KR100793453B1 - 처리 장치의 유지 보수 방법, 처리 장치의 자동 검사방법, 처리 장치의 자동 복귀 방법 및 처리 장치를구동하는 소프트웨어의 자기 진단 방법 - Google Patents

처리 장치의 유지 보수 방법, 처리 장치의 자동 검사방법, 처리 장치의 자동 복귀 방법 및 처리 장치를구동하는 소프트웨어의 자기 진단 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따르면, 장치의 구동이 시작되면, 장치를 구동하는 소프트웨어의 가동 상태를 실시간으로 감시하여, 이상이 발생하지 않고 있는지 진단한다(S110). S110의 진단에서 이상이 발생하지 않고 있다고 판단된 경우에는, 피(被)처리체에 대한 처리는 그대로 계속되어, 피처리체에 대한 처리가 완료되었는지 여부의 판단에 들어간다(S130). 처리가 완료된 경우에는 장치를 다운 처리한다(S140). S110의 진단에서 이상이 발생했다고 판단된 경우에는, 이상이 발생한 진단 항목에 대한 로그를 기록한다(S120). 그 후, 장치를 다운 처리한다(S140).

Description

처리 장치의 유지 보수 방법, 처리 장치의 자동 검사 방법, 처리 장치의 자동 복귀 방법 및 처리 장치를 구동하는 소프트웨어의 자기 진단 방법{METHOD FOR MAINTAINING PROCESSOR, METHOD OF AUTOMATICALLY INSPECTING PROCESSOR AND METHOD OF AUTOMATICALLY RESETTING PROCESSOR, METHOD FOR SELF-DIAGNOSING SOFTWARE FOR DRIVING PROCESSOR}
본 발명은 반도체 웨이퍼나 액정 표시체용 기판 등의 피(被)처리체에 대하여 에칭이나 성막 등의 처리를 실시하는 처리 장치에 관한 것으로, 특히 당해 처리 장치를 구동하는 소프트웨어의 자기 진단 방법, 당해 처리 장치의 유지 보수 방법, 당해 처리 장치의 자동 검사 방법 및 당해 처리 장치의 자동 복귀 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 처리 공정에서는 에칭, 성막 처리, 애싱 및 스퍼터링 등 여러 가지의 처리가 있으며, 이들에 대응한 여러 가지 반도체 처리 장치가 이용되고 있다. 종래의 이와 같은 종류의 처리 장치로서는, 예컨대, 하나의 장치 내에서 복수의 처리를 행할 수 있는, 소위 클러스터 장치화된 멀티챔버형 처리 장치가 널리 이 용되고 있다. 이 타입의 장치는 복수의 진공 처리실을 공통의 반송실에 접속하고, 로드록 기능을 갖는 예비 진공실을 거쳐서 반송실에 접속된 반출입실로부터 피처리 기판인 반도체 웨이퍼의 반출입을 행하는 것이며, 반도체 장치의 고 집적화, 고 스루풋화, 피처리체의 오염 방지에 적합하다.
이와 같은 여러 가지의 처리 장치(이하 간단히 장치라고도 함)는 일단 고장나면, 수리하기 위해서 장치를 긴 시간에 걸쳐 정지시켜야 하므로 스루풋의 악화를 초래하는 결과가 된다. 장치의 고장을 미연에 방지하고, 처리되는 반도체의 양품률의 향상 및 소정의 스루풋을 유지하기 위해서는 처리 장치의 파트의 유지 보수가 중요하게 된다. 종래에는, 유지 보수의 항목인 장치 동작의 테스트 및 장치 검사 데이터의 수집은 미리 프로그램을 짜두고, 그에 따라 실행하고 있었다.
그러나, 장치 동작의 테스트 내용이나 장치 검사 데이터의 취득 내용이 변경된 경우에는 일일이 프로그램을 다시 짜거나, 또는 테스트나 검사 항목을 수동 조작으로 실행해야 했다. 이들 작업은 매우 번거롭고, 공정 수에 관련되는 것이었다. 반도체 웨이퍼의 반송 순서를 임의로 설정할 수 있는 반도체 기판 처리 시스템은 일본 특허 공개 평성 제4-364752호에서 제안되어 있지만, 반도체 웨이퍼의 반송 이외의 장치 동작에 대해서도 임의로 설정할 수 있게 하는 것이 요망되고 있었다.
본 발명은 이와 같은 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 제 1 목적은 장치 동작의 임의 조합이 가능한 처리 장치의 유지 보수 방법을 제공하는 것이다.
또한, 상기한 바와 같은 처리 장치는 일반적으로 임계 조건에서 가동되고 있고, 또한 사소한 이상이나 오염이 최종 제품의 양품률을 저하하는 요인으로 되기 때문에, 정기적인 검사나 유지 보수를 거르면 안 된다. 예컨대, 반도체 웨이퍼의 처리 장치의 경우, 정기적인 검사나 유지 보수를 하루 한 번 정도 행하고 있고, 정기 검사 및 유지 보수 후의 복귀 시의 검사에 있어서의 작업의 자동화가 작업의 신뢰성 향상이나 효율 향상을 위해 필요하였다.
그런데, 이들 검사 항목 중에는, 장치 가동 중에는 검사 불가능하여 일단 장치를 정지시켜야 하는 검사 항목도 포함되어 있다. 그 때문에, 작업원은 검사나 유지 보수를 행할 때마다 장치의 가동 상황을 확인하고, 장치가 가동 중인 경우에는 장치가 정지할 때까지 대기하거나, 필요한 경우에는 장치를 정지시켜야 했다. 또한, 이들 검사 항목 중에는 이물질 측정이나 막두께 측정 등, 더미 웨이퍼 등에 대하여 일단 처리를 행한 후에 더미 웨이퍼 등을 회수하여 처음으로 측정이 가능해지는 검사 항목도 포함된다. 따라서, 종래, 정기 검사나 유지 보수 후의 복귀를 전부 자동적으로 실행하는 것은 곤란하여, 검사나 유지 보수를 실행할 때에는 작업원이 매회 장치의 가동 상황을 확인하여 수동으로 작업을 진행시켜야 했다.
또한 최근에는, 처리 대상인 웨이퍼나 유리 기판의 대형화에 따라 처리 장치 자체도 대형화되어 작업원이 수작업으로 행하는 작업에도 인원과 공정이 더 필요해지게 되고, 청정 공간의 오염이라는 관점에서도 검사나 유지 보수 작업 시의 자동화가 기술적 요구 항목으로서 중시되도록 되어 있다.
본 발명은 이와 같은 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 제 2 목적은 처리 장치의 검사 및 유지 보수 후의 복귀 작업을 자동화하는 것에 의해 처리 장치의 가동율을 향상시킬 수 있는 신규하고 또한 개량된 처리 장치의 자동 검사 방법 및 자동 복귀 방법을 제공하는 것이다.
또한, 상술한 바와 같은 장치는 소프트웨어를 이용하여 구동되는 것이 일반적이다. 그러나, 종래에는 처리 장치를 구동하는 소프트웨어의 가동 상태를 감시한다는 것은 행해지고 있지 않았다. 그 때문에, 장치에 치명적 이상이 발생할 때까지 장치는 계속 동작하고 있었다. 이와 같은 종류의 장치에서는 일단 고장이 발생하면, 수리하기 위해서 긴 시간에 걸쳐 장치를 정지시켜야 하므로 스루풋의 악화를 초래하는 결과가 된다. 또한, 장치에 이상이 발생하면 제품인 웨이퍼에 손상을 줄 가능성도 발생하여 문제가 되었다.
본 발명은 이와 같은 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 제 3 목적은 장치에서의 이상 발생이나, 피처리체에 대한 손상을 회피할 수 있는, 처리 장치를 구동하는 소프트웨어의 자기 진단 방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 제 1 관점에 의하면, 처리 장치의 유지 보수 방법으로서, 상기 처리 장치의 유지 보수 대상 파트마다의 단위 동작을 미리 등록하는 등록 공정과, 상기 단위 동작 단위 및/또는 상기 단위 동작의 조합을 순차 동작 및/또는 패러랠 동작으로서 유지 보수 매크로를 기술하는 매크로 기술 공정과, 상기 매크로 기술 공정에서 기술된 유지 보수 매크로를 실행하는 것에 의해 유지 보수를 실행하는 매크로 실행 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 유지 보수 방법이 제공된다. 이것에 의해, 동작 테스트나 취득하는 데이터 내용이 변경된 경우에도, 기존의 매크로 파일을 편집하는 것으로 용이하게 대응할 수 있기 때문에, 처음부터 프로그램을 다시 짜거나, 수동 조작하거나 할 필요가 없다.
또한, 상기 매크로 실행 공정에서 행해진 순차 동작 및/또는 패러랠 동작을 평가하는 평가 공정을 포함하도록 구성하면, 장치의 평가가 가능하게 된다. 또한, 상기 단위 동작에는 상기 유지 보수 대상 파트의 검사 동작도 포함되는 것이 바람직하고, 상기 단위 동작에는 상기 유지 보수 대상 파트의 초기화 동작도 포함되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 매크로 기술 공정은, 상기 유지 보수 대상 파트의 단위 동작이 제어값에 도달했는지 여부를 감시하는 매크로를 기술하는 도달 감시 동작 매크로 기술 공정을 포함하도록 하면, 동작이 설정값에 도달할 때까지 다음 동작으로 이행하지 않도록 할 수 있다. 또한, 상기 매크로 기술 공정은, 상기 유지 보수 대상 파트의 단위 동작을 반복시키는 매크로를 기술하는 루프 매크로 기술 공정을 포함하도록 하면, 지정 동작을 반복하여 실행할 수 있어 내구 시험 등이 가능하게 된다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 제 2 관점에 의하면, 피처리체의 처리 장치의 자동 검사 방법으로서, 적어도 검사 항목과 그들의 검사 시간에 대하여 미리 등록하는 등록 공정과, 등록된 검사 시간으로 된 경우에, 처리 장치의 가동 상황을 확인하는 확인 공정과, 이 확인 공정에서 처리 장치가 가동되지 않고 있 다고 판단된 경우에는 즉시 등록된 검사 항목의 검사 작업을 자동적으로 실행하고, 이것에 대하여 처리 장치가 가동되고 있다고 판단된 경우에는 처리 장치의 가동 종료를 기다려, 등록된 검사 항목의 검사 작업을 자동적으로 실행하는 검사 공정과, 검사 작업의 완료 판정을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 자동 검사 방법이 제공된다.
또, 상기 처리 장치는 인라인 검사 장치를 포함하고, 상기 검사 항목에는 상기 인라인 검사를 이용하는 검사 항목이 포함되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 검사 공정에서 이상이 검출된 경우에는 이상 내용을 관리자에게 통지하여, 검사 작업을 중단하는 이상 검출 시 대응 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 검사 항목에는 도달 진공도 검사, 리크 검사, 유량 검사, 방전 검사, 고주파 전력 공급계 검사, 플라즈마 발광 검사, 이물질 검사, 에칭 특성 검사, 테스트 반송, 테스트 웨이퍼 처리 검사 중 적어도 어느 하나가 포함되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 검사 공정에서의 이상 검출 및/또는 완료 판정에는 다변량(多變量) 해석법이 이용되는 것이 바람직하다.
또한 상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 제 3 관점에 의하면, 피처리체의 처리 장치의 자동 복귀 방법으로서, 처리 장치가 유지 보수 모드로부터 통상 동작 모드에 복귀할 때의 검사 항목으로서, 적어도 검사 항목을 포함하는 검사 항목과 그들 검사 순서를 미리 등록하는 등록 공정과, 처리 장치를 유지 보수 모드로부터 복귀시킬 때에 등록된 검사 항목을 등록된 검사 순서에 따라서 자동적으로 검사하는 자동 복귀 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 자동 복귀 방 법이 제공된다.
또, 상기 자동 복귀 공정에서 이상이 검출된 경우에는 이상 내용을 관리자에게 통지하고, 검사 작업을 중단하는 이상 검출 시 대응 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 검사 항목에는 도달 진공도 검사, 리크 검사, 유량 검사, 방전 검사, 고주파 전력 공급계 검사, 플라즈마 발광 검사, 이물질 검사, 에칭 특성 검사, 테스트 반송, 테스트 웨이퍼 처리 검사 중 적어도 어느 하나가 포함되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 검사 공정에서의 이상 검출 및/또는 완료 판정에는 다변량 해석법이 이용되는 것이 바람직하다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 제 4 관점에 의하면, 처리 장치를 구동하는 소프트웨어의 자기 진단 방법으로서, 처리 장치를 구동하는 소프트웨어의 가동 상태를 미리 설정된 진단 항목에 따라 실시간으로 감시하는 감시 공정과, 상기 감시 공정에서 상기 소프트웨어의 이상을 검출한 경우에, 상기 이상이 발생한 진단 항목에 대한 로그를 기록한 후에, 처리 장치의 다운 처리를 실시하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 장치를 구동하는 소프트웨어의 자기 진단 방법이 제공된다. 이와 같은 구성에 의해 소프트웨어의 이상을 검출한 시점에서 처치할 수 있기 때문에, 장치나 제품인 피처리체에 대한 손상을 회피할 수 있다. 또한, 로그를 남기는 것에 의해 이상 개소나 이상 원인을 알 수 있어 그 후의 처치를 적절히 실행할 수 있다.
이 때, 진단 항목으로서는, 메모리 상황, CPU 부하 상황, 대기큐 상황, 파일 오픈수, 네트워크 통신 부하, 스택 상황, 리소스 상황 중 적어도 어느 하나가 포함 되도록 구성하는 것이 바람직하다. 메모리 상황으로서는 예컨대, 메모리 잔량을 검사하여 메모리 부족의 검출을 행하는, CPU 부하 상황으로서는 예컨대, 시스템 전체의 CPU 능력 부족의 검출을 행하는 등이 생각된다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 반도체 처리 장치의 개략 평면도,
도 2는 도 1에 나타내는 반도체 처리 장치의 개략 측면도,
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 유지 보수 방법을 나타내는 흐름도,
도 4는 본 발명의 실시예 1에 따른 매크로 편집기 화면의 일례,
도 5는 본 발명의 실시예 1에 따른 암(arm)의 이동 상태를 도시하는 도면,
도 6은 본 발명의 실시예 2에 따른 자동 검사 방법 및 자동 복귀 방법을 적용할 수 있는 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 수평 방향 단면도,
도 7은 본 발명의 실시예 2에 따른 자동 검사 방법 및 자동 복귀 방법을 적용할 수 있는 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 수직 방향 단면도,
도 8은 본 발명의 실시예 2에 따른 자동 검사 방법의 공정을 나타내는 흐름도,
도 9는 본 발명의 실시예 2에 따른 자동 복귀 방법의 공정을 나타내는 흐름도,
도 10은 본 발명의 실시예 3에 따른 반도체 처리 장치의 개략 평면도,
도 11은 도 10에 나타내는 반도체 처리 장치의 개략 측면도,
도 12는 본 발명의 실시예 3에 따른 처리 장치를 구동하는 소프트웨어의 자기 진단 방법을 설명하는 흐름도이다.
이하, 도면에 근거하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 또, 이하의 설명 및 첨부 도면에서, 대략 동일한 기능을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일 부호를 붙이는 것에 의해 중복 설명을 생략한다.
(실시예 1)
우선, 도 1, 도 2를 참조하면서, 본 발명의 실시예 1에 따른 처리 장치의 개략 구성을 설명한다. 도 1, 도 2는 각각 피처리체로서의 반도체 웨이퍼를 에칭하는 처리 장치의 개략 평면도, 개략 측면도이다. 이 장치는 반도체 웨이퍼 W를 에칭 처리하는 진공 처리실(200)과, 진공 예비실로서의 로드록실(203)을 갖는다. 로드록실(203)은 직사각형 형상의 공통 반송로로서의 트랜스퍼 챔버(205)의 한 측면에 착탈 가능하게 장착되어 있다.
트랜스퍼 챔버(205)의 다른 측면에는 수십개의 웨이퍼 W를, 소정 간격을 두고 탑재하는 복수개의 수용 수단으로서의 웨이퍼 카세트(206)가 병설되고, 트랜스퍼 챔버(205)의 한 단부에는 사전 정렬 스테이지(207)가 마련되어 있다. 즉, 트랜스퍼 챔버(205)의 전방에는 복수의 웨이퍼 카세트(206)를 탑재할 수 있는 로드포트로서의 카세트대가 마련되어 있다. 웨이퍼 카세트(206)는 덮개를 마련하여 밀폐 가능하게 되어 있고, 그 내부에는 다수의 웨이퍼를 다단으로 지지하고 있다.
트랜스퍼 챔버(205)에는 웨이퍼 카세트(206)로부터 웨이퍼 W를 반입/반출하는 암(208)이 트랜스퍼 챔버(205)의 긴 길이 방향으로 이동할 수 있게 마련되어 있다. 웨이퍼 카세트(206)로부터 암(208)에 의해서 한 개의 웨이퍼 W를 취출하여 사전 정렬 스테이지(207)에 반입해서 사전 정렬한 후, 웨이퍼 W를 파지(把持)하여 로드록실(203) 내에 반입하여, 그 진공 처리실(200)에 반입하게 되어 있다.
진공 처리실(200) 내에서는 웨이퍼 W에 대하여 에칭 처리를 행하고, 처리된 웨이퍼 W는 로드록실(203)로 반출되어 암(208)에 전달된다. 암(208)은 처리된 웨이퍼 W를 웨이퍼 카세트(206)로 되돌리게 되어 있다.
진공 처리실(200)의 로드록실(203)과의 연결부에는 진공측 게이트 밸브(213)가 마련되고, 트랜스퍼 챔버(205)와의 연결부에는 대기측 게이트 밸브(214)가 마련되어 있다.
다음에, 도 3을 참조하여 본 실시예에 따른 처리 장치의 유지 보수 방법을 설명한다. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 처리 장치의 유지 보수 방법을 나타내는 흐름도이다. 최초에, 처리 장치의 유지 보수 대상으로 되는 파트의 단위 동작을 미리 등록한다(S210). 단위 동작은 파트에 따라 상이하며, 예컨대, 게이트이면 오픈 동작만, 또는 클로즈 동작만의 동작 단위로 된다. 이 때, 파트의 검사 동작이나 파트의 초기화 동작도 포함시켜 등록해두는 것이 바람직하다.
다음에, S210에서 등록한 단위 동작을 임의로 조합하여, 순차 동작 및/또는 패러랠 동작으로서 유지 보수 매크로 파일을 작성한다(S220). 여기서, 순차 동작이란 동작을 순차적으로 실시하는 순열 동작인 것이며, 패러랠 동작이란 동작을 병렬로 실시하는 병렬 동작인 것이다. 이 때, 필요에 따라, 파트의 단위 동작을 반복시키는 루프 매크로를 작성하는 것이 바람직하다. 예컨대, 내구 시험을 하고자 하는 경우 등에는 루프 매크로가 유효하다. 또한, 파트의 단위 동작이 제어값에 도달했는지 여부를 감시하기 위한 도달 감시 동작 매크로도 포함시켜 작성하는 것이 바람직하다.
다음에, S220에서 작성한 유지 보수 매크로 파일을 실행시키는 것에 의해 유지 보수를 실행한다(S230). 이 때에, 복수의 유지 보수 매크로 파일의 실행 예약을 행할 수도 있다. 또한, 실행 중에 중지, 일시 정지, 재개를 행할 수도 있다.
유지 보수 매크로 파일 실행 중의 장치 데이터 및 관련 데이터는 파일로서 보존된다. 이 데이터를 기초로, 행해진 순차 동작, 패러랠 동작을 평가한다(S240).
도 4는 S220에서 매크로를 작성할 때에 이용되는 매크로 편집기 화면의 일례이다. 화면 중, 「모듈」란의 「LM」은 로터 모듈(반출입실)의 약어이다. 「커맨드」란은 실제로 동작을 행하는 파트를 기술하고, 여기서는 「암」이라고 되어 있다. 「설정값 1」란은 커맨드란에서 기술된 파트에 대한 설정값을 기술한다. 여기서, 「LLM 대기 위치」는 로드록실의 정면 맞은 편으로의 암의 이동 동작을 의미하고, 「LP1 대기 위치」는 첫번째 로드포트의 정면 맞은 편으로의 암의 이동 동작을 의미한다.
즉, 암이 로드록실 정면 맞은 편으로 암이 이동하는 단위 동작, 첫번째 로드포트의 정면 맞은 편으로 암이 이동하는 단위 동작을 조합한 장치 동작이 기술되어 있다. 화면 중의 10은 이들 동작을 반복하여 행하는 회수를 의미하므로, 이 매크로를 실행시키면, 상기의 동작이 10회 반복되게 된다. 암이 LLM 대기 위치, LP1 대기 위치로 이동했을 때의 상태를 각각 도 5(a), 도 5(b)에 나타낸다. 도 5에서, 도 1과 동일 또는 유사한 부분은 동일 부호를 부여하는 것에 의해 각부의 설명을 생략한다.
작성한 매크로는 화면 아래의 매크로 보존 버튼을 조작함으로써 파일로서 보존할 수 있다. 보존한 매크로 파일은 매크로 판독 버튼을 조작하는 것에 의해 필요한 때에 호출할 수도 있다. 또한, 호출된 매크로 파일을 편집할 수도 있다. 예컨대, 공정을 삽입하고자 할 때, 또는 공정을 삭제하고자 할 때는 각각 단계 삽입, 또는 단계 삭제 버튼을 조작하여 소망의 동작을 설정할 수 있다. 이에 따라, 이와 같은 매크로 편집기를 이용하여 단위 동작을 임의로 조합할 수 있다. 또한, 장치 동작의 테스트 내용이나 장치 검사 데이터의 취득 내용이 일부 변경된 경우에도, 이전에 작성한 매크로 파일을 호출하여, 일부 편집함으로써 용이하게 대응할 수 있다.
이와 같이, 본 실시예에 따르면, 파트의 동작을 임의로 조합한 매크로를 기술하고, 그것을 실행시키는 것에 의해 임의의 장치 동작을 실행할 수 있다. 이에 따라, 조정, 검사 공정을 자동화할 수 있다. 동작 테스트나 취득하는 데이터의 내용이 변경된 경우에도 기존의 매크로 파일을 호출하고, 일부 편집함으로써 용이하게 대응할 수 있기 때문에, 처음부터 프로그램을 다시 짜거나, 수동 조작하거나 할 필요가 없다. 또한, 단위 동작을 반복시키는 루프 매크로를 기술하고, 그것을 실행시키는 것에 의해 내구 시험 등을 실행할 수도 있다.
상기에서는 암의 동작에 적용한 예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니며, 처리 장치에 따른 다른 파트에 대해서도 마찬가지로 매크로 파일을 기술, 실행시키는 것에 의해 유지 보수가 가능한 것은 말할 필요도 없다.
이상, 상세히 설명한 바와 같이 본 실시예에 따르면, 파트의 동작을 임의로 조합하여 매크로로서 기술해 두고, 그것을 실행시키는 것에 의해 임의의 장치 동작을 실행할 수 있다. 장치 동작의 테스트 내용이나 장치 검사 데이터의 취득 내용이 일부 변경된 경우에 있어서도, 이전에 작성한 매크로 파일을 호출하여, 일부 편집함으로써 용이하게 대응할 수 있으므로, 처음부터 프로그램을 다시 짜거나, 수동 조작하거나 할 필요가 없다.
(실시예 2)
다음에, 도 6∼도 9를 참조하면서, 본 발명의 실시예 3에 따른 처리 장치의 자동 검사 방법 및 자동 복귀 방법에 대하여 상세히 설명한다.
우선 도 6 및 도 7을 참조하면서, 본 실시예에 따른 자동 검사 방법 및 자동 복귀 방법을 적용할 수 있는 처리 장치의 개략 구성에 대하여 설명한다.
도시한 처리 장치(300)는 복수의 처리를 동시에 행할 수 있는 멀티챔버 형식의 장치이며, 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라고 부름)에 대하여 에칭 등의 처리를 행하기 위한 복수의 처리실(302, 304)이 병렬로 배치되어 있다. 각 처리실(302, 304)에는 반송 수단으로서의 반송 암(306, 308)을 구비한 진공 예비실로서의 로드록실(310, 312)의 일단이 게이트 밸브(314, 316)를 거쳐서 접속되어 있다.
또한 로드록실(310, 312)의 타단에는 게이트 밸브(318, 320)를 거쳐서 공통 반송로로서의 트랜스퍼 챔버(324)의 긴 길이 방향의 한 측면이 접속되어 있다. 도시한 트랜스퍼 챔버(324)는 대략 직사각형 형상을 하고 있으며, 길이가 긴 방향으로 이동할 수 있는 반송 수단으로서의 반송 암(328)이 마련되어 있다. 또한, 트랜스퍼 챔버(324)의 짧은 길이 방향의 한 측면에는 예비 챔버(330)가 접속되어 있다. 이 예비 챔버(330)에는, 웨이퍼의 사전 정렬을 행하기 위한 사전 정렬 스테이지에 부가하여, 웨이퍼의 이물질 검사나 막두께 검사 등을 할 수 있는 인라인 검사 장치가 마련되어 있다. 또, 도시한 예에서는, 예비 챔버(330)를 사전 정렬 챔버와 인라인 검사 챔버를 겸용하는 구성으로 했지만, 각 챔버를 별도 구성으로 해도 상관없다.
인라인 검사 장치로서의 이물질 검사 장치는 레이저광을 웨이퍼 표면에 조사하여, 이물질에 의해 난반사하는 광을 검출해서 그 강도로부터 이물질의 크기를 측정하는 것이다. 또한, 레이저광과 웨이퍼는 상대적으로 이동하고, 웨이퍼 전면(全面)을 측정 영역으로 하여, 웨이퍼 상의 어느 위치에 이물질이 존재하는지를 측정한다. 또한, 이물질 검사 장치는 웨이퍼 상에 패턴이 형성되어 있는 경우에도, 또는 다층의 막이 형성되어 있는 경우에도 0.2㎛ 이상, 바람직하게는 0.1㎛ 이상의 이물질을 검출하는 성능을 갖는 것이 바람직하다. 또한 인라인 검사 장치로서의 막두께 검사 장치는 레이저광, 또는 LED 광을 웨이퍼 표면에 조사하여, 막의 상면 및 하면으로부터의 조사광의 강도 변화로부터 막두께를 측정하는 것이다. 또한 막두께 검사 장치는 웨이퍼 상에 다층의 막이 형성되어 있는 경우에도, 그 최 표면측의 막의 두께를 ±5Å 이내, 바람직하게는 ±2Å 이내의 재현 정밀도로 측정할 수 있다. 이들 인라인 검사 장치에 의해 얻어진 데이터는 장치 조작 화면으로 모니터링할 수 있고, 또한, 제어부에 기억되어 장치 상태를 평가하기 위한 다변량 해석의 데이터로서 활용된다.
트랜스퍼 챔버(324)의 긴 길이 방향의 다른 측면에는 게이트 밸브(332, 334, 336)를 거쳐서 카세트 스테이지(338)에 탑재된 복수, 예컨대, 세 개의 웨이퍼 카세트(338, 340, 342)가 접속되어 있다. 웨이퍼 카세트(338, 340, 342)는 복수개의 웨이퍼를 수직 방향으로 소정 간격을 두고 수용할 수 있게 구성되어 있다. 또한, 트랜스퍼 챔버(324)의 상부에는 파인 코일 유닛(344)이 설치되어 있으며, 청정 공기를 트랜스퍼 챔버 내로 송기(送氣)할 수 있게 구성되어 있다.
상기 처리 장치(300)의 동작에 대하여 간단히 설명하면, 우선, 반송 암(328)이 트랜스퍼 챔버(324) 내를 이동하여, 선택된 반입용 웨이퍼 카세트(338)로부터 웨이퍼 W를 취출한다. 이어서, 웨이퍼 W는 예비 챔버(330)로 이송 탑재되어 사전 정렬된 후에, 선택된 로드록실(310) 내의 반송 암(306)에 전달된다. 반송 암(306)은 웨이퍼 W를 처리실(302) 내의 탑재대(346)에 탑재한다. 그 후, 처리실(302) 내에서 소정의 처리, 예컨대, 플라즈마 처리가 웨이퍼 W에 실시된 후, 대략 역순으로 웨이퍼 W가 로드록실(310), 트랜스퍼 챔버(324), 그리고 선택된 반출용 웨이퍼 카세트(342)로 반출되고, 일련의 처리를 종료한다.
이상과 같은 처리를 소정 시간에 걸쳐, 또는 소정의 로트수에 걸쳐 실시한 후에는 소정의 검사나 유지 보수를 실시해야 한다. 이하, 본 실시예에 따른 처리 장치의 자동 검사 방법과, 유지 보수 모드로부터의 자동 복귀 방법에 대하여 상세히 설명한다.
본 실시예에 따른 처리 장치의 자동 검사 방법에 대하여 설명하면, 도 8에 도시하는 바와 같이, 우선, 처리 장치의 검사 작업 시에 실행하는 검사 항목에 대하여 미리 등록이 행해진다(S302). 등록 방법으로서는 미리 검사용 매크로를 기술하고, 그 매크로에 각종 파라미터를 기술하도록 구성할 수 있다.
등록할 수 있는 검사 항목은 임의로 설정할 수 있는데, 예컨대, 이하와 같은 항목을 등록할 수 있다. 프로세스 모듈(처리실) 가상 용적 측정, 압력계 0 조정 검사, 압력계 0 조절 교정, 압력계 감도/직선성 검사, 유량계 0점 검사, 유량계 0점 교정, 유량계 감도/안정성 검사, 유량계 FLOW VERIFY, 유량계 자기 진단, 백쿨링가스 압력계 0 조절 교정, 프로세스 모듈 배기 검사, 로드록 모듈 배기 검사, 프로세스 모듈 리크 검사, 로드록 모듈 리크 검사, 방전 검사, 고주파 전력 공급계 검사, 플라즈마 발광 검사, 이물질 검사, 막두께 검사, 더미 반송 검사, 테스트 웨이퍼 처리 검사 등이 있다.
이들 검사 항목 중 이물질 검사, 막두께 검사, 더미 반송 검사, 테스트 웨이퍼 처리 검사 등에 대해서는 실제로 처리 장치를 가동시켜 더미 웨이퍼나 테스트 웨이퍼를 처리하고, 인라인 검사 장치 등으로 처리할 필요가 있는 항목이다. 또한, 각 검사 항목에 대하여 이상 판정 기준에 대한 파라미터를 입력할 수도 있다. 또한, 경시적으로 취득한 모든 또는 복수의 검사 항목의 측정값을 다변량 해석하여 소수의 장치 상태를 나타내는 통계적 파라미터를 구하고, 이것을 기초로 하여 종합적인 장치 이상 판정 기준 또는 유지 보수 후의 복귀 완료 판정 기준을 설정할 수도 있다. 종래, 작업자가 행하고 있었던 이들의 종합적 판정을 자동화함으로써, 정기 검사나 유지 보수 후 복귀 작업을 자동화할 수 있다.
또한, 자동 검사 매크로에 등록하는 파라미터로서는 실행 트리거를 설정할 수도 있다. 실행 트리거는 상기 검사용 매크로를 실행시키는 타이밍을 설정하는 항목이며, 시간(분, 시간, 일, 주간, 달 등의 실행 간격으로 설정 가능), 로트, 웨이퍼 개수, 방전 시간 등을 설정할 수 있다.
이상과 같이, 공정 S302에서 검사 항목을 등록한 후, 처리 장치를 통상시대로 가동시킨다. 그리고, 실행 트리거 항목에서 미리 설정한 검사 작업을 행할 시간에 도달하면(S304), 본 실시예에 따르면, 처리 장치의 가동 상황이 확인된다(S306). 이 확인 공정(S306)에서 처리 장치가 가동되지 않고 있다고 판단된 경우에는 즉시 등록한 내용의 검사 작업이 자동적으로 행해진다(S308). 이에 반하여, 확인 공정(S306)에서 처리 장치가 가동되고 있다고 판단된 경우에는 처리 장치의 가동 종료, 예컨대, 웨이퍼 반출 후나 로트 종료 후에, 등록한 내용의 검사 작업이 자동적으로 행해진다. 또, 확인 공정(S306)에서 처리 장치가 가동되고 있다고 판단된 경우에는, 당해 검사용 매크로로 지정된 검사 항목을 생략하도록 설정할 수도 있다.
또한, 이물질 검사나 막두께 측정 등의 인라인 검사 장치를 이용하는 검사 항목이나, 반송계를 검사하기 위한 더미 반송 등의 시간이 필요한 검사 항목에 대해서는 실행 트리거로서, 로트 처리 전, 로트 처리 후, 또는 로트 처리 전후를 지정하는 것에 의해 로트의 전후에 집중시키고, 로트 처리 중에는 검사 시간이 걸리지 않는 검사 항목을 주로 실행시키도록 교정할 수도 있다.
검사 공정(S308)에서, 각 검사 항목에 대하여 이상 판정 기준에 기초를 둔 판정의 결과, 이상이 검출되지 않은 경우에는 각 검사를 마찬가지로 순차적으로 진행시킨다. 최종적으로는, 경시적으로 취득한 모든 또는 복수의 검사 항목의 측정값을 다변량 해석하여 구한 소수의 통계적 파라미터에 대한 장치 이상 판정 기준에 근거하여 검사 결과를 종합적으로 판정하고, 이상이 아니라고 판단된 경우에는 검사가 완료되었다고 판정하여 일련의 검사 작업을 종료한다(S312). 이에 반하여, 검사 공정(S308)에서 이상이 검출된 경우에는, 이상 검출 내용이 작업원 등에 통지되고(S314), 필요한 경우에는 검사 작업을 중단하여(S316), 작업원의 지시를 대기한다. 단, 검출된 이상 내용이 경미한 경우에는 검사 작업을 속행하도록 구성할 수도 있다.
또, 검사 공정(S308)에서, 특히 최종적으로 실행하는 장치 상태의 종합 판정에 의한 이상 검출에 있어서는, 각종 판정 방법을 채용할 수 있지만, 다변량 해석법, 예컨대, 주성분 분석을 이용하는 것에 의해 보다 확실한 이상 검출을 행할 수 있다. 주성분 분석에서는 장치 상태의 평가를, 주성분이라고 불리는 여러 종류의 검사 데이터의 전체로서의 특성을 나타내는 하나의 또는 소수의 통계 데이터로 나타내는 것에 의해, 주성분의 값을 조사하는 것만으로 장치 상태를 평가하여 파악할 수 있다. 구체적으로는, 예컨대, 미리 장치가 정상 상태에 있을 때의 모든 검사 항목의 검사 데이터를 복수회 취득하고, 얻어진 복수의 검사 데이터의 주성분 분석을 행하여, 예컨대, 제 1 주성분을 구하는 모든 값을 결정한다. 그리고, 실제로 검사를 한 경우의 모든 검사 항목의 검사 데이터를 제 1 주성분을 구하는 식에 적용하여 제 1 주성분의 값을 구하고, 정상 상태에서의 제 1 주성분의 값을 비교하여, 소정의 범위 내이면 이상없다고 판정할 수 있다. 또, 주성분은 검사 항목이 n개 있으면, 제 n 주성분까지, 즉, n개 존재하고, 일반적으로는 제 1 주성분이 가장 신뢰성이 높다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따른 처리 장치의 자동 검사 방법에 따르면, 종합적인 검사의 완료를 다변량 해석을 이용하여 자동적으로 판정하는 것에 의해, 인라인 검사 장치를 처리 장치에 마련한 경우와 같이, 종래에는 자동화가 곤란하던 검사 항목이라도 자동화를 도모할 수 있다. 또한, 검사 작업의 실행 시에 처리 장치의 가동 상황이 확인되므로 마치 작업원이 수작업으로 검사 작업을 하는 것처럼 유연한 검사 작업을 자동적으로 실행할 수 있다.
다음에, 도 9를 참조하면서, 본 실시예에 따른 처리 장치의 자동 복귀 방법에 대하여 설명한다. 이미 설명한 바와 같이, 처리 장치는 정기적으로 또는 필요에 따라 유지 보수를 행해야 한다. 그리고, 소정의 유지 보수를 종료한 후에는, 소정의 순서로 소정의 검사 항목에 대하여 검사를 하여 통상 동작 모드로 복귀시켜야 한다. 여기서, 종래에는, 유지 보수 후의 복귀 시에는 작업원이 여러 가지의 검사 항목에 대하여 검사 항목을 판정하면서 1항목씩 순차적으로 검사를 하고 있었다. 그러나, 본 실시예에 따른 처리 장치의 자동 복귀 방법에 의하면, 이물질 검사나 막두께 측정 등의 인라인 검사를 포함하는 유지 보수 작업으로부터 통상 동작 모드로의 복귀를, 종래 작업자가 행하고 있었던 완료의 종합적 판정을 포함해서 자동적으로 행할 수 있다.
본 실시예에 따른 처리 장치의 자동 복귀 방법을 실행하기 위해서는, 처리 장치가 유지 보수 작업으로부터 통상 동작 모드로 복귀할 때에 행해지는 처리 내용과 순서에 대하여 미리 등록해야 한다(S402). 등록 방법으로서는, 앞서 설명한 처리 장치의 자동 검사 방법과 마찬가지로, 미리 검사용 매크로를 기술하고, 그 매크로에 각종 파라미터를 기술하도록 구성할 수 있다.
등록 가능한 검사 항목에 대해서도, 앞서 설명한 처리 장치의 자동 검사 방법과 마찬가지로 임의로 설정할 수 있지만, 예컨대, 이하와 같은 항목을 등록할 수 있다. 프로세스 모듈(처리실) 가상 용적 측정, 압력계 0 조정 검사, 압력계 0 조절 교정, 압력계 감도/직선성 검사, 유량계 0점 검사, 유량계 0점 교정, 유량계 감도/안정성 검사, 유량계 FLOW VERIFY, 유량계 자기 진단, 백쿨링가스 압력계 0 조절 교정, 프로세스 모듈 배기 검사, 로드록 모듈 배기 검사, 프로세스 모듈 리크 검사, 로드록 모듈 리크 검사, 방전 검사, 고주파 전력 공급계 검사, 플라즈마 발광 검사, 이물질 검사, 막두께 검사, 더미 반송 검사, 테스트 웨이퍼 처리 검사 등이 있다.
이들 검사 항목 중 이물질 검사, 막두께 검사, 더미 반송 검사, 테스트 웨이퍼 처리 검사 등에 대해서는 실제로 처리 장치를 가동시켜 더미 웨이퍼나 테스트 웨이퍼를 처리하고, 인라인 검사 장치 등으로 처리할 필요가 있는 항목이다. 또한, 각 검사 항목에 대하여 이상 판정 기준에 대한 파라미터를 입력할 수도 있다. 또한, 경시적으로 취득한 모든 또는 복수의 검사 항목의 측정값을 다변량 해석하여 소수의 장치 상태를 나타내는 통계적 파라미터를 구하고, 이것을 기초로 하여 종합적인 장치 이상 판정 기준 또는 유지 보수 후의 복귀 완료 판정 기준을 설정할 수도 있다. 종래, 작업자가 행하고 있었던 이들의 종합적 판정을 자동화함으로써 정기 검사나 유지 보수 후 복귀 작업을 자동화할 수 있다.
이상과 같이 검사 항목을 미리 등록한 후에 정기적인 유지 보수, 또는 필요에 따른 유지 보수가 처리 장치에 대하여 행해진다(S404). 통상시대로 유지 보수가 종료한 후에, 본 실시예에 따른 자동 복귀 방법에 따라서 처리 장치를 유지 보수 상태로부터 복귀시킨다(S406). 복귀 시에는 등록 공정(S402)에서 미리 등록된 검사 내용 및 순서에 따라 복귀 작업이 자동적으로 행해진다(S408).
복귀 공정 시(S408)에는 각 검사 항목에 대하여 이상이 발생되어 있는지 여부에 대하여 이상 판정 기준에 근거하여 판정된다(S410). 이 이상 판정 공정(S410)에서, 각 검사 항목에 대하여 이상 판정 기준에 기초를 둔 판정의 결과, 이상이 검출되지 않은 경우에는 각 검사를 마찬가지로 순차적으로 진행시킨다. 최종적으로는, 경시적으로 취득한 모든 또는 복수의 검사 항목의 측정값을 다변량 해석하여 구한 소수의 통계적 파라미터에 대한 장치 이상 판정 기준에 근거하여 검사 결과를 종합적으로 판정하여, 이상이 아니라고 판단된 경우에는 검사가 완료되었다고 판정하고, 복귀 처리를 종료하여 통상 동작 모드로 이행한다(S412). 이에 반하여, 이상 판정 공정(S410)에서 이상이 검출된 경우에는 이상 검출 내용이 작업원 등에 통지되고, 필요한 경우에는 복귀 처리를 중단하여(S414), 작업원의 지시를 대기한다. 단, 검출된 이상 내용이 경미한 경우에는 복귀 처리를 속행하도록 구성할 수도 있다.
이와 같이, 본 실시예에 따른 처리 장치의 자동 복귀 방법에 의하면, 종합적인 복귀의 완료를 다변량 해석을 이용하여 자동적으로 판정하는 것에 의해, 인라인 검사 장치를 처리 장치에 마련한 경우와 같이, 종래는 자동화가 곤란하던 유지 보수로부터의 복귀 작업 항목이라도 자동화를 도모할 수 있다.
이와 같이 본 실시예에 따른 처리 장치의 자동 검사 방법 및 자동 복귀 방법에 의하면, 종합적인 검사 및 복귀의 완료를 다변량 해석을 이용하여 자동적으로 판정하는 것에 의해, 인라인 검사 장치를 처리 장치에 마련한 경우와 같이, 종래는 자동화가 곤란하던 정기적인 검사나, 유지 보수 모드로부터 통상 동작 모드로의 복귀 처리를 자동화하는 것이 가능해진다. 또한, 이들 작업의 신뢰성이 향상하고, 또한, 작업원의 부담을 크게 경감할 수 있다.
(실시예 3)
다음에, 도 10, 도 11을 참조하면서, 실시예 3에 따른 처리 장치(100)의 전체 구성에 대하여 설명한다. 도 10, 도 11은 각각 멀티챔버형 처리 장치의 개략 평면도, 개략 측면도이다. 처리 장치(100)에서는 반도체 웨이퍼 W와 같은 피처리 체를 반송하는 반송 암(102)을 구비한 진공 반송실(104) 주위에, 제 1∼제 6 게이트 밸브 G1∼G6을 거쳐서 제 1, 제 2 로드록실(106, 108)과, 반도체 웨이퍼 W에 각종 처리를 실시하기 위한 제 1∼제 4 진공 처리실(110, 112, 114, 116)이 배치되어 있다.
제 1, 제 2 로드록실(106, 108)은 진공 반송실(104) 내의 감압 분위기를 유지하면서, 진공 반송실(104)과 대기압 분위기의 웨이퍼 캐리어(도시하지 않음)의 사이에서 반도체 웨이퍼 W를 반입 반출하기 위한 것이다. 제 1, 제 2 로드록실(106, 108)의 하부에 마련되어 있는 진공 펌프 및 가스 공급계로 이루어지는 압력 조정 기구(118)에 의해 제 1, 제 2 로드록실(106, 108) 내의 압력을 적절히 설정할 수 있게 구성되어 있다. 또한, 제 1, 제 2 로드록실(106, 108)의 대기측 개구부는 각각 제 7, 제 8 게이트 밸브 G7, G8에 의해 개폐 자유롭게 밀폐되어 있다. 제 1∼제 8 게이트 밸브 G1∼G8의 개폐 동작은 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 각 게이트 밸브를 구성하는 밸브체를 상하 이동시키는 것에 의해 행해진다. 또, 도 11은 처리 장치(100)로부터 제 1∼제 4 진공 처리실(110, 112, 114, 116)을 분리한 상태를 나타내고 있다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 처리 장치를 구동하는 소프트웨어의 자기 진단 방법을 설명하는 흐름도이다. 장치의 구동이 시작되면, 장치를 구동하는 소프트웨어의 가동 상태를 실시간으로 감시하여 이상이 발생하고 있지 않는지 진단한다(S110). 진단 항목으로서는 메모리 상황, CPU 부하 상황, 대기 큐 상황, 파일 오픈수, 네트워크 통신 부하, 스택 상황, 리소스 상황 등을 들 수 있다.
진단 방법으로서는 예컨대, 이들의 각 항목에 대하여 변화율, 변화 패턴, 임계값 등을 사전에 설정해 두고, 가동 시의 실제 변화율, 변화 패턴, 임계값 등과 비교하는 방법이 생각된다. 설정값과 실제 값을 비교하는 것에 의해 제어 불능 상태로 향하고 있는 것이나 제어 불능 상태로 되기 직전인 것 등을 검지할 수 있다. 이들 변화율, 변화 패턴, 임계값 등은 임의로 변경할 수 있는 파라미터로 한다.
S110의 진단에 의해 이상이 발생하지 않고 있다고 판단된 경우에는, 피처리체에 대한 처리는 그대로 계속되고, 피처리체에 대한 처리가 완료되었는지 여부의 판단에 들어간다(S130). 처리가 완료된 경우에는 장치를 다운 처리한다(S140). S110의 진단에 의해 이상이 발생했다고 판단된 경우에는, 이상이 발생한 진단 항목에 대한 로그를 기록한다(S120). 그 후, 장치를 다운 처리한다(S140).
예컨대, 스택 사용량이 한계값 부근에 도달했다고 진단되었을 때에는 이상이 발생했다고 판단된다. 이 경우, 플라즈마 생성의 고주파 전력이 걸려 있는 채로 되는 등, 제품과 동시에 장치도 고장이 나게 되는 상황이 발생하는 것이 생각된다. 따라서, 이와 같은 상황을 검지한 경우, CPU 사이를 연결하는 물리적인 신호선 및 인터럽트 신호 등을 이용하여 정보를 전달하고, 그 인터럽트 처리 중에 정지시켜야 하는 동작, 즉, 고주파 전력을 OFF로 하는 것과 같은 처리를 취하도록 한다.
또한, 네트워크 부하가 한계 영역을 향해 진행 중이라고 진단되었을 때에도 이상이 발생했다고 판단된다. 이 경우, 처리 중인 제품에 대하여 통상의 처리 정지가 가능한 시간이 남아 있거나, 내부 통신 수단을 사용할 수 있는 상황에 있으면, 내부 통신 및 내부 인터럽트를 이용하여 정보를 전달하여 그 인터럽트 처리 중에 정지시켜야 하는 동작, 즉, 프로세스 정지 처리 등을 행하도록 한다.
또 다른 예를 들면, CPU 부하의 변화율이 돌연 증가했다고 진단되었을 때에도 이상이 발생했다고 판단된다. 이 경우, 금후 처리되는 제품에 대하여 사전에 처리 금지가 가능한 시간이 남아 있으면, 내부 통신을 이용하여 정보를 전달해서 수신 대상의 TASK(처리 루틴)에 그 정보를 해석시켜 정지 동작, 예컨대, 다음 웨이퍼 반입 금지, 또는 다음 로트 투입 금지 등을 실행하는 것과 같은 처리를 취하도록 한다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에서는 장치를 구동하는 소프트웨어의 가동 상태를 실시간으로 감시하여, 이상 발생 시에는 로그를 기록한 후 장치를 다운 처리한다. 이것에 의해, 소프트웨어의 가동 상태의 이상으로 인해 장치에 이상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 제품인 웨이퍼에 손상을 주는 일도 없다. 또한, 로그를 남기는 것에 의해 이상 발생 시의 상태를 알 수 있어, 이상의 원인 구명에 도움이 된다.
이상, 상세히 설명한 바와 같이 본 실시예에 따르면, 장치에 이상이 발생하는 것을 방지할 수 있어 제품으로 되는 피처리체에 대한 손상을 회피할 수 있다. 따라서, 처리되는 피처리체의 양품률의 향상 및 소정의 스루풋의 유지에 공헌할 수 있다.
이상 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명이 바람직한 실시예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이와 같은 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허청구범위에 기재된 기술적 사상의 범위 내에서 각종 변경예 또는 수정예에 상도(想到)할 수 있는 것은 분명하며, 그것들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
본 발명은 반도체 장치의 제조 공정에서 사용되는 소프트웨어의 자기 진단 방법에 적용할 수 있고, 특히 반도체 웨이퍼나 액정 표시체용 기판 등의 피처리체에 대하여 에칭이나 성막 등의 처리를 실시하는 처리 장치를 구동하는 소프트웨어의 자기 진단 방법에 적용할 수 있다.

Claims (18)

  1. 처리 장치의 유지 보수 방법으로서,
    상기 처리 장치의 유지 보수 대상 파트마다의 단위 동작을 미리 등록하는 등록 공정과,
    하나 또는 복수의 상기 단위 동작을, 순차 동작, 또는 패러랠 동작, 또는 순차 및 패러랠 동작으로 해서 유지 보수 매크로를 기술하는 매크로 기술 공정과,
    상기 매크로 기술 공정에서 기술된 유지 보수 매크로를 실행하는 것에 의해 유지 보수를 행하는 매크로 실행 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 유지 보수 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 매크로 실행 공정에서 행해진 순차 동작, 또는 패러랠 동작, 또는 순차 및 패러랠 동작을 평가하는 평가 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 유지 보수 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 단위 동작에는 상기 유지 보수 대상 파트의 검사 동작도 포함되는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 유지 보수 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 단위 동작에는 상기 유지 보수 대상 파트의 초기화 동작도 포함되는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 유지 보수 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 매크로 기술 공정은, 상기 유지 보수 대상 파트의 단위 동작이 제어값에 도달했는지 여부를 감시하는 매크로를 기술하는 도달 감시 동작 매크로 기술 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 유지 보수 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 매크로 기술 공정은, 상기 유지 보수 대상 파트의 단위 동작을 반복시키는 매크로를 기술하는 루프 매크로 기술 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 유지 보수 방법.
  7. 피(被)처리체의 처리 장치의 자동 검사 방법으로서,
    검사 항목과 그들의 검사 시간에 대하여 미리 등록하는 등록 공정과,
    등록된 검사 시간이 된 경우에 상기 처리 장치의 가동 상황을 확인하는 확인 공정과,
    상기 확인 공정에서, 상기 처리 장치가 가동하지 않고 있다고 판단된 경우에는 즉시, 상기 처리 장치가 가동되고 있다고 판단된 경우에는 상기 처리 장치의 가동 종료를 대기하고, 등록된 검사 항목의 검사 작업을 자동적으로 실행하는 검사 공정과,
    검사 작업 완료의 판정을 행하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 자동 검사 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 처리 장치는 인라인 검사 장치를 포함하고, 상기 검사 항목에는 상기 인라인 검사를 이용하는 검사 항목이 포함되는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 자동 검사 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 검사 공정에서, 이상이 검출된 경우에는 이상 내용을 관리자에게 통지하여, 검사 작업을 중단하는 이상 검출시 대응 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 자동 검사 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 검사 항목에는 도달 진공도 검사, 리크 검사, 유량 검사, 방전 검사, 고주파 전력 공급계 검사, 플라즈마 발광 검사, 이물질 검사, 에칭 특성 검사, 테스트 반송, 테스트 웨이퍼 처리 검사 중 적어도 어느 하나가 포함되는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 자동 검사 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 검사 공정에서의 이상 검출 및 완료 판정의 어느 한쪽 또는 양쪽에는 다변량 해석법이 이용되는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 자동 검사 방법.
  12. 피처리체의 처리 장치의 자동 복귀 방법으로서,
    처리 장치가 유지 보수 모드로부터 통상 동작 모드로 복귀할 때의 검사 항목으로서, 적어도 상기 인라인 검사 장치를 이용하는 검사 항목을 포함하는 검사 항목과 그들의 검사 순서를 미리 등록하는 등록 공정과,
    처리 장치를 유지 보수 모드로부터 복귀시킬 때에, 등록된 검사 항목을 등록된 검사 순서에 따라 자동적으로 검사하는 자동 복귀 공정과,
    검사 완료의 판정을 행하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 자동 복귀 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 처리 장치는 인라인 검사 장치를 포함하고, 상기 검사 항목에는 상기 인라인 검사를 이용하는 검사 항목이 포함되는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 자동 복귀 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 자동 복귀 공정에서, 이상이 검출된 경우에는 이상 내용을 관리자에게 통지하여, 검사 작업을 중단하는 이상 검출시 대응 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 자동 복귀 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 검사 항목에는 도달 진공도 검사, 리크 검사, 유량 검사, 방전 검사, 고주파 전력 공급계 검사, 플라즈마 발광 검사, 이물질 검사, 에칭 특성 검사, 테스트 반송, 테스트 웨이퍼 처리 검사 중 적어도 어느 하나가 포함되는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 자동 복귀 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 검사 공정에서의 이상 검출 및 완료 판정의 어느 한쪽 또는 양쪽에는 다변량 해석법이 이용되는 것을 특징으로 하는 처리 장치의 자동 복귀 방법.
  17. 처리 장치를 구동하는 소프트웨어의 자기 진단 방법으로서,
    처리 장치를 구동하는 소프트웨어의 가동 상태를 미리 설정된 진단 항목에 따라 실시간으로 감시하는 감시 공정과,
    상기 감시 공정에서 상기 소프트웨어의 이상을 검출한 경우에, 상기 이상이 발생한 진단 항목에 대한 로그를 기록한 후에, 처리 장치의 다운 처리를 실시하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 장치를 구동하는 소프트웨어의 자기 진단 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 진단 항목은 메모리 상황, CPU 부하 상황, 대기큐 상황, 파일 오픈수, 네트워크 통신 부하, 스택 상황, 리소스 상황 중 적어도 어느 하나가 포함되는 것을 특징으로 하는 처리 장치를 구동하는 소프트웨어의 자기 진단 방법.
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