KR100712785B1 - 광 변조기 및 광 변조기의 제조 방법 - Google Patents

광 변조기 및 광 변조기의 제조 방법 Download PDF

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아키히로 무라타
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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 희생층을 언더에칭하지 않고, 간편하고 정밀도 좋게 광학 갭을 형성 할 수 있는 광 변조기를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 바닥부가 가동부(109)로 되는 제 1 오목부(103)가 마련되고, 가동부(109)에 가동 반사막(105)이 형성된 제 1 기판(100)과, 제 1 오목부(103)와 대향하는 위치에 제 1 오목부(103)의 직경보다도 작은 직경을 갖는 제 2 오목부(203)가 마련되고, 제 2 오목부(203)의 바닥부에 고정 반사막(207)이 형성된 제 2 기판(200)을 구비하되, 제 1 오목부(103)의 깊이가 가동 반사막(105)의 가동 범위를 결정하고, 가동 반사막(105)과 고정 반사막(207)의 간격에 의해 광학 갭 X가 정해지는 광 변조기(1)에 의해 상기 과제를 해결한다.

Description

광 변조기 및 광 변조기의 제조 방법{OPTICAL MODULATOR AND MANUFACTURING METHOD OF OPTICAL MODULATOR}
도 1은 본 발명의 광 변조기의 일례를 도시하는 도면,
도 2는 본 실시예의 광 변조기의 형성 방법을 설명하기 위한 공정도,
도 3은 본 실시예의 광 변조기의 형성 방법을 설명하기 위한 공정도,
도 4는 실시예 2에 따른 광 변조기의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도,
도 5는 실시예 3에 따른 광 변조기의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도,
도 6은 실시예 4에 따른 광 변조기의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도,
도 7은 실시예 5에 따른 광 변조기의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도,
도 8은 자유 스펙트럼 영역을 설명하기 위한 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 광 변조기 100 : 제 1 기판
101 : 실리콘 기판 103 : 오목부
105 : 가동 반사막 107 : 반사 방지막
109 : 가동부 111 : 오목부
200 : 제 2 기판 201 : 기판
203 : 오목부 205 : 고정 전극
207 : 고정 반사막 209 : 반사 방지막
301 : 실리콘층 303 : SiO2층
305 : 실리콘층 307 : 기판
309 : 오목부 401 : 실리콘층
403 : SiO2층 405 : 실리콘층
407 : SiO2층 409 : 실리콘층
411 : 기판 501 : 지지 부재
503 : 접착제 601 : 기판
603 : 관통 구멍 605 : 프레임
607 : 바닥부 기판 X : 광학 갭
Y : 정전 갭
본 발명은 투과시키는 광을 변조하는 기술에 관한 것으로서, 상세하게는 간섭성 광 변조를 이용한 광 변조기 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
광 변조기는, 광학계에서의 광의 투과율, 굴절율, 반사율, 편향도, 간섭성 등의 광학적 파라미터를 변조 신호에 따라 변화시켜 통과 광에 요구되는 광 강도나 색 등을 발생시키는 장치이다. 예컨대, 광의 간섭을 이용한 광 변조기에서는, 변조 신호에 의해 위치가 미소 변화되는 가동 반사막을 사용하여 광 경로를 다르게 하는 광파를 중첩하여, 양파(兩波)의 간섭을 이용해 광의 강도나 색을 변화시키고 있다. 이와 같은 간섭형의 광 변조기에서는 가동 반사막의 위치를 정확히 변위시키는 기구가 필요하다.
예컨대, 일본국 특허 공개 평성 제 2002-174721호 공보(특허 문헌 1)에 기재된 광 변조기는, 기판(고정 반사막)과 가동 반사막 사이에 희생층을 마련한 후, 이 희생층을 언더에칭에 의해 제거함으로써, 광학 갭을 형성하고 있다.
또한, 미국 특허 제 6341039호 명세서(특허 문헌 2)에 기재된 광 변조기는, 실리콘 웨이퍼의 한쪽 면을 산화하고, 산화층이 형성된 면에 실리콘 웨이퍼를 더 접합시킨 기판을 이용하여, 이 산화층을 희생층으로서 언더에칭을 행하여 광학 갭을 형성하고 있다.
[특허 문헌 1] 일본국 특허 공개 평성 제 2002-174721호 공보
[특허 문헌 2] 미국 특허 제 6341039호 명세서
그러나, 특허 문헌 1에 기재된 방법에서는, 희생층의 두께에 의해 광학 갭의 초기 간격이 정해지기 때문에, 희생층의 형성 조건에 따라서는 이 초기 간격에 편차가 발생하는 경우가 있다. 따라서, 고정 반사막측에 형성된 구동 전극(고정 전 극)과 가동 반사막 사이에 작용하는 정전력에도 변동을 발생시켜, 구동의 안정화가 어렵게 된다. 또한, 이 방법은 성막과 희생층 에칭을 반복하여 실행하기 때문에 작업 공정이 복잡해진다.
또한, 특허 문헌1 및 2에 기재된 광 변조기는, 양측 모두 희생층을 언더에칭에 의해 제거함으로써 광학 갭을 형성하고 있다. 희생층을 언더에칭하여 가동 반사막을 형성하는 가동부를 릴리스하기 위해서는, 에칭액을 희생층에 도입하기 위한 릴리스 홀을 가동부에 형성할 필요가 있다. 이 때문에, 가동부를 구동하기 위한 정전력이 작용하는 면적이 줄어, 구동 전압이 증가해 버린다. 또한, 광학 갭을 작게 한 경우에는, 가동부를 릴리스할 때에 가동 반사막과 고정 반사막 사이에 에칭액의 표면 장력에 의해 스티킹(접착 현상)이 발생하는 경우가 있다.
따라서, 상기 문제점을 해결하기 위해, 희생층을 언더에칭할 필요가 없는 구조가 요구되고 있다.
그래서, 본 발명은, 희생층을 언더에칭하지 않고, 간편하고 정밀도 좋게 광학 갭을 형성 할 수 있는 광 변조기를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해, 바닥부가 가동부로 되는 제 1 오목부가 마련되고, 상기 가동부에 가동 반사막이 형성된 제 1 기판과, 상기 제 1 오목부와 대향하는 위치에 상기 제 1 오목부의 직경보다도 작은 직경을 갖는 제 2 오목부가 마련되고, 당해 제 2 오목부의 바닥부에 고정 반사막이 형성된 제 2 기판을 구비하되, 상기 제 1 오목부의 깊이가 가동 반사막의 가동 범위를 정하고, 상기 가동 반사막과 상기 고정 반사막의 간격에 의해 광학 갭이 정해지는 광 변조기를 제공하는 것이다.
본 발명의 광 변조기는, 제 1 오목부를 갖는 제 1 기판과 제 2 오목부를 갖는 제 2 기판에 의해 출사되는 광의 파장을 결정하는 광학 갭을 형성하고 있기 때문에, 희생층을 언더에칭할 필요가 없다. 따라서, 희생층에 에칭액을 도입하기 위한 릴리스 홀을 형성할 필요가 없고, 가동 반사막을 구동하는 힘을 작용시키는 면적을 감소시키지 않는다. 또한, 가동 반사막과 고정 반사막 사이에 발생하는 에칭액의 표면 장력에 의한 스티킹(접착 현상)의 문제 등을 회피하는 것이 가능해진다. 또한, 오목부를 형성한 기판끼리 접합하여 제조할 수 있기 때문에, 간편하게 제조할 수 있다. 또한, 희생층을 형성하고 가동 반사막을 그 위에 형성한 후, 희생층을 제거하는 종래 방법에서는, 희생층의 성막 조건에 의해 갭 편차가 발생했지만, 본 발명에서는, 희생층을 거치지 않고, 형성한 오목부의 깊이가 그대로 가동 반사막과 고정 반사막의 초기 간격을 정하게 되기 때문에, 가동 반사막과 고정 반사막의 광학 갭의 초기 간격을 정밀도 좋게 제어할 수 있다.
예컨대, 상기 제 1 기판으로서 실리콘 기판을, 상기 제 2 기판으로서 유리 기판을 적합하게 이용할 수 있다. 제 1 기판으로서 실리콘 기판, 제 2 기판으로서 유리 기판을 이용하면, 제 1 오목부와 제 2 오목부의 형성에 에칭을 이용하는 것이 가능해지기 때문에, 정밀도 좋게 가동 반사막과 고정 반사막의 초기 간격을 정하는 오목부를 형성하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 제 1 기판으로서 복수의 실리콘층 사이에 절연층을 구비한 적층 기판을, 상기 제 2 기판으로서 유리 기판을 적합하게 이용할 수 있다. 복수의 실리콘층 사이에 절연층을 구비한 적층 기판을 이용한 경우, 절연층을 에칭 스톱퍼로서 이용하는 것이 가능해지기 때문에, 가동 반사막의 가동 범위, 및 가동 반사막과 고정 반사막의 초기 간격을 정하게 되는 제 1 오목부의 깊이를 보다 용이하게 관리할 수 있다.
또한, 상기 가동부를 상기 오목부의 바닥부를 향해서 가압하는 가압 수단을 더 구비하더라도 좋다. 이러한 가압 수단으로서는, 가동부를 전극으로 하고, 오목부의 바닥부에 전극을 마련하여, 양자에 의해 발생하는 정전력을 이용한 것이라도 좋다. 또한, 전자력 방식을 이용한 것이라도 좋다.
또한, 상기 가동부와 상기 제 2 기판에 마련된 전극에 전압을 인가함으로써 발생하는 정전력에 의해 상기 가동부가 구동 가능하게 구성되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 간단한 구조로 가동부를 구동하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 제 2 기판에 마련되는 전극은, 상기 제 2 기판의 상기 제 2 오목부의 주위로서, 상기 제 1 기판의 상기 제 1 오목부에 대응하는 범위에 포함되도록 형성되는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 가동 반사막과 고정 반사막의 간격(갭)을 넓히면서, 가동부와 제 2 기판에 마련되는 전극의 거리를 짧게 하는 것이 가능해지기 때문에, 가동부를 구동하기 위한 구동 전력을 저감하는 것이 가능해진다. 즉, 제 1 기판의 제 1 오목부와 제 2 기판의 제 2 오목부의 직경의 크기가 다르기 때문에 제 1 오목부와 제 2 오목부에 의해 단차가 형성된다. 이 단차를 이용하여, 제 2 기판의 제 2 오목부의 주위에 가동 반사막을 구동시키는 힘을 발생시키는 정전 전극 등의 작용부를 형성하면, 광의 변조에 이용할 수 있는 영역을 넓게 확보하면서, 작용부와 가동 반사막의 거리(예: 정전 갭)를 단축할 수 있기 때문에, 구동 전력을 저감하는 것이 가능해진다.
상기 가동부의 상기 제 2 오목부와 대향하는 면 전체에 상기 가동 반사막이 형성되어 있고, 당해 가동 반사막이 전기적 절연성을 갖는 것이 바람직하다. 본 발명에서는, 제 1 오목부의 가동부로 되는 바닥부에 가동 반사막을 형성한 후, 제 2 기판과 접합하여 제조함으로써 갭을 형성할 수 있기 때문에, 가동 반사막을 가동부 전면에 형성할 수 있다. 따라서, 가동부가 직접 제 2 기판측에 형성된 전극에 접촉함으로써 발생하는 단락, 융착 등의 문제를 회피하는 것이 가능해진다.
상기 제 1 기판이, 바닥부를 구성하는 바닥부 기판과 당해 바닥부 기판에 접합되는 프레임으로 구성되어 있더라도 좋다. 이것에 의하면, 프레임의 두께로 제 1 오목부 깊이를 정하는 것이 가능해지기 때문에, 가동 반사막의 가동 범위를 정하는 제 1 오목부의 깊이를 보다 정밀도 좋게 제어할 수 있다.
본 발명의 다른 형태는, 제 1 기판의 한쪽 면을 에칭하여, 가동 반사막의 가동 범위를 정하는 제 1 오목부를 형성하는 제 1 공정과, 제 2 기판의 한쪽 면을 에칭하여, 상기 제 1 오목부의 직경보다 작은 직경을 갖는 제 2 오목부를 형성하는 제 2 공정과, 상기 제 1 오목부와 상기 제 2 오목부가 대향하도록 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판을 접합하는 제 3 공정과, 상기 제 1 오목부의 바닥부를 가동부로 되는 영역을 남기고 제거함으로써, 당해 바닥부에 가동부를 형성하는 제 4 공정 을 포함하는 광 변조기의 제조 방법이다.
이것에 의하면, 광을 변조하기 위한 갭을 제 1 기판과 제 2 기판에 각각 에칭에 의해 형성하기 때문에, 간편하게 갭의 거리를 제어하는 것이 가능해져, 정밀도가 좋은 광 변조기를 용이하게 제조하는 것이 가능해진다. 또한, 제 1 기판과 제 2 기판에 다른 직경의 오목부를 형성하는 것에 의해, 용이하게 단차부를 형성할 수 있다. 이 단차부를 이용하여, 예컨대 제 2 기판의 제 2 오목부 주위에 가동 반사막을 구동시키는 힘을 발생하는 전극 등의 작용부를 형성하면, 광의 변조에 이용할 수 있는 영역을 넓게 확보하면서, 작용부와 가동 반사막의 거리를 단축할 수 있기 때문에, 구동 전력을 저감할 수 있는 광 변조기를 제공하는 것이 가능해진다. 또, 제 1 공정과 제 2 공정의 순서는 물론 동시에 진행하더라도 좋다.
상기 제 1 기판이 실리콘 기판이며 상기 제 2 기판이 유리 기판인 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 에칭에 의해 정밀도 좋게 오목부를 형성하는 것이 가능하다. 또한, 유리 기판으로서, 붕규산 유리 등의 알칼리 금속을 포함하는 유리를 이용함으로써 제 1 기판과 제 2 기판을 양극 접합하는 것이 가능해져, 간편하게 접합하는 것이 가능해진다.
상기 제 1 기판이 복수의 실리콘층 사이에 절연층을 포함하는 적층 기판이며, 상기 제 1 공정에서, 상기 절연층을 에칭 스톱퍼로서 이용함으로써 상기 제 1 오목부를 형성하는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 절연층을 에칭 스톱퍼로서 이용할 수 있기 때문에, 가동 반사막의 가동 범위를 정하는 제 1 오목부의 깊이 제어를 보다 간단하게 실행하는 것이 가능해진다.
상기 제 1 기판이 복수의 실리콘층 사이에 적어도 2층의 절연층을 포함하고, 상기 제 1 공정에서, 상기 제 1 기판의 상기 제 1 오목부를 형성하는 면과 반대측 면의 당해 제 1 오목부와 대응하는 위치에, 상기 절연층을 에칭 스톱퍼로서 이용함으로써 제 3 오목부를 형성하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 제 1 기판이 복수의 층 구조를 갖는 적층 기판으로 구성되기 때문에, 제 1 기판의 강도를 높일 수 있어, 제조 시의 취급을 용이하게 할 수 있다.
적어도 상기 제 3 공정에서, 상기 제 1 기판에, 상기 제 1 기판을 지지하기 위한 분리 가능한 지지 부재가 부착되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의하면 제 1 기판의 취급이 용이해진다.
상기 제 3 공정 전에, 상기 제 2 공정에 의해 얻어진 유리 기판의 상기 제 2 오목부의 주위로서, 상기 제 1 오목부와 대향하는 위치에 전극을 형성하는 것이 바람직하다. 이에 의하면, 가동 반사막을 구동하기 위한 전극을 가동 반사막에 근접하는 위치에 형성하는 것이 가능해진다.
상기 제 3 공정 전에, 상기 제 1 오목부의 바닥면에 가동 반사막으로 되는 반사층을 형성하는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 제 1 오목부의 나중에 가동부로 되는 영역 전체에 걸쳐 가동 반사막을 형성하는 것이 가능해진다. 이에 따라, 구동시에 가동부측의 전극이 제 2 기판측의 전극에 직접 접촉하는 것에 의한 전기적 단락을 회피할 수 있는 광 변조기를 제공하는 것이 가능해진다.
본 발명의 다른 형태는, 유리 기판의 한쪽 면을 에칭하여, 오목부를 형성하는 제 1 공정과, 상기 유리 기판의 오목부가 형성된 면에 제 1 실리콘 기판을 접합 하는 제 2 공정과, 상기 제 1 실리콘 기판의 상기 오목부와 대응하는 위치에, 당해 오목부보다 큰 구멍부를 형성하는 제 3 공정과, 상기 제 1 실리콘 기판의 반대측 면에 제 2 실리콘 기판을 접합하는 제 4 공정과, 상기 제 2 실리콘 기판을 가동부로 되는 영역을 남기고 제거함으로써, 당해 제 2 실리콘 기판에 가동부를 형성하는 제 5 공정을 포함하는 광 변조기의 제조 방법이다.
이에 의하면, 두께가 정해진 제 1 실리콘 기판에 구멍부를 형성함으로써, 보다 정밀도 좋게 가동 반사막의 가동 범위를 제어하는 것이 가능해진다.
적어도 상기 제 4 공정에서, 상기 제 2 실리콘 기판에, 당해 제 2 실리콘 기판을 지지하기 위한 분리 가능한 지지 부재가 부착되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 제 2 실리콘 기판의 취급이 용이해진다.
본 발명의 다른 형태는, 광이 통과할 수 있는 재료로 구성되고, 오목부가 형성된 제 1 기판과, 상기 오목부를 피복하는 가동부가 형성된 제 2 기판과, 상기 오목부의 바닥부에 형성된 고정 반사막과, 상기 가동부에 형성된 가동 반사막과, 상기 가동부를 상기 오목부의 바닥부를 향해서 가압하는 가압 수단과, 상기 가동 반사막과 상기 고정 반사막을 미리 정해진 간격으로 유지하는 스톱퍼를 구비하되, 상기 가동 반사막과 상기 고정 반사막의 간격에 의해 출사하는 광의 파장을 결정할 수 있는 광 변조기이다.
본 발명의 구성에 의하면, 오목부를 갖는 제 1 기판과 가동부를 갖는 제 2 기판에 의해 출사하는 광의 파장을 결정하는 광학 갭을 형성하고 있기 때문에, 희생층을 언더에칭할 필요가 없다. 따라서, 희생층에 에칭액을 도입하기 위한 릴리 스 홀을 형성할 필요가 없고, 가동 반사막을 구동하는 힘을 작용시키는 면적을 감소시키지 않는다. 또한, 가동 반사막과 고정 반사막 사이에 발생하는 에칭액의 표면 장력에 의한 스티킹(접착 현상)의 문제 등을 회피하는 것이 가능해진다. 또한, 오목부를 형성한 기판끼리 접합하는 것에 의해 제조할 수 있기 때문에, 간편하게 제조할 수 있다. 또한, 종래의 희생층을 형성하고 가동 반사막을 그 위에 형성한 후, 희생층을 제거하는 방법에서는, 희생층의 성막 조건에 의해 갭 편차가 발생했다. 그러나, 본 발명에서는, 희생층을 거치지 않고, 형성한 오목부의 깊이가 그대로 가동 반사막과 고정 반사막의 초기 간격을 정하게 되기 때문에, 가동 반사막과 고정 반사막의 광학 갭의 초기 간격을 정밀도 좋게 제어할 수 있다.
상기 스톱퍼가 상기 오목부의 둘레를 따라 형성되는 단차이더라도 좋다. 이러한 단차는, 예컨대 2단계로 나눠 에칭 처리를 행하는 것에 의해 형성할 수 있다. 구체적으로는, 첫번째의 에칭 처리에 의해 제 1 오목부를 형성하고, 당해 제 1 오목부의 바닥부에 더 에칭 처리를 행하는 것에 의해 당해 제 1 오목부의 직경보다도 작은 오목부를 형성함으로써 얻을 수 있다.
상기 가압 수단이 상기 오목부의 둘레를 따라서 형성된 구동 전극인 것이 바람직하다. 이에 의하면, 간단한 구조로 가동부를 구동하는 것이 가능해진다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명에 대하여 설명한다.
(실시예 1)
도 1은 본 발명의 광 변조기의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 1(a)는 단면 도, 도 1(b)는 평면도를 나타낸다.
도 1(a)에 도시된 바와 같이, 광 변조기(1)는, 바닥부가 가동부(109)로 되는 오목부(103)가 마련되고, 이 가동부(109)에 가동 반사막(105)이 형성된 제 1 기판(100)과, 오목부(103)와 대향하는 위치에 오목부(103)의 직경보다도 작은 직경을 갖는 오목부(203)가 마련되고, 오목부(203)의 바닥부에 고정 반사막(207)이 형성된 제 2 기판(200)을 구비하여 구성되어 있다.
본 실시예의 광 변조기(1)는, 도시하지 않은 외부 전원으로부터, 가동부(109)와 제 2 기판(200)에 마련된 고정 전극(205) 사이에 교류 전압을 인가하는 것에 의해, 정전력을 발생시켜 가동부(109)를 구동하는 것이 가능해지도록 구성되어 있다. 가동부(109)에는 힌지부(113)를 거치고, 고정 전극(205)에는 도시하지 않은 배선을 거쳐 전압이 인가된다.
본 실시예의 광 변조기(1)에서는, 오목부(103)의 깊이와 오목부(203)의 깊이의 합계 거리에 의해, 광학 갭 X의 초기 간격 h를 정하고 있다. 광학 갭 X는, 가동부(109)측으로부터 입사된 광을, 가동 반사막(105) 및 고정 반사막(207) 사이에서 1 또는 복수회에 걸쳐 반사시키기 위한 것이다. 여기서, 초기 간격 h는, 전압을 부여하고 있지 않은 경우의 가동 반사막(105)과 고정 반사막(207) 사이의 거리를 말한다.
본 실시예의 광 변조기(1)에서는, 가동 반사막(105) 및 고정 반사막(207) 사이에서 반사되고, 발생된 광 경로가 다른 복수의 광이 서로 간섭함으로써, 소망하는 파장을 갖는 광만이 선택적으로 출사광으로서 출사되게 된다. 즉, 광학 갭 X에 대응하는 간섭 조건을 만족시키지 못하는 파장의 광은 급격히 감쇠하고, 간섭 조건을 만족시키는 파장의 광만이 남아 출사된다(파브리-페롯(Fabry-Perot) 간섭계의 원리). 따라서, 구동 전압을 변화시켜, 가동 반사막(105)의 위치를 변위하는 것에 의해, 광학 갭 X에 따라서 투과하는 광의 파장을 선택하는 것이 가능해진다.
도 8은 자유 스펙트럼 영역을 설명하기 위한 도면이다. 본 실시예에서는, 이 광학 갭의 초기 간격 h는, 자유 스펙트럼 영역(FSR : Free Spectrum Range)에 근거하여 결정된다. FSR은, 다른 차수의 스펙트럼이 겹치지 않음으로써, 애매하지 않게 결정할 수 있는 파장 범위 Δλ를 말하며, 예컨대 도 8에 나타내는 영역을 말한다.
오목부(103)의 바닥부에 형성되는 가동 반사막(105)과 오목부(203)의 바닥부에 형성되는 고정 반사막(207)의 거리(초기 간격 h)는 예컨대 다음 식으로부터 결정된다.
h= λm 2/(2nΔλ)
여기서, m은 간섭 차수로 정의 정수이며, λ는 m 다음에서의 광의 파장, Δλ은 m+1차와 m차의 파장의 차, n은 가동 반사막(105)과 고정 반사막(207) 사이의 매질의 굴절율을 나타내고 있다.
또한, 선택적으로 소망하는 출사광을 투과시키기 위해서 필요한 가동 반사막(105)의 이동 거리 Δh는, 예컨대 다음식으로부터 구해진다.
Δλ=λm+1-λm=λm 2/(2nλ)=Δh(λm/h)
이러한 식으로부터 산출된 값에 근거하여, 광학 갭의 초기 간격 h 및 이동 거리 Δh가 정해진다.
또한, 가동 반사막(105)의 이동 거리 Δh의 최대폭이 되는 가동 범위는, 오목부(103)의 깊이에 의해 정해진다. 또한, 오목부(103)의 깊이는, 정전력을 작용시키는 전극간 거리(정전 갭 Y)를 정하는 것으로도 된다.
다음에, 본 실시예에 따른 광 변조기(1)의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 2내지 도 3은 본 실시예의 광 변조기의 형성 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
(제 2 기판의 준비 공정)
도 2(a)에 도시하는 바와 같이 파이렉스(Pyrex, 등록 상표) 유리, 석영 유리 등, 소망하는 광을 투과할 수 있는 광 투과성 재료로 구성되는 기판(201)에 오목부(203)를 형성한다.
기판(201)은, 나중의 제 1 기판(100)과의 접합 공정에서, 양극 접합을 이용하는 경우에는, 예컨대 나트륨(Na) 등의 알칼리 금속을 함유한 유리를 이용하는 것이 바람직하다. 이러한 유리로서는, 예컨대, 붕규산 나트륨유리를 이용할 수 있고, 또한 구체적으로는, 코닝사(Coning Inc., 등록 상표)에서 제조된 파이렉스(등록 상표) 유리(상품명)를 이용할 수 있다. 특히, 양극 접합 시에 유리 기판을 가 열하기 때문에, 제 1 기판(100)으로서 이용되는 실리콘 기판과의 열팽창 계수가 거의 같은 것이 바람직한 점을 고려하면, 코닝사(등록 상표)에서 제조된 코닝 #7740(상품명)이 알맞다.
오목부(203)의 형성에 대하여 구체적으로 설명한다. 우선, 유리제 기판(201)의 일면측에, 예컨대 Cr(크롬)/Au(금)의 적층막(예컨대, 막 두께: 0.03/0.07㎛)을 스퍼터링 등에 의해 성막하여, 도시하지 않은 에칭 보호막을 형성한다. 이 에칭 보호막에 대하여, 오목부(203)를 형성하는 영역이 개구되도록 포토리소그래피 기술을 이용하여 패터닝한다. 다음에, 불산 수용액 등의 불산계의 에칭 용액에 의한 습식 에칭에 의해, 오목부(203)를 형성한다. 그 후, 에칭 보호막을 제거한다.
또, 오목부(203)의 깊이는, 특별히 한정하는 것은 아니지만, 예컨대 1∼100㎛정도, 바람직하게는 1∼50㎛이다.
다음에, 도 2(b)에 도시하는 바와 같이 오목부(203)의 주위에 구동 전극(고정 전극)(205)을 포함하는 배선 패턴을 형성한다. 배선 패턴은, 예컨대 Cr/Au를 스퍼터닝 등에 의해 성막하여, 형성한다. 단지, 이것으로 한정되지 않고, 예컨대 배선 패턴을 형성하는 도전 재료로서는, 다른 금속 또는 ITO 등의 투명 도전 재료를 이용하여도 좋다. 또한, 스퍼터링 외에, 증착법, 이온 도금법에 의해 형성하더라도 좋다. 이러한 배선 패턴을 구성하는 도전층의 두께는, 특별히 한정하는 것은 아니지만, 예컨대 0.1∼0.2㎛ 이다.
다음에, 도 2(c)에 도시하는 바와 같이 오목부(203)의 바닥면에 고정 반사막(207)을 형성하고, 제 2 기판(200)의 오목부(203)가 형성된 것과 반대측 면에 반사 방지막(209)을 형성한다. 고정 반사막(207) 및 반사 방지막(209)을 형성하는 순서는 상관없다. 구체적으로는, 고정 반사막(207) 및 반사 방지막(209)으로서는, 예컨대 SiO2 또는 Ta2O5 등을 적층하여 다층막으로 한 것이 이용되고, 각 막의 막 두께를 여러 가지로 변화시키는 것에 의해 형성된다. 이러한 고정 반사막(207) 및 반사 방지막(209)은, 예컨대 증착법에 의해 형성된다.
또, 상기에 있어서, 도 2(a)에 나타내는 공정에서, 습식 에칭을 이용하여 오목부를 형성했지만, 건식 에칭으로 행하여도 좋다.
(제 1 기판의 준비 공정)
도 3(a)에 도시하는 바와 같이 실리콘 기판(101)에 오목부(103)를 형성한다. 예컨대, 레지스트 재료를 도포하여 에칭 보호막으로서의 포토 레지스트막을 형성하고, 포토리소그래피 기술을 이용한 패터닝 처리를 행하여, 소정의 패턴을 형성한다. 그 후, 예컨대 KOH, TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide) 수용액, EPD(ethylene-propylene-diene) 수용액 또는 히드라진 수용액 등의 알칼리 수용액을 이용한 습식 에칭, 또는, 예컨대 XeF2, CF4 또는 SF6 등을 이용한 건식 에칭에 의해 에칭 처리함으로써 오목부(103)를 형성할 수 있다.
오목부(103)의 깊이는, 특별히 한정하는 것은 아니지만, 예컨대 0.5∼100㎛ 정도, 바람직하게는 1∼10㎛이다. 오목부(103)의 깊이는 가동부(109)의 가동 범위 및 정전 갭 Y를 정하게 된다.
다음에, 도 3(b)에 도시하는 바와 같이 오목부(103)의 바닥부에 가동 반사막(105)을 형성하고, 기판(101)의 오목부(103)를 형성한 것과 반대측 면에 반사 방지막(107)을 형성한다. 가동 반사막(105) 및 반사 방지막(107)은, 고정 반사막(207) 및 반사 방지막(209)과 같이 형성된다. 가동 반사막(105) 및 반사 방지막(107)의 형성 면적은 특별히 한정하는 것은 아니지만, 후에 형성되는 가동부(109)의 당해 가동부(109)가 고정 전극(205)과 접촉하는 영역을 포함하여 형성되어 있는 것이 바람직하고, 특히, 가동부(109)의 제 2 기판(200)에 대향하는 면 전면에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 가동 반사막(1O5)이 상기한 바와 같이 SiO2 또는 Ta2O5 등의 절연성 재료에 의해 구성되어 있는 경우에는, 가동부(109)가 구동되어 제 2 기판(200)측으로 끌어당겨질 때에, 가동부(109)가 제 2 기판(200)에 형성된 고정 전극(205)과 직접 접촉으로 인한 전기적 단락 및 융착의 문제를 회피할 수 있다.
(광 변조기 제조 공정)
도 3(c)에 도시하는 바와 같이, 상기한 바와 같이 준비한 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(200)을 접합한다. 구체적으로는, 제 1 오목부(103)와 제 2 오목부(203)가 대향하도록 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)을 접합한다.
제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)의 접합은, 제 1 기판(100)으로서 실리콘 기판을 이용하고, 제 2 기판(200)으로서 붕규산 유리 등의 알칼리 금속 함유 유리를 이용하고 있는 경우에는, 예컨대 양극 접합에 의해 접합할 수 있다. 양극 접합 에 의하면 접착제가 필요 없어, 간편하게 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)을 직접 접합하는 것이 가능해진다. 또한, 양극 접합 이외의 접합 방법을 채용하더라도 좋고, 예컨대, 가열 가압 접합, Au-Au 접합, 땜납 접합 등의 메탈라이즈에 의한 합금 접합, 접착제에 의한 접합 등도 이용할 수 있다.
도 3(d)에 도시하는 바와 같이 가동부(109)를 형성한다. 예컨대, 레지스트 재료를 도포하여 에칭 보호막으로서의 포토레지스트막을 형성하고, 포토리소그래피 기술을 이용한 패터닝 처리를 행하여, 가동부(109) 및 가동부(109)와 제 1 기판(100)을 연결하는 힌지부(113)(도 1(b)참조)의 패턴을 형성한다. 그 후, 예컨대 SF6 등의 에칭 가스를 이용하여 건식 에칭을 행하는 것에 의해, 가동부(109)를 얻는다.
본 실시예의 광 변조기(1)에 의하면, 제 1 오목부(103)가 마련된 제 1 기판(100)과 제 2 오목부(203)가 마련된 제 2 기판(200)을 접합하여 광을 변조하기 위한 갭(가동 반사막과 고정 반사막의 초기 간격)을 형성하고 있기 때문에, 희생층을 언더에칭할 필요가 없다. 따라서, 희생층에 에칭액을 도입하기 위한 릴리스 홀을 형성할 필요가 없고, 가동 반사막을 구동하기 위한 정전력을 작용시키는 면적을 감소시키지 않는다. 또한, 가동 반사막과 고정 반사막 사이에 발생하는 에칭액의 표면 장력에 의한 스티킹(접착 현상)의 문제 등을 회피하는 것이 가능해진다. 또한, 오목부를 형성한 기판끼리 접합하여 제조할 수 있기 때문에, 간편히 제조할 수 있다. 또한, 종래의 희생층을 형성하고 가동 반사막을 그 위에 형성한 후, 희생층을 제거하는 방법에서는, 희생층의 성막 조건에 의해 갭 편차가 발생했지만, 본 발명에서는 희생층을 거치지 않고, 형성한 오목부의 깊이가 그대로 가동 반사막과 고정 반사막의 초기 간격을 정하게 되기 때문에, 가동 반사막과 고정 반사막의 초기 간격을 정밀도 좋게 제어할 수 있다. 또한 제 1 기판의 제 1 오목부와 제 2 기판의 제 2 오목부의 직경의 크기가 달라, 제 1 오목부와 제 2 오목부에 의해 단차가 형성된다. 이 단차를 이용하여 예컨대 제 2 기판의 제 2 오목부의 주위에 가동 반사막을 구동시키는 힘을 생기게 하는 전극 등의 작용부를 형성하면 광의 변조에 이용하는 영역을 넓게 확보하면서, 작용부와 가동 반사막의 거리를 줄이는 것이 가능하기 때문에, 구동 전력을 저감할 수 있게 된다.
또, 가동부(109)의 형상은 특별히 한정되지 않고, 대략 원형이더라도 좋고, 나선형이더라도 좋고, 구멍부를 갖고 있어도 좋다. 또한, 가동부(109)와 제 1 기판(100)을 연결하는 힌지부(23)의 형상 및 수도 특별히 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 예에서는, 전극으로서의 가동부(109)와 고정 전극(205)의 접촉에 의한 전기적 단락을 방지하기 위해서, 가동부(109) 전면에 절연막으로서 작용하는 가동 반사막(105)을 형성하는 예에 대하여 설명했다. 단지, 이것으로 한정되지 않고, 별도로, 가동부(109)의 고정 전극(205)과 접촉하는 부위에 SiO2 등의 절연막을 형성하더라도 좋다. 또한, 고정 전극(205)의 윗면에 절연막을 마련하더라도 좋다. 이러한 절연막은, 예컨대, 실리콘의 열산화 또는 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)-CVD 장치를 사용한 SiO2의 성막 등에 의해 형성하는 것이 가능하다.
또한, 상기 예에서는, 도 3(b)의 공정에서, 가동 반사막(105)과 반사 방지막(107)을 함께 형성했지만, 반사 방지막(107)에 대해서는 도 3(d)의 가동부(109)를 형성한 후에 형성하더라도 좋다. 가동부(109)의 형성 후에 반사 방지막(107)을 형성함으로써, 예컨대, 반사 방지막(107)으로의 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)의 접합에 가열 처리를 이용한 경우의 열적 영향, 또는, 가동부(109) 형성 시의 에칭 처리에 의한 영향을 방지하는 것이 가능해진다. 또, 이하의 실시예도 마찬가지이다.
(실시예 2)
실시예 1에서는 제 1 기판으로서 실리콘 기판을 이용한 예에 대하여 설명했다. 본 실시예에서는, 제 1 기판으로서 실리콘층(301, 305) 사이에, 예컨대 SiO2층 등의 절연층(303)을 개재시킨 SOI(Silicon on Insulator) 구조를 갖는 기판(307)을 사용한 예에 대하여 설명한다.
도 4는 실시예 2에 따른 광 변조기의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 도 4에 있어서, 도 2 및 도 3에 대응하는 요소에 대해서는, 동일 부호를 부여하고 설명을 생략한다.
도 4(a)에 도시하는 바와 같이, 제 1 기판으로서, 실리콘층(305)(베이스 실리콘층이라고도 함), SiO2층(303) 및 실리콘층(301)(상부 실리콘층, 활성층이라고도 함)으로 구성되는 SOI 기판(307)을 준비하여, 오목부(103)를 형성한다.
SOI 기판으로서는, 실리콘 기판에 CVD 법에 의해 절연층과 실리콘층을 형성한 것을 이용하여도 좋고, 접합 기판을 이용하여도 좋다. 또한, 실리콘 기판에 산소 이온을 주입함으로써 산화막층을 형성한 기판을 이용하여도 좋다. 또, 후에 가동부(109)로 되는 실리콘층(301)은, 전극으로서 작용시키기 위해서, 예컨대 붕소 등의 불순물을 주입하여, 도전성을 향상시키고 있는 것이 바람직하다.
SOI 기판(307)으로서는, 구체적으로는, SiO2 등의 절연막(절연층)이 성막된 Si 기판에 다른 Si 기판을 서로 부착시킨 접합 기판을 이용하는 것도 가능하다. 또한, Si 기판 중에 고농도의 산소 이온을 주입하고, 그 후, 예컨대 1300℃ 이상의 고온으로 열처리함으로써 매립 산화막(B0X : Buried Oxide)층을 형성한 기판을 이용하는 것도 가능하다.
SOI 기판을 구성하는 각 층의 두께는 특별히 한정하는 것은 아니지만, 예컨대, 실리콘층(305)(베이스 실리콘층이라고도 함)이 약 500㎛, SiO2층(303)이 약 4㎛, 실리콘층(301)(상부 실리콘층, 활성층이라고도 함)이 약10㎛인 것이 이용된다.
실리콘층(305)은, 예컨대 연마 등에 의해 연삭함으로써, 소망하는 두께, 예컨대 0.5∼100㎛정도, 바람직하게는 1∼10㎛로 한다.
다음에, 예컨대, SOI 기판(307)의 실리콘층(305)에 레지스트 재료를 도포하여 에칭 보호막으로서의 포토레지스트막을 형성하고, 포토리소그래피 기술을 이용한 패터닝 처리를 행하여, 소정의 패턴을 형성한다. 그 후, 예컨대 KOH 등의 알칼리 수용액을 이용한 습식 에칭, 또는, 예컨대 XeF2 등을 이용한 건식 에칭에 의해 에칭 처리함으로써 오목부(103)를 형성할 수 있다. 또한, 에칭 처리 대신에 연마를 이용하여도 좋다.
여기서, SiO2층(303)이 에칭 스톱퍼로서 작용하기 때문에, 에칭 시간의 제어를 엄밀하게 실행하지 않더라도, 정밀도 좋게 오목부(103)의 깊이를 제어하는 것이 가능해진다.
이하, 보다 상세히 에칭 조건에 대하여 설명한다. 우선, 습식 에칭 처리를 행하는 경우에 대하여 설명한다.
상기한 바와 같이 에칭 보호막을 형성하고, 패터닝 처리한 SOI 기판(307)을, 예컨대 1∼40중량%, 바람직하게는 10중량% 전후의 농도의 KOH 수용액에 넣는다. 이 때, SOI 기판(307) 상에서 하기의 반응이 진행된다.
Si+ 2KOH+ H2O→K2SiO3+ 2H2
KOH 수용액에 의한 Si의 에칭 레이트는 SiO2층의 에칭 레이트보다 상당히 크기 때문에, SiO2층이 에칭 스톱퍼로서 기능한다. 이에 따라, 깊이 정밀도 좋게 오목부(103)가 형성되게 된다.
또, 습식 에칭에 이용되는 에칭액으로서는, KOH 수용액 이외에, TMAH 수용액, EPD 수용액 또는 히드라진 수용액 등을 들 수 있다. 습식 에칭에 의하면, 배치 처리(batch processing)가 가능해지기 때문에 보다 생산성을 향상시킬 수 있다.
다음에 건식 에칭 처리를 하는 경우에 대하여 설명한다.
챔버 내에 상기한 바와 같이 에칭 보호막을 형성하고, 패터닝 처리한 SOI 기 판(307)을 넣고, 예컨대 압력 390Pa의 XeF2를 60초간 도입한다. 이때, SOI 기판(307) 상에서 하기의 반응이 진행된다.
2XeF2+Si→2Xe+ SiF4
XeF2에 의한 건식 에칭에 의하면, SiO2층의 에칭 레이트보다 상당히 크기 때문에, SiO2층이 에칭 스톱퍼로서 기능한다. 이에 따라, 깊이 정밀도 좋게 오목부(309)가 형성되게 된다. XeF2에 의한 건식 에칭에 의하면, 플라즈마를 이용하지 않기 때문에, SOI 기판(307)의 오목부(103)를 형성하고 싶은 영역 이외의 영역에 의해 손상 등의 영향이 발생하고 어렵다. 또, CF4 또는 SF6를 이용한 플라즈마 에칭을 이용하는 것을 제외하는 것은 아니다.
다음에, 도 4(b)에 도시하는 바와 같이 오목부(103) 내의 SiO2층(303)을 제거한다. 구체적으로는, SiO2층의 제거는 불산 수용액 등의 HF 계 수용액을 이용한 습식 에칭 처리에 의해 행하여진다.
그 후의 공정은, 실시예 1의 도 3(b)∼도 3(d)와 같이 행하여져(도 4(c)∼도 4(e)), 광 변조기(1)를 형성하는 것이 가능해진다. 또, 제 2 기판(200)은 실시예 1과 동일한 것을 사용할 수 있다.
본 실시예에 의하면, SOI 기판(307)을 이용하고 있기 때문에, 오목부(103)를 형성할 때에 절연층으로서의 SiO2층(303)을 에칭 스톱퍼로서 이용하는 것이 가능해 진다. 따라서, 에칭 처리 시간을 엄밀하게 조정하지 않아도 깊이 정밀도 좋게 오목부(103)를 형성하는 것이 가능해진다. 따라서, 보다 정밀도가 높은 광 변조기를 보다 간편히 제조하는 것이 가능해진다.
(실시예 3)
실시예 2에서는, 실리콘층(301), SiO2층(303) 및 실리콘층(305)으로 구성되는 SOI 기판(307)을 제 1 기판으로서 이용한 경우에 대하여 설명했다. 본 실시예에서는, 제 1 기판으로서, 실리콘층(401), SiO2층(403), 실리콘층(405), SiO2층(407) 및 실리콘층(409)의 5층 구성을 갖는 SOI 기판(411)을 이용한 경우에 대하여 설명한다.
도 5는 실시예 3에 따른 광 변조기의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 도 5에 있어서, 도 2 및 도 3에 대응하는 요소에 대해서는, 동일 부호를 부여하고 설명을 생략한다. 도 5(a) 및 도 5(b)에 도시하는 바와 같이, 실리콘층(401), SiO2층(403), 실리콘층(405), SiO2층(407) 및 실리콘층(409)의 5층 구성을 갖는 SOI 기판(411)을 준비하고, SOI 기판(411)의 실리콘층(401) 및 실리콘층(409)에 각각 오목부(111) 및 오목부(103)를 형성한다. 오목부(111) 및 오목부(103)의 형성은 실시예 2의 도 4(a)의 공정과 동일한 방법으로 실행한다.
다음에, 도 5(c)에 도시하는 바와 같이 오목부(103)의 바닥부에 가동 반사막(105)을 형성하고, 오목부(111)의 바닥부에 반사 방지막(107)을 형성한다. 가동 반사막(105) 및 반사 방지막(107)의 형성은 실시예 1의 도 3(b)의 공정과 동일한 방법으로 실행한다.
다음에, 실시예 1의 도 3(c) 및 도 3(d)의 공정과 동일한 방법으로 광 변조기(1)를 제조한다(도 5(d) 및 도 5(e)참조).
본 실시예에 의하면, 제 1 기판(100)으로서, 5층 구조를 갖는 SOI 기판(411)을 이용하여, SOI 기판(411)의 양면에 오목부(111) 및 오목부(103)를 형성함으로써, 가동부(109)를 형성하고 있다. 따라서, 오목부(111) 및 오목부(103)의 형성 후에 있어서도, 제 1 기판(100)의 오목부(111) 및 오목부(103)가 형성된 영역 이외의 영역의 두께가 두텁게 남기 때문에, 오목부형성 후의 제 1 기판(100)의 강도가 향상되어, 취급이 용이해진다. 또한, 제 1 기판(100)의 작업 시에서의 파손 등을 회피하는 것이 가능해져, 양품율이 향상된다.
(실시예 4)
본 실시예에서는, 제 1 기판으로서, 실시예 2에서 이용한 것과 동일한 SOI 기판(307), 즉, 실리콘층(301, 305) 사이에 SiO2층 등의 절연층(303)을 개재시켜 이루어지는 SOI 구조를 갖는 SOI 기판(307)을 사용한다.
본 실시예에서는, 프로세스 중의 제 1 기판의 취급을 용이하게 하고, 강도를 보강하기 위해서, 제 1 기판에 지지 부재를 접합한 예에 대하여 설명한다.
도 6은 실시예 4에 따른 광 변조기의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도이 다. 도 6에 있어서, 도 2 내지 도 4에 대응하는 요소에 대해서는, 동일 부호를 부여하고 설명을 생략한다.
도 6(a)에 도시하는 바와 같이, 지지 부재가 접합된 SOI 기판(307)을 준비한다. SOI 기판으로서는, 실시예 2에서 이용한 것과 동일한 실리콘층(305)(베이스 실리콘층이라고도 함), SiO2층(303) 및 실리콘층(301)(상부 실리콘층, 활성층이라고도 함)으로 구성되는 SOI 기판(307)을 이용한다.
또한, 지지 부재(지지 웨이퍼)(501)로서는, 예컨대, 유리 기판 등이 이용된다. SOI(307)와 지지 부재(501)는, 예컨대 후에 박리 가능한 방법으로 접합한다. 구체적으로는, 예컨대 온도 변화(예 : 가열), 광 조사 등으로 박리가 용이해지는 접착제 또는 용제로 용출 가능한 가용성 접착제를 이용하는 것에 의해, 접합할 수 있다.
SOI 기판(307)의 실리콘층(305)의 두께는, 지지 부재(501)와의 접합후에 기계 화학 연마(CMP) 등의 방법으로 연삭하여 조정하더라도 좋다.
다음에, 도 6(b)에 도시하는 바와 같이 실리콘층(305) 및 SiO2층(303)을 단계적으로 에칭함으로써, 오목부(103)를 형성한다. 또, 이 공정은, 실시예 2에서의 도 5(a)의 공정과 동일한 방법에 의해 행하여진다.
그 후, 도 6(c) 및 도 6(d)에 도시하는 바와 같이 오목부(103)의 바닥부에 가동 반사막(105)을 형성하여, SOI 기판(307)을 실시예 1과 동일한 제 2 기판(200)과 접합한다. 이 공정은, 실시예 1에서의 도 3(b) 및 도 3(c)와 동일한 방법으로 행하여진다.
다음에, 도 6(e)에 도시하는 바와 같이 지지 부재(501)를 박리 후, 가동부(109)를 형성한다. 이때, 지지 부재(501)와 SOI 기판(307)의 접합에 열 박리성의 접착제(503)를 이용한 경우에는, 가열 처리에 의해 박리를 행한다. 또한, 특정한 용제에 가용성의 접착제(503)를 이용한 경우에는, 소정 용제에 의해 박리를 행한다. 가동부(109)의 형성에 대해서는, 실시예 1과 동일한 공정에 의해 행하여진다.
그 후, 도 6(f)에 도시하는 바와 같이 가동부(109)의 가동 반사막(105)을 형성한 면과 반대측 면에 반사 방지막(107)을 형성함으로써, 광 변조기(1)를 제조할 수 있다.
본 실시예에 의하면, 지지 부재(501)를 이용하는 것에 의해, 제 1 기판(100)의 강도를 보강하는 것이 가능해지기 때문에, 제 1 기판(1OO)의 두께를 얇게 형성한 경우에도 강도가 유지되기 때문에, 취급이 용이해져, 작업성이 향상된다. 또한, 제 1 기판(100)의 작업 시에서의 파손 등을 회피하는 것이 가능해져, 양품율이 향상된다. 또한, 가동부(109)의 두께를 얇게 하는 것이 가능해지기 때문에, 광 변조기의 가동성이 증가한다. 또한, 정전력을 작용시키는 정전 갭 Y의 크기인 오목부(103)의 깊이를 얕게 하는 것도 가능해져, 정전력을 보다 효과적으로 작용시키는 것이 가능해진다.
또, 본 예에서는, 제 1 기판(100)으로서 SOI 기판을 이용했지만, 제 1 기판(100)으로서 실리콘 기판을 이용하고, 지지 부재(501)를 접합하여, 동일한 공정에서 광 변조기(1)를 형성하는 것으로, 지지 부재(501)에 의한 동일한 효과를 얻을 수 있다.
(실시예 5)
본 실시예에서는, 제 1 기판이 바닥부 기판과 프레임으로 구성되는 예에 대하여 설명한다.
도 7은 실시예 5에 따른 광 변조기의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 도 7에 있어서, 도 2 내지 도 6에 대응하는 요소에 대해서는 동일 부호를 부여하고 설명을 생략한다.
도 7(a)에 도시하는 바와 같이 실시예 1과 동일한 방법에 의해 준비한 제 2 기판(200)에, 예컨대 실리콘 등으로 구성되는 기판(601)을 접합한다. 이 기판(601)은 스페이서로서 이용되고, 이 기판(601)의 두께가 후에 정전 갭 Y 및 가동부(109)의 가동 범위를 정하게 된다.
기판(601)과 제 2 기판(200)의 접합은, 기판(601)이 실리콘 기판이고, 제 2 기판(200)이 붕규산 유리 등의 알칼리 금속을 포함하는 유리 기판인 경우에는, 양극 접합에 의해 접합하는 것이 가능하다. 또한, 양극 접합이외에도, 예컨대, 가열 가압 접합, Au-Au 접합, 땜납 접합 등의 메탈라이즈에 의한 합금 접합, 접착제에 의한 접합 등도 이용할 수 있다.
도 7(b)에 도시하는 바와 같이 기판(601)에 관통 구멍(603)을 형성하고, 후에 접합하는 바닥부 기판(607)과 오목부(103)를 형성하게 되는 프레임(605)을 형성 한다. 관통 구멍(603)의 형성은, 예컨대 XeF2를 이용한 건식 에칭에 의해 행하여진다. 또, 에칭 가스로서 다른 가스를 이용해도 좋고, 또한, KOH 등의 알칼리 용액을 이용한 습식 에칭에 의해 행하여도 좋다.
도 7(c)에 도시하는 바와 같이, 프레임(605)을 접합한 제 2 기판(200)에 접합하기 위한, 지지 부재(501)로 지지된 바닥부 기판(607)을 준비한다.
바닥부 기판(607)은 실시예 4와 같이 예컨대 접착제(503)에 의해 지지 부재(501)와 접합된다. 바닥부 기판(607)으로서는 실리콘 기판이 이용된다. 바닥부 기판(607)은, 지지 부재(501)에 접합 후에, CMP 등의 방법에 의해 절삭하는 것에 의해 두께를 조정하더라도 좋다. 바닥부 기판(607)의 두께는 후에 형성되는 가동부(109)의 두께로 된다.
또한, 바닥부 기판(607)의 지지 부재(501)가 접합된 것과 반대측 면에 가동 반사막(105)을 형성한다. 가동 반사막(105)에 대해서는 실시예 1과 같이 형성할 수 있다.
도 7(d)에 도시하는 바와 같이, 프레임(605)과 바닥부 기판(607)을 접합한다. 프레임(605)과 바닥부 기판(607)의 접합은, 프레임(605) 및 바닥부 기판(607)이 실리콘으로 구성되어 있는 경우에는, 예컨대 표면 활성화 접합에 의해 실행할 수 있다. 또한, 이외에, 저융점 유리를 이용한 접합, 가열 가압 접합, Au-Au 접합, 땜납 접합 등의 메탈라이즈에 의한 합금 접합, 접착제에 의한 접합법 등도 이용할 수 있다.
그 후, 도 7(e)에 도시하는 바와 같이 실시예 4의 도 6(e) 및 도 6(f)와 동일한 공정에 의해, 지지 부재(501)를 박리하여, 반사 방지막(107)을 형성함으로써, 광 변조기(1)를 얻을 수 있다.
본 실시예에 의하면, 프레임(605)과 바닥부 기판(607)에 의해 오목부(103)를 형성하기 때문에, 프레임(605)의 두께에 의해 가동부(109)의 가동 범위 및 정전 갭 Y를 정하는 것이 가능해진다. 또한, 프레임(605)에 사용하는 기판(601)의 두께를 조정하는 것으로 오목부(103)의 깊이가 결정되기 때문에, 에칭 시간을 엄밀하게 제어할 필요가 없다. 따라서, 정밀도가 향상된 광 변조기(1)를 간편한 방법으로 제공하는 것이 가능해진다.
상술한 본 발명에 의하면, 희생층을 언더에칭하지 않고, 간편하고 정밀도 좋게 광학 갭을 형성 할 수 있는 광 변조기를 제공할 수 있는 효과가 있다.

Claims (18)

  1. 바닥부가 가동부로 되는 제 1 오목부가 마련되고, 상기 가동부에 가동 반사막이 형성된 제 1 기판과,
    상기 제 1 오목부와 대향하는 위치에 상기 제 1 오목부의 직경보다 작은 직경을 갖는 제 2 오목부가 마련되고, 당해 제 2 오목부의 바닥부에 고정 반사막이 형성된 제 2 기판
    을 구비하되,
    상기 제 1 오목부의 깊이는 상기 가동 반사막의 가동 범위를 결정하고, 상기 가동 반사막과 상기 고정 반사막의 간격에 의해 광학 갭이 정해지는 것을 특징으로 하는 광 변조기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판은 실리콘 기판이며, 상기 제 2 기판은 유리 기판인 광 변조기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판은 복수의 실리콘층 사이에 절연층을 구비한 적층 기판이며, 상기 제 2 기판은 유리 기판인 광 변조기.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 가동부와 상기 제 2 기판에 마련된 전극에 전압을 인가하는 것에 의해 발생하는 정전력에 의해 상기 가동부가 구동 가능하게 구성되어 있는 광 변조기.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 가동부의 상기 제 2 오목부와 대향하는 쪽의 평면부 전체에 상기 가동 반사막이 형성되어 있고, 당해 가동 반사막은 전기적 절연성을 갖는 광 변조기.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판은, 상기 바닥부를 구성하는 바닥부 기판과 당해 바닥부 기판에 접합되는 프레임으로 구성되어 있는 광 변조기.
  7. 제 1 기판의 한쪽 면을 에칭하여, 가동 반사막의 가동 범위를 정하는 제 1 오목부를 형성하는 제 1 공정과,
    제 2 기판의 한쪽 면을 에칭하여, 상기 제 1 오목부의 직경보다 작은 직경을 갖는 제 2 오목부를 형성하는 제 2 공정과,
    상기 제 1 오목부와 상기 제 2 오목부가 대향하도록 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판을 접합하는 제 3 공정과,
    상기 제 1 오목부의 바닥부를, 가동부로 되는 영역을 남기고 제거함으로써, 당해 바닥부에 가동부를 형성하는 제 4 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 변조기의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 기판은 실리콘 기판이며, 상기 제 2 기판은 유리 기판인 광 변조기의 제조 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 기판은 복수의 실리콘층 사이에 절연층을 포함하는 적층 기판이며, 상기 제 1 공정에서, 상기 절연층을 에칭 스톱퍼(etching stopper)로서 이용함으로써 상기 제 1 오목부를 형성하는 광 변조기의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 기판은 복수의 실리콘층 사이에 적어도 2층의 절연층을 포함하고, 상기 제 1 공정에서 상기 제 1 기판의 상기 제 1 오목부를 형성하는 면과 반대측 면의 당해 제 1 오목부와 대응하는 위치에, 상기 절연층을 에칭 스톱퍼로서 이용함으로써 제 3 오목부를 형성하는 공정을 더 포함하는 광 변조기의 제조 방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    적어도 상기 제 3 공정에서, 상기 제 1 기판에, 상기 제 1 기판을 지지하기 위한 분리 가능한 지지 부재가 부착되어 있는 광 변조기의 제조 방법.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 3 공정 전에, 상기 제 2 공정에 의해 얻어진 유리 기판의 상기 제 2 오목부의 주위로서, 상기 제 1 오목부와 대향하는 위치에 전극을 형성하는 광 변조기의 제조 방법.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 3 공정 전에, 상기 제 1 오목부의 바닥면에 가동 반사막으로 되는 반사층을 형성하는 광 변조기의 제조 방법.
  14. 유리 기판의 한쪽 면을 에칭하여, 오목부를 형성하는 제 1 공정과,
    상기 유리 기판의 오목부가 형성된 면에 제 1 실리콘 기판을 접합하는 제 2 공정과,
    상기 제 1 실리콘 기판의 상기 오목부와 대응하는 위치에, 당해 오목부보다 큰 구멍부를 형성하는 제 3 공정과,
    상기 제 1 실리콘 기판의 반대측 면에 제 2 실리콘 기판을 접합하는 제 4 공정과,
    상기 제 2 실리콘 기판을, 가동부로 되는 영역을 남기고 제거함으로써, 당해 제 2 실리콘 기판에 가동부를 형성하는 제 5 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 변조기의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    적어도 상기 제 4 공정에서, 상기 제 2 실리콘 기판에 당해 제 2 실리콘 기판을 지지하기 위한 분리 가능한 지지 부재가 부착되어 있는 광 변조기의 제조 방법.
  16. 광이 통과할 수 있는 재료로 구성되고, 오목부가 형성된 제 1 기판과,
    상기 오목부를 덮는 가동부가 형성된 제 2 기판과,
    상기 오목부의 바닥부에 형성된 고정 반사막과,
    상기 가동부에 형성된 가동 반사막과,
    상기 가동부를 상기 오목부의 바닥부를 향해서 가압하는 가압 수단과,
    상기 가동 반사막과 상기 고정 반사막을 미리 정해진 간격으로 유지하는 스톱퍼
    를 구비하고,
    상기 가동 반사막과 상기 고정 반사막의 간격에 의해 출사되는 광의 파장을 결정할 수 있는 광 변조기.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 스톱퍼는 상기 오목부의 둘레를 따라 형성되는 단차인 광 변조기.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 가압 수단은 상기 오목부의 둘레를 따라 형성된 구동 전극인 광 변조기.
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4548288B2 (ja) * 2005-09-22 2010-09-22 セイコーエプソン株式会社 波長可変フィルタ
JP4379457B2 (ja) * 2006-01-19 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 光学デバイス、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ
JP4466634B2 (ja) * 2006-01-19 2010-05-26 セイコーエプソン株式会社 光学デバイス、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ
US7734131B2 (en) * 2006-04-18 2010-06-08 Xerox Corporation Fabry-Perot tunable filter using a bonded pair of transparent substrates
WO2009052517A2 (en) * 2007-10-18 2009-04-23 Polyphaser Corporation Surge suppression device having one or more rings
US7944670B2 (en) * 2007-10-30 2011-05-17 Transtector Systems, Inc. Surge protection circuit for passing DC and RF signals
US7666702B2 (en) * 2007-11-28 2010-02-23 Memsmart Semiconductor Corp. Method for fabricating a microstructure
DE102008007345B4 (de) * 2008-02-04 2016-10-06 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
US8599528B2 (en) 2008-05-19 2013-12-03 Transtector Systems, Inc. DC and RF pass broadband surge suppressor
US8456791B2 (en) * 2009-10-02 2013-06-04 Transtector Systems, Inc. RF coaxial surge protectors with non-linear protection devices
US8400760B2 (en) * 2009-12-28 2013-03-19 Transtector Systems, Inc. Power distribution device
US8441795B2 (en) 2010-05-04 2013-05-14 Transtector Systems, Inc. High power band pass RF filter having a gas tube for surge suppression
US20110271802A1 (en) 2010-05-04 2011-11-10 Edward Honig Double handle tool
EP2569839B1 (en) 2010-05-11 2019-01-09 Transtector Systems, Inc Dc pass rf protector having a surge suppression module
US8611062B2 (en) 2010-05-13 2013-12-17 Transtector Systems, Inc. Surge current sensor and surge protection system including the same
US8976500B2 (en) 2010-05-26 2015-03-10 Transtector Systems, Inc. DC block RF coaxial devices
JP4831243B2 (ja) * 2010-05-28 2011-12-07 セイコーエプソン株式会社 波長可変フィルタ
JP4831244B2 (ja) * 2010-05-28 2011-12-07 セイコーエプソン株式会社 波長可変フィルタ
US8730637B2 (en) 2010-12-17 2014-05-20 Transtector Systems, Inc. Surge protection devices that fail as an open circuit
JP5786424B2 (ja) * 2011-04-11 2015-09-30 セイコーエプソン株式会社 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び電子機器
US20130003158A1 (en) * 2011-06-28 2013-01-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for optical decoupling
JP5013010B2 (ja) * 2011-08-31 2012-08-29 セイコーエプソン株式会社 波長可変フィルタ
JP5013011B2 (ja) * 2011-08-31 2012-08-29 セイコーエプソン株式会社 波長可変フィルタ
JP5919728B2 (ja) 2011-10-26 2016-05-18 セイコーエプソン株式会社 分光測定装置
US9054514B2 (en) 2012-02-10 2015-06-09 Transtector Systems, Inc. Reduced let through voltage transient protection or suppression circuit
US9048662B2 (en) 2012-03-19 2015-06-02 Transtector Systems, Inc. DC power surge protector
JP6003168B2 (ja) 2012-04-11 2016-10-05 セイコーエプソン株式会社 波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器
US9190837B2 (en) 2012-05-03 2015-11-17 Transtector Systems, Inc. Rigid flex electromagnetic pulse protection device
JP5543525B2 (ja) * 2012-05-15 2014-07-09 国立大学法人東北大学 光学デバイスおよびその製造方法
JP6098051B2 (ja) 2012-07-04 2017-03-22 セイコーエプソン株式会社 分光測定装置
US9124093B2 (en) 2012-09-21 2015-09-01 Transtector Systems, Inc. Rail surge voltage protector with fail disconnect
US10129993B2 (en) 2015-06-09 2018-11-13 Transtector Systems, Inc. Sealed enclosure for protecting electronics
US9924609B2 (en) 2015-07-24 2018-03-20 Transtector Systems, Inc. Modular protection cabinet with flexible backplane
US10356928B2 (en) 2015-07-24 2019-07-16 Transtector Systems, Inc. Modular protection cabinet with flexible backplane
US10588236B2 (en) 2015-07-24 2020-03-10 Transtector Systems, Inc. Modular protection cabinet with flexible backplane
US10193335B2 (en) 2015-10-27 2019-01-29 Transtector Systems, Inc. Radio frequency surge protector with matched piston-cylinder cavity shape
CN105372449B (zh) * 2015-12-03 2018-12-07 浙江大学 高精度单轴光学微加速度计中抑制串扰的微机械加速度敏感结构及其制造方法
JP2016095526A (ja) * 2016-01-05 2016-05-26 セイコーエプソン株式会社 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置
US9991697B1 (en) 2016-12-06 2018-06-05 Transtector Systems, Inc. Fail open or fail short surge protector

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR890003198A (ko) * 1987-07-29 1989-04-13 아오이 죠이치 팩시밀리장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
AUPO799197A0 (en) * 1997-07-15 1997-08-07 Silverbrook Research Pty Ltd Image processing method and apparatus (ART01)
US5949571A (en) * 1998-07-30 1999-09-07 Lucent Technologies Mars optical modulators
US6535318B1 (en) * 1999-11-12 2003-03-18 Jds Uniphase Corporation Integrated optoelectronic devices having pop-up mirrors therein and methods of forming and operating same
JP2002174721A (ja) 2000-12-06 2002-06-21 Yokogawa Electric Corp ファブリペローフィルタ
US6341039B1 (en) 2000-03-03 2002-01-22 Axsun Technologies, Inc. Flexible membrane for tunable fabry-perot filter
US6947195B2 (en) * 2001-01-18 2005-09-20 Ricoh Company, Ltd. Optical modulator, optical modulator manufacturing method, light information processing apparatus including optical modulator, image formation apparatus including optical modulator, and image projection and display apparatus including optical modulator
JP2002296519A (ja) * 2001-03-29 2002-10-09 Ricoh Co Ltd 光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置
US20020154381A1 (en) * 2001-04-24 2002-10-24 Bishop David John Mars optical modulators
JP2004219843A (ja) * 2003-01-16 2004-08-05 Seiko Epson Corp 光変調器、表示装置及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR890003198A (ko) * 1987-07-29 1989-04-13 아오이 죠이치 팩시밀리장치

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1019890003198
1020017004752

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060043520A (ko) 2006-05-15
CN100380166C (zh) 2008-04-09
US20050195463A1 (en) 2005-09-08
US7130103B2 (en) 2006-10-31
CN1667448A (zh) 2005-09-14
JP2005250376A (ja) 2005-09-15

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