KR100730466B1 - 트렌치 트랜지스터 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (10)
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- 기판에 채널을 정의하는 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치의 표면 상에 게이트산화막을 형성하는 단계;상기 트렌치의 바텀부를 노출시키면서 상기 트렌치의 양측벽에 접하며, 제1버퍼스페이서와 제2버퍼스페이서가 적층된 버퍼스페이서를 형성하는 단계;상기 채널을 벗어나는 상기 트렌치의 바텀부 아래에 산화막을 형성하는 단계;상기 제2버퍼스페이서를 제거하는 단계;상기 트렌치를 매립하는 게이트전극을 형성하는 단계;상기 기판의 전면에 이온주입을 진행하여 N형 확산층을 형성하는 단계;상기 기판 상에 층간절연막을 형성하는 단계;콘택마스크를 식각마스크로 상기 층간절연막을 식각하여 콘택영역을 오픈킴과 동시에 상기 콘택영역 아래의 N형 확산층을 식각하여 리세스를 형성하는 단계;상기 리세스 바닥의 기판에 이온주입을 통해 P형 확산층을 형성하는 단계; 및상기 P형 확산층에 연결되는 금속배선을 형성하는 단계를 포함하는 트렌치 트랜지스터의 제조 방법.
- 제2항에 있어서,상기 제1버퍼스페이서는, 폴리실리콘 증착 후 에치백하여 형성하는 것을 특징으로 하는 트렌치 트랜지스터의 제조 방법.
- 제2항에 있어서,상기 제2버퍼스페이서는 질화막 증착 후 에치백하여 형성하는 것을 특징으로 하는 트렌치 트랜지스터의 제조 방법.
- 제2항에 있어서,상기 리세스의 깊이는 상기 N형 확산층의 깊이와 동일하거나 더 깊게 형성되는 것을 특징으로 하는 트렌치 트랜지스터의 제조 방법.
- 기판;상기 기판에 형성된 소정 깊이의 트렌치;상기 트렌치의 바닥과 측면에 걸쳐 형성된 게이트산화막;상기 트렌치 내부를 채우면서 상기 게이트산화막 상에 형성된 게이트전극;상기 게이트전극에 의해 정의되는 채널 이외 지역의 상기 트렌치의 바텀부 아래에 형성된 산화막;상기 트렌치에 접하여 상기 기판 내에 형성되며 소스/드레인 역할을 하는 N형 확산층;상기 N형 확산층에 접하여 소정 깊이를 갖고 형성된 리세스;상기 리세스 아래에 형성된 P형 확산층; 및상기 P형 확산층에 연결된 금속배선을 포함하는 트렌치 트랜지스터.
- 제6항에 있어서,상기 리세스의 깊이는, 상기 N형 확산층의 깊이와 동일하거나 더 깊은 것을 특징으로 하는 트렌치 트랜지스터.
- 제6항에 있어서,상기 게이트산화막과 상기 게이트전극 사이의 트렌치 측벽에 버퍼스페이서가 형성된 것을 특징으로 하는 트렌치 트랜지스터.
- 제8항에 있어서,상기 게이트전극과 버퍼스페이서는 폴리실리콘인 것을 특징으로 하는 트렌치 트랜지스터.
- 제6항에 있어서,상기 기판은 N형 반도체기판, 상기 N형 반도체기판 상에 성장된 N형 에피층 및 상기 N형 에피층에 형성된 P형 웰을 포함하고, 상기 트렌치는 상기 P형 웰을 관통하는 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 트렌치 트랜지스터.
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