KR100749872B1 - 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기존의 비정질, 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 활성층에 채널영역은 마이크로 결정질 실리콘 박막을 적용하고, 채널영역의 상,하부에는 비정질 실리콘 박막을 적용한 3중 구조로 된 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

본 발명은 투명한 기판; 상기 기판 상에 형성되어 있는 게이트; 상기 게이트를 덮고 있는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성되어 있는 비정질 실리콘 박막/마이크로 결정질 실리콘 박막/비정질 실리콘 박막의 3중 구조로 된 실리콘 박막을 포함하는 박막 트랜지스터로 이루어짐에 기술적인 특징이 있다.

따라서, 기존의 비정질 실리콘 박막 트랜지스터나 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 단점을 최소화하면서, 간단한 공정으로 마이크로결정질 실리콘 박막 트랜지스터를 제작할 수 있고, 기존의 비정질 실리콘 박막 트랜지스터에 비해 이동도 특성은 향상되고, 누설전류 특성의 저하 없이 우수한 소자를 제작할 수 있으므로,능동형 액정 디스플레이(AM-LCD)나 능동형 유기 디스플레이(AM-OLED) 등의 구동소자를 간단한 공정으로 우수한 특성을 갖도록 제작함으로써 생산 단가의 감소 및 제품 특성이 향상되는 효과가 있다.

마이크로 결정질 박막, 박막 트랜지스터, 3중 구조 트랜지스터

Description

실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법{silicon thin film transistor and method for manufacturing the same}

도 1a 내지 도 1e는 종래 기술에 따른 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법을 나타내는 공정 단면도이다.

도 2a는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터를 나타내는 단면도이다.

도 2b 내지 도 2d는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법을 나타내는 공정 단면도이다.

도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 마이크로 결정질 실리콘 박막 트랜지스터의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100 : 기판 110 : 게이트

120 : 게이트 절연막 130 : 비정질 실리콘 박막

130a : 상부 비정질 실리콘 박막

130b : 하부 비정질 실리콘 박막

140 : 마이크로 결정질 실리콘 박막

150 : 제 1 절연막 160 : N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막

170 : 제 2절연막 180 : 금속층

본 발명은 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기존의 비정질, 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 활성층에 채널영역은 마이크로 결정질 실리콘 박막을 적용하고, 채널영역의 상,하부에는 비정질 실리콘 박막을 적용한 3중 구조로 된 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

도 1a 내지 도 1e는 종래 기술에 따른 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법을 나타내는 공정 단면도이다. 도 1a와 도 1b에 도시된 바와 같이, 기판(1) 상에 제1 절연물질(2)과 비정질 실리콘(4)을 연속으로 증착하는 공정이다. 상기 제1 절연막(2)은 추후 공정에서 생성될 수 있는 기판(1) 내부의 알카리 물질의 용출을 방지하기 위함이다. 상기 비정질 실리콘(4)을 증착한 후, 레이저 결정화 방법을 사용하여 결정화시킨다. 상기 결정화된 다결정 실리콘을 액티브층의 아일랜드 (8) 형태로 패터닝한다.

도 1c에 도시된 바와 같이, 아일랜드(8) 상부에 제2 절연층으로 게이트 절연막(10)과 게이트 전극(12)을 형성한다. 상기 아일랜드(8)는 두 개의 영역으로 구분 될 수 있으며, 제1 액티브 영역(14)은 순수 실리콘 영역이고, 제2 액티브 영역(16, 17)은 불순물 영역이다.

상기 제2 액티브 영역(16, 17)은 제1 액티브 영역(14)의 양 가장자리에 위치하고, 게이트 절연막(10)과 게이트 전극(12)은 제1 액티브 영역(14) 상에 형성되는 것이다. 게이트 전극(12)과 게이트 절연막(10)은 마스크의 수를 절감하기 위해 동일 패턴으로 형성된다.

상기 게이트 전극(12) 형성 후에 제2 액티브 영역에 저항성 접촉층을 형성하기 위해 이온도핑을 한다. 이때, 게이트 전극(12)은 제1 액티브(14) 영역에 도펀트 (Dopant) 즉, 불순물이 침투하는 것을 방지하는 이온 스타퍼(Ion-Stopper)의 역할을 한다.

상기 이온도핑시 불순물의 종류에 따라 실리콘 아일랜드(8)의 전기적 특성이 바뀌게 되며, 상기 불순물이 붕소(Boron)를 포함하는 3족 원소가 도핑되면 P-형 반도체로 동작하고, 인(Phosphorus)을 포함하는 5족 원소가 도핑되면 N-형 반도체로 동작한다. 상기 불순물은 반도체 소자의 사용 용도에 따라 적절한 선택을 한다. 상기 이온 도핑 공정 후에 불순물을 활성화하기 위한 공정으로 소정의 온도에서 어닐링 공정(Annealing Procassing)이 진행된다.

도 1d에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(12)과 제2 액티브 영역(16, 17) 및 제1 절연층(2)의 전면에 걸쳐 제3 절연층인 층간 절연막(Inter layer insulator) (18)을 증착하고 패터닝한다. 상기 제2 액티브 영역(16, 17)에 각각 소스/드레인 콘택홀(15, 19)을 형성한다.

도 1e에 도시된 바와 같이, 소스/드레인 콘택홀(15, 19)을 통해 제2 액티브 영역(16, 17)과 각각 접촉하는 소스 전극(20) 및 드레인 전극(22)을 형성한 후, 소스 전극(20)과 드레인 전극(22) 및 기판의 전면에 걸쳐 보호층(26)을 증착하고 패터닝하여 상기 드레인 전극(22) 상부 보호층(26)에 콘택홀을 형성한다.

그리고, 투명 도전전극을 증착하고 패터닝하여 드레인 전극(22) 상부 보호층 (26)에 형성된 콘택홀을 통해 드레인 전극(22)과 전기적으로 접촉하는 화소전극(28)을 형성한다.

상기와 같은 종래의 기술에서 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 낮은 캐리어의 이동도와 낮은 On/Off 비의 특성을 가지고 있기 때문에 원하는 특성을 얻기 위해서는 상대적으로 소자의 크기가 커야 하는 단점이 있다. 소자의 크기가 커짐에 따라 구동소자가 차지하는 면적이 커지게 되고 이에 따라 각 픽셀의 개구율이 줄어드는 단점이 있다.

다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 경우에는 소자의 특성은 우수하나 공정이 복잡하다는 단점이 있다. 소스/드레인 형성 시 도핑공정이 필수적이고, 도펀트의 활성화를 위해 열처리 공정을 진행해야 한다. 또한, 실리콘 박막의 결정화를 위해 고온 열처리나 레이저 열처리 같은 저온 열처리 공정이 추가적으로 필요하다. 능동형 평판 디스플레이 구동소자의 적용을 위해서는 500 ℃ 이하의 저온 공정이 요구되므로 열처리로(Furnace)를 이용한 열처리는 불가능하여 레이저를 이용한 국부적인 열처리를 주로 하게 되는데 이때에도 기판에 높은 온도가 인가되는 단점이 있다. 이를 해결하기 위해 금속층을 이용한 저온 열처리 방법 등을 적용하기도 하 나 이러한 방법도 누설전류의 증가 등 소자의 특성을 저하시키는 문제점이 있다.

마이크로 결정질 실리콘 박막이 적용된 기 발명된 트랜지스터의 경우, 채널 영역을 비정질 실리콘 박막에서 마이크로 결정질 실리콘 박막으로 대체한 효과로 인하여 소자의 이동도는 증가하나 게이트 절연막과 채널의 접합면을 통해 흐르는 누설전류는 감소시킬 수 없다. 이는 마이크로 결정질 실리콘 박막의 적용에 따른 누설전류의 증가특성을 채널 하부에는 비정질 실리콘 박막을 적용하여 일부 감소시키고자 하였으나 채널 상부의 누설전류는 해결하지 못하고 있다

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 트랜지스터의 활성층 영역에 적용된 마이크로 결정질 실리콘 박막의 상,하부에 비정질 실리콘 박막을 형성하여, 캐리어의 이동도가 높고, 누설전류를 감소시키기 위한 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.

본 발명의 상기 목적은 투명한 기판; 상기 기판 상에 형성되어 있는 게이트; 상기 게이트를 덮고 있는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성되어 있는 비정질 실리콘 박막/마이크로 결정질 실리콘 박막/비정질 실리콘 박막의 3중 구조로 된 실리콘 박막을 포함하는 실리콘 박막 트랜지스터에 의해 달성된다.

본 발명의 다른 목적은 기판 상부에 게이트를 증착한 후, 상기 게이트를 패터닝하는 단계; 게이트 절연막과 하부 비정질 실리콘 박막을 순차적으로 증착한 후, 상기 하부 비정질 실리콘 박막을 패터닝하는 단계; 마이크로 결정질 실리콘 박막을 증착한 후, 상기 마이크로 결정질 실리콘 박막을 패터닝하는 단계; 및 상부 비정질 실리콘 박막을 증착한 후, 상기 상부 비정질 실리콘 박막을 패터닝하는 단계를 포함하는 실리콘 박막 트랜지스터 제조방법에 의해 달성된다.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.

도 2a는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터를 나타내는 단면도이다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 투명한 기판(100), 상기 기판(100) 상에 형성되어 있는 게이트(110), 상기 게이트(110)를 덮고 있는 게이트 절연막(120), 상기 게이트 절연막(120) 상에 형성된 상부 비정질 실리콘 박막(130a)/마이크로 결정질 실리콘 박막(140)/하부 비정질 실리콘 박막(130b)의 순차적인 3중 구조로 제작된 실리콘 박막, 상기 3중 구조로 된 실리콘 박막의 소정 부분을 덮고 있는 제 1 절연막(150); 상기 제 1 절연막(150)의 소정 부분을 덮고 있는 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막(160); 상기 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막(160)의 소정 부분을 덮고 있는 제 2 절연막(170); 및 상기 제 2 절연막(170)과 N-형 마이클 결정질 실리콘 박막(160) 사이에 형성된 금속층(180)으로 구성되어 있다. 상기 기판(100)은 금속, 플라스틱, 실리콘 및 글래스 중 어느 하나를 사용한다.

도 2b 내지 도 2g는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법을 나타내는 공정 단면도이다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상부에 게이트(110)를 증착한 후, 상기 게이트(110) 상에 포토레지스트(미도시)를 도포하고, 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트를 노광 현상함으로써, 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 게이트(110)를 식각한 후, 상기 포토레지스트를 제거한다.

도 2c에 도시된 바와 같이, 게이트 절연막(120)과 하부 비정질 실리콘 박막(130b)을 순차적으로 증착한 후, 상기 하부 비정질 실리콘 박막(130b) 상에 포토레지스트를 도포하고, 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트를 노광 현상함으로써, 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하부 비정질 실리콘 박막(130b) 식각한 후, 상기 포토레지스트를 제거한다.

또한, 마이크로 결정질 실리콘 박막(140)을 증착한 후, 상기 마이크로 결정질 실리콘 박막(140) 상에 포토레지스트를 도포하고, 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트를 노광 현상함으로써, 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 마이크로 결정질 실리콘 박막(140)을 식각한 후, 상기 포토레지스트를 제거한다.

또한, 상부 비정질 실리콘 박막(130a)을 증착한 후, 상부 비정질 실리콘(130a) 상에 포토레지스트를 도포하고, 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트를 노광 현상함으로써, 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상부 비정질 실리콘(130a)을 식각한 후, 상기 포토레지스트를 제거한다.

도 2d에 도시된 바와 같이, 제 1 절연막(150)을 증착한 후, 상기 제 1 절연 막(150) 상에 포토레지스트를 도포하고, 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트를 노광 현상함으로써, 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 제 1 절연막(150)을 식각한 후, 상기 포토레지스트를 제거한다.

도 2e에 도시된 바와 같이, N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막(160)을 증착한 후, 상기 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막(160) 상에 포토레지스트를 도포하고, 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트를 노광 현상함으로써, 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막(160)을 식각한 후, 상기 포토레지스트를 제거한다.

도 2f에 도시된 바와 같이, 제 2 절연막(170)을 증착한 후, 상기 제 2 절연막(170) 상에 포토레지스트를 도포하고, 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트를 노광 현상함으로써, 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 제 2 절연막(170)을 식각한 후, 상기 포토레지스트를 제거한다.

도 2g에 도시된 바와 같이, 금속층(180)을 증착한 후, 상기 금속층(180) 상에 포토레지스트를 도포하고, 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트를 노광 현상함으로써, 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 금속층(180)을 식각한 후, 상기 포토레지스트를 제거한다.

상기와 같은 공정을 통해 하부 게이트 구조의 마이크로 결정질 실리콘 박막 트랜지스터가 완성된다.

도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 마이크로 결정질 실리콘 박막 트랜지스터의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다. 도 3a는 마이크로 결정질 실리콘 박막 (140) 상부에 게이트(110)가 형성된 박막 트랜지스터의 상부 게이트 구조를 나타내고 있고, 도 3b는 마이크로 결정질 실리콘 박막(140) 상부와 하부에 이중 게이트(110)가 형성된 박막 트랜지스터의 상/하부 게이트 구조를 나타내고 있다.

본 발명의 박막 트랜지스터는 기존의 비정질, 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 활성층과 소스/드레인층을 마이크로 결정질 실리콘 박막을 적용하여 구동소자를 제작한다.

따라서, 상기 구동소자에 적용되는 마이크로 결정질 실리콘 박막 증착시 수소 가스의 혼합비 변화에 따라 결정화 정도를 조절할 수 있으므로 결정화를 위한 추가적인 열처리 공정이 필요하지 않게 되고, 소스/드레인층 형성시에도 P-형 또는 N-형의 도핑층을 추가적인 도핑이나 열처리 공정없이 형성할 수 있기 때문에 간단한 공정으로 제작이 가능하다.

본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.

따라서, 본 발명에 따르면, 기존의 비정질 실리콘 박막 트랜지스터나 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 단점을 최소화하면서, 능동형 디스플레이 구동소자에 적용 가능한 마이크로 결정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정을 단순화할 수 있 다.

또한, 기존의 비정질 실리콘 박막 트랜지스터에 비해 이동도 특성은 향상되고, 누설전류 특성의 저하 없이 우수한 소자를 제작할 수 있다.

따라서, 능동형 액정 디스플레이(AM-LCD)나 능동형 유기 디스플레이(AM-OLED) 등의 구동소자를 상대적으로 간단한 공정으로 우수한 특성을 갖도록 제작함으로써 생산 단가의 감소 및 제품 특성이 향상되는 효과가 있다.

Claims (8)

1. 투명한 기판;

   상기 기판 상에 형성되어 있는 게이트;

   상기 게이트를 덮고 있는 게이트 절연막; 및

   상기 게이트 절연막 상에 형성되어 있는 비정질 실리콘 박막/마이크로 결정질 실리콘 박막/비정질 실리콘 박막의 3중 구조로 된 실리콘 박막을 포함하고,

   상기 게이트는 마이크로 결정질 실리콘 박막 상/하부 이중 게이트로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 트랜지스터.
2. 제 1항에 있어서;

   상기 적층구조로 된 실리콘 박막의 소정 부분을 덮고 있는 제 1 절연막;

   상기 제 1 절연막의 소정 부분을 덮고 있는 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막;

   상기 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막의 소정 부분을 덮고 있는 제 2 절연막; 및

   상기 제 2 절연막과 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막 사이에 형성된 금속층

   을 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 실리콘 박막 트랜지스터.
3. 삭제
4. 제 1항에 있어서,

   상기 기판은 금속, 플라스틱, 실리콘 및 글래스 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 트랜지스터.
5. 기판 상부에 게이트를 증착한 후, 상기 게이트를 패터닝하는 단계;

   게이트 절연막과 하부 비정질 실리콘 박막을 순착적으로 증착한 후, 상기 하부 비정질 실리콘 박막을 패터닝하는 단계;

   마이크로 결정질 실리콘 박막을 증착한 후, 상기 마이크로 결정질 실리콘 박막을 패터닝하는 단계; 및

   상기 비정질 실리콘 박막을 증착한 후, 상기 상부 비정질 실리콘 박막을 패터닝하는 단계를 포함하고,

   상기 게이트는 마이크로 결정질 실리콘 박막 상/하부 이중 게이트로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 트랜지스터 제조방법.
6. 제 5항에 있어서,

   제 1 절연막을 증착한 후, 상기 제 1 절연막을 패터닝하는 단계;

   N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막을 증착한 후, 상기 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막을 패터닝하는 단계;

   제 2 절연막을 증착한 후, 상기 제 2 절연막을 패터닝하는 단계; 및

   금속층을 증착한 후, 상기 금속층을 패터닝하는 단계

   를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 실리콘 박막 트랜지스터 제조방법.
7. 삭제
8. 제 5항에 있어서,

   상기 마이크로 결정질 박막은 증착 가스 중 수소 가스의 혼합비를 조정하여 제조하는 실리콘 박막 트랜지스터 제조 방법.

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