KR100722086B1 - Interfused Nanocrystals and Method of Preparing Thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다층구조의 나노결정 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 두 종류 이상의 물질로 구성된 나노결정에 있어서, 추가로 상기 물질의 합금층(alloy)을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층구조의 나노결정 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 다층구조의 나노결정에 의하면 두 가지 이상의 나노결정 계면 사이에 합금층이 존재하기 때문에 물질의 안정성을 증진시킬 수 있으며, 청색영역에서 발광효율이 매우 우수한 물질을 합성할 수 있다.The present invention relates to a multi-layered nanocrystals and a method for manufacturing the same, and more particularly, in a nano-crystal composed of two or more kinds of materials, further comprising an alloy layer (alloy) of the material The present invention relates to a nanocrystal and a method for producing the same. According to the multi-layered nanocrystal of the present invention, since the alloy layer is present between two or more nanocrystal interfaces, the stability of the material can be enhanced and a material having excellent luminous efficiency in the blue region can be synthesized.

나노결정, 다층구조, 합금층, 청색파장, 발광효율 Nanocrystal, multilayer structure, alloy layer, blue wavelength, luminous efficiency

Description

다층구조의 나노결정 및 그의 제조방법{Interfused Nanocrystals and Method of Preparing Thereof}Interlayer Nanocrystals and Method of Preparing Thereof

도 1은 본 발명에 따른 구형 나노결정 구조의 모식도이고, 1 is a schematic diagram of a spherical nanocrystal structure according to the present invention,

도 2는 본 발명에 따른 구형 나노결정에서 합금층이 물질 조성의 기울기를 갖는 (gradient) 구조의 모식도이며, FIG. 2 is a schematic diagram of a gradient structure of an alloy layer in a spherical nanocrystal according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 막대형 나노결정 및 상기 구조에서 합금층이 물질 조성의 기울기를 갖는 (gradient) 구조의 모식도이고, 3 is a schematic diagram of a rod-shaped nanocrystal according to the present invention and a gradient structure of the alloy layer in the structure (gradient) of the material composition,

도 4는 본 발명에 따른 트리포드형 (tripod) 나노결정 구조 및 상기 구조에서 합금층이 물질 조성의 기울기를 갖는 (gradient) 구조의 모식도이며, 4 is a schematic diagram of a tripod nanocrystal structure according to the present invention and a gradient structure in which the alloy layer in the structure has a gradient of the material composition,

도 5는 본 발명에 따른 튜브형 나노결정 구조 및 상기 구조에서 합금층이 물질 조성의 기울기를 갖는 (gradient) 구조의 모식도이고,5 is a schematic diagram of a tubular nanocrystal structure according to the present invention and a gradient structure of the alloy layer in the structure (gradient) of the material composition,

도 6은 실시예 1에서 수득한 CdSe 코어 나노결정의 투과전자 현미경 사진이며, 6 is a transmission electron micrograph of the CdSe core nanocrystals obtained in Example 1,

도 7은 실시예 1에서 수득한 CdSe//ZnS 나노결정의 투과전자 현미경 사진이고, 7 is a transmission electron micrograph of the CdSe // ZnS nanocrystals obtained in Example 1,

도 8은 실시예 1에서 수득한 CdSe//ZnS 나노결정과 CdSe 코어 나노결정의 광여기 발광 스펙트럼이며, 8 is a photoexcited emission spectrum of CdSe // ZnS nanocrystals and CdSe core nanocrystals obtained in Example 1,

도 9는 실시예 5에서 수득한 CdSe//ZnS 나노결정과 CdSe 코어 나노결정의 광여기 발광 스펙트럼이고, 9 is a photoexcited emission spectrum of CdSe // ZnS nanocrystals and CdSe core nanocrystals obtained in Example 5,

도 10은 실시예 6에서 수득한 CdSe//ZnSe 나노결정과 CdSe 코어 나노결정의 광여기 발광 스펙트럼이며,10 is a photoexcited emission spectrum of CdSe // ZnSe nanocrystals and CdSe core nanocrystals obtained in Example 6,

도 11은 실시예 7에서 수득한 CdSeS//ZnS 나노결정과 CdSeS 코어 나노결정의 광여기 발광 스펙트럼이고, 11 is a photoexcitation emission spectrum of the CdSeS / / ZnS nanocrystals and CdSeS core nanocrystals obtained in Example 7,

도 12는 실시예 8에서 수득한 유무기 하이브리드 전기 발광 소자의 단면 개략도이며, 및12 is a schematic cross-sectional view of the organic-inorganic hybrid electroluminescent device obtained in Example 8, and

도 13은 실시예 8에서 수득한 유무기 하이브리드 전기 발광 소자에 사용된 나노결정의 전기 발광 스펙트럼이다. 13 is an electroluminescence spectrum of a nanocrystal used in the organic-inorganic hybrid electroluminescent device obtained in Example 8. FIG.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10: 기판 20: 정공 주입 전극10 substrate 20 hole injection electrode

30: 정공 수송층 40: 발광층30: hole transport layer 40: light emitting layer

50: 전자 수송층 60: 전자 주입 전극50: electron transport layer 60: electron injection electrode

70: 정공억제층70: hole suppression layer

본 발명은 다층구조의 나노결정 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 두 종류 이상의 물질로 구성된 나노결정에 있어서, 추가로 상기 물질의 합금층(alloy)을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층구조의 나노결정 및 그의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a multi-layered nanocrystals and a method for manufacturing the same, and more particularly, in a nano-crystal composed of two or more kinds of materials, further comprising an alloy layer (alloy) of the material The present invention relates to a nanocrystal and a method for producing the same.

나노결정은 수 나노 크기의 결정 구조를 가진 물질로, 수백에서 수천 개 정도의 원자로 구성되어 있다. 이렇게 작은 크기의 물질은 단위 부피 당 표면적이 넓어 대부분의 원자들이 표면에 존재하게 되고, 양자제한(quantum confinement) 효과 등을 나타내게 되어, 물질 자체의 고유한 특성과는 다른 독특한 전기적, 자기적, 광학적, 화학적, 기계적 특성을 가지게 된다. 즉, 나노결정의 물리적인 크기를 조절함으로써 다양한 특성을 조절하는 것이 가능해진다.Nanocrystals are materials with crystal structures of several nanoscales and are made up of hundreds to thousands of atoms. This small size of the material has a large surface area per unit volume, causing most atoms to exist on the surface, exhibiting quantum confinement effects, etc., which are distinctive from electrical, magnetic, and optical It has chemical, mechanical properties. In other words, it is possible to control various properties by adjusting the physical size of the nanocrystals.

나노결정을 합성하는 방법으로는 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)나 MBE(molecular beam epitaxy)와 같은 기상 증착법이 있고, 최근에는 유기용매에 전구체 물질을 넣어 결정을 성장시키는 화학적 습식 방법이 빠르게 발전되고 있다. 화학적 습식 방법은 결정이 성장될 때 유기용매가 자연스럽게 나노결정 표면에 배위되어 분산제 역할을 하게 함으로써 결정의 성장을 조절하는 방법으로, MOCVD나 MBE와 같은 기상 증착법보다 더 쉽고 저렴한 공정을 통하여 나노결정의 크기와 형태의 균일도를 조절할 수 있는 장점을 갖는다.Synthesis of nanocrystals includes vapor deposition such as metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or molecular beam epitaxy (MBE). Recently, chemical wet methods for growing crystals by injecting precursor materials into organic solvents have been rapidly developed. have. The chemical wet method controls the growth of crystals by allowing organic solvents to naturally coordinate on the surface of the nanocrystals and act as a dispersant when the crystals are grown.It is easier and cheaper than vapor deposition such as MOCVD or MBE. It has the advantage of controlling the uniformity of size and shape.

미국특허 제6,322,901호는 발광효율이 증가된 코아-쉘 구조를 갖는 반도체 나노결정 물질을 개시하고 있으며, 미국특허 제6,207,229호는 그러한 코아-쉘 구조를 갖는 반도체 나노결정 물질을 제조하는 방법에 대해서 개시하고 있다. 이렇게 형성된 코어-쉘 구조의 화합물 반도체 나노결정은 발광효율이 30%~50%까지 증가하는 것으로 보고되었다. 상기 언급된 종래 기술에서는 반도체 나노결정이 대부분 에너지 밴드 갭의 가장자리(edge)에서만 전이가 일어나기 때문에 순수한 파장에서 높은 효율의 빛을 발광하는 특성을 이용하여 디스플레이나 바이오 이미지 센서로 응용할 수 있다고 밝히고 있다.US Patent No. 6,322,901 discloses a semiconductor nanocrystal material having a core-shell structure with increased luminous efficiency, and US Patent No. 6,207,229 discloses a method for producing a semiconductor nanocrystal material having such a core-shell structure. Doing. The core-shell structured compound semiconductor nanocrystal thus formed has been reported to increase luminous efficiency by 30% to 50%. In the above-mentioned conventional technology, since semiconductor nanocrystals mostly transition only at the edge of an energy band gap, they can be applied as a display or a bio image sensor by using a property of emitting high efficiency light at a pure wavelength.

그러나, 상기 종래기술로 청색에서 발광하는 코어-쉘 나노결정을 제조하기 위해서는 작은 크기의 코어(직경 2nm이하)를 사용해야 하고, 이러한 작은 결정은 쉘을 형성하는 과정에서 매우 불안정하여 서로 응집하는 등 문제점이 있었다. However, in order to produce core-shell nanocrystals emitting blue light according to the prior art, a small size core (2 nm or less in diameter) must be used, and these small crystals are very unstable in the process of forming the shell and aggregate with each other. There was this.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 청색영역에서 우수한 발광효율을 나타낼 뿐만 아니라, 물질의 안정성이 뛰어난 새로운 구조의 나노결정을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, and to provide a new structure of the nanocrystal of excellent structure stability as well as excellent luminous efficiency in the blue region.

즉, 본 발명은 두 종류 이상의 물질로 구성된 나노결정에 있어서, 추가로 상기 물질의 합금층(alloy)을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층구조의 나노결정에 관한 것이다.That is, the present invention relates to a nanocrystal having a multi-layer structure, in which a nanocrystal composed of two or more kinds of materials further includes an alloy layer of the material.

본 발명의 또 다른 측면은 Another aspect of the invention

(a) 제 1 나노결정을 제조하는 단계;(a) preparing a first nanocrystal;

(b) 전단계에서 수득된 제 1 나노결정 표면 위에 제 1 나노결정과 다른 종류의 제 2 나노결정을 성장시키는 단계; 및(b) growing a second nanocrystal different from the first nanocrystal on the first nanocrystal surface obtained in the previous step; And

(c) 상기 제 1 나노결정과 제 2 나노결정 사이의 계면에서 확산을 통해 합금층을 형성하는 단계를 포함하는 다층구조의 나노결정의 제조방법에 관한 것이다.(C) a method of manufacturing a multi-layer nanocrystals comprising the step of forming an alloy layer through diffusion at the interface between the first nanocrystals and the second nanocrystals.

본 발명의 또 다른 측면은 상기 제조방법으로 제조한 다층구조의 나노결정에 관한 것이다. Another aspect of the invention relates to a nanocrystal of a multilayer structure prepared by the above production method.

본 발명의 또 다른 측면은 상기 제조방법으로 제조한 다층구조의 나노결정을 포함하는 소자에 관한 것이다. Another aspect of the invention relates to a device comprising a nanocrystal of a multi-layer structure prepared by the above manufacturing method.

이하, 본 발명에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명의 한 측면은 두 종류 이상의 물질로 구성된 나노결정에 있어서, 추가로 상기 물질의 합금층(alloy)을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층구조의 나노결정에 관한 것이다.One aspect of the present invention relates to a nanocrystal having a multi-layer structure, in which the nanocrystal composed of two or more kinds of materials further comprises an alloy layer of the material.

본 발명에 따른 다층구조의 나노결정에 필수적으로 포함되는 상기 합금층은 나노결정을 구성하는 물질의 계면 사이에 합금층(alloy interlayer)으로 형성되며, 나노결정을 구성하는 물질 간에 존재하는 격자상수의 차이를 완충하여 물질의 안정성을 증진시킨다. The alloy layer, which is essentially included in the nanocrystal of the multilayer structure according to the present invention, is formed as an alloy interlayer between the interfaces of the materials constituting the nanocrystals, and the lattice constant existing between the materials constituting the nanocrystals. Buffer the differences to enhance the stability of the material.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 다층구조의 구형 나노결정의 구조를 나타낸 것으로, 3차원 구조인 구형의 경우에는 순차적으로 코어(core), 합금층(alloy interlayer) 및 쉘(shell)로 구성되어 있다. 이 때 코어 부분의 부피가 작거나 쉘이 코어로 확산해 들어가는 속도가 더 빠를 경우 코어 중심부분까지 합금층의 확산 이 일어나 합금코어-쉘 형태를 가질 수 있다. 또한, 쉘 두께가 얇거나 코어가 쉘로 확산해 나가는 속도가 더 빠를 경우 쉘 바깥부분까지 합금층의 확산이 일어나 코어-합금쉘 형태를 가질 수 있다. 1 shows a structure of a multi-layered spherical nanocrystal according to an embodiment of the present invention, in the case of a sphere having a three-dimensional structure in order to a core, an alloy interlayer and a shell Consists of. At this time, when the volume of the core portion is small or the speed at which the shell diffuses into the core is faster, diffusion of the alloy layer to the center portion of the core may occur, resulting in an alloy core-shell shape. In addition, when the shell thickness is thinner or the core diffuses faster into the shell, the diffusion of the alloy layer to the outer portion of the shell may occur, thus forming a core-alloy shell.

도 2에서는 본 발명의 구형 나노결정 구조에서 각각 해당하는 합금층이 균일한 합금 상을 이루지 않고, 물질 조성의 기울기를 가지는 (gradient) 구조를 나타내었다. In FIG. 2, the corresponding alloy layers in the spherical nanocrystal structure of the present invention do not form a uniform alloy phase, but have a gradient structure having a gradient of a material composition.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 다층구조의 막대형 나노결정의 구조를 나타낸 것으로, 2차원 구조인 막대 형태의 경우에는 길이 방향으로 두 종류 이상의 물질이 연결되어 성장하여 제 1 막대, 합금층 및 제 2 막대로 구성될 수 있다. 막대 형태의 경우에도 길이 방향으로 두 종류 이상의 물질이 연결되어 성장할 때 제 1 막대가 짧거나 제 2 막대가 제 1 막대로 확산해 들어가는 속도가 더 빠를 경우 제 1 막대의 끝부분까지 합금층의 확산이 일어나 합금막대 및 제 2 막대의 형태로 구성될 수 있다. 3 shows a structure of a rod-shaped nanocrystal having a multi-layered structure according to an embodiment of the present invention. In the case of a rod having a two-dimensional structure, two or more kinds of materials are connected and grown in a longitudinal direction to form a first rod and an alloy. It can consist of a layer and a second rod. Even in the form of rods, the diffusion of the alloy layer to the end of the first rod when the first rod is short or when the second rod diffuses into the first rod is faster when two or more kinds of materials are connected and grown in the longitudinal direction. This may occur in the form of an alloy rod and a second rod.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 다층구조의 트리포드형 나노결정의 구조를 나타낸 것으로, 트리포드(tripod) 형태의 경우에는 순차적으로 코어(core) 주위에 제 1막대, 제 2막대 및 제 3막대로 구성되고, 코어와 세 개의 막대 계면에 합금층이 있는 구조로 구성될 수 있다. 또한, 두께 방향으로 두 종류 이상의 물질이 연결되어 성장할 때 코어 막대, 합금층 및 쉘 막대로 구성될 수 있다. FIG. 4 illustrates a structure of a multi-layered tripod-type nanocrystal according to an embodiment of the present invention. In the case of the tripod form, the first rod, the second rod, and the core are sequentially around the core. It is composed of a third rod, it may be composed of a structure having an alloy layer on the core and the three rod interface. In addition, it may be composed of a core rod, an alloy layer and a shell rod when two or more kinds of materials are connected and grown in the thickness direction.

한편, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 다층구조의 튜브형 나노결정을 나타낸 것으로, 두께 방향으로 두 종류 이상의 물질이 연결되어 성장할 때 코어 막대 의 직경이 작거나 쉘 (외피)이 얇을 경우 혹은 쉘이나 코어의 어느쪽의 확산속도가 더 빠를 경우 합금층의 확산에 의해 합금코어막대-쉘 형태를 가지거나 코어막대-합금쉘의 형태를 가질 수 있다. On the other hand, Figure 5 shows a multi-layered tubular nanocrystals according to an embodiment of the present invention, when two or more kinds of materials are connected in the thickness direction when the diameter of the core rod is small or the shell (shell) or thin or When the diffusion speed of either the shell or the core is faster, the alloy layer may have an alloy core bar-shell shape or a core bar alloy shell by diffusion of the alloy layer.

보다 구체적으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 다층구조의 나노결정은 순차적으로 코어(core), 합금층(alloy interlayer) 및 쉘(shell)로 구성됨으로써 쉘 물질 또는 코어 물질이 다른 쪽 내부로 확산(diffusion)됨에 따라 발광 코어의 실제 크기가 감소하면서 발광파장이 청색영역으로 이동하게 되므로, 크기가 상대적으로 큰 코어를 사용하더라도 청색영역에서 발광하는 특성을 갖는다. 또한, 발광파장의 이동은 쉘 물질 또는 코어 물질이 다른 쪽 내부로 확산해 들어감에 따라 발광코어의 화학적 조성이 변하기 때문에 일어나는 것으로 추정된다. More specifically, as shown in Figure 1, the multi-layered nanocrystals according to the present invention is composed of a core (core), alloy layer (alloy interlayer) and the shell (shell) by sequentially different shell material or core material Since the light emission wavelength is shifted to the blue region while the actual size of the light emitting core decreases as the light is diffused toward the inside, the light emitting core emits light in the blue region even when a relatively large core is used. In addition, the shift of the emission wavelength is assumed to occur because the chemical composition of the light emitting core changes as the shell material or the core material diffuses into the other.

또한, 쉘로 사용한 물질이 코어 보다 넓은 밴드갭을 가지는 물질인 경우, 쉘에 의한 패시베이션(passivation) 및 양자제한 효과를 통하여 청색영역에서 발광효율이 매우 향상된 특성을 갖는다.In addition, when the material used as the shell is a material having a wider bandgap than the core, the luminous efficiency is very improved in the blue region through the passivation (passivation) by the shell and the quantum restriction effect.

한편, 코어 주위에 형성된 합금층은 코어와 쉘 간에 존재하는 격자상수의 차이를 완충하여 주므로 물질의 안정성을 증진시키는 특성을 갖는다. On the other hand, the alloy layer formed around the core buffers the difference in the lattice constant existing between the core and the shell has the property of improving the stability of the material.

본 발명에 따른 나노결정을 구성하는 물질은 II-VI족 또는 III-V족 및 IV-VI족 반도체 화합물 또는 상기 물질의 혼합물로 이루어지는 군에서 선택될 수 있다. The material constituting the nanocrystals according to the present invention may be selected from the group consisting of II-VI or III-V and IV-VI semiconductor compounds or mixtures of the above materials.

구체적으로, 나노결정을 구성하는 물질은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs 또는 상기 물질의 혼합물을 예로들 수 있다. Specifically, the materials constituting the nanocrystals are CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs or mixtures of these materials can be exemplified.

한편, 본 발명에 따른 다층구조의 나노결정의 형태는 구형, 정사면체 (tetrahedron), 원통형, 막대형, 삼각형, 원판형(disc), 트리포드(tripod), 테트라포드(tetrapod), 큐브(cube), 박스(box), 스타(star), 튜브 (tube)형으로 이루어지는 군에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. On the other hand, the shape of the multi-layered nanocrystals according to the present invention is spherical, tetrahedron (tetrahedron), cylindrical, rod-shaped, triangular, disc (disc), tripod (tetrapod), tetrapod (cube), It may be selected from the group consisting of a box, a star, and a tube, but is not limited thereto.

이하에서는 본 발명에 따른 다층구조의 나노결정을 지칭할 때 "CdSe//ZnS"와 같이 표시하기로 한다. 즉, 상기와 같이 표시한 것은 CdSe 나노결정과 ZnS 나노결정 사이에 합금층(alloy interlayer)이 형성되어 있다는 것을 의미한다. Hereinafter, when referring to the nanocrystal of the multilayer structure according to the present invention will be expressed as "CdSe / / ZnS". In other words, the display as described above means that an alloy interlayer is formed between the CdSe nanocrystal and the ZnS nanocrystal.

본 발명의 다른 측면은 다층구조의 나노결정의 제조방법에 관한 것이다. Another aspect of the invention relates to a method for producing a nanocrystal of a multi-layer structure.

즉, 본 발명의 제조방법은That is, the manufacturing method of the present invention

(a) 제 1 나노결정을 제조하는 단계;(a) preparing a first nanocrystal;

(b) 전단계에서 수득된 제 1 나노결정 표면 위에 제 1 나노결정과 다른 종류의 제 2 나노결정을 성장시키는 단계; 및(b) growing a second nanocrystal different from the first nanocrystal on the first nanocrystal surface obtained in the previous step; And

(c) 상기 제 1 나노결정과 제 2 나노결정 사이의 계면에서 확산을 통해 합금층을 형성하는 단계를 포함하는 다층구조의 나노결정의 제조방법에 관한 것이다.(C) a method of manufacturing a multi-layer nanocrystals comprising the step of forming an alloy layer through diffusion at the interface between the first nanocrystals and the second nanocrystals.

보다 구체적으로, 본 발명의 제조방법에서 상기 (a) 단계의 제 1 나노결정은 금속 전구체와 V족 또는 VI족 전구체를 각각 용매 및 분산제에 넣고, 이들을 혼합하여 반응시켜 형성되고, 상기 (b) 단계의 제 2 나노결정은 금속 전구체와 V족 또는 VI족 전구체를 각각 용매 및 분산제에 넣고, 이들을 혼합하여 반응시켜 제 1 나노결정 표면 위에 성장시킨다. More specifically, in the method of the present invention, the first nanocrystal of the step (a) is formed by adding a metal precursor and a Group V or Group VI precursor into a solvent and a dispersant, respectively, and mixing and reacting the same, and (b) The second nanocrystal of the step is added to the metal precursor and the Group V or VI precursor in a solvent and a dispersant, respectively, and mixed and reacted to grow on the surface of the first nanocrystal.

즉, 금속 전구체와 V족 또는 VI족 전구체를 각각 용매 및 분산제에 넣고, 이 들을 혼합하여 반응시켜 제 1 나노결정을 형성시킨 후, 제 2 나노결정의 전구체를 용매 및 분산제에 넣은 용액에 상기에서 합성한 제 1 나노결정을 넣어 반응시키면 제 1 나노결정 표면에 제 2 나노결정이 성장하고, 제 1 나노결정과 제 2 나노결정의 계면에서 확산(diffusion)을 통해 합금층이 형성된다. That is, the metal precursor and the Group V or VI precursor are added to the solvent and the dispersant, respectively, and mixed to react to form the first nanocrystal, and then the solution of the precursor of the second nanocrystal is added to the solvent and the dispersant. When the synthesized first nanocrystals are reacted, the second nanocrystals grow on the surface of the first nanocrystals, and an alloy layer is formed through diffusion at the interface between the first nanocrystals and the second nanocrystals.

상기 합금층은 제 1 나노결정과 제 2 나노결정의 계면에서 제 2 나노결정 물질이 제 1 나노결정 내부로 확산하거나, 제 1 나노결정 물질이 제 2 나노결정 내부로 확산해 들어가서 형성되는데, 확산되어 들어가는 층이 감소함으로써 제 1 나노결정과 제 2 나노결정 사이에 합금층(alloy interlayer)이 형성된 새로운 구조의 나노결정을 제조할 수 있다. 상기 합금층은 나노결정을 구성하는 물질 간에 존재하는 격자상수의 차이를 완충하여 물질의 안정성을 증진시킨다. 이 때 확산되어 들어가는 층이 감소하다가 완전히 없어짐으로써 제 1 나노결정-합금층, 합금층-제 2 나노결정의 형태를 가질 수도 있다.The alloy layer is formed by diffusing a second nanocrystalline material into the first nanocrystal or by diffusing the first nanocrystalline material into the second nanocrystal at an interface between the first nanocrystal and the second nanocrystal. By reducing the number of layers to be added, it is possible to produce a new structure of nanocrystals in which an alloy interlayer is formed between the first and second nanocrystals. The alloy layer enhances the stability of the material by buffering the difference in lattice constant between the materials constituting the nanocrystal. At this time, the diffusion layer is reduced and then completely disappeared to have the form of the first nanocrystal-alloy layer and the alloy layer-second nanocrystal.

한편, 본 발명의 제조방법은 상기 (b) 및 (c) 공정을 1회 이상 반복하는 것을 포함한다. 즉, 코어-쉘 구조의 경우에는 상기 (b) 및 (c) 공정을 통해서 제조된 다층구조의 나노결정을 다시 (b) 공정에 투입하여 반응시키면 그 표면이 성장하면서 또 다른 층을 확보할 수 있고, 막대 구조의 경우에는 트리포드 혹은 테트라포드로 형성될 수 있다. On the other hand, the production method of the present invention includes repeating the steps (b) and (c) one or more times. That is, in the case of the core-shell structure, when the nanocrystal of the multi-layer structure manufactured through the steps (b) and (c) is added to the step (b) again and reacted, the surface grows and another layer can be secured. In the case of the rod structure, it may be formed of tripod or tetrapod.

본 발명에 따른 다층구조의 나노결정의 제조방법에 있어서, 상기 (a) 및 (b) 단계의 금속 전구체로는 디메틸 아연(dimethyl zinc), 디에틸 아연 (diethyl zinc), 아연 아세테이트(Zinc acetate), 아연 아세틸아세토네이트 (Zinc acetylacetonate), 아연 아이오다이드(Zinc iodide), 아연 브로마이드(Zinc bromide), 아연 클로라이드(Zinc chloride), 아연 플루오라이드(Zinc fluoride), 아연 카보네이트(Zinc carbonate), 아연 시아나이드(Zinc cyanide), 아연 나이트레이트(Zinc nitrate), 아연 옥사이드(Zinc oxide), 아연 퍼옥사이드(Zinc peroxide), 아연 퍼클로레이트(Zinc perchlorate), 아연 설페이트(Zinc sulfate), 디메틸 카드뮴(dimethyl cadmium), 디에틸 카드뮴(diethyl cadmium), 카드뮴 아세테이트(Cadmium acetate), 카드뮴 아세틸아세토네이트(Cadmium acetylacetonate), 카드뮴 아이오다이드(Cadmium iodide), 카드뮴 브로마이드(Cadmium bromide), 카드뮴 클로라이드(Cadmium chloride), 카드뮴 플루오라이드(Cadmium fluoride), 카드뮴 카보네이트(Cadmium carbonate), 카드뮴 나이트레이트(Cadmium nitrate), 카드뮴 옥사이드(Cadmium oxide), 카드뮴 퍼클로레이트(Cadmium perchlorate), 카드뮴 포스파이드(Cadmium phosphide), 카드뮴 설페이트(Cadmium sulfate), 수은 아세테이트(Mercury acetate), 수은 아이오다이드(Mercury iodide), 수은 브로마이드(Mercury bromide), 수은 클로라이드(Mercury chloride), 수은 플루오라이드(Mercury fluoride), 수은 시아나이드(Mercury cyanide), 수은 나이트레이트(Mercury nitrate), 수은 옥사이드(Mercury oxide), 수은 퍼클로레이트(Mercury perchlorate), 수은 설페이트(Mercury sulfate), 납 아세테이트(Lead acetate), 납 브로마이드(Lead bromide), 납 클로라이드(Lead chloride), 납 플루오라이드(Lead fluoride), 납 옥사이드(Lead oxide), 납 퍼클로레이트(Lead perchlorate), 납 나이트레이트(Lead nitrate), 납 설페이트(Lead sulfate), 납 카보네이트(Lead carbonate), 주석 아세테이트(Tin acetate), 주석 비스아세틸아세토네이트(Tin bisacetylacetonate), 주석 브로마이드(Tin bromide), 주석 클로라이드(Tin chloride), 주석 플루오라이드(Tin fluoride), 주석 옥사이드(Tin oxide), 주석 설페이트(Tin sulfate), 게르마늄 테트라클로라이드(Germanium tetrachloride), 게르마늄 옥사이드(Germanium oxide), 게르마늄 에톡사이드(Germanium ethoxide), 갈륨 아세틸아세토네이트(Gallium acetylacetonate), 갈륨 클로라이드(Gallium chloride), 갈륨 플루오라이드(Gallium fluoride), 갈륨 옥사이드(Gallium oxide), 갈륨 나이트레이트(Gallium nitrate), 갈륨 설페이트(Gallium sulfate), 인듐 클로라이드(Indium chloride), 인듐 옥사이드(Indium oxide), 인듐 나이트레이트(Indium nitrate), 인듐 설페이트(Indium sulfate)를 예로 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the method for producing a multi-layered nanocrystals according to the present invention, the metal precursor of the steps (a) and (b) is dimethyl zinc, diethyl zinc, zinc acetate , Zinc acetylacetonate, zinc iodide, zinc bromide, zinc chloride, zinc fluoride, zinc carbonate, zinc carbonate, zinc cyan Zinc cyanide, Zinc nitrate, Zinc oxide, Zinc peroxide, Zinc perchlorate, Zinc sulfate, Dimethyl cadmium, Diethyl cadmium, cadmium acetate, cadmium acetylacetonate, cadmium iodide, cadmium bromide, Cadmium chloride, Cadmium fluoride, Cadmium carbonate, Cadmium nitrate, Cadmium oxide, Cadmium perchlorate, Cadmium phosphide ), Cadmium sulfate, mercury acetate, mercury iodide, mercury bromide, mercury chloride, mercury fluoride, mercury cyanide (Mercury cyanide), mercury nitrate, mercury oxide, mercury perchlorate, mercury sulfate, lead acetate, lead bromide, lead chloride (Lead chloride), lead fluoride, lead oxide, lead perchlorate, Lead nitrate, lead sulfate, lead carbonate, tin acetate, tin bisacetylacetonate, tin bromide, tin chloride chloride, tin fluoride, tin oxide, tin sulfate, germanium tetrachloride, germanium oxide, germanium ethoxide, gallium acetyl Acetone (Gallium acetylacetonate), Gallium chloride, Gallium fluoride, Gallium oxide, Gallium nitrate, Gallium sulfate, Indium chloride For example, indium oxide (Indium oxide), Indium nitrate (Indium nitrate), Indium sulfate (Indium sulfate), It is not limited to this.

또한, 본 발명에 따른 다층구조의 나노결정의 제조방법에 있어서, 상기 (a) 및 (b) 단계의 VI족 또는 V족 원소 화합물로는 헥산 싸이올, 옥탄 싸이올, 데칸 싸이올, 도데칸 싸이올, 헥사데칸 싸이올, 머캡토 프로필 실란 등과 같은 알킬 싸이올 화합물, 설퍼-트리옥틸포스핀(S-TOP), 설퍼-트리부틸포스핀(S-TBP), 설퍼-트리페닐포스핀(S-TPP), 설퍼-트리옥틸아민(S-TOA), 트리메틸실릴 설퍼(trimethylsilyl sulfur), 황화 암모늄, 황화 나트륨, 셀렌-트리옥틸포스핀(Se-TOP), 셀렌-트리부틸포스핀(Se-TBP), 셀렌-트리페닐포스핀(Se-TPP), 텔루르-트리부틸포스핀(Te-TBP), 텔루르-트리페닐포스핀(Te-TPP), 트리메틸실릴 포스핀(trimethylsilyl phosphine) 및 트리에틸포스핀, 트리부틸포스핀, 트리옥틸포스핀, 트리페닐포스핀, 트리시클로 헥실포스핀을 포함하는 알킬 포스핀(alkyl phosphine), 알세닉 옥사이드 (Arsenic oxide), 알세닉 클로라이드(Arsenic chloride), 알세닉 설페이트(Arsenic sulfate), 알세닉 브로마이드(Arsenic bromide), 알세닉 아이오다이드(Arsenic iodide), 나이트릭 옥사이드(Nitroud oxide), 나이트릭산(Nitric acid), 암모늄 나이트레이트(Ammonium nitrate) 등을 예로 들 수 있다. In addition, in the method for producing a multi-layered nanocrystal according to the present invention, the Group VI or Group V element compounds of the steps (a) and (b) is hexane thiol, octane thiol, decane thiol, dodecane Alkyl thiol compounds such as thiols, hexadecane thiols, mercapto propyl silanes, etc., sulfur-trioctylphosphine (S-TOP), sulfur-tributylphosphine (S-TBP), sulfur-triphenylphosphine ( S-TPP), sulfur-trioctylamine (S-TOA), trimethylsilyl sulfur, ammonium sulfide, sodium sulfide, selenium-trioctylphosphine (Se-TOP), selenium-tributylphosphine (Se -TBP), selenium-triphenylphosphine (Se-TPP), tellurium-tributylphosphine (Te-TBP), tellurium-triphenylphosphine (Te-TPP), trimethylsilyl phosphine and tri Alkyl phosphine, alzenic ox, including ethylphosphine, tributylphosphine, trioctylphosphine, triphenylphosphine, tricyclo hexylphosphine Arsenic oxide, Arsenic chloride, Arsenic sulfate, Arsenic bromide, Arsenic iodide, Arsenic iodide, Nitroud oxide, Nitrik Examples include acid (Nitric acid) and ammonium nitrate.

이 때, 전구체의 반응성에 따라 전구체의 농도 및 주입속도를 적절히 조절함으로써 금속이 입자로 떨어지거나 금속과 VI족 또는 V족 원소 전구체가 반응하여 따로 입자를 형성하는 등의 부 반응이 일어나지 않도록 하는 것이 바람직하다.At this time, by appropriately adjusting the concentration and injection rate of the precursor according to the reactivity of the precursor to prevent side reactions such as metal falling into the particles or metal and Group VI or Group V element precursor reacts to form particles separately. desirable.

한편, 본 발명에 따른 다층구조의 나노결정의 제조방법에 있어서, 상기 (a) 및 (b) 단계의 용매로는 탄소수 6 내지 22의 일차 알킬 아민, 탄소수 6 내지 22의 이차 알킬 아민, 및 탄소수 6 내지 22의 삼차 알킬 아민; 탄소수 6 내지 22의 일차 알코올, 탄소수 6 내지 22의 이차 알코올 및 탄소수 6 내지 22의 삼차 알코올; 탄소수 6 내지 22의 케톤 및 에스테르; 탄소수 6 내지 22의 질소 또는 황을 포함한 헤테로 고리 화합물(heterocyclic compound); 탄소수 6 내지 22의 알칸, 탄소수 6 내지 22의 알켄, 탄소수 6 내지 22의 알킨; 트리옥틸포스핀, 트리옥틸포스핀 옥사이드를 예로 들 수 있다. On the other hand, in the method for producing a multi-layered nanocrystals according to the present invention, the solvent of the (a) and (b) step is a primary alkyl amine having 6 to 22 carbon atoms, a secondary alkyl amine having 6 to 22 carbon atoms, and carbon atoms Tertiary alkyl amines of 6 to 22; Primary alcohols having 6 to 22 carbon atoms, secondary alcohols having 6 to 22 carbon atoms and tertiary alcohols having 6 to 22 carbon atoms; Ketones and esters having 6 to 22 carbon atoms; Heterocyclic compounds containing nitrogen or sulfur having 6 to 22 carbon atoms; Alkanes having 6 to 22 carbon atoms, alkenes having 6 to 22 carbon atoms, alkynes having 6 to 22 carbon atoms; Trioctylphosphine and trioctylphosphine oxide are mentioned as an example.

또한, 본 발명에 따른 다층구조의 나노결정의 제조방법에 있어서, 상기 (a) 및 (b) 단계의 분산제로는 말단에 COOH기를 가진 탄소수 6 내지 22의 알칸 또는 알켄; 말단에 POOH기를 가진 탄소수 6 내지 22의 알칸 또는 알켄; 또는 말단에 SOOH 기를 가진 탄소수 6 내지 22의 알칸 또는 알켄; 및 말단에 NH2기를 가진 탄소수 6 내지 22의 알칸 또는 알켄을 예로 들 수 있다. In addition, in the method for producing a multi-layered nanocrystals according to the present invention, the dispersant of the steps (a) and (b) includes alkanes or alkenes having 6 to 22 carbon atoms having a COOH group at the terminal; Alkanes or alkenes having 6 to 22 carbon atoms having a POOH group at the terminals; Or alkanes or alkenes having 6 to 22 carbon atoms having SOOH groups at the ends; And alkanes or alkenes having 6 to 22 carbon atoms having NH 2 groups at the ends.

구체적으로, 상기 분산제가 올레인산(oleic acid), 스테아르산(stearic acid), 팔미트산(palmitic acid), 헥실 포스포늄산(hexyl phosphonicacid), n-옥틸 포스포늄산(n-octyl phosphonicacid), 테트라데실 포스포늄산(tetradecyl phosphonicacid), 옥타데실포스포늄산(octadecyl phosphonic acid), n-옥틸 아민 (n-octyl amine), 헥사데실아민(hexadecyl amine)을 예로 들 수 있다. Specifically, the dispersant is oleic acid (oleic acid), stearic acid (stearic acid), palmitic acid (palmitic acid), hexyl phosphonic acid (hexyl phosphonic acid), n-octyl phosphonic acid (n-octyl phosphonic acid), tetra Examples include decyl phosphonic acid, octadecyl phosphonic acid, n-octyl amine, and hexadecyl amine.

본 발명에 따른 다층 구조의 나노결정의 제조방법에 있어서, 결정성장을 용이하게 하면서 용매의 안정성을 보장하기 위한 상기 (a) 및 (b) 단계에서의 바람직한 반응온도 범위는 각각 100℃ 내지 460℃, 보다 바람직하게는 120℃ 내지 390℃, 보다 더 바람직하게는 150 내지 360℃이다. In the method for preparing a multi-layered nanocrystal according to the present invention, the preferred reaction temperature ranges in steps (a) and (b) for ensuring the stability of the solvent while facilitating crystal growth are 100 ° C. to 460 ° C., respectively. More preferably, it is 120 degreeC-390 degreeC, More preferably, it is 150-360 degreeC.

또한, 본 발명에 따른 다층구조의 나노결정의 제조방법에 있어서, 반응속도의 조절이 용이한 상기 (a) 및 (b) 단계에서의 반응시간은 각각 바람직하게는 5초 내지 4시간, 보다 바람직하게는 10초 내지 3시간, 보다 더 바람직하게는 20초 내지 2시간이다. In addition, in the method for producing a multi-layered nanocrystal according to the present invention, the reaction time in the steps (a) and (b) in which the reaction rate is easily controlled is preferably 5 seconds to 4 hours, more preferably. Preferably from 10 seconds to 3 hours, even more preferably from 20 seconds to 2 hours.

한편, 본 발명에 따른 다층 구조의 나노결정의 제조방법에 있어서, 상기 (b) 단계에서 반응온도, 반응시간 및 제 2 나노결정의 금속 전구체 물질의 농도를 변화시키는 것에 의해 상기 (c) 단계에서의 확산속도를 조절할 수 있다. 따라서 같은 크기의 제 1 나노결정 물질을 사용하더라도 발광파장이 다른 물질을 얻을 수 있다. 같은 원리로, 다른 크기의 제 1 나노결정 물질을 사용하더라도 확산속도를 조절함으로써 같은 파장에서 발광하는 물질을 얻을 수 있다. On the other hand, in the method of producing a multi-layered nanocrystals according to the present invention, in the step (c) by changing the reaction temperature, the reaction time and the concentration of the metal precursor material of the second nanocrystal in the step (b) The diffusion rate of can be controlled. Therefore, even when the first nanocrystalline material of the same size is used, it is possible to obtain a material having a different light emission wavelength. In the same principle, a material emitting light at the same wavelength can be obtained by controlling the diffusion rate even when using different sized first nanocrystalline materials.

또한, 상기 (b) 단계에서 반응온도를 단계적으로 변화시키는 것에 의해 상기 (c) 단계에서의 확산속도를 조절함으로써 같은 크기의 제 1 나노결정 물질을 사용하더라도 발광파장이 다른 물질을 얻을 수 있다.In addition, by controlling the diffusion rate in the step (c) by changing the reaction temperature step by step (b) it is possible to obtain a material having a different light emission wavelength even if the first nanocrystalline material of the same size is used.

한편, 본 발명에 따른 상기 다층구조의 나노결정의 제조방법에 있어서, 청색파장에서 발광효율을 증가시키기 위한 (b) 단계의 금속 전구체의 농도는 0.001M내지 2M인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.1M내지 1.6M이다. On the other hand, in the method of manufacturing the multi-layered nanocrystals according to the present invention, the concentration of the metal precursor in step (b) for increasing the luminous efficiency at blue wavelength is preferably 0.001M to 2M, more preferably 0.1M to 1.6M.

또한, 본 발명에 따른 상기 다층구조의 나노결정의 제조방법에 있어서, 청색파장에서 발광효율을 증가시키기 위한 (b) 단계의 금속 전구체에 대한 VI족 또는 V족 원소의 몰 비는 100:1내지 1:50인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 50:1 내지 1:10이다. In addition, in the method of manufacturing the multi-layered nanocrystals according to the present invention, the molar ratio of the Group VI or Group V elements to the metal precursor of step (b) for increasing the luminous efficiency at blue wavelength is 100: 1 to It is preferable that it is 1:50, More preferably, it is 50: 1-1:10.

본 발명의 또 다른 측면은 상기 제조방법에 의하여 제조된 다층구조의 나노결정에 관한 것이다. 상기 나노결정의 형태는 구형, 정사면체 (tetrahedron), 원통형, 막대형, 삼각형, 원판형(disc), 트리포드(tripod), 테트라포드(tetrapod), 큐브(cube), 박스(box), 스타(star), 튜브 (tube)형으로 이루어지는 군에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Another aspect of the invention relates to a nanocrystal of a multi-layer structure produced by the above production method. The nanocrystals may be spherical, tetrahedron, cylindrical, rod, triangular, disc, tripod, tetrapod, cube, box, star ), But may be selected from the group consisting of a tube type, but is not limited thereto.

또한, 상기 나노결정의 발광영역은 350nm 내지 700nm, 보다 바람직하게는 380nm 내지 490nm이고, 상기 영역내에서 최대발광피크를 나타내면서 청색광을 나타낸다. 이러한 청색광을 나타내는 나노결정의 발광효율은 0.1% 내지 100%, 보다 바 람직하게는 20% 내지 100%이다. In addition, the light emitting region of the nanocrystals is 350 nm to 700 nm, more preferably 380 nm to 490 nm, and exhibits blue light while exhibiting a maximum emission peak in the region. The luminous efficiency of the nanocrystals showing such blue light is 0.1% to 100%, more preferably 20% to 100%.

한편, 본 발명의 다층구조의 나노결정은 디스플레이, 센서, 에너지 분야에 다양하게 응용될 수 있고, 특히 청색 발광소자의 발광층 형성시에 유용하다. On the other hand, the multi-layered nanocrystal of the present invention can be applied to a variety of applications in the display, sensor, energy fields, and is particularly useful when forming a light emitting layer of a blue light emitting device.

즉, 본 발명의 또 다른 측면은 다층구조의 나노결정을 포함하는 소자에 관한 것으로, 구체적으로 상기 다층구조의 나노결정을 발광층에 도입한 유무기 전기 발광소자에 관한 것이다. That is, another aspect of the present invention relates to a device including a nanocrystal of a multilayer structure, and more particularly to an organic-inorganic electroluminescent device in which the nanocrystal of the multilayer structure is introduced into the light emitting layer.

보다 구체적으로, 본 발명의 유무기 전기 발광 소자의 구조는 기판(10), 정공 주입 전극(20), 정공 수송층(30), 발광층(40), 전자 수송층(50), 및 전자 주입 전극(60)을 순차적으로 포함하며, 상기 발광층(40)이 본 발명의 다층 구조의 반도체 나노결정을 포함하는 것을 특징으로 한다.More specifically, the structure of the organic-inorganic electroluminescent device of the present invention is the substrate 10, the hole injection electrode 20, the hole transport layer 30, the light emitting layer 40, the electron transport layer 50, and the electron injection electrode 60 ), And the emission layer 40 is characterized in that it comprises a semiconductor nanocrystal of a multi-layer structure of the present invention.

선택적으로 본 발명에서는 발광층(40)과 전자 수송층(50) 사이에 정공억제층(70)이 도입될 수 있다. Alternatively, in the present invention, a hole suppression layer 70 may be introduced between the light emitting layer 40 and the electron transport layer 50.

본 발명의 전기 발광 소자에 사용되는 기판(10)은 통상적으로 사용되는 기판을 사용할 수 있으며, 구체적으로 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 더욱 구체적인 예로는 유리 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트 기판, 폴리카보네이트 기판 등이 있다. As the substrate 10 used in the electroluminescent device of the present invention, a substrate commonly used may be used. Specifically, a glass substrate or a transparent plastic substrate having excellent transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness is preferable. More specific examples include glass substrates, polyethylene terephthalate substrates, polycarbonate substrates, and the like.

또한, 정공 주입 전극(20)의 재료는 전도성 금속 또는 그 산화물로, 구체적인 예로는, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 이리듐(Ir) 등을 사용할 수 있다.In addition, the material of the hole injection electrode 20 is a conductive metal or an oxide thereof, and specific examples thereof include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), nickel (Ni), platinum (Pt), and gold (Au). , Silver (Ag), iridium (Ir) and the like can be used.

한편, 본 발명의 정공 수송층(30)의 재료는 통상적으로 사용되는 물질을 모 두 사용할 수 있으며, 그 구체적인 예는 폴리(3, 4-에틸렌디오펜)(PEDOT)/폴리스티렌 파라술포네이트(PSS), 폴리-N-비닐카르바졸(poly-N-vinylcarbazole) 유도체, 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene) 유도체, 폴리파라페닐렌(polyparaphenylene) 유도체, 폴리메타아크릴레이트 (polymethaacrylate) 유도체, 폴리(9,9-옥틸플루오렌)(poly(9,9-octylfluorene)) 유도체, 폴리(스파이로-플루오렌)(poly(spiro-fluorene)) 유도체, TPD(N,N'-Bis-(3-메틸페닐)-N,N'-비스-(페닐)-벤지딘)을 포함하나 반드시 이들에 국한되는 것은 아니다. 본 발명에서 바람직한 정공 수송층의 두께는 10 내지 100 ㎚가 바람직하다.On the other hand, the material of the hole transport layer 30 of the present invention can be used all materials that are commonly used, specific examples thereof are poly (3, 4-ethylenediophene) (PEDOT) / polystyrene parasulfonate (PSS), Poly-N-vinylcarbazole derivatives, polyphenylenevinylene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polymethaacrylate derivatives, poly (9,9- Octylfluorene) (poly (9,9-octylfluorene)) derivative, poly (spiro-fluorene) derivative, TPD (N, N'-Bis- (3-methylphenyl) -N , N'-bis- (phenyl) -benzidine), but is not necessarily limited thereto. As for the thickness of the hole transport layer which is preferable in this invention, 10-100 nm is preferable.

본 발명의 전자 수송층(50)의 소재로는 통상적으로 사용되는 물질을 사용할 수 있다. 구체적인 예로는 옥사졸계 화합물, 이소옥사졸계 화합물, 트리아졸계 화합물, 이소티아졸계 화합물, 옥시디아졸계 화합물, 티아디아졸계 화합물, 페릴렌 (perylene)계 화합물, 트리스(8-히드록시퀴놀린)-알루미늄(Alq3), 비스(2-메틸-8-퀴놀라토)(p-페닐-페놀라토)알루미늄(Balq), 비스(2-메틸-8-퀴놀리네이토)(트리페닐실록시)알루미늄(III)(Salq)등의 알루미늄 착물을 들 수 있으나, 반드시 이들에 국한되는 것은 아니다. 본 발명에서 바람직한 전자 수송층의 두께는 10 내지 100 ㎚가 바람직하다.As a material of the electron transport layer 50 of the present invention, a material commonly used may be used. Specific examples thereof include an oxazole compound, an isoxazole compound, a triazole compound, an isothiazole compound, an oxydiazole compound, a thiadiazole compound, a perylene compound, and a tris (8-hydroxyquinoline) -aluminum ( Alq3), bis (2-methyl-8-quinolato) (p-phenyl-phenololato) aluminum (Balq), bis (2-methyl-8-quinolinato) (triphenylsiloxy) aluminum (III Aluminum complexes, such as Salq, are mentioned, but it is not necessarily limited to these. As for the thickness of the preferable electron carrying layer in this invention, 10-100 nm is preferable.

본 발명의 전자 주입 전극(60)의 재료는 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 금속, 즉, I, Ca, Ba, Ca/Al, LiF/Ca, LiF/Al, BaF2/Al, BaF2/Ca/Al, Al, Mg, Ag:Mg 합금 등을 포함하나, 반드시 이들로 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 전자 주입 전극은 전자 주입층과 금속층 등으로 나누어 표현될 수도 있다. 본 발명 에서 바람직한 전작 주입 전극의 두께는 50 ㎚ 내지 300 ㎚ 이다. The material of the electron injection electrode 60 of the present invention is a metal having a small work function, that is, I, Ca, Ba, Ca / Al, LiF / Ca, LiF / Al, BaF2 / Al, BaF2 / Ca to facilitate electron injection. / Al, Al, Mg, Ag: Mg alloy, and the like, but is not necessarily limited to these. In addition, the electron injection electrode may be divided into an electron injection layer and a metal layer. Preferred thickness of the previous work injection electrode in the present invention is 50 nm to 300 nm.

본 발명의 정공 억제층(70)의 형성에 사용되는 재료는 이 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 물질을 사용할 수 있다. 구체적인 예로는 3-(4-비페닐일)-4-페닐-5-(4-tert-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ), 2, 9-디메틸-1, 10-페난트롤린 (BCP), 페난트롤린(phenanthrolines)계 화합물, 이미다졸계 화합물, 트리아졸 (triazoles)계 화합물, 옥사디아졸(oxadiazoles)계 화합물, 알루미늄 착물 등을 포함하나 반드시 이들에 국한되는 것은 아니다. 본 발명에서 바람직한 정공 억제층의 두께는 5 내지 50 ㎚이다. The material used for forming the hole suppression layer 70 of the present invention may be a material commonly used in the art. Specific examples include 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5- (4- tert -butylphenyl) -1,2,4-triazole (TAZ), 2, 9-dimethyl-1, 10- Include but are not limited to phenanthroline (BCP), phenanthrolines-based compounds, imidazole-based compounds, triazoles-based compounds, oxadiazoles-based compounds, aluminum complexes, etc. no. The thickness of the hole suppression layer preferable in this invention is 5-50 nm.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 설명의 목적을 위한 것으로, 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the following Examples are for the purpose of explanation and are not intended to limit the present invention.

실시예Example 1.  One. CdSeCdSe 나노결정 및 다층구조의  Nanocrystalline and multilayer structure CdSeCdSe //// ZnSZnS 합성 synthesis

트리옥틸아민(Trioctylamine, 이하 TOA로 칭함) 16g과 옥타데실포스포닉산 0.3g, 카드뮴 옥사이드 0.4mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 125ml 플라스크에 넣고, 교반 하면서 반응온도를 300℃로 조절하였다. 16 g of trioctylamine (hereinafter referred to as TOA), 0.3 g of octadecylphosphonic acid, and 0.4 mmol of cadmium oxide were simultaneously added to a 125 ml flask equipped with a reflux condenser, and the reaction temperature was adjusted to 300 ° C while stirring.

이와 별도로 Se 분말을 트리 옥틸 포스핀(TOP)에 녹여서 Se 농도가 약 2M 정도인 Se-TOP 착물용액을 만들었다. 상기 교반되고 있는 반응 혼합물에 2M Se-TOP 착물용액 2mL를 빠른 속도로 주입하고 약 2분간 반응시켰다. Separately, Se powder was dissolved in trioctyl phosphine (TOP) to prepare a Se-TOP complex solution having a Se concentration of about 2M. 2 mL of 2M Se-TOP complex solution was injected into the reaction mixture being stirred at high speed and reacted for about 2 minutes.

반응이 종결되면, 반응 혼합물의 온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매 (non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리 된 침전을 제외한 용액의 상등액은 버리고, 침전은 톨루엔에 분산시켜 CdSe 나노결정 용액을 합성하였다. When the reaction was terminated, the temperature of the reaction mixture was lowered to room temperature as soon as possible, and centrifugation was performed by adding non-solvent ethanol. The supernatant of the solution except the centrifuged precipitate was discarded, and the precipitate was dispersed in toluene to synthesize CdSe nanocrystal solution.

TOA 8g과 올레인산 0.1g, 아연 아세테이트 0.4 mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 125ml 플라스크에 넣고, 교반하면서 반응온도를 300℃로 조절하였다. 상기에서 합성한 CdSe 나노결정 용액을 반응물에 첨가한 후 S-TOP 착물 용액을 천천히 가하여 약 1시간 동안 반응시켜 CdSe 나노결정 표면 위에 ZnS 나노결정을 성장시키고, 그 계면에서 확산을 통해 합금층을 형성시켰다. 8 g of TOA, 0.1 g of oleic acid and 0.4 mmol of zinc acetate were placed in a 125 ml flask equipped with a reflux condenser at the same time, and the reaction temperature was adjusted to 300 ° C. while stirring. After adding the synthesized CdSe nanocrystal solution to the reactants, the S-TOP complex solution was slowly added to react for about 1 hour to grow ZnS nanocrystals on the surface of the CdSe nanocrystals, and to form an alloy layer through diffusion at the interface. I was.

반응이 종결되면, 반응 혼합물의 온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매 (non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액의 상등액은 버리고, 침전은 톨루엔에 분산시켜 5nm 크기의 다층구조의 나노결정 CdSe//ZnS을 합성하였다. When the reaction was terminated, the temperature of the reaction mixture was lowered to room temperature as soon as possible, and centrifugation was performed by adding non-solvent ethanol. The supernatant of the solution except the centrifuged precipitate was discarded, and the precipitate was dispersed in toluene to synthesize nanocrystal CdSe // ZnS having a multi-layered structure of 5 nm size.

이렇게 얻어진 나노결정은 365nm UV 램프 아래에서 청색으로 발광하였다. 본 실시예에서 수득한 코어 CdSe 나노결정과 다층구조의 CdSe//ZnS 나노결정의 투과전자 현미경사진(TEM)을 각각 도 6 및 7에 도시하였고, 광여기 발광 스펙트럼을 조사하여 도 8에 나타내었다. 도 8에 도시된 바와 같이, 발광 파장의 중심은 각각 470nm, 496 nm이었다.The nanocrystals thus obtained emitted blue light under a 365 nm UV lamp. Transmission electron micrographs (TEM) of the core CdSe nanocrystals obtained in this example and the CdSe // ZnS nanocrystals of the multi-layer structure are shown in FIGS. 6 and 7, respectively, and the photoexcited emission spectra were shown in FIG. 8. . As shown in Fig. 8, the centers of the emission wavelengths were 470 nm and 496 nm, respectively.

실시예Example 2. 반응온도에 따른 다층구조의  2. Multilayer structure according to reaction temperature CdSeCdSe //// ZnSZnS 합성 효과 Composite effect

TOA 8g과 올레인산 0.1g, 아연 아세테이트 0.4 mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 125ml 플라스크에 넣고, 교반하면서 반응온도를 각각 220℃, 260℃, 300 ℃ 및 320℃로 조절하였다. 실시예 1에서 합성한 CdSe 나노결정 용액을 반응물에 첨가한 후 S-TOP 착물 용액을 천천히 가하여 약 1시간 동안 반응시켜 CdSe 나노결정 표면 위에 ZnS 나노결정을 성장시키고, 그 계면에서 확산을 통해 합금층을 형성시켰다. 8 g of TOA, 0.1 g of oleic acid and 0.4 mmol of zinc acetate were placed in a 125 ml flask equipped with a reflux condenser at the same time, and the reaction temperature was adjusted to 220 ° C., 260 ° C., 300 ° C. and 320 ° C., respectively, with stirring. After adding the CdSe nanocrystal solution synthesized in Example 1 to the reactant and slowly adding the S-TOP complex solution to react for about 1 hour to grow ZnS nanocrystals on the surface of the CdSe nanocrystals, the alloy layer through diffusion at the interface Was formed.

반응이 종결되면, 반응 혼합물의 온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매 (non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액의 상등액은 버리고, 침전은 톨루엔에 분산시켜 5nm 크기의 다층구조의 나노결정 CdSe//ZnS을 합성하였다. When the reaction was terminated, the temperature of the reaction mixture was lowered to room temperature as soon as possible, and centrifugation was performed by adding non-solvent ethanol. The supernatant of the solution except the centrifuged precipitate was discarded, and the precipitate was dispersed in toluene to synthesize nanocrystal CdSe // ZnS having a multi-layered structure of 5 nm size.

코어로 사용한 CdSe의 발광 파장의 중심이 522nm이고, 반응 후 얻어진 다층구조의 나노결정 CdSe//ZnS은 반응온도에 따라 다른 청색으로 발광하였다. 반응온도에 따른 발광파장의 변화를 표 1에 정리하였다. The center of the emission wavelength of CdSe used as the core was 522 nm, and the nanocrystalline CdSe // ZnS of the multilayered structure obtained after the reaction emitted blue light depending on the reaction temperature. Table 1 summarizes the change in emission wavelength according to the reaction temperature.

표 1. 522nm에서 발광하는 CdSe를 코어로 사용하여 각각 다른 반응온도에서 합성한 CdSe//ZnS의 발광파장Table 1. CdSe // ZnS emission wavelengths synthesized at different reaction temperatures using CdSe emitting at 522nm as core

Figure 112005047862130-pat00001
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실시예Example 3. 반응시간에 따른 다층구조의  3. Multilayer structure according to reaction time CdSeCdSe //// ZnSZnS 합성 효과 Composite effect

TOA 8g과 올레인산 0.1g, 아연 아세테이트 0.4 mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 125ml 플라스크에 넣고, 교반하면서 반응온도를 300℃로 조절하였다. 실시예 1에서 합성한 CdSe 나노결정 용액을 반응물에 첨가한 후 S-TOP 착물 용액을 천천히 가하여 각각 5분, 20분, 40분, 1시간 동안 반응시켜 CdSe 나노결정 표면 위에 ZnS 나노결정을 성장시키고, 그 계면에서 확산을 통해 합금층을 형성시켰다.8 g of TOA, 0.1 g of oleic acid and 0.4 mmol of zinc acetate were placed in a 125 ml flask equipped with a reflux condenser at the same time, and the reaction temperature was adjusted to 300 ° C. while stirring. After adding the CdSe nanocrystal solution synthesized in Example 1 to the reactant and slowly adding the S-TOP complex solution for 5 minutes, 20 minutes, 40 minutes and 1 hour, respectively, ZnS nanocrystals were grown on the surface of the CdSe nanocrystals. The alloy layer was formed through diffusion at the interface.

반응이 종결되면, 반응 혼합물의 온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매 (non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액의 상등액은 버리고, 침전은 톨루엔에 분산시켜 5nm 크기의 다층구조의 나노결정 CdSe//ZnS을 합성하였다. When the reaction was terminated, the temperature of the reaction mixture was lowered to room temperature as soon as possible, and centrifugation was performed by adding non-solvent ethanol. The supernatant of the solution except the centrifuged precipitate was discarded, and the precipitate was dispersed in toluene to synthesize nanocrystal CdSe // ZnS having a multi-layered structure of 5 nm size.

이렇게 얻어진 나노결정은 365nm UV 램프 아래에서 청색으로 발광하였다. 코어로 사용한 CdSe의 발광 파장의 중심이 496nm이고, 이렇게 얻어진 나노결정은 반응시간에 따라 다른 청색으로 발광하였다. 반응시간에 따른 발광파장의 변화를 표 2에 정리하였다. The nanocrystals thus obtained emitted blue light under a 365 nm UV lamp. The center of the emission wavelength of CdSe used as the core was 496 nm, and the nanocrystals thus obtained emitted blue light depending on the reaction time. Table 2 summarizes the change in emission wavelength according to the reaction time.

표 2. 496nm에서 발광하는 CdSe를 코어로 사용하여 각각 다른 반응시간 동안 합성한 CdSe//ZnS의 발광파장Table 2. Light emission wavelength of CdSe // ZnS synthesized for different reaction time using CdSe emitting at 496nm as core

Figure 112005054588919-pat00017
Figure 112005054588919-pat00017

실시예Example 4. 전구체 농도에 따른  4. Depending on precursor concentration CdSeCdSe //// ZnSZnS 합성 효과 Composite effect

TOA 8g과 올레인산 0.01, 0.05, 0.1g, 아연 아세테이트를 각각 0.04, 0.2, 0.4 mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 125ml 플라스크에 넣고, 교반하면서 반응온도를 300℃로 조절하였다. 실시예 1에서 합성한 CdSe 나노결정 용액을 반응물에 첨가한 후 S-TOP 착물 용액을 천천히 가하여 약 30분 동안 반응시켜 CdSe 나노결정 표면 위에 ZnS 나노결정을 성장시키고, 그 계면에서 확산을 통해 합금층을 형성시켰다.8 g of TOA, 0.01, 0.05, 0.1 g of oleic acid, and 0.04, 0.2, and 0.4 mmol of zinc acetate, respectively, were placed in a 125 ml flask equipped with a reflux condenser at the same time, and the reaction temperature was adjusted to 300 ° C. while stirring. After adding the CdSe nanocrystal solution synthesized in Example 1 to the reactant and slowly adding the S-TOP complex solution to react for about 30 minutes to grow ZnS nanocrystals on the surface of the CdSe nanocrystals, the alloy layer through diffusion at the interface Was formed.

반응이 종결되면, 반응 혼합물의 온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매 (non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액의 상등액은 버리고, 침전은 톨루엔에 분산시켜 5nm 크기의 다층구조의 나노결정 CdSe//Zn을 합성하였다. When the reaction was terminated, the temperature of the reaction mixture was lowered to room temperature as soon as possible, and centrifugation was performed by adding non-solvent ethanol. The supernatant of the solution except the centrifuged precipitate was discarded, and the precipitate was dispersed in toluene to synthesize nanocrystal CdSe // Zn having a multi-layered structure of 5 nm size.

코어로 사용한 CdSe의 발광 파장의 중심이 496nm이고, 반응 후 얻어진 나노결정은 전구체 농도에 따라 다른 청색으로 발광하였다. 전구체 농도에 따른 발광파장의 변화를 표 3에 정리하였다. The center of the emission wavelength of CdSe used as a core was 496 nm, and the nanocrystal obtained after reaction emitted light blue according to precursor concentration. Table 3 shows the change in the emission wavelength according to the precursor concentration.

표 3. 496nm에서 발광하는 CdSe를 코어로 사용하여 각각 다른 전구체 농도에서 30분 동안 합성한 CdSe//ZnS의 발광파장Table 3. CdSe // ZnS emission wavelengths synthesized for 30 minutes at different precursor concentrations using CdSe emitting at 496 nm as core

Figure 112005047862130-pat00003
Figure 112005047862130-pat00003

실시예Example 5. 추가 반응온도 조절에 따른 다층구조의  5. Multi-layer structure with additional reaction temperature control CdSeCdSe //// ZnSZnS 합성  synthesis

TOA 16g과 옥타데실포스포닉산 0.3g, 카드뮴 옥사이드 0.4mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 125ml 플라스크에 넣고, 교반 하면서 반응온도를 300℃로 조절하였다. 이와 별도로 Se 분말을 트리 옥틸 포스핀(TOP)에 녹여서 Se 농도가 약 2M 정도인 Se-TOP 착물용액을 만들었다. 상기 교반되고 있는 반응 혼합물에 2M Se-TOP 착물용액 2mL를 빠른 속도로 주입하고 약 2분간 반응시켰다. 16 g of TOA, 0.3 g of octadecyl phosphonic acid, and 0.4 mmol of cadmium oxide were simultaneously added to a 125 ml flask equipped with a reflux condenser, and the reaction temperature was adjusted to 300 ° C. while stirring. Separately, Se powder was dissolved in trioctyl phosphine (TOP) to prepare a Se-TOP complex solution having a Se concentration of about 2M. 2 mL of 2M Se-TOP complex solution was injected into the reaction mixture being stirred at high speed and reacted for about 2 minutes.

반응이 종결되면, 반응 혼합물의 온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매(non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액의 상등액은 버리고, 침전은 톨루엔에 분산시켜 CdSe 나노결정 용액을 합성하였다. When the reaction was completed, the temperature of the reaction mixture was lowered to room temperature as soon as possible, and centrifugation was performed by adding non-solvent ethanol. The supernatant of the solution except the centrifuged precipitate was discarded, and the precipitate was dispersed in toluene to synthesize CdSe nanocrystal solution.

TOA 8g과 올레인산 0.1g, 아연 아세테이트 0.4 mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 125ml 플라스크에 넣고, 교반하면서 반응온도를 260℃로 조절하였다. 상기에서 합성한 CdSe 나노결정 용액을 반응물에 첨가한 후 S-TOP 착물 용액을 천천히 가하여 약 1시간 동안 반응시켰다. 1시간 반응 후 반응온도를 천천히 증가시켜 300℃로 맞추고 그 온도에서 약 1시간 동안 반응시켜 CdSe 나노결정 표면 위에 ZnS 나노결정을 성장시키고, 그 계면에서 확산을 통해 합금층을 형성시켰다.8 g of TOA, 0.1 g of oleic acid and 0.4 mmol of zinc acetate were placed in a 125 ml flask equipped with a reflux condenser at the same time, and the reaction temperature was adjusted to 260 ° C. while stirring. After the CdSe nanocrystal solution synthesized above was added to the reactant, the S-TOP complex solution was slowly added and reacted for about 1 hour. After 1 hour of reaction, the reaction temperature was slowly increased to 300 ° C. and reacted at that temperature for about 1 hour to grow ZnS nanocrystals on the surface of CdSe nanocrystals, and an alloy layer was formed through diffusion at the interface.

반응이 종결되면, 반응 혼합물의 온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매 (non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액의 상등액은 버리고, 침전은 톨루엔에 분산시켜 5nm 크기의 다층구조의 나노결정 CdSe//ZnS을 합성하였다. When the reaction was terminated, the temperature of the reaction mixture was lowered to room temperature as soon as possible, and centrifugation was performed by adding non-solvent ethanol. The supernatant of the solution except the centrifuged precipitate was discarded, and the precipitate was dispersed in toluene to synthesize nanocrystal CdSe // ZnS having a multi-layered structure of 5 nm size.

코어로 사용한 CdSe 용액과 260℃에서 1시간 반응시켜 얻은 나노결정 용액, 260℃에서 1시간 반응 후 300℃에서 1시간 반응시켜 얻은 나노결정 용액의 광여기 발광 스펙트럼을 조사하여 도 9에 나타내었다. 도 9에 도시된 바와 같이, 발광 파장의 중심은 각각 498nm, 492 nm, 466nm이었다.The photoexcited emission spectrum of the nanocrystal solution obtained by reacting the CdSe solution used as the core for 1 hour at 260 ° C., the nanocrystal solution obtained by reacting at 260 ° C. for 1 hour, and then at 300 ° C. for 1 hour was shown in FIG. 9. As shown in Fig. 9, the centers of the emission wavelengths were 498 nm, 492 nm and 466 nm, respectively.

실시예Example 6. 다층구조의  6. Multi-layered CdSeCdSe //// ZnSeZnSe 합성 synthesis

TOA 8g과 올레인산 0.1g, 아연 아세테이트 0.4 mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 125ml 플라스크에 넣고, 교반하면서 반응온도를 300℃로 조절하였다. 실시예 1에서 합성한 CdSe 나노결정 용액을 반응물에 첨가한 후 Se-TOP 착물 용액을 천천히 가하여 약 1시간 동안 반응시켜 CdSe 나노결정 표면 위에 ZnSe 나노결정을 성장시키고, 그 계면에서 확산을 통해 합금층을 형성시켰다.8 g of TOA, 0.1 g of oleic acid and 0.4 mmol of zinc acetate were placed in a 125 ml flask equipped with a reflux condenser at the same time, and the reaction temperature was adjusted to 300 ° C. while stirring. After adding the CdSe nanocrystal solution synthesized in Example 1 to the reactant and slowly adding a Se-TOP complex solution to react for about 1 hour to grow ZnSe nanocrystals on the surface of the CdSe nanocrystals, the alloy layer through diffusion at the interface Was formed.

반응이 종결되면, 반응 혼합물의 온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매 (non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액의 상등액은 버리고, 침전은 톨루엔에 분산시켜 5nm 크기의 다층구조의 나노결정 CdSe//ZnSe을 합성하였다. When the reaction was terminated, the temperature of the reaction mixture was lowered to room temperature as soon as possible, and centrifugation was performed by adding non-solvent ethanol. The supernatant of the solution except the centrifuged precipitate was discarded, and the precipitate was dispersed in toluene to synthesize nanocrystalline CdSe // ZnSe having a multi-layered structure of 5 nm size.

이렇게 얻어진 나노결정은 365nm UV 램프 아래에서 청색으로 발광하였다. 본 실시예에서 수득한 나노결정 용액과 코어로 사용한 CdSe의 광여기 발광 스펙트럼을 조사하여 도 10에 나타내었다. 도 10에 도시된 바와 같이, 발광 파장의 중심은 각각 472nm, 496 nm이었다.The nanocrystals thus obtained emitted blue light under a 365 nm UV lamp. The photoexcited emission spectra of the nanocrystal solution obtained in this example and CdSe used as the core were examined and shown in FIG. 10. As shown in Fig. 10, the centers of the emission wavelengths were 472 nm and 496 nm, respectively.

실시예Example 7.  7. CdSeSCdSeS 나노결정의 합성 및 다층구조의  Synthesis of Nanocrystals CdSeSCdSeS //// ZnSZnS 합성 synthesis

트리옥틸아민 (Trioctylamine, 이하 TOA로 나타냄) 16g과 올레인산 0.5g, 카드뮴 옥사이드 0.4mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 125ml 플라스크에 넣고, 교반하면서 반응온도를 300℃로 조절하였다. 16 g of trioctylamine (hereinafter referred to as TOA), 0.5 g of oleic acid, and 0.4 mmol of cadmium oxide were simultaneously added to a 125 ml flask equipped with a reflux condenser, and the reaction temperature was adjusted to 300 ° C. while stirring.

이와 별도로 Se 분말을 트리옥틸 포스핀(TOP)에 녹여서 Se 농도가 약 0.25M 정도인 Se-TOP 착물용액을 만들고, S 분말을 TOP에 녹여서 S 농도가 약 1.0M 정도인 S-TOP 착물 용액을 만들었다. 상기 교반되고 있는 반응 혼합물에 S-TOP 착물 용액 0.9ml와 Se-TOP 착물 용액 0.1ml의 혼합물을 빠른 속도로 주입하고 4분 정도 더 교반시켰다. Separately, the Se powder is dissolved in trioctyl phosphine (TOP) to make a Se-TOP complex solution having a Se concentration of about 0.25M, and the S powder is dissolved in TOP to prepare an S-TOP complex solution having an S concentration of about 1.0M. made. A mixture of 0.9 ml of the S-TOP complex solution and 0.1 ml of the Se-TOP complex solution was rapidly injected into the reaction mixture being stirred and stirred for about 4 minutes.

반응이 종결되면, 반응 혼합물의 온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매 (non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액의 상등액은 버리고, 침전은 톨루엔에 1wt% 용액이 되도록 분산시켜 CdSeS 나노결정 용액을 합성하였다. When the reaction was terminated, the temperature of the reaction mixture was lowered to room temperature as soon as possible, and centrifugation was performed by adding non-solvent ethanol. The supernatant of the solution except for the centrifuged precipitate was discarded, and the precipitate was dispersed in toluene in a 1 wt% solution to synthesize a CdSeS nanocrystal solution.

TOA 8g과 올레인산 0.1g, 아연 아세테이트 0.4 mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 125ml 플라스크에 넣고, 교반하면서 반응온도를 300℃로 조절하였다. 상기에서 합성한 CdSeS 나노결정 용액을 반응물에 첨가한 후 S-TOP 착물 용액을 천천히 가하여 약 1시간 동안 반응시켜 CdSeS 나노결정 표면 위에 ZnS 나노결정을 성장시키고, 그 계면에서 확산을 통해 합금층을 형성시켰다.8 g of TOA, 0.1 g of oleic acid and 0.4 mmol of zinc acetate were placed in a 125 ml flask equipped with a reflux condenser at the same time, and the reaction temperature was adjusted to 300 ° C. while stirring. After adding the synthesized CdSeS nanocrystal solution to the reactants, the S-TOP complex solution was slowly added to react for about 1 hour to grow ZnS nanocrystals on the surface of the CdSeS nanocrystals, and an alloy layer was formed by diffusion at the interface. I was.

반응이 종결되면, 반응 혼합물의 온도를 가능한 빨리 상온으로 떨어뜨리고, 비용매 (non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액의 상등액은 버리고, 침전은 톨루엔에 분산시켜 5nm 크기의 다층구조의 나노결정 CdSeS//ZnS을 합성하였다. When the reaction was terminated, the temperature of the reaction mixture was lowered to room temperature as soon as possible, and centrifugation was performed by adding non-solvent ethanol. The supernatant of the solution except the centrifuged precipitate was discarded, and the precipitate was dispersed in toluene to synthesize nanocrystalline CdSeS // ZnS having a multi-layered structure of 5 nm size.

이렇게 얻어진 나노결정은 365nm UV 램프 아래에서 청색으로 발광하였다. 본 실시예에서 수득한 나노결정 용액과 코어로 사용한 CdSeS의 광여기 발광 스펙트럼을 조사하여 도 11에 나타내었다. 도 11에 도시된 바와 같이, 발광 파장의 중심은 각각 527nm, 540 nm이었다.The nanocrystals thus obtained emitted blue light under a 365 nm UV lamp. The photoexcited emission spectra of the nanocrystal solution obtained in this example and CdSeS used as the core were examined and shown in FIG. 11. As shown in FIG. 11, the centers of the emission wavelengths were 527 nm and 540 nm, respectively.

실시예Example 8. 청색발광  8. Blue light emission CdSeCdSe //// ZnSZnS 나노결정을  Nanocrystals 발광층으로With light emitting layer 이용한 유무기  Used weapons 하이브리드hybrid 전기 발광 소자의 제작 Fabrication of Electroluminescent Devices

본 실시예는 실시예 1에서 제조한 CdSe//ZnS 나노결정을 전기 발광 소자의 발광 소재로 사용한 유무기 하이브리드 전기 발광 소자의 제조예이다. This example is an example of manufacturing an organic-inorganic hybrid electroluminescent device using the CdSe // ZnS nanocrystals prepared in Example 1 as a light emitting material of the electroluminescent device.

유리 기판 위에 ITO가 패터닝되어 있는 기판 상부에 정공전달물질인 N,N'- Bis-(3-메틸페닐)-N,N'-비스-(페닐)-벤지딘(TPD) 3중량%로 제조된 클로로포름 용액과 실시예 1에서 제조한 CdSe//ZnS 1중량%로 제조된 클로로포름 용액을 혼합하여 스핀 코팅하고, 이를 건조하여 정공전달층과 발광층을 형성하였다.Chloroform made of 3 wt% of N, N'-Bis- (3-methylphenyl) -N, N'-bis- (phenyl) -benzidine (TPD), a hole transporting material, on the substrate on which ITO is patterned on the glass substrate The solution and the chloroform solution prepared in 1% by weight of CdSe / / ZnS prepared in Example 1 was mixed by spin coating, and dried to form a hole transport layer and a light emitting layer.

완전히 건조시킨 상기 나노결정 발광층 상부에 정공 억제층인 3-(4-비페닐일)-4-페닐-5-(4-tert-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ)를 10nm 증착하고, 전자수송층인 tris-(8-히드록시퀴놀린) 알루미늄(Alq3)를 30nm 두께로 증착하며, 이 상부에 LiF를 1nm 두께로 증착하고, 다시 알루미늄을 200nm 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 전기발광 소자를 완성하였다. 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5- (4- tert -butylphenyl) -1,2,4-triazole (TAZ), which is a hole suppression layer, was formed on the completely dried nanocrystalline light emitting layer. 10 nm is deposited, and an electron transport layer tris- (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq 3 ) is deposited to a thickness of 30 nm, LiF is deposited to a thickness of 1 nm on top of this, and aluminum is deposited to a thickness of 200 nm to form a cathode. Thus, the electroluminescent device was completed.

본 실시예에서 수득한 유무기 하이브리드 전기발광 소자의 구조를 도 12에 나타내었고, 상기 전기 발광소자의 전기 발광 스펙트럼을 조사하여 도 13에 나타내었다. 도 13에 도시된 바와 같이, 발광 파장은 약 470 nm에서 나타났고, FWHM은 약 36nm이며, 밝기는 500Cd/m2, 장치의 효율은 1.5Cd/A 이었다. The structure of the organic-inorganic hybrid electroluminescent device obtained in this embodiment is shown in FIG. 12, and the electroluminescence spectrum of the electroluminescent device is shown in FIG. As shown in FIG. 13, the emission wavelength was about 470 nm, the FWHM was about 36 nm, the brightness was 500 Cd / m 2 , and the efficiency of the device was 1.5 Cd / A.

본 발명에 따른 다층구조의 나노결정은 서로 다른 결정 사이에 합금층이 존재하기 때문에 물질의 안정성을 증진시킬 수 있으며, 청색영역에서 발광효율이 매우 우수한 물질을 제조할 수 있다. Since the nanocrystal of the multilayer structure according to the present invention has an alloy layer between the different crystals, it is possible to enhance the stability of the material and to produce a material having a very good luminous efficiency in the blue region.

Claims (38)

두 종류 이상의 물질로 구성된 나노결정에 있어서, 추가로 상기 두 종류 이상의 물질의 합금(alloy)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층구조의 나노결정.A nanocrystal composed of two or more kinds of materials, further comprising an alloy layer of the two or more kinds of materials. 제 1항에 있어서, 상기 합금층이 두 종류 이상의 물질의 계면에서 형성된 합금층(alloy interlayer)인 것을 특징으로 하는 나노결정.The nanocrystal according to claim 1, wherein the alloy layer is an alloy interlayer formed at an interface between two or more kinds of materials. 제 1항에 있어서, 상기 합금층이 물질 조성의 기울기를 갖는 합금층(gradient alloy)인 것을 특징으로 하는 나노결정.The nanocrystal according to claim 1, wherein the alloy layer is a gradient alloy having a gradient of material composition. 제 1항에 있어서, 상기 합금층이 두 종류 이상의 물질의 계면에서 코어 (core)까지 형성된 합금층인 것을 특징으로 하는 나노결정. The nanocrystal of claim 1, wherein the alloy layer is an alloy layer formed from an interface of two or more kinds of materials to a core. 제 1항에 있어서, 상기 합금층이 두 종류 이상의 물질의 계면에서 쉘 (shell)까지 형성된 합금층인 것을 특징으로 하는 나노결정. The nanocrystal according to claim 1, wherein the alloy layer is an alloy layer formed from an interface of two or more kinds of materials to a shell. 제 1항에 있어서, 상기 나노결정을 구성하는 물질이 II-VI족 또는 III-V족 및 IV-VI족 반도체 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노결정.The nanocrystal according to claim 1, wherein the material constituting the nanocrystal is selected from the group consisting of Group II-VI or Group III-V and Group IV-VI semiconductor compounds and mixtures thereof. 제 1항에 있어서, 상기 나노결정을 구성하는 물질이 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs 또는 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노결정. The method of claim 1, wherein the material constituting the nanocrystals are CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, Nanocrystals, characterized in that selected from the group consisting of InN, InP, InAs or a mixture thereof. 제 1항에 있어서, 상기 나노결정의 형태가 구형, 정사면체(tetrahedron), 원통형, 막대형, 삼각형, 원판형(disc), 트리포드(tripod), 테트라포드(tetrapod), 큐브(cube), 박스(box), 스타(star), 튜브(tube)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노결정.The method of claim 1, wherein the nanocrystals are spherical, tetrahedron, cylindrical, rod, triangle, disc, tripod, tetrapod, cube, box, nanocrystals, characterized in that selected from the group consisting of a box, a star, a tube. 하기의 단계를 포함하는 다층구조의 나노결정의 제조방법:Method for producing a multi-layered nanocrystals comprising the following steps: (a) 제 1 나노결정을 제조하는 단계;(a) preparing a first nanocrystal; (b) 전단계에서 수득된 제 1 나노결정 표면 위에 제 1 나노결정과 다른 종류의 제 2 나노결정을 성장시키는 단계; 및(b) growing a second nanocrystal different from the first nanocrystal on the first nanocrystal surface obtained in the previous step; And (c) 상기 제 1 나노결정과 제 2 나노결정 사이의 계면에서 확산을 통해 합금층을 형성하는 단계.(c) forming an alloy layer through diffusion at the interface between the first and second nanocrystals. 제 9항에 있어서, 상기 (b) 및 (c) 단계를 1회 이상 반복하는 것을 특징으로 하는 방법.10. The method of claim 9, wherein steps (b) and (c) are repeated one or more times. 제 9항 또는 제10항에 있어서, 상기 (a) 단계의 제 1 나노결정 및 상기 (b) 단계의 제 2 나노결정이 금속 전구체와 V족 또는 VI족 전구체를 각각 용매 및 분산제에 넣고, 이들을 혼합하여 반응시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.The method according to claim 9 or 10, wherein the first nanocrystals of step (a) and the second nanocrystals of step (b) add a metal precursor and a group V or VI precursor to a solvent and a dispersant, respectively, A method characterized in that it is formed by mixing and reacting. 제 9항 또는 제10항에 있어서, 상기 합금층이 제 1 나노결정과 제 2 나노결정의 합금으로 제 1 나노결정과 제 2 나노결정의 계면에 형성된 합금층(alloy interlayer)인 것을 특징으로 하는 방법. The method of claim 9 or 10, wherein the alloy layer is an alloy layer (alloy interlayer) formed at the interface between the first nanocrystals and the second nanocrystals of the alloy of the first nanocrystals and the second nanocrystals. Way. 제 9항 또는 제10항에 있어서, 상기 합금층이 제 1 나노결정과 제 2 나노결정의 합금으로 물질 조성의 기울기를 갖는(gradient alloy) 것을 특징으로 하는 방법. The method of claim 9 or 10, wherein the alloy layer is a gradient alloy of a material composition with an alloy of the first nanocrystal and the second nanocrystal. 제 9항 또는 제10항에 있어서, 상기 합금층이 두 종류 이상의 물질의 계면에서 코어 (core)까지 형성된 합금층인 것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 9 or 10, wherein the alloy layer is an alloy layer formed from the interface of two or more kinds of materials to the core. 제 9항 또는 제10항에 있어서, 상기 합금층이 두 종류 이상의 물질의 계면에서 쉘 (shell)까지 형성된 합금층인 것을 특징으로 하는 방법.The method according to claim 9 or 10, wherein the alloy layer is an alloy layer formed up to a shell at an interface of two or more kinds of materials. 제 11항에 있어서, 상기 금속 전구체가 디메틸아연(dimethyl zinc), 디에틸아연(diethyl zinc), 아연아세테이트(zinc acetate), 아연아세틸아세토네이트(zinc acetylacetonate), 아연아이오다이드(zinc iodide), 아연브로마이드(zinc bromide), 아연클로라이드(zinc chloride), 아연플루오라이드(zinc fluoride), 아연카보네이트(zinc carbonate), 아연시아나이드(zinc cyanide), 아연나이트레이트(zinc nitrate), 아연옥사이드(zinc oxide), 아연퍼옥사이드(zinc peroxide), 아연 퍼클로레이트(zinc perchlorate), 아연설페이트(zinc sulfate), 디메틸카드뮴(dimethyl cadmium), 디에틸카드뮴(diethyl cadmium), 카드뮴아세테이트(cadmium acetate), 카드뮴아세틸아세토네이트(cadmium acetylacetonate), 카드뮴아이오다이드(cadmium iodide), 카드뮴브로마이드(cadmium bromide), 카드뮴클로라이드(cadmium chloride), 카드뮴플루오라이드(cadmium fluoride), 카드뮴카보네이트(cadmium carbonate), 카드뮴나이트레이트(cadmium nitrate), 카드뮴옥사이드(cadmium oxide), 카드뮴퍼클로레이트(cadmium perchlorate), 카드뮴포스파이드(cadmium phosphide), 카드뮴설페이트(cadmium sulfate), 수은아세테이트(mercury acetate), 수은아이오다이드(mercury iodide), 수은브로마이드(mercury bromide), 수은클로라이드(mercury chloride), 수은플루오라이드(mercury fluoride), 수은시아나이드(mercury cyanide), 수은나이트레이트(mercury nitrate), 수은옥사이드(mercury oxide), 수은퍼클로레이트(mercury perchlorate), 수은설페이트(mercury sulfate), 납아세테이트(lead acetate), 납브로마이드(Lead bromide), 납클로라이드(Lead chloride), 납플루오라이드(Lead fluoride), 납옥사이드 (Lead oxide), 납퍼클로레이트(Lead perchlorate), 납나이트레이트(Lead nitrate), 납설페이트(Lead sulfate), 납카보네이트(Lead carbonate), 주석아세테이트(Tin acetate), 주석비스아세틸아세토네이트(Tin bisacetylacetonate), 주석브로마이드 (Tin bromide), 주석클로라이드(Tin chloride), 주석플루오라이드(Tin fluoride), 주석옥사이드(Tin oxide), 주석설페이트(Tin sulfate), 게르마늄테트라클로라이드 (Germanium tetrachloride), 게르마늄옥사이드(Germanium oxide), 게르마늄에톡사이드 (Germanium ethoxide), 갈륨아세틸아세토네이트(Gallium acetylacetonate), 갈륨클로라이드(Gallium chloride), 갈륨플루오라이드(Gallium fluoride), 갈륨옥사이드(Gallium oxide), 갈륨나이트레이트(Gallium nitrate), 갈륨설페이트(Gallium sulfate), 인듐클로라이드(Indium chloride), 인듐옥사이드 (Indium oxide), 인듐나이트레이트(Indium nitrate), 인듐설페이트(Indium sulfate)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 11, wherein the metal precursor is dimethyl zinc, diethyl zinc, zinc acetate, zinc acetylacetonate, zinc iodide, zinc iodide, Zinc bromide, zinc chloride, zinc fluoride, zinc carbonate, zinc cyanide, zinc nitrate, zinc nitrate, zinc oxide ), Zinc peroxide, zinc perchlorate, zinc sulfate, dimethyl cadmium, diethyl cadmium, cadmium acetate, cadmium acetylacetonate (cadmium acetylacetonate), cadmium iodide, cadmium bromide, cadmium chloride, cadmium fluoride, cadmium Cadmium carbonate, cadmium nitrate, cadmium oxide, cadmium perchlorate, cadmium phosphide, cadmium sulfate, mercury acetate Mercury iodide, mercury bromide, mercury chloride, mercury fluoride, mercury cyanide, mercury nitrate, mercury nitrate (mercury oxide), mercury perchlorate, mercury sulfate, lead acetate, lead bromide, lead chloride, lead fluoride, lead oxide (Lead oxide), lead perchlorate, lead nitrate, lead sulfate, lead carbonate, tin acetate (T) in acetate), tin bisacetylacetonate, tin bromide, tin chloride, tin fluoride, tin oxide, tin sulfate, Germanium tetrachloride, Germanium oxide, Germanium ethoxide, Gallium acetylacetonate, Gallium chloride, Gallium fluoride, Gallium fluoride (Gallium oxide), Gallium nitrate, Gallium sulfate, Indium chloride, Indium oxide, Indium nitrate, Indium sulfate Characterized in that it is selected from the group. 제 11항에 있어서, 상기 VI족 또는 V족 원소 화합물이 헥산 싸이올, 옥탄 싸이올, 데칸 싸이올, 도데칸 싸이올, 헥사데칸 싸이올, 머캡토 프로필 실란 등과 같은 알킬 싸이올 화합물, 설퍼-트리옥틸포스핀(S-TOP), 설퍼-트리부틸포스핀(S-TBP), 설퍼-트리페닐포스핀(S-TPP), 설퍼-트리옥틸아민(S-TOA), 트리메틸실릴 설퍼(trimethylsilyl sulfur), 황화 암모늄, 황화 나트륨, 셀렌-트리옥틸포스핀(Se-TOP), 셀렌-트리부틸포스핀(Se-TBP), 셀렌-트리페닐포스핀(Se-TPP), 텔루르-트리옥틸포스핀(Te-TOP), 텔루르-트리부틸포스핀(Te-TBP), 텔루르-트리페닐포스핀(Te-TPP), 트리메틸실릴 포스핀(trimethylsilyl phosphine) 및 트리에틸포스핀, 트리부틸포스핀, 트리옥틸포스핀, 트리페닐포스핀, 트리시클로헥실포스핀을 포함하는 알킬 포스핀(alkyl phosphine), 알세닉 옥사이드(Arsenic oxide), 알세닉 클로라이드(Arsenic chloride), 알세닉 설페이트(Arsenic sulfate), 알세닉 브로마이드(Arsenic bromide), 알세닉 아이오다이드(Arsenic iodide), 나이트릭 옥사이드 (Nitroud oxide), 나이트릭산(Nitric acid), 암모늄 나이트레이트(Ammonium nitrate)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법. The compound of claim 11, wherein the Group VI or Group V element compound is an alkyl thiol compound such as hexane thiol, octane thiol, decane thiol, dodecane thiol, hexadecane thiol, mercapto propyl silane, sulfur- Trioctylphosphine (S-TOP), sulfur-tributylphosphine (S-TBP), sulfur-triphenylphosphine (S-TPP), sulfur-trioctylamine (S-TOA), trimethylsilyl sulfur sulfur), ammonium sulfide, sodium sulfide, selenium-trioctylphosphine (Se-TOP), selenium-tributylphosphine (Se-TBP), selenium-triphenylphosphine (Se-TPP), tellurium-trioctylphosph Te-TOP, tellurium-tributylphosphine (Te-TBP), tellurium-triphenylphosphine (Te-TPP), trimethylsilyl phosphine and triethylphosphine, tributylphosphine, Alkyl phosphine, Arsenic oxide, Alsenic Chlorii, including trioctylphosphine, triphenylphosphine, tricyclohexylphosphine (Arsenic chloride), Arsenic sulfate, Arsenic bromide, Arsenic iodide, Nitroud oxide, Nitric acid, Ammonium nitrate (Ammonium nitrate). 제 11항에 있어서, 상기 용매가 탄소수 6 내지 22의 일차 알킬 아민, 이차 알킬 아민 및 삼차 알킬 아민; 탄소수 6 내지 22의 일차 알코올, 이차 알코올 및 삼차 알코올; 탄소수 6 내지 22의 케톤 및 에스테르; 탄소수 6 내지 22의 질소 또는 황을 포함한 헤테로 고리 화합물(heterocyclic compound); 탄소수 6 내지 22의 알칸, 알켄, 알킨; 트리옥틸포스핀, 트리옥틸포스핀 옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법. The method of claim 11, wherein the solvent is selected from the group consisting of primary alkyl amines, secondary alkyl amines and tertiary alkyl amines having 6 to 22 carbon atoms; Primary alcohols, secondary alcohols and tertiary alcohols having 6 to 22 carbon atoms; Ketones and esters having 6 to 22 carbon atoms; Heterocyclic compounds containing nitrogen or sulfur having 6 to 22 carbon atoms; Alkanes, alkenes, alkynes having 6 to 22 carbon atoms; Trioctylphosphine, trioctylphosphine oxide. 제 11항에 있어서, 상기 분산제가 말단에 카르복실기를 (carboxyl acid functional group) 가진 탄소수 6 내지 22의 알칸 또는 알켄, 말단에 포스포닉 산기 (phosphonic acid functional group)기를 가진 탄소수 6 내지 22의 알칸 또는 알켄, 또는 말단에 술폰산기 (sulfonic acid functional group)를 가진 탄소수 6 내지 22의 알칸 또는 알켄과 말단에 아민 (-NH2)기를 가진 탄소수 6 내지 22의 알칸 또는 알켄으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.The alkanes or alkenes having 6 to 22 carbon atoms having a carboxyl acid functional group at the terminal, and the alkanes or alkenes having 6 to 22 carbon atoms having a phosphonic acid functional group at the terminal. Or alkanes or alkenes having 6 to 22 carbon atoms having a sulfonic acid functional group at the terminal and alkanes or alkenes having 6 to 22 carbon atoms having an amine (-NH 2 ) group at the terminal; How to. 제 11항에 있어서, 상기 분산제가 올레인산 (oleic acid), 스테아르산 (stearic acid), 팔미트산 (palmitic acid), 헥실 포스포늄산 (hexyl phosphonicacid), n-옥틸 포스포늄산 (n-octyl phosphonicacid), 테트라데실 포스포늄산 (tetradecyl phosphonicacid), 옥타데실포스포늄산 (octadecyl phosphonic acid), n-옥틸 아민 (n-octyl amine), 헥사데실아민 (hexadecyl amine)으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법. The method of claim 11, wherein the dispersing agent is oleic acid, stearic acid, palmitic acid, hexyl phosphonic acid, n-octyl phosphonic acid ), Tetradecyl phosphonic acid, octadecyl phosphonic acid, octadecyl phosphonic acid, n-octyl amine, and hexadecyl amine. How to. 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 (a) 및 (b) 단계의 반응온도가 각각 100℃ 내지 460℃인 것을 특징으로 하는 방법.The method according to claim 9 or 10, wherein the reaction temperatures of steps (a) and (b) are 100 ° C to 460 ° C, respectively. 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 (a) 및 (b) 단계의 반응시간이 각각 5초 내지 4시간인 것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 9 or 10, wherein the reaction time of the step (a) and (b) is 5 seconds to 4 hours, respectively. 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 (b) 단계의 반응온도를 단계적으로 상승시키거나 하강시키는 것을 특징으로 하는 방법.The method according to claim 9 or 10, wherein the reaction temperature of step (b) is raised or lowered step by step. 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 (b) 단계의 금속 전구체의 농도가 0.001M내지 2M인 것을 특징으로 하는 방법. The method of claim 9 or 10, wherein the concentration of the metal precursor of step (b) is 0.001M to 2M. 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 (b) 단계의 금속 전구체에 대한 VI족 또는 V족 원소의 몰비가 비가 100:1내지 1:50인 것을 특징으로 하는 방법. The method according to claim 9 or 10, wherein the molar ratio of the Group VI or Group V elements to the metal precursor of step (b) is in the range of 100: 1 to 1:50. 제 9항 또는 제 10항의 방법으로 제조한 다층구조의 나노결정. A multi-layered nanocrystal prepared by the method of claim 9 or 10. 제 26 항에 있어서, 나노결정의 형태가 상기 나노결정의 형태가 구형, 정사면체 (tetrahedron), 원통형, 막대형, 삼각형, 원판형 (disc), 트리포드(tripod), 테트라포드(tetrapod), 큐브(cube), 박스(box), 스타(star), 튜브 (tube) 로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노결정.27. The method of claim 26, wherein the shape of the nanocrystals is such that the shape of the nanocrystals is spherical, tetrahedron (tetrahedron), cylindrical, rod, triangle, disc (disc), tripod, tetrapod, cube ( cube, box, star, tube, characterized in that the nanocrystals selected from the group consisting of. 제 26항에 있어서, 최대발광피크가 350nm 내지 700nm이고, 발광효율이 0.1% 내지 100%인 것을 특징으로 하는 나노결정. 27. The nanocrystal of claim 26, wherein the maximum light emission peak is 350 nm to 700 nm and the luminous efficiency is 0.1% to 100%. 제 26항에 따른 다층구조의 나노결정을 포함하는 전기 발광 소자. An electroluminescent device comprising nanocrystals of a multi-layer structure according to claim 26. 제 29항에 있어서, 상기 소자가 유무기 하이브리드 전기 발광 소자인 것을 특징으로 하는 소자. 30. A device in accordance with claim 29 wherein said device is an organic-inorganic hybrid electroluminescent device. 제 29항에 있어서, 상기 유무기 하이브리드 전가 발광 소자가 30. The method of claim 29, wherein the organic-inorganic hybrid electroluminescent device (i) 기판;(i) a substrate; (ii) 정공 주입 전극; (ii) a hole injection electrode; (iii) 정공 수송층; (iii) a hole transport layer; (iv) 발광층;(iv) light emitting layer; (v) 전자 수송층; 및(v) an electron transport layer; And (vi) 전자 주입 전극(vi) electron injection electrode 을 순차적으로 포함하며, 상기 발광층이 다층 구조의 반도체 나노결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 전기 발광 소자. To include sequentially, the organic-inorganic hybrid electroluminescent device, characterized in that the light emitting layer comprises a semiconductor nanocrystal of a multi-layer structure. 제 31 항에 있어서, 상기 발광층과 상기 전자 수송층 사이에 정공 억제층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 소자. 32. The device of claim 31, further comprising a hole suppression layer between the light emitting layer and the electron transporting layer. 제 31 항에 있어서, 상기 기판이 유리 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트 기판, 폴리카보네이트 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 소자.32. The device of claim 31, wherein the substrate is selected from the group consisting of glass substrates, polyethylene terephthalate substrates, and polycarbonate substrates. 제 31항에 있어서, 상기 정공 주입 전극 재료가 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 이리듐 (Ir) 등의 전도성 금속 또는 이들의 산화물로 구성되는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 소자. 32. The method of claim 31, wherein the hole injection electrode material is indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), nickel (Ni), platinum (Pt), gold (Au), silver (Ag), iridium (Ir). Device selected from the group consisting of conductive metals or oxides thereof. 제 31항에 있어서, 상기 정공 수송층의 재료가 폴리(3, 4-에틸렌디오펜)(PEDOT)/폴리스티렌 파라술포네이트(PSS), 폴리-N-비닐카르바졸(poly-N-vinylcarbazole) 유도체, 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene) 유도체, 폴리파라페닐렌(polyparaphenylene) 유도체, 폴리메타아크릴레이트 (polymethaacrylate) 유도체, 폴리(9,9-옥틸플루오렌)(poly(9,9-octylfluorene)) 유도체, 폴리(스파이로-플루오렌)(poly(spiro-fluorene)) 유도체, TPD(N,N'-Bis- (3-메틸페닐)-N,N'-비스-(페닐)-벤지딘)으로 이루어진 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 소자. 32. The method of claim 31 wherein the material of the hole transport layer is poly (3,4-ethylenediophene) (PEDOT) / polystyrene parasulfonate (PSS), poly-N-vinylcarbazole derivatives, poly Phenylenevinylene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polymethaacrylate derivatives, poly (9,9-octylfluorene) derivatives, poly (Poly (spiro-fluorene) derivatives, TPD (N, N'-Bis- (3-methylphenyl) -N, N'-bis- (phenyl) -benzidine) Device characterized in that the. 제 31항에 있어서, 상기 전자 수송층의 재료가 옥사졸계 화합물, 이소옥사졸계 화합물, 트리아졸계 화합물, 이소티아졸계 화합물, 옥시디아졸계 화합물, 티아디아졸계 화합물, 페릴렌 (perylene)계 화합물, 트리스(8-히드록시퀴놀린)-알루미늄(Alq3), 비스(2-메틸-8-퀴놀라토)(p-페닐-페놀라토)알루미늄(Balq), 비스(2-메틸-8-퀴놀리네이토)(트리페닐실록시)알루미늄(III)(Salq)등의 알루미늄 착물로 이루어진 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 소자. 32. The method of claim 31, wherein the material of the electron transport layer is an oxazole compound, an isoxazole compound, a triazole compound, an isothiazole compound, an oxydiazole compound, a thiadiazole compound, a perylene compound, or a tris ( 8-hydroxyquinoline) -aluminum (Alq3), bis (2-methyl-8-quinolato) (p-phenyl-phenolato) aluminum (Balq), bis (2-methyl-8-quinolinato) An element characterized in that it is selected from the group consisting of aluminum complexes such as (triphenylsiloxy) aluminum (III) (Salq). 제 31항에 있어서, 상기 전자 주입 전극이 I, Ca, Ba, Ca/Al, LiF/Ca, LiF/Al, BaF2/Al, BaF2/Ca/Al, Al, Mg, Ag:Mg 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 소자. The group of claim 31, wherein the electron injection electrode is made of an I, Ca, Ba, Ca / Al, LiF / Ca, LiF / Al, BaF 2 / Al, BaF 2 / Ca / Al, Al, Mg, Ag: Mg alloy Device selected from the. 제 32 항에 있어서, 상기 정공 억제층의 재료가 3-(4-비페닐일)-4-페닐-5-(4-tert-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ), 2, 9-디메틸-1, 10-페난트롤린 (BCP), 페난트롤린(phenanthrolines)계 화합물, 이미다졸계 화합물, 트리아졸 (triazoles)계 화합물, 옥사디아졸(oxadiazoles)계 화합물, 알루미늄 착물로 이루어진 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 소자.33. The method of claim 32, wherein the material of the hole suppression layer is 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5- (4- tert -butylphenyl) -1,2,4-triazole (TAZ), 2, 9-dimethyl-1, 10-phenanthroline (BCP), phenanthrolines compound, imidazole compound, triazoles compound, oxadiazoles compound, aluminum complex Device characterized in that it is selected from the group consisting of.
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