KR100719181B1 - 온도 감지장치를 포함하는 반도체메모리소자 및 그의구동방법 - Google Patents

온도 감지장치를 포함하는 반도체메모리소자 및 그의구동방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 저장된 온도값의 유효 여부를 알려주는 반도체메모리소자의 온도감지장치를 제공하기 위한 것으로, 이를 위한 본 발명으로 구동신호에 응답하여 온도를 감지하기 위한 온도감지수단; 상기 온도 감지수단의 출력을 저장한 뒤 이를 온도값으로 출력하기 위한 저장수단; 및 상기 구동신호의 활성화로부터 일정시간 이후 상기 저장수단에 저장된 값이 초기화되도록 제어하기 위한 초기화제어수단을 구비하는 반도체메모리소자의 온도 감지장치를 제공한다.
온도, 초기화, 신뢰성, 리프레쉬, 반도체

Description

온도 감지장치를 포함하는 반도체메모리소자 및 그의 구동방법{SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH TEMPERATURE SENSING DEVICE AND THERE FOR OPERATION }
도 1은 종래기술에 따른 온도 감지장치의 블록 구성도.
도 2는 도 1의 MPR 레지스터의 내부 회로도
도 3은 도 1에 도시된 온도 감지장치의 동작 파형도.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 감지장치의 블록 구성도.
도 5는 도 4의 온도 감지부의 내부 회로도.
도 6은 도 4의 초기화 제어부의 내부 회로도.
도 7은 도 6에 도시된 초기화 제어부의 동작 파형도.
도 8은 도 4의 MPR 레지스터의 내부 회로도
도 9는 도 4 내지 도 8에 도시된 온도 감지장치의 동작 파형도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100 : 온도 감지부
200 : MPR 레지스터
300 : 출력 드라이버
400 : 초기화 제어부
본 발명은 반도체 설계 기술에 관한 것으로, 특히 온도 감지장치를 포함하는 반도체메모리소자에 관한 것이다.
일반적인 반도체메모리소자는 데이터를 저장하기 위한 셀로 스위치 역할을 하는 트랜지스터와 전하(데이터)를 저장하는 커패시터를 포함한다. 데이터의 보관은 커패시터에 전하가 축적되어 있는 것이므로 원리적으로는 전력의 소비가 없다. 그러나 MOS 트랜지스터의 PN 결합 등에 누설전류가 있어서 저장된 초기의 전하량이 소멸되므로 데이터가 소실될 수 있다. 이를 방지하기 위해서 데이터를 잃어버리기 전에 메모리 셀 내의 데이터를 읽어서 그 읽어낸 정보에 맞추어 다시금 초기의 전하량으로 재충전해 주어야 한다.
이 동작을 주기적으로 반복해야만 데이터의 기억이 유지된다. 이러한 셀 전하의 재충전 과정을 리프레쉬(refresh) 동작이라 부르며, 리프레쉬 제어는 디램 제어기(DRAM controller)에서 이루어진다. 그러한 리프레쉬(refresh) 동작의 필요에 기인하여 디램에서는 리프레쉬 전력이 소모된다. 보다 저전력을 요구하는 배터리 오퍼레이티드 시스템(battery operated system)에서 전력 소모를 줄이는 것은 매우 중요하며 크리티컬(critical)한 이슈이다.
리프레쉬(refresh)에 필요한 전력소모를 줄이는 시도중 하나는 리프레쉬(refresh) 주기를 온도에 따라 변화시키는 것이다. 디램(DRAM)에서의 데이터 보유 타임은 온도가 낮아질수록 길어진다. 따라서, 온도 영역을 여러 영역들로 분할하여 두고 낮은 온도 영역에서는 리프레쉬 클럭의 주파수를 상대적으로 낮추어 주면 전력의 소모는 줄어들 것임에 틀림없다. 따라서, 디램(DRAM) 내부에 온도를 정확하게 감지하고, 감지한 온도의 정보를 출력해 줄 수 있는 장치가 필요하다.
또한, 반도체 메모리 장치는 그 집적 레벨 및 동작 속도가 증가함에 따라 반도체 메모리 장치 자체에서 많은 열을 발생한다. 이렇게 발생한 열은 반도체 메모리 장치의 내부 온도를 상승시켜 정상적인 동작을 방해하고, 자칫 반도체 메모리 장치의 불량을 초래하거나, 반도체 메모리 장치 자체가 파손되는 원인으로 작용하게 된다. 따라서, 반도체 메모리 장치의 온도를 정확하게 감지하고, 감지한 온도의 정보를 출력해 줄 수 있는 장치가 필요하다.
도 1은 종래기술에 따른 반도체메모리소자 내 온도감지장치의 블록 구성도이다.
도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 온도 감지장치는 구동신호(ODTS_EN)에 응답하여 온도를 감지하기 위한 온도감지부(10)와, 온도감지부(10)의 출력값(TM_VAL[0:N])을 저장하고, 출력 활성화신호(RD_ODTS)에 응답하여 저장된 값을 출력하기 위한 MPR 레지스터(20)와, MPR 레지스터(20)의 출력값(MPR[0:N])을 온도값(ODTS_DT[0:N])을 드라이빙하기 위한 출력 드라이버(30)를 구비한다.
도 2는 도 1의 MPR 레지스터(20)의 내부 회로도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, MPR 레지스터(20)는 온도 감지부(10)의 출력값(TM_VAL[0:N])을 각 비트 단위로 저장하기 위한 복수의 저장소자를 포함한다. 여기서, 복수의 저장소자는 동일한 회로적 구현을 가지므로, 하나만을 예로서 살펴보도록 한다.
제1 저장소자는 온도 감지부(10)의 출력신호(TM_VAL[0])를 래치하기 위한 래치소자(22)와, 출력 활성화신호(RD_ODTS)에 응답하여 래치소자(22)의 출력 데이터를 전달하기 위한 트랜스퍼 게이트(TG1)를 포함한다.
전술한 MPR 레지스터(20)는 온도 감지부(10)의 출력값(TM_VAL[0:N])을 각 비트단위로 저장하고, 출력 활성화신호(RD_ODTS)에 응답하여 저장된 데이터(MPR[0:N])를 출력한다.
도 3은 도 1 내지 도 2에 도시된 온도 감지장치의 동작 파형도로서, 이를 참조하여 구동 및 문제점을 살펴보도록 한다. 참고적으로, 현재 온도는 반도체메모리소자의 온도 변화를 나타낸다.
먼저, N번째의 인가된 구동신호(ODTS_EN[N])가 활성화되면, 온도 감지부(10)가 이에 응답하여 현재 온도 'A'를 감지한다.
이어, MPR 레지스터(20)는 N번째 온도값([N]th ODTS data)으로 온도 감지부(10)의 출력값 'A'를 저장한다. 여기서, MPR 레지스터(20)는 온도감지부(10)에 의한 새로운 값이 인가되기 전까지, 이전 구동에 의한 온도값([N-1]th ODTS data)을 지속적으로 저장하고 유지하는 것을 알 수 있다.
이후, N번째 구동신호(ODTS_EN[N])의 인가로 부터 일정시간이 지난 후, 출력 활성화신호(RD_ODTS)가 인가된다. 따라서, MPR 레지스터(20)는 출력 활성화신호(RD_ODTS)에 응답하여 저장된 값(MPR[0:N])을 출력하며, 출력 드라이버(30)는 이를 온도값(ODTS_DT[0:N]) 'A'를 드라이빙한다.
한편, 온도 감지장치는 온도값(ODTS_DT[0:N])으로 'A'를 출력하지만, 출력 활성화신호(RD_ODTS)가 인가된 시점에서 반도체메모리소자의 현재 온도는 도시된 바와 같이 'A+2'이다.
즉, 전술한 바와 같은 온도 감지장치는 현재의 온도를 반영하지 못하고 있는 것이다.
구체적으로, JEDEC 스펙에 따르면 소자의 온도가 85℃ 미만인 경우에는 64ms 주기로 리프레쉬가 수행되어야 하며, 85℃ 이상인 경우에는 32ms 주기로 리프레쉬가 수행되어야 한다.
그런데, N번째 온도 감지부(10)의 구동에 의해 MPR 레지스터에 83℃가 저장되어 있는데, 현재 온도가 85℃ 이상으로 상승하였다고 가정하자. 이러한 경우, 칩셋(chipset)은 출력 활성화신호(RD_ODTS)를 통해 온도 감지장치로 부터 83℃라는 온도 정보를 얻은 뒤, 64ms의 주기로 리프레쉬를 수행할 것이다. 그런데, 실제 온도는 85℃ 이상으로 34ms의 주기로 리프레쉬가 수행되어야 할 것이다. 이와 같이, 유효하지 않은 온도값으로 인해 리프레쉬를 적절하게 수행하지 못하면 데이터가 지워질 수 있다.
전술한 바와 같이, 종래기술에 따른 온도 감지장치는 실제적으로 반도체메모 리소자의 온도 변동을 반영하지 못한다. 이는 온도 감지장치가 MPR 레지스터에 저장된 온도값을 새로운 구동신호가 인가될 때까지 유지하기 때문으로, 칩셋은 온도 감지장치의 온도값이 유효한지 여부를 알 수 없다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 저장된 온도 값의 유효 여부를 알려주는 반도체메모리소자의 온도감지장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체메모리소자의 온도 감지장치는 구동신호에 응답하여 온도를 감지하기 위한 온도감지수단; 상기 온도 감지수단의 출력을 저장한 뒤 이를 온도값으로 출력하기 위한 저장수단; 및 상기 구동신호의 활성화로 부터 일정시간 이후 상기 저장수단에 저장된 값이 초기화되도록 제어하기 위한 초기화제어수단을 구비한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 반도체메모리소자의 구동방법은 온도 감지회로를 구비하는 반도체메모리장치의 구동 방법에 있어서, 외부로부터 구동신호를 인가받아 상기 온도 감지회로를 구동하는 제1 단계; 상기 제1 단계의 일정시간 이후에 외부로 알려주는 제2 단계; 및 외부로 부터 상기 구동신호를 재인가 받아 상기 온도 감지회로를 재구동하는 제3 단계를 포함한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 감지장치의 블록 구성도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 온도 감지장치는 구동신호(ODTS_EN)에 응답하여 온도를 감지하기 위한 온도감지부(100)와, 온도 감지부(100)의 출력(TM_VAL[0:N])을 저장한 뒤 이를 온도값(ODTS_DT[0:N])으로 출력하기 위한 저장부(200, 300)와, 구동신호(ODTS_EN)의 활성화로 부터 일정시간 이후 저장부(200, 300)에 저장된 값이 초기화되도록 제어하기 위한 초기화제어부(400)를 포함한다.
그리고 저장부(200, 300)는 온도감지부(100)의 출력값(ODST_EN)을 저장하고 출력 활성화신호(RD_ODTS)에 응답하여 출력하며, 초기화 제어부(400)의 초기화신호(RST/ST)에 응답하여 저장된 값을 초기화시키기 위한 MPR 레지스터(200)와, MPR 레지스터(200)의 출력값(MPR[0:N])을 온도값(ODTS_DT[0:N])으로 드라이빙하기 위한 출력 드라이버(300)를 구비한다.
그러므로, 본 발명에 따른 온도 감지장치는 초기화 제어부(400)를 더 구비하여, 온도 감지부(100)의 구동을 위한 구동신호(ODTS_EN)의 활성화로 부터 일정 시간이 지나면 저장된 온도값이 초기화되도록 한다. 이와 같이, 초기화된 온도값을 통해, 칩셋에 현재의 온도가 반영되지 못하고 있음을 알려주어 새로운 구동신호를 인가될 수 있도록 한다. 다시 언급하면, 온도감지장치는 초기화된 값을 통해 칩셋 에 재구동을 요청한다.
한편, 다음에서는 각 블록의 회로적 구현을 살펴보도록 한다.
도 5는 도 4의 온도 감지부(100)의 내부 회로도이다.
도 5를 참조하면, 온도감지부(100)는 구동신호(ODTS_EN)에 응답하여 온도를 감지하기 위한 온도 센서(120)와, 상한-전압값(VU_LMT)과 하한-전압값(VL_LMT)을 공급하기 위한 전압 공급부(140)와, 구동신호(ODTS_EN)에 응답하여 온도 센서(120)의 아날로그 출력값(Vtmp)을 상한-전압값(VU_LMT) 및 하한-기준값(VL_LMT)을 기준으로 디지털 값(TM_VAL[0:N])으로 변환하여 출력하기 위한 아날로그-디지털 변환부(160)를 포함한다.
여기서, 아날로그-디지털 변환부(160)는 루프를 통해 한 비트 단위로 온도 센서(120)의 출력값(Vtmp)을 트래킹하여 디지털 값(TM_VAL[0:N])으로 변환하는 트랭킹 ADC를 구비한다.
동작을 간략히 살펴보면, 구동신호(ODTS_EN)의 활성화에 응답하여 온도 센서(120)가 현재 온도를 감지한다. 이어, 아날로그-디지털 변환부(160)는 온도 센서(120)의 출력값(Vtmp)을 디지털 값으로 변환하며, 상한-전압값(VU_LMT) 및 하한-전압값(VL_LMT)은 변환 시 기준으로 사용된다.
도 6은 도 4의 초기화 제어부(400)의 내부 회로도이다.
도 6을 참조하면, 초기화 제어부(400)는 구동신호(ODTS_EN)에 응답하여 출력신호(A)를 셋하고 리셋신호(E)에 응답하여 출력신호(A)를 리셋하기 위한 래치(420)와, 래치(420)의 출력신호(A)의 활성화 동안 주기신호(B)를 생성하기 위한 주기신 호 생성부(440)와, 주기신호(B)의 활성화 횟수를 카운팅하기 위한 카운터(460)와, 카운터(460)의 출력신호(C[0:N])에 응답하여 초기화신호(RST) 및 리셋신호(E)를 활성화하기 위한 신호 생성부(480)를 포함한다.
그리고 래치(420)는 구동신호(ODTS_EN)를 반전시키기 위한 인버터(I1)와, 인터버(I1)의 출력신호를 한 입력으로 가지는 제1 낸드게이트(ND1)와 리셋신호(E)를 한 입력으로 갖는 제2 낸드게이트(ND2)가 크로스 커플드되어 구현된다.
주기신호 생성부(440)는 래치(420)의 출력신호(A)와 주기신호(B)를 입력으로 갖는 낸드게이트(ND3)와, 낸드게이트(ND3)의 출력신호를 지연시켜 주기신호(B)로 출력하기 위한 인버터 체인(442)을 포함한다.
카운터(460)는 주기신호(B)의 활성화 횟수를 카운팅하여 해당 출력신호(C[0:N])를 활성화하며, 인버터(I4)에 의해 반전된 리셋신호에 응답하여 출력신호(C[0:N])를 초기화한다.
신호 생성부(480)는 카운터(460)의 복수의 출력신호(C[0:N])를 입력으로 갖는 낸드게이트(ND4)와, 낸드게이트(ND4)의 출력신호(D)를 반전시켜 초기화신호(RST)로 출력하기 위한 인버터(I2)와, 낸드게이트(ND4)의 출력신호(D)를 반전시키기 위한 인버터(I3)와, 낸드게이트(ND4)의 출력신호(D)를 지연시키기 위한 인버터 체인(482)과, 인버터(I3) 및 인버터 체인(482)의 출력신호를 입력으로 가져 리셋신호(E)로 출력하기 위한 낸드게이트(ND5)를 포함한다.
도 7은 도 6에 도시된 초기화 제어부(400)의 동작 파형도로서, 이를 참조하여 동작을 살펴보도록 한다.
먼저, 구동신호(ODTS_EN)가 활성화되면, 이를 셋신호로 인가받는 래치(420)가 출력신호(A)를 활성화시킨다.
이어, 주기신호 생성부(440)는 래치(420)의 출력신호(A)의 활성화 동안 일정주기를 갖는 주기신호(B)를 생성한다. 이때, 카운터(460)는 주기신호(B)의 활성화 횟수를 카운팅하여 해당 출력신호(C[0:N])를 활성화시킨다. 그리고, 신호 생성부(480) 내 낸드게이트(ND4)는 카운터(460)의 모든 출력신호(C[0:N])를 입력으로 가지기 때문에, 카운터(460)의 출력신호(C[0:N])가 모두 활성화될 때 자신의 출력신호(D)를 활성화하며, 인버터(I2)는 이를 반전시켜 초기화신호(RST)를 활성화한다. 또한, 낸드게이트(ND4)의 출력신호가 활성화된 시점으로 부터 인버터 체인(482)이 갖는 지연시간 이후, 리셋신호(E)가 활성화된다.
이어, 래치(420)가 리셋신호(E)에 응답하여 자신의 출력신호(A)를 비활성화시키므로, 주기신호 생성부(440)의 구동이 종료된다. 또한, 카운터(460)는 반전된 리셋신호에 응답하여 초기화된다.
참고적으로, 카운터(460)의 N번째 출력신호(C[N])가 활성화될 때 초기화신호(RST)가 활성화되는데, 이는 카운터(460) 내 설정된 최대 카운팅 회수를 의미하는 것이다. 따라서, 구동신호(ODTS_EN)의 활성화로 부터 초기화신호(RST)의 활성화까지의 시간 간격은 주기신호(B)의 주기와 카운터(460)의 최대 카운팅 횟수의 설정을 통해 조절할 수 있다.
도 8은 도 4의 MPR 레지스터(200)의 내부 회로도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, MPR 레지스터(200)는 온도 감지부(100)의 출력 값(TM_VAL[0:N])을 각 비트 단위로 저장하기 위한 복수의 래치부(210 ~ 250)를 포함한다. 여기서, 래치부(210 ~ 250)는 동일한 회로적 구현을 가지므로 하나만을 예시로서 살펴보도록 한다.
래치부(210)는 온도 감지부(100)의 출력신호(TM_VAL[0])를 래치하고, 초기화신호(RST)에 응답하여 리셋되는 래치소자(212)와, 출력 활성화신호(RD_ODTS)에 응답하여 래치소자(212)의 출력 데이터를 전달하기 위한 트랜스퍼 게이트(TG2)를 포함한다.
즉, MPR 레지스터(200)는 온도 감지부(100)의 출력신호(TM_VAL[0:N])를() 래치하고, 출력 활성화신호(RD_ODTS)에 응답하여 래치된 값(MPR[0:N])을 출력한다. 또한, 초기화신호(RST)의 활성화 시에 MPR 레지스터(200) 내 모든 래치부(210 ~ 250)는 저장된 값을 리셋한다.
도 9는 도 4 내지 도 8에 도시된 온도 감지장치의 동작 파형도로서, 이를 참조하여 동작을 살펴보도록 한다.
먼저, N번째의 인가된 구동신호(ODTS_EN[N])가 활성화되면, 온도 감지부(100)가 이에 응답하여 현재 온도 'A'를 감지한다.
이어, MPR 레지스터(200)는 N번째 온도값([N]th ODTS data)으로 온도 감지부(100)의 출력값 'A'를 저장한다.
또한, 초기화 제어부(400)는 구동신호(ODTS_EN)으로 부터 일정시간 이후에 초기화신호(RST/ST)를 활성화시켜, MPR 레지스터(200)가 초기화되도록 한다. 따라서, 데이터 유효구간은 MPR 레지스터(200)가 새로운 온도값을 저장한 시점으로 부 터 초기화신호(RST/ST)가 활성화되기 이전까지가 된다.
이후, 출력 활성화신호(RD_ODTS)가 인가되면, MPR 레지스터(200) 및 출력 드라이버(300)는 출력 활성화신호(RD_ODTS)에 응답하여 온도값(ODTS_DT[0:N])으로 초기화된 값, 즉 재구동 요청신호(require command for new operation)를 출력한다.
따라서, 온도값(ODTS_DT[0:N])이 아닌 재구동 요청신호를 인가받은 칩셋은 구동신호(ODTS_EN)를 다시 인가하므로서, 온도 감지장치가 재구동되어 MPR 레지스터(200)에 새로운 온도값이 저장되도록 한다. 이후, 출력 활성화신호(RD_ODTS)를 인가하여 현재 온도가 반영된 새로운 온도값을 인가받는 것이다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 온도 감지장치는 구동한지 일정시간이 지나면 온도값 대신 재구동 요청신호를 출력하므로서, 현재 온도가 반영되지 못하고 있음을 알린다. 다시 언급하면, 온도 감지장치는 일정 시간 이후 MPR 레지스터의 값을 초기화하는 초기화 제어부를 더 구비하여, 온도값을 초기화하여 이를 재구동 요청신호로 출력하는 것이다.
그러므로, 본 발명에 따른 온도 감지장치로부터 현재 온도가 반영된 온도값을 인가받은 반도체메모리소자는 리프레쉬 등과 같이 온도에 관련된 구동을 안정으로 수행하므로, 소자의 신뢰성이 향상된다.
한편, 전술한 본 발명에서는 MPR 레지스터가 출력 활성화신호에 응답하여 저장된 값을 출력하는 경우를 예시하였으나, 출력 드라이버가 출력 활성화신호에 액티브되어 MPR 레지스터에 저장된 값을 온도값으로 드라이빙할 수 있으며, 이에 의해 본 발명은 제한받지 않는다.
또한, 전술한 본 발명의 초기화 제어부는 구동신호의 활성화 시점을 기준으로 초기화신호를 활성화하나, 구동신호만이 아니라, 온도 감지부 구동의 시작 또는 종료시점을 기준으로 일정시간 이후 초기화신호를 활성화할 수 있으며, 이에 의해 본 발명은 제한받지 않는다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
전술한 본 발명은 소정 시간이 지난 후에는 온도값 대신 초기화된 값을 통해 재구동 요청신호를 출력하므로서, 현재 온도가 반영되지 못하는 일을 방지하여 소자의 신뢰성을 향상시킨다.

Claims (13)

  1. 구동신호에 응답하여 온도를 감지하기 위한 온도감지수단;
    상기 온도 감지수단의 출력을 저장한 뒤 이를 온도값으로 출력하기 위한 저장수단; 및
    상기 구동신호의 활성화로 부터 일정시간 이후 상기 저장수단에 저장된 값이 초기화되도록 제어하기 위한 초기화제어수단
    을 구비하는 반도체메모리소자의 온도 감지장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 초기화 제어수단은,
    상기 구동신호에 응답하여 자신의 출력신호를 셋하고 리셋신호에 응답하여 상기 자신의 출력신호를 리셋하기 위한 래치와,
    상기 래치의 출력신호의 활성화 동안 주기신호를 생성하기 위한 주기신호 생성부와,
    상기 주기신호의 활성화 횟수를 카운팅하기 위한 카운터와,
    상기 카운터의 출력신호에 응답하여 상기 초기화신호 및 상기 리셋신호를 활성화하기 위한 신호 생성부를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반도체메모리소자의 온도 감지장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 래치는,
    상기 구동신호를 반전시키기 위한 제1 인버터와,
    상기 제1 인터버의 출력신호를 한 입력으로 갖는 제1 낸드게이트와, 상기 리셋신호를 한 입력으로 갖는 제2 낸드게이트가 크로스 커플드되어 구현되는 것
    을 특징으로 하는 반도체메모리소자의 온도 감지장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 주기신호 생성부는,
    상기 래치의 출력신호와 상기 주기신호를 입력으로 갖는 제3 낸드게이트와,
    상기 제3 낸드게이트의 출력신호를 지연시켜 상기 주기신호로 출력하기 위한 제1 인버터 체인을 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반도체메모리소자의 온도 감지장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 신호 생성부는,
    상기 카운터의 복수의 출력신호를 입력으로 갖는 제4 낸드게이트와,
    상기 제4 낸드게이트의 출력신호를 반전시켜 상기 초기화신호로 출력하기 위한 제2 인버터와,
    상기 제4 낸드게이트의 출력신호를 반전시키기 위한 제3 인버터와,
    상기 제4 낸드게이트의 출력신호를 지연시키기 위한 제2 인버터 체인과,
    상기 제3 인버터 및 상기 제2 인버터 체인의 출력신호를 입력으로 가져 상기 리셋신호를 출력하기 위한 제5 낸드게이트를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반도체메모리소자의 온도 감지장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 카운터는 상기 주기신호의 활성화 횟수를 카운팅하여 해당 출력신호를 활성화하며, 반전된 상기 리셋신호에 응답하여 상기 해당 출력신호를 초기화되는 것을 특징으로 하는 반도체메모리소자의 온도 감지장치.
  7. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 저장수단은,
    상기 온도감지부의 출력값을 저장하고 상기 출력 활성화신호에 응답하여 저장된 값을 출력하며, 상기 초기화 제어수단의 초기화신호에 응답하여 상기 저장된 값을 초기화시키기 위한 레지스터와,
    상기 레지스터의 출력값을 상기 온도값으로 드라이빙하기 위한 출력 드라이버를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반도체메모리소자의 온도 감지장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 레지스터는 상기 온도 감지수단의 출력값을 각 비트 단위로 저장하기 위한 복수의 래치부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체메모리소자의 온도 감지장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 래치부는,
    상기 온도 감지수단의 해당 출력신호를 래치하고, 상기 초기화신호에 응답하여 리셋되는 래치소자와,
    상기 출력 활성화신호에 응답하여 상기 래치소자의 출력 데이터를 전달하기 위한 트랜스퍼 게이트를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반도체메모리소자의 온도 감지장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 온도 감지수단은,
    상기 구동신호에 응답하여 온도를 감지하기 위한 온도 센서와,
    상한-전압값과 하한-전압값을 공급하기 위한 전압 공급부와,
    상기 구동신호에 응답하여 상기 온도 센서의 아날로그 출력값을 상기 상한-전압값 및 상기 하한-기준값을 기준으로 디지털 값으로 변환하여 출력하기 위한 아날로그-디지털 변환부를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 반도체메모리소자의 온도 감지장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 아날로그-디지털 변환부는,
    루프를 통해 한 비트 단위로 상기 온도 센서의 출력값을 트래킹하여 상기 디지털 값으로 변환하는 트랭킹 ADC를 구비하는 것
    을 특징으로 하는 반도체메모리소자의 온도 감지장치.
  12. 온도 감지회로를 구비하는 반도체메모리장치의 구동 방법에 있어서,
    외부로부터 구동신호를 인가받아 상기 온도 감지회로를 구동하는 제1 단계;
    상기 제1 단계의 일정시간 이후에 상기 온도 감지회로의 재구동 요청신호를 외부로 출력하는 제2 단계; 및
    외부로 부터 상기 구동신호를 재인가 받아 상기 온도 감지회로를 재구동하는 제3 단계
    를 포함하는 반도체메모리장치의 구동방법.
  13. 온도 감지회로를 구비하는 반도체메모리장치의 구동 방법에 있어서,
    외부로부터 구동신호를 인가받아 상기 온도 감지회로를 구동하는 제1 단계;
    상기 제1 단계의 일정시간 이후에 상기 온도 감지회로를 초기화하는 제2단계;
    상기 초기화된 온도 감지장치의 출력값을 외부로 출력하는 제3 단계; 및
    외부로부터 상기 구동신호를 재인가 받아 상기 온도 감지회로를 재구동하는 제4 단계
    를 포함하는 반도체메모리장치의 구동방법.
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