KR100699618B1 - 반도체 제조 설비, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법 - Google Patents
반도체 제조 설비, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (17)
- 사용시 발열을 수반하는 반도체 제조 기기와, 상기 반도체 제조 기기의 발열부(1)를 냉각시키는 냉각 장치(2)를 구비한 반도체 제조 설비에 있어서,상기 냉각 장치(2)는,상기 발열부(1)의 외주부를 둘러싸도록 형성되고, 수직 방향 하부에 냉각수의 입구(31)를 구비한 내측 유로(21)와,상기 내측 유로(21)와 연통하고, 상기 내측 유로(21)의 외주부를 둘러싸도록 형성되고 또한 내측 유로의 냉각수와의 사이에서 열교환할 수 있도록 형성되며, 수직 방향 상부에 냉각수의 출구(32)를 구비한 외측 유로(22)와,상기 내측 유로의 수직 방향 상부와 상기 외측 유로의 수직 방향 하부를 접속시키는 연통로(24)와,상기 외측 유로(22)의 출구(32)로부터 유출된 냉각수를 냉각시켜 내측 유로(21)의 입구(31)로 공급하는 냉각수 공급 설비를 구비하는 것을 특징으로 하는반도체 제조 설비.
- 사용시 발열을 수반하는 반도체 제조 기기와, 상기 반도체 제조 기기의 발열부(1)를 냉각시키는 냉각 장치(2)를 구비한 반도체 제조 설비에 있어서,상기 냉각 장치(2)는,상기 발열부(1)의 외주부를 둘러싸도록 형성되고, 수직 방향 하부에 냉각수의 입구(31)를 구비한 내측 유로(21)와,상기 내측 유로(21)와 연통하고, 상기 내측 유로(21)의 외주부를 둘러싸도록 형성되고 또한 내측 유로의 냉각수와의 사이에서 열교환할 수 있도록 형성되며, 수직 방향 하부에 냉각수의 출구(32)를 구비한 외측 유로(22)와,상기 내측 유로의 수직 방향 상부와 상기 외측 유로의 수직 방향 상부를 접속시키는 연통로(24)와,상기 외측 유로(22)의 출구(32)로부터 유출된 냉각수를 냉각시켜 내측 유로(21)의 입구(31)로 공급하는 냉각수 공급 설비를 구비하는 것을 특징으로 하는반도체 제조 설비.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 내측 유로(21)의 입구(31)의 냉각수의 온도를 반도체 제조 기기 주변의 공기의 온도보다도 낮은 온도로 설정하고, 상기 외측 유로(22)의 출구(32)의 냉각수의 온도를 반도체 제조 기기 주변의 공기의 온도와 동일해지도록 냉각수량을 조정하는 유량 제어 수단(46, 49)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는반도체 제조 설비.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 냉각수 공급 설비는 냉동기(41)를 포함하며, 상기 내측 유로(21)의 입구(31)로 공급되는 냉각수는 상기 냉동기(41)에 의해 냉각되는 것을 특징으로 하는반도체 제조 설비.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 냉각수 공급 설비는 냉동기(41) 및 열교환기를 포함하며, 상기 내측 유로(21)의 입구(31)로 공급되는 냉각수는 상기 냉동기(41)에 의해 만들어진 냉수를 상기 열교환기에 의해 열교환하여 냉각되는 것을 특징으로 하는반도체 제조 설비.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 냉각수 공급 설비는,상기 내측 유로(21)의 입구(31)로 공급되는 냉각수의 유량을 제어하는 유량 제어부(46)와,상기 외측 유로(22)의 출구(32)의 냉각수 온도를 검출하는 온도 검출부(48)와,상기 온도 검출부에서 검출된 온도 검출값에 근거하여 상기 외측 유로의 출구(32)의 냉각수의 온도가 설정 온도가 되도록 상기 유량 제어부(46)를 통해 냉각수의 송수량을 제어하는 제어부(49)를 구비하는 것을 특징으로 하는반도체 제조 설비.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 냉각수 공급 설비는,상기 내측 유로(21)의 입구(31)와 상기 외측 유로(22)의 출구(32) 사이를 연결하는 바이패스 유로(7)와,상기 바이패스 유로에 마련된 유량 제어부(71)와,상기 외측 유로(22)의 출구(32)의 냉각수의 온도를 검출하는 온도 검출부(48)와,상기 온도 검출부(48)에서 검출된 온도 검출값에 근거하여, 상기 외측 유로(22)의 출구(32)의 냉각수의 온도가 설정 온도가 되도록 상기 유량 제어부(71)를 통해 냉각수의 송수량을 제어하는 제어부(49)를 구비하는 것을 특징으로 하는반도체 제조 설비.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 내측 유로(21)의 입구(31)로 공급되는 냉각수중의 용존 산소를 제거하 기 위한 탈산소 수단(61, 62, 63)과,상기 냉각수에 환원성 물질을 용해하기 위한 환원성 물질 용해 수단(61, 62, 63)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는반도체 제조 설비.
- 제 8 항에 있어서,상기 탈산소 수단 및 상기 환원성 물질 용해 수단(61, 62, 63)은 탈산소용 가스 및 환원성 가스의 혼합 가스를 냉각수내에 버블링에 의해 공급하는 수단인 것을 특징으로 하는반도체 제조 설비.
- 제 8 항에 있어서,냉각수를 저장하는 밀폐된 탱크(72)를 더 구비하고, 상기 탈산소 수단은 상기 탱크(72)내의 기상부를 감압하는 감압 수단(64)이며, 환원성 물질 용해 수단(61, 65)은 환원성 가스를 감압된 기상부로 공급하는 것을 특징으로 하는반도체 제조 설비.
- 제 8 항에 있어서,환원성 물질은 수소인 것을 특징으로 하는반도체 제조 설비.
- 제 11 항에 있어서,상기 내측 유로(21)의 입구(31)로 공급하는 냉각수는 수소 용해량이 0.4ppm 이상이고, 또한 사용 온도에서 포화 용해도 이하의 농도의 수소가 용해되어 있는 것을 특징으로 하는반도체 제조 설비.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,냉각수가 흐르는 유로부의 외면에, 가스상 오염 물질을 발생시키지 않는 단열재가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는반도체 제조 설비.
- 반도체 제조 장치에 있어서,발열부(1)를 갖는 반도체 제조 기기와,상기 발열부(1)의 외주부를 둘러싸도록 형성되고, 수직 방향 하부에 냉각수의 입구(31)를 갖춘 내측 유로(21)와상기 내측 유로(21)와 연통하고, 상기 내측 유로(21)의 외주부를 둘러싸도록 형성되고 또한 내측 유로의 냉각수와의 사이에서 열교환할 수 있도록 형성되며, 수직 방향 상부에 냉각수의 출구(32)를 구비한 외측 유로(22)와,상기 내측 유로의 수직 방향 상부와 상기 외측 유로의 수직 방향 하부를 접속시키는 연통로(24)와,상기 외측 유로(22)의 출구(32)로부터 유출된 냉각수를 냉각시켜 내측 유로(21)의 입구(31)로 공급하는 냉각수 공급 설비를 구비한 것을 특징으로 하는반도체 제조 장치.
- 반도체 제조 장치에 있어서,발열부(1)를 갖는 반도체 제조 기기와,상기 발열부(1)의 외주부를 둘러싸도록 형성되고, 수직 방향 하부에 냉각수의 입구(31)를 구비한 내측 유로(21)와,상기 내측 유로(21)와 연통하고, 상기 내측 유로(21)의 외주부를 둘러싸도록 형성되고 또한 내측 유로의 냉각수와의 사이에서 열교환할 수 있도록 형성되며, 수직 방향 하부에 냉각수의 출구(32)를 구비한 외측 유로(22)와,상기 내측 유로의 수직 방향 상부와 상기 외측 유로의 수직 방향 상부를 접속시키는 연통로(24)와,상기 외측 유로(22)의 출구(32)로부터 유출된 냉각수를 냉각시켜 내측 유로(21)의 입구(31)로 공급하는 냉각수 공급 설비를 구비한 것을 특징으로 하는반도체 제조 장치.
- ⓐ 발열부(1)를 갖는 반도체 제조 기기와, ⓑ 상기 발열부(1)의 외주부를 둘러싸도록 형성되고, 수직 방향 하부에 냉각수의 입구(31)를 구비한 내측 유로(21)와, ⓒ 상기 내측 유로(21)와 연통하고, 상기 내측 유로(21)의 외주부를 둘러싸도록 형성되고 또한 내측 유로의 냉각수와의 사이에서 열교환할 수 있도록 형성되며, 수직 방향 상부에 냉각수의 출구(32)를 구비한 외측 유로(22)와, ⓓ 상기 내측 유로의 수직 방향 상부와 상기 외측 유로의 수직 방향 하부를 접속시키는 연통로(24)와, ⓔ 상기 외측 유로(22)의 출구(32)로부터 유출된 냉각수를 냉각시켜 내측 유로(21)의 입구(31)로 공급하는 냉각수 공급 설비와, ⓕ 상기 내측 유로(21)의 입구(31)로 공급되는 냉각수의 유량을 제어하는 유량 제어부(46)와, ⓖ 상기 외측 유로(22)의 출구(32)의 냉각수의 온도를 검출하는 온도 검출부(48)를 구비한 반도체 제조 장치를 사용하여 반도체를 제조하는 반도체 제조 방법에 있어서,상기 온도 검출부(48)에서 검출된 온도 검출값에 근거하여 상기 외측 유로(21)의 출구(32)의 냉각수의 온도가 설정 온도가 되도록 상기 유량 제어부(46)를 통해 냉각수의 송수량을 제어하면서 반도체의 처리를 실시하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는반도체 제조 방법.
- ⓐ 발열부(1)를 갖는 반도체 제조 기기와, ⓑ 상기 발열부(1)의 외주부를 둘러싸도록 형성되고, 수직 방향 하부에 냉각수의 입구(31)를 구비한 내측 유로(21)와, ⓒ 상기 내측 유로(21)와 연통하고, 상기 내측 유로(21)의 외주부를 둘러싸도록 형성되고 또한 내측 유로의 냉각수와의 사이에서 열교환할 수 있도록 형성되며, 수직 방향 하부에 냉각수의 출구(32)를 구비한 외측 유로(22)와, ⓓ 상기 내측 유로의 수직 방향 상부와 상기 외측 유로의 수직 방향 상부를 접속시키는 연통로(24)와, ⓔ 상기 외측 유로(22)의 출구(32)로부터 유출된 냉각수를 냉각시켜 내측 유로(21)의 입구(31)로 공급하는 냉각수 공급 설비와, ⓕ 상기 내측 유로(21)의 입구(31)로 공급되는 냉각수의 유량을 제어하는 유량 제어부(46)와, ⓖ 상기 외측 유로(22)의 출구(32)의 냉각수의 온도를 검출하는 온도 검출부(48)를 구비한 반도체 제조 장치를 사용하여 반도체를 제조하는 반도체 제조 방법에 있어서,상기 온도 검출부(48)에서 검출된 온도 검출값에 근거하여 상기 외측 유로(21)의 출구(32)의 냉각수의 온도가 설정 온도가 되도록 상기 유량 제어부(46)를 통해 냉각수의 송수량을 제어하면서 반도체의 처리를 실시하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는반도체 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18973399 | 1999-07-02 | ||
JPJP-P-1999-00189733 | 1999-07-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020031350A KR20020031350A (ko) | 2002-05-01 |
KR100699618B1 true KR100699618B1 (ko) | 2007-03-23 |
Family
ID=16246283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020017016842A KR100699618B1 (ko) | 1999-07-02 | 2000-06-29 | 반도체 제조 설비, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6427462B1 (ko) |
JP (1) | JP4421158B2 (ko) |
KR (1) | KR100699618B1 (ko) |
TW (1) | TW452638B (ko) |
WO (1) | WO2001003169A1 (ko) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4256031B2 (ja) * | 1999-07-27 | 2009-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置およびその温度制御方法 |
JP2002168551A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置の電極用冷却装置 |
US7118780B2 (en) * | 2001-03-16 | 2006-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment method |
KR100876927B1 (ko) * | 2001-06-01 | 2009-01-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 열처리장치 및 열처리방법 |
JP2003022963A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2003022955A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Canon Inc | 露光装置 |
JP3594583B2 (ja) * | 2002-01-10 | 2004-12-02 | Necエレクトロニクス株式会社 | エッチング装置及びその温度制御方法 |
JP2003314910A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子冷却装置およびその制御方法 |
JP4587016B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2010-11-24 | ソニー株式会社 | 反応装置とその製造方法、改質装置、電源供給システム |
TWI296323B (en) * | 2003-12-25 | 2008-05-01 | Ind Tech Res Inst | Constant temperature refrigeration system for extensive temperature range application and control method thereof |
JP4435201B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2010-03-17 | キヤノン株式会社 | 温調システムの調整方法 |
US20090068330A1 (en) * | 2007-09-10 | 2009-03-12 | David Flynn Stancil | Method for cooling |
CN101787867B (zh) * | 2010-01-28 | 2012-09-26 | 吉林大学 | 钻井泥浆强制冷却循环*** |
JP5868619B2 (ja) * | 2011-06-21 | 2016-02-24 | ニチアス株式会社 | 熱処理炉及び熱処理装置 |
JP6870944B2 (ja) | 2016-09-26 | 2021-05-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN113426240B (zh) * | 2021-07-05 | 2022-08-12 | 北京京仪自动化装备技术股份有限公司 | 一种电加热式半导体废气处理设备及其降温的方法 |
CN114318522A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-04-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体腔室的冷却装置及半导体工艺设备 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2751588B2 (ja) * | 1990-07-10 | 1998-05-18 | 忠弘 大見 | 液冷式冷却装置 |
JP3061067B2 (ja) | 1991-04-23 | 2000-07-10 | 株式会社ニコン | 焦点検出装置 |
JP3375178B2 (ja) * | 1993-07-08 | 2003-02-10 | 日本エア・リキード株式会社 | シリンダ付ガス供給装置 |
JP2959951B2 (ja) * | 1994-04-18 | 1999-10-06 | 住友金属工業株式会社 | 液循環式恒温装置 |
DE19505357C1 (de) * | 1995-02-17 | 1996-05-23 | Daimler Benz Aerospace Ag | Verfahren zur Kühlung von Triebwerkswänden und Wandstruktur zur Durchführung desselben |
US5894887A (en) * | 1995-11-30 | 1999-04-20 | Applied Materials, Inc. | Ceramic dome temperature control using heat pipe structure and method |
JPH09251959A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-22 | Kokusai Electric Co Ltd | 加熱装置 |
JPH1161067A (ja) | 1997-08-26 | 1999-03-05 | Du Pont Mitsui Polychem Co Ltd | ホットメルト接着剤組成物 |
JP3061067U (ja) * | 1999-01-27 | 1999-09-14 | 株式会社ラスコ | 熱交換装置 |
-
2000
- 2000-06-29 KR KR1020017016842A patent/KR100699618B1/ko active IP Right Grant
- 2000-06-29 WO PCT/JP2000/004313 patent/WO2001003169A1/ja active IP Right Grant
- 2000-06-29 JP JP2001508485A patent/JP4421158B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-01 TW TW089113082A patent/TW452638B/zh active
- 2000-09-27 US US09/669,908 patent/US6427462B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020031350A (ko) | 2002-05-01 |
JP4421158B2 (ja) | 2010-02-24 |
WO2001003169A1 (fr) | 2001-01-11 |
TW452638B (en) | 2001-09-01 |
US6427462B1 (en) | 2002-08-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130227 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140220 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160219 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170221 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180302 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190305 Year of fee payment: 13 |