KR100728545B1 - 연마체, 연마 장치, 반도체 디바이스 및 반도체디바이스의 제조 방법 - Google Patents
연마체, 연마 장치, 반도체 디바이스 및 반도체디바이스의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100728545B1 KR100728545B1 KR1020047017417A KR20047017417A KR100728545B1 KR 100728545 B1 KR100728545 B1 KR 100728545B1 KR 1020047017417 A KR1020047017417 A KR 1020047017417A KR 20047017417 A KR20047017417 A KR 20047017417A KR 100728545 B1 KR100728545 B1 KR 100728545B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polishing
- groove
- abrasive
- thickness
- polishing pad
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 280
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 7
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000005923 long-lasting effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 56
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 3
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
연마면측에 홈이 형성된 연마 패드, 경질 탄성 부재, 및 연질 부재를 이 순서로 적층한 구조를 갖고, 상기 홈의 깊이는 0.3 mm 이상이며, 상기 연마 패드에서 상기 홈 개소의 나머지 두께(d)는 0 mm<d인 것을 특징으로 하는 연마체이다.
상기 목적을 달성하기 위한 제12 발명은 상기 제4 발명인 연마체를 구성하기 위해서 이용되는 연마면측에 홈이 형성된 연마 패드로서, 상기 홈의 깊이는 0.7 mm 이상이며, 상기 연마 패드에서 상기 홈 개소의 나머지 두께(d)는 0 mm<d인 것을 특징으로 하는 연마 패드이다.
상기 목적을 달성하기 위한 제13 발명은 연마면측에 홈이 형성된 연마 패드로서, 상기 홈의 깊이는 0.7 mm 이상이며, 상기 연마 패드에서 상기 홈 개소의 나머지 두께(d)는 0 mm<d인 것을 특징으로 하는 연마 패드이다.
상기 목적을 달성하기 위한 제14 발명은 상기 제8 발명 내지 제13 발명 중 어느 하나로서, 1.0 kg/cm2로 가압했을 때의 압축율이 10% 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 제15 발명은 연마체와 피연마물과의 사이에 연마제를 개재시킨 상태로, 상기 연마체와 상기 피연마물과의 사이에 하중을 가하면서, 상기 연마체와 상기 피연마물을 상대 이동시킴으로써 상기 피연마물을 연마하는 연마 장치로서, 상기 연마체가 상기 제1 발명 및 제3 발명 내지 제5 발명 중 어느 하나의 연마체인 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 제16 발명은 상기 제15 발명인 연마 장치를 이용하여, 반도체 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법이다.
상기 목적을 달성하기 위한 제17 발명은 상기 제16 발명인 반도체 디바이스의 제조 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스이다.
Claims (17)
- 연마체와 피연마물과의 사이에 연마제를 개재시킨 상태로, 상기 연마체와 상기 피연마물과의 사이에 하중을 가하면서, 상기 연마체와 상기 피연마물을 상대 이동시킴으로써 상기 피연마물을 연마하는 연마 장치에 이용되는 상기 연마체로서,연마면측에 홈이 형성된 연마 패드, 경질 탄성 부재, 및 연질 부재를 이 순서로 적층한 구조를 갖고,상기 연마 패드에서 상기 홈 개소의 나머지 두께(d)는 0 mm<d≤1.6 mm의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 연마체.
- 제1항에 있어서, 상기 나머지 두께(d)는 d≤0.27 mm의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 연마체.
- 연마체와 피연마물과의 사이에 연마제를 개재시킨 상태로, 상기 연마체와 상기 피연마물과의 사이에 하중을 가하면서, 상기 연마체와 상기 피연마물을 상대 이동시킴으로써 상기 피연마물을 연마하는 연마 장치에 이용되는 상기 연마체로서,연마면측에 홈이 형성된 연마 패드, 경질 탄성 부재, 및 연질 부재를 이 순서로 적층한 구조를 갖고,상기 연마 패드에서 상기 홈 개소의 나머지 두께(d)는 상기 연마 패드에서 상기 홈 이외의 개소의 두께가 2.5 mm 이상 5 mm 이하인 경우에 0 mm<d≤1.6 mm의 조건을 만족하고, 상기 홈 이외의 개소의 두께가 0.9 mm 이상 2.5 mm 미만인 경우에는 0 mm<d≤0.6 mm의 조건을 만족하며, 상기 홈 이외의 개소의 두께가 0.9 mm 미만인 경우에는 0 mm<d≤0.27 mm의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 연마체.
- 연마체와 피연마물과의 사이에 연마제를 개재시킨 상태로, 상기 연마체와 상기 피연마물과의 사이에 하중을 가하면서, 상기 연마체와 상기 피연마물을 상대 이동시킴으로써 상기 피연마물을 연마하는 연마 장치에 이용되는 상기 연마체로서,연마면측에 홈이 형성된 연마 패드, 경질 탄성 부재, 및 연질 부재를 이 순서로 적층한 구조를 갖고,상기 홈의 깊이는 0.3 mm 이상인 것을 특징으로 하는 연마체.
- 연마체와 피연마물과의 사이에 연마제를 개재시킨 상태로, 상기 연마체와 상기 피연마물과의 사이에 하중을 가하면서, 상기 연마체와 상기 피연마물을 상대 이동시킴으로써 상기 피연마물을 연마하는 연마 장치에 이용되는 상기 연마체로서,연마면측에 홈이 형성된 연마 패드, 경질 탄성 부재, 및 연질 부재를 이 순서로 적층한 구조를 갖고,상기 홈의 깊이는 0.7 mm 이상인 것을 특징으로 하는 연마체.
- 제1항 또는 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 홈 개소의 나머지 두께(d)는 0.1 mm≤d의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 연마체.
- 제1항 또는 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연마 패드는 1.0 kg/cm2로 가압했을 때의 압축율이 10% 이하인 것을 특징으로 하는 연마체.
- 제3항에 기재한 연마체를 구성하기 위해서 이용되는 연마면측에 홈이 형성된 연마 패드로서,상기 홈 개소의 나머지 두께(d)는 상기 홈 이외의 개소의 두께가 2.5 mm 이상 5 mm 이하인 경우에 0 mm<d≤1.6 mm의 조건을 만족하고, 상기 홈 이외의 개소의 두께가 0.9 mm 이상 2.5 mm 미만인 경우에는 0 mm<d≤0.6 mm의 조건을 만족하며, 상기 홈 이외의 개소의 두께가 0.9 mm 미만인 경우에는 0 mm<d≤0.27 mm의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
- 연마면측에 홈이 형성된 연마 패드로서, 상기 홈 개소의 나머지 두께(d)는 상기 홈 이외의 개소의 두께가 2.5 mm 이상 5 mm 이하인 경우에 0 mm<d≤1.6 mm의 조건을 만족하고, 상기 홈 이외의 개소의 두께가 0.9 mm 이상 2.5 mm 미만인 경우에는 0 mm<d≤0.6 mm의 조건을 만족하며, 상기 홈 이외의 개소의 두께가 0.9 mm 미만인 경우에는 0 mm<d≤0.27 mm의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
- 제4항에 기재한 연마체를 구성하기 위해서 이용되는 연마면측에 홈이 형성된 연마 패드로서, 상기 홈의 깊이는 0.3 mm 이상인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
- 삭제
- 제4항에 기재한 연마체를 구성하기 위해서 이용되는 연마면측에 홈이 형성된 연마 패드로서, 상기 홈의 깊이는 0.7 mm 이상인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
- 삭제
- 제8항, 제9항, 제10항 또는 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 1.0 kg/cm2로 가압했을 때의 압축율이 10% 이하인 것을 특징으로 하는 연마 패드.
- 연마체와 피연마물과의 사이에 연마제를 개재시킨 상태로, 상기 연마체와 상기 피연마물과의 사이에 하중을 가하면서, 상기 연마체와 상기 피연마물을 상대 이동시킴으로써 상기 피연마물을 연마하는 연마 장치로서,상기 연마체는 제1항 또는 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재한 연마체인 것을 특징으로 하는 연마 장치.
- 제15항에 기재한 연마 장치를 이용하여 반도체 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
- 제16항에 기재한 반도체 디바이스의 제조 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2002-00179323 | 2002-06-20 | ||
JP2002179323A JP2004023009A (ja) | 2002-06-20 | 2002-06-20 | 研磨体、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 |
PCT/JP2003/007854 WO2004001829A1 (ja) | 2002-06-20 | 2003-06-20 | 研磨体、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040108763A KR20040108763A (ko) | 2004-12-24 |
KR100728545B1 true KR100728545B1 (ko) | 2007-06-15 |
Family
ID=29996560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020047017417A KR100728545B1 (ko) | 2002-06-20 | 2003-06-20 | 연마체, 연마 장치, 반도체 디바이스 및 반도체디바이스의 제조 방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7189155B2 (ko) |
JP (1) | JP2004023009A (ko) |
KR (1) | KR100728545B1 (ko) |
CN (1) | CN100362630C (ko) |
TW (1) | TWI285581B (ko) |
WO (1) | WO2004001829A1 (ko) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG131737A1 (en) * | 2001-03-28 | 2007-05-28 | Disco Corp | Polishing tool and polishing method and apparatus using same |
JP2004023009A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Nikon Corp | 研磨体、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 |
JP4484466B2 (ja) * | 2003-07-10 | 2010-06-16 | パナソニック株式会社 | 研磨方法およびその研磨方法に用いる粘弾性ポリッシャー |
JP5300234B2 (ja) * | 2007-09-15 | 2013-09-25 | 株式会社東京精密 | 圧力分布調整機能を有する研磨装置 |
CN101481640B (zh) * | 2008-01-10 | 2011-05-18 | 长兴开发科技股份有限公司 | 水性清洗组合物 |
JP6754519B2 (ja) * | 2016-02-15 | 2020-09-16 | 国立研究開発法人海洋研究開発機構 | 研磨方法 |
KR102535628B1 (ko) * | 2016-03-24 | 2023-05-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 화학적 기계적 연마를 위한 조직화된 소형 패드 |
TWI642772B (zh) * | 2017-03-31 | 2018-12-01 | 智勝科技股份有限公司 | 研磨墊及研磨方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001121405A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 研磨パッド |
JP2002028849A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-29 | Jsr Corp | 研磨パッド |
JP2002075933A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Toyobo Co Ltd | 研磨パッド |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5287663A (en) * | 1992-01-21 | 1994-02-22 | National Semiconductor Corporation | Polishing pad and method for polishing semiconductor wafers |
US5564965A (en) * | 1993-12-14 | 1996-10-15 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing member and wafer polishing apparatus |
US5921855A (en) * | 1997-05-15 | 1999-07-13 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system |
US5882251A (en) * | 1997-08-19 | 1999-03-16 | Lsi Logic Corporation | Chemical mechanical polishing pad slurry distribution grooves |
JP3152188B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2001-04-03 | 日本電気株式会社 | 研磨パッド |
JP2000077366A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Nitta Ind Corp | 研磨布及びその研磨布の研磨機定盤への脱着方法 |
CN1076253C (zh) * | 1998-10-23 | 2001-12-19 | 联华电子股份有限公司 | 化学机械研磨垫 |
US6869343B2 (en) * | 2001-12-19 | 2005-03-22 | Toho Engineering Kabushiki Kaisha | Turning tool for grooving polishing pad, apparatus and method of producing polishing pad using the tool, and polishing pad produced by using the tool |
US6551179B1 (en) * | 1999-11-05 | 2003-04-22 | Strasbaugh | Hard polishing pad for chemical mechanical planarization |
US6953388B2 (en) * | 1999-12-22 | 2005-10-11 | Toray Industries, Inc. | Polishing pad, and method and apparatus for polishing |
JP2001244223A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨パッド |
JP2001277102A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 補助パッド及び研磨装置 |
US6402591B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-06-11 | Lam Research Corporation | Planarization system for chemical-mechanical polishing |
US6561891B2 (en) * | 2000-05-23 | 2003-05-13 | Rodel Holdings, Inc. | Eliminating air pockets under a polished pad |
JP2002137160A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-05-14 | Toray Ind Inc | 研磨用パッドおよび研磨装置ならびに研磨方法 |
US7192340B2 (en) * | 2000-12-01 | 2007-03-20 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad, method of producing the same, and cushion layer for polishing pad |
CN1224082C (zh) | 2001-07-19 | 2005-10-19 | 株式会社尼康 | 抛光体、cmp抛光设备及半导体器件制造方法 |
JP2004023009A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Nikon Corp | 研磨体、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 |
-
2002
- 2002-06-20 JP JP2002179323A patent/JP2004023009A/ja active Pending
-
2003
- 2003-06-20 KR KR1020047017417A patent/KR100728545B1/ko active IP Right Grant
- 2003-06-20 TW TW092116770A patent/TWI285581B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-06-20 WO PCT/JP2003/007854 patent/WO2004001829A1/ja active Application Filing
- 2003-06-20 CN CNB038144794A patent/CN100362630C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-12-03 US US11/002,655 patent/US7189155B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001121405A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 研磨パッド |
JP2002028849A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-29 | Jsr Corp | 研磨パッド |
JP2002075933A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Toyobo Co Ltd | 研磨パッド |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050142989A1 (en) | 2005-06-30 |
JP2004023009A (ja) | 2004-01-22 |
TWI285581B (en) | 2007-08-21 |
TW200403133A (en) | 2004-03-01 |
CN1663028A (zh) | 2005-08-31 |
CN100362630C (zh) | 2008-01-16 |
US7189155B2 (en) | 2007-03-13 |
WO2004001829A1 (ja) | 2003-12-31 |
KR20040108763A (ko) | 2004-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6376381B1 (en) | Planarizing solutions, planarizing machines, and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies | |
US5965941A (en) | Use of dummy underlayers for improvement in removal rate consistency during chemical mechanical polishing | |
Sivaram et al. | Planarizing interlevel dielectrics by chemical-mechanical polishing | |
EP0874390B1 (en) | Polishing method | |
US20010019938A1 (en) | Apparatus and methods for conditioning polishing pads in mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies | |
US7083501B1 (en) | Methods and apparatus for the chemical mechanical planarization of electronic devices | |
US9559021B2 (en) | Wafer back-side polishing system and method for integrated circuit device manufacturing processes | |
JPH10180618A (ja) | Cmp装置の研磨パッドの調整方法 | |
US6227949B1 (en) | Two-slurry CMP polishing with different particle size abrasives | |
KR100728545B1 (ko) | 연마체, 연마 장치, 반도체 디바이스 및 반도체디바이스의 제조 방법 | |
KR100564125B1 (ko) | 연마체, 화학 기계적 연마 장치 및 반도체 디바이스의제조 방법 | |
JP3510036B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2016153152A (ja) | 研磨パッドドレッサ、研磨装置、および研磨パッドドレッシング方法 | |
JP2000354952A (ja) | 研磨部材、研磨方法、研磨装置、半導体デバイス製造方法、及び半導体デバイス | |
KR101554829B1 (ko) | 화학연마장치용 캐리어 헤드의 리테이너링 및 이를 포함하는 캐리어 헤드 | |
JP2001212752A (ja) | 研磨体、研磨装置、半導体デバイス製造方法、及び半導体デバイス | |
US20040259480A1 (en) | [polishing pad and process of chemical mechanical use thereof] | |
JP2003086549A (ja) | 研磨工具、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 | |
JP2001079755A (ja) | 研磨体及び研磨方法 | |
CN116197821B (zh) | Cmp工艺中研磨垫修整方法 | |
TWI492291B (zh) | 化學機械研磨修整器及其製造方法 | |
KR100880108B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 연마방법 및 이를 위한 반도체 웨이퍼연마장치 | |
KR20060009449A (ko) | 화학 기계적 연마장치 및 그 방법 | |
KR20050118667A (ko) | Cmp 연마 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
KR100392239B1 (ko) | 연마방법 및 연마장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130524 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140530 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150515 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160517 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170522 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180518 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190516 Year of fee payment: 13 |