JP2001244223A - 研磨パッド - Google Patents
研磨パッドInfo
- Publication number
- JP2001244223A JP2001244223A JP2000053489A JP2000053489A JP2001244223A JP 2001244223 A JP2001244223 A JP 2001244223A JP 2000053489 A JP2000053489 A JP 2000053489A JP 2000053489 A JP2000053489 A JP 2000053489A JP 2001244223 A JP2001244223 A JP 2001244223A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing pad
- closed cells
- average pore
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ドレッシングによって研磨パッドの厚さが減少
しても研磨速度や研磨精度のバラツキの少ない研磨パッ
ドを提供すること。 【解決手段】表面研磨、特に半導体ウェハーの平坦化や
配線形成に用いる研磨パッドであって、高分子多孔質体
よりなり、その研磨面が０．３ｍｍ以上の平均孔径の独
立気泡を１個／ｃｍ2以上、０．１ｍｍ以下の平均孔径
の独立気泡を１００個/ｃｍ2以上有してなることを特徴
とする。
しても研磨速度や研磨精度のバラツキの少ない研磨パッ
ドを提供すること。 【解決手段】表面研磨、特に半導体ウェハーの平坦化や
配線形成に用いる研磨パッドであって、高分子多孔質体
よりなり、その研磨面が０．３ｍｍ以上の平均孔径の独
立気泡を１個／ｃｍ2以上、０．１ｍｍ以下の平均孔径
の独立気泡を１００個/ｃｍ2以上有してなることを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面研磨、特に半
導体ウェハーの平坦化や配線形成に用いる機械的な作用
と化学的な作用との組み合わせにより研磨する方法(以
下、ＣＭＰ法という)に用いられる研磨パッドに関す
る。
導体ウェハーの平坦化や配線形成に用いる機械的な作用
と化学的な作用との組み合わせにより研磨する方法(以
下、ＣＭＰ法という)に用いられる研磨パッドに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハーは、その集積密度の高密
度化による多層化に伴い、表面を平坦に仕上げすること
が重要になってきており、その為に半導体ウェハーの表
面をＣＭＰ法で研磨することが行われるようになってき
ている。この方法は、半導体ウェハーの表面に研磨剤と
化学成分からなるスラリーを供給しながら研磨パッドに
より研磨を行うものである。
度化による多層化に伴い、表面を平坦に仕上げすること
が重要になってきており、その為に半導体ウェハーの表
面をＣＭＰ法で研磨することが行われるようになってき
ている。この方法は、半導体ウェハーの表面に研磨剤と
化学成分からなるスラリーを供給しながら研磨パッドに
より研磨を行うものである。
【０００３】この研磨に用いられる研磨パッドとして
は、不織布にポリウレタン樹脂を含浸させたものや、発
泡ポリウレタン樹脂等からなるものが一般的である。こ
れら研磨パッドの半導体ウェハーを研磨する側の面は一
般に硬質であり、硬度としてはショアＤ規格で５５前後
のものが使用されている。
は、不織布にポリウレタン樹脂を含浸させたものや、発
泡ポリウレタン樹脂等からなるものが一般的である。こ
れら研磨パッドの半導体ウェハーを研磨する側の面は一
般に硬質であり、硬度としてはショアＤ規格で５５前後
のものが使用されている。
【０００４】また、研磨プロセスでは通常微粒子状シリ
カを水に分散させたシリカスラリーを使用するが、スラ
リーをパッド表面に均一に供給するためにパッド表面に
は加工がされている。たとえば、一般的には図３、図４
に示すように、発泡ポリウレタンの表面に孔２を形成し
スラリ−を保持するようにしている。この孔２として
は、例えば、径１．５ｍｍの孔２が５ｍｍ間隔で研磨パ
ッドの全面に亘って形成されている。この孔２は発泡ポ
リウレタンを成形後、パンチング加工等によって設けら
れる。また、研磨剤の供給をスムーズにするために、図
５、図６に示すように発泡ポリウレタンの表面に格子状
あるいは放射状、同心円状、渦巻き状等の溝３を設ける
ことも行われている。この溝３は発泡ウレタンを成形
後、切削加工等によって設けるのが一般的である。
カを水に分散させたシリカスラリーを使用するが、スラ
リーをパッド表面に均一に供給するためにパッド表面に
は加工がされている。たとえば、一般的には図３、図４
に示すように、発泡ポリウレタンの表面に孔２を形成し
スラリ−を保持するようにしている。この孔２として
は、例えば、径１．５ｍｍの孔２が５ｍｍ間隔で研磨パ
ッドの全面に亘って形成されている。この孔２は発泡ポ
リウレタンを成形後、パンチング加工等によって設けら
れる。また、研磨剤の供給をスムーズにするために、図
５、図６に示すように発泡ポリウレタンの表面に格子状
あるいは放射状、同心円状、渦巻き状等の溝３を設ける
ことも行われている。この溝３は発泡ウレタンを成形
後、切削加工等によって設けるのが一般的である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】孔２あるいは溝３はパ
ンチング加工あるいは切削加工等によって、発泡ウレタ
ンの成形後に後加工によって設けられる。例えば前述例
のように径１．５ｍｍの孔を５ｍｍ間隔で設けるとする
と、仮に研磨パッドの大きさを６００ｍｍΦとすると孔
数は数百ケ所以上にのぼり、加工作業は大きな費用と時
間を必要としている。また、研磨パッドは、研磨に伴う
目づまりによる研磨速度の低下やパッド表面の非均一な
摩耗による研磨精度低下の対策として、ドレッシングと
呼ばれる目立てが行われる。そのドレッシングによって
研磨パッド表面に新たな研磨面が現れ、研磨精度、研磨
速度を取り戻すことができる効果がある反面、ドレッシ
ングにつれて研磨パッドの厚さは減少し、従って孔２や
溝３の深さは減少する。深さが減少すると、その孔２や
溝３に保持される研磨剤の量が変化するため、半導体ウ
ェハーの研磨速度、研磨精度は変化し、研磨品質のバラ
ツキの原因となる。本発明はかかる実状に鑑みなされた
もので、ドレッシングによって研磨パッドの厚さが減少
しても研磨速度や研磨精度のバラツキの少ない研磨パッ
ドを提供することを目的とする。
ンチング加工あるいは切削加工等によって、発泡ウレタ
ンの成形後に後加工によって設けられる。例えば前述例
のように径１．５ｍｍの孔を５ｍｍ間隔で設けるとする
と、仮に研磨パッドの大きさを６００ｍｍΦとすると孔
数は数百ケ所以上にのぼり、加工作業は大きな費用と時
間を必要としている。また、研磨パッドは、研磨に伴う
目づまりによる研磨速度の低下やパッド表面の非均一な
摩耗による研磨精度低下の対策として、ドレッシングと
呼ばれる目立てが行われる。そのドレッシングによって
研磨パッド表面に新たな研磨面が現れ、研磨精度、研磨
速度を取り戻すことができる効果がある反面、ドレッシ
ングにつれて研磨パッドの厚さは減少し、従って孔２や
溝３の深さは減少する。深さが減少すると、その孔２や
溝３に保持される研磨剤の量が変化するため、半導体ウ
ェハーの研磨速度、研磨精度は変化し、研磨品質のバラ
ツキの原因となる。本発明はかかる実状に鑑みなされた
もので、ドレッシングによって研磨パッドの厚さが減少
しても研磨速度や研磨精度のバラツキの少ない研磨パッ
ドを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、表面研
磨、特に半導体ウェハーの平坦化や配線形成に用いる研
磨パッドであって、高分子多孔質体よりなり、その研磨
面が０．３ｍｍ以上の平均孔径の独立気泡を１個／ｃｍ
2以上、０．１ｍｍ以下の平均孔径の独立気泡を１００
個／ｃｍ2以上有してなることを特徴とする研磨パッド
に関する。
磨、特に半導体ウェハーの平坦化や配線形成に用いる研
磨パッドであって、高分子多孔質体よりなり、その研磨
面が０．３ｍｍ以上の平均孔径の独立気泡を１個／ｃｍ
2以上、０．１ｍｍ以下の平均孔径の独立気泡を１００
個／ｃｍ2以上有してなることを特徴とする研磨パッド
に関する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明にかかる高分子多孔質体
は、図１及び図２に示すように孔径の大きな独立気泡５
群と孔径の小さな独立気泡６群を均質に含んでおり（図
１、図２参照）、その切断面を観測したとき、孔径の大
きな独立気泡は０．３ｍｍ以上好ましくは０．５〜２ｍ
ｍの平均孔径のものが１個／ｃｍ2以上、好ましくは２
〜５個／ｃｍ2、孔径の小さな独立気泡は０．１ｍｍ以
下好ましくは０．０１〜０．０８ｍｍの平均孔径のもの
が１００個／ｃｍ2以上、好ましくは３００〜８００個
／ｃｍ2有してなる。孔径の大きな独立気泡径が０．３
ｍｍ未満では、研磨剤の面全体への供給機能が低下し研
磨速度が遅くなる。また、孔径の小さな独立気泡径が
０．１ｍｍを超えると、研磨剤の局所的な保持能力が低
下し研磨速度が遅くなるので好ましくない。
は、図１及び図２に示すように孔径の大きな独立気泡５
群と孔径の小さな独立気泡６群を均質に含んでおり（図
１、図２参照）、その切断面を観測したとき、孔径の大
きな独立気泡は０．３ｍｍ以上好ましくは０．５〜２ｍ
ｍの平均孔径のものが１個／ｃｍ2以上、好ましくは２
〜５個／ｃｍ2、孔径の小さな独立気泡は０．１ｍｍ以
下好ましくは０．０１〜０．０８ｍｍの平均孔径のもの
が１００個／ｃｍ2以上、好ましくは３００〜８００個
／ｃｍ2有してなる。孔径の大きな独立気泡径が０．３
ｍｍ未満では、研磨剤の面全体への供給機能が低下し研
磨速度が遅くなる。また、孔径の小さな独立気泡径が
０．１ｍｍを超えると、研磨剤の局所的な保持能力が低
下し研磨速度が遅くなるので好ましくない。
【０００８】本発明にかかる高分子多孔質体の材質とし
ては、特に制限はないがクリ−プ特性が小さい熱硬化性
樹脂が好ましい。それらを例示すればエポキシ樹脂、ポ
リエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ジシクロぺンタジ
エン樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂
等が挙げられる。これらの中でもポリウレタン樹脂が耐
摩耗性に優れており好ましい。孔径の異なる独立気泡体
とする手段としては、粒径の異なる発泡剤を用いること
によっても可能であるが、発泡剤を配合した熱硬化性樹
脂に、小径のプラスチック中空粒子を混合し発泡させる
ことにより、孔径の大きな独立気泡と孔径の小さな独立
気泡が均一に分散した高分子多孔質体とすることができ
る。
ては、特に制限はないがクリ−プ特性が小さい熱硬化性
樹脂が好ましい。それらを例示すればエポキシ樹脂、ポ
リエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ジシクロぺンタジ
エン樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂
等が挙げられる。これらの中でもポリウレタン樹脂が耐
摩耗性に優れており好ましい。孔径の異なる独立気泡体
とする手段としては、粒径の異なる発泡剤を用いること
によっても可能であるが、発泡剤を配合した熱硬化性樹
脂に、小径のプラスチック中空粒子を混合し発泡させる
ことにより、孔径の大きな独立気泡と孔径の小さな独立
気泡が均一に分散した高分子多孔質体とすることができ
る。
【０００９】発泡剤としては、重炭酸塩、アゾ系化合
物、ヒドラジン化合物、セミカルバゾジド化合物、アジ
ド化合物、トリアゾール化合物、ニトロソ化合物等の化
学発泡剤や水等を用いることができ、これらはベース樹
脂１００重量部に対し０．１〜２重量部用いることによ
って１．５〜２倍程度の発泡倍率を有する多孔質体が得
られる。プラスチック中空粒子としては、アクリル樹
脂、アクリルニトリル−塩化ビニリデン共重合体、フェ
ノール樹脂等からなる粒子を用いることができる。これ
らの中でもアクリルニトリル−塩化ビニリデン共重合体
からなる中空粒子は形状が真球に近く粒径を調整できる
点から好ましく用いることができる。かかる中空粒子の
配合量としてはベース樹脂１００重量部に対し０．５〜
５重量部、好ましくは１〜３重量部配合する。
物、ヒドラジン化合物、セミカルバゾジド化合物、アジ
ド化合物、トリアゾール化合物、ニトロソ化合物等の化
学発泡剤や水等を用いることができ、これらはベース樹
脂１００重量部に対し０．１〜２重量部用いることによ
って１．５〜２倍程度の発泡倍率を有する多孔質体が得
られる。プラスチック中空粒子としては、アクリル樹
脂、アクリルニトリル−塩化ビニリデン共重合体、フェ
ノール樹脂等からなる粒子を用いることができる。これ
らの中でもアクリルニトリル−塩化ビニリデン共重合体
からなる中空粒子は形状が真球に近く粒径を調整できる
点から好ましく用いることができる。かかる中空粒子の
配合量としてはベース樹脂１００重量部に対し０．５〜
５重量部、好ましくは１〜３重量部配合する。
【００１０】本発明にかかる研磨パッドは、孔径の異な
る独立気泡群を有する高分子多孔質体であり、孔径の大
きな独立気泡及び孔径の小さな独立気泡が均一に分布し
ているので、研磨パッドの厚さが磨耗によって減少して
も、次々と新たな大径の孔が現れるので、従来の研磨パ
ッドのように孔や溝をわざわざ設ける必要がなく半導体
ウェハーの研磨速度、研磨精度のバラツキが改善され
る。
る独立気泡群を有する高分子多孔質体であり、孔径の大
きな独立気泡及び孔径の小さな独立気泡が均一に分布し
ているので、研磨パッドの厚さが磨耗によって減少して
も、次々と新たな大径の孔が現れるので、従来の研磨パ
ッドのように孔や溝をわざわざ設ける必要がなく半導体
ウェハーの研磨速度、研磨精度のバラツキが改善され
る。
【００１１】
【実施例】以下実施例に基づき本発明の実施の態様を説
明する。 実施例１ 表１に示す材料を真空容器中で１０分間脱気混合し、金
型温度６０℃の金型に充填し、厚さ１０ｍｍの成形品を
得た後、８０℃で６０分間高温槽中で加熱処理し完全に
硬化させた。その後２ｍｍ厚みにスライスし研磨パッド
とした。表２に得られた研磨パッドの仕様を示す。ま
た、比較の為に、従来技術の製品としてポリウレタン樹
脂に発泡剤として水を用いた発泡ウレタンを材料とし、
図５、図６に示すような溝３の有る場合と、溝３の無い
場合についても併せ実施した。表２に示す研磨パッドを
日本エンギス（株）製ラッピングマシーン（商品名：Ｉ
ＭＰＴＥＣ １０ＤＶＴ）に装着し、荷重０．４５ＭＰ
ａ、回転数６０ｒｐｍ、２分間研磨、２分間ドレッシン
グの条件で、ヒュームドシリカを１２重量％含有し、ｐ
Ｈ１１のシリカスラリーを使ってシリコンウエハに形成
したシリコン熱酸化膜の研磨試験をおこなった。得られ
た結果を表３に示す。
明する。 実施例１ 表１に示す材料を真空容器中で１０分間脱気混合し、金
型温度６０℃の金型に充填し、厚さ１０ｍｍの成形品を
得た後、８０℃で６０分間高温槽中で加熱処理し完全に
硬化させた。その後２ｍｍ厚みにスライスし研磨パッド
とした。表２に得られた研磨パッドの仕様を示す。ま
た、比較の為に、従来技術の製品としてポリウレタン樹
脂に発泡剤として水を用いた発泡ウレタンを材料とし、
図５、図６に示すような溝３の有る場合と、溝３の無い
場合についても併せ実施した。表２に示す研磨パッドを
日本エンギス（株）製ラッピングマシーン（商品名：Ｉ
ＭＰＴＥＣ １０ＤＶＴ）に装着し、荷重０．４５ＭＰ
ａ、回転数６０ｒｐｍ、２分間研磨、２分間ドレッシン
グの条件で、ヒュームドシリカを１２重量％含有し、ｐ
Ｈ１１のシリカスラリーを使ってシリコンウエハに形成
したシリコン熱酸化膜の研磨試験をおこなった。得られ
た結果を表３に示す。
【００１２】
【表１】 ポリオール：ハイキャストＮ４０１４Ａ（商品名） ポリイソソアネ−ト：ハイキャストＮ４０１４Ｂ（商品
名） 中空粒子：マイクロスフェアＦ−８０（商品名）
名） 中空粒子：マイクロスフェアＦ−８０（商品名）
【００１３】
【表２】
【００１４】
【表３】
【００１５】
【発明の効果】表３に示す結果から明らかなように、本
発明によれば、ドレッシングによって研磨パッドの厚さ
が減少しても研磨速度や研磨精度のバラツキの少ない研
磨パッドを提供することが可能となった。
発明によれば、ドレッシングによって研磨パッドの厚さ
が減少しても研磨速度や研磨精度のバラツキの少ない研
磨パッドを提供することが可能となった。
【図１】本発明の一実施例を示す平面図。
【図２】図２におけるＡ-Ａ断面図。
【図３】従来の研磨パッドの一例を示す平面図。
【図４】図３におけるＢ-Ｂ断面図。
【図５】従来の研磨パッドの他の一例を示す平面図。
【図６】図５におけるＣ-Ｃ断面図 (図３〜６におい
て、発泡ウレタンの場合生じる微細空孔の形状は省略)
て、発泡ウレタンの場合生じる微細空孔の形状は省略)
１ 研磨パッド ２ 孔 ３ 溝 ４ 研磨面 ５ 大径孔 ６ 小径孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小瀬 良治 茨城県下館市大字五所宮1150番地 日立化 成工業株式会社五所宮事業所内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AA09 CA01 CB01 DA02 DA12 4F071 AA25X AA33 AA34X AA39 AA41 AA42 AA43 AA53 AA76 AE01 AF22 AH16 DA13 DA20 4F074 AA37 AA48 AA49 AA59 AA63 AA64 AA65 AA78 BA03 BA13 BA14 BA15 BA16 BA17 BA18 BA20 CA23 DA02 DA03 DA12 DA56
Claims (4)
- 【請求項１】物体表面の表面研磨に用いる研磨パッドで
あって、高分子多孔質体よりなり、その研磨面が０．３
ｍｍ以上の平均孔径の独立気泡を１個／ｃｍ2以上、
０．１ｍｍ以下の平均孔径の独立気泡を１００個／ｃｍ
2以上有してなることを特徴とする研磨パッド。 - 【請求項２】高分子多孔質体が０．３ｍｍ以上の平均孔
径の独立気泡を１個／ｃｍ2以上有する熱硬化性樹脂の
発泡体と、平均粒径が０．１ｍｍ以下のプラスチック中
空粒子とからなる請求項１記載の研磨パッド。 - 【請求項３】熱硬化性樹脂の発泡体が化学発泡剤または
水を発泡剤として発泡させたポリウレタン樹脂であり、
プラスチック中空粒子がアクリロニトリル−塩化ビニリ
デン共重合体である請求項１又は２記載の研磨パッド。 - 【請求項４】研磨パッドが半導体ウェハー表面の平坦化
に用いるものである請求項１乃至３のいずれかに記載の
研磨パッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000053489A JP2001244223A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 研磨パッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000053489A JP2001244223A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 研磨パッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001244223A true JP2001244223A (ja) | 2001-09-07 |
Family
ID=18574867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000053489A Pending JP2001244223A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 研磨パッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001244223A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003092944A1 (fr) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Sony Corporation | Procede et systeme de polissage, et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur |
| JP2004023009A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Nikon Corp | 研磨体、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 |
| JP2004167605A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-17 | Rodel Nitta Co | 研磨パッドおよび研磨装置 |
| KR100636793B1 (ko) | 2004-12-13 | 2006-10-23 | 이화다이아몬드공업 주식회사 | Ｃｍｐ 패드용 컨디셔너 |
| KR100693251B1 (ko) | 2005-03-07 | 2007-03-13 | 삼성전자주식회사 | 연마 속도와 연마 패드의 조도를 향상시킬 수 있는 패드 컨디셔너 및 이를 이용하는 화학기계적 연마 장치 |
| JP2009066675A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法 |
| US7670468B2 (en) | 2000-02-17 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Contact assembly and method for electrochemical mechanical processing |
| US7678245B2 (en) | 2000-02-17 | 2010-03-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for electrochemical mechanical processing |
| US7790015B2 (en) | 2002-09-16 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc. | Endpoint for electroprocessing |
| US7842169B2 (en) | 2003-03-04 | 2010-11-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for local polishing control |
| JP2011067945A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 二重気孔構造研磨パッド |
| CN103252729A (zh) * | 2012-02-20 | 2013-08-21 | Kpx化工有限公司 | 抛光垫及其制造方法 |
| JP2016068174A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
| CN108789186A (zh) * | 2017-05-01 | 2018-11-13 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 制造具有改进均匀性的化学机械抛光层的方法 |
-
2000
- 2000-02-29 JP JP2000053489A patent/JP2001244223A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7670468B2 (en) | 2000-02-17 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Contact assembly and method for electrochemical mechanical processing |
| US7678245B2 (en) | 2000-02-17 | 2010-03-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for electrochemical mechanical processing |
| US7141501B2 (en) * | 2002-04-30 | 2006-11-28 | Sony Corporation | Polishing method, polishing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device |
| WO2003092944A1 (fr) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Sony Corporation | Procede et systeme de polissage, et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur |
| JP2004023009A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Nikon Corp | 研磨体、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 |
| US7790015B2 (en) | 2002-09-16 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc. | Endpoint for electroprocessing |
| JP2004167605A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-17 | Rodel Nitta Co | 研磨パッドおよび研磨装置 |
| US7842169B2 (en) | 2003-03-04 | 2010-11-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for local polishing control |
| KR100636793B1 (ko) | 2004-12-13 | 2006-10-23 | 이화다이아몬드공업 주식회사 | Ｃｍｐ 패드용 컨디셔너 |
| KR100693251B1 (ko) | 2005-03-07 | 2007-03-13 | 삼성전자주식회사 | 연마 속도와 연마 패드의 조도를 향상시킬 수 있는 패드 컨디셔너 및 이를 이용하는 화학기계적 연마 장치 |
| JP2009066675A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法 |
| JP2011067945A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 二重気孔構造研磨パッド |
| CN103252729A (zh) * | 2012-02-20 | 2013-08-21 | Kpx化工有限公司 | 抛光垫及其制造方法 |
| JP2013169645A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Kpx Chemical Co Ltd | 研磨パッド及びその製造方法 |
| JP2016068174A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
| CN108789186A (zh) * | 2017-05-01 | 2018-11-13 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 制造具有改进均匀性的化学机械抛光层的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001244223A (ja) | 研磨パッド | |
| JP4897238B2 (ja) | 研磨パッド | |
| TWI577499B (zh) | 硏磨墊及硏磨方法 | |
| JP5868566B2 (ja) | 研磨パッド | |
| JP2008060360A (ja) | 研磨パッド | |
| JP2007214151A (ja) | 研磨パッド | |
| US6290883B1 (en) | Method for making porous CMP article | |
| JP2010274362A (ja) | 発泡ポリウレタンの製造方法および研磨パッドの製造方法 | |
| US20020098789A1 (en) | Polishing pad and methods for improved pad surface and pad interior characteristics | |
| JP2005183708A (ja) | Ｃｍｐ用研磨パッド、及びそれを用いた研磨方法 | |
| JP2015510847A (ja) | セルフコンディショニング研磨パッドおよびその作製方法 | |
| JPH11285961A (ja) | 研磨パッド及び研磨方法 | |
| JP7349774B2 (ja) | 研磨パッド、研磨パッドの製造方法、被研磨物の表面を研磨する方法、被研磨物の表面を研磨する際のスクラッチを低減する方法 | |
| JP4237800B2 (ja) | 研磨パッド | |
| JP2011235418A (ja) | 研磨パッドの製造方法 | |
| JP3122374B2 (ja) | 多孔質レジノイド砥石の製造方法 | |
| JP4757562B2 (ja) | Ｃｕ膜研磨用研磨パッド | |
| JP2016190273A (ja) | 研磨パッド及びその製造方法並びに研磨加工方法 | |
| JP5117147B2 (ja) | 研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法 | |
| JP4979200B2 (ja) | 研磨パッド | |
| JP2007210236A (ja) | 積層研磨パッド | |
| JP2003245861A (ja) | 研磨用発泡シートおよびその製造方法 | |
| TW201446414A (zh) | 研磨墊之製造方法 | |
| JP2016068250A (ja) | 研磨パッド | |
| JP2002194047A (ja) | 半導体研磨用ポリウレタン研磨パッドを製造する方法 |