KR100712181B1 - Organic electroluminescence device and method for fabricating of the same - Google Patents

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KR100712181B1 KR1020050123222A KR20050123222A KR100712181B1 KR 100712181 B1 KR100712181 B1 KR 100712181B1 KR 1020050123222 A KR1020050123222 A KR 1020050123222A KR 20050123222 A KR20050123222 A KR 20050123222A KR 100712181 B1 KR100712181 B1 KR 100712181B1
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고삼일
유병욱
성연주
이승현
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Abstract

본 발명은 전면발광 구조에 있어서, 하부전극인 애노드를 단일 금속층으로 사용할 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, wherein an anode, which is a lower electrode, can be used as a single metal layer in a top emitting structure.

본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하며, 금속을 포함하는 애노드; 상기 애노드 상에 위치하는 금속불화막; 상기 금속불화막 상에 위치하며, 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막층; 상기 유기막층 상에 위치하는 캐소드;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention is a substrate; An anode located on the substrate, the anode comprising a metal; A metal fluoride film positioned on the anode; An organic layer disposed on the metal fluoride layer and including at least an organic light emitting layer; And a cathode located on the organic layer.

플라즈마, 전면발광 유기전계발광소자 Plasma, Full-Emission Organic Light Emitting Diode

Description

유기전계발광소자 및 그 제조방법{Organic Electroluminescence Device And Method For Fabricating Of The Same}Organic electroluminescent device and method for manufacturing same {Organic Electroluminescence Device And Method For Fabricating Of The Same}

도 1 은 종래 유기전계발광소자의 단면도.1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device.

도 2 내지 도 4는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 단면도.2 to 4 are cross-sectional views of an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 단면도.5 to 7 are cross-sectional views of an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

<도면 주요부호에 대한 부호의 설명><Description of Symbols for Major Symbols in Drawings>

300 : 기판 310 : 버퍼층300 substrate 310 buffer layer

320 : 반도체층 330 : 게이트 절연막320: semiconductor layer 330: gate insulating film

340 : 게이트 전극 350 : 층간 절연막340: gate electrode 350: interlayer insulating film

351,352 : 콘택홀 361,362 : 소스/드레인 전극351,352 Contact holes 361,362 Source / drain electrodes

370 : 평탄화막 380 : 애노드370: planarization film 380: anode

385 : 금속불화막 390 : 화소정의막385: Metal Fluoride Film 390: Pixel Definition Film

400 : 유기막층 410 : 캐소드400: organic layer 410: cathode

본 발명은 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 전면발광 구조에 있어서, 하부전극인 애노드를 단일 금속층으로 사용할 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, in the front light emitting structure, the anode of the lower electrode can be used as a single metal layer.

최근에 음극선관(cathode ray tube)과 같은 종래의 표시소자의 단점을 해결하는 액정표시장치(liquid crystal display device), 유기전계발광장치(organic electroluminescence device) 또는 PDP(plasma display panel)등과 같은 평판형 표시장치(flat panel display device)가 주목받고 있다.Recently, a flat panel type such as a liquid crystal display device, an organic electroluminescence device, or a plasma display panel that solves the shortcomings of conventional display devices such as cathode ray tubes. Flat panel display devices are attracting attention.

상기 액정표시장치는 자체발광소자가 아니라 수광소자이기 때문에 밝기, 콘트라스트, 시야각 및 대면적화 등에 한계가 있고, PDP는 자체발광소자이기는 하지만, 다른 평판형표시장치에 비해 무게가 무겁고, 소비전력이 높을 뿐만 아니라 제조 방법이 복잡하다는 문제점이 있다.Since the liquid crystal display device is not a light emitting device but a light receiving device, there is a limit in brightness, contrast, viewing angle, and large area, and although the PDP is a light emitting device, it is heavier in weight and consumes more power than other flat panel display devices. In addition, there is a problem that the manufacturing method is complicated.

반면에, 유기전계발광장치는 자체발광소자이기 때문에 시야각, 콘트라스트 등이 우수하고, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량, 박형이 가능하고, 소비 전력 측면에서도 유리하다. 또한, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부 충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓을 뿐만 아니라 제조 방법이 단순하고 저렴하다는 장점을 가지고 있다.On the other hand, the organic light emitting device is excellent in viewing angle, contrast and the like because it is a self-luminous element, and can be light and thin because it does not require a backlight, and is advantageous in terms of power consumption. In addition, since it is possible to drive a DC low voltage, fast response speed, and all solid, it is resistant to external shock, wide use temperature range, and has a simple and inexpensive manufacturing method.

도 1은 종래 유기전계발광소자의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device.

도 1을 참조하면, 플라스틱 또는 절연유리로 이루어진 기판(100)을 제공한다. 상기 기판(100) 상에 버퍼층(110)을 형성하고, 상기 버퍼층(110) 상에 반도체층(120)을 형성한다. 상기 반도체층(120) 상에 게이트 절연막(130)을 형성한다.Referring to FIG. 1, a substrate 100 made of plastic or insulating glass is provided. A buffer layer 110 is formed on the substrate 100, and a semiconductor layer 120 is formed on the buffer layer 110. A gate insulating layer 130 is formed on the semiconductor layer 120.

이어서, 상기 게이트 절연막(130) 상에 상기 반도체층(120)의 일부 영역과 대응되게 게이트 전극(140)을 형성하고, 상기 게이트 전극(140) 상에 층간 절연막(150)을 형성한다. Subsequently, a gate electrode 140 is formed on the gate insulating layer 130 to correspond to a portion of the semiconductor layer 120, and an interlayer insulating layer 150 is formed on the gate electrode 140.

이후에, 상기 층간 절연막(150) 및 게이트 절연막(130)을 식각하여 콘택홀을 형성하고, 상기 층간 절연막(150) 상에 소스/드레인 전극(161,162)을 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(161,162)은 콘택홀을 통해 상기 반도체층(120)과 연결된다. Thereafter, the interlayer insulating layer 150 and the gate insulating layer 130 are etched to form contact holes, and source / drain electrodes 161 and 162 are formed on the interlayer insulating layer 150. The source / drain electrodes 161 and 162 are connected to the semiconductor layer 120 through contact holes.

이어서, 상기 기판(100) 상에 평탄화막(170)을 형성한다. 상기 평탄화막(170)을 식각하여, 상기 소스/드레인 전극(161,162)중 어느 하나에 연결되는 비어홀을 형성하고, 상기 평탄화막(170) 상에 반사막(180)을 포함하는 애노드(185)를 형성한다. 이때, 상기 반사막(180)은 Al, Ag 또는 이들의 합금을 사용할 수 있고, 상기 애노드(185)는 ITO 또는 IZO를 사용할 수 있다.Subsequently, a planarization layer 170 is formed on the substrate 100. The planarization layer 170 is etched to form a via hole connected to any one of the source / drain electrodes 161 and 162, and an anode 185 including a reflective layer 180 is formed on the planarization layer 170. do. In this case, the reflective film 180 may use Al, Ag, or an alloy thereof, and the anode 185 may use ITO or IZO.

상기 애노드(185)는 상기 콘택홀을 통해 상기 소스/드레인 전극(161,162)중 어느 하나에 연결된다.The anode 185 is connected to any one of the source / drain electrodes 161 and 162 through the contact hole.

이후에, 상기 기판(100) 상에 화소정의막(190)을 형성하고, 상기 화소정의막(190)을 식각하여, 상기 애노드(185)를 노출시킨다. 이어 상기 노출된 애노드(185) 상에 유기막층(200)을 형성한다. 상기 유기막층(200)은 적어도 발광층을 포함하며, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층을 더 포함할 수 있다.Thereafter, a pixel definition layer 190 is formed on the substrate 100, and the pixel definition layer 190 is etched to expose the anode 185. Subsequently, an organic layer 200 is formed on the exposed anode 185. The organic layer 200 may include at least a light emitting layer, and may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.

이후에, 상기 기판(100) 전면에 캐소드(210)를 형성하여 종래 유기전계발광소자를 완성한다.Thereafter, the cathode 210 is formed on the entire surface of the substrate 100 to complete the conventional organic light emitting display device.

종래 유기전계발광소자의 애노드는 메탈로 이루어진 반사막과 상기 반사막의 상부에 투명도전막이 적층되어 있는 구조이다. 상기와 같은 구조에서는 하부에 반사막이 빛을 반사시키는 역할을 하고, 상부의 투명도전막은 정공의 주입장벽을 감소시키는 역할을 한다. The anode of the conventional organic light emitting device has a structure in which a reflective film made of metal and a transparent conductive film are stacked on the reflective film. In the above structure, the reflective film reflects light at the bottom, and the transparent conductive film at the top serves to reduce the injection barrier of the hole.

그러나, 반사막과 투명도전막 간의 계면에서의 상호작용으로 인한 암점 발생과 상부의 투명도전막이 가지는 굴절률로 인하여 발광된 빛의 방출양이 감소되는 단점이 있었다. However, there is a disadvantage in that the amount of emitted light is reduced due to the generation of dark spots due to the interaction between the reflective film and the transparent conductive film and the refractive index of the upper transparent conductive film.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전면발광 구조에 있어서, 하부전극인 애노드를 단일 금속층으로 사용할 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above-mentioned disadvantages and problems of the prior art, in the front light emitting structure, to provide an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same that can use the anode as a lower metal in the front light emitting structure. There is an object of the invention.

본 발명의 상기 목적은 기판; 상기 기판 상에 위치하며, 금속을 포함하는 애노드; 상기 애노드 상에 위치하는 금속불화막; 상기 금속불화막 상에 위치하며, 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막층; 상기 유기막층 상에 위치하는 캐소드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자에 의해 달성된다.The object of the present invention is a substrate; An anode located on the substrate, the anode comprising a metal; A metal fluoride film positioned on the anode; An organic layer disposed on the metal fluoride layer and including at least an organic light emitting layer; It is achieved by an organic light emitting device comprising a; a cathode located on the organic film layer.

또한, 본 발명의 상기 목적은 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 애노드를 형성하는 단계; 상기 애노드를 표면처리하여 금속불화막을 형성하는 단계; 상기 금속불화막 상에 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막층을 형성하는 단계; 및 상기 유기막층 상에 캐소드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법에 의해 달성된다.In addition, the object of the present invention is to provide a substrate; Forming an anode on the substrate; Surface treatment of the anode to form a metal fluoride film; Forming an organic layer including at least an organic light emitting layer on the metal fluoride layer; And forming a cathode on the organic film layer; is achieved by the method of manufacturing an organic electroluminescent device comprising a.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Details of the above object and technical configuration of the present invention and the effects thereof according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention. In the drawings, the length, thickness, etc. of layers and regions may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

도 2 내지 도 4는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 단면도이다.2 to 4 are cross-sectional views of an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판(300)을 제공한다. 상기 기판(300)은 절연유리, 도전성기판 또는 플라스틱일 수 있다. 상기 기판(300) 상에 버퍼층(310)을 형성한다. 상기 버퍼층(310)은 실리콘산화막, 실리콘질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다. 상기 버퍼층(310) 상에 반도체층(320)을 형성한다. 상기 반도체층(320)은 비정질실리콘 또는 비정질실리콘을 결정화한 다결정실리콘일 수 있다.Referring to FIG. 2, a substrate 300 is provided. The substrate 300 may be an insulating glass, a conductive substrate, or plastic. A buffer layer 310 is formed on the substrate 300. The buffer layer 310 may be a silicon oxide film, a silicon nitride film, or multiple layers thereof. The semiconductor layer 320 is formed on the buffer layer 310. The semiconductor layer 320 may be polysilicon obtained by crystallizing amorphous silicon or amorphous silicon.

이어서, 상기 기판(300) 전면에 게이트 절연막(330)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(330)은 실리콘산화막, 실리콘질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다. Subsequently, a gate insulating layer 330 is formed on the entire surface of the substrate 300. The gate insulating layer 330 may be a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, or a multilayer thereof.

다음에, 상기 게이트 절연막(330) 상에 상기 반도체층(320)의 일부 영역과 대응되게 게이트 전극(340)을 형성한다. 상기 게이트 전극(340)은 Al, Cu 또는 Cr 등을 사용할 수 있다. 상기 기판(300) 전면에 층간 절연막(350)을 형성한다. 상기 층간 절연막(350)은 실리콘산화막, 실리콘질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다.Next, a gate electrode 340 is formed on the gate insulating layer 330 to correspond to a portion of the semiconductor layer 320. The gate electrode 340 may be made of Al, Cu, or Cr. An interlayer insulating layer 350 is formed on the entire surface of the substrate 300. The interlayer insulating film 350 may be a silicon oxide film, a silicon nitride film, or multiple layers thereof.

이후에, 상기 층간 절연막(350) 및 게이트 절연막(330)을 식각하여 상기 반도체층(320)을 노출시키는 콘택홀(351,352)을 형성한다. 이어, 상기 층간 절연막(350) 상에 소스/드레인 전극(361,362)을 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(361,362)은 Mo, Cr, Al, Ti, Au, Pd 또는 Ag로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있다. 또한, 상기 소스/드레인 전극(361,362)은 상기 콘택홀(351,352)을 통해 상기 반도체층(320)과 연결된다.Thereafter, the interlayer insulating film 350 and the gate insulating film 330 are etched to form contact holes 351 and 352 exposing the semiconductor layer 320. Subsequently, source / drain electrodes 361 and 362 are formed on the interlayer insulating layer 350. The source / drain electrodes 361 and 362 may use one selected from the group consisting of Mo, Cr, Al, Ti, Au, Pd, or Ag. In addition, the source / drain electrodes 361 and 362 are connected to the semiconductor layer 320 through the contact holes 351 and 352.

이후에, 도 3을 참조하면, 상기 기판(300) 전면에 평탄화막(370)을 형성한다. 상기 평탄화막(370)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질을 사용하여 형성할 수 있다. 3, the planarization layer 370 is formed on the entire surface of the substrate 300. The planarization layer 370 may be a polyacrylate resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, a polyimide resin, or an unsaturated polyester. One material selected from the group consisting of unsaturated polyesters resin, poly (phenylenethers) resin, poly (phenylenesulfides) resin and benzocyclobutene (BCB) It can be formed using.

또한, 상기 평탄화막(370)은 소스/드레인 전극(361,362)중 어느 하나를 노출시키는 비어홀(371)을 구비한다.In addition, the planarization layer 370 includes a via hole 371 exposing any one of the source / drain electrodes 361 and 362.

이후에, 본원 발명에서는 반사특성이 있는 도전물질로 애노드(380)를 형성한 다. 이는 종래에 전면발광 구조를 채택하는 경우, 애노드 전극은 반사막을 포함하는 투명도전성 산화막인 2층 구조로 형성함으로써, 공정이 복잡하고, 애노드 전극 형성물질이 제한된다는 단점이 있기 때문이다.Subsequently, in the present invention, the anode 380 is formed of a conductive material having reflective properties. This is because in the conventional case of adopting a top light emitting structure, the anode electrode is formed of a two-layer structure, which is a transparent conductive oxide film including a reflective film, and thus has a disadvantage in that the process is complicated and the anode electrode forming material is limited.

따라서, 본원 발명에서는 단일 반사특성이 있는 도전물질로 애노드를 형성함으로써, 투명도전성막이 필요 없게 된다.Therefore, in the present invention, the anode is formed of a conductive material having a single reflection characteristic, thereby eliminating the need for a transparent conductive film.

이때, 상기 반사특성이 있는 도전물질로는 금속이 바람직하며, Ag, Ag합금, Al, Al합금, Au, Pt, Cu 또는 Sn으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있으며, 상기 애노드(380)는 상기 기판(300) 상에 도전물질을 적층하고 패터닝하여 형성한다.At this time, the conductive material having the reflective properties is preferably a metal, one selected from the group consisting of Ag, Ag alloys, Al, Al alloys, Au, Pt, Cu or Sn, the anode 380 is The conductive material is stacked and patterned on the substrate 300.

이때, 상기 애노드(380)는 스퍼터링을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 애노드(380)는 적절한 반사특성을 나타낼 수 있도록 500 내지 2000Å 이상의 두께를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다. 상기 애노드(380)의 두께가 500Å보다 작으면 적절한 반사특성을 나타내기 어려우며, 상기 애노드(380)의 두께가 2000Å보다 크면 막 스트레스가 커져서 추후 상기 애노드(380)의 상부에 적층되는 유기막 또는 하부의 평탄화막과의 접착력이 떨어지기 때문이다.In this case, the anode 380 is preferably formed using sputtering. In addition, the anode 380 is preferably formed to have a thickness of 500 to 2000Å or more so as to exhibit an appropriate reflection characteristic. If the thickness of the anode 380 is less than 500 mV, it is difficult to exhibit proper reflection characteristics. If the thickness of the anode 380 is greater than 2000 mV, the film stress is increased, so that the organic layer or the lower layer of the anode 380 is later stacked. This is because the adhesive strength with the planarization film is poor.

그러나, 본원 발명에서는 반사특성이 있는 애노드를 사용함으로써 애노드로서 작용할 수 있는 일함수 조건을 만족할 수 없게 된다.However, in the present invention, by using an anode having reflective properties, the work function condition that can act as an anode cannot be satisfied.

따라서, 본원 발명의 반사특성이 있는 애노드의 일함수를 높여주기 위하여 애노드 상부를 표면처리 한다. 애노드(380)의 표면처리는 불소를 포함하는 CF3 또는 SF6를 이용하여 플라즈마법으로 표면처리를 시행하는 것이 바람직하다. Therefore, the surface of the anode is surface-treated in order to increase the work function of the anode having the reflective properties of the present invention. As for the surface treatment of the anode 380, it is preferable to perform surface treatment by the plasma method using CF3 or SF6 containing fluorine.

상기 애노드(380)를 불소를 포함하는 CF3 또는 SF6를 이용하여 플라즈마법으로 표면처리하게 되면, 상기 애노드(380)의 표면에 금속불화막(385)이 형성되는데 이때, 금속불화막(385)을 이루는 분자는 금속과 불소가 공유 결합하여 쌍극자 모멘트를 갖게 된다. 이때, 쌍극자 모멘트는 양극에서 음극으로의 방향성을 가지게 되며 이로써, 정공의 주입장벽을 효과적으로 줄일 수 있다. 상기 쌍극자 모멘트가 큰 물질로는 불소가 있으며, 상기 불소를 포함하는 CF3 또는 SF6를 플라즈마법의 소스로 사용할 수 있다. When the anode 380 is surface-treated with CF3 or SF6 containing fluorine, a metal fluoride film 385 is formed on the surface of the anode 380. At this time, the metal fluoride film 385 is formed. The molecules that make up covalently bond metals and fluorine to have dipole moments. At this time, the dipole moment has a direction from the anode to the cathode, thereby effectively reducing the hole injection barrier. The material having a large dipole moment is fluorine, and CF3 or SF6 containing the fluorine may be used as a plasma source.

이때, 상기 금속불화막(385)의 두께는 1 내지 1.5nm의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 금속불화막(385)의 두께가 1nm이하이면 주입된 전하들이 터널링을 할 수 없고, 1.5nm이상이면, 주입된 전하들이 터널링은 할 수 있지만 구동전압이 상승하게 되는 문제점이 발생한다. In this case, the thickness of the metal fluoride film 385 is preferably formed to a thickness of 1 to 1.5nm. If the thickness of the metal fluoride film 385 is 1 nm or less, the injected charges may not tunnel. If the thickness of the metal fluoride film 385 is 1.5 nm or more, the injected charges may tunnel, but a driving voltage may increase.

따라서, 상기 애노드(380) 상에 상기 쌍극자 모멘트가 큰 불소를 포함하는 CF3 또는 SF6로 플라즈마 처리를 하게 되면, 애노드와 정공주입층 사이에 존재하는 정공의 주입 장벽을 감소시키게 되어 정공의 이동이 쉽게 이루어질 수 있다.Therefore, when the plasma treatment is performed on the anode 380 with CF 3 or SF 6 containing fluorine having a large dipole moment, the hole injection barrier existing between the anode and the hole injection layer is reduced to facilitate the movement of holes. Can be done.

상기와 같이, 상기 애노드(380)를 불소를 포함하는 CF3 또는 SF6를 이용하여 플라즈마법으로 표면처리해줌으로써, 애노드를 단일 금속층으로 사용할 수 있어 발광효율이 향상되는 이점이 있다.As described above, the anode 380 is surface-treated by the plasma method using CF3 or SF6 containing fluorine, so that the anode can be used as a single metal layer, thereby improving luminous efficiency.

이후에, 도 4를 참조하면, 상기 기판(300) 전면에 화소정의막(390)을 형성한다. 상기 화소정의막(390)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질을 사용하여 형성할 수 있다. 이때, 상기 애노드(380)를 노출시키는 개구부를 형성한다.Subsequently, referring to FIG. 4, a pixel definition layer 390 is formed on the entire surface of the substrate 300. The pixel definition layer 390 may be made of polyacrylates, epoxy resins, phenolic resins, polyamides resins, polyimides resins, and unsaturated polys. Unsaturated polyesters resin, poly (phenylenethers) resin, polyphenylenesulfide resin (poly (phenylenesulfides) resin) and benzocyclobutene (benzocyclobutene (BCB)) It can be formed using a material. In this case, an opening for exposing the anode 380 is formed.

이어서, 상기 화소정의막(390)의 개구부에 의해 노출된 상기 애노드(380) 상에 유기막층(400)을 형성한다. 상기 유기막층(400)은 적어도 발광층을 포함하며, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 또는 전자주입층을 더 포함할 수 있다.Next, an organic layer 400 is formed on the anode 380 exposed by the opening of the pixel defining layer 390. The organic layer 400 may include at least a light emitting layer, and may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, or an electron injection layer.

이어서, 상기 기판(300) 전면에 캐소드(410)를 형성한다. 상기 캐소드(410)는 Al, Ag, Mg, Au, Ca 또는 Cr로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있다.Subsequently, a cathode 410 is formed on the entire surface of the substrate 300. The cathode 410 may use one selected from the group consisting of Al, Ag, Mg, Au, Ca, or Cr.

상기와 같이, 상기 애노드(380)를 불소를 이용하여 플라즈마법으로 표면 처리함으로써, 애노드를 단일 금속층으로 사용할 수 있어 발광효율이 향상되는 이점이 있다.As described above, by surface treatment of the anode 380 by the plasma method using fluorine, the anode can be used as a single metal layer has the advantage that the luminous efficiency is improved.

다음으로, 도 5 내지 도 7은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자의 단면도이다.5 to 7 are cross-sectional views of an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 기판(500)을 제공한다. 상기 기판(500)은 절연유리, 도전성기판 또는 플라스틱일 수 있다. 상기 기판(500) 상에 버퍼층(510)을 형성한다. 상기 버퍼층(510)은 실리콘산화막, 실리콘질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다. 상기 버퍼층(510) 상에 반도체층(520)을 형성한다. 상기 반도체층(520)은 비정질실리콘 또는 비정질실리콘을 결정화한 다결정실리콘일 수 있다.Referring to FIG. 5, a substrate 500 is provided. The substrate 500 may be an insulating glass, a conductive substrate, or plastic. A buffer layer 510 is formed on the substrate 500. The buffer layer 510 may be a silicon oxide film, a silicon nitride film, or multiple layers thereof. The semiconductor layer 520 is formed on the buffer layer 510. The semiconductor layer 520 may be polysilicon obtained by crystallizing amorphous silicon or amorphous silicon.

이어서, 상기 기판(500) 전면에 게이트 절연막(530)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(530)은 실리콘산화막, 실리콘질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다.Subsequently, a gate insulating layer 530 is formed on the entire surface of the substrate 500. The gate insulating layer 530 may be a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, or a multilayer thereof.

다음에, 상기 게이트 절연막(530) 상에 상기 반도체층(520)의 일부 영역과 대응되게 게이트 전극(540)을 형성한다. 상기 게이트 전극(540)은 Al, Cu 또는 Cr 등을 사용할 수 있다. 상기 기판(500) 전면에 층간 절연막(550)을 형성한다. 상기 층간 절연막(550)은 실리콘산화막, 실리콘질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다.Next, a gate electrode 540 is formed on the gate insulating layer 530 to correspond to a portion of the semiconductor layer 520. The gate electrode 540 may be made of Al, Cu, or Cr. An interlayer insulating layer 550 is formed on the entire surface of the substrate 500. The interlayer insulating layer 550 may be a silicon oxide film, a silicon nitride film, or multiple layers thereof.

이후에, 상기 층간 절연막(550) 및 게이트 절연막(530)을 식각하여 상기 반도체층(520)을 노출시키는 콘택홀(551,552)을 형성한다. 이어, 상기 층간 절연막(550) 상에 소스/드레인 전극(561,562)을 형성한다. 상기 소스/드레인 전극(561,562)은 Mo, Cr, Al, Ti, Au, Pd 또는 Ag로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있다. 또한, 상기 소스/드레인 전극(561,562)은 상기 콘택홀(551,552)을 통해 상기 반도체층(520)과 연결된다.Thereafter, the interlayer insulating layer 550 and the gate insulating layer 530 are etched to form contact holes 551 and 552 exposing the semiconductor layer 520. Next, source / drain electrodes 561 and 562 are formed on the interlayer insulating layer 550. The source / drain electrodes 561 and 562 may use one selected from the group consisting of Mo, Cr, Al, Ti, Au, Pd, or Ag. In addition, the source / drain electrodes 561 and 562 are connected to the semiconductor layer 520 through the contact holes 551 and 552.

이후에, 도 6을 참조하면, 상기 기판(500) 전면에 평탄화막(570)을 형성한다. 상기 평탄화막(570)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질을 사용하여 형성할 수 있다. Subsequently, referring to FIG. 6, a planarization film 570 is formed on the entire surface of the substrate 500. The planarization layer 570 may be a polyacrylate resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, a polyimide resin, or an unsaturated polyester. One material selected from the group consisting of unsaturated polyesters resin, poly (phenylenethers) resin, poly (phenylenesulfides) resin and benzocyclobutene (BCB) It can be formed using.

또한, 상기 평탄화막(570)은 소스/드레인 전극(561,562)중 어느 하나를 노출시키는 비어홀(571)을 구비한다.In addition, the planarization layer 570 includes a via hole 571 exposing any one of the source and drain electrodes 561 and 562.

이어서, 상기 평탄화막(570) 상에 투명도전물질을 적층한 후, 패터닝하여 상기 소스/드레인 전극(561,562)중 어느 하나에 오믹 콘택을 이루기 위하여 보조전극층(575)을 형성한다. 추후 형성되는 애노드와 상기 소스/드레인 전극(561,562)과의 접촉특성을 향상시킬 수 있다. 이때, 상기 보조전극층(575)은 ITO, IZO 또는 ZnO로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용하여 형성한다.Subsequently, the transparent conductive material is stacked on the planarization layer 570, and then patterned to form an auxiliary electrode layer 575 to form an ohmic contact with one of the source / drain electrodes 561 and 562. It is possible to improve contact characteristics between the anode formed later and the source / drain electrodes 561 and 562. In this case, the auxiliary electrode layer 575 is formed using one selected from the group consisting of ITO, IZO or ZnO.

이후에, 상기 보조전극층(575) 상에 도전물질을 적층하고 패터닝하여 애노드(580)를 형성한다. 상기 애노드(580)는 반사특성이 있는 도전물질로 금속이 바람직하며, Ag, Ag합금, Al, Al합금, Au, Pt, Cu 또는 Sn으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있다.Thereafter, an anode 580 is formed by stacking and patterning a conductive material on the auxiliary electrode layer 575. The anode 580 is preferably a conductive material having reflective properties, and may be one selected from the group consisting of Ag, Ag alloy, Al, Al alloy, Au, Pt, Cu, or Sn.

이때, 상기 애노드(580)는 스퍼터링을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 애노드(580)는 적절한 반사특성을 나타낼 수 있도록 500 내지 2000Å 이상의 두께를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다. 상기 애노드(580)의 두께가 500Å보다 작으면 적절한 반사특성을 나타내기 어려우며, 상기 애노드(580)의 두께가 2000Å보다 크면 막 스트레스가 커져서 추후 상기 애노드(580)의 상부에 적층되는 유기막 또는 하부의 평탄화막과의 접착력이 떨어지기 때문이다.In this case, the anode 580 is preferably formed using sputtering. In addition, the anode 580 is preferably formed to have a thickness of 500 to 2000Å or more so as to exhibit an appropriate reflection characteristic. If the thickness of the anode 580 is less than 500 mV, it is difficult to exhibit proper reflection characteristics. If the thickness of the anode 580 is greater than 2000 mV, the film stress is increased, so that the organic layer or the lower layer of the anode 580 is later stacked. This is because the adhesive strength with the planarization film is poor.

그러나, 본원 발명에서는 반사특성이 있는 애노드를 사용함으로써 애노드로서 작용할 수 있는 일함수조건을 만족할 수 없게 된다. However, in the present invention, by using an anode having reflective properties, the work function condition that can act as an anode cannot be satisfied.

따라서, 본원 발명의 반사특성이 있는 애노드의 일함수를 높여주기 위하여 애노드 상부를 표면처리한다.Therefore, the surface of the anode is treated to increase the work function of the anode having the reflective properties of the present invention.

이때, 제 1 실시 예와 동일하게 상기 애노드(580)의 표면처리는 불소를 포함하는 CF3 또는 SF6를 이용하여 플라즈마법으로 표면처리를 시행하는 것이 바람직하다. At this time, as in the first embodiment, the surface treatment of the anode 580 is preferably performed by the plasma method using CF3 or SF6 containing fluorine.

상기 애노드(580)를 불소를 포함하는 CF3 또는 SF6를 이용하여 플라즈마법으로 표면처리하게 되면, 상기 애노드(580)의 표면에 금속불화막(585)이 형성되는데 이때, 금속불화막(585)을 이루는 분자는 금속과 불소가 공유 결합하여 쌍극자 모멘트를 갖게 된다. 이때, 쌍극자 모멘트는 양극에서 음극으로의 방향성을 가지게 되며 이로써, 정공의 주입장벽을 효과적으로 줄일 수 있다. 상기 쌍극자 모멘트가 큰 물질로는 불소가 있으며, 상기 불소를 포함하는 CF3 또는 SF6를 플라즈마법의 소스로 사용할 수 있다. When the anode 580 is surface-treated with CF3 or SF6 containing fluorine, a metal fluoride film 585 is formed on the surface of the anode 580. At this time, the metal fluoride film 585 is formed. The molecules that make up covalently bond metals and fluorine to have dipole moments. At this time, the dipole moment has a direction from the anode to the cathode, thereby effectively reducing the hole injection barrier. The material having a large dipole moment is fluorine, and CF3 or SF6 containing the fluorine may be used as a plasma source.

이때, 상기 금속불화막(585)의 두께는 1 내지 1.5nm의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 금속불화막(585)의 두께가 1nm이하이면 주입된 전하들이 터널링을 할 수 없고, 1.5nm이상이면, 주입된 전하들이 터널링은 할 수 있지만 구동전압이 상승하게 되는 문제점이 발생한다.At this time, the thickness of the metal fluoride film 585 is preferably formed to a thickness of 1 to 1.5nm. If the thickness of the metal fluoride film 585 is less than or equal to 1 nm, the injected charges may not be tunneled. If the thickness of the metal fluoride film 585 is greater than or equal to 1.5 nm, the injected charges may be tunneled, but a driving voltage may increase.

따라서, 상기 애노드(580) 상에 상기 쌍극자 모멘트가 큰 불소를 포함하는 CF3 또는 SF6로 플라즈마 처리를 하게 되면, 애노드와 정공주입층 사이에 존재하는 정공의 주입 장벽을 감소시키게 되어 정공의 이동이 쉽게 이루어질 수 있다.Therefore, when plasma treatment is performed on the anode 580 with CF 3 or SF 6 containing fluorine having a large dipole moment, hole injection barriers existing between the anode and the hole injection layer are reduced to facilitate the movement of holes. Can be done.

상기와 같이, 상기 애노드(580)를 불소를 포함하는 CF3 또는 SF6를 이용하여 플라즈마법으로 표면처리해줌으로써, 애노드를 단일 금속층으로 사용할 수 있어 발 광효율이 향상되는 이점이 있다.As described above, by surface treatment of the anode 580 by using a plasma method using CF3 or SF6 containing fluorine, the anode can be used as a single metal layer has the advantage that the luminous efficiency is improved.

이후에, 도 7를 참조하면, 상기 기판(500) 전면에 화소정의막(590)을 형성한다. 상기 화소정의막(590)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질을 사용하여 형성할 수 있다. 이때, 상기 애노드(580)를 노출시키는 개구부를 형성한다.Subsequently, referring to FIG. 7, a pixel definition layer 590 is formed on the entire surface of the substrate 500. The pixel defining layer 590 may be made of polyacrylates, epoxy resins, phenolic resins, polyamides resins, polyimides resins, and unsaturated polys. Unsaturated polyesters resin, poly (phenylenethers) resin, polyphenylenesulfide resin (poly (phenylenesulfides) resin) and benzocyclobutene (benzocyclobutene (BCB)) It can be formed using a material. At this time, an opening for exposing the anode 580 is formed.

이어서, 상기 화소정의막(590)의 개구부에 의해 노출된 상기 애노드(580) 상에 유기막층(600)을 형성한다. 상기 유기막층(600)은 적어도 발광층을 포함하며, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 또는 전자주입층을 더 포함할 수 있다.Next, an organic layer 600 is formed on the anode 580 exposed by the opening of the pixel definition layer 590. The organic layer 600 may include at least a light emitting layer, and may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, or an electron injection layer.

이어서, 상기 기판(500) 전면에 캐소드(610)를 형성한다. 상기 캐소드(610)는 Al, Ag, Mg, Au, Ca 또는 Cr로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용할 수 있다.Subsequently, a cathode 610 is formed on the entire surface of the substrate 500. The cathode 610 may use one selected from the group consisting of Al, Ag, Mg, Au, Ca, or Cr.

상기와 같이, 상기 애노드(580)를 불소를 포함하는 CF3 또는 SF6를 이용하여 플라즈마법으로 표면 처리함으로써, 애노드를 단일 금속층으로 사용할 수 있어 발광효율이 향상되는 이점이 있다.As described above, by treating the anode 580 by plasma method using CF3 or SF6 containing fluorine, the anode can be used as a single metal layer, thereby improving the luminous efficiency.

본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다 양한 변경과 수정이 가능할 것이다.Although the present invention has been shown and described with reference to the preferred embodiments as described above, it is not limited to the above embodiments and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Various changes and modifications will be possible.

따라서, 본 발명의 유기전계발광소자 및 그 제조방법은 전면발광 구조에 있어서, 애노드를 단일 금속층으로 사용할 수 있어 발광효율이 향상되는 효과가 있다.Therefore, the organic light emitting display device and the method of manufacturing the same of the present invention have the effect of improving the luminous efficiency since the anode can be used as a single metal layer in the front light emitting structure.

Claims (12)

기판;Board; 상기 기판 상에 위치하며, 금속을 포함하는 애노드;An anode located on the substrate, the anode comprising a metal; 상기 애노드 상에 위치하는 금속불화막;A metal fluoride film positioned on the anode; 상기 금속불화막 상에 위치하며, 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막층;An organic layer disposed on the metal fluoride layer and including at least an organic light emitting layer; 상기 유기막층 상에 위치하는 캐소드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.And a cathode positioned on the organic layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 애노드는 소스/드레인 전극 중 어느 하나와 오믹 콘택을 이루는 보조전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The anode further comprises an auxiliary electrode layer making an ohmic contact with any one of the source / drain electrodes. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 보조전극층은 ITO, IZO 및 ZnO로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The auxiliary electrode layer is an organic light emitting display device using one selected from the group consisting of ITO, IZO and ZnO. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속은 Ag, Ag합금, Al, Al합금, Au, Pt, Cu 또는 Sn으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The metal is an organic light emitting display device using one selected from the group consisting of Ag, Ag alloys, Al, Al alloys, Au, Pt, Cu or Sn. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 애노드는 500 내지 2000Å의 두께로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The anode is an organic light emitting device, characterized in that consisting of a thickness of 500 to 2000Å. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속불화막은 1 내지 1.5nm의 두께로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.The metal fluoride film is an organic light emitting display device, characterized in that made of a thickness of 1 to 1.5nm. 기판을 제공하는 단계;Providing a substrate; 상기 기판 상에 애노드를 형성하는 단계;Forming an anode on the substrate; 상기 애노드를 표면처리하여 금속불화막을 형성하는 단계; Surface treatment of the anode to form a metal fluoride film; 상기 금속불화막 상에 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막층을 형성하는 단계; 및Forming an organic layer including at least an organic light emitting layer on the metal fluoride layer; And 상기 유기막층 상에 캐소드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법. Forming a cathode on the organic film layer; manufacturing method of an organic light emitting device comprising a. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 애노드를 형성하기 이전에 소스/드레인 전극과 오믹 콘택을 이루는 보조전극층을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.And forming an auxiliary electrode layer having ohmic contact with the source / drain electrodes before forming the anode. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 보조전극층은 ITO, IZO 및 ZnO로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.The auxiliary electrode layer is a method of manufacturing an organic light emitting display device, characterized in that using one selected from the group consisting of ITO, IZO and ZnO. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 표면처리는 플라즈마법을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.The surface treatment is a method of manufacturing an organic light emitting device, characterized in that using the plasma method. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 플라즈마법은 CF3 또는 SF6를 소스로 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.The plasma method is a method of manufacturing an organic light emitting display device, characterized in that the source using CF3 or SF6. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 애노드는 Ag, Ag합금, Al, Al합금, Au, Pt, Cu 또는 Sn으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.The anode is a method of manufacturing an organic light emitting display device, characterized in that using one selected from the group consisting of Ag, Ag alloys, Al, Al alloys, Au, Pt, Cu or Sn.
KR1020050123222A 2005-12-14 2005-12-14 Organic electroluminescence device and method for fabricating of the same KR100712181B1 (en)

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101308466B1 (en) 2007-10-08 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same
KR101319343B1 (en) 2007-10-23 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same
KR100963076B1 (en) * 2008-10-29 2010-06-14 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic Light Emitting Display Device
JP6044847B2 (en) 2012-02-03 2016-12-14 ソニー株式会社 Semiconductor device and electronic equipment
US9698386B2 (en) * 2012-04-13 2017-07-04 Oti Lumionics Inc. Functionalization of a substrate
KR101397125B1 (en) 2012-09-28 2014-05-19 엘지디스플레이 주식회사 array substrate for organic electro luminescent device and method of fabricating the same
KR102054850B1 (en) * 2013-05-30 2019-12-12 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR102540372B1 (en) * 2015-05-28 2023-06-05 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
GB2567897A (en) * 2017-10-31 2019-05-01 Flexenable Ltd Source-drain conductors for organic TFTS
KR20220033650A (en) * 2020-09-09 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 Reflective electrode and display device having the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040095189A (en) * 2003-05-05 2004-11-12 이스트맨 코닥 캄파니 Highly transparent top electrode for oled device
KR20050017169A (en) * 2003-08-08 2005-02-22 삼성에스디아이 주식회사 Organic electroluminescent display device using anode surface reforming layer

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5965281A (en) * 1997-02-04 1999-10-12 Uniax Corporation Electrically active polymer compositions and their use in efficient, low operating voltage, polymer light-emitting diodes with air-stable cathodes
JP3631014B2 (en) * 1998-11-12 2005-03-23 出光興産株式会社 Organic EL display element and manufacturing method thereof
US6483236B1 (en) * 2000-05-24 2002-11-19 Eastman Kodak Company Low-voltage organic light-emitting device
JP3804858B2 (en) * 2001-08-31 2006-08-02 ソニー株式会社 Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof
JP2003123989A (en) * 2001-10-12 2003-04-25 Matsushita Electric Works Ltd Organic electroluminescent element and its producing method
JP3730573B2 (en) * 2002-01-16 2006-01-05 シャープ株式会社 Exposure apparatus and image forming apparatus
WO2004015746A2 (en) * 2002-08-12 2004-02-19 Colorado State University Research Foundation Low work function metal complexes and uses thereof
JP3877692B2 (en) * 2003-03-28 2007-02-07 三洋電機株式会社 Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same
JP4556566B2 (en) * 2003-11-11 2010-10-06 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus
US7049741B2 (en) * 2004-01-27 2006-05-23 Eastman Kodak Company Organic light emitting diode with improved light emission through substrate
US20050186444A1 (en) * 2004-02-25 2005-08-25 Eastman Kodak Company Electroluminescent devices having conjugated arylamine polymers
KR100579192B1 (en) * 2004-03-11 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 Top-emission type organic electro luminescence display device and method for fabricating of the same
US7582365B2 (en) * 2005-01-10 2009-09-01 Universal Display Corporation Reversibly reducible metal complexes as electron transporting materials for OLEDs
KR20050113045A (en) * 2004-05-28 2005-12-01 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display device and the method for fabricating of the same
KR101080354B1 (en) * 2004-08-12 2011-11-04 삼성전자주식회사 Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
US7402947B2 (en) * 2004-09-08 2008-07-22 The Hong Kong University Of Science And Technology Anode for organic light emitting diode
TWI299355B (en) * 2005-01-20 2008-08-01 Au Optronics Corp Organic light emitting diode and display including the same
TWI245587B (en) * 2005-02-17 2005-12-11 Au Optronics Corp Organic electro luminescence devices, flat panel displays, and portable electronics using the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040095189A (en) * 2003-05-05 2004-11-12 이스트맨 코닥 캄파니 Highly transparent top electrode for oled device
KR20050017169A (en) * 2003-08-08 2005-02-22 삼성에스디아이 주식회사 Organic electroluminescent display device using anode surface reforming layer

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1020040095189
1020050017169

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Publication number Publication date
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EP1798784A2 (en) 2007-06-20
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