KR100749543B1 - 기판 세정 장치 및 그 세정 방법 - Google Patents

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구교욱
조중근
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판상에 복수의 약액이나 기체를 공급하여 기판을 세정 건조하는 기판 세정 장치에 관한 것이다. 본 발명의 기판 세정 장치는 기판이 놓여지는 척, 척에 놓여진 기판의 상면과 마주보도록 척의 상부에 위치되는 상부 커버 및 기판의 상면으로 유체를 분사하는 제1노즐부를 포함할 수 있다. 이러한 구성의 기판 세정 장치는 기판의 상부 공간을 최소한으로 제한하여, 기판의 건조 효율 증대 및 외부 오염 차단 그리고 산화막 방지 등의 효과를 얻을 수 있다.
기판, 세정, 커버

Description

기판 세정 장치 및 그 세정 방법{A METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING SUBSTRATES}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 장치의 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 상부 커버의 저면도이다.
도 3은 상부 커버의 제1노즐부에 의해 처리되는 영역들을 보여주는 기판의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 기판 세정 장치에서 분사구들의 간격을 순차적으로 좁게 형성된 상부 커버의 저면도이다.
도 5는 제1노즐부가 상부 커버의 저면에 설치된 예를 보여주는 기판 세정 장치의 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
110: 척 120 : 덕트
130 : 유체 공급부 140 : 상부 커버 유닛
150 : 하부 커버 유닛
본 발명은 반도체 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 기판상에 복수의 약액이나 기체를 공급하여 기판을 세정 건조하는 기판 세정 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정에서는 절연막 및 금속물질의 증착(Deposition), 식각(Etching), 감광제(Photo-resist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 애셔(Asher) 제거 등이 수회 반복되어 미세한 패터닝(Patterning)의 배열을 만들어 나가게 되며, 각각의 공정에서 발생하는 이물질의 제거를 위한 공정으로는 순수(Deionized Water) 또는 약액(Chemical)을 이용한 세정공정(Wet Cleaning Process)이 있다.
일반적인 세정건조 장치는 한 장의 웨이퍼를 처리할 수 있는 웨이퍼 척(Wafer chuck)으로 웨이퍼를 고정시킨 후 모터에 의해 웨이퍼를 회전시키면서, 웨이퍼의 상부에서 분사노즐을 통해 약액 또는 순수를 흘려주어, 웨이퍼의 회전력에 의해 약액 또는 순수가 웨이퍼의 전면으로 퍼지게 하여 공정이 이루어지도록 하고 있다.
이와 같이, 매엽식 세정건조 장치에서는 순수를 이용한 린스 처리후에 N2 가스로 건조하는 방식으로 세정 건조 공정이 이루어지고 있다.
하지만, 웨이퍼가 대형과 되고, 웨이퍼 상에 형성된 패턴이 미세화되면서 세정 공정에서 사용된 순수가 완전히 제거되지 않고 미건조되는 현상이 발생되고 있다. 또한, 웨이퍼가 대기 중에 노출된 상태에서 세정 및 건조가 이루어지기 때문에 외부 환경에 많은 영향을 받아 건조 불량이 발생된다.
본 발명의 목적은 기판 세정 및 건조를 위해 공급되는 유체의 농도 및 온도 변화를 최소할 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 목적은 외부 환경으로부터 영향을 최소화 할 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 목적은 신속한 기판 세정 및 건조가 가능한 기판 세정 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 목적은 외부 오염원으로 기판의 상면을 보호할 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징에 의하면, 기판 세정 장치는 기판이 놓여지는 척; 상기 척에 놓여진 기판의 상면과 마주보도록 상기 척의 상부에 위치되는 상부 커버; 및 상기 기판의 상면으로 유체를 분사하는 제1노즐부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 척을 회전시키기 위한 제1회전부재와, 상기 상부 커버를 회전시키기 위한 제2회전부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 상부 커버는 공정 진행시 상기 기판의 상면으로부터 0.1-10mm 이격되게 위치될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 유체를 가열하는 가열부를 더 포함하며, 상기 가열부에 의해 가열된 유체는 상기 분사구들을 통해 상기 상부 커버와 상기 기판 사이의 좁은 공간으로 공급된다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 제1노즐부는 상기 상부 커버의 저면에 설치되거나 또는 상기 상부 커버에 형성될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 제1노즐부는 상기 기판의 중심으로부터 가장자리로 이어지는 수평 선상에 다수의 분사구들이 형성된 적어도 하나의 노즐을 포함하되; 상기 분사구들은 상기 기판의 중심으로부터 가장자리로 갈수록 개구 밀도가 높을 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 제1노즐부는 상기 상부 커버의 내부에 형성되며, 외부로부터 유체를 공급받는 유체 통로; 및 상기 유체 통로와 연결되도록 상기 상부 커버의 저면에 형성되는 다수의 분사구들을 갖는다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 유체는 유기용제 및 질소가스를 갖는 건조유체를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 건조 유체를 가열하는 가열부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 제1회전부재를 제어하는 제어부를 더 포함하되; 상기 제어부는 상기 척이 공정 초기에 고속으로 회전되다가 공정 후기에 저속으로 회전되도록 상기 제1회전부재를 제어할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 척에 놓여진 기판의 저면과 마주보도록 상기 척과 상기 기판의 저면 사이에 위치되는 하부 커버 와, 상기 하부 커버를 회전시키기 위한 제3회전부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 하부 커버는 상기 기판의 저면으로 유체를 분사하는 제2노즐부를 더 포함할 수 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징에 의하면, 기판 세정 방법은 기판이 놓여지는 척상에 기판의 상면과 마주보도록 상부커버를 제공하며, 상기 기판과 상기 상부커버 사이로 세정 유체를 공급하여 공정을 진행할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 척과 상기 상부커버 사이의 공간이 고온 분위기로 유지되도록 가열된 유기용체 및 질소가스를 공급할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 척과 상기 상부커버 사이의 공간 사이로 가열된 약액을 공급하되; 상기 기판의 중앙으로부터 가장자리로 갈수록 다량의 약액을 공급할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 척과 상기 상부커버 중 적어도 하나는 회전되면서 공정을 진행할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 척과 상기 상부커버가 회전되면서 공정이 진행되되; 상기 상부 커버의 회전속도는 상기 척의 회전속도와 상이할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 척은 공정 초기에 고속으로 회전되다가 공정 후기에 저속으로 회전될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 기판이 놓여지는 척상에 기판의 저면과 마주보도록 하부커버를 제공하며, 상기 기판과 상기 하부커버 사이로 세정 유체를 공급하여 공정을 진행할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 5에 의거하여 상세히 설명한다. 또, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.
본 발명의 기본적인 의도는 기판의 건조 효율 증대 및 외부 오염 차단 그리고 산화막 방지 등의 효과를 얻을 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는데 있다. 이를 위해 본 발명자는 기판의 상부공간과 하부 공간을 최소한으로 제한하기 위한 그리고 기판 세정 및 건조를 위한 유체 공급이 가능한 상,하부 커버를 갖는 기판 세정 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 세정 장치의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 세정 장치(100)는 기판(w)을 스피닝시키면서 세정/건조 공정을 진행하는 회전형 장치로써, 기판 세정 장치(100)는 기판(W)이 놓여지는 척(110), 상부 커버 유닛(140), 하부 커버 유닛(150), 유체 공급부(130) 그리고 덕트(120)를 포함한다.
척(110)은 기판(W)이 놓여지는 스핀헤드(112)와, 스핀헤드(112)를 회전시키 기 위한 제1회전부재(116) 그리고 제1회전부재(116)를 제어하는 제어부(119)로 이루어진다. 스핀 헤드(112)는 스핀들(113)과, 상면으로부터 이격된 상태로 기판(W)을 홀딩하는 척킹핀(114)들을 갖는다. 기판(W)은 척킹핀(114)들에 의해 스핀 헤드(112)의 상면으로부터 이격된 상태로 고정된다. 척킹핀(114)들은 실린더나 모터등(도시하지 않음)을 사용하여 기판의 측면으로부터 기판의 가장자리(edge)를 기계적으로 고정하게 된다. 제1회전부재(116)는 스핀 헤드(112)를 회전시킬 수 있도록 구성된다. 즉, 제1회전부재(116)는 회전력을 발생하는 모터와 같은 구동부(116a)와, 구동부(116a)로부터 발생된 회전력을 스핀 헤드(112)의 스핀들(113)로 제공하는 벨트와 같은 동력전달부(116b)를 포함한다.
척(110) 주위에는 환형의 덕트(120)가 설치된다. 덕트는(120) 기판의 세정 및 건조 공정이 진행되는 동안 회전되는 기판(W)상에서 비상되는 유체(세정액, 린스액, 건조가스 등)를 유입 및 흡입하기 위한 것이다. 이것에 의해 외부의 다른 장치나 주위가 오염되는 것이 방지될 뿐만 아니라, 약액 회수 및 재사용이 가능하다.
유체 공급부(130)는 세정액 공급원(132a), 린스액 공급원(132b), 건조가스 공급원(132c) 그리고 건조가스를 가열하는 가열부(134) 등을 포함하며, 유체 공급부(130)는 공정 순서에 따라 세정액, 린스액 그리고 고온의 건조가스를 순차적 또는 선택적으로 제1,2노즐부로 공급하게 된다. 참고로, 건조 가스에는 유기용제(IPA) 및 질소가스가 포함될 수 있다. 참고로, 가열부(134)는 유기용제를 30℃ 이상 90℃ 미만의 온도로 가열하게 된다.
도시되지 않았지만, 덕트(120)와 척(110) 그리고 상부커버 유닛은 상대적으 로 또는 개별적으로 승강하도록 구성되어 있고, 이들을 승,하강시킨 상태에서 기판을 척(110)의 스핀 헤드(112) 상으로 반입하거나, 처리가 끝난 기판(W)을 반출하도록 되어 있다.
상부 커버 유닛(140)은 척(110) 상부에 배치된다. 상부 커버 유닛(140)은 스핀 헤드(112)에 놓여진 기판(W)의 상면과 마주보도록 배치되는 상부 커버(142)와, 상부 커버를 회전시키기 위한 제2회전부재(148)를 포함한다.
상부 커버(142)는 기판(W)의 상면을 충분하게 커버할 수 있는 크기의 원형 플레이트로써, 상부 커버(142)는 가장자리에 아래쪽으로 돌출된 돌기부(142a)와 기판의 상면으로 유체를 분사하는 제1노즐부(144)를 갖는다. 돌기부(142a)는 기판(W)의 상면(기판과 상부 커버 사이의 공간)으로부터 비산되는 유체가 덕트(120)쪽으로 흘러가도록 하는 가이드 역할을 하게 된다.
상부 커버(142)는 공정이 진행될 때 기판(W)의 상면으로부터 최소 0.1mm 그리고 최대 10mm 이격되게 위치되는 것이 바람직하다. 예컨대, 상부 커버(142)와 기판(W) 상면과의 간격(상부영역)은 좁을수록 모세관 현상에 의해 파티클 제거 효율 및 건조 효율이 좋아지지만 0.1mm 보다 작으면 기계적 공차 및 기판의 휨 현상에 의한 스크래치가 발생될 가능성이 있다. 반대로, 상부 커버(142)와 기판(W)의 상면 간격이 10mm 보다 크면 건조 효율 등이 떨어지게 된다.
제2회전부재(148)는 상부 커버(142)를 회전시킬 수 있도록 구성된다. 즉, 제2회전부재(148)는 회전력을 발생하는 모터와 같은 구동부(148a)와, 구동부(148a)로부터 발생된 회전력을 상부 커버(142)의 스핀들(143)로 제공하는 벨트와 같은 동력 전달부(148b)를 포함한다. 제2회전부재(148)는 스핀 헤드(112)의 회전속도와는 상이한 속도로 상부 커버(142)를 회전시킬 수 있다.
제1노즐부(144)는 상부 커버(142)의 내부에 형성된다. 제1노즐부(144)는 외부로부터 유체를 공급받는 유체 통로(144a)와, 유체통로(144a)와 연결되도록 상부 커버(142)의 저면에 형성되는 다수의 분사구(144b)들을 포함한다. 유체는 상부 커버(142)의 스핀들(143) 내부에 형성된 공급라인(145)을 통해 유체 통로(144a)로 제공된다. 분사구(144b)들은 기판(W)의 중심으로부터 가장자리로 이어지는 수평 선상에 일정 간격으로 형성된다. 분사구(144b)들은 기판의 중심으로부터 가장자리로 갈수록 개구 밀도가 높게 형성되는 것이 바람직하다. 개구 밀도를 높이는 방법으로는, 도 2a에서와 같이 분사구(144b)들의 개구 면적을 순차적으로 크게 형성하는 방법과, 도 4에서와 같이 분사구(144b)들의 간격을 순차적으로 좁게 형성하는 방법이 선택적으로 사용될 수 있다. 도 3은 도 2a에 도시된 분사구들에 의해 처리되는 기판의 영역들을 보여주는 것이다.
이처럼, 제1노즐부(144)는 복수의 분사구(144b)들을 통해 고온의 건조기체를 기판 상부 공간으로 공급하기 때문에 기판의 상면 전체가 고온의 건조기체에 의해 균일하게 건조된다.
도 5는 상부 커버의 저면에 설치된 제1노즐부를 보여주는 도면이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제1노즐부(144')는 상부 커버(142)와는 별도로 구성되어 상부 커버(142) 저면에 설치될 수 있다.
상술한 바와 같이, 기판 세정 장치(100)는 상부 커버(142)에 의해 기판(W)의 상부에 제한된 상부영역(a)을 제공하게 된다. 상부 커버(142)에 의해 형성된 상부영역(a)은 완전한 밀폐공간은 아니지만 외부 환경으로부터 최대한 격리된 제한된 공간이라 할 수 있다. 이러한 상부 영역(a)은 가열된 건조기체가 기판 상면으로 공급되더라도 쉽게 온도가 떨어지지 않고 고온의 분위기로 유지될 수 있는 각별한 효과를 갖는다. 특히, 다수의 분사구(144b)들을 통해 기판의 여러 지점으로 고온의 건조기체가 공급되기 때문에 기판의 건조 효율을 높이고 건조 시간을 단축할 수 있다. 한편, 기판(W)의 상부 영역(a)으로 유기용제가 포함된 고온의 건조 기체를 공급하는 경우, 적은 양을 공급하더라도 상부 영역(a)의 유기용제 농도 분포가 높게 그리고 고르게 형성됨으로써 충분한 건조 효율을 얻을 수 있다.
또한, 기판에 의해 상부 영역(a)으로 제공되는 유체의 이동속도는 상부커버(142) 및 기판(w)의 회전속도가 높아질수록 증가하게 되는데, 이때 유체는 유체의 이동 통로가 되는 상부 영역(a)이 좁기 때문에 더욱 빠르게 이동하게 된다. 따라서, 기판 표면에 잔류하는 파티클의 제거 효율 및 물기 제거 효율이 향상될 수 있는 것이다.
하부 커버 유닛(150)은 척(110) 하부에 배치된다. 하부 커버 유닛(150)은 스핀 헤드(112)에 놓여진 기판(W)의 저면과 마주보도록 스핀 헤드(112)와 기판(W) 사이에 배치되는 하부 커버(152)와, 하부 커버(152)를 회전시키기 위한 제3회전부재(158)를 포함한다.
하부 커버(152)는 기판(W)의 저면을 충분하게 커버할 수 있는 크기의 원형 플레이트로써, 하부 커버(152)는 기판(w)의 상면으로 유체를 분사하는 제2노즐 부(154)를 갖는다.
하부 커버(152)는 기판(W)의 저면으로부터 이격되며, 그 간격은 상부 커버(142)와 기판(W) 상면과의 거리와 대응되는 것이 바람직하다.
제2노즐부(154)는 하부 커버(152)의 내부에 형성된다. 제2노즐부(154)는 유체 공급부(130)로부터 유체를 공급받는 유체 통로(154a)와, 유체 통로(154a)와 연결되도록 하부 커버(152)의 상면에 형성되는 다수의 분사구(154b)들을 포함한다. 분사구(154b)들은 기판의 중심으로부터 가장자리로 이어지는 수평 선상에 일정 간격으로 형성된다. 분사구(154b)들은 기판의 중심으로부터 가장자리로 갈수록 개구 밀도가 높게 형성되는 것이 바람직하다.
제3회전부재(158)는 하부 커버(152)를 회전시킬 수 있도록 구성된다. 제3회전부재(158)는 회전력을 발생하는 모터와 같은 구동부(158a)와, 구동부(158a)로부터 발생된 회전력을 하부 커버(152)의 스핀들(153)로 제공하는 벨트와 같은 동력전달부(158b)를 포함한다. 스핀 헤드(112)의 스핀들(113)에는 하부 커버(152)의 스핀들(153)이 지나가는 관통구가 형성된다.
이와 같이, 본 발명의 장치는 기판의 세정 건조 방식에 따라 분사구들의 개수 또는 분사구들로 공급되는 유체의 종류를 변경할 수 있으며, 분사구들간의 간격 역시 조정될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판(w)은 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel : PDP), 액정디스플레이(liquid crystal display : LCD), 전계발광소자(field emission display : FED) 및 유기발광소자(organic light emitting device: OLED)의 제조에 사용되는 사각형의 평판기판으로 이루어진다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 장치에서의 세정 방법을 설명하면 다음과 같다.
기판(W)은 척(110)의 스핀 헤드(112)에 로딩된다. 상부 커버(142)는 기판(W)의 상면으로부터 일정 간격(0.1mm) 이격되도록 제공된다. 상부 커버(142)와 스핀 헤드(112)는 서로 상이한 속도로 회전되고(또는 스핀 헤드만 회전되거나 또는 상부 커버만 회전될 수 있다.), 기판의 상부 영역(a)으로는 세정 및 건조를 위한 유체가 공급된다. 제1회전부재(116)는 스핀 헤드(112)가 공정 초기에 고속으로 회전되다가 공정 후기에 저속으로 회전되도록 제어부(119)에 의해 제어된다. 여기서, 유체 공급은 세정액, 린스액 그리고 건조가스 순으로 또는 선택적으로 이루어질 수 있다. 기판의 상부 영역(a)으로는 기판(W)의 중앙으로부터 가장자리로 갈수록 다량의 유체가 공급되게 된다. 건조가스는 가열기(134)에 의해 고온으로 가열된 상태에서 상부 영역(a)으로 공급되어 기판 상면을 신속하게 건조시킨다. 본 발명에서는 기판의 상면과 저면을 동시에 세정할 수 있다. 기판(W)의 저면 세정은 하부 커버(152)가 스핀 헤드(112)의 회전속도와 상이한 속도로 회전되는 상태에서, 하부 커버(152)의 제2노즐부(154)를 통해 상부 영역(a)으로 제공되는 유체와 동일한 유체가 기판의 저면으로 공급되면서 이루어진다. 기판(W)으로부터 유체 공급이 완료되면(기판 건조 과정이 완료되면), 기판(W)은 스핀 헤드(112)와 상부 커버(142) 그리고 하부 커버(152)가 정지된 상태에서 스핀 헤드(112)로부터 언로딩된다.
본 발명은 기판을 액상(또는 기체상태)의 가공유체로 처리하는 모든 설비에 적용 가능하다. 그러한 실시예 중에서 바람직한 실시예로 반도체 세정 공정에서 사용되는 회전형 세정 장치를 예를 들어 설명한 것으로, 본 발명은 회전형 식각 장치(rotary etching apparatus) 등에도 사용될 수 있다.
이상에서, 본 발명에 따른 기판 세정 장치의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면 기판 세정 및 건조를 위해 공급되는 유체의 농도 및 온도 변화를 최소할 수 있다.
본 발명에 의하면 외부 환경에 의한 영향을 최소화 할 수 있다.
본 발명에 의하면 신속한 기판 세정 및 건조가 가능하다.
본 발명에 의하면 외부 오염원으로 기판의 상면을 보호할 수 있다.

Claims (25)

  1. 삭제
  2. 기판 세정 장치에 있어서:
    기판이 놓여지는 척;
    상기 척에 놓여진 기판의 상면과 마주보도록 상기 척의 상부에 위치되는 상부 커버;
    상기 기판의 상면으로 유체를 분사하는 제1노즐부; 및
    상기 척을 회전시키기 위한 제1회전부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 기판 세정 장치에 있어서:
    기판이 놓여지는 척;
    상기 척에 놓여진 기판의 상면과 마주보도록 상기 척의 상부에 위치되는 상부 커버;
    상기 기판의 상면으로 유체를 분사하는 제1노즐부; 및
    상기 상부 커버를 회전시키기 위한 제2회전부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 상부 커버는 공정 진행시 상기 기판의 상면으로부터 0.1-10mm 이격되게 위치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는
    상기 유체를 가열하는 가열부를 더 포함하며,
    상기 가열부에 의해 가열된 유체는 상기 분사구들을 통해 상기 상부 커버와 상기 기판 사이의 좁은 공간으로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 제1노즐부는 상기 상부 커버의 저면에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 제1노즐부는 상기 상부 커버에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 제1노즐부는
    상기 기판의 중심으로부터 가장자리로 이어지는 수평 선상에 다수의 분사구들이 형성된 적어도 하나의 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 분사구들은 상기 기판의 중심으로부터 가장자리로 갈수록 개구 밀도가 높은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 제1노즐부는
    상기 상부 커버의 내부에 형성되며, 외부로부터 유체를 공급받는 유체 통로; 및
    상기 유체 통로와 연결되도록 상기 상부 커버의 저면에 형성되는 다수의 분사구들을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 기판 세정 장치에 있어서:
    기판이 놓여지는 척;
    상기 척에 놓여진 기판의 상면과 마주보도록 상기 척의 상부에 위치되는 상부 커버; 및
    상기 기판의 상면으로 유체를 분사하는 제1노즐부를 포함하며,
    상기 유체는 유기용제 및 질소가스를 갖는 건조유체를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는
    상기 건조 유체를 가열하는 가열부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제2항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는
    상기 제1회전부재를 제어하는 제어부를 더 포함하되;
    상기 제어부는 상기 척이 공정 초기에 고속으로 회전되다가 공정 후기에 저속으로 회전되도록 상기 제1회전부재를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제2항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는
    상기 척을 감싸도록 설치되어 상기 기판상에서 비산되는 유체를 유입 및 흡입하는 환형의 덕트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제2항 내지 제7항 그리고 제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는
    상기 척에 놓여진 기판의 저면과 마주보도록 상기 척과 상기 기판의 저면 사이에 위치되는 하부 커버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는
    상기 하부 커버를 회전시키기 위한 제3회전부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 하부 커버는 상기 기판의 저면으로 유체를 분사하는 제2노즐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 삭제
  19. 기판 세정 방법에 있어서:
    기판이 놓여지는 척상에 기판의 상면과 마주보도록 상부커버를 제공하며, 상기 기판과 상기 상부커버 사이로 세정 유체를 공급하여 공정을 진행하고, 상기 척과 상기 상부커버 사이의 공간이 고온 분위기로 유지되도록 가열된 유기용체 및 질소가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  20. 기판 세정 방법에 있어서:
    기판이 놓여지는 척상에 기판의 상면과 마주보도록 상부커버를 제공하며, 상기 기판과 상기 상부커버 사이의 공간 사이로 가열된 약액을 공급하여 공정을 진행하되; 상기 기판의 중앙으로부터 가장자리로 갈수록 다량의 약액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  21. 기판 세정 방법에 있어서:
    기판이 놓여지는 척상에 기판의 상면과 마주보도록 상부커버를 제공하며, 상기 기판과 상기 상부커버 사이로 세정 유체를 공급하여 공정을 진행하되;
    상기 척과 상기 상부커버 중 적어도 하나는 회전되면서 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  22. 기판 세정 방법에 있어서:
    기판이 놓여지는 척상에 기판의 상면과 마주보도록 상부커버를 제공하며, 상기 기판과 상기 상부커버 사이로 세정 유체를 공급하고, 상기 척과 상기 상부 커버가 회전하면서 공정을 진행하되;
    상기 상부 커버의 회전속도는 상기 척의 회전속도와 상이한 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  23. 기판 세정 방법에 있어서:
    기판이 놓여지는 척상에 기판의 상면과 마주보도록 상부커버를 제공하며, 상기 기판과 상기 상부커버 사이로 세정 유체를 공급하여 공정을 진행하되;
    상기 척은 공정 초기에 고속으로 회전되다가 공정 후기에 저속으로 회전되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  24. 제19항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 세정 방법은
    기판이 놓여지는 척상에 기판의 저면과 마주보도록 하부커버를 제공하며, 상기 기판과 상기 하부커버 사이로 세정 유체를 공급하여 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 척과 상기 하부커버가 회전되면서 공정이 진행되되;
    상기 하부 커버의 회전속도는 상기 척의 회전속도와 상이한 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
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