇을 구비하는 트랜스퍼 영역과 다수의 처리조를 구비하는 처리조 영역 각각의 상부에 구비되어 상기 트랜스퍼 영역 및 상기 처리조 영역의 유속을 조절하는 제 1 및 제 2 클린 유닛과, 상기 처리조 영역에 연결되는 배기 배관에 구비되어 배기량을 조절하는 오토 댐퍼를 포함하는 반도 체 제조 설비의 압력 제어 방법이 제공된다. 이 방법에 의하면, 상기 처리조들 중 적어도 하나에서 공정 진행을 위해 약액 처리 중인지를 판별한다. 판별 결과, 약액 처리 중이면, 상기 처리조 영역 상부에 구비되는 상기 제 2 클린 유닛의 유속을 증가시켜서 상기 처리조 영역의 압력을 증가시킨다. 이어서 상기 오토 댐퍼를 온 시켜서 상기 배기 배관의 배기량을 증가시켜서 상기 반도체 제조 설비의 내부의 트랜스퍼 영역과 처리조 영역의 압력을 동일하게 하여 밸기 밸런스를 유지시킨다.
한 실시예에 있어서, 상기 판별 결과, 약액을 이용하고 있지 않으면 상기 제 1 및 상기 제 2 클린 유닛의 유속을 동일하게 유지시키고 동시에 상기 오토 댐퍼를 오프시켜서 자연 배기 상태를 유지한다.
본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
이하 첨부된 도 2 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 개략적인 구성을 도시한 사시도이다. 그리고 도 3 및 도 4는 도 2에 도시된 반도체 제조 설비의 A 단면도 및 B 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 반도체 제조 설비(100)는 복수 개의 웨이퍼 카세트(104)가 로딩, 언로딩되는 로드 포트(102)와, 로드 포트(102)로부터 웨이퍼를 받아서 처리 유닛으로 이송하는 트랜스퍼 유닛(106) 및, 트랜스퍼 유닛(106)으로부터 이송된 웨이퍼를 공정 처리하는 처리 유닛(110)을 포함한다.
트랜스퍼 유닛(106)은 내부에 트랜스퍼 영역(도 3의 130)과, 이송 로봇(미도시됨)이 이동하는 로봇 영역(도 3의 132)을 구비한다.
처리 유닛(110)은 예를 들어, 세정, 린스 및 건조 등의 세정 공정을 처리하기 위해 다양한 약액들을 이용하는 다수의 처리조(112 ~ 116)들을 포함한다. 그리고 처리 유닛(110)은 내부 공간이 처리조 영역(도 3의 108)과 재순환 영역(도 3의 134)으로 나누어진다.
구체적으로 도 3을 참조하면, 반도체 제조 설비(100)는 세정 공정을 처리하는 웨트 스테이션으로, 설비 내부에 웨이퍼가 이송되는 트랜스퍼 영역(transfer area)(130)과, 다수의 처리조(114)들이 배치되는 처리조 영역(bath area)(108)으로 나누어진다. 그리고 웨트 스테이션(100)은 트랜스퍼 영역(130) 및 처리조 영역(108)의 각각의 상부에 제 1 및 제 2 클린 유닛(120, 122)을 구비하고, 이를 이용하여 트랜스퍼 영역(130) 및 처리조 영역(108)에 존재하는 퓸(fume)을 설비 외부로 배기시킨다.
구체적으로, 트랜스퍼 유닛(106)은 하단부에 웨이퍼를 이송하는 이송 로봇(미도시됨)이 배치되는 로봇 영역(132)과 트랜스퍼 영역(130)을 포함하며, 이송 로봇이 상하로 이동하면서 웨이퍼를 처리조(114)로 이송하기 위한 구조로 이루어진다. 처리조 영역(108)은 중앙에 처리조(114)가 구비되며, 처리조 영역(108) 하단에 배기 시스템(124 ~ 128)이 연결된다. 배기 시스템(124 ~ 128)은 처리조 영역(108)에 근접된 재순환 영역(recirculation area)(134)에 구비되며, 처리조 영역(108)에 연결되는 배기 배관(124)과, 배기 배관(124) 일측에 구비되어 배기량을 측정하는 압력 게이지(도 4의 146)를 포함한다. 배기 배관(124)은 재순환 영역(134) 하단부 즉, 설비 하단부에 구비되는 오포 댐퍼(126)에 연결되어 설비 외부의 배기 장치(도 4의 156, 158)와 연결된다.
그러므로 이러한 웨트 스테이션(100)은 트랜스퍼 영역(130)과 처리조(108) 영역이 내통하는 상단에 각각 구비되는 제 1 및 제 2 클린 유닛(120, 122)들이 배기 시스템(124 ~ 128)과 연동해서 설비 내부 즉, 트랜스퍼 영역(130) 및 처리조 영역(108)의 내부 공기의 유속을 조절하여 약액에 의한 퓸을 외부로 배기시킨다.
따라서 본 발명의 반도체 제조 설비(100)는 트랜스퍼 영역(130) 상부에 제 1 클린 유닛(120)을 구비하고, 처리조 영역(108) 상부에는 제 2 클린 유닛(122)을 구비하여 반도체 제조 설비(100)의 내부 공기의 유속을 독립적으로 조절한다. 또 반도체 제조 설비(100)는 처리조 영역(108)에 연결된 배기 시스템(124 ~ 128)을 구비하고, 공정 진행에 따라 처리조 영역(108)의 배기량을 조절한다. 따라서, 반도체 제조 설비(100)는 공정 진행과 연동되어 제 1 및 제 2 클린 유닛(120, 122)들과 배기 시스템(124 ~ 128)을 이용하여 처리조 영역(108)의 압력(P3)이 트랜스퍼 영역(130)의 압력(P2)보다 항상 낮게 유지되도록 조절한다.
반도체 제조 설비(100)는 평상시에는 제 1 및 제 2 클린 유닛(120, 122)의 유속을 동일하게 유지시키고, 오토 댐퍼(126)를 오프(off) 상태로 제어하여 자연 배기 상태를 유지한다. 그러나 반도체 제조 설비(100)는 공정 진행에 따른 약액 처리시, 처리조 영역(108)의 압력(P3)을 증가시키고 처리조 영역(108)에 대응되는 제 2 클린 유닛(122)의 유속(Va2)을 증가시킨다. 이어서 오토 댐퍼(126)를 온(on) 상태로 제어하여 배기량을 증가시키고 반도체 제조 설비(100) 내부의 압력 밸런스를 유지하여 공정 불량을 최소화한다.
이를 위해 반도체 제조 설비(100)는 트랜스퍼 영역(130)의 압력(P2)을 처리조 영역(108)의 압력(P3)보다 높게 제어하여 배기 시스템(124 ~ 128)을 통하여 약액들의 품을 외부(즉, 설비 외부의 배기 시스템)로 배기시킨다.
따라서 반도체 제조 설비(100)는 약액 처리시 배기량을 증가시킴으로써, 과다한 배기량의 증가로 인하여 발생되는 타 처리조의 공정 불량을 방지한다.
도 4를 참조하면, 웨트 스테이션(100)은 세정 공정을 처리하기 위하여, 다수의 처리조(112 ~ 116)들 예를 들어, 트랜스퍼 유닛(106)으로부터 처리조(114)로 웨이퍼를 이송하기 위해 임시로 받아들이는 버퍼(112)와, 웨이퍼 세정을 위해 약액을 사용하는 세정조(114) 및, 세정된 웨이퍼를 순수를 이용하여 린스하는 린스조(116)가 연속적으로 구비된다. 그리고 각각의 처리조(112 ~ 116) 하부에는 배기 배관(136, 124, 138)이 연결된다. 각 배기 배관(136, 124, 138)들은 내부에 개폐 장치(140 ~ 144)가 구비되며, 특히 세정조(114) 하부의 배기 배관(124)에는 압력 게이지(146)가 연결된다.
즉, 배기 시스템(136, 124, 138, 140 ~ 146)은 일측이 각 처리조 하단부에 연결되는 배기 배관들(136, 124, 138)과, 배기 배관(136, 124, 138)들 각각을 개폐 하는 개폐 장치(140 ~ 144)와, 처리조 중 약액을 사용하는 처리조(예를 들어, 세정조)(114)에 연결된 배기 배관(124)에 연결되는 압력 게이지(146) 및, 배기 배관(136, 124, 138)들의 타측에 구비되어 배기 배관(136, 124, 138)의 개폐량을 조절하는 오토 댐퍼(152)를 포함한다. 오토 댐퍼(152)는 제어부(150)의 제어(CONTROL_P)를 받아서 온, 오프시키는 구동 장치(154)(예를 들어, 모터)와 전기적으로 연결된다. 또 각 배기 배관(136, 124, 138)들은 타측이 웨트 스테이션(100)의 하단에 구비된 배기구(156, 158)를 통하여 외부 배기 장치(미도시됨)와 연결된다.
그리고 제어부(150)는 공정 처리시, 압력 게이지(146)를 모니터링(MORNITOR)하여 처리조 영역(108)으로부터 배기되는 배기량을 판별하고, 판별 결과에 대응하여 제 1 및 제 2 클린 유닛들(120, 122)과, 구동 장치(154)를 제어(CONTROL, CONTROL_P)한다.
따라서 제어부(150)는 제 1 및 제 2 클린 유닛(120, 122)을 통해 트랜스퍼 유닛(106) 및 처리조 유닛(110)의 압력 밸런스를 유지함으로써, 유동 흐름을 개선하고 처리조 영역(108)의 유속(Va2)을 조절하여 배기 시스템(136, 124, 138)을 통하여 퓸이 배기시키며, 약액을 이용하는 처리조 영역(108) 내부의 퓸이 다른 처리조 및 트랜스퍼 영역(130)을 통해 외부로 누출되는 것을 방지한다.
계속해서 도 5는 본 발명에 따른 압력 밸런스 유지를 위한 반도체 제조 설비의 제어 수순을 나타내는 흐름도이다. 이 수순은 제어부(150)가 처리하는 프로그램으로 제어부(150)의 메모리(미도시됨)에 저장된다.
도 5를 참조하면, 단계 S170에서 하나의 처리조에서 공정 진행을 위해 약액 처리 중인지를 판별한다. 판별 결과, 약액을 이용하고 있지 않으면 이 수순은 단계 S190으로 진행하여 제 1 및 제 2 클린 유닛(120, 122)의 유속을 동일하게 유지시키고 동시에 오토 댐퍼(152)를 오프시켜서 자연 배기 상태를 유지시킨다.
판별 결과, 약액을 이용하고 있으면, 단계 S172에서 트랜스퍼 영역의 압력을 상기 처리조 영역의 압력 보다 높게 조절하고, 해당 처리조의 처리조 영역(108)의 압력(P3)을 증가시킨다. 단계 S174에서 처리조 영역(108)의 제 2 클린 유닛(122)의 유속을 증가시킨다.
단계 S176에서 구동 장치(즉, 모터)(154)로 펄스 신호(CONTROL_P)를 출력하여 오토 댐퍼(152)를 온 시킨다. 그 결과, 단계 S178에서 배기 유량이 증가되고 단계 S180에서 설비 내부의 트랜스퍼 영역(130)과 처리조 영역(108)의 내부 공기의 압력을 조절하여 처리조 영역으로부터 트랜스퍼 영역으로 약액의 퓸이 배기되는 것을 방지하도록 트랜스퍼 영역과 처리조 영역의 압력 밸런스를 유지시킨다.
이상에서, 본 발명에 따른 설비 내부의 서로 다른 영역들에 대한 압력 밸런스를 유지시키는 반도체 제조 설비의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 제조 설비는 처리조에서 약액을 사용하는 경우 발생되는 퓸을 안정적으로 배기시키기 위하여, 트랜스퍼 영역과 처리조 영역 상부에 각각의 클린 유닛을 구비하고, 배기량을 모니터링하여 트랜스퍼 영역과 처리조 영역의 압력 밸런스를 유지시킴으로써, 설비 외부로 방출되는 약액의 퓸을 최소화한다.
또 각각이 클린 유닛들을 이용하여 트랜스퍼 영역과 처리조 영역의 압력 밸런스를 유지시킴으로써, 처리조 영역에 잔류하는 퓸을 제거하여 공정 불량을 최소화할 수 있다.

Claims (8)

  1. 반도체 제조 설비의 압력 제어 시스템에 있어서:
    웨이퍼가 이송되는 트랜스퍼 영역 상부에 구비되어, 상기 트랜스퍼 영역의 내부 공기의 유속을 조절하는 제 1 클린 유닛과;
    상기 트랜스퍼 영역으로부터 웨이퍼를 받아들이고 약액을 공급받아서 공정을 처리하는 다수의 처리조들을 갖는 처리조 영역 상부에 구비되어, 상기 처리조 영역의 내부 공기의 유속을 조절하는 제 2 클린 유닛과;
    상기 처리조 영역의 일측에 구비되고, 상기 제 1 및 상기 제 2 클린 유닛의 구동에 대응하여 상기 트랜스퍼 영역 및 상기 처리조 영역의 내부 공기를 외부로 배기시키는 배기 시스템 및;
    상기 제 1 및 상기 제 2 클린 유닛과, 상기 배기 시스템을 제어하여 상기 처리조 중 어느 하나가 약액을 사용하는 경우, 상기 트랜스퍼 영역의 압력을 상기 처리조 영역의 압력보다 높게 되도록 상기 트랜스퍼 영역과 상기 처리조 영역의 내부 공기의 유속을 독립적으로 조절하여 상기 배기 시스템을 통해 퓸을 배기시키는 제어부를 포함하는 반도체 제조 설비의 압력 제어 시스템.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기 시스템은;
    일측이 상기 처리조 영역에 연결되는 배기 배관과;
    상기 배기 배관의 배기량을 측정하는 압력 게이지 및;
    상기 배기 배관 타측에 연결되어 상기 제어부의 제어를 받아서 상기 배기 배관의 배기량을 조절하도록 온 오프되는 오토 댐퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 압력 제어 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 압력 제어 시스템은;
    상기 제어부로부터 제어를 받아서 상기 오토 댐퍼의 개폐율을 조절하는 구동 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 압력 제어 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 압력 게이지로부터 배기량을 모니터링하여 상기 제 1 및 상기 제 2 클린 유닛과, 상기 오토 댐퍼를 제어하되;
    상기 제어부는 상기 트랜스퍼 영역의 압력을 상기 처리조 영역의 압력보다 높게 되도록 상기 제 1 및 상기 제 2 클린 유닛의 유속을 조절하고, 동시에 상기 오토 댐버를 온시켜서 상기 배기 배관의 배기량을 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 압력 제어 시스템.
  6. 삭제
  7. 이송 로봇이 배치되는 트랜스퍼 영역과 복수 개의 처리조들이 배치되는 처리조 영역 각각의 상부에 구비되어 상기 트랜스퍼 영역 및 상기 처리조 영역으로 공급되는 공기의 유속을 조절하는 제 1 및 제 2 클린 유닛과, 상기 처리조 영역에 연결되는 배기 배관에 구비되어 상기 처리조 영역으로부터 배기되는 공기의 배기량을 조절하는 오토 댐퍼를 포함하는 반도체 제조 설비의 압력 제어 방법에 있어서:
    상기 처리조들 중 적어도 하나에서 공정 진행을 위해 약액 처리 중인지를 판별하고;
    판별 결과, 약액 처리 중이면, 상기 트랜스퍼 영역의 압력을 상기 처리조 영역의 압력 보다 높게 조절하고, 상기 제 2 클린 유닛으로부터 공기의 유속을 증가시켜서 상기 처리조 영역의 압력을 증가시키고; 이어서
    상기 오토 댐퍼를 온 시켜서 상기 배기 배관의 배기량을 증가시켜서 상기 처리조 영역으로부터 상기 트랜스퍼 영역으로 약액의 퓸이 배기되는 것을 방지하도록 상기 트랜스퍼 영역과 상기 처리조 영역의 압력 밸런스를 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 압력 제어 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 판별 결과, 약액 처리 중이 아니면, 상기 제 1 및 상기 제 2 클린 유닛으로부터 공기의 유속을 동일하게 유지시키고 동시에 상기 오토 댐퍼를 오프시켜서 자연 배기 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 압력 제어 방법.
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