KR100791084B1

KR100791084B1 - 압전형 초소형 스피커 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR100791084B1
Application number: KR1020067012845A
Authority: KR
Inventors: 이승환
Original assignee: 충주대학교 산학협력단
Priority date: 2006-06-27
Filing date: 2003-11-27
Publication date: 2008-01-03
Also published as: KR20060127013A

Abstract

본 발명은 압전형 초소형 스피커 및 그 제조 방법에 관한 것으로 제작이 용이하면서 출력 성능이 개선된 압전형 초소형 스피커를 제조하는 방법과 그 방법으로 만들어진 스피커를 제공하는 것을 목적으로 한다.

이를 위해 본 발명은, 압전형 초소형 스피커의 다이어프램의 압축성 박막에 인공적인 요철을 주고 다이어프램 상부에 패키지 구조를 설치하여 스피커의 성능을 향상시키는 방법 및 그 방법으로 만들어진 스피커를 제시한다.

본 발명에 의한 압전형 초소형 스피커는 멤브레인의 변위가 증가되고, 패키지에 의해 음압을 증폭함으로써 초소형 스피커의 출력이 향상되는 효과를 가진다.

Description

압전형 초소형 스피커 및 그 제조 방법{PIEZOELECTRIC MICROSPEAKER WITH CORRUGATED DIAPHRAGM}

본 발명은 압전형 초소형 스피커 및 그 제조 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 압전형 초소형 스피커의 다이어프램에 요철을 주고 다이어프램 상부에 패키지 구조를 설치하여 스피커의 성능을 향상시키는 방법 및 그 방법으로 만들어진 스피커에 관한 것이다.

현재 개인 휴대 단말기(cellular phone)는 개인 휴대통신이나 데이터 전송 등의 편리함으로 인해 급격히 사용이 증가하고 있으며, 소형화, 경량화와 함께 고품질의 서비스를 제공하기 위하여 많은 개발이 이루어지고 있다.

개인 휴대 단말기용 마이크로폰 및 스피커는 소형화의 방향과 마이크로폰, 스피커 및 부저의 기능을 포함할 수 있는 통합 장치의 개발이 이루어지고 있다. 그러나, 동작 특성을 저하시키지 않으면서 마이크로폰과 초소형 스피커를 소형화하는 것은 많은 어려움이 있어 그 응용 영역이 국한되어 있다.

즉, 현재 상용화되어 있는 초소형 스피커의 경우 이를 보청기와 같은 초소형 음향소자를 요구하는 곳에서의 응용은 제한을 받고 있는 실정이다.

이러한 문제는 랩탑 컴퓨터와 각종 엔터테인먼트 기기 등 가전분야, 음성발 생 완구류 등을 포함하는 완구 분야, 음성재생카드 각종 카드장치분야 등 초소형 스피커가 이용될 수 있는 다양한 분야에서 동일하게 발생한다.

한편, 근래 초소형 전자 기계적 시스템(Micro Electro Mechanical Systems; MEMS) 기술을 이용하여 실리콘 웨이퍼에 마이크와 스피커를 소형화하는 기술이 종래에 개시되어 왔다.

이러한 MEMS 기술을 이용하여 실리콘 웨이퍼에 음향 변환기(acoustic transducer)를 제조하는 방법은 반도체 일괄 공정에 의해 제조가 가능하므로 비용을 절감할 수 있으며, 단일 칩 내에 다수의 변환기와 증폭기들을 집적할 수 가 있으므로 신호처리부가 포함된 음향 소자의 소형화가 가능하다는 것과 같이 종래의 방법과 비교하여 많은 이점이 있게된다.

일반적으로는 MEMS 기술을 이용한 스피커와 마이크로폰의 제작은 압전 박막을 이용한 방법이 주종을 이루고 있는데, 이는 압전 박막을 이용한 변환기가 기존 일렉트로 다이나믹(Electro-dynamic)형 스피커에서 요구되는 영구 자석과 구동 코일이 필요하지 않기 때문이고, 마이크로폰의 경우 콘덴서 타입보다는 제작이 보다 용이하며, 분극 전압이 필요없으며, 보다 넓은 동작 범위를 갖는 장점이 있다.

그렇지만, 기존 MEMS 기술을 이용한 음향 변환기는 대부분 압축 잔류 응력을 갖는 비화학적 질화막(Non-stoichiometric Nitride) 멤브레인을 사용하기 때문에 마이크로폰에서는 상대적으로 낮은 감도를 가지며 스피커에서는 낮은 출력을 가지는 문제점이 있다.

즉, 압축 잔류 응력만을 지닌 비화학 당량적 질화막을 이용한 초소형 스피커 의 경우 1) 불균일한 주름으로 인해 음색이 균일하지 않으며, 2) 압축 응력을 지닌 비화학 당향적 질화막 증착이 용이하지 않으며, 3) 주름만을 이용하기 때문에 압전 박막의 구동시 변형(deflection)이 용이하지 않아 음량발생이 제한되며, 4) 음압을 증폭시키기 위한 패키지 구조가 없어, 동일 전압하에서 발생한 음압이 기존의 상용 일렉트로다이나믹형 스피커보다 작다는 문제점이 있다.

발명의 개시

본 발명은 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 제작이 보다 용이하며, 동작 특성이 뛰어난 압전형 마이크로 스피커와 그 제조 방법을 목적으로 한다.

이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 압전형 초소형 스피커의 다이어프램에 요철을 주고 다이어프램 상부에 패키지 구조를 설치하는 방법을 제시한다.

도 1a 내지 1l은 본 발명에 따른 압전형 초소형 스피커 제조 방법의 일 실시예의 각 제조 단계의 단면도

도 2는 본 발명에 따른 압전형 초소형 스피커 제조 방법의 일 실시예의 공정도

*도면의 주요부분에 대한 부호 설명*

100 : 실리콘 기판 102, 102': 산화막

104 : 요철 106 : 압축성 박막

108, 108': 하부 전극 110 : 압전 박막

112 : 하부 절연막 114, 114': 상부 전극

116 : 상부 절연막 118 : 앵커 영역

120 : 후막 감광막 122 : 종자막 박막

124 : 상부 감광막 126 : 무전해 니켈층

128 : 공극

본 발명에 따른 압전형 초소형 스피커 제조 방법은, 실리콘 기판 일면의 외측부를 식각하여 기판 상에 요철을 형성하는 단계; 상기 기판 양면에 압축성 박막을 형성하는 단계; 상기 요철로 둘러싸인 기판면 중앙부 및 요철 외측 일부에 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 기판 중앙부에 형성된 하부 전극을 덮는 압전 박막을 형성하는 단계; 상기 기판면 전체에 절연막을 형성하는 단계; 상기 기판 중앙부의 절연막 상 및 요철 외측 하부 전극과 겹치지 않는 위치에 상부 전극을 형성하는 단계; 상기 기판면 전체에 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 중앙부 및 요철부 하부의 실리콘 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 따른 압전형 초소형 스피커 제조 방법은, 압전형 초소형 스피커가 형성된 기판면의 외측 일부의 절연막을 제거하여 앵커 영역을 형성하는 단계; 상기 앵커 영역을 제외한 상기 기판면에 후막 감광막 층을 형성하는 단계; 상기 기판면 전체에 종자막 박막을 형성하는 단계; 상기 앵커 영역의 외측 및 상기 기판 중앙부의 일부 영역에 상부 감광막 층을 형성하는 단계; 상기 상부 감광막 층을 제외한 기판면 전체에 무전해 니켈층을 성장시키는 단계; 및 상기 상부 감광막 층, 상기 상부 감광막 층과 접하는 종자막 및 후막 감광막 층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 압전형 초소형 스피커 제조 방법은,

1) 웨이퍼의 세정 및 산화막 성장 (약 1마이크로미터) 단계로서 초기 세척과 웨이퍼 이면 보호 및 인공적 요철(corrugation)구조를 만들기 위한 막 성장 단계; 2) 표면 요철(corrugation)의 형성을 위한 패터닝 및 전면 Si 식각 단계; 3) 산화막 식각 및 압축성 멤브레인 증착 (약 1 마이크로미터) 단계로서 압축성 멤브레인(즉, 비화학 당량적 질화막, 산화막/질회막 혹은 질화막/산화막/질화막) 구조로 성장 혹은 증착시키는 단계; 4) 하부전극(Al: 약 0.5 마이크로미터)을 증착 및 패터닝하는 단계로서 패터닝시 하부 알루미늄 전극이 요철 구조의 안쪽에 위치하도록 하는 단계; 5) 압전 박막(ZnO, AlN 등)의 증착(약 0.5 마이크로미터 이내) 및 식각단계로서 하부 전극의 손상을 방지하기 위해 건식 식각 혹은 본 출원인의 발표논문에 기재된 약품을 사용하는 단계; 6) 절연막 증착(패럴린-C 혹은 패럴린-D, 약 0.2 마이크로미터 이내) 및 패터닝 단계로서 하부전극과 다공질 압전체 간의 전기적 단락을 방지하기 위해 절연막을 증착하고, 상부 전극물질의 접촉부의 안정적인 접촉을 확보하기 위해 패터닝을 하는 단계; 7) 상부 전극 (Al 혹은 Au/Cr 이중층: 약 0.5 마이크로미터 이내) 증착 및 패터닝 단계로서 상부 전극 또한 요철 구조의 안쪽에 위치하도록 하며, 상부 전극은 하부 전극보다 약간 작게 함으로써 상하부 전극간의 전기적 단락을 방지하는 단계; 8) 후막(약 1 마이크로미터) 패럴린-C 혹은 패럴린-D 증착 및 패터닝 단계로서, 마지막 단일 칩으로 커팅시 기계적인 강도를 높여주거나 멤브레인 말단의 스트레스를 조절하기 위해 후막을 증착하고 Ni/Cr 종자층(Seed layer)의 부착력을 확보하기 위한 영역(anchor region)을 확보하기 위해 패터닝하는 단계; 9) 이면(Backside) 압축성 박막의 패터닝 및 식각단계로서 멤브레인의 크기를 결정하고 이후 이방성 식각용액(KOH용액) 내에서 실리콘을 식각하여 멤브레인을 형성하기 위해 패터닝을 하고 패터닝 후 반응성 이온 식각 시스템 내에서 압축성 박막의 식각을 진행하는 단계; 10) 후막 감광막(photoresistor) 도포, 패터닝 및 Ni/Cr 종자막의 증착단계로서 공극(cavity)영역을 확보하기 위해 후막의 감광막을 도포하고 종자층이 원하는 장소에만 실리콘과 부착하도록 정의하기 위해 패터닝하고 Ni/Cr 종차층의 증착시의 열화를 방지하기 위해 150도 정도의 고온에서 약 30분간 후막 감광막을 경화하며, 열증착 혹은 스퍼터링 법에 의해 전체 0.1 마이크로미터 이내의 두께로 Ni/Cr 종자층을 증착하는 단계; 11) 얇은 감광막 도포, 패터닝 및 무전해 니켈 도금 단계로서, 무전해 니켈 도금 후 불필요한 부분의 제거(lift-off) 및 음향 토출구 부분을 정의하기 위해 얇은 감광막을 도포하고, 저온에서 패키지 구조를 형성하기 위해 본 출원인의 논문에 제시된 공정조건 하에서 무전해 니켈도금을 하여 약 5마이크로미터 정도 두께의 금속 박막을 증착하는 단계; 12) 감광막 제거 및 이면 실리콘 제거 단계로서, 무전해(혹은 전해) 도금 후 공극을 형성하기 위해서 표면 및 니켈막 하부에 있는 박막 및 후박의 감광막은 아세톤 용액에서 약 10초간의 초음파 세척공정을 진행한 후 아세톤 용액에서 소정의 시간동안 방치함으로써 내외부의 감광막을 완전히 제거하고, 실리콘 식각장치를 이용하여 전면에 가공된 소자를 보호하고 이를 이방성 식각 용액에서 소정의 시간동안 실리콘을 제어함으로써 멤브레인을 형성하는 단계; 및 13) 칩 절단 및 와이어 본딩 단계로서, 실리콘 이방성 식각 후 각각의 단일 소자로 분리하고 각 전극부를 소정의 접촉부와 전기적인 접속을 시킴으로써 소자를 완성하는 단계를 포함한다.

본 발명에 따른 압전형 초소형 스피커는 상기의 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명을 첨부된 도면과 함께 설명한다. 도 1a 내지 11은 본 발명에 따른 압전형 초소형 스피커 제조 방법의 일 실시예의 각 제조 단계의 단면도이다. 즉, 도 11은 본 발명에 따른 압전형 초소형 스피커 제조 방법으로 제작된 스피커의 최종 단면도이다.

도 2는 본 발명에 따른 압전형 초소형 스피커를 제조하는 방법의 일 실시예이다.

실리콘 기판(100)을 세정하고 기판 상에 1㎛ 두께의 산화막(102, 102')을 성장시킨다(200). 실리콘 기판(100) 일면의 외측부를 식각하여 기판상에 요철(104)을 형성한다(202). 요철(104)은 압축성 박막이 증착될 멤브레인을 둘러싸는 형상으로 형성된다. 요철(104)) 형성을 위한 실리콘(100)의 식각은 산화막(102)을 패터닝하여 수행한다.

기판(100) 양면의 산화막(102)을 습식 식각 방법에 의하여 제거하고 1㎛ 두께의 압축성 박막(106)을 증착하여 형성한다(204). 압축성 박막(106)은 비화학적 당량적 질화막, 산화막과 질화막의 이중막 및 질화막, 산화막 및 질화막의 삼중막 중에서 선택된다. 압축성 박막(106)은 압축 잔류 응력을 지닌 막을 이용하기 때문에 실리콘을 제거하게 되면 멤브레인 주위에 주름(Wrinkling)이 형성되어 멤브레인의 상하운동이 인장 잔류 응력을 갖는 막보다 용이하게 하기 위하여 사용된다.

기판면 중앙부 및 요철 외측 일부에 0.5㎛ 두께의 Al을 증착 및 패터닝하여 하부 전극(108, 108')을 형성한다(206). 중앙부의 하부 전극(108)은 요철 내측에 위치하도록 한다.

기판 중앙부에 형성된 하부 전극(108)을 덮는 압전 박막(110)을 형성한다(208). 압전 박막(110)은 ZnO 또는 AlN 중에서 선택되는데 제조되는 전체 박막의 잔류응력을 고려하여 그 두께를 산정한 뒤 증착되고 식각된다. 이때 하부 전극(108)의 손상을 최소화하기 위해 건식 식각을 사용할 수 있다. 또한, 압전 박막 상하부 전극간의 절연을 위해 하부 전극(108)의 측면까지 완전히 덮도록 패터닝하여 식각한다.

기판면 전체에 하부 절연막(112)을 형성한다(210). 하부 절연막(112)은 Parylene-C 및 Parylene-D 중에서 선택되는데 0.2㎛로 증착된다. 하부 절연막(112) 증착은 하부 전극과 다공질의 압전체간의 전기적 단락을 방지하기 위함이다.

기판 중앙부의 하부 절연막(112) 및 요철 외측 하부 전극(108')과 겹치지 않는 위치에 상부 전극(114,114')을 형성한다(212). 상부 전극(114,114')은 0.5㎛ 이내의 Al 또는 잔류 응력을 고려한 소정 두께의 Au/Cr 이중층으로 0.5㎛로 증착 및 패터닝된다. 중앙부의 상부 전극(114) 또한 요철 구조 내측에 위치하며 하부 전극(108)보다 약간 작게 함으로써, 상하부 전극간의 전기적인 단락 및 커플링을 최대한 방지한다.

이때 상부 전극은 압전 박막의 변형을 최대로 발생시키기 위하여 일체형 혹은 두개의 부분으로 나누어진 전극부를 형성한다. 즉, 두개의 상부 전극이 전압을 인가 단자로 사용되는 경우 하부 전극은 공통 전극으로 사용된다.

기판면 전체에 상부 절연막(116)을 형성한다(214). 이때 Parylene-C 또는 Parylene-D를 1㎛ 두께로 증착한다. 이 막(116)은 마지막 단일 칩으로 커팅시 기계적인 강도를 높여주고 멤브레인 끝단의 스트레스를 조절하기 위하여 증착한다.

기판면 외측 일부의 절연막(112, 116)을 제거하여 앵커 영역을 형성한다(216). 이것은 종자막 층(seed layer; 122)의 부착력을 확보하기 위한 것이다. 기판 이면(backside)의 압축성 박막(102')을 패터닝하여 제거한다(218). 이에 의해 멤브레인의 최종 면적이 정의된다. 이 패터닝 후 압축성 박막(102')의 식각은 반응성 이온 식각 시스템(Reactive Ion Etching System)내에서 진행된다.

앵커 영역을 제외한 기판면에 후막 감광막(photoresistor; 120)을 형성한다(220). 후막 감광막(120)은 멤브레인과 무전해 니켈 박막을 이용한 패키지 사이의 공극(cavity; 128)을 확보하기 위해 도포된다. 이때 후막 감광막(120)은 종자막의 증착시 발생되는 열화를 최소화하고, 마이크로 균열(micro cracks)을 방지하기 위하여 150℃에서 30분 간 경화한다.

기판면 전체에 종자막 박막(122)을 형성한다(222). 종자막(122)은 니켈크롬 합금으로 열증착 또는 스퍼터링에 의해 0.1㎛의 두께로 증착된다.

앵커 영역(118)의 외측 및 기판 중앙부의 일부 영역에 상부 감광막(124) 층을 형성한다(224). 얇은 감광막(124)의 도포는 음향 토출구를 제외한 영역에서 무전해 니켈층을 형성하고, 무전해 니켈 도금 후 소자 영역상 불필요한 부분을 정의하여 제거하기 위함이다.

상부 감광막 층(124)을 제외한 기판 전면에 무전해 니켈층(126)을 형성한다(226). 무전해 니켈 도금(126)은 100℃ 이하의 저온에서 패키지 구조를 형성하기 위한 것으로 무전해 도금법에 의해 5㎛ 내지 10㎛두께의 금속 박막을 증착한다. 이때 도금된 니켈의 잔류 응력은 도금액의 조성, 온도 및 산도(pH)를 조절함으로써 도1l에 제시된 바와 같은 구조가 제작된다.

공극(128)을 형성하기 위해 표면 및 니켈막 하부에 있는 박막(124) 및 후막 감광막(120)은 아세톤 용액에서 수초간 초음파 세척 공정을 진행하여 감광막(120, 124)을 제거한다(228). 이때 상부 감광막 층(124)이 제거될 때 감광막 하부의 종자막층(122)도 함께 제거됨으로써, 이때 형성된 음향 토출구를 통하여 아세톤이 종자층 하부에 있는 후막 감광 층(120)도 함께 제거된다.

중앙부와 요철 하부의 실리콘 기판(100)을 수산화칼륨 수용액(KOH SOLUTION) 내에서 식각함으로써 멤브레인을 형성한다(230). 이때 실리콘 식각 장치를 이용하여 기판 전면에 가공된 소자를 보호하고, 이를 이방성 식각 용액에서 소정의 시간동안 실리콘(100)을 식각함으로써 멤브레인을 형성된다.

칩을 절단하고 와이어 본딩을 한다(232). 실리콘 기판의 이방성 식각 후에 각각의 소자로 분리하고 각 전극부를 소정의 접촉부와 전기적으로 접속시킴으로써 소자를 완성한다.

본 발명에 따른 압전형 초소형 스피커는 상기의 동작 원리는 다음과 같다. 압전 박막의 상하부에 위치한 전극(Al 혹은 하부 Al과 상부 Au/Cr 구조 또는 상부의 1,2차 전극, 이때 하부 전극은 공통 전극으로 사용된다)을 배열하여 샌드위치 구조를 한 진동판을 형성한 뒤 외부에서 교류 전압을 인가하면 압전 박막은 인가 전압의 극성 변화에 따라 수축(Contraction) 및 확장(Expansion)을 한다. 이러한 인가 전압에 따른 수축 및 확장은 실리콘 기판에 증착된 멤브레인의 상하 운동을 유발시키며, 이에 따라 멤브레인의 상하부 공기층을 움직이게 한다.

이때 압축성 잔류 응력을 지니도록 제작된 멤브레인 막의 고유 성질과 인위적인 요철 구조 및 전체적으로 조절된 멤브레인의 잔류 응력에 의해서 교류 전압에 따라 멤브레인은 용이하게 큰 진폭을 갖는 진동을 유발하게 된다. 즉, 멤브레인 막 자체의 고유 성질과 인위적인 요철 구조의 결합은, 인위적인 요철구조가 없는 스피커보다도 더욱 용이하게 더욱 더 큰 진폭의 진동을 발생시키는 것이다.

이때, 멤브레인의 진동은 멤브레인 상부에 위치한 공기층의 압력 변화를 유발시키며, 이에 따라 음압을 발생시킨다. 발행된 음압은 멤브레인의 상부에 위치한 공극을 갖는 패키지 구조에 의해 증폭되고 증폭된 음압은 패키지 부분의 형성된 음압 토출구를 통해 공기 중으로 전달됨으로써 보다 큰 음압을 갖는 초소형 스피커로서의 역할을 하게 된다.

본 발명에 의한 압전형 초소형 스피커는 제작이 용이하면서도 요철에 의해 스피커 멤브레인의 동작 성능이 개선되며 패키지에 의해 스피커의 출력이 개선되는 효과를 가진다. 또한 큰 진폭을 갖는 멤브레인 막 구조와 인위적 요철구조의 결합 으로 인해 발생 음압이 증대되며, 공극을 갖는 패키지 구조를 통해 발생음압을 구조적으로 증폭시키는 동시에 멤브레인을 기계적 충격으로부터 보호할 수 있는 초소형 스피커가 제공된다.

이러한 본 발명의 스피커는 통신 분야의 음성발생장치, 의료용 초소형 보청기, 완구류의 음성발생장치, 음생재생형 우편카드에 사용되는 박막 스피커 등 매우 다양한 용도로 사용될 수 있음은 당업자에게 자명하다.

이상에서는 본 발명을 하나의 실시예로써 설명하였으나 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형이 가능할 것이다. 본 명세서에 첨부된 특허청구범위에 제시된 바와 같이, 적어도 1) 압축성 잔류 응력을 갖는 멤브레인을 형성하기 위하여 질화막, 질화막/산화막 혹은 질화막/산화막/질화막 구조로 이루어진 멤브레인을 갖는 스피커 구조, 2) 요철(corrugation) 구조에 의하여 형성된 초소형 스피커 및 3) 위 1)과 2)의 조합을 이용한 초소형 스피커, 4) 위 1), 2), 3)의 구조에 음량을 증폭하기 위해 미세가공기술(micromachining)에 의해서 제작된 공극구조를 갖는 패키지가 포함된 초소형 스피커, 5) 공극을 갖는 패키지를 형성하메 있어서, 금속의 경우 전해 혹은 무전해 도금기술을 이용하여 제작된 초소형 스피커, 6) 이상의 모든 항으로 이루어진 초소형 스피커로서 스피커 구동을 위해 ZnO, AlN 등의 압전 박막을 이용한 초소형 스피커가 본 발명의 범위에 포함된다.

Claims

1)실리콘 기판 일면의 외측부를 식각하여 기판 상에 요철을 형성하는 단계;

2)상기 기판 양면에 압축성 박막을 형성하는 단계;

3)상기 요철로 둘러싸인 기판면 중앙부 및 요철 외측 일부에 하부 전극을 형성하는 단계;

4)상기 기판 중앙부에 형성된 하부 전극을 덮는 압전 박막을 형성하는 단계;

5)상기 기판면 전체에 하부 절연막을 형성하는 단계;

6)상기 기판 중앙부의 하부 절연막 상 및 요철 외측 하부 전극과 겹치지 않는 위치에 상부 전극을 형성하는 단계;

7)상기 기판면 전체에 상부 절연막을 형성하는 단계; 및

8)상기 중앙부 및 요철 하부의 실리콘 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전형 초소형 스피커 제조 방법.

삭제

제 1항에 있어서, 4)단계의 압전 박막은 ZnO 및 AlN 중 하나인 것을 특징으로 하는 압전형 초소형 스피커 제조 방법.

제 1항에 있어서, 상기 하부 및 상부 절연막은 Parylene-C 및 Parylene-D 중 하나인 것을 특징으로 하는 압전형 초소형 스피커 제작 방법.

제 1항에 있어서, 상기 하부 전극은 공통 전극이고, 상기 상부 전극은 두개로 나누어진 것을 특징으로 하는 압전형 초소형 스피커 제작 방법.

삭제