KR100791902B1 - 폴리아스파르트산 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 폴리아스파르트산 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이염기산과 암모니아의 축중합 반응으로 폴리아스파르트산을 제조하되 실리콘 용액을 용매 및 열매로 사용하므로써 종래의 폴리아스파르트산 제조시 사용되던 유기용매로 인하여 야기되는 독성과 냄새에 의하여 제조환경의 열악화와 폴리아스파르트산 제조후 상기 유기 용매의 제거를 위하여 별도의 공정을 필요로 하는 공정상의 복잡함 및 폴리아스파르트산 합성중에 발생되던 발포현상을 억제하여 제조공정의 위험성을 감소시킨 개선된 폴리아스파르트산 제조방법에 관한 것이다.
폴리아스파르트산, 이염기산, 암모니아

Description

폴리아스파르트산 제조방법{A preparing method of polyaspartic acid}
본 발명은 폴리아스파르트산 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이염기산과 암모니아의 축중합 반응으로 폴리아스파르트산을 제조하되 실리콘 용액을 용매 및 열매로 사용하므로써 종래의 폴리아스파르트산 제조시 사용되던 유기용매로 인하여 야기되는 독성과 냄새에 의하여 제조환경의 열악화와 폴리아스파르트산 제조후 상기 유기 용매의 제거를 위하여 별도의 공정을 필요로 하는 공정상의 복잡함 및 폴리아스파르트산 합성중에 발생되던 발포현상을 억제하여 제조공정의 위험성을 감소시킨 개선된 폴리아스파르트산 제조방법에 관한 것이다.
폴리아스파르트산은 세제 빌더, 세제 조빌더, 식물성장 촉진제, 타르타르 조절제, 부식 방지제, 점토 및 염료 분산제, 주방용 세제, 완효성 비료 및 보일러, 냉각수 속의 칼슘 및 바륨 등 이온 스케일 억제제, 세제 침강 억제제, 역삼투막용 스케일 억제제로서 유용하게 사용되고 있다.
일반적으로 폴리아스파르트산은 폴리숙신이미드를 가수분해하여 제조되며, 공지된 폴리아스파르트산 중합법으로는 다음과 같은 기술이 있다.
미국특허 제 5116513호는 분말상태의 아스파르트산을 열중합 방법에 의해 폴리아스파르트산을 제조하는 방법을 개시하고 있다.
미국특허 제 5057597호는 고체상의 공정으로서 풀루다이즈 베드 반응기에서 아스파르트산의 축중합에 의해 폴리숙신이미드를 제조한 다음, 가수분해하여 폴리아스파르트산을 제조하되, 반응조건을 적어도 180℃ 이상에서 질소분위기를 유지하면서 3 ∼ 6시간 동안 반응시키는 방법을 개시하고 있다.
미국특허 제 4839461호는 말레인산무수물 또는 말레인산과 암모니아수로 구성된 조성물로 폴리아스파르트산의 제조하되, 말레인산무수물 또는 말레인산과 암모니아수의 반응 몰비는 1:1 ∼ 1.5 이며 반응온도는 120 ∼ 150 ℃의 조건으로 폴리아스파르트산을 제조하는 방법을 개시하고 있다.
미국특허 제 5219952호, 제5296578호는 말레인산무수물과 암모니아로부터 고분자량의 폴리숙신이미드와 고분자량의 폴리아스파르트산을 제조하되, 150 ℃ 이상에서 가열하는 조건의 방법을 개시하고 있다.
상기의 방법과는 달리, 일본특허 제 52-0088773 B 호는 용매를 기초로 한 폴리아스파르트산의 제조법이며, 아스파르트산무수물과 하이드로할릭산 염을 하나 이상의 유기용매 분위기에서 이용하여 제조하는 방법을 개시하고 있다.
즉, 현재까지 공지된 많은 폴리아스파르트산의 제조방법은 과도한 공정시간이 요구되며, 사용되는 원료물질이 고가이고, 생산환경에서의 취급이 까다로운 고체 원료물질을 사용하는 문제점이 있다. 또한, 용매를 기초로 한 폴리아스파르트산의 제조법에서는 사용되는 유기용매의 독성, 가격 및 냄새와 폴리아스파르트산 제조후 사용된 용매를 별도의 공정을 거쳐서 제거해야 하는 등의 문제점이 있다.
또한, 이염기산을 원료물질로 사용하는 폴리아스파르트산의 제조법에서 가장 심각한 문제점으로 인식되는 것은 폴리아스파르트산 합성 중에 발생하는 발포현상이다. 따라서, 상기와 같은 제반 문제점을 해결하기 위한 제조법의 개선이 절실한 실정이다.
이에 따라, 본 발명의 발명자들은 이염기산과 암모니아를 원료물질로 하여 폴리아스파르트산을 제조하되 실리콘 용액을 용매 및 열매로 사용할 경우 상기와 같은 유기용매의 독성, 가격 및 냄새와 폴리아스파르트산 제조 후 용매 제거공정의 문제 및 제조 중에 발생하는 발포현상을 억제시킬 수 있음을 알게 되어 본 발명을 완성하였다.
따라서, 본 발명은 이염기산과 암모니아를 원료물질로 하여 숙시닐 반복단위를 가지는 중합체를 제조한 다음 가수분해 반응시켜 폴리아스파르트산을 제조하되 실리콘 용액을 용매 및 열매로 사용하므로써 종래의 폴리아스파르트산 제조시 사용되던 유기용매로 인하여 야기되는 제반 문제점과 합성중에 발생되던 발포현상을 효율적으로 감소시킨 폴리아스파르트산 중합법의 제공을 그 목적으로 한다.
본 발명은 이염기산과 암모니아를 반응시켜서 숙시닐 반복단위를 가지는 중 합체를 제조한 후 이를 가수분해 및 중합시켜 폴리아스파르트산을 제조하는 방법에 있어서, 상기 반응의 용매 및 열매로서 실리콘용액을 사용하는 폴리아스파르트산 제조방법을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 이염기산과 암모니아를 반응시켜 폴리아스파르트산을 제조하되 실리콘 용액을 용매 및 열매로 사용하므로써 종래의 폴리아스파르트산 제조시 사용되던 유기용매의 독성, 가격 및 냄새와 폴리아스파르트산 제조 후 별도의 용매 제거공정이 필요하던 제반 문제점 및 제조 중에 발생하는 발포현상을 감소시킬 수 있다.
일반적으로 실리콘 용액은 윤활제로서 용매의 역할과 함께 열안정성이 우수하여 용액 내부의 열전달을 일정하게 할 수 있는 열매로서의 역할을 동시에 수행할 수 있는 특성을 가진다.
본 발명에서는 상기와 같은 특성을 가지는 실리콘 용액을 폴리아스파르트산 중합법에 적용하고자 하였다. 즉, 이염기산과 암모니아의 중합반응에 의하여 생성되는 숙시닐 반복단위를 가지는 중합체를 합성할 때 실리콘 용액을 용매로써 사용할 경우, 사용된 실리콘 용액은 상기 중합반응에 직접적으로 참여하지 않고 순수한 용매 및 열매로서의 역할을 수행하기 때문에 목적하는 폴리아스파르트산을 합성한 다음 용매를 제거하기 위한 별도의 공정을 필요로 하지 않는다. 실리콘 용액의 사용량은 사용된 이염기산 중량에 대하여 30 ∼ 300 중량%를 사용할 수 있으며, 50 ∼ 150 중량%를 사용할 경우 더욱 바람직하다.
상기와 같은 특성을 가지는 실리콘 용액은 다음의 화학식 1로 나타낼 수 있는 구조를 가지는 것을 대표적으로 사용할 수 있다.
Figure 112002007462353-pat00001
이때, 상기 화학식 1에서 n은 0 ∼ 4,000 범위의 정수이고, m은 1 ∼ 1,000 범위의 정수이며, X는 CH3 또는 CH2CH2CF3 이고, Y는 CH3 또는 C6H5 이며, Z는 H, C 1 ∼ 16 의 알킬기 또는 C6H5 이다.
사용될 수 있는 이염기산으로는 말레인산, 말레인산무수물, 말레인산 유도체, 푸마르산, 푸마르산 유도체, L-아스파르트산, D-아스파르트산, D,L-아스파르트산, 말산, 말론산 및 숙신산 중에서 선택된 하나 또는 둘이상의 혼합물이 사용될 수 있다.
암모니아는 가스상이나 수용액상으로 사용될 수 있는데, 사용량은 사용된 이염기산 몰%에 대하여 50 ∼ 250 몰% 사용할 수 있으며, 100 ∼ 150 몰% 사용할 경우 더욱 바람직하다.
이염기산과 암모니아의 축중합에 의하여 제조된 숙시닐 반복단위를 가지는 중합체로부터 폴리아스파르트산을 얻기 위하여 일정온도에서 가수분해 단계를 거쳐야 하며, 상기와 같은 가수분해를 위하여 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 첨가하는데, 이때 첨가할 수 있는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속은 예를 들면, 수산 화 나트륨, 수산화 칼륨 및 암모니아 등이 있으며, 사용량은 이염기산 대비 100 ∼ 150 몰% 사용하는 데 상기 범위를 벗어나면 가수분해가 제대로 일어나지 않거나 제조 비용이 증가하고 pH 조절이 어려워지는 문제점이 있다.
상기와 같은 원료물질을 사용하여 다음과 같은 방법으로 폴리아스파르트산을 합성한다.
사용되는 반응기는 교반이 가능한 베셀, 니더, 익스트루더, 믹서나 밀 타입 반응기 등이 있으며, 특히 교반이 가능한 베셀를 이용할 경우 보다 바람직한 효과를 얻을 수 있다. 일례로써, 말레인산무수물과 실리콘 용액을 상온에서 반응기에 투입 후 균일상을 만들기 위해 충분히 교반을 한 다음, 암모니아를 가스상이나 수용액상으로 서서히 투입한다. 축중합을 위해 온도를 일차로 130 ∼150 ℃로 올려 물을 제거하고, 생성되는 폴리머의 색상이 하얀 색에서 브라운 색으로 변화되는 시점부터 10 ∼ 140 torr의 진공도를 유지한 상태에서 온도를 140 ∼ 260 ℃, 더욱 바람직하게는 160 ∼ 230 ℃ 로 상승시켜 축중합을 유도하여 폴리숙신이미드를 제조한다. 이때, 반응온도가 140 ℃ 미만이면 축중합이 일어나지 않는 문제점이 있으며, 260 ℃를 초과하면 열분해하는 문제점이 있다.
상기 축중합에 의해 생성된 반응물은 유동 가능한 끈끈한 폴리머에서 페이스트 형태의 고체로 변하는데, 용융체의 점도 변화에 따라 반응진행정도를 판단할 수 있다. 상기와 같은 축중합에 의해 만들어진 숙시닐 반복단위를 가지는 중합체를 폴리아스파르트산으로 만들기 위해서 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 첨가하여, 60 ∼ 80 ℃에서 가수분해를 진행시킨 다음 분액 깔대기를 사용하여 실리콘 용액층과 폴리아스파르트산 용액층을 분액하여 분리하여 목적하는 폴리아스파르트산 염을 제조한다. 제조된 폴리아스파르트산 염 용액에 함유된 실리콘 용액의 량은 사용한 실리콘 용액량의 0 ~ 1.0% 수준이었으며, 특히 0 ~ 0.1%가 보다 바람직하다. 가수분해된 폴리아스파르트산의 분자량은 GPC에 의해 측정되어졌으며, 축중합에 의해 만들어진 변형된 폴리아스파르트산 중합체의 분자량은 500 ∼ 10,000 이며, 특히 600 ∼ 5,000 인 폴리아스파르트산의 함량이 높았다. 형성된 염의 수용액상 고형분은 80% 이하에서 저장 시 안정하며, 특히 수용액상 고형분이 60% 이하일 경우 저장시 보다 바람직하다. 제조된 폴리아스파르트산 염 용액의 APHA 색도 값 즉, 미국 공중보건협회(American Public Health Association)에서 규정한 색도 값은 100 ~ 500 이었으며, 특히 350 ~ 500 일 경우가 보다 바람직하다.
종래의 방법에 따라 폴리아스파르트산을 제조할 경우 투입반응물 대비 발포율이 100 % 이상으로 높은 문제점이 있는데, 상기한 발포현상에 의하여 폴리아스파르트산 제조시 위험성이 컸으며, 이는 종래 유기용매를 사용한 폴리아스파르트산 제조공정에 의하면 개선될 소지가 없었다. 그러나, 본 발명의 경우 실리콘 용액을 사용하므로써 상기의 문제점을 효율적으로 개선하였으며, 투입반응물 대비 발포율이 5 ∼ 50 % 정도로 나타났다.
따라서, 종래의 작업환경에서 야기될 수 있는 제조자의 위험부담을 현저히 감소시킬 수 있어, 보다 안정한 작업환경을 제공할 수 있는 효과가 있다.
즉, 본 발명에 따른 폴리아스파르트산 제조방법에 의하면 종래의 폴리아스파르트산의 제조방법과 비교하여 용매를 별도로 제거하는 공정을 거치지 않으며, 종래보다 발포율이 낮아서 제조 공정상의 위험을 월등히 감소시킬 수 있다.
이하 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하는바, 본 발명이 다음 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
말레인산무수물 140 g(2.04 mole)과 실리콘 용액(Shin-Etsu Siliconee KF-54, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., 화학식 1에서 n은 1000, m은 1000, X는 CH3, Y는 CH3, Z는 CH3) 84 g을 반응기에 넣고 상온에서 사다리 모양의 교반기로 200 rpm으로 30분 동안 교반시킨 후 28 % 암모니아 수용액을 112.7 g (1.86mole)을 30분 동안 적하하였다. 이때 반응기 내부온도를 70 ℃ 이하로 유지시켰다. 반응온도를 140 ℃까지 승온한 후 진공도 160 torr로 부산물인 물이 이론양의 85 %가 나온 후 반응온도를 230 ℃까지 승온하여 이 진공도에서 부산물이 이론양의 98 % 이상 나올 때까지 반응시켰다.
중합체의 염을 만들기 위해 50 % 수산화나트륨 수용액 114.3 g과 물 285.9 g을 넣고 70 ℃에서 60분간 반응시켰다.
중화반응 후 분액깔대기에 정치시켜 실리콘 용액층과 폴리아스파르트산 용액층을 분리해 내었다. 수득된 고형분은 41 %이고, pH는 9.5이며, 분자량은 5,463이고, 투입반응물 대비 발포율은 41 % 이었다.
실시예 2
말레인산무수물 140 g(2.04 mole)과 실리콘 용액 112 g을 반응기에 넣고 상온에서 사다리 모양의 교반기로 200 rpm으로 30분 동안 교반시킨 후 28 % 암모니아 수용액을 112.7 g (1.86mole)을 30분 동안 적하하였다. 이때 반응기 내부온도를 70 ℃ 이하로 유지시켰다. 반응온도를 140 ℃까지 승온한 후 진공도 160 torr로 부산물인 물이 이론양의 85 %가 나온 다음 반응온도를 230 ℃까지 승온하여 이 진공도에서 부산물이 이론양의 98 % 이상 나올 때까지 반응시켰다.
중합체의 염을 만들기 위해 50 % 수산화나트륨 수용액 114.3 g과 물 285.9 g을 넣고 70 ℃에서 60분간 반응시켰다.
중화반응 후 분액깔대기에 정치시켜 실리콘 용액층과 폴리아스파르트산 용액층을 분리해 내었다. 수득된 고형분은 40 %이고, pH는 9.3이며, 분자량은 5,301이고, 투입반응물 대비 발포율은 18 % 이었다.
실시예 3
말레인산무수물 140 g(2.04 mole)과 실리콘 용액 140 g을 반응기에 넣고 상온에서 사다리 모양의 교반기로 200 rpm으로 30분 동안 교반시킨 후 28 % 암모니아 수용액을 112.7 g(1.86 mole)을 30분 동안 적하하였다. 이때 반응기 내부온도를 70 ℃ 이하로 유지시켰다. 반응온도를 140 ℃까지 승온한 후 진공도 160 torr로 부산물인 물이 이론양의 85 %가 나온 다음 반응온도를 230 ℃까지 승온하여 이 진공도에서 부산물이 이론양의 98 % 이상 나올 때까지 반응시켰다.
중합체의 염을 만들기 위해 50 % 수산화나트륨 수용액 114.3 g과 물 285.9 g 을 넣고 70 ℃에서 60분간 반응시켰다.
중화반응 후 분액깔대기에 정치시켜 실리콘 용액층과 폴리아스파르트산 용액층을 분리해 내었다. 수득된 고형분은 42 %이고, pH는 9.0이며, 분자량은 5,524이고, 투입반응물 대비 발포율은 7 % 이었다.
실시예 4
말레인산무수물 140 g(2.04 mole)과 실리콘 용액 140 g을 반응기에 넣고 상온에서 사다리 모양의 교반기로 200 rpm으로 30분 동안 교반시킨 후 28 % 암모니아 수용액을 104.0 g(1.71 mole)을 30분 동안 적하하였다. 이때 반응기 내부온도를 70 ℃ 이하로 유지시켰다. 반응온도를 140 ℃까지 승온한 후 진공도 160 torr로 부산물인 물이 이론양의 85 %가 나온 다음 반응온도를 230 ℃까지 승온하여 이 진공도에서 부산물이 이론양의 98 % 이상 나올 때까지 반응시켰다.
중합체의 염을 만들기 위해 50 % 수산화나트륨 수용액 114.3 g과 물 285.9 g을 넣고 70 ℃에서 60분간 반응시켰다.
중화반응 후 분액깔대기에 정치시켜 실리콘 용액층과 폴리아스파르트산 용액층을 분리해 내었다. 수득된 고형분은 41 %이고, pH는 9.0이며, 분자량은 5,429이고, 투입반응물 대비 발포율은 9 % 이었다.
실시예 5
말레인산무수물 140 g(2.04 mole)과 실리콘 용액 140 g을 반응기에 넣고 상 온에서 사다리 모양의 교반기로 200 rpm으로 30분 동안 교반시킨 후 28 % 암모니아 수용액을 95.4 g(1.57 mole)을 30분 동안 적하하였다. 이때 반응기 내부온도를 70 ℃ 이하로 유지시켰다. 반응온도를 140 ℃까지 승온한 후 진공도 160 torr로 부산물인 물이 이론양의 85 %가 나온 다음 반응온도를 230 ℃까지 승온하여 이 진공도에서 부산물이 이론양의 98 % 이상 나올 때까지 반응시켰다.
중합체의 염을 만들기 위해 50 % 수산화나트륨 수용액 114.3 g과 물 285.9 g을 넣고 70 ℃에서 60분간 반응시켰다.
중화반응 후 분액깔대기에 정치시켜 실리콘 용액층과 폴리아스파르트산 용액층을 분리해 내었다. 수득된 고형분은 42 %이고, pH는 9.2이며, 분자량은 5,289이고, 투입반응물 대비 발포율은 8 % 이었다.
실시예 6
말레인산무수물 140 g(2.04 mole)과 실리콘 용액 140 g을 반응기에 넣고 상온에서 사다리 모양의 교반기로 200 rpm으로 30분 동안 교반시킨 후 28 % 암모니아 수용액을 112.7 g(1.86 mole)을 30분 동안 적하하였다. 이때 반응기 내부온도를 70 ℃ 이하로 유지시켰다. 반응온도를 140 ℃까지 승온한 후 진공도 160 torr로 부산물인 물이 이론양의 85 %가 나온 다음 반응온도를 200 ℃까지 승온하여 이 진공도에서 부산물이 이론양의 98 % 이상 나올 때까지 반응시켰다.
중합체의 염을 만들기 위해 50 % 수산화나트륨 수용액 114.3 g과 물 285.9 g을 넣고 70 ℃에서 60분간 반응시켰다.
중화반응 후 분액깔대기에 정치시켜 실리콘 용액층과 폴리아스파르트산 용액층을 분리해 내었다. 수득된 고형분은 40 %이고, pH는 9.0이며, 분자량은 5,167이고, 투입반응물 대비 발포율은 7 % 이었다.
실시예 7
말레인산무수물 140 g(2.04 mole)과 실리콘 용액 140 g을 반응기에 넣고 상온에서 사다리 모양의 교반기로 200 rpm으로 30분 동안 교반시킨 후 28 % 암모니아 수용액을 112.7 g(1.86 mole)을 30분 동안 적하하였다. 이때 반응기 내부온도를 70 ℃ 이하로 유지시켰다. 반응온도를 140 ℃까지 승온한 후 진공도 160 torr로 부산물인 물이 이론양의 85 %가 나온 다음 반응온도를 170 ℃까지 승온하여 이 진공도에서 부산물이 이론양의 98 % 이상 나올 때까지 반응시켰다.
중합체의 염을 만들기 위해 50 % 수산화나트륨 수용액 114.3 g과 물 285.9 g을 넣고 70 ℃에서 60분간 반응시켰다.
중화반응 후 분액깔대기에 정치시켜 실리콘 용액층과 폴리아스파르트산 용액층을 분리해 내었다. 수득된 고형분은 42 %이고, pH는 9.1이며, 분자량은 4,051이고, 투입반응물 대비 발포율은 5 % 이었다.
비교예 1
말레인산무수물 140 g(1.43 mole)을 사다리 모양의 교반기로 200 rpm으로 교반하면서 28 % 암모니아 수용액을 112.7 g(1.86 mole)을 30분 동안 적하하였다. 이때 반응기 내부온도를 70 ℃ 이하로 유지시켰다. 반응온도를 140 ℃까지 승온한 후 진공도 160 torr로 부산물인 물이 이론양의 85 %가 나온 후 반응온도를 230 ℃ 까지 승온하여 이 진공도에서 부산물이 이론양의 98 % 이상 나올 때까지 반응시켰다.
중합체의 염을 만들기 위해 50 % 수산화나트륨 수용액 114.3 g과 물 285.9 g을 넣고 70 ℃에서 60분간 반응시켰다. 수득된 고형분은 40 %이고, pH는 9.2이며, 분자량은 2,800이고, 투입반응물 대비 발포율은 325 % 이었다.
비교예 2
말레인산무수물 140 g(2.04 mole)과 실리콘 용액 700 g을 반응기에 넣고 상온에서 사다리 모양의 교반기로 200 rpm으로 30분 동안 교반시킨 후 28 % 암모니아 수용액을 112.7 g(1.86 mole)을 30분 동안 적하하였다. 이때 반응기 내부온도를 70 ℃ 이하로 유지시켰다. 반응온도를 140 ℃까지 승온한 후 진공도 160 torr로 부산물인 물이 이론양의 85 %가 나온 다음 반응온도를 230 ℃까지 승온하여 이 진공도에서 부산물이 이론양의 98 % 이상 나올 때까지 반응시켰다.
중합체의 염을 만들기 위해 50 % 수산화나트륨 수용액 114.3 g과 물 285.9 g을 넣고 70 ℃에서 60분간 반응시켰다.
중화반응 후 분액깔대기에 정치시켜 실리콘 용액층과 폴리아스파르트산 용액층을 분리해 내었다. 수득된 고형분은 43%이고, pH는 9.0이며, 분자량은 5,021이고, 투입반응물 대비 발포율은 117 %이었다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 방법에 의하면 이염기산과 암모니아를 원료물질로 하여 폴리아스파르트산을 제조하되 실리콘 용액을 용매로 사용하므로써, 기존의 유기용매를 사용시 발생되던 유기용매의 독성 및 냄새로 인한 제조공정상의 불편함과 목적하는 폴리아스파르트산 제조후 상기 용매의 제거를 위하여 별도의 공정이 필요함에 따른 복잡함을 해소할 수 있다.
또한, 이염기산을 원료물질로 사용하는 폴리아스파르트산의 제조시 흔히 발생하는 발포현상을 현저히 감소시켜 작업상의 위험소지를 월등하게 줄일 수 있는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 이염기산과 암모니아를 반응시켜서 숙시닐 반복단위를 가지는 중합체를 제조한 후 이를 가수분해 및 중합시켜 폴리아스파르트산을 제조하는 방법에 있어서, 상기 반응의 용매 및 열매로서 다음 화학식 1로 표시되는 실리콘용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 폴리아스파르트산 제조방법.
    [화학식 1]
    Figure 112002007462353-pat00002
    이때, 상기 화학식 1에서 n은 0 ∼ 4,000 범위의 정수이고, m은 1 ∼ 1,000 범위의 정수이며, X는 CH3 또는 CH2CH2CF3 이고, Y는 CH3 또는 C6H5 이며, Z는 H, C1∼16 의 알킬기 또는 C6H5 이다.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 이염기산은 말레인산, 말레인산무수물, 말레인산 유도체, 푸마르산, 푸마르산 유도체, L-아스파르트산, D-아스파르트산, D,L-아스파르트산, 말산, 말론산 및 숙신산 중에서 선택된 하나 또는 둘이상의 조합물이 사용되는 것을 특징으로 하는 폴리아스파르트산 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 암모니아는 가스상 또는 수용액상태로 사용되며, 사용된 이염기산 대비 50 ∼ 250 몰% 범위내에서 사용하는 것을 특징으로 하는 폴리아스파르트산 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 용액은 사용된 이염기산 중량대비 30 ∼ 300 % 범위내에서 사용하는 것을 특징으로 하는 폴리아스파르트산 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 이염기산과 암모니아 및 실리콘 용액이 함유된 혼합물을 140 ∼ 260 ℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 폴리아스파르트산 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 가수분해 반응에서 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 사용된 이염기산 대비 100 ∼ 150 몰% 범위내에서 사용하는 것을 특징으로 하는 폴리아스파르트산 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 중합반응은 투입 반응물 대비 발포율이 5 ∼ 50 % 범위인 것을 특징으로 하는 폴리아스파르트산 제조방법.
  8. 상기 청구항 1 내지 청구항 7 중에서 선택된 어느 한 항의 방법으로 제조된 것으로, 잔류 실리콘 용액의 양이 0.1 ∼ 1.0% 인 것임을 특징으로 하는 폴리아스파르트산.
  9. 상기 청구항 1 내지 청구항 7 중에서 선택된 어느 한 항의 방법으로 제조된 것으로, 분자량이 500 ∼ 10,000 인 것임을 특징으로 하는 폴리아스파르트산.
  10. 상기 청구항 1 내지 청구항 7 중에서 선택된 어느 한 항의 방법으로 제조된 것으로, 미국 공중보건협회(American Public Health Association)에서 규정한 색값인 APHA 색도 값이 100 ∼ 500 인 것임을 특징으로 하는 폴리아스파르트산.
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