KR100805558B1 - 마그네틱 코어에 결합된 다중 방전 튜브를 구비한 유도 결합 플라즈마 소스 - Google Patents

마그네틱 코어에 결합된 다중 방전 튜브를 구비한 유도 결합 플라즈마 소스 Download PDF

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Abstract

마그네틱 코어에 결합된 다중 방전 튜브를 구비한 유도 결합 플라즈마 소스가 게시된다. 플라즈마 반응기는 각기 독립된 플라즈마 방전실을 갖는 두 개의 플라즈마 방전 튜브를 구비한다. 플라즈마 방전 튜브에 플라즈마 방전을 위한 유도 결합 에너지를 제공하기 위하여 변압기가 장착된다. 변압기는 하나의 폐쇄된 루프를 형성하는 환형의 마그네틱 코어와 이에 감겨진 일차 권선을 구비한다. 마그네틱 코어는 플라즈마 방전 튜브의 중심부를 관통하도록 결합된다. 플라즈마 방전 튜브는 중공의 원통형 구조 갖고, 상단으로 공통된 가스 입구와 하단으로 공통된 가스 출구를 갖는다. 플라즈마 방전실의 내부에 대부분의 마그네틱 코어 횡단 부분이 위치하게 되어 플라즈마에 결합되는 유도 결합 에너지의 전달 효율이 매우 높다. 그럼으로 플라즈마를 안정적으로 유지할 수 있을 뿐만 아니라 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있다. 또한 반복적인 확장 구조를 갖고 있어서 넓은 볼륨을 갖는 플라즈마 프로세스에서 대면적의 플라즈마를 넓고 균일하게 제공하기 위한 경우 매우 유용하게 사용될 수 있다.
유도 결합 플라즈마, 플라즈마 처리, 활성 가스

Description

마그네틱 코어에 결합된 다중 방전 튜브를 구비한 유도 결합 플라즈마 소스{INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE HAVING MULTI DISCHARGING TUBE COUPLED WITH MAGNETIC CORE}
본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시도이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 플라즈마 반응기의 수직 단면도 및 수평 단면도이다.
도 3은 플라즈마 반응기의 점화 회로 구성을 보여주는 도면이다.
도 4는 플라즈마 반응기가 프로세스 챔버에 탑재된 예를 보여주는 도면이다.
도 5 내지 도 9는 플라즈마 반응기의 다양한 변형들을 보여주는 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10: 플라즈마 반응기 20: 플라즈마 방전 튜브
30: 변압기 31: 마그네틱 코어
32: 일차 권선 33: 전원 공급원
50: 프로세스 챔버 60: 무선 주파수 발생기
본 발명은 플라즈마 방전에 의하여 이온, 자유 래디컬, 원자 및 분자를 포함하는 활성 가스를 발생 시기고 활성 가스로 고체, 분말, 가스 등의 플라즈마 처리를 하기 위한 플라즈마 소스에 관한 것으로, 구체적으로는 마그네틱 코어에 결합된 다중 방전 튜브를 구비한 유도 결합 플라즈마 소스에 관한 것이다.
플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 대표적으로 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각, 증착, 세정 등 다양하게 사용되고 있다.
최근, 반도체 장치의 제조를 위한 웨이퍼나 LCD 글라스 기판은 더욱 대형화 되어 가고 있다. 그럼으로 플라즈마 이온 에너지에 대한 제어 능력이 높고, 대면적의 처리 능력을 갖는 확장성이 용이한 플라즈마 소스가 요구되고 있다.
플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 소스는 여러 가지가 있는데 무선 주파수(radio frequency)를 사용한 용량 결합 플라즈마와 유도 결합 플라즈마가 그 대표적인 예이다. 그중 유도 결합 플라즈마 소스는 무선 주파수 전원의 증가에 따라 이온 밀도를 비교적 용이하게 증가시킬 수 있어서 고밀도 플라즈마를 얻기에 적합한 것으로 알려져 있다.
그러나 유도 결합 플라즈마 방식은 공급되는 에너지에 비하여 플라즈마에 결합되는 에너지가 낮아서 매우 고전압의 구동 코일을 사용하고 있다. 그럼으로 이 온 에너지가 높아서 플라즈마 반응기의 내부 표면이 이온 충격(ion bombardment)에 의해 손상되는 경우가 발생된다. 이온 충격에 의한 플라즈마 반응기의 내부 표면 손상은 플라즈마 반응기의 수명을 단축하는 것뿐만 아니라 플라즈마 처리 오염원으로 작용하는 부정적인 결과를 얻게 된다. 이온 에너지를 낮추려는 경우에는 플라즈마에 결합되는 에너지가 낮아서 잦은 플라즈마 방전이 오프 되는 경우가 발생하게 된다. 그럼으로 안정적인 플라즈마 유지가 어렵게 되는 문제점이 발생한다.
한편, 반도체 제조 공정에서 플라즈마를 이용한 공정에서 원격 플라즈마의 사용은 매우 유용한 것으로 알려져 있다. 예를 들어, 공정 챔버의 세정이나 포토레지스트 스트립을 위한 에싱 공정에서 유용하게 사용되고 있다. 그런데 피처리 기판의 대형화에 따라 공정 챔버의 볼륨도 증가되고 있어서 고밀도의 활성 가스를 충분히 원격으로 공급할 수 있는 플라즈마 소스가 요구되고 있다. 게다가 다수의 기판을 동시에 처리하는 다중 처리 챔버의 경우에는 더욱 그러하다.
따라서 본 발명은 플라즈마에 결합되는 유도 결합 에너지의 전달 효율을 높이여 플라즈마를 안정적으로 유지할 수 있고 고밀도의 플라즈마를 안정적으로 얻을 수 있는 마그네틱 코어에 결합된 다중 방전 튜브를 구비한 유도 결합 플라즈마 소스를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 유도 결합 플라즈마 소스에 관한 것이다. 본 발명의 유도 결합 플라즈마 소스는: 마그네틱 코어와 일 차 권선을 갖는 변압기; 마그네틱 코어가 중심부를 관통하도록 결합되며 각기 독립된 방전 공간을 갖도록 분리된 다수개의 플라즈마 방전 튜브; 플라즈마 방전 튜브를 관통하는 마그네틱 코어 부분을 감싸는 코어 보호 튜브; 일차 권선에 전기적으로 연결되는 전원 공급원을 포함하며, 전원 공급원에 의해 일차 권선의 전류가 구동되고, 일차 권선의 구동 전류는 변압기의 이차 회로를 완성하는 유도 결합된 플라즈마를 형성하는 플라즈마 방전 튜브 내측의 AC 전위를 유도하며, 유도 결합된 플라즈마는 플라즈마 방전실을 관통하는 마그네틱 코어 부분을 중심으로 하여 코어 보호 튜브의 외측을 감싸도록 플라즈마 방전 튜브에 형성된다.
일 실시예에 있어서, 플라즈마 방전 튜브로 가스를 주입하기 위한 가스 입구와 플라즈마 방전 튜브에서 발생된 플라즈마 가스를 배출하기 위한 가스 출구를 구비하고, 가스 입구와 가스 출구 사이에 다수개의 플라즈마 방전 튜브가 병렬 또는 직렬로 연결된다.
일 실시예에 있어서, 마그네틱 코어에 권선되는 점화용 유도 코일과 점화용 유도 코일에 전기적으로 연결되며 플라즈마 방전 튜브에 설치되는 점화용 전극을 갖는 점화 회로를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 코어 보호 튜브는 유전체 물질을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 코어 보호 튜브는 금속 물질을 포함하고, 금속 물질은 에디 전류를 최소화하기 위하여 금속 물질 내에서 전기적 불연속성을 갖도록 하는 하나 이상의 전기적 절연 영역을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 플라즈마 방전 튜브는 금속 물질을 포함하고, 금속 물 질은 에디 전류를 최소화하기 위하여 금속 물질 내에서 전기적 불연속성을 갖도록 하는 하나 이상의 전기적 절연 영역을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 코어 보호 튜브의 내측으로 설치되는 냉각수 공급 채널을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 마그네틱 코어의 중심부를 통해서 형성되는 냉각수 공급 채널을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 둘 이상의 분리된 다중 가스 출구를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 전원 공급원과 일차 권선 사이에 구성되어 임피던스 정합을 수행하는 임피던스 정합 회로를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 전원 공급원은 조정 가능한 정합 회로 없이 동작한다.
일 실시예에 있어서, 플라즈마 방전 튜브에서 발생된 플라즈마 가스를 제공받아 수용하는 프로세스 챔버를 더 포함한다.
일 실시예에 있어서, 발생기 몸체는 프로세스 챔버에 탑재 가능한 구조를 갖고, 전원 공급원은 발생기 몸체와 물리적으로 분리된 구조를 가고, 전원 공급원과 발생기 몸체는 연결 케이블로 원격으로 연결된다.
일 실시예에 있어서, 플라즈마 방전 튜브로 유입되는 가스는 불활성 가스, 반응 가스, 불활성 가스와 반응 가스의 혼합 가스를 포함하는 그룹으로부터 선택된다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시예에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의하여야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
(실시예)
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명의 마그네틱 코어에 결합된 다중 방전 튜브를 구비한 유도 결합 플라즈마 소스를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 사시도이다.
도 1을 참조하여, 플라즈마 반응기(10)는 각기 독립된 플라즈마 방전실(24)(도 2 참조)을 갖는 두 개의 플라즈마 방전 튜브(20)를 구비한다. 플라즈마 방전 튜브(20)에 플라즈마 방전을 위한 유도 결합 에너지를 제공하기 위하여 변압기(30)가 장착된다. 변압기(30)는 하나의 폐쇄된 루프를 형성하는 환형의 마그네틱 코어(31)와 이에 감겨진 일차 권선(32)을 구비한다. 마그네틱 코어(31)는 플라즈마 방전 튜브(20)의 중심부를 관통하도록 결합된다. 플라즈마 방전 튜브(20)는 중공의 원통형 구조 갖고, 상단으로 공통된 가스 입구(21)와 하단으로 공통된 가스 출구(22)를 갖는다.
플라즈마 방전 튜브(20)는 금속 물질 예를 들어, 알루미늄, 스테인리스, 구리와 같은 금속물질로 재작된다. 또는 코팅된 금속 예를 들어, 양극 처리된 알루 미늄이나 니켈 도금된 알루미늄으로 재작될 수 있다. 또는 내화 금속(refractory metal)로 재작될 수 있다. 또 다른 대안으로 플라즈마 방전 튜브(20)는 석영, 세라믹과 같은 절연물질로 재작하는 것도 가능하며, 의도된 플라즈마 프로세스가 수행되기에 적합한 다른 물질로도 재작될 수 있다. 플라즈마 방전 튜브(20)가 금속 물질을 포함하는 경우에는 에디 전류를 최소화하기 위하여 금속 물질 내에서 전기적 불연속성을 갖도록 하는 하나 이상의 전기적 절연 영역(26)을 포함한다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 플라즈마 반응기의 수직 단면도 및 수평 단면도이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하여, 플라즈마 방전 튜브(20)를 관통하는 마그네틱 코어 부분은 코어 보호 튜브(23)에 의해 감싸져 보호된다. 코어 보호 튜브(23)와 플라즈마 방전 튜브(20)가 접촉되는 부분은 적절한 진공 절연 부재(미도시)에 의해 진공 절연된다. 코어 보호 튜브(23)는 석영, 세라믹과 같은 유전체 물질로 재작된다. 다른 대안으로 코어 보호 튜브(23)는 상술한 바와 같이, 코어 보호 튜브(23)와 동일한 금속물질로 제작될 수 있는데 이 경우에는 에디 전류를 방지하기 위하여 전기적 불연속성을 갖도록 하나 이상의 전기적 절연 영역(미도시)을 포함한다.
코어 보호 튜브(23)의 내측으로는 마그네틱 코어(31)를 감싸면서 냉각수 공급 채널을 형성하기 위한 냉각수 공급관(34)이 장착된다. 다른 대안으로는 마그네틱 코어(31)의 중심부를 관통하여 냉각수 공급 채널을 형성 할 수 도 있다. 또는 냉각수 공급관(34)과 마그네틱 코어(31)의 중심부에 모두 냉각수 공급 채널을 형성할 수도 있다. 또는 플라즈마 방전 튜브(20)의 외측을 감싸도록 냉각수 채널을 형 성하는 것도 가능하다.
전원 공급원(33)은 별도의 임피던스 정합기 없이 출력 전압의 제어가 가능한 RF 전원 공급원을 사용하여 구성된다. 다른 대안으로는 별도의 임피던스 정합기를 구성하여 구성하는 RF 전원 공급원을 사용하여 구성할 수 있다.
일차 권선(32)은 무선 주파수 전력을 공급하는 전원 공급원(33)에 전기적으로 연결된다. 전원 공급원(33)에 의해 일차 권선(32)의 전류가 구동된다. 일차 권선(32)의 구동 전류는 변압기(30)의 이차 회로를 완성하는 유도 결합된 플라즈마(35)를 형성하는 플라즈마 방전 튜브(20) 내측의 AC 전위(AC potential)를 유도한다. 그럼으로 유도 결합된 플라즈마(35)는 플라즈마 방전실(24)을 관통하는 마그네틱 코어 부분을 중심으로 하여 코어 보호 튜브(34)의 외측을 감싸도록 두 개의 플라즈마 방전 튜브(20)의 내부에 각기 독립적으로 형성된다.
플라즈마 방전실(24)로 유입되는 가스는 불활성 가스, 반응 가스, 불활성 가스와 반응 가스의 혼합 가스를 포함하는 그룹으로부터 선택된다. 또는 기타 플라즈마 프로세스에 적합한 다른 가스들이 선택될 수 있다.
도 3은 플라즈마 반응기의 점화 회로 구성을 보여주는 도면이다.
도 3을 참조하여, 플라즈마 방전 튜브(20)의 내부 플라즈마 방전실(24)에는 각기 점화 전극(42)이 구성된다. 점화 전극(42)은 마그네틱 코어(31)에 권선되는 점화용 유도 코일(40)에 전기적으로 연결된다. 플라즈마 방전 초기에 전원 공급원(33)으로부터 일차 권선(32)으로 고전압 펄스가 인가되면 점화용 유도 코일(40)에 고전압이 유도되어 점화 전극(42) 사이에 방전이 이루어져 플라즈마 점화가 이루어 진다. 점화 단계 이후에는 점화 전극(42)과 점화용 유도 코일(40)의 전기적 연결을 차단하여 전극으로 기능하지 않도록 할 수 있다. 또는 점화 단계 이후에도 점화 전극(42)의 전기적 연결을 차단하지 않고 유지하도록 할 수도 있다.
이상과 같은 본 발명의 유도 결합 플라즈마 소스는 플라즈마 반응기(10)가 두 개의 플라즈마 방전 튜브(20)로 분리되어 구성되며, 그 내부의 플라즈마 방전실(24)에 마그네틱 코어(31) 대부분이 위치하게 되어 플라즈마에 결합되는 유도 결합 에너지의 전달 효율이 매우 높다. 또한, 상술한 플라즈마 반응기(10)의 구조는 후술되는 변형들과 같이 다양한 형태로 확장이 용이한 구조를 갖는다. 그럼으로 대형의 피처리 작업물을 처리하기 위해서 제공되는 넓은 볼륨의 플라즈마 처리 챔버에 적합하다. 또는 여러 장의 피처리 기판을 동시에 처리하기 위한 플라즈마 처리 챔버에도 적합하다.
도 4는 플라즈마 반응기가 프로세스 챔버에 탑재된 예를 보여주는 도면이다.
도 4를 참조하여, 플라즈마 반응기(10)는 프로세스 챔버(50)에 장착되어 원격으로 프로세스 챔버(50)로 플라즈마를 공급한다. 예를 들어, 프로세스 챔버(50)의 천정 외측에 장착될 수 있다. 플라즈마 반응기(10)는 전원 공급원인 무선 주파수 발생기(60)로부터 무선 주파수를 제공받고, 가스 공급 시스템(미도시)에 의해 가스를 공급받아 활성 가스를 발생한다.
프로세스 챔버(50)는 플라즈마 반응기(10)에서 발생된 활성 가스를 수용하여 소정의 플라즈마 처리를 수행한다. 프로세스 챔버(50)는 예를 들어, 증착 공정을 수행하는 증착 챔버이거나, 식각 공정을 수행하는 식각 챔버 일 수 있다. 또는 포 토레지스트를 스트립핑하기 위한 에싱 챔버일 수 있다. 이외에도 다양한 반도체 제조 공정을 수행하기 위한 플라즈마 프로세싱 챔버일 수 있다.
특별히, 플라즈마 반응기(10)와 무선 주파수를 공급하는 전원 공급원인 무선 주파수 발생기(60)는 분리된 구조를 갖는다. 즉, 플라즈마 반응기(10)는 프로세스 챔버(50)에 장착 가능한 고정형으로 구성되고, 무선 주파수 발생기(60)는 플라즈마 반응기(10)와 분리 가능한 분리형으로 구성된다. 그리고 무선 주파수 발생기(60)의 출력단과 플라즈마 반응기(10)의 무선 주파수 입력단은 무선 주파수 케이블(61)에 의해 상호 원격으로 연결된다. 그럼으로 종래와 같이 무선 주파수 발생기와 플라즈마 반응기가 하나의 유닛으로 구성되는 것과 달리 프로세스 챔버(60)에 매우 용이하게 설치할 수 있으며 시스템의 유지 관리 효율을 높일 수 있다.
본 발명의 유도 결합 플라즈마 소스는 후술하는 바와 같이 다양한 변형이 가능하다. 후술되는 변형예들에서 동일한 구성에 대하여는 동일한 참조 번호를 병기하고 반복된 설명은 생략한다.
도 5 내지 도 9는 플라즈마 반응기의 다양한 변형들을 보여주는 도면이다.
일 변형으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 플라즈마 반응기(10a)는 네 개의 플라즈마 방전 튜브(20-1~20-4)가 큐빅 형태로 배치되고, 이들을 관통하도록 큐빅 형상의 다중 루프 타입의 마그네틱 코어(31)가 장착된다. 마그네틱 코어(31)는 다수개의 페라이트 조각들의 조립체로 구성할 수 있다. 가스 입구(21)와 가스 출구(도면에는 도시되지 않음)는 상부와 하부에 공통적으로 설치된다.
다른 변형으로, 도 6에 도시된 플라즈마, 플라즈마 반응기(10b)는 세 개의 플라즈마 방전 튜브(20-1~20-3)가 병렬로 배치되고, 이들을 관통하도록 적합한 다중 루프 타입의 마그네틱 코어(31)가 장착된다. 다수의 가스 입구(21-1, 21-2)와 가스 출구(22-1, 22-2)는 상부와 하부에 각기 개별적으로 구성될 수 있다.
또 다른 변형으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 플라즈마 반응기(10c)는 네 개의 플라즈마 방전 튜브(20-1~20-4)가 어느 하나를 중심으로 방사형으로 배치되고, 이들을 관통하도록 적합한 다중 루프를 갖는 마그네틱 코어(31)가 장착된다. 다수의 가스 입구(21-1, 21-2)와 가스 출구(22-1)는 상부와 하부에 개별적으로 구성될 수 있다.
또 다른 변형으로, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 플라즈마 반응기(10d)는 두 개의 플라즈마 방전 튜브(20)가 상단과 하단으로 병렬 배치되며, 연결관(27)에 의해 서로 연결된다.
이상과 같은 변형들은 이외에도 또 다른 많은 변형들이 있을 것이나 이러한 변형들은 본 발명의 사상에 기초할 때 당업자들에게는 자명한 것임을 잘 알 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
상술한 바와 같은 본 발명의 마그네틱 코어에 결합된 다중 방전 튜브를 구비한 유도 결합 플라즈마 소스에 의하면, 플라즈마 방전실의 내부에 대부분의 마그네틱 코어 횡단 부분이 위치하게 되어 플라즈마에 결합되는 유도 결합 에너지의 전달 효율이 매우 높다. 그럼으로 플라즈마를 안정적으로 유지할 수 있을 뿐만 아니라 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있다. 또한 반복적인 확장 구조를 갖고 있어서 넓은 볼륨을 갖는 플라즈마 프로세스에서 대면적의 플라즈마를 넓고 균일하게 제공하기 위한 경우 매우 유용하게 사용될 수 있다.

Claims (14)

  1. 마그네틱 코어와 일차 권선을 갖는 변압기, 상기 마그네틱 코어가 중심부를 관통하도록 결합 되며 각기 독립된 방전 공간을 갖도록 분리된 다수개의 플라즈마 방전 튜브를 포함하는 플라즈마 반응기;
    상기 플라즈마 방전 튜브의 내부를 관통하는 상기 마그네틱 코어의 일부분을 감싸는 코어 보호 튜브;
    상기 일차 권선에 전기적으로 연결되는 전원 공급원; 및
    상기 마그네틱 코어에 권선 되는 점화용 유도 코일과 상기 점화용 유도 코일에 전기적으로 연결되며 상기 플라즈마 방전 튜브에 설치되는 점화용 전극을 갖는 점화 회로를 포함하며,
    상기 전원 공급원에 의해 상기 일차 권선의 전류가 구동되고, 상기 일차 권선의 구동 전류는 상기 다수개의 플라즈마 방전 튜브 내측의 AC 전위를 유도하여 상기 변압기의 이차 회로를 완성하는 유도 결합된 플라즈마를 형성하며,
    상기 유도 결합된 플라즈마는 상기 다수개의 플라즈마 방전 튜브의 내측 방전 공간에서 상기 코어 보호 튜브의 외측을 감싸도록 형성되는 유도 결합 플라즈마 소스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다수개의 플라즈마 방전 튜브로 가스를 주입하기 위한 가스 입구와 상기 다수개의 플라즈마 방전 튜브에서 발생된 플라즈마 가스를 배출하기 위한 가스 출구를 구비하고,
    상기 가스 입구와 상기 가스 출구 사이에 상기 다수개의 플라즈마 방전 튜브가 병렬 또는 직렬로 연결되는 유도 결합 플라즈마 소스.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 코어 보호 튜브는 유전체 물질을 포함하는 유도 결합 플라즈마 소스.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 코어 보호 튜브는 금속 물질을 포함하고,
    상기 금속 물질은 에디 전류를 최소화하기 위하여 상기 금속 물질 내에서 전기적 불연속성을 갖도록 하는 하나 이상의 전기적 절연 영역을 포함하는 유도 결합 플라즈마 소스.
  6. 제4항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다수개의 플라즈마 방전 튜브는 금속 물질을 포함하고,
    상기 금속 물질은 에디 전류를 최소화하기 위하여 상기 금속 물질 내에서 전기적 불연속성을 갖도록 하는 하나 이상의 전기적 절연 영역을 포함하는 유도 결합 플라즈마 소스.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 코어 보호 튜브의 내측으로 설치되는 냉각수 공급 채널을 포함하는 유도 결합 플라즈마 소스.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 마그네틱 코어의 중심부를 통해서 형성되는 냉각수 공급 채널을 포함하는 유도 결합 플라즈마 소스.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 가스 출구는 둘 이상의 분리된 다중 가스 출구를 포함하는 유도 결합 플라즈마 소스.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 전원 공급원과 일차 권선 사이에 구성되어 임피던스 정합을 수행하는 임피던스 정합 회로를 포함하는 유도 결합 플라즈마 소스.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 전원 공급원은 조정 가능한 정합 회로 없이 동작하는 유도 결합 플라즈마 소스.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 다수개의 플라즈마 방전 튜브에서 발생된 플라즈마 가스를 제공받아 수용하는 프로세스 챔버를 더 포함하는 유도 결합 플라즈마 소스.
  13. 제12항에 있어서, 상기 플라즈마 반응기는 상기 프로세스 챔버에 탑재 가능한 구조를 갖고,
    상기 전원 공급원은 상기 플라즈마 반응기와 물리적으로 분리된 구조를 갖고,
    그리고 상기 전원 공급원과 상기 플라즈마 반응기의 상기 일차 권선은 연결 케이블로 원격으로 연결되는 유도 결합 플라즈마 소스.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 다수개의 플라즈마 방전 튜브로 유입되는 가스는
    불활성 가스, 반응 가스, 불활성 가스와 반응 가스의 혼합 가스를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 유도 결합 플라즈마 소스.
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